JP2001135222A - ガス放電パネル及びその製造方法 - Google Patents
ガス放電パネル及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クラック耐性及び剥離のない誘電体層を形成
することを課題とする。 【解決手段】 誘電体層を有するガス放電パネルの製造
方法であって、少なくとも−Ｓｉ−Ｏ−結合を有する高
分子化合物と、加熱又はエネルギー線の照射により前記
高分子化合物より容易に分解しうる易分解性樹脂との混
合物からなる被膜を基材上に形成した後、被膜を加熱又
はエネルギー線の照射後加熱して易分解性樹脂の除去と
高分子化合物の架橋を行うことにより誘電体層を形成す
ることを特徴とするガス放電パネルの製造方法により上
記課題を解決する。
することを課題とする。 【解決手段】 誘電体層を有するガス放電パネルの製造
方法であって、少なくとも−Ｓｉ−Ｏ−結合を有する高
分子化合物と、加熱又はエネルギー線の照射により前記
高分子化合物より容易に分解しうる易分解性樹脂との混
合物からなる被膜を基材上に形成した後、被膜を加熱又
はエネルギー線の照射後加熱して易分解性樹脂の除去と
高分子化合物の架橋を行うことにより誘電体層を形成す
ることを特徴とするガス放電パネルの製造方法により上
記課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス放電パネル及
びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、プ
ラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、プラズマアドレ
ッシング液晶表示パネル（ＰＡＬＣ）等の誘電体層を備
えたガス放電パネル及びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、プ
ラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、プラズマアドレ
ッシング液晶表示パネル（ＰＡＬＣ）等の誘電体層を備
えたガス放電パネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、表示装置としては、ＰＤＰ、ＬＣ
Ｄ、ＰＡＬＣ、ＣＲＴ等が知られている。この内、ＰＤ
Ｐ、ＰＡＬＣはガス放電パネルとも称され、民生用壁掛
けテレビ、コンピューターモニターや、駅、空港、証券
取引所、工場、学校等の情報表示用大型ディスプレイと
しての利用が期待されている。
Ｄ、ＰＡＬＣ、ＣＲＴ等が知られている。この内、ＰＤ
Ｐ、ＰＡＬＣはガス放電パネルとも称され、民生用壁掛
けテレビ、コンピューターモニターや、駅、空港、証券
取引所、工場、学校等の情報表示用大型ディスプレイと
しての利用が期待されている。
【０００３】ガス放電パネルの内、ＰＤＰの一例の概略
斜視図を図２に示す。
斜視図を図２に示す。
【０００４】図２のＰＤＰ１００は３電極ＡＣ型面放電
ＰＤＰであり、このＰＤＰは前面板と背面板とから構成
される。
ＰＤＰであり、このＰＤＰは前面板と背面板とから構成
される。
【０００５】まず、前面板は、基板１１上に形成された
複数本のストライプ状の表示電極、表示電極を覆うよう
に形成された誘電体層１７、誘電体層１７上に形成され
放電空間に露出する保護層１８とからなる。
複数本のストライプ状の表示電極、表示電極を覆うよう
に形成された誘電体層１７、誘電体層１７上に形成され
放電空間に露出する保護層１８とからなる。
【０００６】表示電極は、ＩＴＯのような透明電極４１
と、表示電極の抵抗を下げるための金属電極４２からな
る。
と、表示電極の抵抗を下げるための金属電極４２からな
る。
【０００７】一方、背面板は、基板２１上に形成された
複数本のストライプ状のアドレス電極Ａ、アドレス電極
Ａを覆う誘電体層２７、隣接するアドレス電極間で誘電
体層２７上に形成された複数本のストライプ状の隔壁２
９、隔壁２９間に壁面を含めて形成された蛍光体層２８
とからなる。
複数本のストライプ状のアドレス電極Ａ、アドレス電極
Ａを覆う誘電体層２７、隣接するアドレス電極間で誘電
