KR20020080500A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 구동시의 소비전력을 저감함으로써, 발광효율이 양호하고, 유리의 황변이나 형광체의 열화를 억제하면서 제조비용이 낮은 PDP를 제공하는 것을 목적으로 한다.

그것을 위해, PDP에서의 유전체층 및 격벽을 폴리실록산 결합을 갖는 실리콘수지로 형성하는 것으로 하였다.

실리콘수지로서는 실록산 결합 장소에 메틸기, 에틸기, 페닐기가 결합하는 것을 이용하는 것이 바람직하다.

또, 밀봉재층에도 실리콘수지를 이용하는 것이 바람직하다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE}

최근, 하이비전을 비롯한 고품위 대화면의 텔레비전에 대한 요구가 높아지고 있는 가운데, CRT, 액정 디스플레이(이하, LCD라 함), 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel, 이하 PDP라 함)이라는 각 디스플레이 분야에서 요구에 알맞은 제품의 개발이 진행되고 있다.

종래부터 텔레비전의 디스플레이로서 널리 이용되고 있는 CRT는 해상도 ·화질면에서 우수하지만, 화면의 크기에 따라 깊이 및 중량이 커지는 점에서 40인치 이상의 대화면에는 적합하지 않다. 또, LCD는 소비전력이 적고, 구동전압도 낮다는 뛰어난 성능을 갖고 있지만, 대화면을 제작하는 것은 기술적으로 곤란하다.

이에 대하여, PDP는 작은 깊이라도 대화면을 실현하는 것이 가능하여, 이미 50인치급의 제품도 시판되고 있다.

PDP는 크게 나누어 직류형(DC형)과 교류형(AC형)으로 나뉘어지지만, 현재로서는 대형화에 적합한 AC형이 주류를 이루고 있다.

일반적인 교류면방전형 PDP는 전면유리판과 배면유리판이 간격을 두고 평행하게 배치되며, 전면유리판 상에는 표시전극이 스트라이프형상으로 설치되고, 그 위로부터 유전체층과 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층이 덮고 있다.

한편, 배면유리판 상에는 스트라이프형상으로 어드레스전극이 배치되고, 당해 어드레스전극을 덮어 유전체층이 설치되며, 그 위에, 어드레스전극끼리 사이에 격벽이 설치되고, 격벽간의 간극에는 형광체층이 설치되어 있다. 그리고, 양 플레이트 사이의 격벽으로 구획된 방전공간 내에는 방전가스(예를 들면, Ne-Xe계 가스)가 봉입되어 있다.

상기 전면유리판 상 및 배면유리판 상의 각 유전체층은 PDP 구동시에서 메모리기능을 담당하는 역할이 있고, 통상, 산화납(PbO)계 혹은 산화비스무스(Bi₂O₃)계의 저융점 유리가 널리 이용되고 있으며, 백플레이트측의 유전체층에는 동일한 저융점 유리에 백색안료인 TiO₂나 A1₂O₃이 포함된 것이 이용된다.

그런데, 저융점 유리는 유전율이 10∼13으로 크기 때문에, 상기한 바와 같이 유전체층을 저융점 유리로 형성하면 방전셀에서의 정전용량이 커지므로, 어드레스 방전시나 유지방전시에서, 방전 1회당 방전전류량이 커진다. 그 결과, PDP의 소비전력도 커진다. 특히, 휘도를 향상시키기 위해 패널구동시에서의 주파수를 높게(예를 들면 200㎑ 이상) 설정하면, 소비전력이 커진다.

또, 격벽에서도 PbO계나 Bi₂O₃계의 저융점 유리가 이용되고 있지만, 이것도 정전용량에 영향을 주므로, 소비전력이 커지는 원인의 하나이다.

이 문제에 대하여, PbO계나 Bi₂O₃계 이외의 저융점 유리로서는 Na₂O-B₂O₃-SiO₂계 유리, Na₂O-B₂O₃-ZnO계 유리, Na₂O-B₂O₃-SiO₂계 유리가 알려져 있고, 이들은 유전율이 6∼7로 낮으므로, 이것을 유전체층이나 격벽에 이용함으로써, PDP의 소비전력을 저감할 수 있다고 생각된다.

그러나, 이들 유리에는 Na₂O(산화나트륨), K₂O(산화칼륨), Li₂O(산화리튬) 등이 상당히 함유되어 있기 때문에, 이들의 함유화합물이 투명전극(ITO)과 반응하여 도전성을 저하시킨다는 문제 혹은, 상기 함유화합물이 금속전극과 반응하는 결과, 금속전극 중의 Cu나 Ag가 유전체 유리 중이나 유리판 상까지 확산되고, 그로 인하여 유리판이나 유전체층이 황변하거나 유전체층의 내압이 저하된다는 문제점이 있다.

또, 이 타입의 유리를 격벽재료로서 이용하는 경우도, 형광체 소성시에서 유리 중에 포함되는 Na₂O가 형광체와 반응함으로써 형광체층의 발광휘도가 저하되기 쉽다는 문제점이 있다.

또, 다른 기술로서, 일본 특개평 9-199037호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 금속전극이나 투명전극 상에 Pb0계 유리를 도포소성하여 유전체 하층을 형성하고, 그 위에 유전율이 낮은 Na₂O-B₂O₃-SiO₂계 유리를 도포소성하여 유전체 상층을 형성한다는 방법도 있고, 이 방법에 의하면, Ag나 Cu의 확산을 억제하면서 유전율도 어느 정도 낮게 억제하는 것이 가능하다고 생각된다. 그러나, 실제로 Ag나 Cu의 확산억제효과를 얻기 위해서는 하층을 상당히 두텁게 설정해야 하므로, 유전체층 전체로서의 유전율을 그다지 저감할 수는 없다.

또, 유전체층이나 격벽을 저융점 유리로 형성하는 경우에서의 다른 과제로서, 저융점 유리를 배치한 후, 500℃∼600℃의 고온으로 소성해야 하지만, 이 소성에는 시간과 에너지가 필요하므로, 이것을 저감함으로써 제조비용을 저감하는 것도 요구된다.

유전율이 낮은 SiO₂를 증착법이나 스퍼터링법으로 성막함으로써 유전체층을 형성하는 것도 생각된다.

그러나, 증착법이나 스퍼터링법으로 20∼30㎛ 정도의 막두께를 얻는 것은 시간적인 면 및 비용면에서 곤란하고, SiO₂층을 10㎛ 이상의 두께로 성막하면 막에 크랙(crack)이 생기기 쉽다. 따라서, SiO₂로 유전체층을 형성함으로써 정전용량을 저감하는 것은 실제로는 곤란하다고 생각된다.

