JPH10302635A - プラズマディスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法Info
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- JPH10302635A JPH10302635A JP9110933A JP11093397A JPH10302635A JP H10302635 A JPH10302635 A JP H10302635A JP 9110933 A JP9110933 A JP 9110933A JP 11093397 A JP11093397 A JP 11093397A JP H10302635 A JPH10302635 A JP H10302635A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネル内に、不純ガス
が混入することのない基板ガラスへ塗布した封着剤の仮
焼成方法を提供する。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネルの基板ガラ
スＷの外縁部に塗布したシール用の封着剤Ｐ1を乾燥処
理したのち、その上に所定間隔をもってスペース用の封
着剤Ｐ2を塗布し、このスペース用の封着剤を乾燥処理
したのち、焼成炉に装入して前記封着剤中の樹脂バイン
ダーの熱・酸化分解温度で、かつ、封着剤中の粉末ガラ
スの収縮開始温度近傍で所定時間保持してその間に分解
ガスを放出したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理し、
その後、冷却するプラズマディスプレイパネルの塗布封
着剤の仮焼成方法。
が混入することのない基板ガラスへ塗布した封着剤の仮
焼成方法を提供する。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネルの基板ガラ
スＷの外縁部に塗布したシール用の封着剤Ｐ1を乾燥処
理したのち、その上に所定間隔をもってスペース用の封
着剤Ｐ2を塗布し、このスペース用の封着剤を乾燥処理
したのち、焼成炉に装入して前記封着剤中の樹脂バイン
ダーの熱・酸化分解温度で、かつ、封着剤中の粉末ガラ
スの収縮開始温度近傍で所定時間保持してその間に分解
ガスを放出したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理し、
その後、冷却するプラズマディスプレイパネルの塗布封
着剤の仮焼成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰという）の塗布封着剤の仮焼
成方法に関するものである。
レイパネル（以下、ＰＤＰという）の塗布封着剤の仮焼
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰを製作するには、表面ガラス基板
と背面ガラス基板との少なくとも一方の外縁部に封着剤
を塗布し、この封着剤を図８に示すヒートパターンで仮
焼成したのち、両ガラス基板を組立てて、加熱すること
で一体化する。そして、前記封着剤としては、たとえ
ば、複合系低融点ガラス（ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3系低融点ガラ
ス粉末と特殊セラミック粉末とを混合したもの）に、合
成樹脂バインダーを溶剤に溶解したビークルを加えて混
練したものである。ところで、ＰＤＰの製造方法の一つ
としては、ＰＤＰ内の排気および発光ガスの供給を行な
うチップ管を不要とする方法がある。これは、封着剤を
前記ヒートパターンで仮焼成した一方のガラス基板と、
もう１枚のガラス基板を、両者間に隙間を形成させた状
態で組立て、この組立体を密閉炉内に装入して、炉内の
排気→炉内への発光ガス供給→封着処理を行なう方法で
ある（本出願人にかかる特願平８−５４５５７号）。
と背面ガラス基板との少なくとも一方の外縁部に封着剤
を塗布し、この封着剤を図８に示すヒートパターンで仮
焼成したのち、両ガラス基板を組立てて、加熱すること
で一体化する。そして、前記封着剤としては、たとえ
ば、複合系低融点ガラス（ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3系低融点ガラ
ス粉末と特殊セラミック粉末とを混合したもの）に、合
成樹脂バインダーを溶剤に溶解したビークルを加えて混
練したものである。ところで、ＰＤＰの製造方法の一つ
としては、ＰＤＰ内の排気および発光ガスの供給を行な
うチップ管を不要とする方法がある。これは、封着剤を
前記ヒートパターンで仮焼成した一方のガラス基板と、
もう１枚のガラス基板を、両者間に隙間を形成させた状
態で組立て、この組立体を密閉炉内に装入して、炉内の
排気→炉内への発光ガス供給→封着処理を行なう方法で
ある（本出願人にかかる特願平８−５４５５７号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記仮焼成を行なった
ガラス基板を用いて前記方法でＰＤＰを組立てたとこ
ろ、使用中に異常発光現象が生じるという問題を有する
ことが判明した。本発明者らは前記現象について検討し
たところ、前記仮焼成した封着剤中に、仮焼成時に樹脂
バインダー等の有機物の分解・燃焼して発生した不純ガ
スが軟化した粉末ガラス中に残留し、これが封着剤の焼
成中に２枚のガラス基板間に流出して発光ガスに混入す
るためであることを知見した。なお、従来のチップ管付
