JPH10334809A - プラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置Info
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- JPH10334809A JPH10334809A JP9141348A JP14134897A JPH10334809A JP H10334809 A JPH10334809 A JP H10334809A JP 9141348 A JP9141348 A JP 9141348A JP 14134897 A JP14134897 A JP 14134897A JP H10334809 A JPH10334809 A JP H10334809A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/38—Dielectric or insulating layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】点灯すべきセルが点灯しない黒ノイズの発生率
を低減し、表示品質を高めることを目的とする。 【解決手段】主電極対を構成する第１及び第２の電極が
絶縁層で放電ガスに対して被覆されたマトリクス表示形
式のＰＤＰにおいて、絶縁層のうちの少なくとも放電ガ
スと接する表層として、その１平方センチメートル当た
りの１００Ｈｚにおけるインピーダンスが２３０〜３３
０ｋΩの範囲内の値である酸化マグネシウム膜、又は珪
素を５００〜１００００重量ｐｐｍの範囲内の割合で含
んだ酸化マグネシウム膜を設ける。
を低減し、表示品質を高めることを目的とする。 【解決手段】主電極対を構成する第１及び第２の電極が
絶縁層で放電ガスに対して被覆されたマトリクス表示形
式のＰＤＰにおいて、絶縁層のうちの少なくとも放電ガ
スと接する表層として、その１平方センチメートル当た
りの１００Ｈｚにおけるインピーダンスが２３０〜３３
０ｋΩの範囲内の値である酸化マグネシウム膜、又は珪
素を５００〜１００００重量ｐｐｍの範囲内の割合で含
んだ酸化マグネシウム膜を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス表示方
式のＡＣ型プラズマディスプレイパネル（PlasmaDispla
y Panel:ＰＤＰ）に関し、特に画面に沿った放電を生じ
させる面放電形式のＰＤＰに好適である。
式のＡＣ型プラズマディスプレイパネル（PlasmaDispla
y Panel:ＰＤＰ）に関し、特に画面に沿った放電を生じ
させる面放電形式のＰＤＰに好適である。
【０００２】近年、ＰＤＰは、カラー画面の実用化を機
にテレビジョン映像やコンピュータのモニターなどの用
途で広く用いられるようになってきた。ハイビジョン用
の大画面フラット型デバイスとしても注目されている。
にテレビジョン映像やコンピュータのモニターなどの用
途で広く用いられるようになってきた。ハイビジョン用
の大画面フラット型デバイスとしても注目されている。
【０００３】マトリクス表示方式のＰＤＰにおいて、表
示素子であるセルの点灯状態の維持（サステイン）にメ
モリ効果が利用されている。ＡＣ型ＰＤＰは、電極を誘
電体で被覆することにより構造的にメモリ機能を有する
ように構成されている。すなわち、ＡＣ型ＰＤＰによる
表示に際しては、点灯（発光）すべきセルのみに壁電荷
を蓄積させるライン順次のアドレッシングを行い、その
後に全てのセルに対して一斉に交番極性の電圧（サステ
イン電圧）を印加する。サステイン電圧は放電開始電圧
より低い所定の電圧である。壁電荷の存在するセルで
は、壁電圧がサステイン電圧に重畳するので、セルに加
わる実効電圧が放電開始電圧を越えて放電が生じる。サ
ステイン電圧の印加周期を短くすれば、見かけの上で連
続的な点灯状態が得られる。
示素子であるセルの点灯状態の維持（サステイン）にメ
モリ効果が利用されている。ＡＣ型ＰＤＰは、電極を誘
電体で被覆することにより構造的にメモリ機能を有する
ように構成されている。すなわち、ＡＣ型ＰＤＰによる
表示に際しては、点灯（発光）すべきセルのみに壁電荷
を蓄積させるライン順次のアドレッシングを行い、その
後に全てのセルに対して一斉に交番極性の電圧（サステ
イン電圧）を印加する。サステイン電圧は放電開始電圧
より低い所定の電圧である。壁電荷の存在するセルで
は、壁電圧がサステイン電圧に重畳するので、セルに加
わる実効電圧が放電開始電圧を越えて放電が生じる。サ
ステイン電圧の印加周期を短くすれば、見かけの上で連
続的な点灯状態が得られる。
【０００４】
【従来の技術】商品化されている面放電形式のＰＤＰで
は、マトリクス表示のライン毎に画面の全長にわたって
延びる一対のサステイン電極（第１及び第２の電極）が
平行に配置され、列毎にアドレス電極（第３の電極）が
配置されている。各ラインにおけるサステイン電極間隙
は“放電スリット”と呼称されており、その幅は２００
〜２５０ボルト程度の実効電圧の印加で面放電が生じる
値（例えば５０〜１００μｍ）に選定されている。一
方、隣接するラインどうしの間におけるサステイン電極
間隙は“逆スリット”と呼称されている。逆スリットの
幅は放電スリットよりも十分に大きい値に選定されてい
る。すなわち、逆スリットを隔てて並ぶサステイン電極
どうしの間での面放電が防止されている。このように、
放電スリット及び逆スリットを設けてサステイン電極を
配列することにより、各ラインを選択的に発光させるこ
とができる。
は、マトリクス表示のライン毎に画面の全長にわたって
延びる一対のサステイン電極（第１及び第２の電極）が
平行に配置され、列毎にアドレス電極（第３の電極）が
配置されている。各ラインにおけるサステイン電極間隙
は“放電スリット”と呼称されており、その幅は２００
〜２５０ボルト程度の実効電圧の印加で面放電が生じる
値（例えば５０〜１００μｍ）に選定されている。一
方、隣接するラインどうしの間におけるサステイン電極
間隙は“逆スリット”と呼称されている。逆スリットの
幅は放電スリットよりも十分に大きい値に選定されてい
る。すなわち、逆スリットを隔てて並ぶサステイン電極
どうしの間での面放電が防止されている。このように、
放電スリット及び逆スリットを設けてサステイン電極を
配列することにより、各ラインを選択的に発光させるこ
