JP2006202765A

JP2006202765A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JP2006202765A
Application number: JP2006014150A
Authority: JP
Inventors: Min Soo Park; ミンスパク
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Electronics Inc
Priority date: 2005-01-21
Filing date: 2006-01-23
Publication date: 2006-08-03
Also published as: US20060164013A1; KR100726668B1; KR20060085064A

Abstract

【課題】本発明はプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマディスプレイパネルは誘電体上部にハロゲン族元素を含んだ酸化マグネシウム保護層が形成された前面パネル及び前記前面パネルと一定間隔離隔されて前記前面パネルと合着された背面パネルを含む。
【選択図】図１

Description

本発明はプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。

一般的に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は放電の形態によってＡＣＰＤＰとＤＣＰＤＰで大きく分けられる。

ＤＣＰＤＰは電極が放電空間に露出している構造を持っているし、ＡＣＰＤＰは電極と放電空間の間に絶縁体が挿入されている構造を持っている。ＤＣＰＤＰでは電極が放電によって発生されたプラズマに露出する構造を持っていて放電電流を制限させることができない短所を持っているし、電場によって加速された質量が大きいイオン（ｉｏｎ）が電極を衝突して電極物質をスパッタリングさせて寿命の短くなる問題がある。

このようなＤＣＰＤＰの問題点のため現在開発または生産されているＰＤＰは大部分電極が絶縁体によって保護になるＡＣＰＤＰ構造を採択している。

ＡＣＰＤＰは前面パネルと背面パネルの間に形成された隔壁が一つの単位セルを形成して、各セル内にはネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）またはネオンとヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノンを含む不活性ガスが充填されている。

このようなＡＣＰＤＰは電極を保護するための絶縁体だけではなく放電条件を容易くするために絶縁体上部に保護層が形成される。保護層の材料は絶縁体がイオンから損傷を受けることを防止する耐スパッタリング性と放電電圧を低めるための二次電子係数が高い酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を使っている。

しかし酸化マグネシウム（ＭｇＯ）はＨ_２ＯとＣＯ_２との反応が非常に強くてＰＤＰ製造工程の時大気中に露出すればＨ_２ＯとＣＯ_２がＭｇＯ保護層に吸着されて放電特性を悪化させる。

したがってＭｇＯを絶縁体上部に形成した後、可能な早くプラズマディスプレイパネルの前面パネルと背面パネルを合着しなければならないのに合着の中に一部吸着されるＨ_２ＯとＣＯ_２は防止することができない問題点がある。

本発明の目的は、前面パネルの保護層表面処理を改善して放電特性を進めることができるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供することにある。

本発明によるプラズマディスプレイパネルは誘電体上部にハロゲン族元素を含んだ保護層が形成された前面パネル及び前記前面パネルと一定間隔離隔されて前記前面パネルと合着された背面パネルを含む。

本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は（ａ）真空チャンバ内でパネルの誘電体上部に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着して保護層を形成する段階、（ｂ）前記真空チャンバ内にプラズマ状態でイオン状態で存在する所定のガスを入れ込む段階及び（ｃ）前記チャンバ内でプラズマ放電を誘導して前記保護層表面を処理する段階を含む。

前記ハロゲン族元素は酸化マグネシウム保護層表面に形成されたことを特徴とする。

前記ハロゲン族元素はフッ素(F)であることを特徴とする。

前記所定のガスはハロゲン族元素を含むガスであることを特徴とする。

前記所定のガスはフッ素(F)であることを特徴とする。

前記ハロゲン族元素を含むガスはＦ_２、ＮＦ_３、ＣＦ_４、ＳＦ_６の内少なくとも何れのひとつなのを特徴とする。

前記保護層はＥ−ｂｅａｍ法またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法または液状法の中で何れの一つに形成されることを特徴とする。

本発明はプラズマディスプレイパネルの製造工程の時エイジング放電時間を減少させることができる效果がある。

また、本発明は保護層の二次電子放出係数を進めて放電特性を進めることができる效果がある。

以下では本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照してより詳しく説明する。

図１は本発明によるプラズマディスプレイパネルの構造を示す図である。

示すように、プラズマディスプレイパネルは画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス２０１にスキャン電極２０２及びサステイン電極２０３が対を成して形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル２００及び背面を成す背面ガラス２１１上に前述の複数の維持電極対と交差されるように複数のアドレス電極２１３が配列された背面パネル２１０が一定距離を間に置いて平行に結合される。

