JP3440906B2 - プラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 102
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 100
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 44
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 38
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 114
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- BIJOYKCOMBZXAE-UHFFFAOYSA-N chromium iron nickel Chemical compound [Cr].[Fe].[Ni] BIJOYKCOMBZXAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/46—Machines having sequentially arranged operating stations
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/26—Sealing together parts of vessels
- H01J9/261—Sealing together parts of vessels the vessel being for a flat panel display
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/26—Sealing parts of the vessel to provide a vacuum enclosure
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの製造装置とその製造方法に係わり、特に、
パネルの封止、排気ガス出し、放電ガス導入、及び真空
封止を一貫して行う装置、及び、この装置を使用したプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
レイパネルの製造装置とその製造方法に係わり、特に、
パネルの封止、排気ガス出し、放電ガス導入、及び真空
封止を一貫して行う装置、及び、この装置を使用したプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネルは、前面基
板及び背面基板からなり、それぞれの基板に形成された
電極を直交して対向するように組み合わせ、背面基板に
予め設けられた貫通孔と連結するように給排気用のガラ
ス管（以下、ここでは排気管という）を低融点ガラスで
取り付け、これらを封止炉に投入して低融点ガラスを溶
かしガラス容器を形成する。そして、排気管を介してパ
ネル内を真空排気すると共に、パネルを加熱し、内部の
ガス出しを行う。所定の真空度になるように、所定の時
間脱ガスを行った後、同じく排気管を介してパネル内
に、放電ガスとして、例えば、ネオン（Ｎｅ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、あるいはキセノン(Ｘｅ)、又はこれらの混
合ガスを５３２００〜７９８００Ｐａ（４００〜６００
ｔｏｒｒ）程度充填し、前記排気管をガスバーナ等で封
じ切った排気管付きのプラズマディスプレイパネルが一
般的である。
板及び背面基板からなり、それぞれの基板に形成された
電極を直交して対向するように組み合わせ、背面基板に
予め設けられた貫通孔と連結するように給排気用のガラ
ス管（以下、ここでは排気管という）を低融点ガラスで
取り付け、これらを封止炉に投入して低融点ガラスを溶
かしガラス容器を形成する。そして、排気管を介してパ
ネル内を真空排気すると共に、パネルを加熱し、内部の
ガス出しを行う。所定の真空度になるように、所定の時
間脱ガスを行った後、同じく排気管を介してパネル内
に、放電ガスとして、例えば、ネオン（Ｎｅ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、あるいはキセノン(Ｘｅ)、又はこれらの混
合ガスを５３２００〜７９８００Ｐａ（４００〜６００
ｔｏｒｒ）程度充填し、前記排気管をガスバーナ等で封
じ切った排気管付きのプラズマディスプレイパネルが一
般的である。
【０００３】また、第二の方法として、背面基板と前面
基板とを組み合わせて、真空チャンバー内に設置し、真
空排気、脱ガスを行い、しかる後に真空チャンバー内に
放電ガスを充填し、基板周囲部の低融点ガラスを溶かし
封着する方法が知られている。この場合、パネルには排
気管もガス導入孔もない構造となっている。
基板とを組み合わせて、真空チャンバー内に設置し、真
空排気、脱ガスを行い、しかる後に真空チャンバー内に
放電ガスを充填し、基板周囲部の低融点ガラスを溶かし
封着する方法が知られている。この場合、パネルには排
気管もガス導入孔もない構造となっている。
【０００４】第三の方法としては、１０〜２０ｍｍのセ
ミチップ管をガス導入孔に設置し、そのセミチップ管の
基板周辺部を小室で覆い、セミチップ管を介してパネル
内の残留ガスを排気後ガス封止を行い、該小室に設けた
石英窓からハロゲンランプでセミチップ管を照射して溶
かし封止する方法が提案されている。
ミチップ管をガス導入孔に設置し、そのセミチップ管の
基板周辺部を小室で覆い、セミチップ管を介してパネル
内の残留ガスを排気後ガス封止を行い、該小室に設けた
石英窓からハロゲンランプでセミチップ管を照射して溶
かし封止する方法が提案されている。
【０００５】しかしながら、前記排気管のある従来の方
法では、両基板の間隔が１００〜２００μｍ高さの微細
隔壁によって仕切られている上に、排気管のコンダクタ
ンスも小さいため、真空排気脱ガスに１０時間以上を要
し、生産性が非常に低く、また、ロットによっては排気
が不十分となって放電ガスの純度が悪くなり、放電特性
にばらつきが生じ易いと言う欠点があった。
法では、両基板の間隔が１００〜２００μｍ高さの微細
隔壁によって仕切られている上に、排気管のコンダクタ
ンスも小さいため、真空排気脱ガスに１０時間以上を要
し、生産性が非常に低く、また、ロットによっては排気
が不十分となって放電ガスの純度が悪くなり、放電特性
にばらつきが生じ易いと言う欠点があった。
【０００６】更に、排気管をチップオフした後に残るガ
ラス管（チップ管）は非常に脆く、少々の衝撃でも破壊
してしまうため、パネルの取り扱いには細心の注意が必
要であるばかりでなく、駆動電子回路と組み合わせてモ
ジュール化するとき保護キャップを取り付けたり、モジ
ュールの設計上電子部品やプリント板との干渉を避ける
考慮が必要であった。
ラス管（チップ管）は非常に脆く、少々の衝撃でも破壊
してしまうため、パネルの取り扱いには細心の注意が必
要であるばかりでなく、駆動電子回路と組み合わせてモ
ジュール化するとき保護キャップを取り付けたり、モジ
ュールの設計上電子部品やプリント板との干渉を避ける
考慮が必要であった。
【０００７】次に、上記に示した第二の方法、即ち、排
気管のない従来の方法については、排気時間に関しては
著しく改善されているものの、封止と同時にパネル内部
に残留ガスを閉じ込めてしまい、放電ガスの純度劣化を
ひきおこしていた。また、高価な放電ガスの使用量が多
く、コスト的にも問題があった。
気管のない従来の方法については、排気時間に関しては
著しく改善されているものの、封止と同時にパネル内部
に残留ガスを閉じ込めてしまい、放電ガスの純度劣化を
ひきおこしていた。また、高価な放電ガスの使用量が多
く、コスト的にも問題があった。
【０００８】上記第三の従来の方法では、第二の方法の
問題を解決しているものの、パネルに排気管が突出して
残留し、従来の排気管付きパネルと同様の取り扱い上の
問題を有している。
問題を解決しているものの、パネルに排気管が突出して
残留し、従来の排気管付きパネルと同様の取り扱い上の