とができる。
【０００５】サステイン電極を被覆する誘電体層（例え
ば低融点ガラス）の表面には、放電時のイオン衝撃の影
響を軽減する耐スパッタ性の保護膜が設けられている。
保護膜は放電ガスと接することから、その材質及び膜質
が放電特性に大きな影響を与える。一般に、保護膜材料
として酸化マグネシウム（ＭｇＯ：マグネシア）が用い
られている。ＭｇＯは耐スパッタ性に優れ且つ二次電子
放出係数の大きい絶縁物である。つまり、ＭｇＯを用い
ることによって放電開始電圧が下がって駆動が容易にな
る。従来では、ペレット状のＭｇＯを材料とする真空蒸
着によって誘電体層の表面に１μｍ程度の厚さのＭｇＯ
膜が形成されていた。
ば低融点ガラス）の表面には、放電時のイオン衝撃の影
響を軽減する耐スパッタ性の保護膜が設けられている。
保護膜は放電ガスと接することから、その材質及び膜質
が放電特性に大きな影響を与える。一般に、保護膜材料
として酸化マグネシウム（ＭｇＯ：マグネシア）が用い
られている。ＭｇＯは耐スパッタ性に優れ且つ二次電子
放出係数の大きい絶縁物である。つまり、ＭｇＯを用い
ることによって放電開始電圧が下がって駆動が容易にな
る。従来では、ペレット状のＭｇＯを材料とする真空蒸
着によって誘電体層の表面に１μｍ程度の厚さのＭｇＯ
膜が形成されていた。
【０００６】表示に際しては、ある画像のサステインの
終了から次の画像のアドレッシングまでの間に、画面全
体の帯電分布の初期化（リセット）が行われる。具体的
には、アドレッシングに先立って、放電開始電圧を越え
る波高値のリセットパルスを全てのラインのサステイン
電極対に対して一斉に印加する。リセットパルスの前縁
で面放電が生じ、各セルにサステイン時よりも大量の壁
電荷が帯電する。リセットパルスの後縁で壁電圧のみに
よる自己放電が生じ、ほとんどの壁電荷が中和して消失
する。つまり、画面の全体にわたって誘電体がほぼ非帯
電状態となる。なお、自己放電によらず、以前に選択的
に帯電させたセルのみにおいて消去放電を生じさせて初
期化することも可能ではあるが、その場合は初期化のた
めのアドレッシングが必要であり、表示の切換えの所要
時間が延びてしまう。
終了から次の画像のアドレッシングまでの間に、画面全
体の帯電分布の初期化（リセット）が行われる。具体的
には、アドレッシングに先立って、放電開始電圧を越え
る波高値のリセットパルスを全てのラインのサステイン
電極対に対して一斉に印加する。リセットパルスの前縁
で面放電が生じ、各セルにサステイン時よりも大量の壁
電荷が帯電する。リセットパルスの後縁で壁電圧のみに
よる自己放電が生じ、ほとんどの壁電荷が中和して消失
する。つまり、画面の全体にわたって誘電体がほぼ非帯
電状態となる。なお、自己放電によらず、以前に選択的
に帯電させたセルのみにおいて消去放電を生じさせて初
期化することも可能ではあるが、その場合は初期化のた
めのアドレッシングが必要であり、表示の切換えの所要
時間が延びてしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、“黒
ノイズ”と呼称される表示の乱れが生じるという問題が
あった。黒ノイズは、点灯すべきセル（選択セル）が点
灯しない現象であり、画面のうちの点灯領域と非点灯領
域との境界で生じ易い。１つのライン又は１つの列にお
ける複数の選択セルの全てが点灯しないというものでは
なく、発生部位が点在することから、黒ノイズの原因は
アドレス放電が生じないか又は生じても強度が足りない
アドレスミスであると言える。
ノイズ”と呼称される表示の乱れが生じるという問題が
あった。黒ノイズは、点灯すべきセル（選択セル）が点
灯しない現象であり、画面のうちの点灯領域と非点灯領
域との境界で生じ易い。１つのライン又は１つの列にお
ける複数の選択セルの全てが点灯しないというものでは
なく、発生部位が点在することから、黒ノイズの原因は
アドレス放電が生じないか又は生じても強度が足りない
アドレスミスであると言える。
【０００８】アドレスミスの原因としては、逆スリット
における壁電荷の残留が考えられる。リセットパルスに
よる面放電が過剰に拡がって逆スリットにも壁電荷が帯
電した場合、その後に自己消去放電が生じても放電スリ
ットから遠い逆スリットに在る壁電荷は残留する。この
残留電荷によってアドレッシングの実効電圧が下がり、
アドレスミスが起こる。近傍のセルが選択セルであれ
ば、近傍のセルでのアドレス放電よる空間電荷がプライ
ミング効果に寄与するので、アドレスミスは起こりにく
い。これに対して、上述の境界のように近傍のセル（特
にスキャンニングの前方側）が非選択セルである場合で
は、プライミング効果が生じないので、アドレスミスが
起こり易い。
における壁電荷の残留が考えられる。リセットパルスに
よる面放電が過剰に拡がって逆スリットにも壁電荷が帯
電した場合、その後に自己消去放電が生じても放電スリ
ットから遠い逆スリットに在る壁電荷は残留する。この
残留電荷によってアドレッシングの実効電圧が下がり、
アドレスミスが起こる。近傍のセルが選択セルであれ
ば、近傍のセルでのアドレス放電よる空間電荷がプライ
ミング効果に寄与するので、アドレスミスは起こりにく
い。これに対して、上述の境界のように近傍のセル（特
にスキャンニングの前方側）が非選択セルである場合で
は、プライミング効果が生じないので、アドレスミスが
起こり易い。
【０００９】本発明は、点灯すべきセルが点灯しない黒
ノイズの発生率を低減し、表示品質を高めることを目的
としている。
ノイズの発生率を低減し、表示品質を高めることを目的
としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】サステイン放電のための
誘電体の表面を特定の膜質の酸化マグネシウム膜で被覆
することによって、放電特性を改善する。
誘電体の表面を特定の膜質の酸化マグネシウム膜で被覆
することによって、放電特性を改善する。
【００１１】酸化マグネシウム膜の膜質は、材料組成を
含む成膜条件に依存する。製造ロット別の比較結果など
から黒ノイズの発生の度合いが酸化マグネシウム膜の膜
質に依存することが判明した。電気的性質を特定するた
めにインピーダンスを測定した。絶縁体の直流抵抗を正
確に測定するのは極めて難しいからである。インピーダ
ンスが一定範囲内の値である場合には黒ノイズの発生の
