JP3499360B2 - Ａｃ型プラズマディスプレイパネル - Google Patents
Ａｃ型プラズマディスプレイパネルInfo
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- JP3499360B2 JP3499360B2 JP2729296A JP2729296A JP3499360B2 JP 3499360 B2 JP3499360 B2 JP 3499360B2 JP 2729296 A JP2729296 A JP 2729296A JP 2729296 A JP2729296 A JP 2729296A JP 3499360 B2 JP3499360 B2 JP 3499360B2
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- display panel
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ型のプラズマディ
スプレイパネルに関する。
スプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大型で且つ薄型のカラー表示装置
としてプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の実用化
が期待されている。プラズマディスプレイパネルとして
の面放電型交流型プラズマディスプレイパネルの構造の
一例を図３に示す。図３のプラズマディスプレイパネル
において、表示面側となるガラス基板１には、対をなす
電極２、２の複数がサスティン電極として数百ｎｍの膜
厚で形成され、さらに電極２を被覆して誘電体層３が２
０〜３０μｍの膜厚で形成され、誘電体層３を被覆して
ＭｇＯからなる保護層４が形成されている。サスティン
電極２は、幅の広い透明導電膜からなる透明電極２ａと
その導電性を補う幅の狭い金属膜からなる金属補助電極
２ｂとから構成されている。
としてプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の実用化
が期待されている。プラズマディスプレイパネルとして
の面放電型交流型プラズマディスプレイパネルの構造の
一例を図３に示す。図３のプラズマディスプレイパネル
において、表示面側となるガラス基板１には、対をなす
電極２、２の複数がサスティン電極として数百ｎｍの膜
厚で形成され、さらに電極２を被覆して誘電体層３が２
０〜３０μｍの膜厚で形成され、誘電体層３を被覆して
ＭｇＯからなる保護層４が形成されている。サスティン
電極２は、幅の広い透明導電膜からなる透明電極２ａと
その導電性を補う幅の狭い金属膜からなる金属補助電極
２ｂとから構成されている。
【０００３】一方、背面側のガラス基板５には、電極６
がアドレス電極として形成され、電極６を被覆して蛍光
体層７が形成されている。基板１の電極２と基板５の電
極６とが対向して互いに直交するように、基板１，５が
離間配置されて放電空間８が形成され、基板１，５が封
着された後の放電空間８の排気後に希ガスが封入され
る。このように、基板１の電極２と基板５の電極６の交
点を中心として画素セルが形成されるので、プラズマデ
ィスプレイパネルは複数の画素セルを有し、画像の表示
が可能となる。上述の誘電体は、例えば酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）を含む低融点ガラスペーストをサスティン電極上に
塗布し、焼成して形成される。また、金属膜はＡｌ又は
Ａｌ合金からなる。
がアドレス電極として形成され、電極６を被覆して蛍光
体層７が形成されている。基板１の電極２と基板５の電
極６とが対向して互いに直交するように、基板１，５が
離間配置されて放電空間８が形成され、基板１，５が封
着された後の放電空間８の排気後に希ガスが封入され
る。このように、基板１の電極２と基板５の電極６の交
点を中心として画素セルが形成されるので、プラズマデ
ィスプレイパネルは複数の画素セルを有し、画像の表示
が可能となる。上述の誘電体は、例えば酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）を含む低融点ガラスペーストをサスティン電極上に
塗布し、焼成して形成される。また、金属膜はＡｌ又は
Ａｌ合金からなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、誘電体層を
