JP2000040470A - プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の焼成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の焼成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネル内への不純ガス
の混入を少なくすることのできるプラズマディスプレイ
パネル用ガラス基板の焼成方法を提供する。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネル用ガラス基
板Ｗ上に形成された被焼成物質を焼成するに際し、ガラ
ス基板を大気圧下で前記被焼成物質の焼成温度域に所定
時間保持して被焼成物質を焼成したのち、前記焼成温度
域以下の高温状態を維持しながら減圧下で所定時間保持
して前記被焼成物質から発生する分解ガスの残留分を真
空排気し、その後、大気圧下で所定温度まで冷却するプ
ラズマディスプレイパネル用ガラス基板の焼成方法。
の混入を少なくすることのできるプラズマディスプレイ
パネル用ガラス基板の焼成方法を提供する。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネル用ガラス基
板Ｗ上に形成された被焼成物質を焼成するに際し、ガラ
ス基板を大気圧下で前記被焼成物質の焼成温度域に所定
時間保持して被焼成物質を焼成したのち、前記焼成温度
域以下の高温状態を維持しながら減圧下で所定時間保持
して前記被焼成物質から発生する分解ガスの残留分を真
空排気し、その後、大気圧下で所定温度まで冷却するプ
ラズマディスプレイパネル用ガラス基板の焼成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰという）用ガラス基板の焼成
（仮焼成を含む）方法に関するものである。
レイパネル（以下、ＰＤＰという）用ガラス基板の焼成
（仮焼成を含む）方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰは、対向するガラス基板の少なく
とも一方に、多数の隔壁、電極、誘電体あるいは蛍光体
を焼成炉内で加熱して焼成し、その後、このガラス基板
の縁部に封着剤であるフリットシールを仮焼成し、他方
のガラス基板とを合わせて組立体とし、この組立体を封
着炉内で加熱して封着処理することにより一体化し、そ
してチップ管等で組立体内を真空排気したのち発光ガス
を封入するものである。
とも一方に、多数の隔壁、電極、誘電体あるいは蛍光体
を焼成炉内で加熱して焼成し、その後、このガラス基板
の縁部に封着剤であるフリットシールを仮焼成し、他方
のガラス基板とを合わせて組立体とし、この組立体を封
着炉内で加熱して封着処理することにより一体化し、そ
してチップ管等で組立体内を真空排気したのち発光ガス
を封入するものである。
【０００３】なお、前記隔壁やフリットシール等の被焼
成物質は、たとえば、複合系低融点ガラス（ＰｂＯ，Ｂ
2Ｏ3系低融点ガラス粉末と特殊セラミック粉末とを混合
したもの）に、合成樹脂バインダーを溶剤に溶解したビ
ークルを加えて混練したペースト状のものである。
成物質は、たとえば、複合系低融点ガラス（ＰｂＯ，Ｂ
2Ｏ3系低融点ガラス粉末と特殊セラミック粉末とを混合
したもの）に、合成樹脂バインダーを溶剤に溶解したビ
ークルを加えて混練したペースト状のものである。
【０００４】ところで、前記焼成工程は被焼成物質に対
応する焼成温度で所定時間保持することで、合成樹脂バ
インダーなどの被焼成物質に含まれている有機物を分解
させて除去するもので、焼成炉内にクリーンエア、例え
ば、ＪＩＳＢ９９２０で示される清浄度クラス７で露点
−１０℃のエアを供給しながら大気圧下で行なわれてい
る。
応する焼成温度で所定時間保持することで、合成樹脂バ
インダーなどの被焼成物質に含まれている有機物を分解
させて除去するもので、焼成炉内にクリーンエア、例え
ば、ＪＩＳＢ９９２０で示される清浄度クラス７で露点
