KR100569220B1

KR100569220B1 - 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물

Info

Publication number: KR100569220B1
Application number: KR1020040023395A
Authority: KR
Inventors: 배병수; 이태호; 어영주; 김정환
Original assignee: 한국과학기술원
Priority date: 2004-04-06
Filing date: 2004-04-06
Publication date: 2006-04-10
Also published as: KR20050098086A; CN1680207A; CN1325415C; US20050234167A1; JP4664110B2; US7492102B2; JP2005302717A; TW200534320A; TWI298508B

Abstract

하기 구조식의 화합물1 또는 R⁶SiO_1.5를 반복단위로 하는 폴리헤드럴 올리고실시스퀴옥센(화합물 2)에 속하는 적어도 1종 이상의 화합물을 포함하거나, 이들 화합물을 단량체로 하는 무-유기 혼성물질을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체/격벽 조성물을 제공한다. (무-유기 혼성물질 : 실리콘과 산소원자 또는 질소원자를 함유한 확장 매트릭스로 구성되며 적어도 하나의 실리콘의 분획이 치환되거나 비치환된 탄화수소 원자에 직접 결합된 물질)

상기 식에서 X는 0을 포함하는 정수이고, R₁,R₂,R₃,R₄,R₅,R⁶은 각각 알킬기, 알콕시기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 방향족기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소, 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상 가지는 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 C_1~12의 탄화수소기이고, A는 O 또는 NH 이다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 유전체/격벽 조성물 및 그 제조방법{Dielectric/Barrier Rib Composition for Plasma Display Panel and Manufacturing Method thereof}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체/격벽층 조성물에 관한 것이며, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극 위에 투명 유전체층 및 격벽층을 형성하는데 사용되는 조성물에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널용 투명 유전체는 ITO와 금속전극이 패턴되어 있는 전면기판위에 위치하며, 높은 투명성을 위해 평균 막두께 보다 최대 입경이 작은 유리분말을 포함한 유리페이스트를 소성시켜 20∼40㎛의 두께로 막을 형성한다. 유리 페이스트는 PbO가 과량 포함된 PbO-B₂O₃-SiO₂계 조성의 유리분말과 필러, 유기 용제, 고분자 수지가 혼합되어 있으며, 유리기판 위에 스크린 인쇄법으로 후막을 형성한 후, 섭씨 500∼600 도에서 고온소성한다. 유전체막의 높은 광투광성을 얻기 위해서는 층 내에 포함되는 기포를 제거하는 과정이 매우 중요하며, 유리 분말의 조성, 입경, 제조 조건, 소성 조건 등의 정밀한 조절이 요구된다.

교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체는 벽전하(wall charge)를 형성하여 방전유지 전압을 유지하게 되고, 방전 시에 발생하는 이온들의 충격으로부터 전극을 보호하는 역할을 한다. 통상적으로 유전체는 약 40㎛ 내외의 두께에 80％이상의 광투광성, 5KV 이상의 DC 내전압을 요구한다.

상판유전체의 내전압 특성은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동에서 매우 중요한 요소이며, 유리페이스트를 이용한 유전체의 경우 소결조건이나 유리분말의 표면 상태에 의해 발생하게 되는 기포에 의해 내전압의 감소가 발생하게 된다. 또한 소성 후 막내에 남게 되는 금속성 Pb는 유전층의 내전압을 낮추어 유전체의 성능 저하를 가져온다.

저융점 유리를 주성분으로 하는 프릿(frit)을 이용한 방법에 의해서는 과량의 Pb를 첨가함이 없이 저온 소성형 투명 유전소재를 얻는 데는 어려움이 따르는 실정이며, 저융점 유리페이스트의 경우에도 섭씨 550∼580도 온도의 고온 소성을 요구한다. 섭씨 500도 이상의 고온 열이력 공정은 기판 유리의 치수를 변하게 하고 패턴을 어긋나게 하여 표시 패널의 불량을 초래하며, 또한 패널을 대화면화시키는데 어려움을 야기하는 등 많은 단점을 가지고 있다.

납성분을 주로 갖는 저융점 유리는 10~12의 높은 유전상수를 가지게 되고 방전시 높은 전류를 발생시켜 소자의 소비전력을 높이는 단점을 가진다. 또한 납은 환경오염 물질로서 특히 배면기판의 격벽제조와 같이 폐기물이 많이 발생하는 경우에, 환경오염 및 폐기물 처리비의 증가를 발생시킨다. 일본특허공개 9-199037호 공 보와 일본특허공개 9-278482호의 공보에서는 유전상수가 종래 보다 낮고 또한 연화점이 500∼600℃인 Na₂O-B₂O₃-SiO₂계 유리, Na₂O-B₂O₃-ZnO계 유리를 납 성분이 없는 유리조성으로 제시하고 있다. 이들 유리에는 연하점을 저하시키는 Na₂O(산화나트륨), K₂O(산화칼륨), Li₂O(산화리튬) 등의 알칼리 금속산화물로 이루어지는 연화점 저하성분이 첨가되어 있고, 유전체층의 소성을 비교적 낮은 온도에서 행할 수 있다. 그러나 이러한 연화점 저하성분이 첨가된 유리를 유전체층에 이용하는 경우에는 유전체층이나 전면 유리기판이 노랗게 변하는 황변(黃變) 가능성이 있으며, 소성온도가 비교적 높은 500℃ 이상을 가져 저가의 소다라임유리나 플라스틱 기판과 같은 보편적인 기판의 사용에 제한을 둔다.

