JP2007273485A - ガス放電パネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前面側基板101上に表示電極対104とそれを覆う誘電体層105と保護層106とが形成された前面板100と、もう一方の背面側基板111上には少なくとも蛍光体層115と隔壁114が形成された背面板110とを放電空間120を介して対向させてなる構成において、上述の保護層106が周期表第II族および第VI族の元素を主成分とし、かつ周期表第III族の元素を少なくとも1つ含有し、誘電体層105側から放電空間120側に向かう膜厚方向において放電空間120側の周期表第III族の元素の濃度が誘電体層105側に比べて大きくなるようにした構成を有する。
【選択図】図1
Description
図1は本第1の実施の形態のPDP用ガス放電パネルの要部斜視図であり、図2はアドレス電極に沿って切断した断面図である。
本発明の第2の実施の形態のガス放電パネルは、第1の実施の形態と同様な構成としたが、膜厚方向における第III族元素の添加量をそれぞれ変化させた保護層を形成した。これは、図3に示したような蒸着装置でハース中に設置する保護層材料となるMgOペレットのB原子の添加量をかえれば所望の構成が作製できる。保護層としてMgO膜を用いたが、そのMgO膜中の第III族元素であるB原子の濃度分布を図8(A)から(F)に示すように変化させたガス放電パネルを作製した。図8(A)に示す分布を有する保護層は以下のような方法で容易に得られる。すなわち、電子ビーム蒸発源を2個用いて、それぞれのハースにセットするMgOペレット中のB原子の添加量が異なるようにした。最初に、B原子を添加していない第1の電子ビーム蒸発源304を用いて最終膜厚比の0.5より大きい膜厚となるまで成膜し、次にB原子を最も多く添加した第2の電子ビーム蒸発源307を用いて目標とする膜厚まで成膜すれば、図に示す濃度分布のMgO膜を得ることができる。
101 前面側基板
102 サスティン電極
102a,103a 透明導電膜
102b,103b バス電極
103 スキャン電極
104 表示電極対
105 誘電体層
106 保護層
107 ブラックマトリクス
110 背面板
111 背面側基板
112 アドレス電極
113 下地誘電体層
114 隔壁
115 蛍光体層
115a 蛍光体層(R光)
115b 蛍光体層(G光)
115c 蛍光体層(B光)
120 放電空間
301 基板ホルダー
302,305,314 電子銃
303,306,308 ハース
304 第1の電子ビーム蒸発源
307 第2の電子ビーム蒸発源
309 第3の電子ビーム蒸発源
310 ベルジャ
311 真空ポンプ
312 バルブ
315 Siウェーハ
321,322,323 ペレット
901,902,903,904 真空ポンプ
905,906 ローディングストッカー
907,908 アンローディングストッカー
909 ヒータ
910 スパッタ室
912 第1のターゲット
914 第2のターゲット
916 第3のターゲット
918 第4のターゲット
Claims (5)
- 透明絶縁性基板上に複数の表示電極対とそれを覆う誘電体層と保護層とが形成された前面板と、背面側基板上に少なくとも蛍光体層と隔壁が形成された背面板とを放電空間を介して対向させてなるガス放電パネルの製造方法であって、
周期表第II族および第VI族の元素を主成分とする固体状の成膜材料と、周期表第III族の元素を少なくとも1つ含む固体状の成膜材料とを複数個の成膜源に配置して、前記第III族の元素の濃度が前記誘電体層側から前記放電空間側に向かう膜厚方向において前記誘電体層側に比べて前記放電空間側が大きくなるように前記複数個の成膜源から蒸発またはスパッタリングにより形成し、前記誘電体層側から前記放電空間側に向かう膜厚方向において前記放電空間側の前記周期表第III族の元素の濃度が前記誘電体層側に比べて大きくなる保護層を形成することを特徴とするガス放電パネルの製造方法。 - 前記保護層内の周期表第III族の元素の濃度が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向にむけて連続的に増大している領域を有することを特徴とする請求項1に記載のガス放電パネルの製造方法。
- 前記保護層内の周期表第III族の元素の濃度が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向にむけて連続的に増大している領域とステップ状に増大している領域とを有することを特徴とする請求項1に記載のガス放電パネルの製造方法。
- 前記複数個の成膜源はそれぞれ異なる量の周期表第III族の元素を含む成膜材料からなることを特徴とする請求項1に記載のガス放電パネルの製造方法。
- 透明で絶縁性の前面側基板上に複数の表示電極対とそれを覆う誘電体層と保護層とが形成された前面板と、背面側基板上に少なくとも蛍光体層と隔壁が形成された背面板とを放電空間を介して対向させてなるガス放電パネルであって、
前記保護層が周期表第II族および第VI族の元素を主成分とし、かつ周期表第III族の元素を少なくとも1つ含有し、前記誘電体層側から前記放電空間側に向かう膜厚方向において、前記保護層内の周期表第III族の元素の濃度が、誘電体層側から放電空間側の膜厚方向にむけて連続的に増大する領域を有することを特徴とするガス放電パネル。
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EP2081210A3 (en) * | 2008-01-16 | 2010-04-28 | Samsung SDI Co., Ltd. | Plasma display panel |
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