JPH1031957A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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- JPH1031957A JPH1031957A JP8185892A JP18589296A JPH1031957A JP H1031957 A JPH1031957 A JP H1031957A JP 8185892 A JP8185892 A JP 8185892A JP 18589296 A JP18589296 A JP 18589296A JP H1031957 A JPH1031957 A JP H1031957A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 両ガラス基板の隙間の排気処理時間の短縮
および歩留まりの向上を図ってプラズマディスプレイパ
ネルの生産性の向上を図る。 【解決手段】 表面ガラス基板１と背面ガラス基板５と
を所定間隔をもってその電極が対向かつ直交するように
重ね合わせたガラス基板を炉１０内に位置させて当該炉
内を所定温度下で真空排気する工程と、当該炉内を封着
温度まで昇温して両ガラス基板を封着する工程と、ガラ
ス基板封着後に炉内を冷却して両ガラス基板を冷却する
工程と、冷却完了後に両ガラス基板を炉から搬出する工
程と、前記いずれかのガラス基板に取り付けた盲チップ
管２の封止部材３を除去する工程と、当該チップ管から
放電ガスを供給して封入する工程と、前記チップ管を封
じ切る工程とからなる。
および歩留まりの向上を図ってプラズマディスプレイパ
ネルの生産性の向上を図る。 【解決手段】 表面ガラス基板１と背面ガラス基板５と
を所定間隔をもってその電極が対向かつ直交するように
重ね合わせたガラス基板を炉１０内に位置させて当該炉
内を所定温度下で真空排気する工程と、当該炉内を封着
温度まで昇温して両ガラス基板を封着する工程と、ガラ
ス基板封着後に炉内を冷却して両ガラス基板を冷却する
工程と、冷却完了後に両ガラス基板を炉から搬出する工
程と、前記いずれかのガラス基板に取り付けた盲チップ
管２の封止部材３を除去する工程と、当該チップ管から
放電ガスを供給して封入する工程と、前記チップ管を封
じ切る工程とからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネルの製造方法に関するものである。
イパネルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネルの製造方法
として種々の方法が提案されているが、そのうち代表的
なものとして下記のものがある。すなわち、まず、表面
ガラス基板と背面ガラス基板との各対向面に電極等を設
けるとともに背面ガラス基板の外側部に貫通孔を設け、
かつ、このガラス基板の表面に前記貫通孔と連通するよ
うに給排気用ガラス管であるチップ管を取り付ける。そ
して、前記両ガラス基板の少なくとも一方の対向面であ
って前記貫通孔より外側に低融点ガラス等の封着剤を塗
布する。その後、両ガラス基板の電極を対向かつ直交す
るように重ねてクリップ等の拘束治具で両者を固定し、
封着炉で封着剤を加熱することにより前記両ガラス基板
を封着一体化してパネルとする。
として種々の方法が提案されているが、そのうち代表的
なものとして下記のものがある。すなわち、まず、表面
ガラス基板と背面ガラス基板との各対向面に電極等を設
けるとともに背面ガラス基板の外側部に貫通孔を設け、
かつ、このガラス基板の表面に前記貫通孔と連通するよ
うに給排気用ガラス管であるチップ管を取り付ける。そ
して、前記両ガラス基板の少なくとも一方の対向面であ
って前記貫通孔より外側に低融点ガラス等の封着剤を塗
布する。その後、両ガラス基板の電極を対向かつ直交す
るように重ねてクリップ等の拘束治具で両者を固定し、
封着炉で封着剤を加熱することにより前記両ガラス基板
を封着一体化してパネルとする。
【０００３】つぎに、前記封着一体化したパネルのチッ