問題を有している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、短時間で脱ガスが
完了し、残留ガスが少なく、かつ排気管のない新規なプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法を
提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、短時間で脱ガスが
完了し、残留ガスが少なく、かつ排気管のない新規なプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法を
提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
【００１１】即ち、本発明に係わるプラズマディスプレ
イパネルの製造装置の第１態様は、前面基板と背面基板
とを低融点ガラスを加熱することで、前記前面基板と背
面基板とを封着し、プラズマディスプレイパネルを形成
する封着チャンバと、前記前面基板又は背面基板に設け
られたガス導入口を介して、前記プラズマディスプレイ
パネル内に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口
を封止するガス導入・封止チャンバとを別個に備えたプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置であって、前記ガ
ス導入・封止チャンバに、低融点ガラスが塗布された金
属板からなる蓋部材を前記ガス導入・封止チャンバ内の
所定の位置に供給する第１の機構と、前記蓋部材を前記
所定の位置から加熱装置上に移載する第２の機構と、前
記プラズマディスプレイパネル内を真空排気した後、前
記プラズマディスプレイパネル内に放電ガスを導入する
ための第３の機構と、前記低融点ガラスが塗布された金
属板を前記加熱装置で加熱した後に、前記加熱装置を突
き上げて前記ガス導入口を封止する第４の機構とを設
け、更に、前記ガス導入・封止チャンバ内の小室に上下
動する第１の部材と、前記第１の部材内に囲まれるよう
に上下動する第２の部材とを設け、前記第４の機構を前
記第２の部材を用いて実現し、前記第３の機構を前記第
１の部材を用いて実現せしめたことを特徴とするもので
あり、叉、第２態様は、前記封着チャンバ内に、前記プ
ラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とを固
定したプラズマディスプレイパネルを入れ、この封着チ
ャンバを真空排気するように構成したことを特徴とする
ものであり、叉、第３態様は、前面基板と背面基板とを
低融点ガラスを加熱することで、前記前面基板と背面基
板とを封着し、プラズマディスプレイパネルを形成する
工程と、前記前面基板又は背面基板に設けられたガス導
入口を介して、前記プラズマディスプレイパネル内に放
電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口を封止する工
程とを同一チャ ンバ内で行うプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置であって、前記チャンバに、低融点ガラス
が塗布された金属板からなる蓋部材を前記ガス導入・封
止チャンバ内の所定の位置に供給する第１の機構と、前
記蓋部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する第
２の機構と、前記プラズマディスプレイパネル内を真空
排気した後、前記プラズマディスプレイパネル内に放電
ガスを導入するための第３の機構と、前記低融点ガラス
が塗布された金属板を前記加熱装置で加熱した後に、前
記加熱装置を突き上げて前記ガス導入口を封止する第４
の機構とを設け、更に、前記ガス導入・封止チャンバ内
の小室に上下動する第１の部材と、前記第１の部材内に
囲まれるように上下動する第２の部材とを設け、前記第
４の機構を前記第２の部材を用いて実現し、前記第３の
機構を前記第１の部材を用いて実現せしめたことを特徴
とするものであり、 叉、第４態様は、 前記チャンバ内
に、前記プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面
基板とを固定したプラズマディスプレイパネルを入れ、
このチャンバを真空排気するように構成したことを特徴
とするものである。
イパネルの製造装置の第１態様は、前面基板と背面基板
とを低融点ガラスを加熱することで、前記前面基板と背
面基板とを封着し、プラズマディスプレイパネルを形成
する封着チャンバと、前記前面基板又は背面基板に設け
られたガス導入口を介して、前記プラズマディスプレイ
パネル内に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口
を封止するガス導入・封止チャンバとを別個に備えたプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置であって、前記ガ
ス導入・封止チャンバに、低融点ガラスが塗布された金
属板からなる蓋部材を前記ガス導入・封止チャンバ内の
所定の位置に供給する第１の機構と、前記蓋部材を前記
所定の位置から加熱装置上に移載する第２の機構と、前
記プラズマディスプレイパネル内を真空排気した後、前
記プラズマディスプレイパネル内に放電ガスを導入する
ための第３の機構と、前記低融点ガラスが塗布された金
属板を前記加熱装置で加熱した後に、前記加熱装置を突
き上げて前記ガス導入口を封止する第４の機構とを設
け、更に、前記ガス導入・封止チャンバ内の小室に上下
動する第１の部材と、前記第１の部材内に囲まれるよう
に上下動する第２の部材とを設け、前記第４の機構を前
記第２の部材を用いて実現し、前記第３の機構を前記第
１の部材を用いて実現せしめたことを特徴とするもので
あり、叉、第２態様は、前記封着チャンバ内に、前記プ
ラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とを固
定したプラズマディスプレイパネルを入れ、この封着チ
ャンバを真空排気するように構成したことを特徴とする
ものであり、叉、第３態様は、前面基板と背面基板とを
低融点ガラスを加熱することで、前記前面基板と背面基
板とを封着し、プラズマディスプレイパネルを形成する
工程と、前記前面基板又は背面基板に設けられたガス導
入口を介して、前記プラズマディスプレイパネル内に放
電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口を封止する工
程とを同一チャ ンバ内で行うプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置であって、前記チャンバに、低融点ガラス
が塗布された金属板からなる蓋部材を前記ガス導入・封
止チャンバ内の所定の位置に供給する第１の機構と、前
記蓋部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する第
２の機構と、前記プラズマディスプレイパネル内を真空
排気した後、前記プラズマディスプレイパネル内に放電
ガスを導入するための第３の機構と、前記低融点ガラス
が塗布された金属板を前記加熱装置で加熱した後に、前
記加熱装置を突き上げて前記ガス導入口を封止する第４
の機構とを設け、更に、前記ガス導入・封止チャンバ内
の小室に上下動する第１の部材と、前記第１の部材内に
囲まれるように上下動する第２の部材とを設け、前記第
４の機構を前記第２の部材を用いて実現し、前記第３の
機構を前記第１の部材を用いて実現せしめたことを特徴
とするものであり、 叉、第４態様は、 前記チャンバ内
に、前記プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面
基板とを固定したプラズマディスプレイパネルを入れ、
このチャンバを真空排気するように構成したことを特徴
とするものである。
【００１２】叉、本発明に係わるプラズマディスプレイ
パネルの製造方法の第１態様は、前面基板と背面基板と