또한, 국제특허출원 PCT-JP2002-006666에서는 Na₂O-B₂O₃-SiO₂계 유리, Na₂O-B₂O₃-ZnO계 유리의 황변을 줄이기 위한 방법으로 산화아연, 산화붕소, 산화리튬, 산화나트륨, 산화칼륨, 산화루비듐, 산화세슘, 산화구리, 산화은, 산화망간(Ⅳ), 산화세륨(Ⅳ), 산화주석(Ⅳ), 산화안티몬(Ⅳ) 등을 유전체 조성 성분으로 제시하고 있으나 이 또한 소성온도가 500℃ 이상인 물질들이다.

저융점 유리페이스트를 이용한 유전체층의 형성은 통상 스크린 인쇄법이 대표적으로 사용되고 있으나, 2회 이상의 반복된 인쇄를 통하여 후막을 형성하므로 공정이 매우 복잡하다. 특히 배면 기판의 격벽은 유전체층에 비해 두꺼운 막을 요구하므로, 8회 정도의 인쇄를 통해서 얻을 수 있다. 그러나 유리페이스트를 이용한 막은 소성조건에 따라 표면의 평탄도가 변화하므로, 공정에 세심한 주의를 요구한 다. 이러한 스크린 인쇄법의 단점을 보완하기 위해서 일본특허공개 제97-102273호에는 유리 페이스트 조성물을 지지 필름상에 도포하고, 도막을 건조하여 막 형성용 재료층을 형성하고, 지지 필름상에 형성된 막 형성용 재료층을 전극이 고정된 유리 기판의 표면에 전사하고, 전사된 막 형성용 재료층을 소성함으로써 상기 유리 기판 표면에 유전체층을 형성하는 공정(드라이 필름법)을 포함하는 PDP의 제조 방법을 제공하고 있다. 하지만, 드라이 필름을 이용한 전사방식도 공정을 단순화시킬 수는 있으나 기존의 저융점 유리페이스트를 이용하므로 소성 조건에 따른 유전체의 결함은 마찬가지로 존재한다.

또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 높은 소비전력은 액정디스플레이(LCD)나 유기전계발광 디스플레이 표시장치에 비해 단점으로 작용된다. 높은 소비전력은 유전체층의 높은 유전상수(10 이상)에 의한 것으로, 유전상수를 5이하로 낮출 경우 소비전력을 절감할 수 있다.

국제특허 출원 PCT-JP2001-02289와 대한민국 특허 출원 2002-46902에서는 실리콘수지와 무기-유기 혼성물질을 통해 기존의 납이 포함된 저융점 유리에 비해 상당히 낮은 온도에서 소성이 가능하고 유전율이 5이하인 유전체 및 격벽 조성을 제시하고 있으며, 기존의 인쇄법이외에 스핀코팅, 바코팅, 도포법 등의 다양한 유전체 형성방법을 제안하고 있다. 또한 동 기술은 앞서 상술한 드라이필름에 의한 전사방식으로의 응용성이 높고 소성 시 기포에 의한 내전압의 감소를 줄일 수 있는 장점을 가진다. 실리콘계 수지나 무-유기 혼성물질을 유전체 조성으로 사용한 경우, 기존의 문제점인 납성분으로 인한 환경오염, 유전체 기능저하, 높은 유전상수 에 의한 고전력 소비, 높은 소성온도에 의한 정밀 치수변형, 기판의 제한성 등을 해결할 수 있다. 특히 저온 소성은 플라스틱이나 소다라임 유리 기판의 사용을 가능하게 하여 플라즈마 디스플레이의 저가화를 얻을 수 있다.

플라즈마 디스플레이에 배면 기판에 사용되는 격벽재료는 통상 전면 기판에서 사용되는 유전체 조성에 백색 및 흑색계 안료를 첨가하는 조성으로 제작되며, 조성에 따라 다양한 격벽모양의 제조방법이 제시되고 있다. 격벽구조는 어드레스 전극이 평행하게 패턴되어 있는 백 패널 유리위에 형성되는 통상 전극을 덮는 유전체에 형성되는 구조물이다. 격벽은 패널내에서 방전거리를 유지하고, 인접한 셀간의 전기적, 광학적 혼신을 방지하기 위해 구비되며, 폭이 70∼100 um, 높이가 120∼200um 정도가 바람직하다. 42" 패널의 경우 스크린 인쇄법으로 격벽 전체 높이의 유전체층을 만들고 샌드블라스팅(sandblasting)법으로 격벽구조를 형성하는 것이 통상적이나, 60" 이상 HDTV급 플라즈마 디스플레이 패널의 제조에서는 구조물간의 더 작은 피치와 평활성을 요구하므로 다층 인쇄를 통한 스크린 인쇄나 샌드블라스팅법은 정확한 치수를 가지며 복잡한 구조물의 제조에는 적합하지 않다. 복잡한 다층 스크린 인쇄로 인한 공정의 복잡화와 패널전체에 균일한 격벽 유전체 형성 문제를 해결하기 위해 일본 특허 공개 제9-102273호와 일본특허출원 제9-101653호 에서는 앞서 상술한 전사필름 (유리 페이스트 조성물과 지지필름으로부터 얻어지는 막형성 재료층과 이 막형성 재료층 표면에 용이하게 박리되도록 설치된 커버 필름을 적층시켜 이루어진 복합 필름)을 통해 한 번의 공정으로 격벽층을 형성하는 것을 제안하고 있다. 그러나 이러한 방법도 공정의 단순화는 가능하나 소성된 저융점 유 리가 가지는 기판의 제한성, 미세구조 패턴의 어려움, 표면의 평활도, 많은 환경오염 폐기물 발생 등의 단점을 피할 수 없다. 따라서 한번의 공정으로 높은 두께를 얻을 수 있고, 미세패턴이 용이한 재료의 개발이 대면적 고화질 플라즈마 디스플레이 패널의 제조에 있어서 필수적이다.