−１０℃のエアを供給しながら大気圧下で行なわれてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記方
法で得たＰＤＰは発光状態の劣化が見られ、短寿命にな
るという課題を有していた。この原因について検討した
ところ、たとえば、隔壁の焼成工程では焼成温度（５５
０〜５８０℃）への昇温時、ペースト中の合成樹脂バイ
ンダーなどの有機物の大部分が約２５０〜３５０℃で空
気と反応して熱・酸化分解されて除去されるが、隔壁の
表面は微細な凹凸状態となっていることから、分解ガス
が隔壁表面の凹凸部に付着した状態であること、また、
フリットシールの仮焼成工程では、仮焼成温度（３７０
〜４８０℃）への昇温時、前記同様に熱・酸化分解さ
れ、この分解ガス（Ｈ2Ｏ，ＣＯ2，Ｎ2等）の放出によ
りフリットシール内がポーラス状態となり、放出された
分解ガスがフリットシール内のポーラス部に残留した状
態となっていること、さらには、前記のようにして得ら
れたガラス基板（背面ガラス基板）と他のガラス基板
（前面ガラス基板）とを封着処理したのち、ＰＤＰ内を
排気管を介して排気ヘッダー部で１×１０-7Ｔｏｒｒ程
度まで真空排気するが、ＰＤＰ内は極めて細長い、例え
ば、４２インチパネルでは２５０μｍ幅×１２０μｍ高
×５００ｍｍ長の多数の空間で形成されているため、Ｐ
ＤＰ中央部では１×１０-2〜１×１０-3Ｔｏｒｒ程度の
排気となっており、そのため周知の方法で一体化して得
られたＰＤＰは、その使用中にＰＤＰ放電のエネルギー
により隔壁表面あるいはフリットシール内などの焼成物
質に残留する分解ガスの一部がＰＤＰ内に放出され、こ
の分解ガスが前面ガラス基板の保護膜（ＭｇＯ膜）に吸
着し、また発光ガスに混入して発光状態の劣化および寿
命が短くなるという知見を得た。したがって、本発明
は、被焼成物質の焼成終了後に高温状態を維持したまま
減圧して、前記残留分解ガスを強制的に真空排気するよ
うにして前記課題を解決するＰＤＰ用ガラス基板の焼成
方法を提供することを目的とする。
法で得たＰＤＰは発光状態の劣化が見られ、短寿命にな
るという課題を有していた。この原因について検討した
ところ、たとえば、隔壁の焼成工程では焼成温度（５５
０〜５８０℃）への昇温時、ペースト中の合成樹脂バイ
ンダーなどの有機物の大部分が約２５０〜３５０℃で空
気と反応して熱・酸化分解されて除去されるが、隔壁の
表面は微細な凹凸状態となっていることから、分解ガス
が隔壁表面の凹凸部に付着した状態であること、また、
フリットシールの仮焼成工程では、仮焼成温度（３７０
〜４８０℃）への昇温時、前記同様に熱・酸化分解さ
れ、この分解ガス（Ｈ2Ｏ，ＣＯ2，Ｎ2等）の放出によ
りフリットシール内がポーラス状態となり、放出された
分解ガスがフリットシール内のポーラス部に残留した状
態となっていること、さらには、前記のようにして得ら
れたガラス基板（背面ガラス基板）と他のガラス基板
（前面ガラス基板）とを封着処理したのち、ＰＤＰ内を
排気管を介して排気ヘッダー部で１×１０-7Ｔｏｒｒ程
度まで真空排気するが、ＰＤＰ内は極めて細長い、例え
ば、４２インチパネルでは２５０μｍ幅×１２０μｍ高
×５００ｍｍ長の多数の空間で形成されているため、Ｐ
ＤＰ中央部では１×１０-2〜１×１０-3Ｔｏｒｒ程度の
排気となっており、そのため周知の方法で一体化して得
られたＰＤＰは、その使用中にＰＤＰ放電のエネルギー
により隔壁表面あるいはフリットシール内などの焼成物
質に残留する分解ガスの一部がＰＤＰ内に放出され、こ
の分解ガスが前面ガラス基板の保護膜（ＭｇＯ膜）に吸
着し、また発光ガスに混入して発光状態の劣化および寿
命が短くなるという知見を得た。したがって、本発明
は、被焼成物質の焼成終了後に高温状態を維持したまま
減圧して、前記残留分解ガスを強制的に真空排気するよ
うにして前記課題を解決するＰＤＰ用ガラス基板の焼成
方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板