を低融点ガラスを加熱することで、前記前面基板と背面
基板とを封着し、プラズマディスプレイパネルを形成す
る封着チャンバと、前記前面基板又は背面基板に設けら
れたガス導入口を介して、前記プラズマディスプレイパ
ネル内に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口を
封止するガス導入・封止チャンバとを備えたプラズマデ
ィスプレイパネルの製造装置であって、前記ガス導入・
封止チャンバに、低融点ガラスが塗布された金属板から
なる蓋部材を前記ガス導入・封止チャンバ内の所定の位
置に供給する第１の機構と、前記蓋部材を前記所定の位
置から加熱装置上に移載する第２の機構と、前記プラズ
マディスプレイパネル内を真空排気した後、前記プラズ
マディスプレイパネル内に放電ガスを導入するための第
３の機構と、前記低融点ガラスが塗布された金属板を前
記加熱装置で加熱した後に、前記加熱装置を突き上げて
前記ガス導入口を封止する第４の機構とを設け、更に、
前記ガス導入・封止チャンバ内の小室に上下動する第１
の部材と、前記第１の部材内に囲まれるように上下動す
る第２の部材とを設け、前記第４の機構を前記第２の部
材を用いて実現し、前記第３の機構を前記第１の部材を
用いて実現させたプラズマディスプレイパネルの製造装
置を用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法にお
いて、前記プラズマディスプレイパネルの前面基板と背
面基板とを固定した後、前記封着チャンバに入れ、この
封着チャンバを真空排気する第１の工程と、前記前面基
板又は背面基板に設けたシールガラスを加熱して、前記
前面基板と背面基板とを封着する第２の工程と、前記封
着したプラズマディスプレイパネルを真空排気したガス
導入・封止チャンバに入れ、前記第３の機構に付設した
排気系より前記プラズマディスプレイパネル内を真空排
気する第３の工程と、前記第３の機構に付設した放電ガ
ス導入系より前記真空排気したプラズマディスプレイパ
ネル内に所定の放電ガスを導入する第４の工程と、前記
プラズマディスプレイパネルのガス導入口を封止する第
５の工程と、を少なくとも含むことを特徴とするもので
あり、叉、第２態様は、前記第５の工程は、低融点ガラ
スが塗布された金属板からなる蓋部材を前記ガス導入・
封止チャンバ内の所定の位置に供給する工程と、前記蓋
部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する工程
と、前記加熱装置が、この加熱装置上の低融点ガラスが
塗布された金属板を、前記ガス導入口に押し当て、前記
ガス導入口を封止する工程と、を含むことを特徴とする
ものである。
パネルの製造方法の第１態様は、前面基板と背面基板と
を低融点ガラスを加熱することで、前記前面基板と背面
基板とを封着し、プラズマディスプレイパネルを形成す
る封着チャンバと、前記前面基板又は背面基板に設けら
れたガス導入口を介して、前記プラズマディスプレイパ
ネル内に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口を
封止するガス導入・封止チャンバとを備えたプラズマデ
ィスプレイパネルの製造装置であって、前記ガス導入・
封止チャンバに、低融点ガラスが塗布された金属板から
なる蓋部材を前記ガス導入・封止チャンバ内の所定の位
置に供給する第１の機構と、前記蓋部材を前記所定の位
置から加熱装置上に移載する第２の機構と、前記プラズ
マディスプレイパネル内を真空排気した後、前記プラズ
マディスプレイパネル内に放電ガスを導入するための第
３の機構と、前記低融点ガラスが塗布された金属板を前
記加熱装置で加熱した後に、前記加熱装置を突き上げて
前記ガス導入口を封止する第４の機構とを設け、更に、
前記ガス導入・封止チャンバ内の小室に上下動する第１
の部材と、前記第１の部材内に囲まれるように上下動す
る第２の部材とを設け、前記第４の機構を前記第２の部
材を用いて実現し、前記第３の機構を前記第１の部材を
用いて実現させたプラズマディスプレイパネルの製造装
置を用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法にお
いて、前記プラズマディスプレイパネルの前面基板と背
面基板とを固定した後、前記封着チャンバに入れ、この
封着チャンバを真空排気する第１の工程と、前記前面基
板又は背面基板に設けたシールガラスを加熱して、前記
前面基板と背面基板とを封着する第２の工程と、前記封
着したプラズマディスプレイパネルを真空排気したガス
導入・封止チャンバに入れ、前記第３の機構に付設した
排気系より前記プラズマディスプレイパネル内を真空排
気する第３の工程と、前記第３の機構に付設した放電ガ
ス導入系より前記真空排気したプラズマディスプレイパ
ネル内に所定の放電ガスを導入する第４の工程と、前記
プラズマディスプレイパネルのガス導入口を封止する第
５の工程と、を少なくとも含むことを特徴とするもので
あり、叉、第２態様は、前記第５の工程は、低融点ガラ
スが塗布された金属板からなる蓋部材を前記ガス導入・
封止チャンバ内の所定の位置に供給する工程と、前記蓋
部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する工程
と、前記加熱装置が、この加熱装置上の低融点ガラスが
塗布された金属板を、前記ガス導入口に押し当て、前記
ガス導入口を封止する工程と、を含むことを特徴とする
ものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係わるプラズマディスプ
レイパネルの製造装置は、前面基板と背面基板とを低融
点ガラスを加熱することで、前記前面基板と背面基板と
を封着し、プラズマディスプレイパネルを形成する封着
チャンバと、前記前面基板又は背面基板に設けられたガ
ス導入口を介して、前記プラズマディスプレイパネル内
に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口を封止す
るガス導入・封止チャンバとを備えたプラズマディスプ
レイパネルの製造装置であって、前記ガス導入・封止チ
ャンバ内に、低融点ガラスが塗布された金属板からなる
蓋部材を前記ガス導入・封止チャンバ内の所定の位置に
供給する第１の機構と、前記蓋部材を前記所定の位置か
ら加熱装置上に移載する第２の機構と、前記プラズマデ
ィスプレイパネル内を真空排気した後、前記プラズマデ
ィスプレイパネル内に放電ガスを導入するための第３の
機構と、前記低融点ガラスが塗布された金属板を前記加
熱装置で加熱することで、前記ガス導入口を封止するた
めの第４の機構とを設けたことを特徴とするものであ
り、このように構成することで、封着チャンバ内でプラ
ズマディスプレイパネルの封着が完了した後も、ガス導
入・封止チャンバで、ガス導入孔を介して排気を継続す
ることにより、封止時にパネル内に閉じ込められた残留
ガスを確実に、しかも短期間に除去することができる。
レイパネルの製造装置は、前面基板と背面基板とを低融
点ガラスを加熱することで、前記前面基板と背面基板と
を封着し、プラズマディスプレイパネルを形成する封着
チャンバと、前記前面基板又は背面基板に設けられたガ
ス導入口を介して、前記プラズマディスプレイパネル内
に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口を封止す
るガス導入・封止チャンバとを備えたプラズマディスプ
レイパネルの製造装置であって、前記ガス導入・封止チ
ャンバ内に、低融点ガラスが塗布された金属板からなる
蓋部材を前記ガス導入・封止チャンバ内の所定の位置に
供給する第１の機構と、前記蓋部材を前記所定の位置か
ら加熱装置上に移載する第２の機構と、前記プラズマデ
ィスプレイパネル内を真空排気した後、前記プラズマデ
ィスプレイパネル内に放電ガスを導入するための第３の
機構と、前記低融点ガラスが塗布された金属板を前記加
熱装置で加熱することで、前記ガス導入口を封止するた
めの第４の機構とを設けたことを特徴とするものであ
り、このように構成することで、封着チャンバ内でプラ