のものでは、２枚のガラス基板を封着したのち、内部を
排気し、その後に発光ガスを封入するため、前記問題は
生じない。したがって、本発明は、前記封着剤の仮焼成
時に前記不純ガスを予め除去するようにして、不純ガス
混入による異常発光を防止することのできるプラズマデ
ィスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法を提供する
ことを目的とする。
ガラス基板を用いて前記方法でＰＤＰを組立てたとこ
ろ、使用中に異常発光現象が生じるという問題を有する
ことが判明した。本発明者らは前記現象について検討し
たところ、前記仮焼成した封着剤中に、仮焼成時に樹脂
バインダー等の有機物の分解・燃焼して発生した不純ガ
スが軟化した粉末ガラス中に残留し、これが封着剤の焼
成中に２枚のガラス基板間に流出して発光ガスに混入す
るためであることを知見した。なお、従来のチップ管付
のものでは、２枚のガラス基板を封着したのち、内部を
排気し、その後に発光ガスを封入するため、前記問題は
生じない。したがって、本発明は、前記封着剤の仮焼成
時に前記不純ガスを予め除去するようにして、不純ガス
混入による異常発光を防止することのできるプラズマデ
ィスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、プラズマディスプレイパネルの
基板ガラスの外縁部に塗布した封着剤を仮焼成するに際
し、前記封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度
で、かつ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で
所定時間保持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理
し、その後、冷却するものである。請求項２の発明は、
プラズマディスプレイパネルの基板ガラスの外縁部に塗
布したシール用の封着剤を乾燥処理したのち、その上に
所定間隔をもってスペース用の封着剤を塗布し、このス
ペース用の封着剤を乾燥処理したのち、焼成炉に装入し
て前記封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度
で、かつ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で
所定時間保持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理
し、その後、冷却するものである。請求項３の発明は、
プラズマディスプレイパネルの基板ガラスの外縁部に塗
布したシール用の封着剤を乾燥処理したのち、その上に
所定間隔をもってスペース用の封着剤を塗布し、その
後、焼成炉に装入して前記スペース用の封着剤の乾燥処
理を行なうとともに引続き同一炉内で前記封着剤中の樹
脂バインダーの熱・酸化分解温度で、かつ、封着剤中の
粉末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時間保持したのち
仮焼成温度に昇温して焼成処理し、その後、冷却するも
のである。請求項４の発明は、プラズマディスプレイパ
ネルの基板ガラスの外縁部に、シール用の封着剤とその
上に所定間隔をもってスペース用の封着剤とを同時に塗
布して乾燥処理を行なったのち、焼成炉に装入して前記
封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度で、か
つ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時
間保持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理し、その
後、冷却するものである。請求項５の発明は、プラズマ
ディスプレイパネルの基板ガラスの外縁部に、シール用
の封着剤とその上に所定間隔をもってスペース用の封着
剤とを同時に塗布したのち、焼成炉に装入して前記封着
剤の乾燥処理を行なうとともに引続き同一炉内で前記封
着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度で、かつ、
封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時間保
持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理し、その後、
冷却するものである。請求項６の発明は、保持工程の後
半から昇温工程の前半までのうち、少なくとも保持工程
の後半に１回以上の真空排気処理を行なうものである。
に、請求項１の発明は、プラズマディスプレイパネルの
基板ガラスの外縁部に塗布した封着剤を仮焼成するに際
し、前記封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度
で、かつ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で
所定時間保持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理
し、その後、冷却するものである。請求項２の発明は、
プラズマディスプレイパネルの基板ガラスの外縁部に塗
布したシール用の封着剤を乾燥処理したのち、その上に
所定間隔をもってスペース用の封着剤を塗布し、このス
ペース用の封着剤を乾燥処理したのち、焼成炉に装入し
て前記封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度
