JP2000223022A - プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造用炉 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造用炉Info
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネル組立体の昇温・
冷却時の温度ムラの発生をなくするとともに処理時間が
短く、しかも小形で生産性を向上させることができるＰ
ＤＰ製造用炉。 【解決手段】 炉内壁近傍にヒータ１３を配置した側部
装入式バッチ炉の炉本体Ｔ内に、パージガス供給管３２
ｂ、放電ガス供給管３２ｃ、放電ガス回収管３２ｄおよ
び真空排気管３０を連結したマッフル１６を設け、この
マッフル内に複数のプラズマディスプレイパネル組立体
Ｐを収納するバッフル１７を配設する一方、炉内壁とマ
ッフルとで形成される空間に排気管１２および冷却用気
体供給管１４を連結するとともに、断熱材１９を内張し
た進退可能な扉１８に循環ファン２４とバッフル内にプ
ラズマディスプレイパネル組立体を装入・取出しする台
車２７を設けたプラズマディスプレイパネルの製造用
炉。
冷却時の温度ムラの発生をなくするとともに処理時間が
短く、しかも小形で生産性を向上させることができるＰ
ＤＰ製造用炉。 【解決手段】 炉内壁近傍にヒータ１３を配置した側部
装入式バッチ炉の炉本体Ｔ内に、パージガス供給管３２
ｂ、放電ガス供給管３２ｃ、放電ガス回収管３２ｄおよ
び真空排気管３０を連結したマッフル１６を設け、この
マッフル内に複数のプラズマディスプレイパネル組立体
Ｐを収納するバッフル１７を配設する一方、炉内壁とマ
ッフルとで形成される空間に排気管１２および冷却用気
体供給管１４を連結するとともに、断熱材１９を内張し
た進退可能な扉１８に循環ファン２４とバッフル内にプ
ラズマディスプレイパネル組立体を装入・取出しする台
車２７を設けたプラズマディスプレイパネルの製造用
炉。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰという）の製造方法およびそ
の製造用炉に関するものである。
レイパネル（以下、ＰＤＰという）の製造方法およびそ
の製造用炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一方のガラス基板（パネル）に設
ける排気チップ管を不要としたＰＤＰの製作方法とし
て、たとえば、特開昭６３−２５００３７号公報、特開
平４−２６４３２８号公報に開示された技術がある。こ
の方法は、密閉空間内に、表面ガラス基板と裏面ガラス
基板とをその電極を対向、かつ、直交させるとともに、
周囲に封着材を介して重ね合わせたＰＤＰ組立体を位置
させ、当該密閉空間内を排気したのちＮｅ（ネオン）ガ
ス等の放電ガスを供給して加熱することにより、両ガラ
ス基板を封着して両ガラス基板間に放電ガスを封入する
ものである。
ける排気チップ管を不要としたＰＤＰの製作方法とし
て、たとえば、特開昭６３−２５００３７号公報、特開
平４−２６４３２８号公報に開示された技術がある。こ
の方法は、密閉空間内に、表面ガラス基板と裏面ガラス
基板とをその電極を対向、かつ、直交させるとともに、
周囲に封着材を介して重ね合わせたＰＤＰ組立体を位置
させ、当該密閉空間内を排気したのちＮｅ（ネオン）ガ
ス等の放電ガスを供給して加熱することにより、両ガラ
ス基板を封着して両ガラス基板間に放電ガスを封入する
ものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記方法を
採用して複数のＰＤＰ組立体を排気・封着処理するに
は、密閉空間内に多数のＰＤＰ組立体を配置する必要が
あり、密閉空間の内容積が大きくなる。そのため、密閉
空間内に供給する放電ガス量も多く、しかもこの放電ガ
スは１封着工程が終了すれば排気されるため、放電ガス
の消費量が増大し生産コストが大きくなる。また、前記
密閉空間の内容積を小さくするために、多数のＰＤＰ組
立体を段積みすれば、加熱手段は輻射加熱方式であり、
一方、冷却手段は対流冷却方式であるため、各ＰＤＰ組
立体間で温度差が生じて均質なＰＤＰを同時に得ること
ができない。さらに、加熱時間（排気処理温度への昇