ズマディスプレイパネルの封着が完了した後も、ガス導
入・封止チャンバで、ガス導入孔を介して排気を継続す
ることにより、封止時にパネル内に閉じ込められた残留
ガスを確実に、しかも短期間に除去することができる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明に係わるプラズマディスプレ
イパネルの製造装置とその製造方法の具体例を図面を参
照しながら詳細に説明する。
イパネルの製造装置とその製造方法の具体例を図面を参
照しながら詳細に説明する。
【００１５】図１乃至図５は、本発明に係わるプラズマ
ディスプレイパネルの製造装置とその製造方法の具体例
を示す図であって、これらの図には、前面基板と背面基
板とを低融点ガラスを加熱することで、前記前面基板と
背面基板とを封着し、プラズマディスプレイパネルを形
成する封着チャンバ１と、前記前面基板又は背面基板に
設けられたガス導入口を介して、前記プラズマディスプ
レイパネル内に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導
入口を封止するガス導入・封止チャンバ２とを備えたプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置であって、前記ガ
ス導入・封止チャンバ２内に、低融点ガラスが塗布され
た金属板からなる蓋部材９を前記ガス導入・封止チャン
バ２内の所定の位置Ｐ１に供給する第１の機構５と、前
記蓋部材９を前記所定の位置Ｐ１から加熱装置８上に移
載する第２の機構４と、前記プラズマディスプレイパネ
ル内を真空排気した後、前記プラズマディスプレイパネ
ル内に放電ガスを導入するための第３の機構３１と、前
記低融点ガラスが塗布された金属板９を前記加熱装置８
で加熱することで、前記ガス導入口を封止するための第
４の機構４１とを設けたことを特徴とするプラズマディ
スプレイパネルの製造装置が示され、又、前記ガス導入
・封止チャンバ２内の小室３内に上下動する第１の部材
７を設けると共に、前記第１の部材７内に囲まれるよう
に上下動する第２の部材４２を設け、前記第２の部材４
２に前記第４の機構４１を組み付け、前記第１の部材７
に前記第３の機構３１を組み付けたことを特徴とするプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置が示され、又、前
記封着チャンバ１内に、前記プラズマディスプレイパネ
ルの前面基板と背面基板とを固定したプラズマディスプ
レイパネルを入れ、この封着チャンバ１を真空排気する
真空排気装置1ａを設けたプラズマディスプレイパネル
の製造装置が示されている。
ディスプレイパネルの製造装置とその製造方法の具体例
を示す図であって、これらの図には、前面基板と背面基
板とを低融点ガラスを加熱することで、前記前面基板と
背面基板とを封着し、プラズマディスプレイパネルを形
成する封着チャンバ１と、前記前面基板又は背面基板に
設けられたガス導入口を介して、前記プラズマディスプ
レイパネル内に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導
入口を封止するガス導入・封止チャンバ２とを備えたプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置であって、前記ガ
ス導入・封止チャンバ２内に、低融点ガラスが塗布され
た金属板からなる蓋部材９を前記ガス導入・封止チャン
バ２内の所定の位置Ｐ１に供給する第１の機構５と、前
記蓋部材９を前記所定の位置Ｐ１から加熱装置８上に移
載する第２の機構４と、前記プラズマディスプレイパネ
ル内を真空排気した後、前記プラズマディスプレイパネ
ル内に放電ガスを導入するための第３の機構３１と、前
記低融点ガラスが塗布された金属板９を前記加熱装置８
で加熱することで、前記ガス導入口を封止するための第
４の機構４１とを設けたことを特徴とするプラズマディ
スプレイパネルの製造装置が示され、又、前記ガス導入
・封止チャンバ２内の小室３内に上下動する第１の部材
７を設けると共に、前記第１の部材７内に囲まれるよう
に上下動する第２の部材４２を設け、前記第２の部材４
２に前記第４の機構４１を組み付け、前記第１の部材７
に前記第３の機構３１を組み付けたことを特徴とするプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置が示され、又、前
記封着チャンバ１内に、前記プラズマディスプレイパネ
ルの前面基板と背面基板とを固定したプラズマディスプ
レイパネルを入れ、この封着チャンバ１を真空排気する
真空排気装置1ａを設けたプラズマディスプレイパネル
の製造装置が示されている。
【００１６】以下に、本発明を更に詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明のプラズマディスプレイパ
ネルの製造装置の各チャンバの構成を示す図、図２は、
ガス導入・封止チャンバの要部の拡大断面図、図３は、
キャップを突き上げてプラズマディスプレイパネルを真
空排気し、又は、放電ガスを導入する際の断面図、図５
は、ヒータをプラズマディスプレイパネルのガス導入口
に押し当てた状態を示す図である。
ネルの製造装置の各チャンバの構成を示す図、図２は、
ガス導入・封止チャンバの要部の拡大断面図、図３は、
キャップを突き上げてプラズマディスプレイパネルを真
空排気し、又は、放電ガスを導入する際の断面図、図５
は、ヒータをプラズマディスプレイパネルのガス導入口
に押し当てた状態を示す図である。
【００１８】図１に示されているように、封着チャンバ
１に隣接してガス導入・封止チャンバ２が設けられてお
り、このガス導入・封止チャンバ２には、更に、小室３
と蓋部材移載機構４と蓋部材ストック機構５とが設けら
れている。
１に隣接してガス導入・封止チャンバ２が設けられてお
り、このガス導入・封止チャンバ２には、更に、小室３
と蓋部材移載機構４と蓋部材ストック機構５とが設けら
れている。
【００１９】蓋部材ストック機構５は、プラズマディス
プレイパネルのガス導入口を封止するための金属蓋部材
９を、ガス導入・封止チャンバ２内の位置Ｐ１に常に供
給するように構成されている。金属蓋部材９は、鉄−ニ
ッケル−クロム系合金、例えば、４２６合金をウエット
水素処理してクロムリッチ酸化膜を形成したもの片面
に、例えば、作業温度４３０℃の鉛ガラス系低融点ガラ
ス層を塗布して焼成したものである。
プレイパネルのガス導入口を封止するための金属蓋部材
９を、ガス導入・封止チャンバ２内の位置Ｐ１に常に供
給するように構成されている。金属蓋部材９は、鉄−ニ
ッケル−クロム系合金、例えば、４２６合金をウエット
水素処理してクロムリッチ酸化膜を形成したもの片面
に、例えば、作業温度４３０℃の鉛ガラス系低融点ガラ
ス層を塗布して焼成したものである。
【００２０】また、蓋部材移載機構４は、位置Ｐ１に置
かれた金属蓋部材９を小室３内に設けられた加熱装置の
ヒータ８上の位置Ｐ２に移載するものであり、先端に電
磁石を取り付けた移載用のアーム６を備え、図示しない
上下回転機構でアーム６を駆動する構成を採っている。
かれた金属蓋部材９を小室３内に設けられた加熱装置の
ヒータ８上の位置Ｐ２に移載するものであり、先端に電
磁石を取り付けた移載用のアーム６を備え、図示しない
上下回転機構でアーム６を駆動する構成を採っている。
【００２１】小室３内には、上下動する円筒状の排気兼
ガス導入キャップ（以下、キャップという）７が設けら
れ、キャップ７の先端部には、プラズマディスプレイパ
ネル１３にキャップ７の先端部を密着させるためのＯリ
ング１２が取り付けられている。また、放電ガス導入系
１０、及びガス導入・封止チャンバ２の排気系とは独立
した排気系１１が設けられ、放電ガス導入系１０と排気
系１１とは、キャップ7内に設けられたガス導入・排気
路７ａに連通している。キャップ７は、上下動可能でＯ
リングダブルシール１２ａで外気と真空シールされてい
る。
ガス導入キャップ（以下、キャップという）７が設けら
れ、キャップ７の先端部には、プラズマディスプレイパ
ネル１３にキャップ７の先端部を密着させるためのＯリ