前面パネル２００は一つの放電セルで相互放電させてセルの発光を維持するためのスキャン電極２０２及びサステイン電極２０３、すなわち透明な物質で形成された透明電極（ａ）と銀（Ａｇ）のような金属材質に製作されたバス電極（b）に具備されたスキャン電極２０２及びサステイン電極２０３が対を成して含まれる。スキャン電極２０２及びサステイン電極２０３は放電電流を制限して電極番の間を絶縁させてくれる誘電体層２０４によって覆わせられて、上部誘電体層２０４上面には放電条件を容易くするために保護層２０５が形成される。保護層の材質は主に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなり、ハロゲン族元素を含む。

保護層は２個の層から成ることができる。すなわち、酸化マグネシウムが誘電体層上面に一つの層を形成して、酸化マグネシウム層上面にハロゲン族元素がまた一つの層を形成する。このようなハロゲン族元素はＨ_２ＯとＣＯ_２が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に吸着されることを防止する。

ハロゲン族元素は複数があるがフッ素（Ｆ）であるのが望ましい。

背面パネル２１０は複数の放電空間すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプの隔壁２１２が平行を維持して配列される。また、アドレス放電を遂行して真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極２１３が隔壁２１２に対して平行に配置される。背面パネル２１０の上側面にはアドレス放電時画像表示のための可視光線を放出するＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体２１４が塗布される。アドレス電極２１３と蛍光体２１４の間にはアドレス電極２１３を保護するための下部誘電体層２１５が形成される。

図２は本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を順に示すブロック図である。

図２で見るように、本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は図２の右側に並んでいる前面パネル製造過程と、左側に並んでいる背面パネル製造過程及び下側に並んでいるシーリング過程などを含んだ組み立て過程を含む。

先に、図２の右側に並んでいる前面パネル製造過程を説明すれば次のようである。前面パネルは先に記載になる前面ガラスを準備した後（３０１）、前面ガラス上部に複数の維持電極対が形成される（３０２）。以後、維持電極対上部に上部誘電体層が形成されて（３０３）、上部誘電体層上部に維持電極対を保護するための酸化マグネシウム（Ｍｇｏ）からなる保護層が形成される（３０４）。この時、保護層はハロゲン族元素を含むガスによって表面処理される。

次いで、図２の左側に並んでいる背面パネル製造過程を説明すれば次のようである。背面パネルは前面パネルと同じく先ず記載になる背面ガラスを準備して（３０５）、前面パネルに形成された維持電極対と交差して対向されるように複数のアドレス電極が背面ガラスに形成される（３０６）。以後、アドレス電極上面に下部誘電体層が形成されて（３０７）、下部誘電体層上面に蛍光体層が形成される（３０８）。

このように製造された前面パネルと後面パネルはお互いにシーリングされて（３０９）、プラズマディスプレイパネル（３１０）を形成する。

図３は本発明によるプラズマディスプレイパネルの保護層表面処理に対する方法を詳しく説明するための図である。

図３で見るように、本発明によるプラズマディスプレイパネルの保護層は先ず、前面パネルの誘電体層上部に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着して保護層を形成する（４１０）。

以後、プラズマ状態でイオン状態で存在する所定のガスを含む真空チャンバ内に入れ込む（４２０）。この時、所定のガスはハロゲン族元素を含むガスを入れ込むことが望ましくて、より望ましくはフッ素（Ｆ）を含むガスを入れ込む。

フッ素（Ｆ）を含むガスはＦ_２、ＮＦ_３、ＣＦ_４、ＳＦ_６の内少なくともどの一つである。

以後、チャンバ内にプラズマ放電を誘導して保護層の表面を処理する（４３０）。この時、表面処理は保護層表面が物理的に蝕刻されるスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法で実施される。

一方、誘電体上部に形成される保護層はＥ−ｂｅａｍ法、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、及び液状法などに蒸着されるのに、この内保護層がＥ−ｂｅａｍ法を利用して蒸着する過程をよく見れば次のようである。

