JP3946319B2

JP3946319B2 - プラズマディスプレイパネルの処理方法

Info

Publication number: JP3946319B2
Application number: JP23426697A
Authority: JP
Inventors: 吉計下里; 忠関
Original assignee: Chugai Ro Co Ltd
Current assignee: Chugai Ro Co Ltd
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 2007-07-18
Anticipated expiration: 2017-08-29
Also published as: JPH1179768A; CN1140695C; KR100459277B1; FR2767813B1; US6221190B1; FR2767813A1; KR19990023093A; TWI248422B; CN1210191A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の製造工程には、ガラス基板とチップ管付ガラス基板とのいずれか一方の対向周縁部に封着剤を塗布して両ガラス基板をクリップ等の治具により一体化したガラスパネル組立体を封着する工程、封着したガラスパネルの内部をチップ管を介して真空排気する工程およびその後にチップ管を封じ切る工程がある。
そして、前記封着処理は、前記ガラスパネル組立体をバッチ式封着炉内に装入してこのガラスパネル組立体を所定温度（封着処理温度）に加熱することにより両ガラス基板を封着してガラスパネルとし、また、前記排気処理は、複数の前記チップ管付ガラスパネルをバッチ式排気炉内に装入して前記ガラスパネルを所定温度（排気処理温度）に加熱しつつチップ管に接続した真空排気装置を駆動させることで前記ガラスパネル内を真空排気した後に、ガラスパネル内に放電ガスを所定圧（４００〜６００Ｔｏｒｒ）まで封入する工程を実施し、その後にチップ管を封じ切るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記封着処理および排気処理は、それぞれ専用炉でバッチ処理するため、処理毎に、炉内の昇温と降温とを繰り返すことになり、熱効率が悪いとともに生産性が非常に悪いという問題がある。
そこで、本発明者らは前記問題を解決すべく種々検討の結果、ブラウン管の製造において、最終処理工程でブラウン管の内部を所定の真空度とするために、たとえば、実公昭６３−４５７２８号公報等で示すように、排気手段を搭載した排気カート上にブラウン管を取り付け、この排気カートを順次炉内走行させ、炉内に位置するブラウン管を加熱しながら排気させる連続排気処理方法の存在に着目した。
この処理方法は、ブラウン管内の排気処理のみを目的とするため、プラズマディスプレイパネルのように封着処理に引続き排気処理した後に、引続き放電ガスの封入処理を行なったのちチップ管の封じ切り処理を行なうことができない。
しかしながら、排気カート上に真空排気系と放電ガス供給系を搭載し、排気手段等の作動時期と炉内温度を制御することにより、一連の連続処理工程で封着処理を行なったのちガラスパネル組立体の内部を排気したのち放電ガスを封入し、その後、チップ管を封じ切ることによりＰＤＰとすることができることを見出して本発明を完成したものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、ガラス基板とチップ管付ガラス基板のいずれか一方の対向周縁部に封着剤を塗布して両ガラス基板を治具により一体化したガラスパネル組立体を、排気カート上に前記ガラスパネル組立体が炉内に位置するように保持するとともに、前記チップ管を排気カートに搭載した真空排気系と放電ガス供給系に切換可能に接続して前記排気カートを炉内走行させながら封着処理し、その後、真空排気系によりガラスパネル内を排気処理したのち、前記ガラスパネル内に放電ガスを供給し、その後、前記チップ管を封じ切るプラズマディスプレイパネルの処理方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態について図にしたがって説明する。