본 발명은 컬러텔레비전 수상기의 디스플레이 등에 사용하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 관한 PDP의 요부사시도.

도 2는 상기 PDP에서의 주요단면도.

도 3은 필름전사법을 이용하여 실리콘수지로 이루어지는 유전체층을 형성하는 방법을 설명하는 도면.

도 4는 금형을 이용하여 실리콘수지로 이루어지는 격벽을 형성하는 방법을 나타내는 도면.

도 5는 샌드블러스트로 격벽재료층을 성형가공하는 방법을 나타내는 도면.

도 6은 실시예에서 이용하는 형광체 잉크도포장치의 개략도.

도 7은 상기 PDP에 구동회로를 접속한 PDP 표시장치의 구성을 나타내는 도면

도 8은 실시예에 관한 PDP에 대한 일변형예를 나타내는 도면.

본 발명은 PDP로서, 구동시의 소비전력을 저감함으로써 발광효율이 양호하여, 유리의 황변이나 형광체의 열화를 억제할 수 있으면서 제조비용이 낮은 것을 제공하는 것을 목적으로 한다.

그것을 위해, PDP에서의 유전체층 및 격벽을 폴리실록산 결합을 갖는 실리콘수지로 형성하는 것으로 하였다. 이 실리콘수지로서는 실록산결합의 Si에 메틸기, 에틸기, 페닐기가 결합하는 것을 이용하는 것이 바람직하다.

또, 밀봉재층에도 실리콘수지를 이용하는 것이 바람직하다.

이 실리콘수지는 3차원 망구조를 갖고, 내열성, 내노화성, 전기절연성이 우수하다.

또, 유전율이 통상 4.0 이하로 낮으므로, 상기 본 발명의 PDP에 의하면, 종래와 같이 유전체층을 저융점 유리로 형성하는 경우에 비하여 유전체층의 유전율을 대폭 저감하고, 방전셀의 정전용량을 저감할 수 있다. 따라서, 패널구동시에서의 소비전력을 저감하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.

또, 상기 본 발명의 PDP와 같이 유전체층이나 격벽을 실리콘수지로 형성하면, 300℃ 이하의 저온에서 경화할 수 있으므로, 유전체층을 유리로 형성하는 경우와 같이 고온에서 소성할 필요가 없다. 따라서, 제조시의 에너지를 절약하여 비용저감을 도모하는 동시에, Ag나 Cu의 확산에 의한 유리기판이나 유전체층의 황변도 방지할 수 있으므로, PDP의 발광색도 양호하게 된다.

또, 실리콘수지를 이용하면 두께 20㎛ 이상이 두꺼운 막을 형성하는 것도 용이하므로, 유전체층 뿐만아니라 격벽을 형성하는 것도 비교적 용이하고, 두꺼운 막을 형성하더라도 SiO₂와 같이 크랙이 발생하는 일이 없다.

(PDP의 전체 구성에 대한 설명)

도 1은 본 발명의 실시예에 관한 교류면방전형 PDP(1)를 나타내는 주요부 사시도로서, 본 도면에서는 PDP(1)의 중앙부에 있는 표시영역을 부분적으로 나타내고 있다.

이 PDP(1)는 전면유리기판(11) 상에 표시전극(주사전극(12), 유지전극(13)), 제 1 유전체층(14), 보호층(15)이 배치되어 이루어지는 전면패널(10)과, 배면유리기판(21) 상에 어드레스전극(22), 제 2 유전체층(23)이 배치된 배면패널(20)이 표시전극(12, 13)과 어드레스전극(22)을 대향시킨 상태에서 서로 평행하게 간격을 두고 배치되어 구성되어 있다. 그리고, 전면패널(10)과 배면패널(20)과의 간극은 스트라이프형상의 격벽(24)으로 구획됨으로써, 방전공간(30)이 형성되고, 당해 방전공간(30) 내에는 방전가스가 봉입되어 있다. 또, 상기 격벽(24)은 배면패널(20)측에 어드레스전극(22)과 평행하게 형성되어 있고, 전면패널(10)과 배면패널(20)과의간극을 규정하는 갭재료를 겸하고 있다. 또, 전면패널(10)과 배면패널(20)과의 외주부끼리는 밀봉재층으로 밀봉되어 있다.

배면패널(20)의 격벽(24) 사이에는 이 방전공간(30)에 임하여 형광체층(25)이 설치되어 있다. 이 형광체층(25)은 적색, 녹색, 청색의 순으로 반복하여 나열되어 있다.

표시전극(12, 13) 및 어드레스전극(22)은 모두 스트라이프형상으로서, 표시전극(12, 13)과 어드레스전극(22)과는 직교하고 있다. 그리고, 방전공간(30)의 주사전극(12)과 어드레스전극(22)이 교차하는 곳(방전셀)에서, 형광체색에 상당하는 색으로 발광하게 되어 있다. 이와 같이, PDP(1)에서 각 색 방전셀이 매트릭스형상으로 배열된 패널구성으로 되어 있다.

어드레스전극(22)은 금속전극(예컨대, 은전극 또는 Cr-Cu-Cr 전극)이다.

도 2는 도 1에 나타내는 PDP에서의 주요단면도이다.

표시전극(12, 13)은 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, ITO, SnO₂, ZnO 등의 도전성 금속산화물로 이루어지는 광폭(예컨대, 폭 150㎛)의 투명전극(12a, 13a) 상에 가는 폭(예컨대, 폭 30㎛)의 버스전극(12b, 13b)(은전극, Cr-Cu-Cr 전극)을 적층시킨 전극구성으로 할 수도 있고, 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 어드레스전극(22)과 마찬가지로 금속전극만으로 형성해도 된다.

일반적으로 전극의 저항을 낮게, 또한, 방전 셀 내의 방전면적을 넓게 확보하려면, 표시전극(12, 13)을 적층전극으로 하는 것이 바람직하다고도 할 수 있으나, 표시전극(12, 13)을 금속전극만으로 형성하는 편이 패널의 전기용량이 작아지는 면이나 제조가 용이하다는 면에서 유리하고, 특히 세밀한 패널구조의 경우에는 금속전극만으로 형성하는 것이 바람직하다고 할 수 있다.