본 발명은 상기 종래기술이 가지는 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 PbO가 없는 조성으로 유전상수가 낮으며, 섭씨 200도 이하의 소성온도에서도 10㎛이상의 두께를 가질 수 있고 기포가 없는 투명한 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체/격벽층 조성물을 제공하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위하여 제1측면에 따른 본 발명은 하기 구조식의 화합물1 또는 R⁶SiO_1.5를 반복단위로 하는 폴리헤드럴 올리고실시스퀴옥센(화합물 2)에 속하는 적어도 1종 이상의 화합물을 포함하거나, 이들 화합물을 단량체로 하는 무-유기 혼성물질을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체/격벽 조성물을 제공 한다.

또한, 상기 구조식의 화합물1의 분자량은 패널에 요구되는 특성에 따라 당업자에 의해 적절히 선택되어질 수 있으며 여기에는 어떠한 특별한 제한도 요구되지 아니함에 유의해야 할 것이다. 다만, 후술하는 실시예에 개시된 특정한 분자량의 화합물은 발명의 이해를 돕기위해 예시된 것일 뿐 여기에 한정되지는 아니함을 당업자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

상기에서, 무-유기 혼성물질이라 함은 실리콘과 산소원자 또는 질소원자를 함유한 확장 매트릭스로 구성되며 적어도 하나의 실리콘의 분획이 치환되거나 비치환된 탄화수소 원자에 직접 결합된 물질을 말한다.

상기에서 C_1~12의 탄화수소기는 일부 수소, 바람직하게는 4∼8개의 수소가 불 소로 치환될 수도 있다.

상기 화합물1에 해당하는 물질의 예를 들면, 헥사메틸다이실록산, 옥타메틸트리실록산, 폴리다이메틸실록산, 폴리(다이메틸실록산-코-알킬메틸실록산), 폴리(다이메틸실록산 비스[[3-[2-아미노에틸)아미노]프로필]다이케톡시실릴]에테르, 폴리[다이메틸실록산-코-(3-아미노프로필)메틸실록산], 폴리(다이케틸실록산)비스(3-아미노프로필) 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산)비스(하이드록시알킬) 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산)클로린 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산)다이글리시딜 에테르 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-다이페닐실록산) 다이하이드록시 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-다이페닐실록산) 다이비닐 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-다이페닐실록산) 트리메틸실릴 터미네이티드, 폴리[다이메틸실록산-코-[2-(3,4-에폭시싸이클로헥실)에틸]메틸실록산], 폴리(다이메틸실록산)에톡실레이트 다이하이드록시 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산) 하이드라이드 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산) 카르복실 터미네이티드, 폴리[다이메틸실록산-코-[3-[2-(2-하이드록시에톡시]프로필]메틸실록산] 폴리(다이메틸실록산) 하이드록시 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산) 메톡시 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-메틸하이드로실록산), 폴리(다이메틸실록산-코-메틸하이드로실록산) 하이드라이드 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-메틸하이드로실록산) 트리메틸실릴 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-메틸페닐실록산), 폴리[다이메틸실록산-코-메틸(3,3,3-트리플로로프로필)실록산], 폴리(다이메틸실록산) 모노글리시딜 이써 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산) 모노하이드록시 터미 네이티드 등이 있다.

화합물2는 구조내 Si의 개수가 특별히 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 6∼10 인 것에서 선택된다. 하기에 화합물2로서 Si의 개수가 7인 폴리헤드럴 올리고실시스퀴옥센의 구조가 예시되어 있다.

