JPH1179768A - ガラスパネルの処理方法 - Google Patents
ガラスパネルの処理方法Info
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Abstract
つ生産性を高めて製造する方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板W1とチップ管付ガラス基板
W2とのいずれか一方の対向周縁部に封着剤Sを塗布し
て両ガラス基板を治具Kにより一体化したガラスパネル
組立体P1を、排気カート10上に前記ガラスパネル組
立体が炉内に位置するように保持するとともに、前記チ
ップ管Paを真空排気系14と放電ガス供給系15に切
換可能に接合し、前記排気処理したのち前記ガラスパネ
ル内に放電ガスを供給し、その後、チップ管を封じ切る
ガラスパネルの処理方法。
Description
理方法に関するものである。
ディスプレイパネル(以下、PDPという)等のガラス
パネルの製造工程には、ガラス基板とチップ管付ガラス
基板とのいずれか一方の対向周縁部に封着剤を塗布して
両ガラス基板をクリップ等の治具により一体化したガラ
スパネル組立体を封着する工程、封着したガラスパネル
の内部をチップ管を介して真空排気する工程およびその
後にチップ管を封じ切る工程がある。そして、前記封着
処理は、前記ガラスパネル組立体をバッチ式封着炉内に
装入してこのガラスパネル組立体を所定温度(封着処理
温度)に加熱することにより両ガラス基板を封着してガ
ラスパネルとし、また、前記排気処理は、複数の前記チ
ップ管付ガラスパネルをバッチ式排気炉内に装入して前
記ガラスパネルを所定温度(排気処理温度)に加熱しつ
つチップ管に接続した真空排気装置を駆動させることで
前記ガラスパネル内を真空排気した後に、チップ管を封
じ切ることでガラスパネルとするものである。また、P
DPの製造工程においては、真空排気工程後に、ガラス
パネル内に放電ガスを所定圧(400〜600Tor
r)まで封入する工程を実施し、その後にチップ管を封
じ切るものである。
着処理および排気処理は、それぞれ専用炉でバッチ処理
するため、処理毎に、炉内の昇温と降温とを繰り返すこ
とになり、熱効率が悪いとともに生産性が非常に悪いと
いう問題がある。そこで、本発明者らは前記問題を解決
すべく種々検討の結果、ブラウン管の製造において、最
終処理工程でブラウン管の内部を所定の真空度とするた
めに、たとえば、実公昭63−45728号公報等で示
すように、排気手段を搭載した排気カート上にブラウン
管を取り付け、この排気カートを順次炉内走行させ、炉
内に位置するブラウン管を加熱しながら排気させる連続
排気処理方法の存在に着目した。この処理方法は、ブラ
ウン管内の排気処理のみを目的とするため、ガラスパネ
ルのように封着処理に引続き排気処理した後に、チップ
管の封じ切り処理を、また、前記排気処理に引続き放電
ガスの封入処理を行なったのちチップ管の封じ切り処理
を行なうことができない。しかしながら、排気カートの
排気手段の作動時期と炉内温度を制御することにより、
一連の連続処理工程で封着処理を行なったのちガラスパ
ネル組立体の内部を排気し、その後、チップ管を封じ切
ることができること、および放電ガス供給手段を搭載す
ることで、ガラスパネル内を真空排気したのち放電ガス
を封入し、その後、チップ管を封じ切ることによりPD
Pとすることができることを見出して本発明を完成した
ものである。
は、ガラス基板とチップ管付ガラス基板のいずれか一方
の対向周縁部に封着剤を塗布して両ガラス基板を治具に
より一体化したガラスパネル組立体を、排気カート上に
前記ガラスパネル組立体が炉内に位置するように保持す
るとともに、前記チップ管を真空排気系に接続して前記
排気カートを炉内走行させながら封着処理し、その後、
真空排気系によりガラスパネル内を排気処理したのち、
