KR100680802B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 관한 것이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 있어서, 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si) 및 스칸듐(Sc)이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 및 이의 제조방법과 상기 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명에 따른 보호막을 사용하는 플라즈마 디스플레이 페널은 온도에 따른 패널 특성이 우수하다. 특히, 보호막의 이차전자 방출특성이 향상되어 어드레스 방전이 짧은 시간에 안정되게 일어나므로 저온 환경에서도 응답속도가 빠르고 온도에 따른 응답속도 변화가 적다.
플라즈마 디스플레이 패널, 보호막, 응답 속도

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 보호막{Protection Layers for Plasma Display Panel}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도.
도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동전압을 인가하였을 때의 보호층을 나타낸 도.
도 4는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우와 Sc가 도핑된 경우의 응답속도 변화를 나타낸 비교도.
도 5는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우, MgO에 Si가 도핑된 경우 및 MgO에 Si 및 Sc가 도핑된 경우 각각의 응답속도 변화를 나타낸 비교도.
도 6은 MgO에 Si가 도핑된 경우에 Si함량에 따른 응답속도의 변화를 나타낸 도.
도 7은 MgO에 Sc가 도핑된 경우에 Sc함량에 따른 응답속도의 변화를 나타낸 도.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온과 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet Rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 물질로 형성된 투명전극(a)과 금속재질로 제작된 버스전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전 류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 유전체 층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 보호층(105)이 형성된다.
후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 산화마그네슘으로 이루어지는 종래의 보호층을 구비한 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서는 전면 글라스에 유지전극쌍인 스캔 전극 및 서스테인 전극을 형성한다.
이러한 스캔 전극 및 서스테인 전극은 투명전극과 버스전극으로 형성되어 있는데 스캔 전극 및 서스테인 전극 형성 방법의 일례를 살펴보면, 산화 인듐과 산화주석으로 이루어진 ITO(Indium Tin Oxide) 물질로 형성된 투명 전극막 상부에 드라이 필름을 라미네이팅하여 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(Photo Mask)의 패턴 으로 노광한 후, 현성 및 에칭 공정을 거쳐 스캔용 투명전극과 서스테인용 투명전극을 형성한다.
이와 같은 스캔용 투명전극과 서스테인용 투명전극 상부에 버스 전극을 각각 형성하게 되는데 그 형성 방법의 일례를 살펴보면, 감광성 은(Ag)페이스트를 스크린 인쇄(Screen-printing)방식으로 인쇄한 후, 전술한 투명전극 형성 방법과 마찬가지로 노광공정을 이용하여 버스전극을 형성한다. 그 후 550℃ 정도의 온도로 가열하여 소성을 행함으로써 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된다.
이 후, (b) 단계에서, 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된 전면 글라스 상부에 유전체층을 형성한다.
이러한 유전체층 형성 방법의 일례를 살펴보면, 유전체 유리 페이스트를 도포하여 건조한 후, 약 500℃이상 600℃이하의 온도로 소성을 행하여 유전체층을 형성한다.
마지막으로, (c) 단계에서, 유전체층의 표면상에 산화마그네슘으로 이루어지는 보호층을 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법 등을 이용하여 형성하면 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.
이와 같은 방법으로 형성된 전면 패널은 후면 패널과 전면 패널의 보호층이 미세하게 이격되어 마주보도록 설치된다.
이에 따라, 화상을 구현하기 위해서 플라즈마 디스플레이 패널이 전면 패널의 복수의 유지전극쌍과 복수의 어드레스 전극에 구동전압을 인가하게 되면 보호층 위에서 플라즈마 방전이 일어나게 된다. 이 때, 인가되는 전압의 크기는 전면 패널 과 후면 패널 사이에 형성되는 방전공간의 간격, 방전공간 내에 유입한 방전가스의 종류과 압력, 유전체와 보호층의 성질에 따라 결정된다. 이와 같은 구동전압을 인가하였을때의 보호층의 표면을 살펴보면 다음과 같다.
도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동전압을 인가하였을 때의 보호층을 나타낸 도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널에 구동전압이 인가하여 플라즈마 방전이 일어나면 방전공간내의 양이온들과 전자들은 서로 반대의 극성(polarization)을 가지고 이동하며 보호층의 표면은 서로 반대되는 두 개의 다른 극성을 가진 부분으로 나뉘어 진다. 이와 같이 보호층 표면에 형성된 전하들을 벽전하라고 한다.
이와 같은 벽전하들은 보호층이 근본적으로 저항이 높은 절연체로 형성되므로 보호층 표면에 남아 있으며 이러한 벽전하로 인하여 구동전압보다 낮은 전압에서도 방전이 유지되게 된다.
또한, 보호층은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전전압을 낮추기 위한 이차전자를 공급하여 보다 낮은 전압에서 플라즈마 방전을 일으킴으로써 방전전력효율을 증가시키는 전기적 역할을 하며, 상부 유전체층의 성분인 PbO가 플라즈마에 노출되어 이온 충격에 의해 분해 반응을 일으키는 것을 방지시키는 구조적 역할을 한다.