体層２７上に形成された複数本のストライプ状の隔壁２
９、隔壁２９間に壁面を含めて形成された蛍光体層２８
とからなる。
【０００８】上記前面板と背面板とは、表示電極とアド
レス電極が直交するように、両電極を内側にして対向し
ており、隔壁２９により囲まれた空間には放電ガスが充
填されている。なお、図２中、Ｒ、Ｇ及びＢは、赤色表
示部、緑色表示部及び青色表示部をそれぞれ示してい
る。
レス電極が直交するように、両電極を内側にして対向し
ており、隔壁２９により囲まれた空間には放電ガスが充
填されている。なお、図２中、Ｒ、Ｇ及びＢは、赤色表
示部、緑色表示部及び青色表示部をそれぞれ示してい
る。
【０００９】上記ＰＤＰ１００は、２本１組の表示電極
とそれと直交するアドレス電極の３つの電極で１つのセ
ルが構成されている。
とそれと直交するアドレス電極の３つの電極で１つのセ
ルが構成されている。
【００１０】また、図３に表示電極周辺の概略断面図を
示す。透明電極４１と金属電極４２の積層体からなる表
示電極が、誘電体層１７に覆われた構造となっている。
誘電体層１７は、一般的には、低軟化点ガラス粉末とバ
インダーとを溶剤に分散させてペースト化し（通常フリ
ットガラスと称される）、得られたペーストを焼成する
ことにより形成される。
示す。透明電極４１と金属電極４２の積層体からなる表
示電極が、誘電体層１７に覆われた構造となっている。
誘電体層１７は、一般的には、低軟化点ガラス粉末とバ
インダーとを溶剤に分散させてペースト化し（通常フリ
ットガラスと称される）、得られたペーストを焼成する
ことにより形成される。
【００１１】更に、最近では、発光効率を向上させるた
めに、誘電体層の誘電率をより低くすることや、誘電体
層の形状の検討が行われている。その一例として、−Ｓ
ｉ−Ｏ−結合を有する高分子化合物を含む誘電体層材料
を溶剤に溶かした溶液を基板上に塗布した後、焼成する
ことにより前記高分子化合物を架橋させて無機の誘電体
層を形成する方法も検討されている。この−Ｓｉ−Ｏ−
結合を有する高分子化合物を含む誘電体層材料を使用す
れば、比較的低誘電率の誘電体層を形成することが可能
である。
めに、誘電体層の誘電率をより低くすることや、誘電体
層の形状の検討が行われている。その一例として、−Ｓ
ｉ−Ｏ−結合を有する高分子化合物を含む誘電体層材料
を溶剤に溶かした溶液を基板上に塗布した後、焼成する
ことにより前記高分子化合物を架橋させて無機の誘電体
層を形成する方法も検討されている。この−Ｓｉ−Ｏ−
結合を有する高分子化合物を含む誘電体層材料を使用す
れば、比較的低誘電率の誘電体層を形成することが可能
である。
【００１２】また、低誘電率の誘電体層を得るために、
最終的に誘電体層内に有機基を残存させる設計の材料を
用いる方法も検討されている。
最終的に誘電体層内に有機基を残存させる設計の材料を
用いる方法も検討されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】誘電体層の形成方法の
内、低軟化点ガラス粉末や−Ｓｉ−Ｏ−結合を有する高
分子化合物を含む誘電体層材料を焼成することにより得
られる無機の誘電体層には、クラックや膜剥がれが発生
するという問題があった。この問題は、誘電体層の厚さ
が大きくなるほど顕著に生じていた。これは誘電体層の
材料の溶剤の乾燥時や、誘電体層の材料の架橋時に、膜
の収縮により応力が発生することが原因である。そのた
め、誘電体層の容量が大きくなり、低誘電率の誘電体層
を形成しうる材料を使用しても、そのメリットを生かす
ことができなかった。
内、低軟化点ガラス粉末や−Ｓｉ−Ｏ−結合を有する高
分子化合物を含む誘電体層材料を焼成することにより得
られる無機の誘電体層には、クラックや膜剥がれが発生
するという問題があった。この問題は、誘電体層の厚さ
が大きくなるほど顕著に生じていた。これは誘電体層の
材料の溶剤の乾燥時や、誘電体層の材料の架橋時に、膜
の収縮により応力が発生することが原因である。そのた
め、誘電体層の容量が大きくなり、低誘電率の誘電体層
を形成しうる材料を使用しても、そのメリットを生かす
ことができなかった。