プ管に給排気管を接続するとともに、この給排気管を放
電ガス用ボンベと真空ポンプとに切換可能に連通し、排
気炉に装入して前記パネルを加熱するとともに各パネル
内部を真空ポンプで所定真空度に真空排気して脱ガスを
行なう。その後、パネル内部に放電ガス、たとえば、ネ
オン（Ｎｅ）あるいはキセノン（Ｘｅ）、またはこれら
の混合ガスを４００〜７６０Ｔｏｒｒ程度まで封入す
る。前記封入作業が終われば、パネルを排気炉から抽出
し、前記チップ管を封じ切って所定のプラズマディスプ
レイパネルとするものである。
プ管に給排気管を接続するとともに、この給排気管を放
電ガス用ボンベと真空ポンプとに切換可能に連通し、排
気炉に装入して前記パネルを加熱するとともに各パネル
内部を真空ポンプで所定真空度に真空排気して脱ガスを
行なう。その後、パネル内部に放電ガス、たとえば、ネ
オン（Ｎｅ）あるいはキセノン（Ｘｅ）、またはこれら
の混合ガスを４００〜７６０Ｔｏｒｒ程度まで封入す
る。前記封入作業が終われば、パネルを排気炉から抽出
し、前記チップ管を封じ切って所定のプラズマディスプ
レイパネルとするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来方法においては、両ガラス基板の封着処理後、パネル
内部の真空排気に引続き、放電ガスの封入作業を行なう
が、前記パネル内部は、実質的に両ガラス基板の合わせ
面で形成される１００〜２００μｍの非常に狭い隙間で
あり、かつ、この隙間（空間）には多数の隔壁が存在す
るため、排気抵抗が大きく、かつ、吸着ガス量が多いた
め脱ガスのための排気に非常に時間を要して生産性が非
常に悪いとともに、排気が不十分となってパネル内部の
放電ガス純度が低くなるという課題を有していた。従っ
て、本発明は、両ガラス基板の隙間の排気処理時間の短
縮および歩留まりの向上を図って生産性の向上を図るこ
とを目的とするものである。
来方法においては、両ガラス基板の封着処理後、パネル
内部の真空排気に引続き、放電ガスの封入作業を行なう
が、前記パネル内部は、実質的に両ガラス基板の合わせ
面で形成される１００〜２００μｍの非常に狭い隙間で
あり、かつ、この隙間（空間）には多数の隔壁が存在す
るため、排気抵抗が大きく、かつ、吸着ガス量が多いた
め脱ガスのための排気に非常に時間を要して生産性が非
常に悪いとともに、排気が不十分となってパネル内部の
放電ガス純度が低くなるという課題を有していた。従っ
て、本発明は、両ガラス基板の隙間の排気処理時間の短
縮および歩留まりの向上を図って生産性の向上を図るこ
とを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法
は、表面ガラス基板と背面ガラス基板とを所定間隔をも
ってその電極が対向かつ直交するように重ね合わせたガ
ラス基板を炉内に位置させて当該炉内を所定温度下で真
空排気する工程と、当該炉内を封着温度まで昇温して両
ガラス基板を封着する工程と、ガラス基板封着後に炉内
を冷却して両ガラス基板を冷却する工程と、冷却完了後
に両ガラス基板を炉から搬出する工程と、前記いずれか
のガラス基板に取り付けた盲チップ管の封止部材を除去
する工程と、当該チップ管から放電ガスを供給して封入
する工程と、前記チップ管を封じ切る工程とからなるも
のである。
め、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法
は、表面ガラス基板と背面ガラス基板とを所定間隔をも
ってその電極が対向かつ直交するように重ね合わせたガ
ラス基板を炉内に位置させて当該炉内を所定温度下で真
空排気する工程と、当該炉内を封着温度まで昇温して両
ガラス基板を封着する工程と、ガラス基板封着後に炉内
を冷却して両ガラス基板を冷却する工程と、冷却完了後
に両ガラス基板を炉から搬出する工程と、前記いずれか
のガラス基板に取り付けた盲チップ管の封止部材を除去
する工程と、当該チップ管から放電ガスを供給して封入
する工程と、前記チップ管を封じ切る工程とからなるも
のである。
【０００６】あるいは、表面ガラス基板と背面ガラス基