で、かつ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で
所定時間保持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理
し、その後、冷却するものである。請求項３の発明は、
プラズマディスプレイパネルの基板ガラスの外縁部に塗
布したシール用の封着剤を乾燥処理したのち、その上に
所定間隔をもってスペース用の封着剤を塗布し、その
後、焼成炉に装入して前記スペース用の封着剤の乾燥処
理を行なうとともに引続き同一炉内で前記封着剤中の樹
脂バインダーの熱・酸化分解温度で、かつ、封着剤中の
粉末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時間保持したのち
仮焼成温度に昇温して焼成処理し、その後、冷却するも
のである。請求項４の発明は、プラズマディスプレイパ
ネルの基板ガラスの外縁部に、シール用の封着剤とその
上に所定間隔をもってスペース用の封着剤とを同時に塗
布して乾燥処理を行なったのち、焼成炉に装入して前記
封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度で、か
つ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時
間保持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理し、その
後、冷却するものである。請求項５の発明は、プラズマ
ディスプレイパネルの基板ガラスの外縁部に、シール用
の封着剤とその上に所定間隔をもってスペース用の封着
剤とを同時に塗布したのち、焼成炉に装入して前記封着
剤の乾燥処理を行なうとともに引続き同一炉内で前記封
着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度で、かつ、
封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時間保
持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理し、その後、
冷却するものである。請求項６の発明は、保持工程の後
半から昇温工程の前半までのうち、少なくとも保持工程
の後半に１回以上の真空排気処理を行なうものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて説明する。図１は、本発明を実施するためのローラ
ハース型連続焼成炉の断面図、図２は図１のII−II線断
面図で、封着剤を塗布したガラス基板は前記炉において
図３に示すヒートカーブで焼成される。
いて説明する。図１は、本発明を実施するためのローラ
ハース型連続焼成炉の断面図、図２は図１のII−II線断
面図で、封着剤を塗布したガラス基板は前記炉において
図３に示すヒートカーブで焼成される。
【０００６】ローラハース型連続焼成炉（以下、炉とい
う）Ｔは、仕切壁１によって昇温帯Ａ、保熱帯Ｂ、再昇
温帯Ｃ、焼成帯Ｄと冷却帯Ｅとに区分されている。そし
て、前記冷却帯Ｅの抽出部側を除く炉Ｔ内にはマッフル
４が設けられ、このマッフル４は前記仕切壁１の内側に
固定され、前記冷却帯Ｅの抽出部側を除く炉Ｔの天井部
と炉床部にヒータ５を設け、ガラス基板Ｗの温度が図３
に示すヒートカーブを形成するようになっている。前記
マッフル４内は、ＪＩＳ Ｂ９９２０で示される清浄度
クラス７で露点−１０℃のクリーンエアーが供給されて
いる。前記クリーンエアーは冷却帯Ｅにおいては必ずし
も供給する必要はない。なお、６はハースローラであ
る。
う）Ｔは、仕切壁１によって昇温帯Ａ、保熱帯Ｂ、再昇
温帯Ｃ、焼成帯Ｄと冷却帯Ｅとに区分されている。そし
て、前記冷却帯Ｅの抽出部側を除く炉Ｔ内にはマッフル
４が設けられ、このマッフル４は前記仕切壁１の内側に
固定され、前記冷却帯Ｅの抽出部側を除く炉Ｔの天井部
と炉床部にヒータ５を設け、ガラス基板Ｗの温度が図３
に示すヒートカーブを形成するようになっている。前記
マッフル４内は、ＪＩＳ Ｂ９９２０で示される清浄度
クラス７で露点−１０℃のクリーンエアーが供給されて
いる。前記クリーンエアーは冷却帯Ｅにおいては必ずし
も供給する必要はない。なお、６はハースローラであ
る。
【０００７】つぎに、前記炉Ｔを使用してＰＤＰ用封着
剤の仮焼成方法を説明する。まず、前記従来のペースト
（封着剤）Ｐ1をディスペンサー、スクリーン印刷法等
によりガラス基板Ｗ上の外縁部に塗布し（図７（Ａ）参
照）、１００〜１５０℃で１０〜１５分間乾燥処理を行
なう。ついで、乾燥処理を経たガラス基板Ｗを炉Ｔに装
入し、ガラス基板Ｗを順次抽出側にハースローラ６で搬
送し、その間に封着剤Ｐ1を仮焼成処理する。
剤の仮焼成方法を説明する。まず、前記従来のペースト
（封着剤）Ｐ1をディスペンサー、スクリーン印刷法等
によりガラス基板Ｗ上の外縁部に塗布し（図７（Ａ）参
照）、１００〜１５０℃で１０〜１５分間乾燥処理を行
なう。ついで、乾燥処理を経たガラス基板Ｗを炉Ｔに装
入し、ガラス基板Ｗを順次抽出側にハースローラ６で搬
送し、その間に封着剤Ｐ1を仮焼成処理する。
【０００８】すなわち、炉Ｔに装入されたガラス基板Ｗ
は、昇温帯Ａで５〜１２℃／分の昇温速度で加熱され、
封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度域（３１
０〜３５０℃）に達すると、保熱帯Ｂで所定時間