【００１４】一方、有機基を残存させる設計の材料を用
いた場合、膜の収縮による応力は小さいため、誘電体層
の形成時には、クラックや膜剥がれが発生するという問
題は少ない。しかし、この材料により得られる誘電体層
は耐熱性が乏しという問題があった。具体的には、誘電
体層形成以降のガス放電パネルの製造工程に含まれる加
熱時（例えば、４００℃以上）に、誘電体層中の有機基
が分解し、それによりクラックや膜剥がれが発生すると
いう問題を根本的に解決することはできなかった。
いた場合、膜の収縮による応力は小さいため、誘電体層
の形成時には、クラックや膜剥がれが発生するという問
題は少ない。しかし、この材料により得られる誘電体層
は耐熱性が乏しという問題があった。具体的には、誘電
体層形成以降のガス放電パネルの製造工程に含まれる加
熱時（例えば、４００℃以上）に、誘電体層中の有機基
が分解し、それによりクラックや膜剥がれが発生すると
いう問題を根本的に解決することはできなかった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、誘電体層を有するガス放電パネルの製造方法であっ
て、少なくとも−Ｓｉ−Ｏ−結合を有する高分子化合物
と、加熱又はエネルギー線の照射により前記高分子化合
物より容易に分解しうる易分解性樹脂との混合物からな
る被膜を基材上に形成した後、被膜を加熱又はエネルギ
ー線の照射後加熱して易分解性樹脂の除去と高分子化合
物の架橋を行うことにより誘電体層を形成することを特
徴とするガス放電パネルの製造方法が提供される。
ば、誘電体層を有するガス放電パネルの製造方法であっ
て、少なくとも−Ｓｉ−Ｏ−結合を有する高分子化合物
と、加熱又はエネルギー線の照射により前記高分子化合
物より容易に分解しうる易分解性樹脂との混合物からな
る被膜を基材上に形成した後、被膜を加熱又はエネルギ
ー線の照射後加熱して易分解性樹脂の除去と高分子化合
物の架橋を行うことにより誘電体層を形成することを特
徴とするガス放電パネルの製造方法が提供される。
【００１６】更に、本発明によれば、上記方法により得
られ、実質的に独立気泡を含む誘電体層を少なくとも有
するガス放電パネルが提供される。
られ、実質的に独立気泡を含む誘電体層を少なくとも有
するガス放電パネルが提供される。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の製造方法を適用すること
ができるガス放電パネルは、誘電体層を有するガス放電
パネルであれば、特に限定されない。具体的には、ＰＤ
Ｐ、ＰＡＬＣ等が挙げられる。この内、ＰＤＰへの適用
が好ましい。
ができるガス放電パネルは、誘電体層を有するガス放電
パネルであれば、特に限定されない。具体的には、ＰＤ
Ｐ、ＰＡＬＣ等が挙げられる。この内、ＰＤＰへの適用
が好ましい。
【００１８】まず、本発明に使用できる高分子化合物
は、少なくとも−Ｓｉ−Ｏ−結合を有しさえすれば特に
限定されず、有機高分子化合物でも、無機高分子化合物
でもよい。この高分子化合物としては、例えば、アルコ
キシシラン、ハロゲン化シラン等のモノマーを加水分解
及び縮合させることにより得られる高分子化合物が挙げ
られる。
は、少なくとも−Ｓｉ−Ｏ−結合を有しさえすれば特に
限定されず、有機高分子化合物でも、無機高分子化合物
でもよい。この高分子化合物としては、例えば、アルコ
キシシラン、ハロゲン化シラン等のモノマーを加水分解
及び縮合させることにより得られる高分子化合物が挙げ
られる。
【００１９】アルコキシシランとしては、メチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ
イソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシ
ラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエト
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニル
トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキ
シシラン、トリイソプロポキシシラン、フルオロトリメ
トキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、ジメチル
ジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチ
ルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジメ
トキシシラン、ジエトキシシラン、ジフルオロジメトキ
シシラン、ジフルオロジエトキシシラン、トリフルオロ
メチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエ
トキシシラン等が挙げられる。
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ
イソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシ
ラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエト
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニル
トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキ
シシラン、トリイソプロポキシシラン、フルオロトリメ
トキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、ジメチル
ジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチ
ルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジメ
トキシシラン、ジエトキシシラン、ジフルオロジメトキ
シシラン、ジフルオロジエトキシシラン、トリフルオロ
メチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエ
トキシシラン等が挙げられる。
【００２０】ハロゲン化シランとしては、トリクロロシ
ラン、トリブロモシラン、ジクロロシラン、フルオロト
リクロロシラン、フルオロブロモシラン等が挙げられ
る。
ラン、トリブロモシラン、ジクロロシラン、フルオロト
リクロロシラン、フルオロブロモシラン等が挙げられ
る。
【００２１】なお、上記モノマーは組み合わせて使用し
てもよい。
てもよい。
【００２２】次に、易分解性樹脂としては、加熱又はエ
ネルギー線の照射により前記高分子化合物より容易に分
解する樹脂であれば特に限定されない。易分解性樹脂の
例として、セルロース系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ
エステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル系樹
脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリオール系樹脂、エポキ
シ系樹脂等が挙げられる。なお、易分解性樹脂の重量平
均分子量は、約６０００〜８０００であることが好まし
い。
ネルギー線の照射により前記高分子化合物より容易に分
解する樹脂であれば特に限定されない。易分解性樹脂の
例として、セルロース系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ
エステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル系樹
脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリオール系樹脂、エポキ
シ系樹脂等が挙げられる。なお、易分解性樹脂の重量平
均分子量は、約６０００〜８０００であることが好まし
い。
【００２３】本発明では、高分子化合物と易分解性樹脂
との混合物からなる被膜が基材上に形成される。ここ
で、混合物中の高分子化合物と易分解性樹脂の配合割合
は、特に限定されないが、誘電体層を構成する高分子化
合物を主成分とすることが好ましい。ここで、主成分と