上に形成された被焼成物質を焼成するに際し、前記ガラ
ス基板を大気圧下で前記被焼成物質の焼成温度域に所定
時間保持して被焼成物質を焼成したのち、前記焼成温度
域以下の高温状態を維持しながら減圧下で所定時間保持
して前記被焼成物質から発生する分解ガスの残留分を真
空排気し、その後、大気圧下で所定温度まで冷却するよ
うにしたものである。また、前記被焼成物質がシールフ
リットであることが好ましい。
するために、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板
上に形成された被焼成物質を焼成するに際し、前記ガラ
ス基板を大気圧下で前記被焼成物質の焼成温度域に所定
時間保持して被焼成物質を焼成したのち、前記焼成温度
域以下の高温状態を維持しながら減圧下で所定時間保持
して前記被焼成物質から発生する分解ガスの残留分を真
空排気し、その後、大気圧下で所定温度まで冷却するよ
うにしたものである。また、前記被焼成物質がシールフ
リットであることが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明のＰＤＰ用ガラス
基板の焼成方法を図１〜図４にしたがって説明する。
基板の焼成方法を図１〜図４にしたがって説明する。
【０００８】図１はローラハース型連続焼成炉Ｔを示
し、炉内は焼成室Ａ、第１置換室Ｂ、真空排気室Ｃ、第
２置換室Ｄと冷却室Ｅとに区分されている。そして、前
記焼成室Ａは図２に示すように、マッフル１が設けら
れ、炉天井部に循環ファン２が設けられ、マッフル１内
にはフィルタ３が設けられ、かつ、炉壁とマッフル１と
の間にはラジアントチューブバーナ４が設けられ、ラジ
アントチューブバーナ４と循環ファン２とにより高温の
室内雰囲気を矢印方向に循環してガラス基板Ｗ上に形成
された被焼成物質を焼成するものである。
し、炉内は焼成室Ａ、第１置換室Ｂ、真空排気室Ｃ、第
２置換室Ｄと冷却室Ｅとに区分されている。そして、前
記焼成室Ａは図２に示すように、マッフル１が設けら
れ、炉天井部に循環ファン２が設けられ、マッフル１内
にはフィルタ３が設けられ、かつ、炉壁とマッフル１と
の間にはラジアントチューブバーナ４が設けられ、ラジ
アントチューブバーナ４と循環ファン２とにより高温の
室内雰囲気を矢印方向に循環してガラス基板Ｗ上に形成
された被焼成物質を焼成するものである。
【０００９】また、焼成室Ａ内は仕切壁５により区画さ
れるとともに、各区画室に、ＪＩＳＢ９９２０で示され
る清浄度クラス７で露点−１０℃のクリーンエアーが供
給管６から供給され、焼成室Ａ内の雰囲気は排出管７か
ら排出されている。なお、前記冷却室Ｅも焼成室Ａと同
一構成からなり、ただ、ラジアントチューブバーナの代
わりに冷却器（図示せず）となっている。なお、１２は
ハースローラである。
れるとともに、各区画室に、ＪＩＳＢ９９２０で示され
る清浄度クラス７で露点−１０℃のクリーンエアーが供
給管６から供給され、焼成室Ａ内の雰囲気は排出管７か
ら排出されている。なお、前記冷却室Ｅも焼成室Ａと同
一構成からなり、ただ、ラジアントチューブバーナの代
わりに冷却器（図示せず）となっている。なお、１２は
ハースローラである。
【００１０】前記第１，第２置換室Ｂ，Ｄおよび真空排
気室Ｃは、大略同一構成からなり図３に示すように、室
内にはラジエーションシールド８が設けられ、その内側
にはヒータ９が設けられ、室内は真空排気装置１０によ
り真空排気されるようになっている。また、室内には供
給管１１から復圧用の前述したクリーンエアーが供給さ
れるようになっている。
気室Ｃは、大略同一構成からなり図３に示すように、室
内にはラジエーションシールド８が設けられ、その内側
にはヒータ９が設けられ、室内は真空排気装置１０によ
り真空排気されるようになっている。また、室内には供
給管１１から復圧用の前述したクリーンエアーが供給さ
れるようになっている。
【００１１】つぎに、前記ローラハース型連続焼成炉Ｔ
により、ガラス基板Ｗに塗布したフリットシール（封着
剤）の仮焼成方法を説明する。まず、電極、誘電体、隔