温）および封着処理後の冷却時間が長くなり、生産性が
低下するという問題があった。したがって、本発明はＰ
ＤＰ組立体の昇温・冷却時の温度ムラをなくして処理時
間を短縮し、生産性を向上させることのできるＰＤＰの
製造方法およびその製造炉を提供することを目的とす
る。
採用して複数のＰＤＰ組立体を排気・封着処理するに
は、密閉空間内に多数のＰＤＰ組立体を配置する必要が
あり、密閉空間の内容積が大きくなる。そのため、密閉
空間内に供給する放電ガス量も多く、しかもこの放電ガ
スは１封着工程が終了すれば排気されるため、放電ガス
の消費量が増大し生産コストが大きくなる。また、前記
密閉空間の内容積を小さくするために、多数のＰＤＰ組
立体を段積みすれば、加熱手段は輻射加熱方式であり、
一方、冷却手段は対流冷却方式であるため、各ＰＤＰ組
立体間で温度差が生じて均質なＰＤＰを同時に得ること
ができない。さらに、加熱時間（排気処理温度への昇
温）および封着処理後の冷却時間が長くなり、生産性が
低下するという問題があった。したがって、本発明はＰ
ＤＰ組立体の昇温・冷却時の温度ムラをなくして処理時
間を短縮し、生産性を向上させることのできるＰＤＰの
製造方法およびその製造炉を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、請求項１では、表面ガラス基板と裏面ガ
ラス基板とからなるプラズマディスプレイパネル組立体
を密閉空間に位置させて、当該密閉空間を真空排気した
のち放電ガスを供給し、その後、前記プラズマディスプ
レイパネル組立体を封着するプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法において、プラズマディスプレイパネル組
立体を真空排気処理温度近傍まで２００から７６０Ｔｏ
ｒｒの保護雰囲気下で対流加熱する一方、封着処理後の
冷却を放電ガス雰囲気下で対流冷却するとともに前記放
電ガスを精製回収するようにしたものである。また、請
求項２では、炉内壁近傍にヒータを配置した側部装入式
バッチ炉の炉本体内に、パージガス供給管、放電ガス供
給管、放電ガス回収管および真空排気管を連結したマッ
フルを設け、このマッフル内に複数のプラズマディスプ
レイパネル組立体を収納するバッフルを配設する一方、
炉内壁とマッフルとで形成される空間に排気管および冷
却用気体供給管を連結するとともに、断熱材を内張した
進退可能な扉に循環ファンと前記バッフル内にプラズマ
ディスプレイパネル組立体を装入・取出しする台車を設
けたものである。
成するために、請求項１では、表面ガラス基板と裏面ガ
ラス基板とからなるプラズマディスプレイパネル組立体
を密閉空間に位置させて、当該密閉空間を真空排気した
のち放電ガスを供給し、その後、前記プラズマディスプ
レイパネル組立体を封着するプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法において、プラズマディスプレイパネル組
立体を真空排気処理温度近傍まで２００から７６０Ｔｏ
ｒｒの保護雰囲気下で対流加熱する一方、封着処理後の
冷却を放電ガス雰囲気下で対流冷却するとともに前記放
電ガスを精製回収するようにしたものである。また、請
求項２では、炉内壁近傍にヒータを配置した側部装入式
バッチ炉の炉本体内に、パージガス供給管、放電ガス供
給管、放電ガス回収管および真空排気管を連結したマッ
フルを設け、このマッフル内に複数のプラズマディスプ
レイパネル組立体を収納するバッフルを配設する一方、
炉内壁とマッフルとで形成される空間に排気管および冷
却用気体供給管を連結するとともに、断熱材を内張した
進退可能な扉に循環ファンと前記バッフル内にプラズマ
ディスプレイパネル組立体を装入・取出しする台車を設
けたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて図にしたがって説明する。図１〜図４は、本発明に
かかるＰＤＰの製造炉である側部装入式バッチ炉Ｔを示
し、一側部に開口部１１を有する炉本体１０と、前記開
口部１１を開閉する進退可能な扉１８とからなる。
いて図にしたがって説明する。図１〜図４は、本発明に
かかるＰＤＰの製造炉である側部装入式バッチ炉Ｔを示
し、一側部に開口部１１を有する炉本体１０と、前記開
口部１１を開閉する進退可能な扉１８とからなる。