度合いが小さく、インピーダンスが一定範囲より小さく
ても大きくても黒ノイズの発生の度合いは大きいという
結果を得た。また、組成の分析を行った。珪素（Ｓｉ）
の含有量が一定範囲内の値である場合には黒ノイズの発
生の度合いが小さいという結果を得た。ホウ素（Ｂ）、
炭素（Ｃ）、カルシウム（Ｃａ）については、黒ノイズ
の発生率の大きい試料と小さい試料との間で顕著な差異
が無かった。珪素と同じくマグネシウムより原子価の大
きい（３以上）の元素、特にイオン半径がマグネシウム
に近い３ａ族又は４ａ族の元素の中に、珪素と同様の作
用を呈するものがあると推定できる。
含む成膜条件に依存する。製造ロット別の比較結果など
から黒ノイズの発生の度合いが酸化マグネシウム膜の膜
質に依存することが判明した。電気的性質を特定するた
めにインピーダンスを測定した。絶縁体の直流抵抗を正
確に測定するのは極めて難しいからである。インピーダ
ンスが一定範囲内の値である場合には黒ノイズの発生の
度合いが小さく、インピーダンスが一定範囲より小さく
ても大きくても黒ノイズの発生の度合いは大きいという
結果を得た。また、組成の分析を行った。珪素（Ｓｉ）
の含有量が一定範囲内の値である場合には黒ノイズの発
生の度合いが小さいという結果を得た。ホウ素（Ｂ）、
炭素（Ｃ）、カルシウム（Ｃａ）については、黒ノイズ
の発生率の大きい試料と小さい試料との間で顕著な差異
が無かった。珪素と同じくマグネシウムより原子価の大
きい（３以上）の元素、特にイオン半径がマグネシウム
に近い３ａ族又は４ａ族の元素の中に、珪素と同様の作
用を呈するものがあると推定できる。
【００１２】黒ノイズの原因であるアドレスミスが抑制
される理由としては、二次電子の放出量が増大して残留
電荷による実効電圧の低下が補われること、電荷の残留
自体が軽減されること、残留電荷が速やかに消失するこ
となどが考えられる。
される理由としては、二次電子の放出量が増大して残留
電荷による実効電圧の低下が補われること、電荷の残留
自体が軽減されること、残留電荷が速やかに消失するこ
となどが考えられる。
【００１３】請求項１の発明のＰＤＰは、主電極対を構
成する第１及び第２の電極が絶縁層で放電ガスに対して
被覆されたマトリクス表示形式のＰＤＰであって、前記
絶縁層のうちの少なくとも前記放電ガスと接する表層と
して酸化マグネシウム膜が設けられ、その１平方センチ
メートル当たりの１００Ｈｚにおけるインピーダンスが
２３０〜３３０ｋΩの範囲内の値に特定されたものであ
る。
成する第１及び第２の電極が絶縁層で放電ガスに対して
被覆されたマトリクス表示形式のＰＤＰであって、前記
絶縁層のうちの少なくとも前記放電ガスと接する表層と
して酸化マグネシウム膜が設けられ、その１平方センチ
メートル当たりの１００Ｈｚにおけるインピーダンスが
２３０〜３３０ｋΩの範囲内の値に特定されたものであ
る。
【００１４】請求項２の発明のＰＤＰにおいて、前記酸
化マグネシウム膜は原子価が３以上の元素を含んでい
る。請求項３の発明のＰＤＰにおいて、前記酸化マグネ
シウム膜は珪素及びアルミニウムのうちの少なくとも一
方を含んでいる。
化マグネシウム膜は原子価が３以上の元素を含んでい
る。請求項３の発明のＰＤＰにおいて、前記酸化マグネ
シウム膜は珪素及びアルミニウムのうちの少なくとも一
方を含んでいる。
【００１５】請求項４の発明のＰＤＰは、主電極対を被
覆する絶縁層のうちの少なくとも放電ガスと接する表層
として、珪素を５００〜１００００重量ｐｐｍの範囲内
の割合で含んだ酸化マグネシウム膜が設けられたもので
ある。
覆する絶縁層のうちの少なくとも放電ガスと接する表層
として、珪素を５００〜１００００重量ｐｐｍの範囲内
の割合で含んだ酸化マグネシウム膜が設けられたもので
ある。
【００１６】請求項５の発明の方法は、ペレット状の酸
化マグネシウムとペレット状又はパウダ状の不純物化合
物とを混合して同時に加熱する蒸着法によって前記酸化
マグネシウム膜を形成するＰＤＰの製造方法である。
化マグネシウムとペレット状又はパウダ状の不純物化合
物とを混合して同時に加熱する蒸着法によって前記酸化
マグネシウム膜を形成するＰＤＰの製造方法である。
【００１７】請求項６の発明の方法は、パウダ状の酸化
マグネシウムとパウダ状の不純物化合物との混合物の焼
結体を加熱する蒸着法によって前記酸化マグネシウム膜
を形成するＰＤＰの製造方法である。
マグネシウムとパウダ状の不純物化合物との混合物の焼
結体を加熱する蒸着法によって前記酸化マグネシウム膜
を形成するＰＤＰの製造方法である。
【００１８】請求項７の発明の方法は、パウダ状の酸化
マグネシウムとパウダ状の不純物化合物との混合物の焼
結体をターゲットとするスパッタリングによって前記酸
化マグネシウム膜を形成するＰＤＰの製造方法である。
マグネシウムとパウダ状の不純物化合物との混合物の焼
結体をターゲットとするスパッタリングによって前記酸
化マグネシウム膜を形成するＰＤＰの製造方法である。
【００１９】請求項８の発明の装置は、前記第１及び第
２の電極が同一面上に配列され、前記第１及び第２の電
極と交差する第３の電極を有した請求項１又は請求項４
記載の構成のＰＤＰと、自己消去放電によって画面全体
の帯電分布を初期化した後にアドレッシングとサステイ
ンとを行う駆動方法の実現手段であって、初期化期間に
おいて前記第１の電極と第２の電極との間にリセット電
圧を印加し、アドレス期間において前記第２の電極と第
３の電極との間にアドレス電圧を印加し、サステイン期
間において前記第１の電極と第２の電極との間にサステ
イン電圧を印加する駆動装置と、を備えている。
２の電極が同一面上に配列され、前記第１及び第２の電
極と交差する第３の電極を有した請求項１又は請求項４
記載の構成のＰＤＰと、自己消去放電によって画面全体
の帯電分布を初期化した後にアドレッシングとサステイ
ンとを行う駆動方法の実現手段であって、初期化期間に
おいて前記第１の電極と第２の電極との間にリセット電
圧を印加し、アドレス期間において前記第２の電極と第
３の電極との間にアドレス電圧を印加し、サステイン期
間において前記第１の電極と第２の電極との間にサステ
イン電圧を印加する駆動装置と、を備えている。
【００２０】請求項９の発明の物は、基板上に、複数対
の面放電用電極、それら面放電用電極を覆う誘電体層、
当該誘電体層の表面を覆う保護膜を形成してなるプラズ
