JP2008300127A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】ＰＤＰの放電特性の向上を図る。
【解決手段】行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層３の背面側に形成されて放電セルＣに面する保護層が、仕事関数が薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とを含む放電改善層５を備えている。
【選択図】図２

Description

この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。

従来の面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）には、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に、行方向に延びる行電極対と、列方向に延びて行電極対との交差部分の放電空間に放電セルを形成する列電極が設けられ、縦壁と横壁を備えて略格子形状に成形された隔壁によって放電空間が各放電セル毎に区画され、行電極対を被覆する誘電体層の表面が保護層によって被覆されていて、この保護層が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造の酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層を有する構成を備えているものがある（例えば、特許文献１参照）。

この従来のＰＤＰは、誘電体層の保護層を構成する結晶酸化マグネシウム層が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含んでいることにより、ＰＤＰにおける放電確率や放電遅れが改善されて、良好な放電特性を得ることが出来るという特徴を備えている。

近年、ＰＤＰに対しては、フルＨＤのような画面の高精細化への要求が高まっている。
このため、これまでのＰＤＰが備えている放電特性では画面の高精細化への対応が不十分になってきており、さらに高い放電特性を備えたＰＤＰの開発が急務になっている。

特開２００６−５９７８０号公報

この発明は、上記のような従来のＰＤＰに対する要求に応えることをその技術的課題の一つとしている。

この発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記課題を解決するために、放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板のうちの少なくとも一方の基板側に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆するとともに放電空間に面する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記保護層が、仕事関数が酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を備えた酸化マグネシウム結晶体とを含む放電改善層を有していることを特徴としている。

この発明は、放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板のうちの少なくとも一方の基板側に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆するとともに放電空間に面する保護層とを備え、この保護層が、仕事関数が酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を備えた酸化マグネシウム結晶体とを含む放電改善層を有しているＰＤＰを、最良の実施形態としている。

上記実施形態におけるＰＤＰは、放電改善層に含まれている二次電子放出材が酸化マグネシウムよりも仕事関数が低く、高γ材であることによって、高い二次電子放出機能を備えている。

このため、ＰＤＰの駆動時において、放電空間内で放電が発生されると、この放電によって放電空間内に封入された放電ガスから生成される陽イオンが放電改善層に含まれる二次電子放出材と衝突して、この二次電子放出材から放電空間内に酸化マグネシウムよりも多くの量の二次電子が放出され、この二次電子は、放電空間内において次に発生される放電の放電電圧を低下させる機能を有するので、従来のＰＤＰに比べて、ＰＤＰで発生される放電の放電電圧が低下される。

さらに、この実施形態におけるＰＤＰは、放電改善層に含まれている電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体が、放電電極への電圧の印加時に放電空間内に多量の初期電子を放出する機能を備えており、ＰＤＰの駆動時に放電改善層の酸化マグネシウム結晶体から放電空間内に放出される初期電子によって、放電空間内における放電の発生時の放電遅れが短縮されるとともに、放電確率が向上される。

従って、この実施形態のＰＤＰによれば、放電改善層が二次電子放出材と酸化マグネシウム結晶体とを含んでいることによって、ＰＤＰ駆動時に発生される放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上を達成することが出来、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

上記実施形態のＰＤＰにおいて、低仕事関数材料は、カーボンナノチューブ，ダイヤモンド，カーボンライクダイヤモンド、Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｃａ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｒ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｎ元素の一種類または二種類以上を含む酸化物、ＬａＢ₆，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｃｓ₂ＳＯ₄，Ｃｓ₂ＣＯ₃，ＳｒＣａＣＯ₃の材料の中の１種類以上の材料を含んでいることが好ましい。
そして、二次電子放出材は、放電空間に露出した状態で放電改善層内に含まれるようにするのが好ましい。

さらに、この二次電子放出材は、粒径が１００ｎｍ以下となるようにするのが好ましく、これにより、この二次電子放出材によって放電電極が形成された基板の背面側の全面を被膜することが出来るようになるとともに、放電改善層による透過率が悪化するのを防止することが出来る。

上記実施形態のＰＤＰにおいて、放電改善層に含まれる酸化マグネシウム結晶体は、さらに、２３０ｎｍ〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を備えていること、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体であること、２０００オングストローム以上の粒径を有していること等が好適である。
これによって、ＰＤＰの放電空間内における放電の発生時の放電遅れの短縮および放電確率の向上がさらに達成される。