ング１２が取り付けられている。また、放電ガス導入系
１０、及びガス導入・封止チャンバ２の排気系とは独立
した排気系１１が設けられ、放電ガス導入系１０と排気
系１１とは、キャップ7内に設けられたガス導入・排気
路７ａに連通している。キャップ７は、上下動可能でＯ
リングダブルシール１２ａで外気と真空シールされてい
る。
【００２２】また、キャップ７内には、棒状の部材４２
が設けられ、この棒状の部材４２上部には、ヒータ８が
取り付けられ、この棒状の部材４２も上下動可能で、Ｏ
リングダブルシール１２ｂで外気と真空シールされてい
る。
が設けられ、この棒状の部材４２上部には、ヒータ８が
取り付けられ、この棒状の部材４２も上下動可能で、Ｏ
リングダブルシール１２ｂで外気と真空シールされてい
る。
【００２３】次に、図５のフローチャートと図３、４を
用いて、本発明の製造方法について説明する。
用いて、本発明の製造方法について説明する。
【００２４】従来のパネルと同様に、プラズマディスプ
レイパネルの前面基板には、透明電極，バス電極，透明
誘電体層，ＭｇＯ保護層等が形成されており、背面基板
には、データ電極，誘電体層，隔壁，蛍光体層，シール
ガラス層等が形成されている。更に、背面基板には、排
気ガス出し兼放電ガス導入のための貫通穴であるガス導
入口が設けられている。
レイパネルの前面基板には、透明電極，バス電極，透明
誘電体層，ＭｇＯ保護層等が形成されており、背面基板
には、データ電極，誘電体層，隔壁，蛍光体層，シール
ガラス層等が形成されている。更に、背面基板には、排
気ガス出し兼放電ガス導入のための貫通穴であるガス導
入口が設けられている。
【００２５】これらの両基板を対向して組み立てて、治
具あるいはクリップ等で仮留めをする（ステップＳ
１）。仮留めされた基板を、図１に示した封止チャンバ
１に投入し（ステップＳ２）、排気装置１ａによる排
気、図示していない加熱ヒータを用いてガス出し、封着
を行う（ステップＳ３、４）。同時に、図１に示したガ
ス導入・封止チャンバ２を真空排気し（ステップＳ
５）、蓋部材ストック機構５にストックした金属蓋部材
９を蓋部材移載機構４でヒータ８上へ移載すると共に
（ステップＳ６）、ヒータの予備加熱を行う（ステップ
Ｓ７）。
具あるいはクリップ等で仮留めをする（ステップＳ
１）。仮留めされた基板を、図１に示した封止チャンバ
１に投入し（ステップＳ２）、排気装置１ａによる排
気、図示していない加熱ヒータを用いてガス出し、封着
を行う（ステップＳ３、４）。同時に、図１に示したガ
ス導入・封止チャンバ２を真空排気し（ステップＳ
５）、蓋部材ストック機構５にストックした金属蓋部材
９を蓋部材移載機構４でヒータ８上へ移載すると共に
（ステップＳ６）、ヒータの予備加熱を行う（ステップ
Ｓ７）。
【００２６】次に、封着完了したパネルを封止チャンバ
１よりガス導入・封止チャンバ２へ移動する（ステップ
Ｓ８）。この時、背面基板のガス導入口が、ヒータ８の
中心線近傍に位置している。
１よりガス導入・封止チャンバ２へ移動する（ステップ
Ｓ８）。この時、背面基板のガス導入口が、ヒータ８の
中心線近傍に位置している。
【００２７】小室３内のキャップ７を突き上げてパネル
背面基板１３に接触させ、排気系１１でパネル内部を継
続して排気しながら（ステップＳ９）、ガス導入・封止
チャンバ２をリークする（ステップＳ１０）。次いで、
放電ガス導入系１０より、例えばアルゴン（Ａｒ）、ネ
オン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）を混合した放電ガスを
規定圧力５３２００〜７９８００Ｐａ（４００〜６００
ｔｏｒｒ）導入する（ステップＳ１１）。この状態を図
３に示す。
背面基板１３に接触させ、排気系１１でパネル内部を継
続して排気しながら（ステップＳ９）、ガス導入・封止
チャンバ２をリークする（ステップＳ１０）。次いで、
放電ガス導入系１０より、例えばアルゴン（Ａｒ）、ネ
オン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）を混合した放電ガスを
規定圧力５３２００〜７９８００Ｐａ（４００〜６００
ｔｏｒｒ）導入する（ステップＳ１１）。この状態を図
３に示す。
【００２８】最後に、図４に示すように、ヒータを本加
熱すると共に（ステップＳ１２）、ヒータ８を突き上
げ、背面基板１３のガス導入口を低融点ガラスにてシー
ルする（ステップＳ１３）。
熱すると共に（ステップＳ１２）、ヒータ８を突き上
げ、背面基板１３のガス導入口を低融点ガラスにてシー
ルする（ステップＳ１３）。
【００２９】その後は、図３に示すように、ヒータ８を
引き下げ（ステップＳ１４）、キャップ７をリークし引
き下げる（ステップＳ１５）。パネルをアンローダ部に
移動して、１００℃以下に冷却後（ステップＳ１６）、
取り出し作業を完了する（ステップＳ１７）。
引き下げ（ステップＳ１４）、キャップ７をリークし引
き下げる（ステップＳ１５）。パネルをアンローダ部に
移動して、１００℃以下に冷却後（ステップＳ１６）、
取り出し作業を完了する（ステップＳ１７）。
【００３０】なお、上記説明では、封着チャンバとガス
導入・封止チャンバとを分離したインライン方式につい
て説明したが、全ての工程を１つのチャンバで行うバッ
チ式にも本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法を適用できることは明らかである。
導入・封止チャンバとを分離したインライン方式につい
て説明したが、全ての工程を１つのチャンバで行うバッ
チ式にも本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法を適用できることは明らかである。
【００３１】このように、本発明のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法は、前面基板と背面基板とを低融点
ガラスを加熱することで、前記前面基板と背面基板とを
封着した後、前記前面基板又は背面基板に設けられたガ
ス導入口を介して、前記プラズマディスプレイパネル内
に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口を封止す
るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前
記プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板と
を固定した後、封着チャンバに入れ、この封着チャンバ
を真空排気する第１の工程と、前記前面基板又は背面基
板に設けたシールガラスを加熱して、前記前面基板と背
面基板とを封着する第２の工程と、前記封着したプラズ
マディスプレイパネルを真空排気したガス導入・封止チ
ャンバに入れ、前記プラズマディスプレイパネル内を真
空排気する第３の工程と、前記真空排気したプラズマデ
ィスプレイパネル内に所定の放電ガスを導入する第４の
工程と、前記プラズマディスプレイパネルのガス導入口
を封止する第５の工程と、を少なくとも含むことを特徴
とするものであり、この場合、前記第５の工程は、低融
点ガラスが塗布された金属板からなる蓋部材を前記ガス
導入・封止チャンバ内の所定の位置に供給する工程と、
前記蓋部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する
工程と、前記加熱装置が、この加熱装置上の低融点ガラ
スが塗布された金属板を、前記ガス導入口に押し当て、
前記ガス導入口を封止する工程と、を含むことを特徴と
するものである。
イパネルの製造方法は、前面基板と背面基板とを低融点
ガラスを加熱することで、前記前面基板と背面基板とを
封着した後、前記前面基板又は背面基板に設けられたガ
ス導入口を介して、前記プラズマディスプレイパネル内
に放電ガスを導入し、その後、前記ガス導入口を封止す
るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前
記プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板と