壁および蛍光体をすでに焼成した背面ガラス基板Ｗ上の
外縁部に封着剤である前記被焼成物質（ペースト）を、
ディスペンサーあるいはスクリーン印刷法等により塗布
したのち、１００℃〜１５０℃で１０〜１５分間乾燥処
理を行なう。
により、ガラス基板Ｗに塗布したフリットシール（封着
剤）の仮焼成方法を説明する。まず、電極、誘電体、隔
壁および蛍光体をすでに焼成した背面ガラス基板Ｗ上の
外縁部に封着剤である前記被焼成物質（ペースト）を、
ディスペンサーあるいはスクリーン印刷法等により塗布
したのち、１００℃〜１５０℃で１０〜１５分間乾燥処
理を行なう。
【００１２】ついで、前記乾燥処理を経たガラス基板Ｗ
は、治具にほぼ垂直状態に保持し、装入扉１３から焼成
室Ａに装入され、５〜１２℃／分の昇温速度で加熱さ
れ、封着剤中の合成樹脂バインダーの熱・酸化分解温度
域（３１０〜３５０℃）に達すると、所定時間（２０〜
３０分）均熱される。この均熱時に、前記合成樹脂バイ
ンダーは熱・酸化分解されて大半が気化し、室内雰囲気
とともに炉外に排出される。
は、治具にほぼ垂直状態に保持し、装入扉１３から焼成
室Ａに装入され、５〜１２℃／分の昇温速度で加熱さ
れ、封着剤中の合成樹脂バインダーの熱・酸化分解温度
域（３１０〜３５０℃）に達すると、所定時間（２０〜
３０分）均熱される。この均熱時に、前記合成樹脂バイ
ンダーは熱・酸化分解されて大半が気化し、室内雰囲気
とともに炉外に排出される。
【００１３】その後、ガラス基板Ｗは、２〜８℃／分の
昇温速度で仮焼成温度（３７０〜４８０℃）まで加熱さ
れ、所定時間（２０〜３０分）保持され仮焼成される。
この保持期間にも残りの合成樹脂バインダーが熱・酸化
分解して分解ガスを放出しながら溶着するため、封着剤
はポーラス状態となっている。
昇温速度で仮焼成温度（３７０〜４８０℃）まで加熱さ
れ、所定時間（２０〜３０分）保持され仮焼成される。
この保持期間にも残りの合成樹脂バインダーが熱・酸化
分解して分解ガスを放出しながら溶着するため、封着剤
はポーラス状態となっている。
【００１４】前記のようにして封着剤の仮焼成が完了し
たガラス基板Ｗは、第１置換室（減圧室）Ｂへ移行す
る。この場合、第１置換室Ｂは焼成室Ａと同圧（大気
圧）で、かつ、ほぼ前記焼成温度となっている。そし
て、移行に際しては、焼成室Ａの抽出扉１４と第１置換
室Ｂの装入扉１５を開としてガラス基板Ｗを移行させ、
移行が終了すると、前記両扉１４，１５を閉とし、その
後、第１置換室Ｂ内を真空排気装置１０により下記する
真空排気室Ｃとほぼ同圧（約１０-5Ｔｏｒｒ）としたう
えで第１置換室Ｂの抽出扉１６および真空排気室Ｃの装
入扉１７を開とし、ガラス基板Ｗを真空排気室Ｃ内に移
行させる。この真空排気室Ｃは室内を真空排気装置１０
により約１０-5Ｔｏｒｒ以下に維持されるとともに、室
温は前記焼成温度に維持されている。前記ガラス基板Ｗ
はこの真空排気室Ｃで所定時間（８０〜２００分）保持
され、その間に、電極、誘電体、隔壁蛍光体あるいは仮
焼成された封着剤の表面やポーラス部に残留する分解ガ
ス等が強制的に排除される。なお、この真空排気期間、
クリーンエアを断続的あるいは連続して供給するように
してもよい。
たガラス基板Ｗは、第１置換室（減圧室）Ｂへ移行す
る。この場合、第１置換室Ｂは焼成室Ａと同圧（大気
圧）で、かつ、ほぼ前記焼成温度となっている。そし
て、移行に際しては、焼成室Ａの抽出扉１４と第１置換
室Ｂの装入扉１５を開としてガラス基板Ｗを移行させ、
移行が終了すると、前記両扉１４，１５を閉とし、その
後、第１置換室Ｂ内を真空排気装置１０により下記する
真空排気室Ｃとほぼ同圧（約１０-5Ｔｏｒｒ）としたう
えで第１置換室Ｂの抽出扉１６および真空排気室Ｃの装
入扉１７を開とし、ガラス基板Ｗを真空排気室Ｃ内に移
行させる。この真空排気室Ｃは室内を真空排気装置１０
により約１０-5Ｔｏｒｒ以下に維持されるとともに、室
温は前記焼成温度に維持されている。前記ガラス基板Ｗ
はこの真空排気室Ｃで所定時間（８０〜２００分）保持
され、その間に、電極、誘電体、隔壁蛍光体あるいは仮