は易分解性樹脂より高分子化合物の方が多いことを意味
する。より具体的には、高分子化合物１００重量部に対
して、易分解性樹脂が９〜１８重量部の割合で含まれて
いることが好ましい。易分解性樹脂の割合が９重量部よ
り少ない場合、得られる誘電体層にクラックが発生しや
すくなるため好ましくない。一方、易分解性樹脂が１８
重量部より多い場合、得られる誘電体層の強度が低下
し、剥離が生じやすくなるため好ましくない。
との混合物からなる被膜が基材上に形成される。ここ
で、混合物中の高分子化合物と易分解性樹脂の配合割合
は、特に限定されないが、誘電体層を構成する高分子化
合物を主成分とすることが好ましい。ここで、主成分と
は易分解性樹脂より高分子化合物の方が多いことを意味
する。より具体的には、高分子化合物１００重量部に対
して、易分解性樹脂が９〜１８重量部の割合で含まれて
いることが好ましい。易分解性樹脂の割合が９重量部よ
り少ない場合、得られる誘電体層にクラックが発生しや
すくなるため好ましくない。一方、易分解性樹脂が１８
重量部より多い場合、得られる誘電体層の強度が低下
し、剥離が生じやすくなるため好ましくない。
【００２４】上記混合物には、高分子化合物と易分解性
樹脂以外の他の成分を含んでいてもよい。他の成分とし
ては、シリカ、アルミナ、マイカ等のフィラーや、加熱
によりアルミナ、チタニア等に変化される金属アルコキ
シド等が挙げられる。なお、フィラーを含むことによ
り、更に膜厚の大きな誘電体層を形成することができ
る。
樹脂以外の他の成分を含んでいてもよい。他の成分とし
ては、シリカ、アルミナ、マイカ等のフィラーや、加熱
によりアルミナ、チタニア等に変化される金属アルコキ
シド等が挙げられる。なお、フィラーを含むことによ
り、更に膜厚の大きな誘電体層を形成することができ
る。
【００２５】また、本発明において被膜の厚さは特に限
定されない。しかしながら、焼成後に得られる誘電体層
にクラックや剥がれが生じない程度の厚さであることが
好ましい。
定されない。しかしながら、焼成後に得られる誘電体層
にクラックや剥がれが生じない程度の厚さであることが
好ましい。
【００２６】上記被膜は、上記高分子化合物、易分解性
樹脂及び任意に他の成分を溶剤中に分散及び／又は溶解
させた被膜形成用塗布液を基材上に塗布した後、溶剤を
除去することにより形成することができる。塗布方法と
しては、特に限定されないが、印刷法、スロットコート
法、スプレー法、スピンコート法、ディップコート法、
ロールコート法等が挙げられる。更に、所望の厚さの被
膜が得られるように、塗布液の塗布及び乾燥を複数回繰
り返してもよい。
樹脂及び任意に他の成分を溶剤中に分散及び／又は溶解
させた被膜形成用塗布液を基材上に塗布した後、溶剤を
除去することにより形成することができる。塗布方法と
しては、特に限定されないが、印刷法、スロットコート
法、スプレー法、スピンコート法、ディップコート法、
ロールコート法等が挙げられる。更に、所望の厚さの被
膜が得られるように、塗布液の塗布及び乾燥を複数回繰
り返してもよい。
【００２７】ここで、基材としては、ガラス基板、金属
基板等の基板そのものの他に、基板上に電極、絶縁層等
のガス放電パネルを構成する部材を供えたものも含まれ
る。更に、溶剤としては、特に限定されず、メタノー
ル、エタノール等のアルコール類、メチルイソブチルケ
トン（ＭＩＢＫ）のようなケトン類等が挙げられる。被
膜形成用塗布液中の上記高分子化合物、易分解性樹脂及
び任意に他の成分の割合は、基材上への塗布が可能な範
囲であれば特に限定されない。
基板等の基板そのものの他に、基板上に電極、絶縁層等
のガス放電パネルを構成する部材を供えたものも含まれ
る。更に、溶剤としては、特に限定されず、メタノー
ル、エタノール等のアルコール類、メチルイソブチルケ
トン（ＭＩＢＫ）のようなケトン類等が挙げられる。被
膜形成用塗布液中の上記高分子化合物、易分解性樹脂及
び任意に他の成分の割合は、基材上への塗布が可能な範
囲であれば特に限定されない。
【００２８】なお、高分子化合物の原料である上記モノ
マーの加水分解及び縮合は、硝酸のような酸触媒の水溶