제 1 유전체층(14)은 전면 유리기판(11)의 표시전극(12)이 배치된 표면 전체를 덮어 설치된 유전물질로 이루어지는 층으로서, 두께는 15㎛∼40㎛이다. 자세한 것은 후술하겠지만, 이 제 1 유전체층(14)은 폴리실록산결합을 갖는 실리콘수지로 형성되어 있고, 유전율은 4 이하로 낮은 값이다.

보호층(15)은 MgO로 이루어지는 박층으로서, 제 1 유전체층(14)의 표면 전체를 덮고 있다.

제 2 유전체층(23)은 제 1 유전체층(14)에 이용되고 있는 것과 같은 실리콘수지에 백색안료로서 산화규소(SiO₂)입자 혹은 산화티타늄(TiO₂)입자가 혼합된 것으로 형성되어 있고, 두께는 15㎛ 정도이다. 발광한 가시광을 효율적으로 전면패널(10)측에 반사시키는 가시광 반사층으로서의 작용도 겸하도록 되어 있다. 또, 실리콘수지에 대한 백색안료의 혼합량은 통상 10∼30중량% 정도이다.

격벽(24)은 제 2 유전체층(23)의 표면 상에 소정 피치로 돌출설치되어 있고, 그 높이는 예컨대, 100㎛이다. 이 격벽(24)은 제 2 유전체층(23)과 마찬가지로 실리콘수지에 백색안료가 혼합된 재료로 형성되어 있다.

상기 형광체층(25)은 이하와 같은 형광체입자가 격벽(24) 사이의 홈에 층형상으로 성형되어 소결된 것으로, 그 유전율은 5 정도이다.

적색형광체 : Y₂O₃: Eu³⁺

녹색형광체 : Zn₂SiO₄: Mn

청색형광체 : BaMgAl₁₀O₁₇: Eu³⁺

(PDP(1)의 제조방법에 대한 설명)

상기 PDP(1)의 제조방법에 대하여 설명한다.

전면패널(10)의 제작 :

전면 유리기판(11)의 표면 상에 표시전극(12, 13)을 형성한다.

표시전극(12, 13)을 투명전극과 버스전극의 적층형으로 하는 경우, 스퍼터법으로 두께가 약 0.12㎛인 ITO막을 균일하게 형성하고, 그 후, 포토리소그래피법 혹은 레이저가공법으로 스트라이프형상으로 패터닝함으로써 투명전극(12a, 13a)을 형성한다.

계속해서, 감광성의 은페이스트를 전면 유리기판(11)의 전체 표면에 형성하고, 포토리소그래프법으로 스트라이프형상으로 패터닝하고, 이것을 550℃까지 가열하여 은페이스트를 소성함으로써, 상기 투명전극(12a, 23a) 상에 버스전극(12b, 13b)을 형성한다.

표시전극(12, 13)을 금속전극만으로 형성하는 경우, 감광성 Ag 페이스트를 전체면에 도포하고, 이것을 포토리소그래프법으로 패터닝함으로써 은전극을 형성하는 방법, 또는, 스퍼터법으로 Cu층, Cr층, Cr층을 차례로 전체면에 형성하고, 이것을 포토리소그래프법으로 패터닝함으로써 Cu-Cr-Cr 전극을 형성하는 방법을 이용할 수 있다.

다음에, 표시전극(12, 13)이 형성된 전면 유리기판(11) 상에 실리콘을 성막하고 가열경화함으로써 제 1 유전체층(14)을 형성한다.

우선, 유전체층의 재료로서 이용하는 실리콘(silicone)에 대하여 설명한다.

실리콘은 실록산결합의 반복(-Si-O-)n을 주체인으로 하고, 측기로서 알킬기, 아릴기 등을 갖는 중합체로서, 중합도, 측기의 종류, 가교의 정도 등에 의해 액체형상, 그리즈(grease)형상, 고무형상, 수지형상의 것이 있다. 선형상이고, 저중합도의 상온에서 유동성을 나타내는 것을 실리콘유(油)라고 하고, 통상은 디메틸디클로로실란의 중합체이다(이화학사전 : 이와나미서점).

또, 「플라스틱사전」((주)아사쿠라서점 1992년 3월 1일, PP 281∼298)에도 다음과 같은 내용이 기재되어 있다.

실리콘은 폴리실록산 결합을 갖는 유기규소폴리머로서, 폴리실록산 결합에 메틸기(-CH₃), 에틸기(-C₂H₅), 페닐기(-C₆H₅) 등이 결합하여, 유기폴리실록산 결합이 형성되어 있는 것이다.

이 실리콘은 일반적으로는 유기용제에 용해시킨 실리콘 바니스(varnish)로서 취급되고 있고, 가열함으로써 가교경화하여 메시형상화되는 구조를 갖고 있다.

실리콘은 (1) 스트레이트실리콘과 (2)변성실리콘으로 대별된다.

(1) 스트레이트실리콘은 메틸트리클로로실란(T단위), 디메틸트리클로로실란(D단위), 페닐트리클로로실란(T단위), 디페닐트리클로로실란(D단위), 메틸페닐디클로로실란(D단위) 등에서 선택되는 유기클로로실란(상기「D단위」는 2관능성, 「T단위」는 3관능성을 의미함)을 유기용제에 녹여, 수중에 투입하여 가수분해함으로써 얻어진다. 여기서, 이용하는 실란의 조합에 의해 경화 후의 피막의 성질이 대략 결정되고, 예를 들어, D단위의 실란은 체인형상으로 연결되기 어려우므로, D단위의 비율이 많을수록 피막은 유연한 것으로 된다.

(2) 한편, 변성실리콘은 미리 D단위와 T단위의 실록산을 이용하여 올리고머화함으로써, 반응기(Si-OH, Si-OMe 등)를 갖는 실록산 중간체를 제작하고, 이것에 에폭시수지, 페놀수지, 아크릴수지, 폴리에스테르수지, 알킬수지 등과 혼합, 쿠킹(cooking)하여 변성한 것이다.

본 실시예에서는 상기 스트레이트 실리콘 및 변성 실리콘 중 어느 것을 이용해도 되고, 그 구체예는 실시예에서 설명한다.

다음에, 이러한 실리콘을 표시전극(12, 13)이 형성된 전면 유리기판(11) 상에 배치하여 실리콘막을 형성하는데, 그 형성방법에 대하여 설명한다.

첫째, 액체형상의 실리콘(실리콘유)을 크실렌 등의 용제로 적당한 점도로 조정하여 도포하여 건조하는 방법이 있다.