焼成された封着剤の表面やポーラス部に残留する分解ガ
ス等が強制的に排除される。なお、この真空排気期間、
クリーンエアを断続的あるいは連続して供給するように
してもよい。
【００１５】なお、前記第１置換室Ｂはその抽出扉１６
を閉としたのちクリーンエアーを導入して復圧させ、つ
ぎのガラス基板Ｗの受入れに待機する。
を閉としたのちクリーンエアーを導入して復圧させ、つ
ぎのガラス基板Ｗの受入れに待機する。
【００１６】前記のようにして真空排気処理が終了する
と、第２置換室Ｂを前記真空排気室Ｃとほぼ同圧（約１
０-5Ｔｏｒｒ）にしたのち、真空排気室Ｃの抽出扉１８
および第２置換室Ｄの装入扉１９を開として真空排気処
理の終了したガラス基板Ｗは第２置換室Ｄに移行させ、
移行終了後、前記両扉１８，１９を閉とする。
と、第２置換室Ｂを前記真空排気室Ｃとほぼ同圧（約１
０-5Ｔｏｒｒ）にしたのち、真空排気室Ｃの抽出扉１８
および第２置換室Ｄの装入扉１９を開として真空排気処
理の終了したガラス基板Ｗは第２置換室Ｄに移行させ、
移行終了後、前記両扉１８，１９を閉とする。
【００１７】その後、第２置換室Ｄ内にクリーンエアを
供給して冷却室Ｅとほぼ同圧（大気圧）としたのち、第
２置換室Ｄの抽出扉２０と冷却室Ｅの装入扉２１とを開
としてガラス基板Ｗを冷却室Ｅに移行させる。移行が終
了すると、前記両扉２０，２１を閉とし、第２置換室Ｄ
を再度真空排気室Ｃとほぼ同圧になるよう真空排気し、
つぎのガラス基板Ｗの受入れに待機する。
供給して冷却室Ｅとほぼ同圧（大気圧）としたのち、第
２置換室Ｄの抽出扉２０と冷却室Ｅの装入扉２１とを開
としてガラス基板Ｗを冷却室Ｅに移行させる。移行が終
了すると、前記両扉２０，２１を閉とし、第２置換室Ｄ
を再度真空排気室Ｃとほぼ同圧になるよう真空排気し、
つぎのガラス基板Ｗの受入れに待機する。
【００１８】そして、前記ガラス基板Ｗは冷却室Ｅにて
約１００℃まで冷却されると抽出扉２２を開として炉外
に抽出され、次工程に搬送される。
約１００℃まで冷却されると抽出扉２２を開として炉外
に抽出され、次工程に搬送される。
【００１９】その後、従来と同様、このガラス基板（背
面ガラス基板）Ｗの前面に前面ガラス基板を組み立て、
この組立体を封着温度に加熱することにより封着し、封
着されたパネル内を真空排気するとともにパネル内に発
光ガスを封入してＰＤＰとするものである。
面ガラス基板）Ｗの前面に前面ガラス基板を組み立て、
この組立体を封着温度に加熱することにより封着し、封
着されたパネル内を真空排気するとともにパネル内に発
光ガスを封入してＰＤＰとするものである。
【００２０】なお、前記実施の形態では、ＰＤＰ用ガラ
ス基板におけるフリットシール（封着剤）の仮焼成につ
いて述べたが、前記ローラハース型連続焼成炉を用い、
焼成温度等を調整することにより、電極、誘電体、隔壁
の焼成、あるいは両ガラス基板の封着工程を行なっても
よい。
ス基板におけるフリットシール（封着剤）の仮焼成につ
いて述べたが、前記ローラハース型連続焼成炉を用い、
焼成温度等を調整することにより、電極、誘電体、隔壁
の焼成、あるいは両ガラス基板の封着工程を行なっても
よい。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、焼成処理完了後、焼成温度を保持しつつ一定時
間減圧とし、電極、誘電体、隔壁等の焼成体あるいはシ
ールフリットの仮焼成体の表面凹凸部に付着したり、ポ
ーラス部に残留する分解ガスを強制的に除去するため、
ＰＤＰの使用中に分解ガスが放出されることが軽減さ
れ、発光状態の劣化を防止するとともに、長寿命化を図
ることができる。また、被焼成物質がシールフリットで
あれば、シールフリットの仮焼成工程が隔壁等を形成す
るガラス基板（背面ガラス基板）の最後の焼成工程であ
ることから、仮に隔壁等の焼成時に真空排気処理を実施
しなくても、隔壁等に付着あるいは残留している分解ガ
スを強制的に除去できるため、焼成処理の効率化を図る
ことができる。
よれば、焼成処理完了後、焼成温度を保持しつつ一定時