マディスプレイパネル用基板構体であって、前記保護膜
が、その１平方センチメートル当たりの１００Ｈｚにお
けるインピーダンスが２３０〜３３０ｋΩの範囲内の値
である酸化マグネシウム膜からなるものである。
の面放電用電極、それら面放電用電極を覆う誘電体層、
当該誘電体層の表面を覆う保護膜を形成してなるプラズ
マディスプレイパネル用基板構体であって、前記保護膜
が、その１平方センチメートル当たりの１００Ｈｚにお
けるインピーダンスが２３０〜３３０ｋΩの範囲内の値
である酸化マグネシウム膜からなるものである。
【００２１】請求項９の発明のプラズマディスプレイパ
ネル用基板構体においては、前記保護膜が、珪素を５０
０〜１００００重量ｐｐｍの範囲内の割合で含んだ酸化
マグネシウム膜からなる。
ネル用基板構体においては、前記保護膜が、珪素を５０
０〜１００００重量ｐｐｍの範囲内の割合で含んだ酸化
マグネシウム膜からなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るプラズマ表示
装置１００のブロック図である。プラズマ表示装置１０
０は、マトリクス形式のカラー表示デバイスであるＡＣ
型のＰＤＰ１と、画面（スクリーン）を構成する多数の
セルを選択的に点灯させるための駆動ユニット８０とか
らなり、壁掛け式テレビジョン受像機、コンピュータシ
ステムのモニターなどとして利用される。
装置１００のブロック図である。プラズマ表示装置１０
０は、マトリクス形式のカラー表示デバイスであるＡＣ
型のＰＤＰ１と、画面（スクリーン）を構成する多数の
セルを選択的に点灯させるための駆動ユニット８０とか
らなり、壁掛け式テレビジョン受像機、コンピュータシ
ステムのモニターなどとして利用される。
【００２３】ＰＤＰ１は、一対のサステイン電極Ｘ，Ｙ
が平行配置された面放電形式のＰＤＰであり、各セルに
サステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが対応する３
電極構造の電極マトリクスを有している。サステイン電
極Ｘ，Ｙは画面のライン方向（水平方向）に延び、一方
のサステイン電極Ｙはアドレッシングに際してライン単
位にセルを選択するためのスキャン電極として用いられ
る。アドレス電極Ａは列単位にセルを選択するためのデ
ータ電極であり、列方向（垂直方向）に延びている。
が平行配置された面放電形式のＰＤＰであり、各セルに
サステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが対応する３
電極構造の電極マトリクスを有している。サステイン電
極Ｘ，Ｙは画面のライン方向（水平方向）に延び、一方
のサステイン電極Ｙはアドレッシングに際してライン単
位にセルを選択するためのスキャン電極として用いられ
る。アドレス電極Ａは列単位にセルを選択するためのデ
ータ電極であり、列方向（垂直方向）に延びている。
【００２４】駆動ユニット８０は、コントローラ８１、
フレームメモリ８２、Ｘドライバ回路８６、Ｙドライバ
回路８７、アドレスドライバ回路８８、及び図示しない
電源回路を有している。駆動ユニット８０には外部装置
から各ピクセルのＲＧＢの輝度レベル（階調レベル）を
示す多値の映像データＤＲ，ＤＧ，ＤＢが、各種の同期
信号とともに入力される。映像データＤＲ，ＤＧ，ＤＢ
は、フレームメモリ８２に一旦格納された後、コントロ
ーラ８１によって各色毎にサブフレームデータＤｓｆに
変換され、再びフレームメモリ８２に格納される。サブ
フレームデータＤｓｆは、階調表示のために１フレーム
を分割した各サブフレームにおけるセルの点灯の要否を
示す２値データの集合である。Ｘドライバ回路８６はサ
ステイン電極Ｘに対する電圧印加を担い、Ｙドライバ回
路８７はサステイン電極Ｙに対する電圧印加を担う。ア
ドレスドライバ回路８８は、フレームメモリ８２から転
送されたサブフレームデータＤｓｆに応じて、アドレス
電極Ａに選択的にアドレス電圧を印加する。
フレームメモリ８２、Ｘドライバ回路８６、Ｙドライバ
回路８７、アドレスドライバ回路８８、及び図示しない
電源回路を有している。駆動ユニット８０には外部装置
から各ピクセルのＲＧＢの輝度レベル（階調レベル）を
示す多値の映像データＤＲ，ＤＧ，ＤＢが、各種の同期
信号とともに入力される。映像データＤＲ，ＤＧ，ＤＢ
は、フレームメモリ８２に一旦格納された後、コントロ
ーラ８１によって各色毎にサブフレームデータＤｓｆに
変換され、再びフレームメモリ８２に格納される。サブ
フレームデータＤｓｆは、階調表示のために１フレーム
を分割した各サブフレームにおけるセルの点灯の要否を
示す２値データの集合である。Ｘドライバ回路８６はサ
ステイン電極Ｘに対する電圧印加を担い、Ｙドライバ回
路８７はサステイン電極Ｙに対する電圧印加を担う。ア
ドレスドライバ回路８８は、フレームメモリ８２から転
送されたサブフレームデータＤｓｆに応じて、アドレス
電極Ａに選択的にアドレス電圧を印加する。
【００２５】次に、ＰＤＰ１に適用する駆動方法を説明
する。図２はフレーム分割の模式図であり、図３は駆動
シーケンスを示す電圧波形図である。
する。図２はフレーム分割の模式図であり、図３は駆動
シーケンスを示す電圧波形図である。
【００２６】セルの発光の２値制御によって階調再現を
行うために、外部からの入力画像である時系列の各フレ
ームＦを、例えば６個のサブフレームｓｆ１，ｓｆ２，
ｓｆ３，ｓｆ４，ｓｆ５，ｓｆ６に分割する。各サブフ
レームｓｆ１〜ｓｆ６における輝度の相対比率が１：
２：４：８：１６：３２となるように重み付けをして、
各サブフレームｓｆ１〜ｓｆ６のサステインの発光回数
を設定する。サブフレーム単位の発光の有無の組合せで
ＲＧＢの各色毎にレベル「０」〜「６３」の６４段階の
輝度設定を行うことができるので、表示可能な色の数は
６４3 となる。なお、サブフレームｓｆ１〜ｓｆ６を輝
度の重みの順に表示する必要はない。例えば重みの大き
いサブフレームｓｆ６を表示期間の中間に配置するとい
った最適化を行うことができる。
行うために、外部からの入力画像である時系列の各フレ
ームＦを、例えば６個のサブフレームｓｆ１，ｓｆ２，
ｓｆ３，ｓｆ４，ｓｆ５，ｓｆ６に分割する。各サブフ
レームｓｆ１〜ｓｆ６における輝度の相対比率が１：
２：４：８：１６：３２となるように重み付けをして、