실리콘을 도포할 때에 종래부터 유전체 유리층의 형성에 이용되고 있는 다이코트법 혹은 스크린인쇄법을 이용해도 되지만, 스핀코트법을 이용해도 도포할 수 있다.

둘째로, 필름전사법을 이용하는 방법이 있다.

이것은, 전사용 기재로서의 PET 필름 상에 실리콘을 코팅하여 건조함으로써 유전체 그린시트를 제작하고, 이것을 라미네이터로, 표시전극(12, 13)이 형성된 전면 유리기판(11) 상에 전사함으로써도 실리콘막을 형성할 수 있다.

구체적으로는, 표시전극(12, 13)이 형성된 전면 유리기판(11)을 가열하고, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 이것에 상기 유전체 그린시트를 중첩하면서 1쌍의 라미네이터 롤러(201, 202) 사이를 통과시켜 라미네이트함으로써 실리콘막(14a)을 형성한다.

다음에, 실리콘막의 경화에 대하여 설명한다.

도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상기의 어느 한가지 방법으로 형성한 실리콘막(14a)을 200℃∼300℃에서 가열한다. 이로 인하여, 실리콘막(14a)은 경화하여 3차원 메시구조의 실리콘수지로 된다. 이로 인하여, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제 1 유전체층(14)이 형성된다.

또, 이 큐어온도는 종래의 저융점유리의 소성온도(500∼600℃)에 비하여 상당히 낮은 온도이다.

이어서, 유전체층(14) 상에 MgO로 이루어지는 보호층(15)을 형성한다. 이 보호층(15)은 진공증착법이나 스퍼터법 외에 이온도금법이나 CVD법(열 CVD법 또는 플라즈마 CVD법)에 의해 형성할 수 있다.

배면패널(20)의 제작 :

배면 유리기판(21)의 표면 상에 어드레스전극(22)을 형성한다. 이 어드레스전극(22)은 Ag 페이스트를 스크린인쇄법에 의해 일정간격으로 스트라이프형상으로도포하여 소성함으로써 형성할 수 있다.

이어서, 배면 유리기판(21)의 어드레스전극(22)을 형성한 측의 전체면에 걸쳐 제 2 유전체층(23)을 형성한다.

제 2 유전체층(23)은 제 1 유전체층(14)과 대략 같은 방법으로 형성한다. 즉, 제 1 유전체층(14)에 이용한 것과 같은 실리콘에 백색안료로서 평균입자직경이 0.1㎛∼0.5㎛의 산화규소(SiO₂)를 10중량% 첨가한 재료를 준비하고, 이것을 도포하여 건조함으로써 혹은 필름전사법에 의해 실리콘막을 형성한다. 그리고, 이것을 200℃∼300℃에서 가열경화함으로써 제 2 유전체층(23)을 형성한다.

다음에, 제 2 유전체층(23) 상에서, 인접하는 어드레스전극(22)끼리의 사이에 격벽(24)을 형성한다. 이 격벽(24)은 상기 제 2 유전체층(23)의 형성에 이용한 것과 같은 재료(실리콘에 백색안료를 첨가한 재료)를 격벽재료로 하고, 이 격벽재료를 격벽(24)의 형상으로 성형하여, 200℃∼300℃에서 가열경화함으로써 제작한다.

격벽재료의 성형방법에 대하여

스크린인쇄법에 의해 격벽을 형성하고자 하는 영역만큼 격벽재료를 반복하여 도포하는 방법 외에, 이하에 설명하는 바와 같이, 격벽재료를 전체면에 도포하여 격벽재료층을 형성한 후, 이것을 프레스성형 혹은 샌드블러스트로 성형가공하는 방법을 이용할 수 있다.

도 4는 금형을 이용하여 격벽을 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.

도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 어드레스전극(22)이 형성된 배면 유리기판(21) 상의 전체에 격벽재료를 도포하여 격벽재료층(210)을 형성한다. 그리고, 격벽에 대응하는 오목부를 갖는 금형(220)으로, 격벽재료층(210)을 프레스함으로써, 격벽재료층(210)이 격벽형상으로 성형된다.

도 4의 (b)는 이렇게 하여 격벽재료층(210)이 격벽형상으로 패터닝된 모양을 나타내고 있다. 그 후, 배면 유리기판(21)을 가열하여 격벽재료층(210)을 경화시킴으로써, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 격벽(24)이 형성된다.

또, 상기 도 4의 방법과는 반대로, 우선 금형(220)의 오목부에 격벽재료를 매설해 두고, 이것을 어드레스전극(22)이 형성된 배면 유리기판(21) 상에 누름으로써 전사하는 방법으로도, 도 4의 (b)와 같이, 격벽재료를 격벽형상으로 성형할 수 있다.

다음에, 도 5는 샌드블러스트로 격벽재료층을 성형가공하는 방법을 나타내는 도면이다.

도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 어드레스전극(22)이 형성된 배면 유리기판(21) 상의 전체에, 격벽재료층(210)을 형성한다. 다음에, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 격벽재료층(210) 상에 감광성 드라이필름 레지스트(이하, DFR이라 함)를 라미네이트함으로써 피복막(230)을 형성하고, 이 피복막(230) 상에 격벽패턴에 상당하는 부분만을 덮는 포토마스크(240)를 제공하며, 자외선광(UV광)을 조사하여 노광한다. 다음에, DFR를 현상한 후 즉시 수세한다. 이로 인하여, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이, 피복막(230)은 UV 조사된 부분이 제거되고, 격벽 패턴에 상당하는 부분만이 남는다.

이와 같이 피복막(230)을 패턴형성한 후, 도 5의 (d)에 나타내는 바와 같이, 블러스트 노즐(250)로부터 연마재(예를 들면, 유리비드(beads)재)(251)를 분사하면서, 이 블러스트 노즐(250)을 도면중 백색화살표로 나타내는 바와 같이, 피복막(230) 표면을 따라 전체에 걸쳐 주사시킨다. 이로 인하여, 격벽재료층(210)은 그 불필요한 부분이 깎여 격벽형상으로 성형된다.

그리고, 블러스트 가공한 후의 배면 유리기판(21)을 박리액에 침지함으로써, 피복막(230)을 박리한다. 도 5의 (e)는 격벽재료층(210)이 격벽형상으로 성형된 모양을 나타낸다. 그 후, 격벽재료층(210)을 가열경화시킴으로써, 도 5의 (f)에 나타내는 바와 같이 격벽(24)이 형성된다.