上記実施形態のＰＤＰにおける放電改善層の形成形態としては、保護層が有する蒸着法またはスパッタリング法によって形成された薄膜酸化マグネシウム層上に放電改善層を積層して形成する形態や、放電改善層を放電電極に対向する部分のみに形成する形態，放電改善層が、仕事関数が酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料を含む二次電子放出材料層と、この二次電子放出材料層上に積層されて電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を備えた酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム結晶体層とを有する形態等がある。

図１ないし３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第１実施例を示しており、図１はこの実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図、図３は図１のＷ−Ｗ線における断面図である。

この図１ないし３に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に配列されている。

行電極Ｘ．Ｙは、それぞれ、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａ，Ｙａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｘａ，Ｙａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。

この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１の列方向（図１の上下方向）に交互に配列されており、バス電極ＸｂとＹｂに沿って並列されたそれぞれの透明電極ＸａとＹａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極ＸａとＹａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。

前面ガラス基板１の背面には、列方向において隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに背中合わせになったバス電極ＸｂとＹｂの間に、このバス電極Ｘｂ，Ｙｂに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層（遮光層）２が形成されている。

前面ガラス基板１の背面には、さらに、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層３が形成されており、この誘電体層３の背面には、互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに隣り合うバス電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置およびこの隣り合うバス電極ＸｂとＹｂの間の領域部分に対向する位置に、誘電体層３の背面側に突出する嵩上げ誘電体層３Ａが、バス電極Ｘｂ，Ｙｂと平行に延びるように形成されている。

そして、この誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面側には、蒸着法またはスパッタリング法によって形成された薄膜の酸化マグネシウム層（以下、薄膜酸化マグネシウム層という）４が形成されていて、誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面の全面を被覆している。

この薄膜酸化マグネシウム層４の背面側には、後で詳述するような、薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う構造を備えた酸化マグネシウム結晶体とを含む放電改善層５が形成されている。
この放電改善層５は、この実施例においては、薄膜酸化マグネシウム層４の背面の全面に形成されている。

一方、前面ガラス基板１と平行に配置された背面ガラス基板６の表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対となった透明電極ＸａおよびＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。

背面ガラス基板６の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層）７が形成され、この列電極保護層７上に、隔壁８が形成されている。
この隔壁８は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極ＸｂとＹｂに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる一対の横壁８Ａと、隣接する列電極Ｄの間の中間位置において一対の横壁８Ａ間を列方向に延びる縦壁８Ｂとによって略梯子形状に形成されており、各隔壁８が、隣接する他の隔壁８の互いに背中合わせに対向する横壁８Ａの間において行方向に延びる隙間ＳＬを挟んで、列方向に並設されている。

そして、この梯子形状の隔壁８によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板６の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において互いに対になっている透明電極ＸａとＹａに対向する部分に形成される放電セルＣ毎に、それぞれ方形に区画されている。

放電空間Ｓに面する隔壁８の横壁８Ａおよび縦壁８Ｂの側面と列電極保護層７の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層９が形成されており、この蛍光体層９の色は、各放電セルＣ毎に赤，緑，青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。

嵩上げ誘電体層３Ａは、この嵩上げ誘電体層３Ａを被覆している結晶酸化マグネシウム層５（または、結晶酸化マグネシウム層５が薄膜酸化マグネシウム層４の背面の放電セルＣに対向する部分にのみ形成されている場合には、薄膜酸化マグネシウム層４）が隔壁８の横壁８Ａの表示側の面に当接される（図２参照）ことによって、放電セルＣと隙間ＳＬの間をそれぞれ閉じているが、縦壁８Ｂの表示側の面には当接されておらず（図３参照）、その間に隙間ｒが形成されて、行方向において隣接する放電セルＣ間がこの隙間ｒを介して互いに連通されている。
放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。