【０００６】そして、前記炉本体１０の天井部には排気
管１２が設けられ、炉床部には冷却ファンＦの冷却用気
体供給管１４が連通している。また、炉本体１０の内壁
近傍にはヒータ１３が配設され、かつ、前記ヒータ１３
の内方には、一端が前記開口部１１に取り付けられ、他
端は炉外に設置した真空排気装置２９に真空排気管３０
により連通したマッフル１６が配設されている。
管１２が設けられ、炉床部には冷却ファンＦの冷却用気
体供給管１４が連通している。また、炉本体１０の内壁
近傍にはヒータ１３が配設され、かつ、前記ヒータ１３
の内方には、一端が前記開口部１１に取り付けられ、他
端は炉外に設置した真空排気装置２９に真空排気管３０
により連通したマッフル１６が配設されている。
【０００７】さらに、前記マッフル１６内には、バッフ
ル１７が設置されている。このバッフル１７は前面（扉
１８側）および下方が開口状態となった金属板からな
り、後面には多数の孔１７ａが穿設されている。
ル１７が設置されている。このバッフル１７は前面（扉
１８側）および下方が開口状態となった金属板からな
り、後面には多数の孔１７ａが穿設されている。
【０００８】前記扉１８は断熱材１９で内張りされたも
ので、この扉１８はレールＲ2上をモータ２２で回転す
る車輪２３により前記炉本体１０に沿って走行するチャ
ージカー２０に立設した支柱２１に取り付けられてい
る。また、前記支柱２１には、前記扉１８を貫通して循
環（対流）ファン２４が取り付けられ、その羽根２５は
前記扉１８の内方（炉内側）に位置し、かつ、この羽根
２５には前記バッフル１７の前面開口１７ｂを覆うフー
ド２６を有している。
ので、この扉１８はレールＲ2上をモータ２２で回転す
る車輪２３により前記炉本体１０に沿って走行するチャ
ージカー２０に立設した支柱２１に取り付けられてい
る。また、前記支柱２１には、前記扉１８を貫通して循
環（対流）ファン２４が取り付けられ、その羽根２５は
前記扉１８の内方（炉内側）に位置し、かつ、この羽根
２５には前記バッフル１７の前面開口１７ｂを覆うフー
ド２６を有している。
【０００９】さらに、前記支柱２１には扉１８を貫通
し、前記炉本体１０内に設けたレールＲ1上を転動する
台車２７を備えている。
し、前記炉本体１０内に設けたレールＲ1上を転動する
台車２７を備えている。
【００１０】その他、図４に示すように、前記マッフル
１６内はアルゴンガス等の保護雰囲気ガス源３１Ａ、パ
ージガス源３１Ｂと放電ガス源３１Ｃとがそれぞれ保護
雰囲気ガス供給管３２ａ、パージガス供給管３２ｂと放
電ガス供給管３２ｃで選択的に連通されるようになって
いる。また、前記真空排気管３０から分岐した放電ガス
回収管３２ｄには放電ガス精製機３３が設置されてい
る。なお、１５は扉１８と炉本体１０の開口部１１とを
シールする公知のクラッチ装置である。
１６内はアルゴンガス等の保護雰囲気ガス源３１Ａ、パ
ージガス源３１Ｂと放電ガス源３１Ｃとがそれぞれ保護
雰囲気ガス供給管３２ａ、パージガス供給管３２ｂと放
電ガス供給管３２ｃで選択的に連通されるようになって
いる。また、前記真空排気管３０から分岐した放電ガス
回収管３２ｄには放電ガス精製機３３が設置されてい
る。なお、１５は扉１８と炉本体１０の開口部１１とを
シールする公知のクラッチ装置である。
【００１１】なお、ＰＤＰ組立体Ｐは、たとえば以下の
ようにして組立てたものである。すなわち、図６に示す
ように、表面ガラス基板１あるいは裏面ガラス基板２の
いずれか一方のガラス基板に通気孔３を設けたものを使
用し、この通気孔３を囲むように、低融点ガラスからな
る最終封着材６を位置させる。この最終封着材６はシー
ル用封着材４ａおよびスペース用封着材４ｂより軟化点
が高い材料により成型したもので、図７（Ａ），（Ｂ）
に示すようにＣ形状や側壁に溝を形成したリング形状を
し、前者の開口、後者の溝をガス流通孔７としたもので
ある。
ようにして組立てたものである。すなわち、図６に示す
ように、表面ガラス基板１あるいは裏面ガラス基板２の
いずれか一方のガラス基板に通気孔３を設けたものを使
用し、この通気孔３を囲むように、低融点ガラスからな
る最終封着材６を位置させる。この最終封着材６はシー
ル用封着材４ａおよびスペース用封着材４ｂより軟化点
が高い材料により成型したもので、図７（Ａ），（Ｂ）