상기 화합물2에 해당하는 물질의 예를 들면, 1,3,5,7,9,11,14-헵타-아이소옥틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11헵타실록산-엔도-3,7,14-트리올(트리실라놀아이소옥틸-POSS, C₅₆H₁₂₂O₁₂Si₇), 1,3,5,7,9,11,14-헵타싸이클로펜틸트리싸이클로[7.3.3.1 ^5,11]헵타실록산-엔도-3,7,14-트리올(트리실라놀-POSS, C₃₅H₆₆O₁₂Si₇), 1,3,5,7,9,11,14-헵타아이소부틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11]헵타실록산-엔도-3,7,14-트리올(아이소부틸트리실라놀-POSS, C₂₈H₆₆O₁₂Si₇), 1,3,5,7,9,11-옥타싸이클로펜틸테트라싸이클로[7.3.3.1^5,11]옥타실록산-엔도-3,7-다이올(싸이클로펜틸다이실라놀-POSS, C₄₀H₇₄O₁₃Si₈), 3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜 틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-올(실라놀-POSS, C₃₅H₆₄O₁₃Si₈), 3,7,14-트리스{[3-(에폭시프로폭시)프로필]다이메틸실릴옥시}-1,3,5,7,9,11,14-헵타싸이클로펜틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11]헵타실록산(트리스[(에폭시프로폭시프로필)다이메틸실릴옥시]-POSS, C₅₉H₁₁₄O₁₈Si₁₀), 3-[(3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-일옥시)디메틸실릴]프로필-메타아크릴레이트 (디메틸실릴옥시(프로필)메타아크릴레이트-POSS, C₄₄H₈₀O₁₅Si ₉), 9-{디메틸[2-(5-노보넨-2-일)에틸]실릴옥시}-1,3,5,7,9,11,14-헵타싸이클로펜틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11]헵타실록산-1,5-다이올([(디메틸(노보넨일에틸)실릴옥시)다이하이드록시]-POSS, C₄₆H₈₄O₁₂Si₈), 에틸-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.^13,9.15^,15.1^7,13]옥타실록산-1-운데카노에이트(에틸운데카노에이트-POSS, C₄₈H₈₈O₁₄Si₈),메틸-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1 ^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-프로피오네이트(메틸프로피오네이트-POSS, C₃₉H₇₀O ₁₄Si₈), 1-[2-(3,4-에폭시싸이클로헥실)에틸]-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(에폭시싸이클로헥실에틸-POSS, CH ₇₆O₁₃Si₈), 1-(2- (3,4-에폭시싸이클로헥실)에틸)-3,5,7,9,11,13,15-아이소부틸펜타싸이클로-[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(에폭시싸이클로헥실아이소부틸-POSS, C₃₆H₇₆O₁₃Si₈), 1-[2-(3-싸이클로헥센-1-일)에틸]-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(싸이클로헥센일에틸-POSS, C₄₃H₇₆O₁₂Si₈), 1-[2-(5-노보넨-2-일)에틸]-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(노보넨일에틸-POSS, C₄₄H₇₆O₁₂Si₈), 1-(2-트랜스-싸이클로헥산다이올)에틸-3,5,7,9,11,13,15-아이소부틸펜타싸이클로-[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산 (트랜스-싸이클로헥산다이올아이소부틸-POSS, C₃₆H₇₈O₁₄Si₈), 1-(3-(2-아미노에틸)아미노)프로필-3,5,7,9,11,13,15-아이소부틸펜타싸이클로-[9.5.1.1^(3,9).1^(5,15).1 ^(7,13)]옥타실록산(아미노에틸아미노프로필아이소부틸-POSS, C₃₃H₇₆N₂O₁₂Si₈), 1-(3-클로로프로필)-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(3-클로로프로필-POSS, C₃₈H₆₉ClO₁₂Si₈), 1-(3-싸이클로헥센-1-일)-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(싸이클로헥센일-POSS, C₄₁H₇₂O₁₂Si₈), 3-(3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸 이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-일)프로필메타아크릴레이트(메타아크릴레이트프로필-POSS, C₄₁H₇₂O₁₄Si_8),1-(4-비닐페닐-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(비닐페닐-POSS, C ₄₃H₇₀O₁₂Si₈), 1-(하이드리오디메틸실릴옥시)-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산 (하이드리도디메틸실릴옥시-POSS, C₃₇H₇₀O ₁₃Si₉), 1-알릴-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(알릴-POSS, C₃₈H₆₈O₁₂Si₈), 1-(알릴디메틸실릴옥시)-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산(알릴디메틸실릴옥시-POSS, C₄₀H₇₄O₁₃Si₉), 3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1 ^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-부틸로니트릴 (3-시아노프로필-POSS, C₃₉H₆₉NO₁₂Si ₈), 1-클로로-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^(3,9).1^(5,15).1^(7,13)]옥타실록산(클로로-POSS, C₃₅H₆₃ClO₁₂Si₈), (글리시독시프로필디메틸실릴옥시)헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로옥타실록산 (글리시독시프로필디메틸실릴옥시-POSS, C₄₃H₈₀O₁₅Si₉), (메틸페닐비닐실릴옥시)헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로옥타실록산(메틸페닐비닐실릴 옥시-POSS, C₄₄H₇₄O₁₃Si₉), 1-비닐-3,5,7,9,11,13,15-아이소부틸펜타싸이클로-[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산 (모노비닐아이소부틸-POSS, C ₃₀H₆₆O₁₂Si₈) 등이 있다.

화합물1은 하기 화합물3 또는/및 4를 단량체로 적절히 선택함으로써 이들의 중합반응을 통해 제조되어질 수 있다.

<화합물3>

(OR⁷)_nSi-R⁸ _m(n+m=4)

<화합물4>

R⁹ _nSiX_m (n+m=4)

상기 화합물1에서 R⁷, R⁸, R⁹은 각각 알킬기, 알콕시기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 방향족기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소, 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상 가지는 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 C_1~12의 탄화수소기이고, X는 수소, 염소, 브롬, 요오드이며, n은 1∼4의 자연수, m은 0∼3사이의 정수이다.