放電改善層５には、上述したように、薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とが含まれている。

この放電改善層５に含まれる二次電子放出材としては、例えば、カーボン・ナノチューブ，ダイヤモンド，カーボンライク・ダイヤモンド，Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｃａ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｒ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｎの各元素、および、これらの元素のうちの一種類または二種類以上を含む１２ＣａＯ・７Ａｌ₂Ｏ₃等の酸化物が挙げられ、さらに、ＬａＢ₆，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｃｓ₂ＳＯ₄，Ｃｓ₂ＣＯ₃，ＳｒＣａＣＯ₃等のその他の化合物が挙げられる。
放電改善層５に含まれるこれらの二次電子放出材は、その粒径が１００ｎｍ以下のものが使用される。

放電改善層５に含まれる酸化マグネシウム結晶体には、例えば、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られるマグネシウムの単結晶体（以下、このマグネシウムの単結晶体を気相法酸化マグネシウム単結晶体という）を含み、この気相法酸化マグネシウム単結晶体には、例えば、図４のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体と、図５のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ構造（すなわち、立方体の多重結晶構造）を有する酸化マグネシウム単結晶体が含まれる。

この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって得られる酸化マグネシウムと比較すると、高純度であるとともに微粒子が得られ、さらに、粒子の凝集が少ないなどの特徴を備えている。

図６および７は、異なる粒径を有する気相法酸化マグネシウム単結晶体のＣＬ強度を示すグラフであり、この各図から分かるように、粒径の大きな気相法酸化マグネシウム単結晶体は、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を備えている。

そして、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほど、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光は、そのピーク強度が大きくなる。

この気相法酸化マグネシウム単結晶体に対して、図８は、図９に示されるような柱状ＭｇＯ結晶によって形成された膜厚約８０００オングストロームのＭｇＯ蒸着膜からのＣＬ強度を示しており、この図８に示されるように、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光は、通常の蒸着ＭｇＯからは励起されず、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光のみが励起される。
この実施例においては、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が２０００オングストローム以上の気相法酸化マグネシウム単結晶体が用いられている。

なお、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径（Ｄ_BET）は、窒素吸着法によってＢＥＴ比表面積（ｓ）が測定され、この値から次式によって算出される。

Ｄ_BET＝Ａ／ｓ×ρ
Ａ：形状計数（Ａ＝６）
ρ：マグネシウムの真密度

上記のような二次電子放出材と酸化マグネシウム結晶体を含む放電改善層５の薄膜酸化マグネシウム層４上への形成は、スクリーン印刷法，スプレイ法，ノズルコート法，テーブルコート法，スピンコート法等の種々の方法によって行われる。

このとき、二次電子放出材と酸化マグネシウム結晶体を混合した状態で放電改善層５を形成しても良く、または、二次電子放出材と酸化マグネシウム結晶体をそれぞれ薄膜酸化マグネシウム層４上に別個に塗布して放電改善層５を形成するようにしても良い。

この放電改善層５を形成する際の乾燥工程および焼成工程，膜形成後の熱処理工程は、高温で酸素と反応して電子放出特性が低減してしまう材料が含まれているので、酸素を排除するために、窒素雰囲気中または不活性ガス雰囲気中，真空中において行われるようにするのが好ましい。

上記ＰＤＰの駆動時におけるパネル面における画像形成は、放電セルＣ内において、リセット放電とアドレス放電，サステイン放電が繰り返されることによって行われる。
すなわち、先ず、全放電セルＣ内において各行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極Ｙと列電極Ｄ間で対向放電によるリセット放電が発生されて全放電セルＣの初期化が行われ、次に、行電極Ｙと列電極Ｄ間で放電セルＣ内において選択的にアドレス放電が発生されて誘電体層３に壁電荷が形成されて、前面ガラス基板１によって形成されるパネル面に発光セル（誘電体層３に壁電荷が形成された放電セルＣ）と非発光セル（誘電体層３に壁電荷が形成されていない放電セルＣ）が映像信号の画像データに対応して分布され、この後、発光セル内において行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹ間で面放電であるサステイン放電が発生される。

そして、このサステイン放電によって放電ガスのキセノンから発生する真空紫外線によって蛍光体層９が励起されて、それぞれ赤，緑，青の可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。

上記ＰＤＰにおいて、放電改善層５に含まれている二次電子放出材は、薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低く、高γ材であるため、薄膜酸化マグネシウム層４よりも高い二次電子放出機能を備えている。