に示すようにＣ形状や側壁に溝を形成したリング形状を
し、前者の開口、後者の溝をガス流通孔７としたもので
ある。
【００１２】表面ガラス基板１と裏面ガラス基板２と
は、裏面ガラス基板２の外縁部にシール用封着材４ａお
よびスペース用封着材４ｂを塗布して乾燥・仮焼成した
後、クランプ金具５により背面ガラス基板２を上側とし
て組付けてＰＤＰ組立体Ｐとする。このＰＤＰ組立体Ｐ
の内外は連通状態となっている。
は、裏面ガラス基板２の外縁部にシール用封着材４ａお
よびスペース用封着材４ｂを塗布して乾燥・仮焼成した
後、クランプ金具５により背面ガラス基板２を上側とし
て組付けてＰＤＰ組立体Ｐとする。このＰＤＰ組立体Ｐ
の内外は連通状態となっている。
【００１３】なお、シール用封着材４ａおよびスペース
用封着材４ｂとしては、たとえば日本電気硝子（株）製
ＬＳ−０１１８…軟化点３９０℃、最終封着材６として
は、たとえば同社製ＬＳ−０２０６…軟化点４１０℃な
どが使用できる。
用封着材４ｂとしては、たとえば日本電気硝子（株）製
ＬＳ−０１１８…軟化点３９０℃、最終封着材６として
は、たとえば同社製ＬＳ−０２０６…軟化点４１０℃な
どが使用できる。
【００１４】ついで、前記最終封着材６上にシールガラ
ス板８を載置するとともに、裏面ガラス基板２上にステ
ンレス鋼等からなる組付治具９を載置し、この組付治具
９との間に介在したスプリングＳにより前記シールガラ
ス板８を最終封着材６に圧着した状態としたものであ
る。
ス板８を載置するとともに、裏面ガラス基板２上にステ
ンレス鋼等からなる組付治具９を載置し、この組付治具
９との間に介在したスプリングＳにより前記シールガラ
ス板８を最終封着材６に圧着した状態としたものであ
る。
【００１５】つぎに、前記ＰＤＰ製造用炉Ｔの操業につ
いて説明する。まず、図３に示すように、前記チャージ
カー２０を後退させて、前記炉本体１０の開口部１１を
開放するとともに、台車２７を炉外に引き出す。なお、
台車２７の先端部は炉本体１０内のレールＲ1上に載置
されている。
いて説明する。まず、図３に示すように、前記チャージ
カー２０を後退させて、前記炉本体１０の開口部１１を
開放するとともに、台車２７を炉外に引き出す。なお、
台車２７の先端部は炉本体１０内のレールＲ1上に載置
されている。
【００１６】その後、前記台車２７上に設けた架台２８
上に治具（いずれも図示せず）により所定間隔をもって
前記ＰＤＰ組立体Ｐを多段に積込んだのちチャージカー
２０を前進させ、ＰＤＰ組立体Ｐをバッフル１７内に装
入するとともに、扉１８を炉本体１０にクラッチ装置１
５を作動させて開口部１１を閉鎖する。この状態におい
て、バッフル１７の前縁部は循環ファン２４のフード２
６と接続され、また、バッフル１７の下方は台車２７で
覆われている。
上に治具（いずれも図示せず）により所定間隔をもって
前記ＰＤＰ組立体Ｐを多段に積込んだのちチャージカー
２０を前進させ、ＰＤＰ組立体Ｐをバッフル１７内に装
入するとともに、扉１８を炉本体１０にクラッチ装置１
５を作動させて開口部１１を閉鎖する。この状態におい
て、バッフル１７の前縁部は循環ファン２４のフード２
６と接続され、また、バッフル１７の下方は台車２７で
覆われている。
【００１７】ついで、炉本体１０内に装入された各ＰＤ
Ｐ組立体Ｐは、図５に示すヒートプロファイルにより真
空排気、放電ガス封入および冷却が行なわれる。すなわ
ち、前記扉１８を閉としたのち、前記マッフル１６内は
真空排気装置２９により１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒまで真
空排気してマッフル１６内をパージする。
Ｐ組立体Ｐは、図５に示すヒートプロファイルにより真
空排気、放電ガス封入および冷却が行なわれる。すなわ
ち、前記扉１８を閉としたのち、前記マッフル１６内は
真空排気装置２９により１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒまで真
空排気してマッフル１６内をパージする。
【００１８】ついで、前記ヒータ１３に通電する一方、
マッフル１６内に前記保護雰囲気ガス源３１Ａから保護
雰囲気ガス（Ａｒあるいはドライガス）を供給して２０
０〜７００Ｔｏｒｒとするとともに、循環ファン２４を
駆動してＰＤＰ組立体Ｐを真空排気処理温度である約３