이와 같은 역할을 하는 보호층을 형성하는 물질은 전술한 보호층의 역할을 충분히 해낼 수 있는 물질이어야 하며 또한 형광체에서 발광된 빛이 플라즈마 디스플레이 패널의 전면패널을 통과하여 나올 수 있도록 가시광의 투광성도 좋아야 한 다.
이러한 보호층 형성 물질의 요건을 만족하고 현재 사용되고 있는 물질이 산화마그네슘(MgO)이다.
그러나 산화마그네슘은 전술한 요건을 만족하지만 방전을 일으키기 위한 전기적인 신호가 입력된 후에 바로 방전이 일어나지 않고 방전이 일어날 때까지 시간이 걸리는 방전지연현상 즉 지터현상을 일으키는 주요인이 된다. 이는 산화마그네슘의 물질특성상 플라즈마로부터 입사하는 이온에 대한 이차전자의 방출량이 작기 때문이다. 즉, 산화마그네슘(MgO)보호막의 가장 큰 단점은 대기중의 H2O와 CO2가 산화마그네슘 표면에서 물리,화학적 흡착을 하여 표면 변형을 일으키고, 보호막 표면에서의 이차전자 방출을 저해하는 요소로 작용하여 결과적으로 방전특성의 악화를 가져오는 요소로 작용하는 것이다.
이와 같은 지터현상으로 인하여 플라즈마 방전을 일으키기 위해서는 회로부에 전기적인 신호를 입력한 후에 방전이 일어나기 충분한 시간을 기다린 후에 다음 신호를 입력하여야 하므로 스캔을 위한 회로부도 1개 이상을 사용하여야 한다는 문제점이 있다.
특히 지터현상은 PDP의 온도나 주위온도가 낮을수록 증가하는 경향이 있다. 이 때문에 PDP는 저온에서 어드레스 방전이 불안정하게 이루어지므로 셀선택이 안되는 즉, 미스라이팅이 발생하여 표시화상에서 흑점(black noise)이 나타나게 된다.
상기 문제점을 해결하기 위해 새로운 보호막 물질의 개발, 산화마그네슘 특 성 개선을 위한 도핑 연구 및 다층보호막 형성에 대한 시도가 이루어지고 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여, 온도에 따른 패널 특성이 우수한 보호막을 제공함에 있다. 특히, 보호막의 이차전자 방출특성을 향상시켜 저온에서도 응답속도가 빠르고 온도에 따른 응답속도변화가 적은 보호막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 있어서, 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si) 및 스칸듐(Sc)이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm~1,000ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm~500ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm~2,000ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm~700ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.
또한 본 발명은 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si) 및 스칸듐(Sc)이 도핑되어 있는 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm~1,000ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm~500ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm~2,000ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한. 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm~700ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한 상기 보호막은 진공증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한 상기 보호막은 화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅(Ion-plating), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한 전면 패널; 상기 전면 패널의 아랫면에 스트립 형태로 형성되는 복수개 의 전극; 상기 전면 패널의 아랫면에 형성되어 상기 전극을 매립하는 제1유전체층; 상기 제1유전체층의 아랫면에 형성되는 보호막층; 상기 전면 패널과 대향되게 설치되는 배면 패널; 상기 배면 패널의 윗면에 상기 전극과 직교하는 형태로 형성되는 복수개의 어드레스전극; 상기 배면기판의 윗면에 형성되어 상기 어드레스전극을 매립하는 제2유전체층; 상기 제2유전체층의 윗면에 상기 어드레스전극과 나란한 방향으로 다수개 형성되어 방전공간을 구획하는 격벽; 및 상기 격벽의 내측으로 도포되는 적,녹,청색의 형광체층;을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si) 및 스칸듐(Sc)이 도핑되어 있는 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
또한, 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm~1,000ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
또한, 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm~500ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm~2,000ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm~700ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.
도 4는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우와 MgO에 Sc가 도핑되어 보호막을 구성하는 경우의 응답속도 변화를 나타낸 비교도이다.
도 4에서 확인할 수 있는 바와 같이 보호막이 MgO만으로 구성된 경우에 비하여 MgO에 Sc가 도핑된 경우가 저온에서의 응답속도가 더 빠르다는 것을 확인 할 수 있다. 특히 -10℃이하의 저온에서는 Sc가 도핑된 경우가 거의 두배 가까이 빠르다는 것을 알 수 있다. 이는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우에 비하여 MgO에 Sc가 도핑된 경우, 보호막의 이차전자 방출특성이 향상되어 어드레스 방전이 짧은 시간에 안정되게 일어나므로 저온환경에서도 응답속도가 빨라지는 것이다.
뿐만아니라 도 4에 의하면 MgO에 Sc가 도핑된 경우에는 온도 변화에 따른 응답속도 변화가 크지 않다는 점도 확인 할 수 있다.
