JP2004273452A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 所定の間隔をおいて略平行に配置される下部基板11及び上部基板1と,下部基板11上に形成される複数のアドレス電極13と,アドレス電極13を覆い,下部基板11上に形成される誘電層15と,誘電層15上に,所定の高さを有して放電空間を形成する複数の隔壁17と,放電空間内に形成される蛍光層19と,上部基板1の下部基板11に対向する一面に,アドレス電極13と直交するように配置される複数の放電維持電極3と,放電維持電極3を覆い,上部基板1上に形成される誘電層7と,誘電層7上にコーティングされ,Si及びFeをドーピングしたMgOからなり,Feの含量がMgOに対して15〜90ppmである保護膜9と,を備える。
【選択図】 図2
Description
ソーダ石灰ガラスで製造された上部基板の上に,ITO(Indium Tin Oxide)導電体材料を用いて放電維持電極を通常の方法でストライプ状に形成した。
MgOに対するFeの含量を50ppmに変更したことを除いては,実施例1と同一に実施した。
MgOに対するFeの含量を90ppmに変更したことを除いては,実施例1と同一に実施した。
MgOに対するFeの含量を10ppmにしたことを除いては,実施例1と同一に実施した。
MgOに対するFeの含量を150ppmにしたことを除いては,実施例1と同一に実施した。
次にSiの含量による放電遅延時間の測定を行う。MgOに対するSiの含量を50ppmに変更し,Feを添加しないことを除いては,実施例1と同一に実施した。
MgOに対するSiの含量を250ppmに変更したことを除いては,参考例1と同一に実施した。
MgOに対するSiの含量を500ppmに変更したことを除いては,参考例1と同一に実施した。
MgOに対するSiの含量を1500ppmに変更したことを除いては,参考例1と同一に実施した。
MgOに対するSiの含量を15ppmに変更したことを除いては,参考例1と同一に実施した。
MgOに対するSiの含量を5000ppmにしたことを除いては,参考例1と同一に実施した。
3 放電維持電極
7 誘電層
9 保護膜
11 下部基板
13 アドレス電極
15 誘電層
17 隔壁
19 蛍光層
Claims (5)
- 所定の間隔をおいて略平行に配置される第1基板及び第2基板と,
前記第1基板上に形成される複数のアドレス電極と,
前記アドレス電極を覆い,前記第1基板上に形成される第1誘電層と,
前記第1誘電層上に,所定の高さを有して放電空間を形成する複数の隔壁と,
前記放電空間内に形成される蛍光層と,
前記第2基板の前記第1基板に対向する一面に,前記アドレス電極と直交するように配置される複数の放電維持電極と,
前記放電維持電極を覆い,前記第2基板上に形成される第2誘電層と,
前記第2誘電層上にコーティングされ,Si及びFeをドーピングしたMgOからなり,前記Feの含量が前記MgOに対して15〜90ppmである保護膜と,
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 前記保護膜は,前記MgOに対してSiを50〜500ppmの量で含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記保護膜は,前記MgOに対してSiを80〜350ppmの量で含むことを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記保護膜は,前記MgOに対してFeを20〜70ppmの量で含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記保護膜は,前記MgOに対してSiを80〜350ppmの量で含むことを特徴とする請求項4に記載のプラズマディスプレイパネル。
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