酸化鉛を含む低融点ガラス層で構成すると、サスティン
電極のＡｌ又はＡｌ合金からなる金属膜と反応しその界
面で気泡が生じ易いという問題があった。このような気
泡の発生により誘電体層の膜厚が局部的に薄くなり、耐
圧の低下に起因する不要な放電が発生し、電極が断線す
るおそれがある。また、ＰｂＯを主成分とする誘電体層
は比誘電率が９〜１２と比較的大きいためにセルの容量
が大きく、放電電流が多いので消費電力が多くなる。そ
こで、比誘電率の低い例えばアルカリ系ガラスを主成分
とする低融点ガラスで誘電体層を構成することが考えら
れるが、透明導電膜と接触すると、透明導電膜を腐食さ
せ、変色（黒化）させてしまい、発光効率が低下する。
本発明は上述の問題に鑑み、耐圧の低下を招く気泡の発
生を防止し、表示の信頼性を高めることを目的とする。
酸化鉛を含む低融点ガラス層で構成すると、サスティン
電極のＡｌ又はＡｌ合金からなる金属膜と反応しその界
面で気泡が生じ易いという問題があった。このような気
泡の発生により誘電体層の膜厚が局部的に薄くなり、耐
圧の低下に起因する不要な放電が発生し、電極が断線す
るおそれがある。また、ＰｂＯを主成分とする誘電体層
は比誘電率が９〜１２と比較的大きいためにセルの容量
が大きく、放電電流が多いので消費電力が多くなる。そ
こで、比誘電率の低い例えばアルカリ系ガラスを主成分
とする低融点ガラスで誘電体層を構成することが考えら
れるが、透明導電膜と接触すると、透明導電膜を腐食さ
せ、変色（黒化）させてしまい、発光効率が低下する。
本発明は上述の問題に鑑み、耐圧の低下を招く気泡の発
生を防止し、表示の信頼性を高めることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係わる
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介し
て対向配置された一対の基板の内の表示面側の基板上に
幅の広い透明導電膜とそれに積層された幅の狭い金属膜
とから構成される電極と、前記電極を被覆する誘電体層
と、前記誘電体層を低誘電率の低融点ガラスで構成し、
前記金属膜を被覆すると共に前記誘電体層と前記透明導
電膜との間に電極保護層を介在させたＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルであって、前記低誘電率の低融点ガラ
スは、アルカリ系ガラスからなり、前記電極保護層は酸
化鉛を含む非アルカリ系の低融点ガラスからなる。 請
求項２の発明に係わるＡＣ型プラズマディスプレイパネ
ルは、請求項１記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネ
ルであって、前記金属膜はアルミニウム又はアルミニウ
ム合金からなる。
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介し
て対向配置された一対の基板の内の表示面側の基板上に
幅の広い透明導電膜とそれに積層された幅の狭い金属膜
とから構成される電極と、前記電極を被覆する誘電体層
と、前記誘電体層を低誘電率の低融点ガラスで構成し、
前記金属膜を被覆すると共に前記誘電体層と前記透明導
電膜との間に電極保護層を介在させたＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルであって、前記低誘電率の低融点ガラ
スは、アルカリ系ガラスからなり、前記電極保護層は酸
化鉛を含む非アルカリ系の低融点ガラスからなる。 請
求項２の発明に係わるＡＣ型プラズマディスプレイパネ
ルは、請求項１記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネ
ルであって、前記金属膜はアルミニウム又はアルミニウ
ム合金からなる。
【０００６】
【作用】本発明のＡＣ型プラズマディスプレイパネルで
は、誘電体層を低誘電率の低融点ガラスで構成し、金属
膜を被覆すると共に誘電体層と透明導電膜との間に電極
保護層を介在させたので、サスティン電極の金属膜との
反応による気泡が生じにくくなり、耐圧の低下を抑制で
きると共に透明導電膜の変色を防止することができる。
は、誘電体層を低誘電率の低融点ガラスで構成し、金属
膜を被覆すると共に誘電体層と透明導電膜との間に電極
保護層を介在させたので、サスティン電極の金属膜との
反応による気泡が生じにくくなり、耐圧の低下を抑制で