各サブフレームｓｆ１〜ｓｆ６のサステインの発光回数
を設定する。サブフレーム単位の発光の有無の組合せで
ＲＧＢの各色毎にレベル「０」〜「６３」の６４段階の
輝度設定を行うことができるので、表示可能な色の数は
６４3 となる。なお、サブフレームｓｆ１〜ｓｆ６を輝
度の重みの順に表示する必要はない。例えば重みの大き
いサブフレームｓｆ６を表示期間の中間に配置するとい
った最適化を行うことができる。
【００２７】図３のように、各サブフレームｓｆ１〜ｓ
ｆ６に対して、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ、
及びサステイン期間ＴＳを割り当てる。リセット期間Ｔ
Ｒ及びアドレス期間ＴＡの長さは輝度の重みに係わらず
一定であるが、サステイン期間ＴＳの長さは輝度の重み
が大きいほど長い。つまり、各サブフレームｓｆ１〜ｓ
ｆ６の表示期間の長さは互いに異なる。
ｆ６に対して、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ、
及びサステイン期間ＴＳを割り当てる。リセット期間Ｔ
Ｒ及びアドレス期間ＴＡの長さは輝度の重みに係わらず
一定であるが、サステイン期間ＴＳの長さは輝度の重み
が大きいほど長い。つまり、各サブフレームｓｆ１〜ｓ
ｆ６の表示期間の長さは互いに異なる。
【００２８】リセット期間ＴＲは、それ以前の点灯状態
の影響を防ぐため、画面全体の壁電荷の消去（初期化）
を行う期間である。全てのライン（ライン数はｎ）のサ
ステイン電極Ｘに波高値が面放電開始電圧を越える正極
性のリセットパルスＰｗを印加し、同時に背面側の帯電
とイオン衝撃を防ぐために全てのアドレス電極Ａに正極
性のパルスを印加する。リセットパルスＰｗの立上がり
に呼応して全てのラインで強い面放電が生じ、セル内に
多量の壁電荷が生じる。壁電圧と印加電圧との相殺によ
って実効電圧が下がる。リセットパルスＰｗが立下がる
と、壁電圧がそのまま実効電圧となって自己放電が生
じ、全てのセルにおいてほとんどの壁電荷が消失し、画
面全体が一様な非帯電状態となる。
の影響を防ぐため、画面全体の壁電荷の消去（初期化）
を行う期間である。全てのライン（ライン数はｎ）のサ
ステイン電極Ｘに波高値が面放電開始電圧を越える正極
性のリセットパルスＰｗを印加し、同時に背面側の帯電
とイオン衝撃を防ぐために全てのアドレス電極Ａに正極
性のパルスを印加する。リセットパルスＰｗの立上がり
に呼応して全てのラインで強い面放電が生じ、セル内に
多量の壁電荷が生じる。壁電圧と印加電圧との相殺によ
って実効電圧が下がる。リセットパルスＰｗが立下がる
と、壁電圧がそのまま実効電圧となって自己放電が生
じ、全てのセルにおいてほとんどの壁電荷が消失し、画
面全体が一様な非帯電状態となる。
【００２９】アドレス期間ＴＡは、アドレッシング（点
灯／非点灯の設定）を行う期間である。サステイン電極
Ｘを接地電位に対して正電位にバイアスし、全てのサス
テイン電極Ｙを負電位にバイアスする。この状態で、先
頭のラインから１ラインずつ順に各ラインを選択し、該
当するサステイン電極Ｙに負極性のスキャンパルスＰｙ
を印加する。ラインの選択と同時に、サブフレームデー
タＤｓｆが示す点灯すべきセルに対応したアドレス電極
Ａに対して正極性のアドレスパルスＰａを印加する。選
択されたラインにおいて、アドレスパルスＰａの印加さ
れたセルでは、サステイン電極Ｙとアドレス電極Ａとの
間で対向放電が起こり、それが面放電に移行する。これ
ら一連の放電がアドレス放電である。サステイン電極Ｘ
がアドレスパルスＰａと同極性の電位にバイアスされて
いるので、そのバイアスでアドレスパルスＰａが打ち消
され、サステイン電極Ｘとアドレス電極Ａとの間では放
電は起きない。
灯／非点灯の設定）を行う期間である。サステイン電極
Ｘを接地電位に対して正電位にバイアスし、全てのサス
テイン電極Ｙを負電位にバイアスする。この状態で、先
頭のラインから１ラインずつ順に各ラインを選択し、該
当するサステイン電極Ｙに負極性のスキャンパルスＰｙ
を印加する。ラインの選択と同時に、サブフレームデー
タＤｓｆが示す点灯すべきセルに対応したアドレス電極
Ａに対して正極性のアドレスパルスＰａを印加する。選
択されたラインにおいて、アドレスパルスＰａの印加さ
れたセルでは、サステイン電極Ｙとアドレス電極Ａとの
間で対向放電が起こり、それが面放電に移行する。これ
ら一連の放電がアドレス放電である。サステイン電極Ｘ
がアドレスパルスＰａと同極性の電位にバイアスされて
いるので、そのバイアスでアドレスパルスＰａが打ち消
され、サステイン電極Ｘとアドレス電極Ａとの間では放
電は起きない。
【００３０】サステイン期間ＴＳは、階調レベルに応じ
た輝度を確保するために、設定された点灯状態を維持す
る期間である。不要の放電を防止するため、全てのアド
レス電極Ａを正極性の電位にバイアスし、最初に全ての
サステイン電極Ｙに正極性のサステインパルスＰｓを印
加する。その後、サステイン電極Ｘとサステイン電極Ｙ
とに対して交互にサステインパルスＰｓを印加する。サ
ステインパルスＰｓの印加毎に、アドレス期間ＴＡにお
いて壁電荷の蓄積したセルで面放電が生じる。サステイ
ンパルスＰｓの印加周期は一定であり、輝度の重みに応
じて設定された個数のサステインパルスＰｓが印加され
る。
た輝度を確保するために、設定された点灯状態を維持す
る期間である。不要の放電を防止するため、全てのアド
レス電極Ａを正極性の電位にバイアスし、最初に全ての
サステイン電極Ｙに正極性のサステインパルスＰｓを印
加する。その後、サステイン電極Ｘとサステイン電極Ｙ
とに対して交互にサステインパルスＰｓを印加する。サ
ステインパルスＰｓの印加毎に、アドレス期間ＴＡにお
いて壁電荷の蓄積したセルで面放電が生じる。サステイ
ンパルスＰｓの印加周期は一定であり、輝度の重みに応
じて設定された個数のサステインパルスＰｓが印加され
る。
【００３１】図４は本発明のＰＤＰ１の内部構造を示す
斜視図である。ＰＤＰ１では、放電空間３０を挟む基板
対のうちの前面側のガラス基板１１の内面に、画面の水
平方向のセル列であるラインＬ毎に一対ずつサステイン
電極Ｘ，Ｙが配列されている。サステイン電極Ｘ，Ｙ
は、それぞれが透明導電膜４１と抵抗値を低減するため
の金属膜４２とからなり、ＡＣ駆動のための誘電体層１
７で被覆されている。誘電体層１７の材料はＰｂＯ系低