상기에서, C_1~12의 탄화수소기는 일부 수소, 바람직하게는 4∼8개의 수소가 불소로 치환될 수도 있다.

상기 본 발명의 제1측면에 따른 유전체막의 제조방법은 상기 화합물1 또는/및 화합물2를 포함하는 용액을 유리나 플라스틱 기판상에 코팅하여 제조하여도 되고, 상기 화합물1 또는/및 화합물2를 새로이 단량체로 하는 유기규소계 중합체를 포함하는 용액을 얻어 이를 유리나 플라스틱 기판상에 코팅하여 제조하여도 좋다.

후자의 예로서, 첫 번째 방법은 하기 반응식 1에서와 같이 중합이 가능한 이중 또는 삼중결합을 가지는 상기 화합물1 또는 화합물2를 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 열중합 내지는 광중합하여 가교시켜 고형화하는 방법이 있다. 하기 반응식 1에서 R, R'은 개시제를 나타내며, 사용가능한 개시제의 예를 들면, 알루미늄 2-부톡사이드, 알루미늄 부톡시에톡사이드, 지르코늄 프로폭사이드, 티타늄 에톡사이드, 1-메틸 이미다졸, 보론 트리플루오라이드 디에틸 이써레이트 등이 있다. 이러한 개시제의 첨가량은 특별한 한정을 요하는 것은 아니며, 바람직하게는 실리콘 원자의 1∼10중량％의 양으로 첨가하는 것이 좋다.

이때, 가교반응은 특별한 한정을 요하는 것은 아니나, 바람직하게는 80∼100℃ 온도에서 1∼5시간 동안 수행하는 것이 좋다.

두번째 방법으로는, 하기 반응식 2의 예에서와 같이 축합중합이 가능한 작용기를 함유하는 상기 화합물1 또는 화합물2를 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 축 합중합시키는 방법이 있다.

이때, 축합반응은 특별한 한정을 요하는 것은 아니나, 바람직하게는 100∼350℃ 온도에서 1∼5시간 동안 수행하는 것이 좋다.

세번째 방법으로는, 하기 반응식 3의 예에서와 같이 중합이 가능한 작용기를 가지는 상기 화합물1 또는 화합물2의 화합물과, 상기 화합물1, 2와 중합이 가능한 작용기를 가지는 실리콘 알콕사이드 등과 결합시킨 후 가수분해 및 축합반응을 포함하는 졸-겔 공정을 수행하는 방법이 있다.

이때, 졸겔공정은 특별한 한정을 요하는 것은 아니나, 알콕시실란의 가수분 해 및 축합반응을 산, 염기 촉매하에 바람직하게는 상온에서 4∼24 시간 수행하는 것으로 충분하며, 필요에 따라 60∼100 ℃ 온도에서 알콕이나 물 등의 용매를 제거할 수도 있다.

상기 제1측면에 따른 유전체 조성물의 제조시 필요한 경우 적절한 가교제가 투입되며, 각 화합물들간의 가교를 위해 사용가능한 물질로서 퍼옥사이드(peroxide)계열의 가교제가 바람직하다. 이러한 가교제의 예를 들면 2,5-다이메틸 2,5-t-부틸퍼옥시 핵산, 다이벤조일퍼옥사이드, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시다이카보네이트, 알킬퍼에스터, 다이알킬퍼옥사이드, 퍼케탈, 케톤퍼옥사이드, 알킬하이드로퍼옥사이드 등이 있다. 가교제의 투입량은 특별한 한정을 요하는 것은 아니나, 바람직하게는 2∼10중량％의 범위에서 첨가하는 것이 좋다.

또한, 제2측면에 따른 본 발명은 상기 화합물1 또는 화합물2, 또는 이들 화합물을 단량체로 하는 무-유기 혼성물질에서 선택되어지는 적어도 1종 이상의 화합물과, 상기 화합물1,2 또는 무-유기 혼성물질과 중합이 가능하며, 상기 화합물1 및 2와는 구조가 상이한 다른 유기단량체 또는 분자량 10,000이하의 올리고머가 가교를 이룬 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체/격벽 조성물을 제공한다.

상기에서 유기단량체는 바람직하게는 알킬기, 알콕시기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 방향족기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소, 또는 에폭시 작용기를 단 독 또는 2종 이상 가지는 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 C_1~12의 탄화수소화합물을 들 수 있다.

수 평균 분자량 10,000이하의 올리고머는 유기단량체를 중합하여 얻어지는 수 평균 분자량 10,000이하의 화합물을 의미한다. 상기 올리고머 내에 상기 상술한 작용기를 포함하기 위해서는 유기단량체내에 작용기를 적어도 2개 이상 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면 에폭시기를 작용기를 하는 올리고머를 수득하기 위해서는 유기단량체 1,2-에폭시-5-헥센의 비닐기를 중합하면 중합 조건에 따라 수 평균 분자량 10,000 이하의 에폭시 작용기를 가지는 올리고머를 수득 할 수 있다.