６０℃まで対流加熱する。
マッフル１６内に前記保護雰囲気ガス源３１Ａから保護
雰囲気ガス（Ａｒあるいはドライガス）を供給して２０
０〜７００Ｔｏｒｒとするとともに、循環ファン２４を
駆動してＰＤＰ組立体Ｐを真空排気処理温度である約３
６０℃まで対流加熱する。
【００１９】そして、前記マッフル１６内が真空排気処
理温度に達すると循環ファン２４の駆動を停止するとと
もに、前記真空排気装置２９を作動させてマッフル１６
内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒとし、この間にＰＤＰ組立
体Ｐ（両ガラス基板）の脱ガスを行なう。なお、この脱
ガス工程の最終段階においてＰＤＰ組立体Ｐは約３９０
℃まで昇温し封着材４ａ，４ｂは軟化を始める。昇温後
（脱ガス完了後）、真空排気装置２９の駆動を停止し
て、前記マッフル１６内に放電ガスを供給するとともに
循環ファン２４を駆動してＰＤＰ組立体Ｐの両ガラス基
板１，２間に放電ガスを導入しながらマッフル１６内の
温度を封着処理温度である４３０℃まで徐々に昇温し、
各ガラス基板１，２を封着処理したのち最終封着材６を
軟化させる。このとき、前記シールガラス板８がスプリ
ング１１の押圧力で通気孔３を封止して放電ガスをＰＤ
Ｐ組立体Ｐ内に封入する。
理温度に達すると循環ファン２４の駆動を停止するとと
もに、前記真空排気装置２９を作動させてマッフル１６
内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒとし、この間にＰＤＰ組立
体Ｐ（両ガラス基板）の脱ガスを行なう。なお、この脱
ガス工程の最終段階においてＰＤＰ組立体Ｐは約３９０
℃まで昇温し封着材４ａ，４ｂは軟化を始める。昇温後
（脱ガス完了後）、真空排気装置２９の駆動を停止し
て、前記マッフル１６内に放電ガスを供給するとともに
循環ファン２４を駆動してＰＤＰ組立体Ｐの両ガラス基
板１，２間に放電ガスを導入しながらマッフル１６内の
温度を封着処理温度である４３０℃まで徐々に昇温し、
各ガラス基板１，２を封着処理したのち最終封着材６を
軟化させる。このとき、前記シールガラス板８がスプリ
ング１１の押圧力で通気孔３を封止して放電ガスをＰＤ
Ｐ組立体Ｐ内に封入する。
【００２０】ところで、前記放電ガスの供給は、ＰＤＰ
内の圧力が常温時に所定圧力（４００〜５００Ｔｏｒ
ｒ）となるようにするもので、たとえば、供給開始時の
炉内温度が３９０℃で、前記所定圧力が５００Ｔｏｒｒ
であれば、炉内圧力が約１１３１Ｔｏｒｒとなるように
供給する。なお、供給開始時点から封着材が固化する温
度までの期間は、炉内温度に基づき炉内圧力を制御し
て、常に炉内圧力が前記所定圧力に対応するようにして
いる。
内の圧力が常温時に所定圧力（４００〜５００Ｔｏｒ
ｒ）となるようにするもので、たとえば、供給開始時の
炉内温度が３９０℃で、前記所定圧力が５００Ｔｏｒｒ
であれば、炉内圧力が約１１３１Ｔｏｒｒとなるように
供給する。なお、供給開始時点から封着材が固化する温
度までの期間は、炉内温度に基づき炉内圧力を制御し
て、常に炉内圧力が前記所定圧力に対応するようにして
いる。
【００２１】前記のようにして、ＰＤＰ内への放電ガス
封入完了後（最終封着処理完了後）、前記冷却ファンＦ
を駆動して前記マッフル１６と炉本体１０の内壁間に冷
却用気体を供給するとともに前記循環ファン２４を駆動
して所定の冷却速度でもってＰＤＰを対流冷却し、その
間に一部気体を排気管１２から放出しつつＰＤＰを約５
０℃まで冷却する一方、マッフル１６内にパージガス源
３１Ｂからパージガスを供給してマッフル１６内の放電
ガスを放電ガス精製機３３へ供給再生して放電ガス源３
１Ｃに貯蔵し、次の放電ガス供給に再利用される。
封入完了後（最終封着処理完了後）、前記冷却ファンＦ
を駆動して前記マッフル１６と炉本体１０の内壁間に冷
却用気体を供給するとともに前記循環ファン２４を駆動
して所定の冷却速度でもってＰＤＰを対流冷却し、その
間に一部気体を排気管１２から放出しつつＰＤＰを約５
０℃まで冷却する一方、マッフル１６内にパージガス源
３１Ｂからパージガスを供給してマッフル１６内の放電
ガスを放電ガス精製機３３へ供給再生して放電ガス源３
１Ｃに貯蔵し、次の放電ガス供給に再利用される。