（Ｔ1）保持される（保持工程）。この保持期間に樹脂
バインダーは熱・酸化分解され大半が気化し、炉気とと
もに炉外に排出される。なお、封着剤Ｐ1中の粉末ガラ
スは軟化が開始するとともに互いに融着も開始し、前記
分解ガスの放出にともなってポーラスとなっている。そ
の後、ガラス基板Ｗは再昇温帯Ｃに至って２〜８℃／分
の昇温速度で加熱され、焼成帯（３７０〜４８０℃）Ｄ
に至るが、再昇温帯の前半においても樹脂バインダーの
残りも気化除去され焼成時間（Ｔ2）の間に粉末ガラス
はポーラスのない状態に仮焼成される。ついで、ガラス
基板Ｗは冷却帯Ｅで３〜１２℃／分の降温速度で冷却さ
れ、軟化状態の封着剤Ｐ1を冷却固化して炉外に抽出さ
れることになる。
は、昇温帯Ａで５〜１２℃／分の昇温速度で加熱され、
封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度域（３１
０〜３５０℃）に達すると、保熱帯Ｂで所定時間
（Ｔ1）保持される（保持工程）。この保持期間に樹脂
バインダーは熱・酸化分解され大半が気化し、炉気とと
もに炉外に排出される。なお、封着剤Ｐ1中の粉末ガラ
スは軟化が開始するとともに互いに融着も開始し、前記
分解ガスの放出にともなってポーラスとなっている。そ
の後、ガラス基板Ｗは再昇温帯Ｃに至って２〜８℃／分
の昇温速度で加熱され、焼成帯（３７０〜４８０℃）Ｄ
に至るが、再昇温帯の前半においても樹脂バインダーの
残りも気化除去され焼成時間（Ｔ2）の間に粉末ガラス
はポーラスのない状態に仮焼成される。ついで、ガラス
基板Ｗは冷却帯Ｅで３〜１２℃／分の降温速度で冷却さ
れ、軟化状態の封着剤Ｐ1を冷却固化して炉外に抽出さ
れることになる。
【０００９】さらに、前述の焼成を図４に示すローラハ
ース型焼成炉Ｔ1により仮焼成することにより、より効
率よく分解ガスの除去を行なうことができる。すなわ
ち、図から明らかなように、図１に示す炉Ｔにおける保
熱帯Ｂと再昇温帯Ｃとの各中間部に仕切扉２，２を昇降
可能に設けて区画室Ｒを形成するようにしたものであ
る。なお、前記区画室Ｒには真空ポンプ３とクリーンエ
アー供給源とが接続されている。他は図１と同じため同
一部分には同一符号を付して説明を省略する。
ース型焼成炉Ｔ1により仮焼成することにより、より効
率よく分解ガスの除去を行なうことができる。すなわ
ち、図から明らかなように、図１に示す炉Ｔにおける保
熱帯Ｂと再昇温帯Ｃとの各中間部に仕切扉２，２を昇降
可能に設けて区画室Ｒを形成するようにしたものであ
る。なお、前記区画室Ｒには真空ポンプ３とクリーンエ
アー供給源とが接続されている。他は図１と同じため同
一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００１０】炉Ｔ1に装入されたガラス基板Ｗが保熱帯
Ｂの後半に設けた前記区画室Ｒに搬送されてくると、前
記仕切扉２，２が閉鎖されるとともに真空ポンプ３の駆
動により区画室Ｒ内は１〜０，１Ｔｏｒｒに真空排気さ
れ（図３参照）、その後、復圧用クリーンエアーが供給
され、封着剤中のポーラス部に存在する分解ガスを強制
的に排除する。その後、ガラス基板Ｗは再昇温帯Ｃから
焼成帯Ｄに至るが、再昇温帯Ｃの前半においてもガラス
基板Ｗは区画室Ｒ中にあり、ここでも前記同様の真空排
気が行なわれ、封着剤中のポーラス部に存在する分解ガ
スはほぼ完全に排除される。その後、ガラス基板Ｗは焼
成帯Ｄで所定時間保持されてその間に封着剤が仮焼成さ
れ、つぎの冷却帯Ｅを経て炉外に抽出されることにな
る。
Ｂの後半に設けた前記区画室Ｒに搬送されてくると、前
記仕切扉２，２が閉鎖されるとともに真空ポンプ３の駆
動により区画室Ｒ内は１〜０，１Ｔｏｒｒに真空排気さ
れ（図３参照）、その後、復圧用クリーンエアーが供給
され、封着剤中のポーラス部に存在する分解ガスを強制
的に排除する。その後、ガラス基板Ｗは再昇温帯Ｃから
焼成帯Ｄに至るが、再昇温帯Ｃの前半においてもガラス
基板Ｗは区画室Ｒ中にあり、ここでも前記同様の真空排
気が行なわれ、封着剤中のポーラス部に存在する分解ガ
スはほぼ完全に排除される。その後、ガラス基板Ｗは焼
成帯Ｄで所定時間保持されてその間に封着剤が仮焼成さ
れ、つぎの冷却帯Ｅを経て炉外に抽出されることにな
る。
【００１１】なお、前記説明では、真空排気工程を保熱
帯Ｂの後半および再昇温帯Ｃにおいて各１回行なう場合
であるが、真空排気工程の回数は複数回行なってもよい
が、保熱帯Ｂの後半において少なくとも１回行なえばよ
い。また、前記区画室Ｒの仕切扉２，２はガラス基板の
移行毎に開閉し、その度毎に真空排気されるものであ
る。
帯Ｂの後半および再昇温帯Ｃにおいて各１回行なう場合
であるが、真空排気工程の回数は複数回行なってもよい
が、保熱帯Ｂの後半において少なくとも１回行なえばよ
い。また、前記区画室Ｒの仕切扉２，２はガラス基板の
移行毎に開閉し、その度毎に真空排気されるものであ
る。
【００１２】いずれにせよ前記各態様においては、ガラ
ス基板Ｗ上の外縁部にシール用の封着剤Ｐ1のみを塗布
した場合について説明したが、図７（Ｂ）のように、前
記シール用の封着剤Ｐ1を塗布乾燥したのち、スペース
用の封着剤Ｐ2（シール用のものと同一）をシール用の
封着剤Ｐ1の上に所定間隔で塗布して乾燥処理後、前記
炉Ｔ，Ｔ1に装入してもよく、また、基板ガラスＷの外
縁部に、シール用の封着剤Ｐ1とスペース用の封着剤Ｐ2
とを同時に塗布して乾燥処理後、前記炉Ｔ，Ｔ1に装入
してもよい。
ス基板Ｗ上の外縁部にシール用の封着剤Ｐ1のみを塗布
した場合について説明したが、図７（Ｂ）のように、前