融点ガラス（誘電率は約１０）である。誘電体層１７の
表面には保護膜として後述する膜質のＭｇＯ膜１８が被
着されており、その膜厚は約７０００Åである。誘電体
層１７及びＭｇＯ膜１８は透光性を有している。なお、
サステイン電極、誘電体層、保護膜の積層体が形成され
た基板は、プラズマディスプレイパネル用基板構体と呼
称されている。背面側のガラス基板２１の内面には、下
地層２２、アドレス電極Ａ、絶縁層２４、隔壁２９、及
びカラー表示のための３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体層２
８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられている。各隔壁２９は
平面視において直線状である。これら隔壁２９によって
放電空間３０がライン方向にサブピクセル（単位発光領
域）毎に区画され、且つ放電空間３０の間隙寸法が一定
値（１５０μｍ程度）に規定されている。放電空間３０
には、ネオンに微量のキセノンを混合した放電ガスが充
填されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、放
電で生じた紫外線で局部的に励起されて所定色の可視光
を放つ。
斜視図である。ＰＤＰ１では、放電空間３０を挟む基板
対のうちの前面側のガラス基板１１の内面に、画面の水
平方向のセル列であるラインＬ毎に一対ずつサステイン
電極Ｘ，Ｙが配列されている。サステイン電極Ｘ，Ｙ
は、それぞれが透明導電膜４１と抵抗値を低減するため
の金属膜４２とからなり、ＡＣ駆動のための誘電体層１
７で被覆されている。誘電体層１７の材料はＰｂＯ系低
融点ガラス（誘電率は約１０）である。誘電体層１７の
表面には保護膜として後述する膜質のＭｇＯ膜１８が被
着されており、その膜厚は約７０００Åである。誘電体
層１７及びＭｇＯ膜１８は透光性を有している。なお、
サステイン電極、誘電体層、保護膜の積層体が形成され
た基板は、プラズマディスプレイパネル用基板構体と呼
称されている。背面側のガラス基板２１の内面には、下
地層２２、アドレス電極Ａ、絶縁層２４、隔壁２９、及
びカラー表示のための３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体層２
８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられている。各隔壁２９は
平面視において直線状である。これら隔壁２９によって
放電空間３０がライン方向にサブピクセル（単位発光領
域）毎に区画され、且つ放電空間３０の間隙寸法が一定
値（１５０μｍ程度）に規定されている。放電空間３０
には、ネオンに微量のキセノンを混合した放電ガスが充
填されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、放
電で生じた紫外線で局部的に励起されて所定色の可視光
を放つ。
【００３２】表示の１ピクセルはライン方向に並ぶ３つ
のサブピクセルで構成される。各サブピクセルの範囲内
の構造体がセルである。隔壁２９の配置パターンがスト
ライプパターンであることから、放電空間３０のうちの
各列に対応した部分は、全てのラインに跨がって列方向
に連続している。各列内のサブピクセルの発光色は同一
である。
のサブピクセルで構成される。各サブピクセルの範囲内
の構造体がセルである。隔壁２９の配置パターンがスト
ライプパターンであることから、放電空間３０のうちの
各列に対応した部分は、全てのラインに跨がって列方向
に連続している。各列内のサブピクセルの発光色は同一
である。
【００３３】以上の構造のＰＤＰ１は、各ガラス基板１
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面及
び背面用の基板構体を作製し、両基板構体を重ね合わせ
て対向間隙の周縁を封止し、内部の排気及び放電ガスの
充填を行う一連の工程によって製造される。その前面用
の基板構体の作製において、ＭｇＯ膜１８は、黒ノイズ
の低減に有効な膜質が得られるように選定された条件で
成膜される。
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面及
び背面用の基板構体を作製し、両基板構体を重ね合わせ
て対向間隙の周縁を封止し、内部の排気及び放電ガスの
充填を行う一連の工程によって製造される。その前面用
の基板構体の作製において、ＭｇＯ膜１８は、黒ノイズ
の低減に有効な膜質が得られるように選定された条件で
成膜される。
【００３４】以下、ＭｇＯ膜１８の膜質について説明す
る。図５はインピーダンスの測定方法を示す図、図６は
ＭｇＯ膜のインピーダンスと画質との関係を示すグラフ
である。
る。図５はインピーダンスの測定方法を示す図、図６は
ＭｇＯ膜のインピーダンスと画質との関係を示すグラフ
である。
【００３５】複数の電極基板を用意し、それぞれの表面
に互いに異なる条件でＭｇＯ膜を設けた。図５（Ａ）の
ように、電極基板９１は、５０ｍｍ×６０ｍｍのガラス
板９２の表面に、直径２０ｍｍの電極部９３ａと引出し
部９３ｂとからなる導電膜９３を形成したものである。
導電膜９３の材質は、サステイン電極Ｘ，Ｙを構成する
透明導電膜４１と同一のＩＴＯである。電極部９１ａの
全体を一様に被覆するように、厚さが約７０００ÅのＭ
ｇＯ膜９５を形成した後、図５（Ｂ）のように別の電極
基板９１を重ねてＭｇＯ膜９５を一対の導電膜９３で挟
み、ＬＣＲメータを用いてＭｇＯ膜９５のインピーダン
スを測定した。ＭｇＯ膜９５を挟む荷重を７ｋｇ／ｃｍ
2 とし、印加電圧を１Ｖ（実効値）とし、周波数を１０
０Ｈｚとした。
に互いに異なる条件でＭｇＯ膜を設けた。図５（Ａ）の
ように、電極基板９１は、５０ｍｍ×６０ｍｍのガラス
板９２の表面に、直径２０ｍｍの電極部９３ａと引出し
部９３ｂとからなる導電膜９３を形成したものである。
導電膜９３の材質は、サステイン電極Ｘ，Ｙを構成する
透明導電膜４１と同一のＩＴＯである。電極部９１ａの
全体を一様に被覆するように、厚さが約７０００ÅのＭ
ｇＯ膜９５を形成した後、図５（Ｂ）のように別の電極
基板９１を重ねてＭｇＯ膜９５を一対の導電膜９３で挟
み、ＬＣＲメータを用いてＭｇＯ膜９５のインピーダン
スを測定した。ＭｇＯ膜９５を挟む荷重を７ｋｇ／ｃｍ