상기 과정을 거쳐 제조되는 유전체 조성물은 액상의 수지형태로 존재하며 이를 이용하여 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널은 다음의 형태로 제조되어질 수 있다.

(1) 제 1측면에 따른 본 발명의 패널은 유리나 플라스틱 기판상에 코팅 및 도포법을 이용하여 유전체를 형성하며, 바람직하게는 상기 유전체는 열 또는 자외선으로 소성시켜 제조될 수 있다.

(2) 제 2측면에 따른 본 발명의 패널은 유전체가 전사용 기재상에 형성된 전사필름을 유리나 플라스틱 기판상에 전사하여 제조될 수도 있다.

또한, 본 발명의 조성물은 코팅막의 코팅성, 기판간의 접착성, 다른 층간 화합물간의 접착성 및 열팽창 계수매칭, 투명성, 절연내력, 반사도, 유전상수 등의 특성을 개선하기 위하여 계면활성제, 염료, 안료, 금속 및 금속산화물 입자, 금속 알콕사이드 또는 그의 착물 등이 첨가될 수 있다. 특히 플라즈마 디스플레이 패널에서 격벽의 경우 반사도의 증가를 위해 백색 또는 흑색계 염료를 첨가하는 것이 바람직하다.

이하 본 발명의 내용을 실시예에 의해 보다 상세하게 설명하기로 한다. 다만 이들 실시예는 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시되는 것일 뿐 본 발명의 권리범위가 이들 실시예에 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 아니된다.

<실시예 1>

비닐기를 갖고 있는 PDMS(분자량: 28,000, Bayer사)에 가교제로 2,5-다이메틸 2,5-t-부틸퍼옥시 헥산(Aldrich 사)을 5％ 중량비로 첨가하여 스핀코팅 또는 바코팅 법을 이용하여 ITO가 증착된 유리기판위에 약 30 um 두께로 코팅한 후, 150℃ 온도에서 1시간동안 가교반응하여 유전체를 제작하였다. 유전체의 DC(직류) 내전압을 ASTM D149법으로 측정하였다. 전극의 형태는 구 대 구 로써 직경은 12.7 mm 이며 0V에서 시작하여 절연파괴가 발생할 때까지 시험전극에 일정하게 전압을 인가하는 단시간 시험법을 사용하였다. 유전상수의 측정은 LCR 미터, 투광도의 측정은 UV-Visible spectroscopy를 사용하였다. (표 1 참조)

<실시예 2>

폴리다이메틸실록산 비스(3-아미노프로필) 터미네이티드(분자량: 27,000, Aldrich 사) 10g과 파이로멜리틱 다이언하이드라이드 2.2g을 N-메틸-2-피롤리돈 30g을 용매에 녹여 질소분위기 하에 12시간 축합반응시켜 폴리아믹산 결합을 포함하는 용액을 제조하였다. 제조된 용액을 상기 실시예 1의 방법으로 코팅하여 섭씨 100, 200, 300도에서 각각 1시간씩 열처리한 후에 20um 두께의 폴리이미드-실록산 유전체를 수득하였다. 이후의 과정은 상기 실시예 1과 동일하다.

<실시예 3>

다이비닐 실록산 비스-벤조싸이클로부텐(Dow Chemical 사)을 상기 실시예 1에서 사용된 방법으로 ITO 기판위에 코팅한 후, 180℃에서 2시간 열처리하여 20 um 두께의 유전체막을 제조하였다. 이후의 과정은 상기 실시예 1과 동일하다.

<실시예 4>

에폭시싸이클로헥실아이소부틸-폴리실시퀴옥센(분자량: 1026, Aldrich 사) 9.417 g과 비스(3,4-에폭시싸이클로헥실메틸) 아디페이트(Aldrich 사) 3.664g을 테트라하이드로 퓨란 10g 에 녹여 상온에서 3시간 동안 교반하였다. 개시제로 알루미늄 2-부톡사이드를 전체 에폭시기의 5 중량％가 되도록 첨가하여, 섭씨 120도 온도에서 2시간 열처리하여 유전체를 제조하였고 나머지 과정은 상기 실시예 1과 동일하게 진행하였다.

<실시예 5>

3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란(Aldrich 사) 13.11g 과 디이소부틸실 란다이올 10.05g을 혼합한 후, 수산화나트륨 0.1g을 촉매로 첨가하여 80℃ 에서 3시간 반응시켜 용액을 제조하였다. 용액에 자외선 경화를 위한 개시제 2,2-디메톡사-2-페닐-아세토페논(Aldrich 사)을 0.25g을 첨가한 후 상기 실시예 1의 방법으로 유전체막을 형성 하였다. 500W 수은 램프를 이용하여 3J/cm²의 자외선 에너지를 유전체막에 조사하여 광경화 시킨 후, 150℃ 에서 4시간 열처리 하여 최종 소성을 하였다. 나머지 과정은 상기 실시예 1과 동일하다.