【０００６】
図において、Ｔは封着・排気炉で、炉床に開口部７を全長にわたって有するとともに各々複数の室からなる封着処理ゾーンＡ、排気ゾーンＢおよび冷却ゾーンＣとからなる。
そして、封着処理ゾーンＡと排気ゾーンＢは、図２に示すように、炉内には循環バッフル１が設けられるとともに、循環通路２にラジアントチューブバーナまたは電熱ヒータ等の熱源３が配置され、炉内の雰囲気は循環ファン４により吸入口５から吸引され、前記熱源３により加熱され、吐出口６から吐出することにより炉内を循環し、下記するＰＤＰ組立体Ｐ_１を加熱する。
【０００７】
なお、冷却ゾーンＣは前記封着処理ゾーンＡ，排気ゾーンＢにおける熱源３に加えて冷却チューブ等の冷却源（図示せず）を有するもので、他の構成は前記封着処理ゾーンＡ（排気ゾーンＢ）と同一である。
【０００８】
前記ＰＤＰ組立体Ｐ_１は、図４に示すように、表面ガラス基板Ｗ_１とチップ管Ｐａ付背面ガラス基板Ｗ_２とのいずれか一方の対向する外縁部に、複合系低融点ガラス（ＰｂＯ・Ｂ_２Ｏ_３系低融点ガラス粉末と特殊セラミック粉末とを混合したもの）に、合成樹脂バインダを溶剤に溶解したビークルを加えて混練した封着剤Ｓを塗布して重ね合わせ、クリップ等の治具Ｋにより一体に固定したものである。図に示すものは、チップ管Ｐａ部分に適用する治具Ｋで、チップ管Ｐａ側の一片ａにチップ管Ｐａの径より少し大径の長孔ｂを設け、この長孔ｂ内にチップ管Ｐａを位置させた状態で、貫通孔ｃを有する保持部材ｄを嵌合させることでチップ管Ｐａを支持するようにしたものである。なお、チップ管Ｐａ支持方法は前記保持部材ｄに限らず、他の構成としてもよい。
また、ＰＤＰ組立体Ｐ_１を構成するガラス基板Ｗ_１，Ｗ_２のいずれかに、あらかじめリブ等を形成してある。
さらに、チップ管Ｐａ以外の部分を固定するクリップには前記長孔ｂは不必要である。
【０００９】
排気カート１０は、図２，図３に示すように、前記封着・排気炉Ｔの炉床下に敷設したレールＲ上をプッシャ（図示せず）により移動するもので、排気カート１０の上面には前記封着・排気炉Ｔの開口部７を貫通して炉内に位置する支柱１１ａと下記するＰＤＰ組立体Ｐ_１をほぼ垂直状態で炉巾方向に保持する保持部材１１ｂとからなる取付部材１１が複数配設されている。また、この取付部材１１の支柱１１ａには開口部７と若干の間隙をもって開口部７を遮蔽する断熱部材１２を排気カート１０の全長にわたって備えている。
【００１０】
さらに、排気カート１０には真空排気ポンプ１４を有する真空排気系と放電ガスボンベ１５を有する放電ガス供給系とが搭載されており、両者は電磁式開閉弁１６ａ，１６ｂと電磁式開閉弁１７を介して接管金具１８に接続されている。さらにまた、排気カート１０には下記するＰＤＰ組立体Ｐ_１のチップ管Ｐａを溶断する封止ヒータ１９を備えている。
【００１１】
なお、実施の形態において、前記レールＲは図１に示すように、封着・排気炉Ｔの下方と、炉の側方にも設けられ、両端は装入，抽出トランスファーカＴｆ_１，Ｔｆ_２で接続され、前記排気カート１０は循環使用できるようになっているとともに、前記冷却ゾーンＣと抽出トランスファーカＴｆ_２との間に、放電ガス封入・封止ゾーンＺｇが設けてある。
【００１２】
つぎに、ＰＤＰの処理方法を説明する。
まず、前記ＰＤＰ組立体Ｐ_１を積込み・積卸しゾーンＺで排気カート１０に積込む。
この場合、前記ＰＤＰ組立体Ｐ_１は図２，３に示すように、チップ管Ｐａを断熱部材１２に設けた貫通孔１３に挿通し、たとえば、図示しないクリップ等の適宜手段により取付部材１１に固定して排気カート１０上にほぼ垂直状態でカート巾方向に載置固定するとともに、前記チップ管Ｐａは前記接管金具１８に接続される。また、封止ヒータ１９がチップ管Ｐａ部に取り付けられる。