板とを所定間隔をもってその電極が対向かつ直交するよ
うに重ね合わせたガラス基板を炉内に位置させて当該炉
内を所定温度下での真空排気に引続き、不活性雰囲気で
復圧する工程と、当該炉内を封着温度まで昇温して両ガ
ラス基板を封着する工程と、ガラス基板封着後に炉内を
冷却して両ガラス基板を冷却する工程と、冷却完了後に
両ガラス基板を炉から搬出する工程と、前記いずれかの
ガラス基板に取り付けた盲チップ管の封止部材を除去す
る工程と、ガラス基板間の空間を当該チップ管から真空
排気する工程と、前記空間内に当該チップ管から放電ガ
スを供給して封入する工程と、前記チップ管を封じ切る
工程とからなるものである。
板とを所定間隔をもってその電極が対向かつ直交するよ
うに重ね合わせたガラス基板を炉内に位置させて当該炉
内を所定温度下での真空排気に引続き、不活性雰囲気で
復圧する工程と、当該炉内を封着温度まで昇温して両ガ
ラス基板を封着する工程と、ガラス基板封着後に炉内を
冷却して両ガラス基板を冷却する工程と、冷却完了後に
両ガラス基板を炉から搬出する工程と、前記いずれかの
ガラス基板に取り付けた盲チップ管の封止部材を除去す
る工程と、ガラス基板間の空間を当該チップ管から真空
排気する工程と、前記空間内に当該チップ管から放電ガ
スを供給して封入する工程と、前記チップ管を封じ切る
工程とからなるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
従って説明する。本発明の第１実施形態のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法は、まず、図１（Ａ），
（Ｂ）に示すように、対向面に電極および隔壁を設けた
表面ガラス基板１と背面ガラス基板５とを封着剤６とス
ペーサ用封着剤７で規制される所定間隔（０．２〜０．
５ｍｍ）をもって重ねてクリップ等の拘束治具で両者を
固定し、図２に示す密閉炉１０内に位置させる。
従って説明する。本発明の第１実施形態のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法は、まず、図１（Ａ），
（Ｂ）に示すように、対向面に電極および隔壁を設けた
表面ガラス基板１と背面ガラス基板５とを封着剤６とス
ペーサ用封着剤７で規制される所定間隔（０．２〜０．
５ｍｍ）をもって重ねてクリップ等の拘束治具で両者を
固定し、図２に示す密閉炉１０内に位置させる。
【０００８】前記表面ガラス基板１には外周部近傍に貫
通孔が設けられ、この貫通孔に先端部をシールガラス等
の封止部材３により封鎖した盲チップ管２が封着剤４に
より予め取り付けられている。一方、背面ガラス基板５
には、表面ガラス基板１との対向面側の外周縁部に結晶
性低融点ガラス等の封着剤６が塗布されるとともに、こ
の封着剤６上に該封着剤６より軟化温度が同等か高いス
ペーサ用封着剤７、たとえば混合物を若干変化させた低
融点ガラス等が所定間隔をあけて塗布されている。
通孔が設けられ、この貫通孔に先端部をシールガラス等
の封止部材３により封鎖した盲チップ管２が封着剤４に
より予め取り付けられている。一方、背面ガラス基板５
には、表面ガラス基板１との対向面側の外周縁部に結晶
性低融点ガラス等の封着剤６が塗布されるとともに、こ
の封着剤６上に該封着剤６より軟化温度が同等か高いス
ペーサ用封着剤７、たとえば混合物を若干変化させた低
融点ガラス等が所定間隔をあけて塗布されている。
【０００９】また、前記密閉炉１０は、図２に示すよう
に、真空容器１１内に断熱材１２で囲繞された複数の棚
部材１３ａからなる処理材収容部１３を備え、この処理
材収容部１３の間にはヒータ１４が設置されるととも
に、前記断熱材１２の内側にはヒータ１５が設置されて
いる。また、前記処理材収容部１３には、循環ファン１
７を介して冷却装置１６と接続した分岐管１８ａ〜１８
ｆが前記断熱材１２を貫通して配管されている。さら
に、前記真空容器１１には、真空排気装置２０が開閉弁
Ｖ１を介して配管２２により接続されるとともに、不活
性ガスボンベ（図示せず）が開閉弁Ｖ２を介して配管２