液をモノマーの溶液に添加し、所定時間攪拌することに
より行うことができる。加水分解及び縮合後、油相を分
離することで高分子化合物を含有する溶液を得ることが
できる。高分子化合物は、溶液中の溶媒を除去して分離
したものを使用してもよいが、溶液そのままを被膜形成
用塗布液の製造に使用してもよい。更に、モノマーの加
水分解及び縮合を易分解性樹脂及び他の成分の存在下で
行ってもよい。
マーの加水分解及び縮合は、硝酸のような酸触媒の水溶
液をモノマーの溶液に添加し、所定時間攪拌することに
より行うことができる。加水分解及び縮合後、油相を分
離することで高分子化合物を含有する溶液を得ることが
できる。高分子化合物は、溶液中の溶媒を除去して分離
したものを使用してもよいが、溶液そのままを被膜形成
用塗布液の製造に使用してもよい。更に、モノマーの加
水分解及び縮合を易分解性樹脂及び他の成分の存在下で
行ってもよい。
【００２９】次に、上記被膜を加熱することにより、易
分解性樹脂の除去と高分子化合物の架橋を同時に行い、
被膜を誘電体層に変換することができる。または、エネ
ルギー線を照射することで易分解性樹脂を除去した後、
加熱することで高分子化合物の架橋を行い、被膜を誘電
体層に変換することができる。なお、易分解性樹脂の除
去は、酸化による除去でも、熱又はエネルギー線の付与
での分解（例えば、解重合）による除去でもよい。
分解性樹脂の除去と高分子化合物の架橋を同時に行い、
被膜を誘電体層に変換することができる。または、エネ
ルギー線を照射することで易分解性樹脂を除去した後、
加熱することで高分子化合物の架橋を行い、被膜を誘電
体層に変換することができる。なお、易分解性樹脂の除
去は、酸化による除去でも、熱又はエネルギー線の付与
での分解（例えば、解重合）による除去でもよい。
【００３０】前者の方法の場合、使用する高分子化合物
及び易分解性樹脂の種類によっても異なるが、加熱は、
６００℃以下（特に、２５０〜４５０℃）、３０〜６０
分間の条件下で行うことが好ましい。
及び易分解性樹脂の種類によっても異なるが、加熱は、
６００℃以下（特に、２５０〜４５０℃）、３０〜６０
分間の条件下で行うことが好ましい。
【００３１】一方、後者の方法は、易分解性樹脂を除去
するために必要な温度が高い場合に有用な方法である。
すなわち、架橋のための加熱の前に、エネルギー線を照
射することで、易分解性樹脂の除去をより低温で行うこ
とが可能となる。ここで、エネルギー線としては、紫外
線、赤外線、電子線、Ｘ線、酸素プラズマ由来のエネル
ギー線等が挙げられる。なお、エネルギー線の照射は、
１５０〜３５０℃に基体を加熱しつつ行うことが好まし
い。
するために必要な温度が高い場合に有用な方法である。
すなわち、架橋のための加熱の前に、エネルギー線を照
射することで、易分解性樹脂の除去をより低温で行うこ
とが可能となる。ここで、エネルギー線としては、紫外
線、赤外線、電子線、Ｘ線、酸素プラズマ由来のエネル
ギー線等が挙げられる。なお、エネルギー線の照射は、
１５０〜３５０℃に基体を加熱しつつ行うことが好まし
い。
【００３２】前者及び後者の方法において、加熱は空気
中のような酸素ガス含有雰囲気下で行うことが好まし
い。但し、易分解性樹脂がアクリル系樹脂のような解重
合性の樹脂の場合は、解重合可能な温度で加熱しさえす
れば、窒素ガスのような不活性ガス雰囲気下であっても
よい。
中のような酸素ガス含有雰囲気下で行うことが好まし
い。但し、易分解性樹脂がアクリル系樹脂のような解重
合性の樹脂の場合は、解重合可能な温度で加熱しさえす
れば、窒素ガスのような不活性ガス雰囲気下であっても
よい。
【００３３】上記方法により得られた誘電体層は、図１
に示すように、実質的に独立の気泡２を含んでいる。こ
の気泡は、易分解性樹脂が除去されることにより形成さ
れたものである。なお、独立の気泡とは、図１の形状の
気泡に限らず、誘電体層の表面から裏面に連通していな
いものを意味する。また、実質的にとは、誘電体層に使
用することが可能な程度を意味し、気泡全部が厳密に独
立であることを意味するものではない。
に示すように、実質的に独立の気泡２を含んでいる。こ
の気泡は、易分解性樹脂が除去されることにより形成さ