2 とし、印加電圧を１Ｖ（実効値）とし、周波数を１０
０Ｈｚとした。
【００３６】一方、インピーダンス測定のための複数の
試料のそれぞれと同時にＭｇＯ膜１８を成膜したＰＤＰ
の画質を評価した。評価は、数十ライン置きに点灯ライ
ン群と非点灯ライン群とが交互に並ぶ横ストライプパタ
ーンを表示させて目視検査によって行った。点灯ライン
群の輝度レベルを最大輝度の約半分の「３２」とした。
すなわち、重みが「３２」のサブフレームｓｆ６のみを
点灯させて黒ノイズが目立つようにした。点灯させるサ
ブフレーム数が１であれば、１回のアドレスミスがフレ
ーム全体の消灯として現れる。また、輝度レベルが「３
２」であれば、正しく点灯したときとそうでないときと
の輝度差が大きい。上述のように先頭ラインから順に各
ラインを選択してアドレッシングを行う場合には、各点
灯ライン群における先頭ラインに最も近いラインで黒ノ
イズが発生し易い。ただし、常にアドレスミスが生じる
とは限らないので、黒ノイズは発光のちらつきとして知
覚される。
試料のそれぞれと同時にＭｇＯ膜１８を成膜したＰＤＰ
の画質を評価した。評価は、数十ライン置きに点灯ライ
ン群と非点灯ライン群とが交互に並ぶ横ストライプパタ
ーンを表示させて目視検査によって行った。点灯ライン
群の輝度レベルを最大輝度の約半分の「３２」とした。
すなわち、重みが「３２」のサブフレームｓｆ６のみを
点灯させて黒ノイズが目立つようにした。点灯させるサ
ブフレーム数が１であれば、１回のアドレスミスがフレ
ーム全体の消灯として現れる。また、輝度レベルが「３
２」であれば、正しく点灯したときとそうでないときと
の輝度差が大きい。上述のように先頭ラインから順に各
ラインを選択してアドレッシングを行う場合には、各点
灯ライン群における先頭ラインに最も近いラインで黒ノ
イズが発生し易い。ただし、常にアドレスミスが生じる
とは限らないので、黒ノイズは発光のちらつきとして知
覚される。
【００３７】試作した各ＰＤＰの画質に対して表１に示
す６段階の評価を行い、インピーダンスと画質との関係
を調べた。
す６段階の評価を行い、インピーダンスと画質との関係
を調べた。
【００３８】
【表１】
【００３９】図６のとおり、１ｃｍ2 当たりのインピー
ダンスが２７０〜３００ｋΩの範囲で画質が最良であ
り、この範囲よりインピーダンスが小さくなるにつれ、
また大きくなるにつれて画質が悪化する。評価レベル２
より画質が低いと文字が読みづらくなるが、評価レベル
３以上の画質であれば実用に問題はない。すなわち、画
質の良品範囲に対応したインピーダンスの許容範囲は２
３０〜３３０ｋΩである。
ダンスが２７０〜３００ｋΩの範囲で画質が最良であ
り、この範囲よりインピーダンスが小さくなるにつれ、
また大きくなるにつれて画質が悪化する。評価レベル２
より画質が低いと文字が読みづらくなるが、評価レベル
３以上の画質であれば実用に問題はない。すなわち、画
質の良品範囲に対応したインピーダンスの許容範囲は２
３０〜３３０ｋΩである。
【００４０】図７は珪素の含有量と画質との関係を示す
グラフである。タンタル基板にＭｇＯ膜を成膜して試料
を作製し、発光分析法（ＩＣＰ法）によって平面積４５
０ｃｍ2 の領域を対象にＭｇＯ膜の組成を調べた。ま
た、タンタル基板への成膜と同時にＭｇＯ膜１８を成膜
するという要領でＰＤＰを試作し、上述と同様の要領で
画質を評価した。図７のとおり、画質の良品範囲に対応
した珪素濃度の許容範囲は５００〜１００００重量ｐｐ
ｍであり、１０００〜８０００重量ｐｐｍの範囲におい
て最良の画質が得られる。なお、試作した各ＰＤＰのＭ
ｇＯ膜の組成を二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で調
べたところ、ＩＣＰ法による試料分析とほぼ同様の結果
が得られた。
グラフである。タンタル基板にＭｇＯ膜を成膜して試料
を作製し、発光分析法（ＩＣＰ法）によって平面積４５
０ｃｍ2 の領域を対象にＭｇＯ膜の組成を調べた。ま
た、タンタル基板への成膜と同時にＭｇＯ膜１８を成膜
するという要領でＰＤＰを試作し、上述と同様の要領で
画質を評価した。図７のとおり、画質の良品範囲に対応
した珪素濃度の許容範囲は５００〜１００００重量ｐｐ
ｍであり、１０００〜８０００重量ｐｐｍの範囲におい
て最良の画質が得られる。なお、試作した各ＰＤＰのＭ
ｇＯ膜の組成を二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で調
べたところ、ＩＣＰ法による試料分析とほぼ同様の結果
が得られた。
【００４１】適量の珪素を含むＭｇＯ膜１８は真空蒸着
によって得ることができる。成膜においては、蒸着源と
してペレット状のＭｇＯとペレット状又はパウダ状の珪
素化合物（二酸化珪素、一酸化珪素）とを混合して用い
る。例えば、粒径５〜３ｍｍ、純度９９．９５％以上の
ＭｇＯペレットに二酸化珪素パウダを０．１重量％の割
合で混合した材料を用い、ピアス式ガンを加熱源とする
反応性ＥＢ蒸着法により、真空度５×１０-5Ｔｏｒｒ、
酸素導入流量１２ｓｃｃｍ、酸素分圧９０％以上、レー
ト２０Å／ｓ、膜厚７０００Å、基板温度１５０℃の条
件で成膜した場合に、最良の評価レベル５に対応する珪
素濃度１４００重量ｐｐｍのＭｇＯ膜１８が得られた。
ＭｇＯと珪素化合物との混合物の焼結体を蒸発源として
用いてもよい。また、同様の焼結体をターゲットとする
スパッタリングによって、所望のＭｇＯ膜１８を得るこ
とも可能である。
によって得ることができる。成膜においては、蒸着源と
してペレット状のＭｇＯとペレット状又はパウダ状の珪
素化合物（二酸化珪素、一酸化珪素）とを混合して用い
る。例えば、粒径５〜３ｍｍ、純度９９．９５％以上の
ＭｇＯペレットに二酸化珪素パウダを０．１重量％の割
合で混合した材料を用い、ピアス式ガンを加熱源とする
反応性ＥＢ蒸着法により、真空度５×１０-5Ｔｏｒｒ、
酸素導入流量１２ｓｃｃｍ、酸素分圧９０％以上、レー
ト２０Å／ｓ、膜厚７０００Å、基板温度１５０℃の条
件で成膜した場合に、最良の評価レベル５に対応する珪
素濃度１４００重量ｐｐｍのＭｇＯ膜１８が得られた。
ＭｇＯと珪素化合物との混合物の焼結体を蒸発源として
用いてもよい。また、同様の焼結体をターゲットとする
スパッタリングによって、所望のＭｇＯ膜１８を得るこ
とも可能である。