このため、上記のようなＰＤＰの駆動時において、放電セルＣ内で上述したような放電（リセット放電，アドレス放電，サステイン放電）が発生されると、この放電によって放電ガスから生成される陽イオンが放電改善層５内の二次電子放出材と衝突して、この二次電子放出材から放電セルＣ内に、薄膜酸化マグネシウム層４からよりも多くの量の二次電子が放出される。

放電セルＣ内の二次電子は、この放電セルＣ内において次に発生される放電の放電電圧を低下させる機能を有しているので、ＰＤＰが薄膜酸化マグネシウム層４のみを有している場合に比べて、各放電の放電電圧を低下させることが出来る。

そして、放電改善層５に含まれている二次電子放出材は、その粒径が１００ｎｍ以下に設定されていることによって、この二次電子放出材によって薄膜酸化マグネシウム層４の全面を被膜することが出来るとともに、放電改善層５による透過率が悪化するのを防止することが出来る。

例えば、粒径約２ｕｍのＬａ₂Ｏ₃の粗粒子を二次電子放出材として放電改善層５に含ませた場合の拡散透過率は約８５％で、薄膜酸化マグネシウム層４の全面を被覆することが出来なかったのに対し、粒径約４０ｎｍのＬａ₂Ｏ₃の超微粒子を二次電子放出材として放電改善層５に含ませた場合には、拡散透過率が約８８％となり、薄膜酸化マグネシウム層４の全面を被覆することが出来た。

さらに、上記ＰＤＰにおいて、放電改善層５に含まれている電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体は、行電極Ｘ，Ｙおよび列電極Ｄへの電圧の印加時に、放電セルＣ内に多量の初期電子を放出する機能を備えている。

このため、上記のようなＰＤＰの駆動時に、放電改善層５の酸化マグネシウム結晶体から放電セルＣ内に放出される初期電子によって、前述したような各放電（リセット放電，アドレス放電，サステイン放電）の発生時の放電遅れを短縮するとともに、放電確率を向上させることが出来る。

図１０は、気相法酸化マグネシウム単結晶体が有するＣＬ発光強度とＰＤＰの放電遅れとの相関関係を示すグラフである。
この図１０から、気相法酸化マグネシウム単結晶体が２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光を行う構造を備えていることにより、ＰＤＰの放電セル内にこの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層が形成されることによって、放電セル内で発生される放電の遅れが短縮されることが分かり、さらに、この２３５ｎｍのＣＬ発光強度が強いほどこの放電遅れが短縮されることが分かる。

このことから、ＢＥＴ法による測定値２０００オングストローム以上の平均粒径を有する気相法酸化マグネシウム単結晶体は、ＰＤＰの放電セルに面した部分に用いられることによって、ＰＤＰの放電確率や放電遅れなどの放電特性の改善（放電遅れの減少および放電確率の向上）に寄与出来ることが分かる。

図１１は、ＰＤＰの放電セルに面するように配置される酸化マグネシウム層を、平均粒径が２０００〜３０００オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布することによって形成した場合と、従来の蒸着法によって形成した場合と、形成しなかった場合におけるそれぞれの酸化マグネシウム層を挟んで行われる放電（例えば、アドレス放電）の放電確率を比較したグラフであり、図１２は、図１１において放電の休止時間が１０００μｓｅｃの場合のそれぞれの放電確率を示している。

さらに、図１３は、同様に、ＰＤＰの放電セルに面するように配置される酸化マグネシウム層を、平均粒径が２０００〜３０００オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布することによって形成した場合と、従来の蒸着法によって形成した場合と、形成しなかった場合のそれぞれの放電遅れ時間を比較したグラフであり、図１４は、図１３において放電の休止時間が１０００μｓｅｃの場合のそれぞれの放電遅れ時間を示している。

なお、この図１１ないし１４においては、酸化マグネシウム層に多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体が含まれている場合が示されている。
この図１１ないし１４から、ＰＤＰの放電セルに面する部分に配された気相法酸化マグネシウム単結晶体が、ＰＤＰの放電確率や放電遅れの改善および放電遅れの休止時間依存性の減少等の放電特性の改善に大きく寄与出来ることが分かる。