３により接続されている。
に、真空容器１１内に断熱材１２で囲繞された複数の棚
部材１３ａからなる処理材収容部１３を備え、この処理
材収容部１３の間にはヒータ１４が設置されるととも
に、前記断熱材１２の内側にはヒータ１５が設置されて
いる。また、前記処理材収容部１３には、循環ファン１
７を介して冷却装置１６と接続した分岐管１８ａ〜１８
ｆが前記断熱材１２を貫通して配管されている。さら
に、前記真空容器１１には、真空排気装置２０が開閉弁
Ｖ１を介して配管２２により接続されるとともに、不活
性ガスボンベ（図示せず）が開閉弁Ｖ２を介して配管２
３により接続されている。
【００１０】つぎに、前述のように両ガラス基板１，５
を炉内に位置させると、これら両ガラス基板１，５を図
３に示すヒートカーブに従って炉内で処理する。すなわ
ち、前記ヒータ１４，１５により炉内を３００〜４００
℃に加熱するとともに、開閉弁Ｖ１を開状態として真空
排気装置２０により炉内を排気し、同時に両ガラス基板
１，５の脱ガスを行なう。なお、前記開閉弁Ｖ２は閉状
態である。この場合、炉１０の昇温速度は２〜１５℃／
ｍｉｎ、排気は１０−４〜１０−７Ｔｏｒｒ程度であ
る。また、前記脱ガスをさらに確実に行なうために、両
ガラス基板１，５を封着剤６の軟化開始点付近（約３５
０℃）まで昇温し、その後、図示のように、一定時間均
熱保持している。
を炉内に位置させると、これら両ガラス基板１，５を図
３に示すヒートカーブに従って炉内で処理する。すなわ
ち、前記ヒータ１４，１５により炉内を３００〜４００
℃に加熱するとともに、開閉弁Ｖ１を開状態として真空
排気装置２０により炉内を排気し、同時に両ガラス基板
１，５の脱ガスを行なう。なお、前記開閉弁Ｖ２は閉状
態である。この場合、炉１０の昇温速度は２〜１５℃／
ｍｉｎ、排気は１０−４〜１０−７Ｔｏｒｒ程度であ
る。また、前記脱ガスをさらに確実に行なうために、両
ガラス基板１，５を封着剤６の軟化開始点付近（約３５
０℃）まで昇温し、その後、図示のように、一定時間均
熱保持している。
【００１１】前記のようにして、炉内を所定真空度とし
炉内排気と両ガラス基板１，５からの脱ガスが完了する
と、炉内をさらに昇温して封着剤６，７の軟化温度であ
る３８０〜４５０℃まで上昇させて両ガラス基板１，５
を真空中で封着する。
炉内排気と両ガラス基板１，５からの脱ガスが完了する
と、炉内をさらに昇温して封着剤６，７の軟化温度であ
る３８０〜４５０℃まで上昇させて両ガラス基板１，５
を真空中で封着する。
【００１２】ついで、冷却装置１６を作動させて炉内に
冷却空気を供給して両ガラス基板１，５を２〜１０℃／
ｍｉｎの冷却速度で冷却するとともに、封着剤６，７が
軟化状態である４００〜３５０℃で配管２３を介してＮ
２ガス等の不活性ガスを炉内に供給して該炉内を復圧
し、炉圧を両ガラス基板１，５間の圧力より高くするこ
とにより、両ガラス基板１，５を圧着して完全に封着
し、盲チップ管付パネルＰを形成する。このように、炉
圧と両ガラス基板１，５間の内圧との圧力差により両ガ
ラス基板１，５を圧着すると、その圧着力が均一にな
り、両ガラス基板１，５間の隙間を容易に規定値内にす
ることができる。
冷却空気を供給して両ガラス基板１，５を２〜１０℃／
ｍｉｎの冷却速度で冷却するとともに、封着剤６，７が
軟化状態である４００〜３５０℃で配管２３を介してＮ
２ガス等の不活性ガスを炉内に供給して該炉内を復圧
し、炉圧を両ガラス基板１，５間の圧力より高くするこ
とにより、両ガラス基板１，５を圧着して完全に封着
し、盲チップ管付パネルＰを形成する。このように、炉
圧と両ガラス基板１，５間の内圧との圧力差により両ガ
ラス基板１，５を圧着すると、その圧着力が均一にな
り、両ガラス基板１，５間の隙間を容易に規定値内にす
ることができる。
【００１３】前記冷却工程完了後、開閉弁Ｖ１，Ｖ２を
閉状態とし炉内より盲チップ管付パネルＰを搬出し、図
４に示すように、該盲チップ管付パネルＰの盲チップ管
２をガス封入装置２５に装着する。該ガス封入装置２５
は、中空状の装置本体２６に取り付けた盲チップ管２の
軸芯に沿って進退可能な封止部材除去用ヒータ２７と盲