記シール用の封着剤Ｐ1を塗布乾燥したのち、スペース
用の封着剤Ｐ2（シール用のものと同一）をシール用の
封着剤Ｐ1の上に所定間隔で塗布して乾燥処理後、前記
炉Ｔ，Ｔ1に装入してもよく、また、基板ガラスＷの外
縁部に、シール用の封着剤Ｐ1とスペース用の封着剤Ｐ2
とを同時に塗布して乾燥処理後、前記炉Ｔ，Ｔ1に装入
してもよい。
【００１３】前述の実施の態様においては、ガラス基板
Ｗの外縁部にシール用の封着剤Ｐ1あるいはその上にス
ペース用の封着剤Ｐ2を塗布し、各封着剤Ｐ1，Ｐ2を乾
燥処理したのち炉に装入するようにしたが、他の実施の
態様は、炉ＴあるいはＴ1の装入側を図５に示すように
昇温帯Ａの途中にさらに仕切壁１ａを設けて、この間で
のマッフル４内温度を１１０〜１６０℃に保持する乾燥
帯Ｆを形成し、図６に示すヒートカーブでガラス基板Ｗ
上の封着剤Ｐ1／Ｐ2を乾燥させるものである。この場
合、ガラス基板Ｗ上にシール用の封着剤Ｐ1のみを塗布
する場合には封着剤Ｐ1を塗布した未乾燥状態で、一
方、シール用の封着剤Ｐ1上にスペース用の封着剤Ｐ2を
形成する場合にはシール用の封着剤Ｐ1を乾燥処理した
のちスペース用の封着剤Ｐ2をシール用の封着剤Ｐ1上に
塗布した未乾燥状態で、また、シール用の封着剤Ｐ1と
スペース用の封着剤Ｐ2とを同時に塗布するときには両
者の未乾燥状態で炉に装入する。このようにすること
で、乾燥工程が少なくとも１回省け、それだけ省エネル
ギーを図ることができる。
Ｗの外縁部にシール用の封着剤Ｐ1あるいはその上にス
ペース用の封着剤Ｐ2を塗布し、各封着剤Ｐ1，Ｐ2を乾
燥処理したのち炉に装入するようにしたが、他の実施の
態様は、炉ＴあるいはＴ1の装入側を図５に示すように
昇温帯Ａの途中にさらに仕切壁１ａを設けて、この間で
のマッフル４内温度を１１０〜１６０℃に保持する乾燥
帯Ｆを形成し、図６に示すヒートカーブでガラス基板Ｗ
上の封着剤Ｐ1／Ｐ2を乾燥させるものである。この場
合、ガラス基板Ｗ上にシール用の封着剤Ｐ1のみを塗布
する場合には封着剤Ｐ1を塗布した未乾燥状態で、一
方、シール用の封着剤Ｐ1上にスペース用の封着剤Ｐ2を
形成する場合にはシール用の封着剤Ｐ1を乾燥処理した
のちスペース用の封着剤Ｐ2をシール用の封着剤Ｐ1上に
塗布した未乾燥状態で、また、シール用の封着剤Ｐ1と
スペース用の封着剤Ｐ2とを同時に塗布するときには両
者の未乾燥状態で炉に装入する。このようにすること
で、乾燥工程が少なくとも１回省け、それだけ省エネル
ギーを図ることができる。
【００１４】前記各説明では、焼成炉としてローラハー
ス型連続焼成炉を使用した場合であるが、プッシャ式等
の他の搬送形態の連続焼成炉でもよく、また、バッチ式
焼成炉にも適用できることは言うまでもない。
ス型連続焼成炉を使用した場合であるが、プッシャ式等
の他の搬送形態の連続焼成炉でもよく、また、バッチ式
焼成炉にも適用できることは言うまでもない。
【００１５】（実施例１）封着剤として、複合系低融点
ガラス粉末等日本電気硝子（株）製ＬＳ−０１１８（複
合系ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3）にバインダーとして低分子量のア
クリル樹脂をα−ターピネオールに５％溶解したビーク
ルを加えて混練したものを使用した。前処理として、ガ
ラス基板の外縁部に封着剤を塗布して乾燥処理したの
ち、この封着剤上に所定間隔でスペース用の封着剤を塗
布して乾燥処理した。なお、前記乾燥処理は、空気雰囲
気中で加熱（１２０℃×１０分間）したのち、常温まで
冷却した。 仮焼成（図１の炉Ｔ） 昇 温：７℃／分 保 熱：３５０℃×３０分 再昇温：４℃／分 仮焼成：４４０℃×３０分 冷 却：４℃／分（３７０℃まで）から６℃／分（約５
０℃まで） 結果、ガラス基板を前記条件で仮焼成したのち、このガ
ラス基板を利用してＰＤＰパネルの組立体を得、密閉炉
に装入して、炉内を排気したのち発光ガスを供給すると
ともに前記封着剤を封着処理を行なってＰＤＰパネルを
得た。このＰＤＰパネルは異常発光現象は何ら生じなか
った。
ガラス粉末等日本電気硝子（株）製ＬＳ−０１１８（複
合系ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3）にバインダーとして低分子量のア
クリル樹脂をα−ターピネオールに５％溶解したビーク
ルを加えて混練したものを使用した。前処理として、ガ
ラス基板の外縁部に封着剤を塗布して乾燥処理したの
ち、この封着剤上に所定間隔でスペース用の封着剤を塗
布して乾燥処理した。なお、前記乾燥処理は、空気雰囲
気中で加熱（１２０℃×１０分間）したのち、常温まで
冷却した。 仮焼成（図１の炉Ｔ） 昇 温：７℃／分 保 熱：３５０℃×３０分 再昇温：４℃／分 仮焼成：４４０℃×３０分 冷 却：４℃／分（３７０℃まで）から６℃／分（約５
０℃まで） 結果、ガラス基板を前記条件で仮焼成したのち、このガ
ラス基板を利用してＰＤＰパネルの組立体を得、密閉炉
に装入して、炉内を排気したのち発光ガスを供給すると
ともに前記封着剤を封着処理を行なってＰＤＰパネルを
得た。このＰＤＰパネルは異常発光現象は何ら生じなか
った。
【００１６】（実施例２）封着剤と仮焼成は実施例１と
同じ。前処理として、ガラス基板の外縁部にシール用と
スペース用の封着剤を同時に塗布したのち、乾燥処理し
た。乾燥処理条件は実施例１と同じ。その結果、実施例
１と同一結果を得た。
同じ。前処理として、ガラス基板の外縁部にシール用と
スペース用の封着剤を同時に塗布したのち、乾燥処理し
た。乾燥処理条件は実施例１と同じ。その結果、実施例
１と同一結果を得た。