図１５は、ＰＤＰにおいて、放電セルに面する部分に配される気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径と放電確率の関係を示すグラフである。
この図１５から、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きいほどＰＤＰ放電確率が高く、上記したような２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光が励起される粒径（図示の例では、２０００オングストロームと３０００オングストローム）の気相法酸化マグネシウム単結晶体によって、放電確率が大幅に向上されることが分かる。

上記のように、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う気相法酸化マグネシウム単結晶体が、ＰＤＰの放電特性の改善に寄与するのは、気相法酸化マグネシウム単結晶体が、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができ、この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られことによるものと推測される。

そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体による放電特性の改善効果が、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光の強度が大きくなるほど大きくなるのは、前述したように、ＣＬ発光強度と気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径との間に相関関係（図６参照）があるためである。

すなわち、大きな粒径の気相法酸化マグネシウム単結晶体を形成しようとする場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くする必要があり、このため、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さが長くなり、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法酸化マグネシウム単結晶体ほど上述したようなＣＬ発光のピーク波長（例えば、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）に対応したエネルギ準位が多数形成されるためである。

また、一般的な気相酸化法に比べて、単位時間当たりのＭｇの蒸発量を増加させてＭｇとＯ₂との反応領域を増大させ、より多くのＯ₂と反応させることによって生成された気相法酸化マグネシウム単結晶体は、上述したようなＣＬ発光のピーク波長に対応したエネルギ準位が形成される。

また、立方体の多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体については、結晶面欠陥を多く含んでいるおり、この面欠陥エネルギ準位の存在が放電確率の改善に寄与しているためと推測される。

以上のように、このＰＤＰは、放電改善層５が、薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とを含んでいることによって、ＰＤＰ駆動時の各放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上が達成されて、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

なお、上記の二次電子放出材と酸化マグネシウム結晶体を放電改善層５の放電セルＣに露出する部分に配置するようにすることによって、放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上効果をさらに高めることが出来る。

図１６は、薄膜酸化マグネシウム層（蒸着ＭｇＯ膜）と上述した酸化マグネシウム結晶体（ＣＥＬ）のみを含む放電改善層とを備えたＰＤＰと、薄膜酸化マグネシウム層（蒸着ＭｇＯ膜）と上述した二次電子放出材（Ｌａ₂Ｏ₃）および酸化マグネシウム結晶体（ＣＥＬ）の両方を含む放電改善層とを備えたＰＤＰにおける放電開始電圧を比較した表である。

この図１６から、放電改善層に二次電子放出材（Ｌａ₂Ｏ₃）が含まれていることによって、酸化マグネシウム結晶体（ＣＥＬ）のみが含まれている場合に比べて大幅に放電開始電圧が低下することが分かる。

図１７および１８は、ＰＤＰが、保護層として、薄膜酸化マグネシウム層（蒸着ＭｇＯ膜）のみを備えたＰＤＰ（従来例）と、薄膜酸化マグネシウム層と二次電子放出材（Ｌａ₂Ｏ₃）のみを含む放電改善層を備えたＰＤＰ，薄膜酸化マグネシウム層と二次電子放出材（Ｌａ₂Ｏ₃）および酸化マグネシウム結晶体の両方を含む放電改善層を備えた三つの例のＰＤＰにおける放電遅れを比較した表とグラフである。

この図１７および１８から、二次電子放出材（Ｌａ₂Ｏ₃）のみを含む放電改善層を備えたＰＤＰは、薄膜酸化マグネシウム層（蒸着ＭｇＯ膜）のみを備えたＰＤＰ（従来例）に比べて放電遅れが大きくなっているが、二次電子放出材（Ｌａ₂Ｏ₃）および酸化マグネシウム結晶体（ＣＥＬ）の両方を含む放電改善層を備えたＰＤＰは、薄膜酸化マグネシウム層（蒸着ＭｇＯ膜）のみを備えたＰＤＰ（従来例）に比べて、大幅に放電遅れが小さくなっていることが分かる。

図１９および２０は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第２実施例を示しており、図１９は前面ガラス基板側の構造のみを図２と同じ位置において断面した図であり、図２０は前面ガラス基板側の行電極の形成部分を背面側から見た部分図である。

この図１９および２０において、放電改善層１５は、薄膜酸化マグネシウム層４上の行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａとバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分のみに形成されている。
この実施例のＰＤＰにおいては、行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘｂ，Ｙｂの全部または一部が、図１および２の場合と異なり、放電セルＣ内に対向されている。