を固定した後、封着チャンバに入れ、この封着チャンバ
を真空排気する第１の工程と、前記前面基板又は背面基
板に設けたシールガラスを加熱して、前記前面基板と背
面基板とを封着する第２の工程と、前記封着したプラズ
マディスプレイパネルを真空排気したガス導入・封止チ
ャンバに入れ、前記プラズマディスプレイパネル内を真
空排気する第３の工程と、前記真空排気したプラズマデ
ィスプレイパネル内に所定の放電ガスを導入する第４の
工程と、前記プラズマディスプレイパネルのガス導入口
を封止する第５の工程と、を少なくとも含むことを特徴
とするものであり、この場合、前記第５の工程は、低融
点ガラスが塗布された金属板からなる蓋部材を前記ガス
導入・封止チャンバ内の所定の位置に供給する工程と、
前記蓋部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する
工程と、前記加熱装置が、この加熱装置上の低融点ガラ
スが塗布された金属板を、前記ガス導入口に押し当て、
前記ガス導入口を封止する工程と、を含むことを特徴と
するものである。
【００３２】
【発明の効果】本発明に係わるプラズマディスプレイパ
ネルの製造装置とその製造方法は、上述のように構成し
たので、以下のような効果を奏する。
ネルの製造装置とその製造方法は、上述のように構成し
たので、以下のような効果を奏する。
【００３３】前面基板と背面基板とが封着に先立って封
着チャンバ内で加熱，脱ガスされるため、従来の排気管
を介しての排気方法に比べて、短時間に排気工程を終了
させることができ、生産性の向上を図ることができた。
着チャンバ内で加熱，脱ガスされるため、従来の排気管
を介しての排気方法に比べて、短時間に排気工程を終了
させることができ、生産性の向上を図ることができた。
【００３４】更に、封着チャンバ内での封着完了後、引
き続いてガス導入・封止チャンバてパネル内を排気する
ため、前記パネル封着時にパネル内に残留したガスを速
やかに除去でき、パネル内に導入される放電ガスの純度
劣化を防止することができた。この結果、パネルの放電
特性の安定化、信頼性の向上をはかることができた。
き続いてガス導入・封止チャンバてパネル内を排気する
ため、前記パネル封着時にパネル内に残留したガスを速
やかに除去でき、パネル内に導入される放電ガスの純度
劣化を防止することができた。この結果、パネルの放電
特性の安定化、信頼性の向上をはかることができた。
【００３５】更に、小室内のキャップに設けた放電ガス
導入系を介して、パネル内に放電ガスを導入するため、
体積の大きな真空チャンバ内に放電ガスを充填する必要
がなく、高価なガスの使用量を節約することができた。
導入系を介して、パネル内に放電ガスを導入するため、
体積の大きな真空チャンバ内に放電ガスを充填する必要
がなく、高価なガスの使用量を節約することができた。
【００３６】また、ガス導入口を低融点ガラスと金属板
とで封止するため、パネルにチップ管が突出して残ら
ず、取り扱い上の問題点も解消された。
とで封止するため、パネルにチップ管が突出して残ら
ず、取り扱い上の問題点も解消された。
【図１】本発明に係わるプラズマディスプレイパネルの
製造装置の構成を示す図である。
製造装置の構成を示す図である。
【図２】ガス導入・封止チャンバに設けられた蓋部材ス
トック機構と蓋部材移載機構と小室との詳細な構成を示
す断面図である。
トック機構と蓋部材移載機構と小室との詳細な構成を示
す断面図である。
【図３】小室内のキャップをプラズマディスプレイパネ
ルに密着させ、パネル内を排気し、又は放電ガスを充填
している状態を示す図である。
ルに密着させ、パネル内を排気し、又は放電ガスを充填
している状態を示す図である。
【図４】小室内の加熱装置を押し上げ、蓋部材をプラズ
マディスプレイパネルのガス導入口に押し当て、ガス導
入口を封止している状態を示す図である。
マディスプレイパネルのガス導入口に押し当て、ガス導
入口を封止している状態を示す図である。
【図５】本発明の工程を示す流れ図である。
１ 封止チャンバ
１ａ 真空排気装置
２ ガス導入・封止チャンバ
３ 小室
４ 蓋部材移載機構（第２の機構）
５ 蓋部材ストック機構（第１の機構）
６ アーム
７ 排気兼ガス導入キャップ（第１の部材）
７ａ ガス導入・排気路
８ ヒータ
９ 金属蓋部材
１０ 放電ガス導入系
１１ 排気系
１２、１２ａ、１２ｂ Ｏリング
１３ 背面基板
３１ 第３の機構
４１ 第４の機構
４２ 第２の部材
Ｐ１、Ｐ２ 位置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 9/26
H01J 9/385
H01J 9/395
H01J 9/40
Claims (6)
- 【請求項１】 前面基板と背面基板とを低融点ガラスを
加熱することで、前記前面基板と背面基板とを封着し、
プラズマディスプレイパネルを形成する封着チャンバ
と、前記前面基板又は背面基板に設けられたガス導入口
を介して、前記プラズマディスプレイパネル内に放電ガ
スを導入し、その後、前記ガス導入口を封止するガス導
入・封止チャンバとを別個に備えたプラズマディスプレ
イパネルの製造装置であって、 前記ガス導入・封止チャンバに、 低融点ガラスが塗布された金属板からなる蓋部材を前記
ガス導入・封止チャンバ内の所定の位置に供給する第１
の機構と、 前記蓋部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する
第２の機構と、 前記プラズマディスプレイパネル内を真空排気した後、
前記プラズマディスプレイパネル内に放電ガスを導入す
るための第３の機構と、 前記低融点ガラスが塗布された金属板を前記加熱装置で
加熱した後に、前記加熱装置を突き上げて前記ガス導入
口を封止する第４の機構とを設け、 更に、前記ガス導入・封止チャンバ内の小室に上下動す
る第１の部材と、前記第１の部材内に囲まれるように上
下動する第２の部材とを設け、前記第４の機構を前記第
２の部材を用いて実現し、前記第３の機構を前記第１の
部材を用いて実現せしめたことを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの製造装置。 - 【請求項２】 前記封着チャンバ内に、前記プラズマデ
ィスプレイパネルの前面基板と背面基板とを固定したプ
ラズマディスプレイパネルを入れ、この封着チャンバを
真空排気するように構成したことを特徴とする請求項１
記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。 - 【請求項３】 前面基板と背面基板とを低融点ガラスを
加熱することで、前記前面基板と背面基板とを封着し、
プラズマディスプレイパネルを形成する工程と、前記前
面基板又は背面基板に設けられたガス導入口を介して、
前記プラズマディスプレイパネル内に放電ガスを導入
し、その後、前記ガス導入口を封止する工程とを同一チ
ャンバ内で行うプラズマディスプレイパネルの製造装置
であって、 前記チャンバに、 低融点ガラスが塗布された金属板からなる蓋部材を前記
ガス導入・封止チャンバ内の所定の位置に供給する第１
の機構と、 前記蓋部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する
第２の機構と、 前記プラズマディスプレイパネル内を真空排気した後、
前記プラズマディスプレイパネル内に放電ガスを導入す
るための第３の機構と、 前記低融点ガラスが塗布された金属板を前記加熱装置で
加熱した後に、前記加熱装置を突き上げて前記ガス導入
口を封止する第４の機構とを設け、 更に、前記ガス導入・封止チャンバ内の小室に上下動す
る第１の部材と、前記第１の部材内に囲まれるように上
下動する第２の部材とを設け、前記第４の機構を前記第
２の部材を用いて実現し、前記第３の機構を前記第１の
部材を用いて実現せしめたことを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの製造装置。 - 【請求項４】 前記チャンバ内に、前記プラズマディス
プレイパネルの前面基板と背面基板とを固定したプラズ
マディスプレイパネルを入れ、このチャンバを真空排気