きると共に透明導電膜の変色を防止することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明によるプラズマディスプレ
イパネルの実施の形態を図１及び図２を参照しながら説
明する。図１は、３電極構造を採る面放電型交流型プラ
ズマディスプレイパネルを構成する複数の画素セルのう
ちの１つの断面構造を示す。この画素セルは、表示面と
なる透明な表示面側のガラス基板１１と、背面側のガラ
ス基板１２とが例えば１００〜２００μｍの間隙を介し
て互いに平行に対向している。さらに、表示面側のガラ
ス基板１１と背面側のガラス基板１２との間隙を保持す
るために背面側のガラス基板１２に隔壁（図示せず）が
形成され、表示面側のガラス基板１１と背面側のガラス
基板１２との間に放電空間１３が形成される。
イパネルの実施の形態を図１及び図２を参照しながら説
明する。図１は、３電極構造を採る面放電型交流型プラ
ズマディスプレイパネルを構成する複数の画素セルのう
ちの１つの断面構造を示す。この画素セルは、表示面と
なる透明な表示面側のガラス基板１１と、背面側のガラ
ス基板１２とが例えば１００〜２００μｍの間隙を介し
て互いに平行に対向している。さらに、表示面側のガラ
ス基板１１と背面側のガラス基板１２との間隙を保持す
るために背面側のガラス基板１２に隔壁（図示せず）が
形成され、表示面側のガラス基板１１と背面側のガラス
基板１２との間に放電空間１３が形成される。
【０００８】表示面側のガラス基板１１には、背面側の
ガラス基板１２と対向する面に、対をなすサスティン電
極１４，１４が形成されている。サスティン電極はＩＴ
Ｏ、酸化錫（ＳｎＯ２）などの蒸着によりおよそ数千オ
ングストロームの膜厚で互いに平行に伸長する透明導電
膜（透明電極）１４ａと、この透明導電膜１４ａの導電
率を向上せしめるために、透明導電膜の幅よりも狭い幅
にて積層形成された、例えばアルミニウム（Ａｌ）又は
Ａｌ合金などからなる金属膜（金属補助電極）１４ｂか
らなる。このようにして形成されたサスティン電極の透
明導電膜１４ａを覆うように、電極保護層１６が５〜２
０μｍの膜厚で形成されている。この電極保護層１６及
び金属膜１４ｂの上に誘電体層１７が２０〜５０μｍの
膜厚で形成され、誘電体層１７の上に酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）からなる保護層１８がおよそ数百オングスト
ロームの膜厚で積層形成されている。
ガラス基板１２と対向する面に、対をなすサスティン電
極１４，１４が形成されている。サスティン電極はＩＴ
Ｏ、酸化錫（ＳｎＯ２）などの蒸着によりおよそ数千オ
ングストロームの膜厚で互いに平行に伸長する透明導電
膜（透明電極）１４ａと、この透明導電膜１４ａの導電
率を向上せしめるために、透明導電膜の幅よりも狭い幅
にて積層形成された、例えばアルミニウム（Ａｌ）又は
Ａｌ合金などからなる金属膜（金属補助電極）１４ｂか
らなる。このようにして形成されたサスティン電極の透
明導電膜１４ａを覆うように、電極保護層１６が５〜２
０μｍの膜厚で形成されている。この電極保護層１６及
び金属膜１４ｂの上に誘電体層１７が２０〜５０μｍの
膜厚で形成され、誘電体層１７の上に酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）からなる保護層１８がおよそ数百オングスト
ロームの膜厚で積層形成されている。
【０００９】上記誘電体層１７は、軟化点が６５０℃以
下であり且つ比誘電率が８以下の低融点ガラスにて形成
されている。そして、この低融点ガラスは、組成に少な
くとも酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）及び酸化ほう素（Ｂ
２Ｏ３）を含むものである。このような低融点ガラスと
しては、例えば表１に示すように、日本電気硝子株式会
社製の所定のガラスコード（製品番号）を有する低融点
ガラスが用いられている。
下であり且つ比誘電率が８以下の低融点ガラスにて形成
されている。そして、この低融点ガラスは、組成に少な
くとも酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）及び酸化ほう素（Ｂ
２Ｏ３）を含むものである。このような低融点ガラスと
しては、例えば表１に示すように、日本電気硝子株式会
社製の所定のガラスコード（製品番号）を有する低融点