다음에, 격벽(24)끼리의 사이의 홈에 형광체층(25)을 형성한다.

형광체층(25)은 적색(R)형광체, 녹색(G)형광체, 청색(B)형광체 중 어느 하나를 포함하는 형광잉크를 홈에 도포하고, 건조 ·소성함으로써 형성할 수 있다.

형광체 잉크의 도포방법으로서는 스크린인쇄법 등의 방법도 이용할 수 있지만, 정밀한 패널구조의 경우에는 이하에 설명하는 라인제트법(line jet method)을 이용하면, 정밀한 패널구조의 경우에도 각 홈에 균일하게 형광체 잉크를 도포할 수 있다.

평균입자직경 2.0㎛의 각 색형광체분말 50중량%, 유기바인더(에틸셀룰로우즈) 1.0중량%, 용제(α-터피네올과 부틸카르비톨의 혼합액) 49중량%로 이루어지는 혼합물을 샌드밀(sand mill)로 혼합교반하여 각 색형광체 잉크를 제작한다.

도 6은 형광체 잉크도포장치의 개략도이다. 적색형광체 잉크를 500센티포이즈(CP)로 조정하고, 도 6에 나타내는 서버(71) 내에 넣어, 펌프(72)의 압력으로 분사장치의 노즐부(73)(노즐직경 60㎛)로부터 격벽 사이의 홈에 분사시킨다. 그와 함께, 기판을 직선형상으로 이동시킴으로써 도포한다.

마찬가지로 하여, 청색형광체 잉크, 녹색형광체 잉크를 도포한 후, 이것을 소성하여 유기바인더를 번아웃(burn out)함으로써 각 색형광체층(25)을 형성한다.

또, 일반적으로는 형광체층의 소성은 500℃ 정도로 행해지는 경우가 많지만, 본 실시예에서는 제 2 유전체층(23) 및 격벽(24)이 실리콘수지로 형성되어 있기 때문에, 형광체의 소성온도는 낮게(예를 들면, 300∼350℃ 정도) 설정하는 것이 바람직하다.

이 점, 형광체 잉크의 유기바인더로서 아크릴수지를 이용하면 250℃ 정도의 저온에서도 번아웃할 수 있으므로, 낮은 소성온도에서도 충분히 소성할 수 있어 바람직하다고 할 수 있다.

패널의 밀봉 :

상기한 바와 같이 제작한 전면패널(10)과 배면패널(20)의 외주부의 적어도 한쪽에 밀봉재를 도포하여 미경화 밀봉재층을 형성하고, 양 패널을 대향배치하여 가열함으로써 밀봉한다.

미경화 밀봉재층은 종래부터 일반적으로 이용되고 있는 밀봉용 프릿유리를 도포하여 형성해도 되지만, 상기 유전체층(14)에 이용한 것과 같은 실리콘을 이용하여 형성해도 되고, 이 경우, 밀봉온도가 200∼300℃로 낮더라도 실리콘을 경화시켜 밀봉할 수 있으므로 바람직하다.

그 후, 양 패널간의 내부를 고진공(1.1 ×10^-3Pa 정도)으로 탈기하고, 이것에 소정의 압력으로 방전가스를 봉입한다.

이상으로 PDP(1)가 완성되는데, 밀봉시에 격벽(24)의 정상부에도 밀봉재를 도포하여 밀봉하면 방전가스의 봉입압력이 대기압보다 높은 경우에도, 전면패널(10)과 배면패널(20)이 강하게 밀착되므로 PDP(1)의 구조강도가 높여진다.

(PDP의 구동에 대하여)

도 7은 상기 PDP(1)에 구동회로(100)를 접속한 PDP 표시장치의 구성을 나타내는 도면이다.

도 7에 나타내는 바와 같이, 주사전극(12)에 스캔 드라이버(102)를 접속하고, 유지전극(13)에 유지 드라이버(103)를 접속하며, 어드레스전극(22)에 데이터 드라이버(104)를 접속하여, 이들의 각 드라이버(102∼104)에 패널제어회로 (101)를 접속한다. 그리고, 이하에 설명하는 바와 같이, 패널제어회로(101)의 지시에 따라 각 드라이버(102∼104)로부터 각 전극(12, 13, 22)에 전압을 인가한다.

구동회로(100)는 다음과 같은 일련의 동작을 행함으로써 PDP(1)를 구동한다.

초기화기간에는 모든 주사전극(12)에 일괄해서 초기화 펄스를 인가함으로써 모든 방전셀의 상태를 초기화한다.

어드레스기간에는 주사전극(12)에 주사펄스를 차례로 인가하면서 어드레스전극(22···) 중의 선택된 전극에 데이터펄스를 인가함으로써, 점등시키고자 하는방전셀의 Mg0 보호층의 표면 근방에서 어드레스 방전이 생긴다.

또, 이 방전개시전압은 표시전극과 어드레스전극과의 간극길이, 봉입가스의 종류와 압력 및 유전체층의 종류와 막두께 및 Mg0 보호층의 막두께 등에 의해 정해진다.

방전이 시작되면, 방전가스의 전리(電離)에 의해 생긴 양이온이나 전자는 방전공간 내를 각각 반대극성의 전극으로 향하여 이동하고 Mg0 보호층의 내벽에 대전하지만, Mg0 보호층의 저항이 높기 때문에, 내벽의 전하는 감쇠하지 않고 잔류하여 벽전하가 된다.

이와 같이 선택 셀의 유전체층(14)에 벽전하를 축적하여 1화면분의 화소정보를 기입한 후, 방전유지기간에는 모든 표시전극쌍(12, 13)에 일괄해서 교류로 유지펄스를 소정시간동안 인가한다.

최초의 유지펄스가 인가되면, 상기 어드레스기간에 벽전하가 축적된 방전셀에서는, 보호층 표면의 전위가 방전개시전압을 상회함으로써 방전전류가 흐른다. 그리고, 일단 방전이 발생한 방전셀에서는 유지펄스가 교류로 인가되는 기간은 발광이 계속하여 점등한다. 한편, 상기 어드레스기간에 벽전하가 축적되지 않는 방전셀에서는 유지펄스가 인가되어도 방전은 일어나지 않는다.

따라서, 벽전하가 축적된 방전셀에서 선택적으로 점등함으로써 화상이 표시된다.