なお、図２０には、放電改善層１５が行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分において断続的に形成されている例が示されているが、放電改善層１５をバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分において連続的に形成するようにしても良い。

この放電改善層１５には、第１実施例と同様の薄膜酸化マグネシウム層を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を備えた酸化マグネシウム結晶体とが含まれている。

他の構成については、第１実施例の場合と同様であり、同一の構成部分には同一の符号が付されている。

この実施例によるＰＤＰは、第１実施例のＰＤＰと同様に、放電改善層１５が、薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とを含んでいることによって、ＰＤＰ駆動時の各放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上が達成されて、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

そして、この実施例によるＰＤＰは、放電改善層１５が行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａとバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分のみに形成されていることによって、第１実施例のＰＤＰに比べて、放電セルＣ内において発光する可視光のパネル面への透過率が増加する。

図２１および２２は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第３実施例を示しており、図２１は前面ガラス基板側の構造のみを図２と同じ位置において断面した図であり、図２２は前面ガラス基板側の行電極の形成部分を背面側から見た部分図である。

この図２１および２２において、放電改善層２５は、薄膜酸化マグネシウム層４上の行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分のみに形成されている。
この実施例のＰＤＰにおいては、行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘｂ，Ｙｂの全部または一部が、図１および２の場合と異なり、放電セルＣ内に対向されている。

なお、図２２には、放電改善層２５が行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分において断続的に形成されている例が示されているが、放電改善層２１５をバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分において連続的に形成するようにしても良い。

この放電改善層２５には、第１実施例と同様の薄膜酸化マグネシウム層を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とが含まれている。

他の構成については、第１実施例の場合と同様であり、同一の構成部分には同一の符号が付されている。

この実施例によるＰＤＰは、第１実施例のＰＤＰと同様に、放電改善層２５が、薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とを含んでいることによって、ＰＤＰ駆動時の各放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上が達成されて、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

そして、この実施例によるＰＤＰは、放電改善層２５が行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分のみに形成されていることによって、第１および第２実施例のＰＤＰに比べて、放電セルＣ内において発光する可視光のパネル面への透過率がさらに増加する。

図２３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第４実施例を前面ガラス基板側のみを図２と同じ位置において断面して示した図である。
この図２３において、誘電体層３上に放電改善層３５が形成されて、この放電改善層３５によって誘電体層３の背面の全面が被覆されており、薄膜酸化マグネシウム層は形成されていない。

この放電改善層３５には、第１実施例と同様の低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とが含まれており、二次電子放出材の粒径が１００ｎｍ以下になるように設定されている。

他の構成については、第１実施例の場合と同様であり、同一の構成部分には同一の符号が付されている。

この実施例によるＰＤＰは、第１実施例のＰＤＰと同様に、放電改善層３５が、酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とを含んでいることによって、ＰＤＰ駆動時の各放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上が達成されて、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

そして、この実施例によるＰＤＰは、二次電子放出材の粒径が１００ｎｍ以下になるように設定されていることによって、放電改善層３５の緻密性および誘電体層３に対する被膜性が向上されるので、薄膜酸化マグネシウム層が形成されていない場合でも、放電に対する対スパッタ性等の保護層としての機能を向上させることが出来る。

図２４は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第５実施例を前面ガラス基板側のみを図２と同じ位置において断面して示した図である。
この図２４において、放電改善層４５は、誘電体層３上の行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａとバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分のみに形成されており、薄膜酸化マグネシウム層は形成されていない。
この実施例のＰＤＰにおいては、行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘｂ，Ｙｂの全部または一部が、図１および２の場合と異なり、放電セルＣ内に対向されている。

この放電改善層４５には、第１実施例と同様の薄膜酸化マグネシウム層を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とが含まれている。

他の構成については、第４実施例の場合と同様であり、同一の構成部分には同一の符号が付されている。

この実施例によるＰＤＰは、第１実施例のＰＤＰと同様に、放電改善層４５が、薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体とを含んでいることによって、ＰＤＰ駆動時の各放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上が達成されて、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

そして、この実施例によるＰＤＰは、放電改善層４５が行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａとバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分のみに形成されていることによって、第４実施例のＰＤＰに比べて、放電セル内において発光する可視光のパネル面への透過率が増加する。