ガラスが用いられている。
【００１０】
【表１】
【００１１】次に、上記電極保護層１６は、例えば誘電
体層１７とは種類の異なる酸化鉛（ＰｂＯ）を含む非ア
ルカリ系の低融点ガラスからなり、透明導電膜１４ａを
保護するために設けられている。すなわち、誘電体層１
７を形成する低融点ガラスはアルカリ系ガラスであるた
めに、アルカリ系ガラスからなる誘電体層１７が直接透
明導電膜１４ａに接触するとガラスに含まれるナトリウ
ム（Ｎａ）が透明導電膜内に拡散して透明導電膜１４ａ
を腐食し、変色させるので、Ｎａの透明導電膜１４ａへ
の拡散を防止すべく誘電体層１７と透明導電膜１４ａと
の間に形成するものである。また、電極保護層１６は、
金属膜１４ｂ上に積層形成しないために、金属膜１４ｂ
と反応し、気泡を生じることがない。
体層１７とは種類の異なる酸化鉛（ＰｂＯ）を含む非ア
ルカリ系の低融点ガラスからなり、透明導電膜１４ａを
保護するために設けられている。すなわち、誘電体層１
７を形成する低融点ガラスはアルカリ系ガラスであるた
めに、アルカリ系ガラスからなる誘電体層１７が直接透
明導電膜１４ａに接触するとガラスに含まれるナトリウ
ム（Ｎａ）が透明導電膜内に拡散して透明導電膜１４ａ
を腐食し、変色させるので、Ｎａの透明導電膜１４ａへ
の拡散を防止すべく誘電体層１７と透明導電膜１４ａと
の間に形成するものである。また、電極保護層１６は、
金属膜１４ｂ上に積層形成しないために、金属膜１４ｂ
と反応し、気泡を生じることがない。
【００１２】一方、背面側のガラス基板１２には、表示
面側のガラス基板１１と対向する面に、アドレス電極２
１が形成されている。このアドレス電極２１は、例えば
ＡｌやＡｌ合金からなり、サスティン電極１４と対向し
ながらサスティン電極１４の伸長方向と直交する方向に
およそ１μｍの膜厚で伸長して形成されている。また、
アドレス電極２１はＡｌやＡｌ合金などの反射率の高い
金属にて形成されているので、波長帯域：３８０〜６５
０ｎｍにおいて、８０％以上の反射率を有している。
面側のガラス基板１１と対向する面に、アドレス電極２
１が形成されている。このアドレス電極２１は、例えば
ＡｌやＡｌ合金からなり、サスティン電極１４と対向し
ながらサスティン電極１４の伸長方向と直交する方向に
およそ１μｍの膜厚で伸長して形成されている。また、
アドレス電極２１はＡｌやＡｌ合金などの反射率の高い
金属にて形成されているので、波長帯域：３８０〜６５
０ｎｍにおいて、８０％以上の反射率を有している。
【００１３】さらに、例えば背面側のガラス基板１２の
アドレス電極２１を覆うように蛍光体層２２が形成され
る。上記プラズマディスプレイパネルにおいてカラー表
示を行う場合は、例えばアドレス電極毎に３色、すなわ
ちＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体のうちの１つが順に対応して蛍光
体層として形成される。このようにして、サスティン電
極対１４，１４とアドレス電極２１との交点を中心とす
る発光領域の１つが放電空間１３に形成されて画素セル
が構成される。そして、プラズマディスプレイパネルの
カラー表示を行う場合、各画素セルが蛍光体の３色のう
ちの対応する色に発光する。
アドレス電極２１を覆うように蛍光体層２２が形成され
る。上記プラズマディスプレイパネルにおいてカラー表
示を行う場合は、例えばアドレス電極毎に３色、すなわ
ちＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体のうちの１つが順に対応して蛍光
体層として形成される。このようにして、サスティン電
極対１４，１４とアドレス電極２１との交点を中心とす
る発光領域の１つが放電空間１３に形成されて画素セル
が構成される。そして、プラズマディスプレイパネルの
カラー表示を行う場合、各画素セルが蛍光体の３色のう
ちの対応する色に発光する。
【００１４】上述の如く、サスティン電極対１４，１４
及びアドレス電極２１がそれぞれ形成された表示面側の
ガラス基板１１及び背面側のガラス基板１２は封着され
て放電空間１３の排気が行われ、さらにベーキングによ
り保護層１８（ＭｇＯ層）の表面が活性化される。次
に、放電空間１３に希ガスとして例えばキセノン（Ｘ
ｅ）を１〜１０％含む不活性混合ガスが２００〜６００
ｔｏｒｒ封入される。
及びアドレス電極２１がそれぞれ形成された表示面側の
ガラス基板１１及び背面側のガラス基板１２は封着され
て放電空間１３の排気が行われ、さらにベーキングによ