【００４２】
【発明の効果】請求項１乃至請求項１０の発明によれ
ば、点灯すべきセルが点灯しない黒ノイズの発生率を低
減し、表示品質を高めることができる。
ば、点灯すべきセルが点灯しない黒ノイズの発生率を低
減し、表示品質を高めることができる。
【図１】本発明に係るプラズマ表示装置のブロック図で
ある。
ある。
【図２】フレーム分割の模式図である。
【図３】駆動シーケンスを示す電圧波形図である。
【図４】本発明のＰＤＰ１の内部構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】インピーダンスの測定方法を示す図である。
【図６】ＭｇＯ膜のインピーダンスと画質との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】珪素の含有量と画質との関係を示すグラフであ
る。
る。
１ ＰＤＰ（マトリクス表示デバイス） １８ ＭｇＯ膜（酸化マグネシウム膜） ３０ 放電空間 ８０ 駆動ユニット（駆動装置） Ａ アドレス電極（第３の電極） ＴＡ アドレス期間 ＴＲ リセット期間（初期化期間） ＴＳ サステイン期間 Ｘ サステイン電極（第１の電極） Ｙ サステイン電極（第２の電極）
フロントページの続き (72)発明者 岩崎 和英 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株式 会社九州富士通エレクトロニクス内 (72)発明者 石本 学 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 岩瀬 信博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 日高 総一郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 望月 昭宏 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】主電極対を構成する第１及び第２の電極が
絶縁層で放電ガスに対して被覆されたマトリクス表示形
式のプラズマディスプレイパネルであって、 前記絶縁層のうちの少なくとも前記放電ガスと接する表
層として酸化マグネシウム膜が設けられ、その１平方セ
ンチメートル当たりの１００Ｈｚにおけるインピーダン
スが２３０〜３３０ｋΩの範囲内の値であることを特徴
とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】前記酸化マグネシウム膜は、原子価が３以
上の元素を含んでいる 請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】前記酸化マグネシウム膜は、珪素及びアル
ミニウムのうちの少なくとも一方を含んでいる 請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】主電極対を構成する第１及び第２の電極が
絶縁層で放電ガスに対して被覆されたマトリクス表示形
式のプラズマディスプレイパネルであって、 前記絶縁層のうちの少なくとも前記放電ガスと接する表
層として、珪素を５００〜１００００重量ｐｐｍの範囲
内の割合で含んだ酸化マグネシウム膜が設けられたこと
を特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】ペレット状の酸化マグネシウムとペレット
状又はパウダ状の不純物化合物とを混合して同時に加熱
する蒸着法によって前記酸化マグネシウム膜を形成する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記
載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項６】パウダ状の酸化マグネシウムとパウダ状の
不純物化合物との混合物の焼結体を加熱する蒸着法によ
って前記酸化マグネシウム膜を形成することを特徴とす
る請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】パウダ状の酸化マグネシウムとパウダ状の
不純物化合物との混合物の焼結体をターゲットとするス
パッタリングによって前記酸化マグネシウム膜を形成す
ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに
記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】前記第１及び第２の電極が同一面上に配列
され、前記第１及び第２の電極と交差する第３の電極を
有した請求項１又は請求項４記載のプラズマディスプレ
イパネルと、 自己消去放電によって画面全体の帯電分布を初期化した
後にアドレッシングとサステインとを行う駆動方法の実
現手段であって、初期化期間において前記第１の電極と
第２の電極との間にリセット電圧を印加し、アドレス期
間において前記第２の電極と第３の電極との間にアドレ
ス電圧を印加し、サステイン期間において前記第１の電
極と第２の電極との間にサステイン電圧を印加する駆動
装置と、を備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。 - 【請求項９】基板上に、複数対の面放電用電極、それら
面放電用電極を覆う誘電体層、当該誘電体層の表面を覆
う保護膜を形成してなるプラズマディスプレイパネル用
基板構体であって、 前記保護膜は、その１平方センチメートル当たりの１０
０Ｈｚにおけるインピーダンスが２３０〜３３０ｋΩの
範囲内の値である酸化マグネシウム膜からなることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル用基板構体。 - 【請求項１０】基板上に、複数対の面放電用電極、それ
ら面放電用電極を覆う誘電体層、当該誘電体層の表面を
覆う保護膜を形成してなるプラズマディスプレイパネル
用基板構体であって、 前記保護膜は、珪素を５００〜１００００重量ｐｐｍの
範囲内の割合で含んだ酸化マグネシウム膜からなること
を特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板構体。
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