【００２２】このようにして、ＰＤＰの一連の処理サイ
クルが完了すると、循環ファン２４、および冷却ファン
Ｆの駆動とパージガスの供給を停止したのちクラッチ装
置１５を解除し、チャージカー２０を後退させて放電ガ
スが封入されたＰＤＰを抽出するものである。
クルが完了すると、循環ファン２４、および冷却ファン
Ｆの駆動とパージガスの供給を停止したのちクラッチ装
置１５を解除し、チャージカー２０を後退させて放電ガ
スが封入されたＰＤＰを抽出するものである。
【００２３】なお、前記実施の形態では、単一のＰＤＰ
製造用炉Ｔについて述べたが、前記扉１８側を対向させ
た一対の前記ＰＤＰ製造用炉Ｔ，Ｔを複数対並列して設
置し、一対のＰＤＰ製造用炉Ｔの一方が操業中には他方
の扉１８を開放できるように配設しておけば、多数のＰ
ＤＰ組立体Ｐを効率よく、かつ、小スペースで処理する
ことができる。また、ＰＤＰ組立体Ｐは前述した構成の
ものに限定されないことは勿論である。
製造用炉Ｔについて述べたが、前記扉１８側を対向させ
た一対の前記ＰＤＰ製造用炉Ｔ，Ｔを複数対並列して設
置し、一対のＰＤＰ製造用炉Ｔの一方が操業中には他方
の扉１８を開放できるように配設しておけば、多数のＰ
ＤＰ組立体Ｐを効率よく、かつ、小スペースで処理する
ことができる。また、ＰＤＰ組立体Ｐは前述した構成の
ものに限定されないことは勿論である。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、ＰＤＰ組立体の昇温時およびＰＤＰの冷却時に
それぞれ対流加熱あるいは対流冷却を行なうため、炉内
でのＰＤＰ組立体（あるいはＰＤＰ）の載置位置が行な
っても温度ムラを解消して不良品の発生を軽減するとと
もに昇温・冷却時間を短縮することができ、生産性を向
上させることができる。
よれば、ＰＤＰ組立体の昇温時およびＰＤＰの冷却時に
それぞれ対流加熱あるいは対流冷却を行なうため、炉内
でのＰＤＰ組立体（あるいはＰＤＰ）の載置位置が行な
っても温度ムラを解消して不良品の発生を軽減するとと
もに昇温・冷却時間を短縮することができ、生産性を向
上させることができる。
【図１】 本発明にかかるプラズマディスプレイパネル
製造用炉の断面図。
製造用炉の断面図。
【図２】 図１のＩ−Ｉ線断面図。
【図３】 プラズマディスプレイパネル製造用炉の開扉
状態の側面図。
状態の側面図。
【図４】 図１の各種ガス供給・回収系および炉内排気
系を示す図。
系を示す図。
【図５】 ヒートプロファイル。
【図６】 プラズマディスプレイパネル組立体の一部断
面図。
面図。
【図７】 （Ａ），（Ｂ）は最終封着材の斜視図。
Ｆ…冷却ファン、Ｐ…プラズマディスプレイパネル組立
体、１…表面ガラス基板、２…裏面ガラス基板、１０…
炉本体、１１…開口部、１２…排気管、１３…ヒータ、
１４…冷却用気体供給管、１６…マッフル、１７…バッ
フル、１８…扉、１９…断熱材、２０…チャージカー、
２４…循環ファン、２６…フード、２７…台車、２８…
架台、２９…真空排気装置、３０…真空排気管、３２ａ
…保護雰囲気ガス供給管、３２ｂ…パージガス供給管、
３２ｃ…放電ガス供給管、３２ｄ…放電ガス回収管、３
３…放電ガス精製機。
体、１…表面ガラス基板、２…裏面ガラス基板、１０…
炉本体、１１…開口部、１２…排気管、１３…ヒータ、
１４…冷却用気体供給管、１６…マッフル、１７…バッ
フル、１８…扉、１９…断熱材、２０…チャージカー、
２４…循環ファン、２６…フード、２７…台車、２８…
架台、２９…真空排気装置、３０…真空排気管、３２ａ
…保護雰囲気ガス供給管、３２ｂ…パージガス供給管、
３２ｃ…放電ガス供給管、３２ｄ…放電ガス回収管、３
３…放電ガス精製機。
Claims (2)
- 【請求項１】 表面ガラス基板と裏面ガラス基板とから
なるプラズマディスプレイパネル組立体を密閉空間に位
置させて、当該密閉空間を真空排気したのち放電ガスを
供給し、その後、前記プラズマディスプレイパネル組立
体を封着するプラズマディスプレイパネルの製造方法に
おいて、プラズマディスプレイパネル組立体を真空排気
処理温度近傍まで２００から７６０Ｔｏｒｒの保護雰囲
気下で対流加熱する一方、封着処理後の冷却を放電ガス
雰囲気下で対流冷却するとともに前記放電ガスを精製回
収することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項２】 炉内壁近傍にヒータを配置した側部装入
式バッチ炉の炉本体内に、パージガス供給管、放電ガス
供給管、放電ガス回収管および真空排気管を連結したマ
ッフルを設け、このマッフル内に複数のプラズマディス
プレイパネル組立体を収納するバッフルを配設する一
方、炉内壁とマッフルとで形成される空間に排気管およ
び冷却用気体供給管を連結するとともに、断熱材を内張
した進退可能な扉に循環ファンと前記バッフル内にプラ
ズマディスプレイパネル組立体を装入・取出しする台車
を設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル
の製造用炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2363399A JP2000223022A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造用炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2363399A JP2000223022A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造用炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223022A true JP2000223022A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12115997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2363399A Pending JP2000223022A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造用炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008027641A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Chugai Ro Co Ltd | ガス封入装置 |
| WO2011061921A1 (ja) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造装置 |
-
1999
- 1999-02-01 JP JP2363399A patent/JP2000223022A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008027641A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Chugai Ro Co Ltd | ガス封入装置 |
| WO2011061921A1 (ja) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造装置 |
| CN102272877A (zh) * | 2009-11-20 | 2011-12-07 | 松下电器产业株式会社 | 等离子显示面板的制造方法及其制造装置 |
| JP4947242B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2012-06-06 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造装置 |
| US8262429B2 (en) | 2009-11-20 | 2012-09-11 | Panasonic Corporation | Method and apparatus for producing plasma display panel |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Effective date: 20050802 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080708 |
|
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