り保護層１８（ＭｇＯ層）の表面が活性化される。次
に、放電空間１３に希ガスとして例えばキセノン（Ｘ
ｅ）を１〜１０％含む不活性混合ガスが２００〜６００
ｔｏｒｒ封入される。
【００１５】上述の如く形成されたプラズマディスプレ
イパネルにおいて、サスティン電極対１４，１４には画
素セルの発光開始、発光維持及び消去を駆動制御するパ
ルス電圧が印加され、アドレス電極２１には各画素セル
の画像データパルスが印加されて、各画素セルの発光の
開始、維持及び消去が行われる。
イパネルにおいて、サスティン電極対１４，１４には画
素セルの発光開始、発光維持及び消去を駆動制御するパ
ルス電圧が印加され、アドレス電極２１には各画素セル
の画像データパルスが印加されて、各画素セルの発光の
開始、維持及び消去が行われる。
【００１６】次に図２により、本発明の表示面側のガラ
ス基板の製造方法について説明する。図２（ａ）は、ガ
ラス基板２０３上にＩＴＯをスパッタ法で成膜して透明
導電膜２０２を形成し、フォトリソ法により、透明導電
膜２０２のパターンニングを行う。すなわち、透明導電
膜２０２上にフォトレジスト層（ポジ型）２０１を形成
し、マスク２０５を介して露光し、露光部分２１１が形
成され、これを現像し、フォトレジスト層をマスクとし
てエッチング処理を行った後、フォトレジスト層を除去
する。このようにして、図２（ｂ）に示す透明導電膜か
らなる透明電極２０４が形成される。ここ迄をフォトリ
ソ法と呼ぶ。
ス基板の製造方法について説明する。図２（ａ）は、ガ
ラス基板２０３上にＩＴＯをスパッタ法で成膜して透明
導電膜２０２を形成し、フォトリソ法により、透明導電
膜２０２のパターンニングを行う。すなわち、透明導電
膜２０２上にフォトレジスト層（ポジ型）２０１を形成
し、マスク２０５を介して露光し、露光部分２１１が形
成され、これを現像し、フォトレジスト層をマスクとし
てエッチング処理を行った後、フォトレジスト層を除去
する。このようにして、図２（ｂ）に示す透明導電膜か
らなる透明電極２０４が形成される。ここ迄をフォトリ
ソ法と呼ぶ。
【００１７】次に図２（ｃ）に移り、透明電極２０４の
上にアルミニウムの金属膜２０７を蒸着し、その上に図
２（ａ）で行ったと同じフォトリソ法により、図２
（ｄ）の金属膜からなる金属補助電極２０８が形成され
る。次に図２（ｄ）の如く、透明電極２０４上に酸化鉛
（ＰｂＯ）を含む非アルカリ系の低融点ガラスペースト
をスクリーン印刷し焼成することにより、電極保護層２
０９を形成する。さらに図２（ｅ）では、その上からア
ルカリ系ガラスからなる低融点ガラスペーストを全面に
塗布し、焼成することで誘電体層２１０が形成される。
その上に図２（ｆ）に示すように、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）の保護層２１２を蒸着することで図２（ｇ）
に示すような表示面側のガラス基板が作製される。
上にアルミニウムの金属膜２０７を蒸着し、その上に図
２（ａ）で行ったと同じフォトリソ法により、図２
（ｄ）の金属膜からなる金属補助電極２０８が形成され
る。次に図２（ｄ）の如く、透明電極２０４上に酸化鉛
（ＰｂＯ）を含む非アルカリ系の低融点ガラスペースト
をスクリーン印刷し焼成することにより、電極保護層２
０９を形成する。さらに図２（ｅ）では、その上からア
ルカリ系ガラスからなる低融点ガラスペーストを全面に
塗布し、焼成することで誘電体層２１０が形成される。
その上に図２（ｆ）に示すように、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）の保護層２１２を蒸着することで図２（ｇ）
に示すような表示面側のガラス基板が作製される。
【００１８】
【発明の効果】本発明によるＡＣ型プラズマディスプレ
イパネルは、誘電体層を低誘電率の低融点ガラスで構成
し、金属膜を被覆すると共に誘電体層と透明導電膜との
間に電極保護層を介在させることにより、サスティン電
極のアルミニウム又はアルミニウム合金すらなる金属膜
との反応による気泡が生じにくくなり、表示の信頼性を
高めることができる。
イパネルは、誘電体層を低誘電率の低融点ガラスで構成
し、金属膜を被覆すると共に誘電体層と透明導電膜との
間に電極保護層を介在させることにより、サスティン電
極のアルミニウム又はアルミニウム合金すらなる金属膜
との反応による気泡が生じにくくなり、表示の信頼性を
高めることができる。