れたものである。なお、独立の気泡とは、図１の形状の
気泡に限らず、誘電体層の表面から裏面に連通していな
いものを意味する。また、実質的にとは、誘電体層に使
用することが可能な程度を意味し、気泡全部が厳密に独
立であることを意味するものではない。
【００３４】本発明では、加熱時に上記気泡が形成され
ることにより、膜応力が緩和され、その結果誘電体層に
形成されるクラックを抑制することができる。特に、誘
電体層の厚さが、従来形成することが困難であった、３
μｍ以上の場合でも、クラックを生じることなく形成す
ることが可能である。なお、誘電体層の厚さは、クラッ
クの抑制及び層の強度の観点から、３〜１８μｍの厚さ
を有することが好ましい。
ることにより、膜応力が緩和され、その結果誘電体層に
形成されるクラックを抑制することができる。特に、誘
電体層の厚さが、従来形成することが困難であった、３
μｍ以上の場合でも、クラックを生じることなく形成す
ることが可能である。なお、誘電体層の厚さは、クラッ
クの抑制及び層の強度の観点から、３〜１８μｍの厚さ
を有することが好ましい。
【００３５】更に、誘電体層に含まれるほとんどの気泡
の径が１００Å以下であることにより、低密度（例え
ば、０．７〜０．５３ｇ／ｃｍ3）の誘電体層を形成す
ることができる。更に、気泡の径が上記数値以下である
ことにより、気泡の連通に由来する直接放電を抑制する
ことができる。従って、絶縁耐圧の良好な誘電体層を形
成することが可能となる。
の径が１００Å以下であることにより、低密度（例え
ば、０．７〜０．５３ｇ／ｃｍ3）の誘電体層を形成す
ることができる。更に、気泡の径が上記数値以下である
ことにより、気泡の連通に由来する直接放電を抑制する
ことができる。従って、絶縁耐圧の良好な誘電体層を形
成することが可能となる。
【００３６】本発明のＰＤＰの誘電体層として使用する
ことが好ましいが、その具体例を図２を用いて説明す
る。
ことが好ましいが、その具体例を図２を用いて説明す
る。
【００３７】図２に示す３電極ＡＣ型面放電ＰＤＰ１０
０は、前面板と背面板とから構成される。
０は、前面板と背面板とから構成される。
【００３８】まず、前面板は、一般的に基板１１上に形
成された複数本のストライプ状の表示電極、表示電極を
覆うように形成された誘電体層１７、誘電体層１７上に
形成され放電空間に露出する保護層１８とからなる。
成された複数本のストライプ状の表示電極、表示電極を
覆うように形成された誘電体層１７、誘電体層１７上に
形成され放電空間に露出する保護層１８とからなる。
【００３９】表示電極は、ＩＴＯのような透明電極４１
からなる。また、表示電極の抵抗を下げるために、透明
電極４１上にＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等の金属やＣｒ／Ｃｕ／
Ｃｒのような積層体からなる金属電極４２を形成しても
よい。
からなる。また、表示電極の抵抗を下げるために、透明
電極４１上にＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等の金属やＣｒ／Ｃｕ／
Ｃｒのような積層体からなる金属電極４２を形成しても
よい。
【００４０】誘電体層１７は、上記本発明の方法により
形成することができる。
形成することができる。
【００４１】保護層１８は、表示の際の放電により生じ
るイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護する
ために設けられる。保護層１８は、例えば、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等からなる。
るイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護する
ために設けられる。保護層１８は、例えば、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等からなる。
【００４２】次に、背面板は、一般的に、基板２１上に
形成された複数本のストライプ状のＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等