방전유지기간의 마지막에는 폭이 좁은 소거펄스를 주사전극(12)에 일괄해서 인가함으로써 각 방전셀에 남아 있는 벽전하를 소거한다.

(본 실시예의 PDP의 효과에 대하여)

본 실시예의 PDP에서는 유전체층 및 격벽을 실리콘수지로 형성함으로써, 종래와 같이 유리로 형성하는 경우에 비해 유전율을 대폭 저감할 수 있다.

즉, 실리콘수지로 형성된 유전체층이나 격벽은, 통상은 유전율이 2.5∼4.0의 범위 내에 있고, 유전율 2.6∼3.2의 범위 내에 들어가는 경우가 많다. 이 유전율의 값은 종래의 일반적인 유전체 유리의 유전율값(10∼13)에 비하여 대폭 낮은 값이다.

또, 실리콘수지의 유전율이 낮은 것이나 저온으로 경화하는 것에 관해서는 월간반도체월드 1996년 12월호, PP 146∼150 혹은 상기 플라스틱사전에 기재되어 있다.

여기서, 유전체층의 유전율 ε과, 패널의 소비전력 W와의 관계에 대하여 고찰한다.

표시전극(12, 13)의 면적을 S, 표시전극 상의 유전체 유리층의 두께를 m(도 2의 (b) 참조)으로 하면 표시전극간의 정전용량(방전공간을 포함하는 경로에 존재하는 유전체의 정전용량) C는 하기 수학식 1로 나타낸다.

또, 표시전극간에 인가되는 전압을 V, 패널의 구동주파수를 f, 이 때의 패널이 소비하는 전력 W는 대략 하기 수학식 2로 나타낸다.

상기 수학식 1에서, 정전용량 C는 유전율 ε과 비례하는 것을 알 수 있고, 상기 수학식 2에서, 구동주파수 f와 인가전압 V가 동일하면 정전용량 C가 작을수록 소비전력 W가 작아지는 것을 알 수 있다. 즉, 유전율 ε이 작을수록 소비전력이 작아지는 것을 알 수 있다(전기학회논문집 A, 118권 15호 1998년 pp 537∼542 참조).

이와 같이, 본 실시예에서는 유전체층의 유전율 ε을 작게 함으로써, PDP의 구동시에서의 소비전력을 억제하여 발광효율을 높일 수 있다.

또, 구동회로에 걸리는 부하가 종래보다 저감되므로, 고속으로 구동시켜도 안정된 동작을 얻을 수 있어, PDP의 신뢰성 향상에 기여하게 된다.

또, 종래와 같이 유리프릿을 소성함으로써 유전체층을 형성하면, 소성시에 거품이 발생하여 유전체층 중에 남기 쉽다. 그리고, 유전체층 중에 거품이 많이 남으면, 유전체의 절연내압이 낮아진다. 이에 대하여, 본 실시예와 같이 유전체층에 실리콘수지를 이용하면, 유전체층의 가열경화시에도 거품이 발생하는 일이 없어, 절연내압이 뛰어난 것으로 된다.

그리고, 유전체층의 절연내압이 우수하면, PDP를 장기간에 걸쳐 반복 사용하더라도 높은 패널휘도를 유지할 수 있으므로, 이 점에서도 PDP의 신뢰성 향상에 기여한다.

또, 제 2 유전체층(23) 및 격벽(24)에 비하여 제 1 유전체층(14)은 휘도 및 소비전력에 미치는 영향이 크므로, 특히 제 1 유전체층(14)을 실리콘수지로 형성하는 것은 휘도향상과 소비전력저감에 있어서 바람직하다. 또, 제 1 유전체층(14)의 두께를 제 2 유전체층(23)의 두께보다 크게 설정하는 것도 바람직하다.

(본 실시예에 대한 변형예)

다음에, 제 1 유전체층(14)의 두께를 방전을 생기게 하고자 하는 개소에서 얇게 설정하는 변형예에 대하여 설명한다.

도 8에서는 표시전극(12, 13)이 투명전극(12a, 13a) 상에 버스전극(12b, 13b)을 적층시킨 적층형으로서, 제 1 유전체층(14)은 버스전극(12b, 13b)이 배치된 영역 상만큼 상승되어 볼록부(14b)가 형성되어 있고, 버스전극(12b, 13b) 상에서의 유전체층의 두께 m2가 버스전극(12b, 13b)이 제공되지 않은 투명전극(12a, 13a) 상에서의 유전체층의 두께 m1보다 크게 되어 있다.

이와 같이 제 1 유전체층(14)의 두께를 조정함으로써 이하와 같은 효과를 거둔다.

투명전극(12a, 13a) 상에 버스전극(12b, 13b)이 배치된 적층형의 표시전극(12, 13)을 갖는 PDP(1)에서는, 구동시에 주사전극(12)과 어드레스전극 (22)과의 사이에서 어드레스방전을 행할 때, 주로 버스전극(12b)과 어드레스전극 (22)과의 사이에서 방전이 생기지만, 버스전극(12b)은 투명전극(12a) 상에 돌출하여 형성되어 있으므로, 버스전극(12b) 상의 유전체층이 얇으면 절연파괴가 발생하기 쉽다.

이에 대하여, 도 8의 예에서는 제 1 유전체층(14) 중에서도 두께가 두꺼운 개소(두께 m2)를 통해 어드레스방전이 행해지므로, 어드레스방전시의 절연파괴를피할 수 있고, 이것에 의해 양호한 기입을 행할 수 있다.

한편, 주사전극(12)과 유지전극(13) 사이에서 유지방전이 이루어질 때에는 주로 투명전극(12a)과 투명전극(13a)과의 사이에서 방전이 생기지만, 이 방전은 유전체층(14) 내에서도 두께가 작은 개소(두께 m1)를 통해 행해지므로, 방전 셀 내에서 높은 전계강도를 얻을 수 있어, 고휘도로 발광된다.

또, 이와 같이 볼록부(14b)를 갖는 제 1 유전체층(14)은 상기 도 4에서 설명한 격벽의 성형과 같은 방법으로 제작할 수 있다. 즉, 표시전극(12, 13)이 형성된 전면 유리기판(11) 상의 전체에 실리콘막을 형성한 후, 볼록부(14b)에 대응하는 오목부를 갖는 금형을 프레스함으로써, 실리콘막에 볼록부를 형성한다. 그리고, 이것을 200℃∼300℃에서 가열경화함으로써 제작할 수 있다.

(실시예)

표 1에 나타낸 시료번호 1∼5의 PDP는 상기 실시예에 기초하여 제작한 실시예이다.