前記チップ管を封じ切るものである。請求項2の発明
は、請求項1の発明において、前記チップ管を真空排気
系と放電ガス供給系に切換可能に接合し、前記排気処理
したのち前記ガラスパネル内に放電ガスを供給し、その
後、チップ管を封じ切るものである。
いて図にしたがって説明する。
Pを採用する場合であって、図において、Tは封着・排
気炉で、炉床に開口部7を全長にわたって有するととも
に各々複数の室からなる封着処理ゾーンA、排気ゾーン
Bおよび冷却ゾーンCとからなる。そして、封着処理ゾ
ーンAと排気ゾーンBは、図2に示すように、炉内には
循環バッフル1が設けられるとともに、循環通路2にラ
ジアントチューブバーナまたは電熱ヒータ等の熱源3が
配置され、炉内の雰囲気は循環ファン4により吸入口5
から吸引され、前記熱源3により加熱され、吐出口6か
ら吐出することにより炉内を循環し、下記するPDP組
立体P1を加熱する。
A,排気ゾーンBにおける熱源3に加えて冷却チューブ
等の冷却源(図示せず)を有するもので、他の構成は前
記封着処理ゾーンA(排気ゾーンB)と同一である。
に、表面ガラス基板W1とチップ管Pa付背面ガラス基
板W2とのいずれか一方の対向する外縁部に、複合系低
融点ガラス(PbO・B2O3系低融点ガラス粉末と特殊
セラミック粉末とを混合したもの)に、合成樹脂バイン
ダを溶剤に溶解したビークルを加えて混練した封着剤S
を塗布して重ね合わせ、クリップ等の治具Kにより一体
に固定したものである。図に示すものは、チップ管Pa
部分に適用する治具Kで、チップ管Pa側の一片aにチ
ップ管Paの径より少し大径の長孔bを設け、この長孔
b内にチップ管Paを位置させた状態で、貫通孔cを有
する保持部材dを嵌合させることでチップ管Paを支持
するようにしたものである。なお、チップ管Pa支持方
法は前記保持部材dに限らず、他の構成としてもよい。
また、PDP組立体P1を構成するガラス基板W1,W2
のいずれかに、あらかじめリブ等を形成してある。さら
に、チップ管Pa以外の部分を固定するクリップには前
記長孔bは不必要である。
に、前記封着・排気炉Tの炉床下に敷設したレールR上
をプッシャ(図示せず)により移動するもので、排気カ
ート10の上面には前記封着・排気炉Tの開口部7を貫
通して炉内に位置する支柱11aと下記するPDP組立
体P1をほぼ垂直状態で炉巾方向に保持する保持部材1
1bとからなる取付部材11が複数配設されている。ま
た、この取付部材11の支柱11aには開口部7と若干
の間隙をもって開口部7を遮蔽する断熱部材12を排気
カート10の全長にわたって備えている。
プ14を有する真空排気系と放電ガスボンベ15を有す
る放電ガス供給系とが搭載されており、両者は電磁式開
閉弁16a,16bと電磁式開閉弁17を介して接管金
具18に接続されている。さらにまた、排気カート10
には下記するPDP組立体P1のチップ管Paを溶断す
る封止ヒータ19を備えている。
は図1に示すように、封着・排気炉Tの下方と、炉の側
方にも設けられ、両端は装入,抽出トランスファーカT
f1,Tf2で接続され、前記排気カート10は循環使用
できるようになっているとともに、前記冷却ゾーンCと
抽出トランスファーカTf2との間に、放電ガス封入・
封止ゾーンZgが設けてある。
ず、前記PDP組立体P1を積込み・積卸しゾーンZで
排気カート10に積込む。この場合、前記PDP組立体
P1は図2,3に示すように、チップ管Paを断熱部材
12に設けた貫通孔13に挿通し、たとえば、図示しな
いクリップ等の適宜手段により取付部材11に固定して
排気カート10上にほぼ垂直状態でカート巾方向に載置
固定するとともに、前記チップ管Paは前記接管金具1
8に接続される。また、封止ヒータ19がチップ管Pa
部に取り付けられる。
載積した排気カート10は適宜手段で装入トランスファ
ーカTf1に至り、ここで、封着・排気炉Tの装入側に
移動し、プッシャ等により図3で示すように連結状態で