【００１７】（実施例３）封着剤と前処理は実施例１と
同じ。 仮焼成（図４の炉Ｔ１） 昇 温：７℃／分 保 熱：３５０℃×１５分 再昇温：４℃／分 仮焼成：４４０℃×３０分 冷 却：４℃／分（３７０℃まで）から６℃／分（約５
０℃まで） 保熱と再昇温途中で、大気圧から約１Ｔｏｒｒまでの大
気圧−減圧工程からなる真空排気処理を３回行なった。
その結果、実施例１と同一結果を得た。
同じ。 仮焼成（図４の炉Ｔ１） 昇 温：７℃／分 保 熱：３５０℃×１５分 再昇温：４℃／分 仮焼成：４４０℃×３０分 冷 却：４℃／分（３７０℃まで）から６℃／分（約５
０℃まで） 保熱と再昇温途中で、大気圧から約１Ｔｏｒｒまでの大
気圧−減圧工程からなる真空排気処理を３回行なった。
その結果、実施例１と同一結果を得た。
【００１８】（実施例４）封着剤は実施例と同じ。前処
理として、ガラス基板の外周縁にシール用の封着剤を塗
布してから乾燥処理したのち、シール用の封着剤上にス
ペース用の封着剤を塗布した未乾燥状態で炉に装入し
た。乾燥処理は実施例１と同じ。 仮焼成：図１の炉Ｔの装入側に、図６に示す乾燥帯域を
設けたもので仮焼成した。 乾 燥：１２０℃×１０分 昇 温：７℃／分 保 熱：３５０℃×３０分 再昇温：４℃／分 仮焼成：４４０℃×３０分 冷 却：４℃／分（３７０℃まで）から６℃／分（約５
０℃まで） その結果、実施例１と同じであった。
理として、ガラス基板の外周縁にシール用の封着剤を塗
布してから乾燥処理したのち、シール用の封着剤上にス
ペース用の封着剤を塗布した未乾燥状態で炉に装入し
た。乾燥処理は実施例１と同じ。 仮焼成：図１の炉Ｔの装入側に、図６に示す乾燥帯域を
設けたもので仮焼成した。 乾 燥：１２０℃×１０分 昇 温：７℃／分 保 熱：３５０℃×３０分 再昇温：４℃／分 仮焼成：４４０℃×３０分 冷 却：４℃／分（３７０℃まで）から６℃／分（約５
０℃まで） その結果、実施例１と同じであった。
【００１９】（実施例５）封着剤は実施例１と同一結果
を得た。前処理としてガラス基板の外縁部にシール用の
封着剤とスペース用の封着剤と同時に塗布した未乾燥状
態で実施例４の炉にて仮焼成も同じで行なった。結果は
実施例１と同一結果を得た。また、実施例４，５の条件
で、実施例３と同様、真空排気処理を行なったところ、
その結果は各実施例と同一結果を得た。
を得た。前処理としてガラス基板の外縁部にシール用の
封着剤とスペース用の封着剤と同時に塗布した未乾燥状
態で実施例４の炉にて仮焼成も同じで行なった。結果は
実施例１と同一結果を得た。また、実施例４，５の条件
で、実施例３と同様、真空排気処理を行なったところ、
その結果は各実施例と同一結果を得た。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば封着剤中のバインダー中の有機物の分解・燃焼温
度域（仮焼成温度以下）で所定時間保熱するようにした
ので、有機物の分解ガスがほぼ完全に除去し、仮焼成時
に軟化した粉末ガラスのポーラス部に残留せず、ＰＤＰ
使用中にポーラス部からの分解（不純）ガスの発光ガス
中の混入がなく、品質の向上と歩溜りの向上を図ること
ができる。また、封着剤の乾燥の少なくとも一部を炉内
で行なえば、それだけで省エネルギーを図ることができ
る。さらに、保熱（帯）と再昇温（帯）の前半とで減圧
→大気圧の真空排気処理を行なうことにより、より効果
的に不純ガスを除去することができる。
よれば封着剤中のバインダー中の有機物の分解・燃焼温
度域（仮焼成温度以下）で所定時間保熱するようにした
ので、有機物の分解ガスがほぼ完全に除去し、仮焼成時
に軟化した粉末ガラスのポーラス部に残留せず、ＰＤＰ
使用中にポーラス部からの分解（不純）ガスの発光ガス
中の混入がなく、品質の向上と歩溜りの向上を図ること
ができる。また、封着剤の乾燥の少なくとも一部を炉内
で行なえば、それだけで省エネルギーを図ることができ
る。さらに、保熱（帯）と再昇温（帯）の前半とで減圧
→大気圧の真空排気処理を行なうことにより、より効果
的に不純ガスを除去することができる。
【図１】 プラズマディスプレイパネルの封着剤仮焼成
を行なうローラハース型焼成炉の断面図。
を行なうローラハース型焼成炉の断面図。
【図２】 図１のII−II線拡大断面図。
【図３】 ヒートカーブ。
【図４】 図１の変形例。
【図５】 図１，図４の他の変形例を示す一部断面図。
【図６】 他のヒートカーブ。
【図７】 （Ａ），（Ｂ）はガラス基板上への封着剤の
塗布方法を示す図。
塗布方法を示す図。
【図８】 従来のヒートカーブ。
１，１ａ…仕切壁、２…仕切扉、４…マッフル、５…ヒ
ータ、６…ハースローラ、Ａ…昇温帯、Ｂ…保熱帯、Ｃ
…再昇温帯、Ｄ…焼成帯、Ｅ…冷却帯、Ｆ…乾燥帯、
Ｔ，Ｔ1…ローラハース型、Ｐ1…封着剤（シール用）、
Ｐ2…封着剤（スペース用）、Ｗ…ガラス基板。
ータ、６…ハースローラ、Ａ…昇温帯、Ｂ…保熱帯、Ｃ
…再昇温帯、Ｄ…焼成帯、Ｅ…冷却帯、Ｆ…乾燥帯、
Ｔ，Ｔ1…ローラハース型、Ｐ1…封着剤（シール用）、
Ｐ2…封着剤（スペース用）、Ｗ…ガラス基板。
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマディスプレイパネルの基板ガラ
スの外縁部に塗布した封着剤を仮焼成するに際し、前記
封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度で、か
つ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時