チップ管２の基部を封止するチップ管封止用ヒータ２８
とを備えており、前記装置本体２６には分岐配管２９に
よりそれぞれ図示しない放電ガスボンベおよび真空ポン
プが開閉弁Ｖ３，Ｖ４を介して接続されている。前記放
電ガスは、たとえば、ネオン（Ｎｅ）あるいはキセノン
（Ｘｅ）、またはこれらの混合ガスを使用する。
閉状態とし炉内より盲チップ管付パネルＰを搬出し、図
４に示すように、該盲チップ管付パネルＰの盲チップ管
２をガス封入装置２５に装着する。該ガス封入装置２５
は、中空状の装置本体２６に取り付けた盲チップ管２の
軸芯に沿って進退可能な封止部材除去用ヒータ２７と盲
チップ管２の基部を封止するチップ管封止用ヒータ２８
とを備えており、前記装置本体２６には分岐配管２９に
よりそれぞれ図示しない放電ガスボンベおよび真空ポン
プが開閉弁Ｖ３，Ｖ４を介して接続されている。前記放
電ガスは、たとえば、ネオン（Ｎｅ）あるいはキセノン
（Ｘｅ）、またはこれらの混合ガスを使用する。
【００１４】ついで、前述のように前記構成の封入装置
２５に盲チップ管付パネルＰを取り付けると、開閉弁Ｖ
３を閉状態とするとともに開閉弁Ｖ４を開状態とし、装
置本体２６内を盲チップ管付パネルＰの内部と略同圧あ
るいは同圧以下に真空排気する。その後、前記封止部材
除去用ヒータ２７を前進させて盲チップ管２の封止部材
３を溶融させて開放チップ管とする一方、前記開閉弁Ｖ
４を閉状態とするとともに開閉弁Ｖ３を開状態として、
前記開放チップ管を介してパネルＰ内に放電ガスを所定
圧（約４００〜７６０Ｔｏｒｒ）まで封入する。この場
合、パネルＰ内は前記真空排気工程で真空状態となって
いるため、放電ガスの封入も極めて短時間で行なわれ
る。前記パネルＰ内への放電ガスの封入が完了すると、
前記チップ管封止用ヒータ２８により開放チップ管の基
部を溶融して該開放チップ管を封止して切断し、所定の
プラズマディスプレイパネルが形成される。
２５に盲チップ管付パネルＰを取り付けると、開閉弁Ｖ
３を閉状態とするとともに開閉弁Ｖ４を開状態とし、装
置本体２６内を盲チップ管付パネルＰの内部と略同圧あ
るいは同圧以下に真空排気する。その後、前記封止部材
除去用ヒータ２７を前進させて盲チップ管２の封止部材
３を溶融させて開放チップ管とする一方、前記開閉弁Ｖ
４を閉状態とするとともに開閉弁Ｖ３を開状態として、
前記開放チップ管を介してパネルＰ内に放電ガスを所定
圧（約４００〜７６０Ｔｏｒｒ）まで封入する。この場
合、パネルＰ内は前記真空排気工程で真空状態となって
いるため、放電ガスの封入も極めて短時間で行なわれ
る。前記パネルＰ内への放電ガスの封入が完了すると、
前記チップ管封止用ヒータ２８により開放チップ管の基
部を溶融して該開放チップ管を封止して切断し、所定の
プラズマディスプレイパネルが形成される。
【００１５】次に、本発明の第２実施形態のプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法について説明する。まず、
前記第１実施形態と同様に、両ガラス基板１，５を密閉
炉１０内に位置させ、図５に示すヒートカーブに従って
炉内で処理を行う。すなわち、炉内を３００〜４００℃
に加熱するとともに炉内の真空排気および両ガラス基板
１，５の脱ガスを行った後、３５０〜４００℃で開閉弁
Ｖ１を閉状態とするとともに開閉弁Ｖ２を開状態として
不活性ガスボンベからたとえばＮ２ガス等の不活性ガス
を炉内に導入し、炉内を不活性ガス雰囲気とする。その
後、炉内をさらに昇温して封着剤６，７の軟化温度であ
る３８０〜４５０℃に上昇させ、両ガラス基板１，５を
不活性ガス雰囲気中で封着する。
ィスプレイパネルの製造方法について説明する。まず、
前記第１実施形態と同様に、両ガラス基板１，５を密閉
炉１０内に位置させ、図５に示すヒートカーブに従って
炉内で処理を行う。すなわち、炉内を３００〜４００℃
に加熱するとともに炉内の真空排気および両ガラス基板
１，５の脱ガスを行った後、３５０〜４００℃で開閉弁
Ｖ１を閉状態とするとともに開閉弁Ｖ２を開状態として