【００１３】
前述のように、複数のＰＤＰ組立体Ｐ_１を載積した排気カート１０は適宜手段で装入トランスファーカＴｆ_１に至り、ここで、封着・排気炉Ｔの装入側に移動し、プッシャ等により図３で示すように連結状態で順次封着・排気炉Ｔ内に装入される。したがって、前記開口部７は殆ど各排気カート１０の断熱部材１２で閉鎖され、外気が炉内へ侵入することを防止する。
前記排気カート１０が炉内に装入されると、図５に示すヒートカーブにもとづいて、まず、ＰＤＰ組立体Ｐ_１は封着処理ゾーンＡで封着剤Ｓが溶融して両ガラス基板Ｗ_１，Ｗ_２を封着してガラスパネルＰ_２とする。そして、排気ゾーンＢに至ると、前記開閉弁１６ａを開、前記開閉弁１７を開として各ガラスパネルＰ_２内を真空排気ポンプ１４に連通する。各ガラスパネルＰ_２は封着・排気炉Ｔ内を通過する間に図５に示すヒートカーブにもとづいて加熱され、両ガラス基板Ｗ_１，Ｗ_２から発生するガスとともにガラスパネルＰ_２内の空気は１０^−４〜１０^−７Ｔｏｒｒまで排気されながら冷却ゾーンＣを経て炉外に搬出され、放電ガス封入・封止ゾーンＺｇに至ると、真空排気ポンプ１４を停止するとともに前記開閉弁１６ａを閉、１６ｂを開にすることにより放電ガスボンベ１５からたとえば、ネオン（Ｎｅ）、アルゴル（Ａｒ）あるいはキセノン（Ｘｅ）等の放電ガスをガラスパネルＰ_２内に規定圧力（４００〜７６０Ｔｏｒｒ）まで封入する。
【００１４】
そして、前記放電ガスの封入が完了すると、封止ヒータ１９に通電してチップ管Ｐａを封じ切り、所定のＰＤＰとする。
【００１５】
その後、排気カート１０は抽出トランスファーカＴｆ_２を通って積込み・積卸しゾーンＺに移行し、ここで前記処理済ＰＤＰを積卸すとともに新規なＰＤＰ組立体Ｐ_１を積込み、前述の工程を繰り返す。
【００１６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、チップ管付ガラスパネル組立体は、真空排気系と放電ガス供給系とを搭載した排気カートに積み込まれ、封着・排気炉を通過する過程において、封着剤により両ガラス基板を封着したのち、その内部を真空排気し、この真空排気処理の後、放電ガス供給系に切換え放電ガスを供給したのちチップ管の封止処理が行なわれる。つまり、チップ管付ガラスパネル組立体の封着、排気、放電ガスの供給およびチップ管封止工程は、排気カートの移動にもとづいて連続的に行なわれる。このように、本発明によれば、従来のようにバッチ処理で両ガラス基板の封着やパネル内の排気をしないため、熱効率の向上が図れるとともに生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかるプラズマディスプレイパネルの封着・排気・放電ガス封入設備の概略平面図。
【図２】図１の封着処理（排気）ゾーンの拡大断面図。
【図３】ガラスパネルを取り付けた排気カートの断面図。
【図４】ＰＤＰ組立体の説明用部分斜視図。
【図５】封着・排気炉のヒートカーブ。
【符号の説明】
Ｔ…封着・排気炉、Ａ…封着処理ゾーン、Ｂ…排気ゾーン、Ｃ…冷却帯、Ｐ_１…ＰＤＰ組立体、７…開口部、１０…排気カート、１１…取付部材、１２…断熱部材、１４…真空排気ポンプ、１５…放電ガスボンベ、１６ａ，１６ｂ…開閉弁、１７…開閉弁、１８…接管金具、１９…封止ヒータ。

Claims

ガラス基板とチップ管付ガラス基板のいずれか一方の対向周縁部に封着剤を塗布して両ガラス基板を治具により一体化したガラスパネル組立体を、排気カート上に前記ガラスパネル組立体が炉内に位置するように保持するとともに、前記チップ管を排気カートに搭載した真空排気系と放電ガス供給系に切換可能に接続して前記排気カートを炉内走行させながら封着処理し、その後、真空排気系によりガラスパネル内を排気処理したのち、前記ガラスパネル内に放電ガスを供給し、その後、前記チップ管を封じ切ることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの処理方法。