間保持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理し、その
後、冷却することを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの塗布封着剤の仮焼成方法。 - 【請求項２】 プラズマディスプレイパネルの基板ガラ
スの外縁部に塗布したシール用の封着剤を乾燥処理した
のち、その上に所定間隔をもってスペース用の封着剤を
塗布し、このスペース用の封着剤を乾燥処理したのち、
焼成炉に装入して前記封着剤中の樹脂バインダーの熱・
酸化分解温度で、かつ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開
始温度近傍で所定時間保持したのち仮焼成温度に昇温し
て焼成処理し、その後、冷却することを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法。 - 【請求項３】 プラズマディスプレイパネルの基板ガラ
スの外縁部に塗布したシール用の封着剤を乾燥処理した
のち、その上に所定間隔をもってスペース用の封着剤を
塗布し、その後、焼成炉に装入して前記スペース用の封
着剤の乾燥処理を行なうとともに引続き同一炉内で前記
封着剤中の樹脂バインダーの熱・酸化分解温度で、か
つ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時
間保持したのち仮焼成温度に昇温して焼成処理し、その
後、冷却することを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの塗布封着剤の仮焼成方法。 - 【請求項４】 プラズマディスプレイパネルの基板ガラ
スの外縁部に、シール用の封着剤とその上に所定間隔を
もってスペース用の封着剤とを同時に塗布して乾燥処理
を行なったのち、焼成炉に装入して前記封着剤中の樹脂
バインダーの熱・酸化分解温度で、かつ、封着剤中の粉
末ガラスの収縮開始温度近傍で所定時間保持したのち仮
焼成温度に昇温して焼成処理し、その後、冷却すること
を特徴とするプラズマディスプレイパネルの塗布封着剤
の仮焼成方法。 - 【請求項５】 プラズマディスプレイパネルの基板ガラ
スの外縁部に、シール用の封着剤とその上に所定間隔を
もってスペース用の封着剤とを同時に塗布したのち、焼
成炉に装入して前記封着剤の乾燥処理を行なうとともに
引続き同一炉内で前記封着剤中の樹脂バインダーの熱・
酸化分解温度で、かつ、封着剤中の粉末ガラスの収縮開
始温度近傍で所定時間保持したのち仮焼成温度に昇温し
て焼成処理し、その後、冷却することを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法。 - 【請求項６】 保持工程の後半から昇温工程の前半まで
のうち、少なくとも保持工程の後半に１回以上の真空排
気処理を行なうことを特徴とする１〜６のいずれかに記
載のプラズマディスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9110933A JPH10302635A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | プラズマディスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9110933A JPH10302635A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | プラズマディスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302635A true JPH10302635A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14548284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9110933A Pending JPH10302635A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | プラズマディスプレイパネルの塗布封着剤の仮焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10302635A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002075217A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材およびプラズマディスプレイならびにその製造方法 |
| US6495262B2 (en) * | 2000-04-20 | 2002-12-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Flat display panel, flat display device and flat display panel manufacturing method |
| JP2003068199A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルの製造方法および製造装置 |
| WO2003102995A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un ecran d'affichage a plasma et dispositif de cuisson associe |