間減圧とし、電極、誘電体、隔壁等の焼成体あるいはシ
ールフリットの仮焼成体の表面凹凸部に付着したり、ポ
ーラス部に残留する分解ガスを強制的に除去するため、
ＰＤＰの使用中に分解ガスが放出されることが軽減さ
れ、発光状態の劣化を防止するとともに、長寿命化を図
ることができる。また、被焼成物質がシールフリットで
あれば、シールフリットの仮焼成工程が隔壁等を形成す
るガラス基板（背面ガラス基板）の最後の焼成工程であ
ることから、仮に隔壁等の焼成時に真空排気処理を実施
しなくても、隔壁等に付着あるいは残留している分解ガ
スを強制的に除去できるため、焼成処理の効率化を図る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を実施するローラハース型連続焼成
炉。
炉。
【図２】 図１のＩ−Ｉ線断面図。
【図３】 図１のII−II線断面図。
【図４】 ヒートパターン。
Ａ…焼成室、Ｂ…第１置換室、Ｃ…真空排気室、Ｄ…第
２置換室、Ｅ…冷却室、Ｔ…ローラハース型連続焼成
炉、Ｗ…ガラス基板。
２置換室、Ｅ…冷却室、Ｔ…ローラハース型連続焼成
炉、Ｗ…ガラス基板。
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマディスプレイパネル用ガラス基
板上に形成された被焼成物質を焼成するに際し、前記ガ
ラス基板を大気圧下で前記被焼成物質の焼成温度域に所
定時間保持して被焼成物質を焼成したのち、前記焼成温
度域以下の高温状態を維持しながら減圧下で所定時間保
持して前記被焼成物質から発生する分解ガスの残留分を
真空排気し、その後、大気圧下で所定温度まで冷却する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用ガラス
基板の焼成方法。 - 【請求項２】 前記被焼成物質がシールフリットである
ことを特徴とする前記請求項１に記載のプラズマディス
プレイパネル用ガラス基板の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20791498A JP2000040470A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20791498A JP2000040470A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040470A true JP2000040470A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=16547662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20791498A Pending JP2000040470A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000040470A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068199A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルの製造方法および製造装置 |
| EP1300373A1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-04-09 | Nec Corporation | Method for forming a dielectric film |
| JP2010144939A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Tohoku Univ | 循環式の基板焼成炉 |
-
1998
- 1998-07-23 JP JP20791498A patent/JP2000040470A/ja active Pending
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