도 5는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우, MgO에 Si가 도핑되어 보호막을 구성하는 경우 및 MgO에 Si 및 Sc가 도핑되어 보호막을 구성하는 경우 각각의 응답속도 변화를 나타낸 비교도이다.
도 5를 참조하면, 보호막이 MgO만으로 구성된 경우에 비하여 MgO에 Si가 도핑된 경우가 저온에서의 응답속도가 더 빠르다는 것을 확인 할 수 있다. 이는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우에 비하여 MgO에 Si가 도핑된 경우, 보호막의 이차전자방출특성이 향상되어 어드레스 방전이 짧은 시간에 안정되게 일어나므로 저온환경에서도 응답속도가 빨라지는 것이다.
게다가 MgO에 Si 뿐만아니라 Sc가 더 도핑되어 보호막을 구성하는 경우에는 앞서 도 4에서 MgO에 Sc가 도핑된 경우와 같이 온도에 따른 응답속도의 변화가 작았으며, MgO에 Si만 도핑된 경우 보다 응답속도가 더 빨랐다. 그리고 앞서 도 4에서 MgO에 Sc만 도핑된 경우보다는 Si가 더 도핑됨에 따라 약간 더 응답속도가 빠르다는 것을 도 5에서 확인할 수 있다.
도 6은 MgO에 Si가 도핑된 경우에 일정한 온도에서 다른 성분의 함량을 동일하게 유지할 경우 Si함량에 따른 응답속도의 변화를 나타낸 도면이다.
도 6에서 알수 있는 바와 같이, 본 발명에서 상기 MgO에 도핑된 실리콘(Si)의 함량은 10ppm~1,000ppm인 것이 바람직하고, 30ppm~500ppm인 것이 보다 바람직하다. MgO에 도핑된 실리콘(Si)의 함량이 10ppm미만일 경우에는 본래 의도한 응답속도를 낮추려는 효과가 미미하고, 반면에 1,000ppm을 초과할 경우에는 MgO 고유의 결정구조가 변화를 초래하여 MgO 고유의 특성 발휘가 곤란해진다.
도 7은 MgO에 Sc가 도핑된 경우에 일정한 온도에서 다른 성분의 함량을 동일하게 유지할 경우 Sc함량에 따른 응답속도의 변화를 나타낸 도면이다.
도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에서 상기 MgO에 도핑된 스칸듐(Sc)의 함량은 50ppm~2,000ppm인 것이 바람직하고, 100ppm~1,000ppm인 것이 보다 바람직하며, 300ppm~700ppm인 것이 가장 바람직하다. MgO에 도핑된 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm미만일 경우에는 본래 의도한 응답속도를 낮추려는 효과가 미미하고, 반면에 2,000ppm을 초과할 경우에는 MgO 고유의 결정구조가 변화를 초래하여 MgO 고유의 특성 발휘가 곤란해진다.
상기 MgO에 Si 및 Sc가 도핑된 보호막은 진공증착 공정을 이용하여 형성시킬 수 있다.
본 발명에 따른 보호막은 화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅(Ion-plating), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명에 따른 보호막을 사용하는 플라즈마 디스플레이 페널은 온도에 따른 패널 특성이 우수하다.
특히, 보호막의 이차전자 방출특성이 향상되어 어드레스 방전이 짧은 시간에 안정되게 일어나므로 저온환경에서도 응답속도가 빠르고 온도에 따른 응답속도변화가 적다.

Claims (20)

  1. 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 있어서,
    산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si) 및 스칸듐(Sc)이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm이상 1,000ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm이상 500ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm이상 2,000ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm이하 700ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  7. 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si) 및 스칸듐(Sc)이 도핑되어 있는 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm이상 500ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm이상 2,000ppm이하인 보호막을 형성하는 것 을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm이상 700ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 보호막은 진공증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 보호막은 화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅(Ion-plating), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.
  15. 전면 패널; 상기 전면 패널의 아랫면에 스트립 형태로 형성되는 복수개의 전 극; 상기 전면 패널의 아랫면에 형성되어 상기 전극을 매립하는 제1유전체층; 상기 제1유전체층의 아랫면에 형성되는 보호막층; 상기 전면 패널과 대향되게 설치되는 배면 패널; 상기 배면 패널의 윗면에 상기 전극과 직교하는 형태로 형성되는 복수개의 어드레스전극; 상기 배면 패널의 윗면에 형성되어 상기 어드레스전극을 매립하는 제2유전체층; 상기 제2유전체층의 윗면에 상기 어드레스전극과 나란한 방향으로 다수개 형성되어 방전공간을 구획하는 격벽; 및 상기 격벽의 내측으로 도포되는 적,녹,청색의 형광체층;을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 보호막층이 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si) 및 스칸듐(Sc)이 도핑되어 있는 보호막인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm이상 500ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm이상 2,000ppm이하인 보호막을 포함하는 것 을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm이상 700ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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