するように構成したことを特徴とする請求項３記載のプ
ラズマディスプレイパネルの製造装置。 - 【請求項５】 前面基板と背面基板とを低融点ガラスを
加熱することで、前記前面基板と背面基板とを封着し、
プラズマディスプレイパネルを形成する封着チャンバ
と、前記前面基板又は背面基板に設けられたガス導入口
を介して、前記プラズマディスプレイパネル内に放電ガ
スを導入し、その後、前記ガス導入口を封止するガス導
入・封止チャンバとを備えたプラズマディスプレイパネ
ルの製造装置であって、 前記ガス導入・封止チャンバに、 低融点ガラスが塗布された金属板からなる蓋部材を前記
ガス導入・封止チャンバ内の所定の位置に供給する第１
の機構と、 前記蓋部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する
第２の機構と、 前記プラズマディスプレイパネル内を真空排気した後、
前記プラズマディスプレイパネル内に放電ガスを導入す
るための第３の機構と、 前記低融点ガラスが塗布された金属板を前記加熱装置で
加熱した後に、前記加 熱装置を突き上げて前記ガス導入
口を封止する第４の機構とを設け、 更に、前記ガス導入・封止チャンバ内の小室に上下動す
る第１の部材と、前記第１の部材内に囲まれるように上
下動する第２の部材とを設け、 前記第４の機構を前記第２の部材を用いて実現し、前記
第３の機構を前記第１の部材を用いて実現させたプラズ
マディスプレイパネルの製造装置を用いたプラズマディ
スプレイパネルの製造方法において、 前記プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板
とを固定した後、前記封着チャンバに入れ、この封着チ
ャンバを真空排気する第１の工程と、 前記前面基板又は背面基板に設けたシールガラスを加熱
して、前記前面基板と背面基板とを封着する第２の工程
と、 前記封着したプラズマディスプレイパネルを真空排気し
たガス導入・封止チャンバに入れ、前記第３の機構に付
設した排気系より前記プラズマディスプレイパネル内を
真空排気する第３の工程と、 前記第３の機構に付設した放電ガス導入系より前記真空
排気したプラズマディスプレイパネル内に所定の放電ガ
スを導入する第４の工程と、 前記プラズマディスプレイパネルのガス導入口を封止す
る第５の工程と、 を少なくとも含むことを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項６】 前記第５の工程は、 低融点ガラスが塗布された金属板からなる蓋部材を前記
ガス導入・封止チャンバ内の所定の位置に供給する工程
と、 前記蓋部材を前記所定の位置から加熱装置上に移載する
工程と、 前記加熱装置が、この加熱装置上の低融点ガラスが塗布
された金属板を、前記ガス導入口に押し当て、前記ガス
導入口を封止する工程と、 を含むことを特徴とする請求項５記載のプラズマディス
プレイパネルの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001842A JP3440906B2 (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | プラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法 |
| KR10-2001-0000509A KR100406840B1 (ko) | 2000-01-07 | 2001-01-05 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조 장치와 그 제조 방법 |
| US09/755,696 US6997769B2 (en) | 2000-01-07 | 2001-01-05 | Plasma display panel manufacturing apparatus and manufacturing method |
| US11/291,984 US20060084349A1 (en) | 2000-01-07 | 2005-12-02 | Plasma display panel manufacturing apparatus and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001842A JP3440906B2 (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | プラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001195983A JP2001195983A (ja) | 2001-07-19 |
| JP3440906B2 true JP3440906B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=18531025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000001842A Expired - Fee Related JP3440906B2 (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | プラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6997769B2 (ja) |
| JP (1) | JP3440906B2 (ja) |
| KR (1) | KR100406840B1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7226331B2 (en) * | 2003-10-07 | 2007-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source manufacturing apparatus and electron source manufacturing method |
| KR101038188B1 (ko) | 2004-11-01 | 2011-06-01 | 주식회사 오리온 | 디스플레이 영역에 배기홀이 형성되는 평판 표시 패널 |
| KR101281123B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2013-07-02 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판 표시패널용 기판합착장치 |
| KR20080105787A (ko) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| WO2008153359A2 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Kt Freetel Co., Ltd. | Power allocation method and mobile communication system using the same |
| JP5078772B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-11-21 | キヤノン株式会社 | 気密容器及び画像表示装置の製造方法 |
| CN101587808B (zh) * | 2008-05-23 | 2011-06-08 | 清华大学 | 真空器件的封接装置以及封接方法 |
| CN101609773B (zh) * | 2008-06-18 | 2012-05-16 | 清华大学 | 真空器件的封接方法 |
| CN102937755B (zh) * | 2008-09-04 | 2015-04-15 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | 贴合装置以及其控制方法 |