図２５は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第６実施例を前面ガラス基板側のみを図２と同じ位置において断面して示した図である。
この図２５において、薄膜酸化マグネシウム層４上の行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａとバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分のみに、第１実施例と同様の低仕事関数材を含む二次電子放出材層５５Ａが形成され、この二次電子放出材層５５Ａ上の透明電極Ｘａ，Ｙａの放電ギャップ側の先端部分に対向する部分のみに、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム結晶体層５５Ｂが形成されて、この二次電子放出材層５５Ａと酸化マグネシウム結晶体層５５Ｂによって放電改善層５５が構成されている。

他の構成については、第１実施例の場合と同様であり、同一の構成部分には同一の符号が付されている。

この実施例によるＰＤＰは、放電改善層５５が、薄膜酸化マグネシウム層４を形成する酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材を含む二次電子放出材層５５Ａと、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム結晶体層５５Ｂを有していることによって、第１実施例のＰＤＰと同様に、ＰＤＰ駆動時の各放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上が達成されて、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

そして、この実施例によるＰＤＰは、放電改善層５５が行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａとバス電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分のみに形成されていることによって、第１実施例のＰＤＰに比べて、放電セル内において発光する可視光のパネル面への透過率が増加する。

図２６は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第７実施例を前面ガラス基板側のみを図２と同じ位置において断面して示した図である。
この図２６において、誘電体層３上に第１実施例と同様の低仕事関数材を含む二次電子放出材層６５Ａが形成されて、この二次電子放出材層６５Ａによって誘電体層３の背面の全面が被覆されており、薄膜酸化マグネシウム層は形成されていない。

そして、この二次電子放出材層６５Ａ上の透明電極Ｘａ，Ｙａの放電ギャップ側の先端部分に対向する部分のみに、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム結晶体層６５Ｂが形成されている。
この二次電子放出材層６５Ａと酸化マグネシウム結晶体層６５Ｂによって放電改善層６５が構成されている。

他の構成については、第４実施例の場合と同様であり、同一の構成部分には同一の符号が付されている。

この実施例によるＰＤＰは、放電改善層６５が、第１実施例と同様の低仕事関数材を含む二次電子放出材層６５Ａと、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム結晶体層６５Ｂを有していることによって、第１実施例のＰＤＰと同様に、ＰＤＰ駆動時の各放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上が達成されて、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

そして、この実施例によるＰＤＰは、二次電子放出材層６５Ａに含まれる低仕事関数材の粒径が１００ｎｍ以下になるように設定されていることによって、二次電子放出材層６５Ａの緻密性および誘電体層３に対する被膜性が向上されるので、薄膜酸化マグネシウム層が形成されていない場合でも、放電に対する対スパッタ性等の保護層としての機能を向上させることが出来る。

上記各実施例のＰＤＰは、放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板のうちの少なくとも一方の基板側に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆するとともに放電空間に面する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記保護層が、仕事関数が酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を備えた酸化マグネシウム結晶体とを含む放電改善層を有している実施形態のＰＤＰを、その上位概念の実施形態としている。

この上位概念を構成する実施形態におけるＰＤＰは、放電改善層に含まれている二次電子放出材が酸化マグネシウムよりも仕事関数が低く、高γ材であることによって、高い二次電子放出機能を備えている。

このため、ＰＤＰの駆動時において、放電空間内で放電が発生されると、この放電によって放電空間内に封入された放電ガスから生成される陽イオンが放電改善層内の二次電子放出材と衝突して、この二次電子放出材から放電空間内に酸化マグネシウムよりも多くの量の二次電子が放出され、この二次電子は、放電空間内において次に発生される放電の放電電圧を低下させる機能を有するので、従来のＰＤＰに比べて、ＰＤＰで発生される放電の放電電圧が低下される。

さらに、この実施形態におけるＰＤＰは、放電改善層に含まれている電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体が、放電電極への電圧の印加時に、放電空間内に多量の初期電子を放出する機能を備えており、ＰＤＰの駆動時に放電改善層の酸化マグネシウム結晶体から放電空間内に放出される初期電子によって、放電空間内における放電の発生時の放電遅れが短縮されるとともに、放電確率が向上される。