<실시예 6>

3-글리시독시프로필트리메톡시실란 (Aldrich 사) 13.11g과 다이이소부틸실란다이올 10.05g을 혼합한 후, 수산화나트륨 0.1g을 촉매로 첨가하여 80℃ 에서 3시간 반응시켜 용액을 제조하였다. 제조된 용액을 진공상태에서 60℃로 가열하여 메탄올을 전부 추출한 후, 메틸에틸케톤에 분산된 실리카 졸인 MEK-ST(Nissan Chemical 사)을 10g을 첨가하여 혼합하였다. 혼합된 용액에 에폭시 개시제 1-메틸 이미다졸 0.1g을 첨가하여 바코팅 방법으로 ITO 기판 위에 유전체막을 코팅하고, 150℃에서 3시간 소성하여 최종 유전체막을 얻었다. 나머지 과정은 상기 실시예 1과 동일하다.

<표 1> 유전체 물성치

	내전압 (KV)	두께 (㎛)	절연내력(V/㎛)	유전상수	투광도(％)
실시예 1	4.3	20	215	2.8~3.0(1 MHz)	>90
실시예 2	4.8	20	240	3.1~3.6 (1 MHz)	>85
실시예 3	5.0	20	250	2.7~3.0(1 MHz)	>90
실시예 4	3.9	20	195	3.0~4	>85
실시예 5	3.5	20	175	3.2~4(1 MHz)	>88
실시예 6	4.5	20	225	3.0~3.5(1 Mhz)	>75

본 발명에 의한 유전체/격벽 조성물은 기존의 유리페이스트를 이용한 유전층과 유사한 특성을 가지며, 여러 가지 다양한 코팅방법에 의해 비교적 간단한 공정으로 막을 형성시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면 유전체/격벽의 조성이 PbO를 함유함이 없어 저유전상수를 가지며, 섭씨 200도 이하의 낮은 온도에서도 소성이 가능하고 액상으로부터 코팅방법을 이용해 막을 용이하게 형성시킬 수 있다.

Claims

하기 구조식의 화합물1 또는 R⁶SiO_1.5를 반복단위로 하는 폴리헤드럴 올리고실시스퀴옥센(화합물2)에 속하는 적어도 1종 이상의 화합물을 포함하거나, 이들 화합물을 단량체로 하는 무-유기 혼성물질을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물

상기 식에서 X는 0을 포함하는 정수이고, R₁,R₂,R₃,R₄,R₅,R⁶은 각각 알킬기,케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 알콕시기, 방향족기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소, 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상 가지는 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 C_1~12의 탄화수소기이고, A는 O 또는 NH 이다.
하기 구조식의 화합물1 또는 R⁶SiO_1.5를 반복단위로 하는 폴리헤드럴 올리고실시스퀴옥센(화합물2), 또는 이들 화합물을 단량체로 하는 무-유기 혼성물질에서 선택되어지는 적어도 1종 이상의 화합물과, 상기 화합물1,2 또는 무-유기 혼성물질과 중합이 가능한 유기단량체 또는 분자량 10,000이하의 올리고머가 가교를 이룬 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물