| JP5252301B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2013-07-31 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの封止方法、封止機構、封止装置 |
| JP4773552B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-09-14 | 中外炉工業株式会社 | 真空排気ヘッド |
| DE102011008886A1 (de) | 2011-01-19 | 2012-07-19 | Sterrix Technologies UG (haftungsbeschränkt) | Verfahren und Vorrichtung zur Stereobasis-Erweiterung von stereoskopischen Bildern und Bildfolgen |
| KR101541124B1 (ko) | 2013-08-27 | 2015-08-06 | 주식회사 좋은기술 | 진공창 제조 설비의 봉구 장치 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746562B2 (ja) | 1987-02-24 | 1995-05-17 | 鹿児島日本電気株式会社 | 表示管の製造装置 |
| JPH02299130A (ja) | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Canon Inc | 平面型ディスプレーの製造方法 |
| US5207607A (en) * | 1990-04-11 | 1993-05-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma display panel and a process for producing the same |
| JPH04298944A (ja) | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平面型表示装置とその製造装置および製造方法 |
| JPH0548354A (ja) | 1991-08-19 | 1993-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 利得制御回路および半導体装置 |
| JPH069437A (ja) | 1992-06-22 | 1994-01-18 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | テトラシクロドデセンの製造方法 |
| JP3057909B2 (ja) | 1992-06-22 | 2000-07-04 | 日本電気株式会社 | 表示管の製造装置 |
| US5876260A (en) * | 1994-11-09 | 1999-03-02 | Pixtech Sa | Method for assembling a flat display screen |
| JP3212837B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2001-09-25 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
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| US5797780A (en) * | 1996-02-23 | 1998-08-25 | Industrial Technology Research Institute | Hybrid tubeless sealing process for flat panel displays |
| JP3372848B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2003-02-04 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子及び画像表示装置及びそれらの製造方法 |
| JP3073451B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2000-08-07 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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| JP3437734B2 (ja) * | 1997-02-26 | 2003-08-18 | 富士通株式会社 | 製造装置 |
| US6254449B1 (en) * | 1997-08-29 | 2001-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of image forming apparatus, manufacturing apparatus of image forming apparatus, image forming apparatus, manufacturing method of panel apparatus, and manufacturing apparatus of panel apparatus |
| JP2912315B1 (ja) | 1998-01-12 | 1999-06-28 | 鹿児島日本電気株式会社 | 蛍光表示管の排気装置 |
| WO1999064923A2 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Plasma adressed liquid crystal display |
| JP3465634B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2003-11-10 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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| KR100723751B1 (ko) * | 2000-01-26 | 2007-05-30 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 가스방전 발광장치 및 그 제조방법 |
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-
2000
- 2000-01-07 JP JP2000001842A patent/JP3440906B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-05 US US09/755,696 patent/US6997769B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-05 KR KR10-2001-0000509A patent/KR100406840B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-02 US US11/291,984 patent/US20060084349A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010070414A (ko) | 2001-07-25 |
| KR100406840B1 (ko) | 2003-11-21 |
| US20060084349A1 (en) | 2006-04-20 |
| US6997769B2 (en) | 2006-02-14 |
| JP2001195983A (ja) | 2001-07-19 |
| US20010007805A1 (en) | 2001-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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