順次封着・排気炉T内に装入される。したがって、前記
開口部7は殆ど各排気カート10の断熱部材12で閉鎖
され、外気が炉内へ侵入することを防止する。前記排気
カート10が炉内に装入されると、図5に示すヒートカ
ーブにもとづいて、まず、PDP組立体P1は封着処理
ゾーンAで封着剤Sが溶融して両ガラス基板W1,W2を
封着してガラスパネルP2とする。そして、排気ゾーン
Bに至ると、前記開閉弁16aを開、前記開閉弁17を
開として各ガラスパネルP2内を真空排気ポンプ14に
連通する。各ガラスパネルP2は封着・排気炉T内を通
過する間に図5に示すヒートカーブにもとづいて加熱さ
れ、両ガラス基板W1,W2から発生するガスとともにガ
ラスパネルP2内の空気は10-4〜10-7Torrまで
排気されながら冷却ゾーンCを経て炉外に搬出され、放
電ガス封入・封止ゾーンZgに至ると、真空排気ポンプ
14を停止するとともに前記開閉弁16aを閉、16b
を開にすることにより放電ガスボンベ15からたとえ
ば、ネオン(Ne)、アルゴル(Ar)あるいはキセノ
ン(Xe)等の放電ガスをガラスパネルP2内に規定圧
力(400〜760Torr)まで封入する。
と、封止ヒータ19に通電してチップ管Paを封じ切
り、所定のPDPとする。
ァーカTf2を通って積込み・積卸しゾーンZに移行
し、ここで前記処理済PDPを積卸すとともに新規なP
DP組立体P1を積込み、前述の工程を繰り返す。
内部に放電ガスを封入するPDPの処理方法について述
べたが、放電ガス封入・封止ゾーンZgを設けることな
く排気ゾーンBにて内部を所定圧まで排気したのち真空
排気ポンプ14を停止し、封止ヒータ19に通電してチ
ップ管Paを封じ切り、所定の真空断熱ガラスパネルと
することができる。
の発明によれば、チップ管付ガラスパネル組立体は、真
空排気系を搭載した排気カートに積み込まれ、封着・排
気炉を通過する過程において、封着剤により両ガラス基
板を封着したのち、その内部を真空排気し、この真空排
気処理の後、チップ管の封止処理が行なわれる。つま
り、チップ管付ガラスパネル組立体の封着・排気および
チップ管封止工程は、排気カートの移動にもとづいて連
続的に行なわれる。このように、本発明によれば、従来
のようにバッチ処理で両ガラス基板の封着やパネル内の
排気をしないため、熱効率の向上が図れるとともに生産
性の向上を図ることができる。請求項2の発明によれ
ば、請求項1の発明に加えて排気カートに放電ガス供給
系を搭載し、前記真空排気処理の後、チップ管の封止前
に放電ガスの封入処理が行なわれるため、請求項1の発
明と同様、熱効率の向上が図れるとともにPDPの生産
性を向上することができる。
スプレイパネルとした場合の封着・排気・放電ガス封入
設備の概略平面図。
図。
図。
ン、C…冷却帯、P1…PDP組立体、7…開口部、1
0…排気カート、11…取付部材、12…断熱部材、1
4…真空排気ポンプ、15…放電ガスボンベ、16a,
16b…開閉弁、17…開閉弁、18…接管金具、19
…封止ヒータ。
Claims (2)
- 【請求項1】 ガラス基板とチップ管付ガラス基板のい
ずれか一方の対向周縁部に封着剤を塗布して両ガラス基
板を治具により一体化したガラスパネル組立体を、排気
カート上に前記ガラスパネル組立体が炉内に位置するよ
うに保持するとともに、前記チップ管を真空排気系に接
続して前記排気カートを炉内走行させながら封着処理
し、その後、真空排気系によりガラスパネル内を排気処
理したのち、前記チップ管を封じ切ることを特徴とする
ガラスパネルの処理方法。 - 【請求項2】 前記チップ管を真空排気系と放電ガス供
給系に切換可能に接合し、前記排気処理したのち前記ガ
ラスパネル内に放電ガスを供給し、その後、チップ管を
封じ切ることを特徴とするガラスパネルの処理方法。
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