不活性ガスボンベからたとえばＮ２ガス等の不活性ガス
を炉内に導入し、炉内を不活性ガス雰囲気とする。その
後、炉内をさらに昇温して封着剤６，７の軟化温度であ
る３８０〜４５０℃に上昇させ、両ガラス基板１，５を
不活性ガス雰囲気中で封着する。
【００１６】ついで、両ガラス基板１，５を冷却すると
ともに冷却過程の４００〜３５０℃でさらに炉内の圧力
を上昇させることにより両ガラス基板１，５を押し付け
て圧着して完全に封着し、盲チップ管付パネルＰを形成
する。このように不活性ガス雰囲気中で両ガラス基板
１，５の封着工程が行なわれるため、封着剤６の主成分
であるＰｂｏ等の真空による還元を軽減することができ
る。
ともに冷却過程の４００〜３５０℃でさらに炉内の圧力
を上昇させることにより両ガラス基板１，５を押し付け
て圧着して完全に封着し、盲チップ管付パネルＰを形成
する。このように不活性ガス雰囲気中で両ガラス基板
１，５の封着工程が行なわれるため、封着剤６の主成分
であるＰｂｏ等の真空による還元を軽減することができ
る。
【００１７】冷却工程完了すると、第１実施形態と同様
に、炉内より盲チップ管付パネルＰを搬出し、該盲チッ
プ管付パネルＰの盲チップ管２をガス封入装置２５に装
着する。そして、真空ポンプにより装置本体２６内を真
空排気した後、封止部材除去用ヒータ２７により盲チッ
プ管２の封止部材３を溶融させて開放チップ管とし、こ
の開放チップ管の開口よりパネルＰ内の不活性ガスを真
空排気する。ついで、パネルＰ内に放電ガスを４００〜
７６０Ｔｏｒｒの所定圧まで封入した後、チップ管を封
止してプラズマディスプレイパネルが形成される。
に、炉内より盲チップ管付パネルＰを搬出し、該盲チッ
プ管付パネルＰの盲チップ管２をガス封入装置２５に装
着する。そして、真空ポンプにより装置本体２６内を真
空排気した後、封止部材除去用ヒータ２７により盲チッ
プ管２の封止部材３を溶融させて開放チップ管とし、こ
の開放チップ管の開口よりパネルＰ内の不活性ガスを真
空排気する。ついで、パネルＰ内に放電ガスを４００〜
７６０Ｔｏｒｒの所定圧まで封入した後、チップ管を封
止してプラズマディスプレイパネルが形成される。
【００１８】なお、前記実施形態においては、盲チップ
管２を予め表面ガラス基板１に取り付けて炉内に装入す
る場合について説明したが、盲チップ管２は背面ガラス
基板５に設けてもよく、また、盲チップ管２とガラス基
板１，５との取り付けは、盲チップ管２とガラス基板
１，５との取り付け部に封着剤を組込んでおき、ガラス
基板１，５の封着工程の加熱時に同時に封着してもよ
い。さらに、ガラス基板１，５、封着剤６，７等を予め
封着温度より低い温度で加熱して乾燥、仮焼成してもよ
い。この場合、アウトガスが減少して封着がより完全に
行われるとともに炉内の汚染を軽減し、炉内雰囲気の純
度を向上させることができるとともに封着の安定性が向
上する。
管２を予め表面ガラス基板１に取り付けて炉内に装入す
る場合について説明したが、盲チップ管２は背面ガラス
基板５に設けてもよく、また、盲チップ管２とガラス基
板１，５との取り付けは、盲チップ管２とガラス基板
１，５との取り付け部に封着剤を組込んでおき、ガラス
基板１，５の封着工程の加熱時に同時に封着してもよ
い。さらに、ガラス基板１，５、封着剤６，７等を予め
封着温度より低い温度で加熱して乾燥、仮焼成してもよ
い。この場合、アウトガスが減少して封着がより完全に
行われるとともに炉内の汚染を軽減し、炉内雰囲気の純
度を向上させることができるとともに封着の安定性が向
上する。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、真空排
気した炉内で両ガラス基板の封着処理を行って盲チップ
管付パネルを形成しているため、排気や脱ガスに要する
処理時間を短縮化することができ、生産性の向上を図る
ことができる。また、ガラス基板には盲チップ管を取り
付け、炉内で形成した盲チップ管付パネルを炉外に搬出
して、該盲チップ管の封止部材を溶融させてパネル内に
放電ガスを封入する構成としているため、両ガラス基板