| KR100658752B1 (ko) | 2004-12-08 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2008514762A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | シーリング組成物 |
| WO2010082269A1 (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-22 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2010140307A1 (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| EP2300379A2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-03-30 | Corning Inc. | Method for sintering a frit to a glass plate |
-
1997
- 1997-04-28 JP JP9110933A patent/JPH10302635A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495262B2 (en) * | 2000-04-20 | 2002-12-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Flat display panel, flat display device and flat display panel manufacturing method |
| JP4519293B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイおよびその製造方法 |
| JP2002075217A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材およびプラズマディスプレイならびにその製造方法 |
| JP2003068199A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルの製造方法および製造装置 |
| JP4734802B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | 表示パネルの製造方法および製造装置 |
| US7125304B2 (en) | 2002-06-03 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Method of manufacturing plasma display panel and firing apparatus |
| WO2003102995A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un ecran d'affichage a plasma et dispositif de cuisson associe |
| JP2008514762A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | シーリング組成物 |
| JP4880606B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2012-02-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | シーリング組成物 |
| KR100658752B1 (ko) | 2004-12-08 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| EP2300379A2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-03-30 | Corning Inc. | Method for sintering a frit to a glass plate |
| JP2011523617A (ja) * | 2008-05-30 | 2011-08-18 | コーニング インコーポレイテッド | フリットをガラス板に焼結する方法 |
| EP2300379A4 (en) * | 2008-05-30 | 2013-08-14 | Corning Inc | METHOD FOR SINKING A GLASS POWDER ON A GLASS PLATE |
| WO2010082269A1 (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-22 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2010140307A1 (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| US8317563B2 (en) | 2009-06-02 | 2012-11-27 | Panasonic Corporation | Method for producing plasma display panel |
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