이들 실시예에서는 제 1 유전체층은 표 1에 나타내는 각종 실리콘을 이용하여 표 1에 나타내는 막두께로 설정하였다. 제 2 유전체층 및 격벽은 폴리메틸 실록산수지에 SiO₂를 첨가한 것을 재료로 하였다.

유전체재료 및 격벽재료의 도포에는 인쇄법 또는 스핀코트법을 이용했다.

한편, 시료번호 6의 PDP는 PbO계 유리(유전율 11)를 이용하여 유전체층 및 격벽을 형성한 비교예이다.

실시예 및 비교예에서, 이하의 사양은 공통이다.

전면 유리기판, 배면 유리기판에는 두께 2mm의 소다라임유리판을 이용했다. PDP의 셀크기는 42인치의 VGA의 디스플레이에 맞추어, 격벽(24)의 높이는 0.15mm, 격벽(24)의 간격(셀피치)은 0.36mm로 설정하고, 방전전극(12)의 전극간 거리 d는 0.08mm로 설정하였다(방전전극쌍 480개, 어드레스전극 2556개). 제 2 유전체층의 두께는 15㎛로 하고, 방전가스로서는 Xe의 함유량이 5체적%의 Ne-Xe계의 혼합가스를 이용하며, 봉입압력은 600Torr(7.8 ×l0⁴Pa)로 하였다. 보호층(15)은 MgO를 스퍼터링법으로 두께 1.0㎛ 정도로 성막하여 제작하였다.

(실험)

상기 실시예 및 비교예의 각 PDP를 대상으로 하여 이하의 항목에 대하여 측정하였다.

유전체층의 유전율 :

PDP(1)에서의 유전체층(14)의 유전율은 LCR 미터(예컨대, 휴렛패커드사제 4284A)를 이용하여 측정할 수 있다.

구체적으로는, 전면패널(10) 상에서 인접하는 복수개의 표시전극(12, 13)을 연결하여 공통전극으로 한다. 다음에, 이 공통전극 상을 덮도록 유전체층(14) 상에 Ag 전극을 형성하고, 이 Ag 전극과 공통전극과의 사이에 교류전압(주파수 10㎑)을 인가함으로써 유전체층의 정전용량 C를 측정한다(이 용량 C는 LCR 미터에 직접 표시된다).

그리고, 정전용량 C의 측정값으로부터, 상기 수학식 1을 이용하여 유전체층(14)의 유전율 ε을 산출한다(공통전극의 면적값을 수학식 1에서의 S의 값으로 함).

패널휘도 :

각 PDP에 대하여, 절연파괴하기 어려운 조건인 방전유지전압 180V 정도, 주파수 50㎑ 정도로 전체면을 방전시켜, 그 때의 휘도를 측정하였다.

패널전력 :

상기 방전 중에서 전압 및 전류를 측정하고, 그 측정값으로부터 패널이 소비하는 전력을 산출하였다.

이들 실험결과는 표 1에 병기하는 바와 같다.

고찰 :

표 1에 나타내는 결과에서, 실시예의 시료번호 1∼5에서는 비교예의 시료번호 6에 비하여 소비전력이 대폭으로 저감되어 있는 것을 알 수 있다. 이 주된 이유는, 실시예에서는 비교예에 비하여 유전율이 낮은 실리콘수지로 유전체층이 형성되어 있기 때문이라고 생각된다.

또, 실시예의 시료번호 1∼5에서는 비교예의 시료번호 6에 비하여 패널휘도가 약간 높은 것도 알 수 있다. 이것은, 비교예에서는 유전체층에 은콜로이드가 확산함으로써 착색이 생기고 있는 데 대하여, 실시예에서는 유전체층에 착색이 생기지 않은 것이 기여하고 있는 것으로 추측된다.

실시예의 PDP에서는 제 1 유전체층의 유전율이 2.8∼3.0의 범위에 있는 것을 알 수 있다. 이 유전율의 범위에서는, 소비전력 저감효과가 양호한 것도 알 수 있다.

또, 실시예의 각 PDP를 이용하여 화상표시한 바, 실용레벨로 충분히 화상표시할 수 있고, 유전체층의 유전율이 3 정도로 낮더라도, 충분히 화상표시 가능한 것이 확인되었다.

(그 밖의 사항)

* 상기 실시예에서는, 제 1 유전체층, 제 2 유전체층, 격벽을 모두 실리콘수지로 형성하는 예를 나타내었지만, 제 1 유전체층 및 제 2 유전체층만을 실리콘수지로 형성하고, 격벽에는 유리재료를 이용해도 되고, 이 경우에도 동일한 효과를 이룬다.

또, 제 1 유전체층 및 제 2 유전체층 중 어느 한쪽에만 실리콘수지를 이용하고 다른 쪽에는 유리재료를 이용할 수도 있지만, 제 1 유전체층의 유전율이 소비전력에 대하여 미치는 영향이 큰 것을 고려하면, 적어도 제 1 유전체층은 실리콘수지를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.

* 상기 실시예에서는, 전면패널측에 제 1 유전체층, 배면패널측에 제 2 유전체층이 형성되어 PDP를 나타내었지만, 배면패널측에는 유전체층을 갖지 않는 PDP의 경우에 있어서도, 실리콘수지를 이용하여 제 1 유전체층이나 격벽을 형성함으로써 동일한 효과를 얻을 수 있다.

* 상기 실시예에서는, 제 2 유전체층 및 격벽을 형성하는데에 가시광 반사층으로서의 작용도 겸하도록 실리콘수지에 백색안료를 혼합한 재료를 이용했지만, 백색안료의 혼합은 필수는 아니고, 실리콘수지만으로 형성하거나 혹은 실리콘수지에 충전재를 섞은 재료로 형성해도 되고, 이 경우에도 동일한 효과를 이룬다.

* 상기 실시예에서는, 격벽(24)이 단순한 직선형상이었지만, 마찬가지로 하여 여러가지 형상의 격벽을 실리콘수지로 형성할 수 있다. 예컨대, 격벽이 꾸불꾸불한 것이나 격벽이 井자형상인 것도, 상기 도 4에서 설명한 프레스성형으로 격벽재료층을 성형가공하는 방법을 이용함으로써 용이하게 제작할 수 있다.

* 상기 실시예에서는, 형광체층이 배면패널측에 형성되는 예를 나타내었으나, 형광체층이 전면패널측에 형성되는 경우나 전면패널 및 배면패널의 양측에 형성되는 경우도 마찬가지로 실시할 수 있다.