상기 식에서 X는 0을 포함하는 정수이고, R₁,R₂,R₃,R₄,R₅,R⁶은 각각 알킬기, 알콕시기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 방향족기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소, 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상 가지는 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 C_1~12의 탄화수소기이고, A는 O 또는 NH 이다.
제 1항 또는 제2항에 있어서, 화합물1은 헥사메틸다이실록산, 옥타메틸트리실록산, 폴리다이메틸실록산, 폴리(다이메틸실록산-코-알킬메틸실록산), 폴리(다이메틸실록산 비스[[3-[2-아미노에틸)아미노]프로필]다이케톡시실릴]에테르, 폴리[다이메틸실록산-코-(3-아미노프로필)메틸실록산], 폴리(다이케틸실록산)비스(3-아미노프로필) 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산)비스(하이드록시알킬) 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산)클로린 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산)다이글리시딜 에테르 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-다이페닐실록산) 다이하이드록시 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-다이페닐실록산) 다이비닐 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-다이페닐실록산) 트리메틸실릴 터미네이티드, 폴리[다이메틸실록산-코-[2-(3,4-에폭시싸이클로헥실)에틸]메틸실록산], 폴리(다이메틸실록산)에톡실레이트 다이하이드록시 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산) 하이드라이드 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산) 카르복실 터미네이티드, 폴리[다이메틸실록산-코-[3-[2-(2-하이드록시에톡시]프로필]메틸실록산] 폴리(다이메틸실록산) 하이드록시 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산) 메톡시 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-메틸하이드로실록산), 폴리(다이메틸실록산-코-메틸하이드로실록산) 하이드라이드 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-메틸하이드로실록산) 트리메틸실릴 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산-코-메틸페닐실록산), 폴리[다이메틸실록산-코-메틸(3,3,3-트리플로로프로필)실록산], 폴리(다이메틸실록산) 모노글리시딜 이써 터미네이티드, 폴리(다이메틸실록산) 모노하이드록시 터미네이티드의 군에서 선택되어짐을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물
제 1항 또는 제2항에 있어서, 화합물2는 1,3,5,7,9,11,14-헵타-아이소옥틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11헵타실록산-엔도-3,7,14-트리올, 1,3,5,7,9,11,14-헵타싸이클로펜틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11]헵타실록산-엔도-3,7,14-트리올, 1,3,5,7,9,11,14-헵타아이소부틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11]헵타실록산-엔도-3,7,14-트리올, 1,3,5,7,9,11-옥타싸이클로펜틸테트라싸이클로[7.3.3.1^5,11]옥타실록산-엔도-3,7-다이올, 3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-올, 3,7,14-트리스{[3-(에폭시프로폭시)프로필]다이메틸실릴옥시}-1,3,5,7,9,11,14-헵타싸이클로펜틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11]헵타실록산, 3-[(3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-일옥시)디메틸실릴]프로필-메타아크릴레이트, 9-{디메틸[2-(5-노보넨-2-일)에틸]실릴옥시}-1,3,5,7,9,11,14-헵타싸이클로펜틸트리싸이클로[7.3.3.1^5,11]헵타실록산-1,5-다이올, 에틸-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.^13,9.15^,15.1^7,13]옥타실록산-1-운데카노에이트, 메틸-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-프로피오네이트, 1-[2-(3,4-에폭시싸이클로헥실)에틸]-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-(2-(3,4-에폭시싸이클로헥실)에틸)-3,5,7,9,11,13,15-아이소부틸펜타싸이클로-[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-[2-(3-싸이클로헥센-1-일)에틸]-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-[2-(5-노보넨-2-일)에틸]-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-(2-트랜스-싸이클로헥산다이올)에틸-3,5,7,9,11,13,15-아이소부틸펜타싸이클로-[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-(3-(2-아미노에틸)아미노)프로필-3,5,7,9,11,13,15-아이소부틸펜타싸이클로-[9.5.1.1^(3,9).1^(5,15).1^(7,13)]옥타실록산, 1-(3-클로로프로필)-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-(3-싸이클로헥센-1-일)-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 3-(3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-일)프로필메타아크릴레이트_,1-(4-비닐페닐-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-(하이드리오디메틸실릴옥시)-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-알릴-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 1-(알릴디메틸실릴옥시)-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산, 3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산-1-부틸로니트릴, 1-클로로-3,5,7,9,11,13,15-헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로[9.5.1.1^(3,9).1^(5,15).1^(7,13)]옥타실록산, (글리시독시프로필디메틸실릴옥시)헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로옥타실록산, (메틸페닐비닐실릴옥시)헵타싸이클로펜틸펜타싸이클로옥타실록산, 1-비닐-3,5,7,9,11,13,15-아이소부틸펜타싸이클로-[9.5.1.1^3,9.1^5,15.1^7,13]옥타실록산의 군에서 선택되어짐을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물
제1항 또는 제2항에 있어서, 무-유기 혼성물질은 화합물1, 2와 중합이 가능한 작용기를 가지는 실리콘 알콕사이드를 결합시킨 후 가수분해 및 축합반응을 포함하는 졸-겔 공정을 통해 제조되어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물
제 2항에 있어서, 유기단량체는 알킬기, 알콕시기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 방향족기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소, 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상 가지는 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 C_1~12의 탄화수소화합물인 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물
제 1항 또는 제 2항에 있어서,

상기 C_1~12의 탄화수소기는 일부 수소가 불소로 치환된 것임을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물
제 1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조성물은 조성내에 금속, 금속 산화물 입자, 금속 알콕사이드 또는 그의 착물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물
제 1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조성물은 조성내에 백색 또는 흑색 안료를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물
하기 구조식의 화합물1 또는 R⁶SiO_1.5를 반복단위로 하는 폴리헤드럴 올리고실시스퀴옥센(화합물2)에 속하는 적어도 1종 이상의 화합물을 포함하거나, 이들 화합물을 단량체로 하는 무-유기 혼성물질을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 조성물

상기 식에서 X는 0을 포함하는 정수이고, R₁,R₂,R₃,R₄,R₅,R⁶은 각각 알킬기,케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 알콕시기, 방향족기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소, 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상 가지는 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 C_1~12의 탄화수소기이고, A는 O 또는 NH 이다.
하기 구조식의 화합물1 또는 R⁶SiO_1.5를 반복단위로 하는 폴리헤드럴 올리고실시스퀴옥센(화합물2), 또는 이들 화합물을 단량체로 하는 무-유기 혼성물질에서 선택되어지는 적어도 1종 이상의 화합물과, 상기 화합물1,2 또는 무-유기 혼성물질과 중합이 가능한 유기단량체 또는 분자량 10,000이하의 올리고머가 가교를 이룬 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 조성물

상기 식에서 X는 0을 포함하는 정수이고, R₁,R₂,R₃,R₄,R₅,R⁶은 각각 알킬기, 알콕시기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 방향족기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소, 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상 가지는 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 C_1~12의 탄화수소기이고, A는 O 또는 NH 이다.
제10항 또는 제11항에 있어서, 무-유기 혼성물질은 화합물1, 2와 중합이 가능한 작용기를 가지는 실리콘 알콕사이드를 결합시킨 후 가수분해 및 축합반응을 포함하는 졸-겔 공정을 통해 제조되어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 조성물
제 10항 또는 제11항에 있어서, 상기 조성물은 조성내에 금속, 금속 산화물 입자, 금속 알콕사이드 또는 그의 착물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 조성물
제 10항 또는 제11항에 있어서, 상기 조성물은 조성내에 백색 또는 흑색 안료를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 조성물