図４の（ａ）及び（ｂ）は本発明によるプラズマディスプレイパネルの保護層をＥ−ｂｅａｍ法を利用して蒸着する方法を示す図である。

先ず、図４の（ａ）に示すように、維持電極対上部に誘電体層２０４が形成された前面パネル２００を保護層２０５を蒸着させるために真空チャンバ２１０内部で投入させる。この時、真空チャンバ２１０内部に投入された前面パネル２００は誘電体層２０４上部に保護層２０５を蒸着させる装置を通じて保護層２０５が蒸着されるのに、このような保護層蒸着装置は前面パネル２００を固定するパネル固定部２３０と前面パネル２００が所定距離で離隔されて前面パネル２００に通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層２０５を蒸着させる蒸気発散部２５０を含む。ここで、蒸気発散部２５０はホス（Ｈｅａｒｔｈ、２５０ａ）内にＭｇＯ物質２５０ｂを盛ってホス（Ｈｅａｒｔｈ、２５０ａ）に形成されたオリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅ、２５０ａ１）を通じて電子ビム（Ｅ−Ｂｅａｍ、２７０）件でＭｇＯ物質２５０ｂを集中調査する装置を言う。

真空チャンバ２１０内部でパネル固定部２３０に置かれた前面パネル２００は蒸気発散部２５０と１０ｃｍの距離（ｄ１）で離隔されて製作される。このように製作された真空チャンバ２１０内の保護層蒸着装置（２３０、２５０）を利用して図４の（ｂ）に示すように蒸気発散部２５０のＭｇＯ物質２５０ｂをホス（Ｈｅａｒｔｈ、２５０ａ）に形成されたオリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅ、２５０ａ１）を通じて電子ビム（Ｅ−Ｂｅａｍ、２７０）件で集中調査すればＭｇＯ物質２５０ｂはエネルギー大部分が熱に変わるようになって気体の昇華状態である蒸気が前面パネル２００の誘電体層２０４表面にくっつくようになる。

以上のように本発明によるプラズマディスプレイパネルはフッ素（Ｆ）を含んだガスを入れ込んでプラズマ放電を起こすことでＭｇＯ蒸着後ＭｇＯ表面が大気中に露出してＨ_２Ｏ、ＣＯ_２等の不純物が吸着されたといえども表面汚染物質をとり除くことができる。

また、プラズマイオン状態で存在するフッ素（Ｆ）成分がＭｇＯのディフェクトサイト（ｄｅｆｅｃｔｓｉｔｅ）をとり除いて、保護層表面処理後大気中にまた露出してもまた汚染することを抑制することができる。

これによって、ＭｇＯ保護層の表面がきれいな状態なので二次放出係数も向上して放電特性も改善して安定した放電状態を得るために実施するエイジング工程時間が大幅に減少するようになる。

本発明によるプラズマディスプレイパネルの構造を示す図。本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を順に示すブロック図。本発明によるプラズマディスプレイパネルの保護層表面処理に対する方法を詳しく説明するための図。（ａ）及び（ｂ）は本発明によるプラズマディスプレイパネルの保護層をＥ−ｂｅａｍ法を利用して蒸着する方法を示す図。

符号の説明

２００…前面パネル、２０１…前面ガラス、２０２…スキャン電極、２０３…サステイン電極、２０４…上部誘電体層、２０５…保護層、２１０…真空チャンバ、２１１…背面ガラス、２１２…隔壁、２１３…アドレス電極、２１４…蛍光体、２１５…下部誘電体層、２３０…パネル固定部、２５０…蒸気発散部。

Claims

（ａ）真空チャンバ内でパネルの誘電体上部に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着して保護層を形成する段階と、
（ｂ）前記真空チャンバ内にプラズマ状態でイオン状態で存在する所定のガスを入れ込む段階及び
（ｃ）前記チャンバ内でプラズマ放電を誘導して前記保護層表面を処理する段階と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記所定のガスはハロゲン族元素を含むガスであることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記所定のガスはフッ素（Ｆ）であるのを特徴とする、請求項２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記ハロゲン族元素を含むガスはＦ_２、ＮＦ_３、ＣＦ_４、ＳＦ_６内少なくともいずれのひとつであることを特徴とする、請求項２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記保護層はＥ−ｂｅａｍ法またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法または液状法の内何れの一つに形成されることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
誘電体上部にハロゲン族元素を含んだ酸化マグネシウム保護層が形成された前面パネルと、
前記前面パネルと一定間隔離隔されて前記前面パネルと合着された背面パネルと
を含むプラズマディスプレイパネル。
前記ハロゲン族元素は酸化マグネシウム保護層表面に形成されたことを特徴とする、請求項６記載のプラズマディスプレイパネル。
前記ハロゲン族元素はフッ素（Ｆ）であることを特徴とする、請求項６記載のプラズマディスプレイパネル。