【図１】本発明の実施の形態によるＡＣ型ＰＤＰの構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態によるＡＣ型ＰＤＰの表示
面側のガラス基板の製造方法を示す図である。
面側のガラス基板の製造方法を示す図である。
【図３】従来のＡＣ型ＰＤＰの構造を示す図である。
１１ ・・・・・ 表示面側のガラス基板
１２ ・・・・・ 背面側のガラス基板
１３ ・・・・・ 放電空間
１４ ・・・・・ サスティン電極
１４ａ・・・・・ 透明導電膜
１４ｂ・・・・・ 金属膜
１６ ・・・・・ 電極保護層
１７ ・・・・・ 誘電体層
１８ ・・・・・ 保護層
２２ ・・・・・ 蛍光体層
２１ ・・・・・ アドレス電極
２０３ ・・・・・ ガラス基板
２０４ ・・・・・ 透明電極
２０８ ・・・・・ 金属補助電極
２０９ ・・・・・ 電極保護層
２１０ ・・・・・ 誘電体層
２１２ ・・・・・ 保護層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−50769（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−299022（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−47305（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 11/00
C03C 17/06
H01J 11/02
Claims (2)
- 【請求項１】 放電空間を介して対向配置された一対の
基板の内の表示面側の基板上に幅の広い透明導電膜とそ
れに積層された幅の狭い金属膜とから構成される電極
と、前記電極を被覆する誘電体層と、前記誘電体層を低
誘電率の低融点ガラスで構成し、前記金属膜を被覆する
と共に前記誘電体層と前記透明導電膜との間に電極保護
層を介在させたＡＣ型プラズマディスプレイパネルであ
って、前記低誘電率の低融点ガラスは、アルカリ系ガラスから
なり、前記電極保護層は酸化鉛を含む非アルカリ系の低
融点ガラスからなることを特徴とするＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記金属膜はアルミニウム又はアルミニ
ウム合金からなることを特徴とする請求項１記載のＡＣ
型プラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2729296A JP3499360B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2729296A JP3499360B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199037A JPH09199037A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3499360B2 true JP3499360B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=12217017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2729296A Expired - Fee Related JP3499360B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3499360B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100569220B1 (ko) | 2004-04-06 | 2006-04-10 | 한국과학기술원 | 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 |
| KR100793067B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2008-01-10 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
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1996
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