を炉内に位置させる時にはチップ管を真空排気系のライ
ンに接続する必要がない。そのため、チップ管の破損が
激減し、歩留まりの向上を図ることができる。さらに、
炉には前記チップ管と接続する真空排気系のラインが不
要となるため、炉内構造が簡単になり、コストダウンを
図ることができる。
のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、真空排
気した炉内で両ガラス基板の封着処理を行って盲チップ
管付パネルを形成しているため、排気や脱ガスに要する
処理時間を短縮化することができ、生産性の向上を図る
ことができる。また、ガラス基板には盲チップ管を取り
付け、炉内で形成した盲チップ管付パネルを炉外に搬出
して、該盲チップ管の封止部材を溶融させてパネル内に
放電ガスを封入する構成としているため、両ガラス基板
を炉内に位置させる時にはチップ管を真空排気系のライ
ンに接続する必要がない。そのため、チップ管の破損が
激減し、歩留まりの向上を図ることができる。さらに、
炉には前記チップ管と接続する真空排気系のラインが不
要となるため、炉内構造が簡単になり、コストダウンを
図ることができる。
【図１】 本発明のプラズマディスプレイパネルを製造
するための表面ガラス基板と背面ガラス基板とを重ね合
わせた状態を示し、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｉ−Ｉ線断面図である。
するための表面ガラス基板と背面ガラス基板とを重ね合
わせた状態を示し、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｉ−Ｉ線断面図である。
【図２】 表面ガラス基板と背面ガラス基板とを封着す
る密閉炉を示す概略図である。
る密閉炉を示す概略図である。
【図３】 本発明の各工程、炉内温度、炉内圧力、パネ
ル内圧力の関係を示すグラフである。
ル内圧力の関係を示すグラフである。
【図４】 封着した表面ガラス基板と背面ガラス基板と
の間に放電ガスを封入するための放電ガス封入装置を示
す断面図である。
の間に放電ガスを封入するための放電ガス封入装置を示
す断面図である。
【図５】 第２実施形態の各工程、炉内温度、炉内圧
力、パネル内圧力の関係を示すグラフである。
力、パネル内圧力の関係を示すグラフである。
１…表面ガラス基板、２…盲チップ管、３…封止部材、
５…背面ガラス基板、６…封着剤、７…スペーサ用封着
剤、１０…密閉炉、１６…冷却装置、２０…真空排気装
置、２５…ガス封入装置、２７…封止部材除去用ヒー
タ、２８…チップ管封止用ヒータ、Ｐ…盲チップ管付パ
ネル。
５…背面ガラス基板、６…封着剤、７…スペーサ用封着
剤、１０…密閉炉、１６…冷却装置、２０…真空排気装
置、２５…ガス封入装置、２７…封止部材除去用ヒー
タ、２８…チップ管封止用ヒータ、Ｐ…盲チップ管付パ
ネル。
Claims (2)
- 【請求項１】 表面ガラス基板と背面ガラス基板とを所
定間隔をもってその電極が対向かつ直交するように重ね
合わせたガラス基板を炉内に位置させて当該炉内を所定
温度下で真空排気する工程と、当該炉内を封着温度まで
昇温して両ガラス基板を封着する工程と、ガラス基板封
着後に炉内を冷却して両ガラス基板を冷却する工程と、
冷却完了後に両ガラス基板を炉から搬出する工程と、前
記いずれかのガラス基板に取り付けた盲チップ管の封止
部材を除去する工程と、当該チップ管から放電ガスを供
給して封入する工程と、前記チップ管を封じ切る工程と
からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項２】 表面ガラス基板と背面ガラス基板とを所
定間隔をもってその電極が対向かつ直交するように重ね
合わせたガラス基板を炉内に位置させて当該炉内を所定
温度下での真空排気に引続き、不活性雰囲気で復圧する
工程と、当該炉内を封着温度まで昇温して両ガラス基板
を封着する工程と、ガラス基板封着後に炉内を冷却して
両ガラス基板を冷却する工程と、冷却完了後に両ガラス
基板を炉から搬出する工程と、前記いずれかのガラス基
板に取り付けた盲チップ管の封止部材を除去する工程
と、ガラス基板間の空間を当該チップ管から真空排気す
る工程と、前記空間内に当該チップ管から放電ガスを供
給して封入する工程と、前記チップ管を封じ切る工程と
からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18589296A JP3618177B2 (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18589296A JP3618177B2 (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1031957A true JPH1031957A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3618177B2 JP3618177B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=16178711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18589296A Expired - Lifetime JP3618177B2 (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3618177B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100585244B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2006-06-01 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 |
| KR100694494B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-03-13 | 두산메카텍 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 |
| WO2009011468A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | World Tech Co., Ltd. | Manufacturing method for plain shape neon sign device without gas injection pipe |
-
1996
- 1996-07-16 JP JP18589296A patent/JP3618177B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100585244B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2006-06-01 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 |
| KR100694494B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-03-13 | 두산메카텍 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 |
| WO2009011468A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | World Tech Co., Ltd. | Manufacturing method for plain shape neon sign device without gas injection pipe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3618177B2 (ja) | 2005-02-09 |
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