* 상기 실시예에서는, 격벽이 배면패널측에 형성되는 예를 나타내었지만, 격벽이 전면패널측에 형성되는 경우도 마찬가지로 실시할 수 있다.

* 상기 실시예에서는, 전면패널과 배면패널과의 사이의 간극에 격벽이 구획되어 있는 경우에 대하여 설명하였지만, 격벽을 형성하는 대신 유리비드 등의 갭재료가 전면패널과 배면패널과의 사이에 배치되어 있는 PDP에서도 실리콘수지로 유전체층을 형성함으로써 동일한 효과를 얻을 수 있다.

* 상기 실시예에서는, 면방전형 PDP에 대하여 설명하였지만, 대향방전형 PDP 에서도 유전체층이나 격벽을 형성하는데에 실리콘수지를 이용할 수 있고, 동일한 효과를 이룬다.

본 발명의 PDP(1)는 컴퓨터나 텔레비전 등의 디스플레이장치에 적용할 수 있고, 특히 대형으로 정밀한 표시를 행하는 디스플레이장치에 적합하다.

Claims (22)

1. 표면에 복수쌍의 제 1 전극이 병행하여 설치되고 그 위를 제 1 유전체층이 피복하고 있는 제 1 플레이트와, 표면에 복수의 제 2 전극이 병행하여 설치된 제 2 플레이트가 상기 제 1 전극과 제 2 전극이 교차하여 대향하는 상태로 갭재료를 통해 배치되며,

   상기 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트의 대향면의 적어도 한쪽에 형광체층이 형성되는 동시에, 상기 제 1 플레이트와 제 2 플레이트와의 간극에 방전가스가 봉입되어 방전공간이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널이며,

   상기 제 1 유전체층은 실록산결합을 갖는 제 1 실리콘수지로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1 실리콘수지는,

   실록산결합에서의 Si 원자에 메틸기, 에틸기 및 페닐기로부터 선택되는 기가 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 제 2 플레이트에서의 제 2 전극 상에는,

   실록산결합을 갖는 제 2 실리콘수지로 형성되어 있는 제 2 유전체층이 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 제 2 유전체층에는,

   백색안료가 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제 3항에 있어서,

   상기 제 2 실리콘수지는,

   실록산결합의 Si 원자에 메틸기, 에틸기 및 페닐기로부터 선택되는 기가 결합하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 갭재료는,

   실록산결합을 갖는 실리콘수지로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 갭재료는,

   제 2 플레이트 상에 형성되어, 상기 간극을 구획하는 격벽을 겸하고 있고,

   백색안료가 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1 유전체층의 표면은,

   Mg0로 이루어지는 보호층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1 유전체층은 유전율이 4.0 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
10. 제 1항에 있어서,

    상기 제 1 플레이트와 제 2 플레이트는,

    외주부끼리가 제 4 실리콘수지로 이루어지는 밀봉재층으로 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
11. 표면에 복수쌍의 제 1 전극이 병행하여 설치되고 그 위를 제 1 유전체층이 피복하고 있는 제 1 플레이트와, 표면에 복수의 제 2 전극이 병행하여 설치된 제 2 플레이트가 상기 제 1 전극과 제 2 전극이 교차하여 대향하는 상태로 갭재료를 통해 배치되며,

    상기 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트의 대향면의 적어도 한쪽에 형광체층이형성되는 동시에, 상기 제 1 플레이트와 제 2 플레이트와의 사이의 공간에 방전가스가 봉입되어 방전공간이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널이며,

    상기 제 1 유전체층은 유전율이 4.0 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
12. 전극이 설치된 플레이트 상에 실리콘을 포함하는 유전체재료로 이루어지는 층을 당해 전극을 차폐하도록 형성하는 실리콘층 형성단계와,

    형성된 실리콘층을 경화하는 경화단계로 이루어지는 유전체층 형성공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
13. 제 12항에 있어서,

    상기 실리콘층 형성단계에서는,

    상기 유전체재료를,

    스핀코트법 또는 인쇄법으로 도포함으로써 실리콘층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
14. 제 12항에 있어서,

    상기 층형성단계는,

    전사용 기재 상에 실리콘을 포함하는 유전체재료를 층형상으로 성형하는 제 1 서브단계와,

    상기 제 1 서브단계에서 성형된 유전체재료층을 전극이 설치된 플레이트 상에 전사하는 제 2 서브단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
15. 제 12항에 있어서,

    상기 층형성단계 전에,

    실리콘에 백색안료를 혼합하여 유전체재료를 제작하는 유전체재료 제작단계를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
16. 제 12항에 있어서,

    상기 경화단계에서는,

    미경화 유전체재료층을 최고온도가 200℃∼300℃의 범위 내가 되도록 가열함으로써 경화하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
17. 제 12항에 있어서,

    상기 유전체층 형성공정 후에,

    상기 플레이트와, 이것과 다른 플레이트를,

    실리콘으로 이루어지는 밀봉재층을 통해 대향배치하고, 당해 밀봉재층을 경화함으로써 밀봉하는 밀봉공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
18. 전극이 설치된 플레이트 상에 실리콘을 포함하는 격벽재료를 격벽형상으로 성형하면서 배치하는 성형단계와,

    성형된 미경화 격벽재료를 경화하는 경화단계로 이루어지는 격벽형성공정을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
19. 제 18항에 있어서,

    상기 성형단계는,

    상기 미경화 격벽재료를 전극이 설치된 플레이트 상에 배치하는 제 1 서브단계와,

    상기 제 1 서브단계에서 배치된 격벽재료를 변형 또는 부분적으로 제거함으로써 격벽형상으로 성형하는 제 2 서브단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
20. 제 18항에 있어서,

    상기 성형단계 전에,

    실리콘에 백색안료를 혼합하여 미경화 격벽재료를 제작하는 미경화 격벽재료제작단계를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
21. 제 18항에 있어서,

    상기 경화단계에서는,

    성형된 미경화 격벽재료를 최고온도가 200℃∼300℃의 범위 내가 되도록 가열함으로써 경화하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
22. 제 18항에 있어서,

    상기 격벽형성공정 후에,

    상기 플레이트와, 이것과 다른 플레이트를,

    실리콘으로 이루어지는 밀봉재층을 통해 대향배치하고, 당해 밀봉재층을 경화함으로써 밀봉하는 밀봉공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.