以上のようにして、この実施形態のＰＤＰによれば、放電改善層が二次電子放出材と酸化マグネシウム結晶体とを含んでいることによって、ＰＤＰ駆動時に発生される放電の放電電圧の低下および放電遅れの短縮，放電確率の向上を達成することが出来、従来に比べて、ＰＤＰの放電特性を全般に亘って大幅に改善することが出来る。

この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。 図１のＶ−Ｖ線における断面図である。 図１のＷ−Ｗ線における断面図である。 立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示す図である。 立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示す図である。 酸化マグネシウム単結晶体の粒径とＣＬ発光の波長および強度との関係を示すグラフである。 酸化マグネシウム単結晶体の粒径と２３５ｎｍのＣＬ発光のピーク強度との関係を示すグラフである。 蒸着法による酸化マグネシウム層からのＣＬ発光の波長の状態を示すグラフである。 図８の蒸着法による酸化マグネシウム層の膜厚を示す図である。 酸化マグネシウム単結晶体からの２３５ｎｍのＣＬ発光のピーク強度と放電遅れとの関係を示すグラフである。 多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体と放電確率の関係を示すグラフである。 同多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体と放電確率の関係を示す表図である。 同多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体と放電遅れの関係を示すグラフである。 同多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体と放電遅れの関係を示す表図である。 酸化マグネシウム単結晶体の粒径と放電確率との関係を示すグラフである。 異なる構造の保護層を備えたＰＤＰの放電開始電圧の比較を示す表図である。 異なる構造の保護層を備えたＰＤＰの放電遅れの比較を示す表図である。 異なる構造の保護層を備えたＰＤＰの放電遅れを比較を示すグラフである。 この発明の実施形態の第２実施例を示す断面図である。 同実施例の背面図である。 この発明の実施形態の第３実施例を示す断面図である。 同実施例の背面図である。 この発明の実施形態の第４実施例を示す断面図である。 この発明の実施形態の第５実施例を示す断面図である。 この発明の実施形態の第６実施例を示す断面図である。 この発明の実施形態の第７実施例を示す断面図である。

符号の説明

１ …前面ガラス基板（前面基板）
３ …誘電体層
４ …薄膜酸化マグネシウム層
５，１５，２５，３５，４５，５５，６５
…放電改善層
５５Ａ，６５Ａ …二次電子放出材層
５５Ｂ，６５Ｂ …酸化マグネシウム結晶体層
６ …背面ガラス基板（背面基板）
８ …隔壁
Ｃ …放電セル
Ｄ …列電極（放電電極）
Ｓ …放電空間
Ｘ …行電極（放電電極）
Ｘａ …透明電極
Ｘｂ …バス電極
Ｙ …行電極（放電電極）

Claims (11)

1. 放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板のうちの少なくとも一方の基板側に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆するとともに放電空間に面する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記保護層が、仕事関数が酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料を含む二次電子放出材と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を備えた酸化マグネシウム結晶体とを含む放電改善層を有している、
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 前記低仕事関数材料が、
   カーボンナノチューブ，ダイヤモンド，カーボンライクダイヤモンド、
   Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｃａ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｒ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｎ元素の一種類または二種類以上を含む酸化物、
   ＬａＢ₆，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｃｓ₂ＳＯ₄，Ｃｓ₂ＣＯ₃，ＳｒＣａＣＯ₃、
   の材料の中の１種類以上の材料を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記二次電子放出材が、放電空間に露出した状態で放電改善層内に含まれている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記二次電子放出材の粒径が１００ｎｍ以下である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記酸化マグネシウム結晶体が、２３０ｎｍ〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を備えている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記酸化マグネシウム結晶体が、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記酸化マグネシウム結晶体が、２０００オングストローム以上の粒径を有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前記保護層が、蒸着法またはスパッタリング法によって形成された薄膜酸化マグネシウム層を有し、この薄膜酸化マグネシウム層上に放電改善層が積層されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前記放電改善層が、放電電極に対向する部分のみに形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
10. 前記放電改善層が、仕事関数が酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料を含む二次電子放出材料層と、この二次電子放出材料層上に積層されて電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を備えた酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム結晶体層とを有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
11. 前記放電改善層の少なくとも酸化マグネシウム結晶体層が、放電電極に対向する部分のみに形成されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。