の金属やＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒのような積層体からなるアド
レス電極Ａ、アドレス電極Ａを覆う誘電体層２７、隣接
するアドレス電極間で誘電体層２７上に形成された複数
本のストライプ状の隔壁２９、隔壁２９間に壁面を含め
て形成された蛍光体層２８とからなる。
形成された複数本のストライプ状のＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等
の金属やＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒのような積層体からなるアド
レス電極Ａ、アドレス電極Ａを覆う誘電体層２７、隣接
するアドレス電極間で誘電体層２７上に形成された複数
本のストライプ状の隔壁２９、隔壁２９間に壁面を含め
て形成された蛍光体層２８とからなる。
【００４３】誘電体層２７には、上記本発明の方法によ
り形成することができる。
り形成することができる。
【００４４】隔壁２９は、低融点ガラスとバインダとか
らなるペーストを誘電体層２７上に塗布し、焼成した
後、サンドブラスト法で切削することにより形成するこ
とができる。また、バインダに感光性の樹脂を使用した
場合、所定形状のマスクを使用して露光及び現像した
後、焼成することにより形成することも可能である。
らなるペーストを誘電体層２７上に塗布し、焼成した
後、サンドブラスト法で切削することにより形成するこ
とができる。また、バインダに感光性の樹脂を使用した
場合、所定形状のマスクを使用して露光及び現像した
後、焼成することにより形成することも可能である。
【００４５】蛍光体層２８は、バインダが溶解された溶
液に粒子状の蛍光体を分散させたペーストを、隔壁２９
間に塗布し、不活性雰囲気下で焼成することにより形成
することができる。
液に粒子状の蛍光体を分散させたペーストを、隔壁２９
間に塗布し、不活性雰囲気下で焼成することにより形成
することができる。
【００４６】上記前面板と背面板とを、表示電極とアド
レス電極が直交するように、両電極を内側にして対向さ
せ、隔壁２９により囲まれた放電空間３０に放電ガスを
充填することによりＰＤＰ１００を形成することができ
る。なお、図２中、Ｒ、Ｇ及びＢは、赤色表示部、緑色
表示部及び青色表示部をそれぞれ示している。
レス電極が直交するように、両電極を内側にして対向さ
せ、隔壁２９により囲まれた放電空間３０に放電ガスを
充填することによりＰＤＰ１００を形成することができ
る。なお、図２中、Ｒ、Ｇ及びＢは、赤色表示部、緑色
表示部及び青色表示部をそれぞれ示している。
【００４７】なお、本発明は図２のＰＤＰの構成に限ら
ず、ＤＣ型でもよく、反射型及び透過型のいずれのＰＤ
Ｐにも使用することができる。
ず、ＤＣ型でもよく、反射型及び透過型のいずれのＰＤ
Ｐにも使用することができる。
【００４８】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を更に
具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
【００４９】実施例１ 高分子化合物形成用のモノマーとしてのメチルトリエト
キシシラン６７ｇをＭＩＢＫ１８３ｇに溶解した溶液
に、易分解性樹脂として三菱レイヨン社製のアクリル樹
脂ＢＲ１０５をＭＩＢＫ５５ｇに溶解した溶液を混合し
た。この混合溶液に、０．０５重量％濃度の硝酸水溶液
５００ｇを一度に加え、５００ｒｐｍの速度で攪拌しな
がら、２０℃で約１時間、モノマーの加水分解及び縮合
を行った。この後、油相を分離し、高分子化合物を４０
重量％含む誘電体層形成用塗布液を調整した。
キシシラン６７ｇをＭＩＢＫ１８３ｇに溶解した溶液
に、易分解性樹脂として三菱レイヨン社製のアクリル樹
脂ＢＲ１０５をＭＩＢＫ５５ｇに溶解した溶液を混合し
た。この混合溶液に、０．０５重量％濃度の硝酸水溶液
５００ｇを一度に加え、５００ｒｐｍの速度で攪拌しな
がら、２０℃で約１時間、モノマーの加水分解及び縮合
を行った。この後、油相を分離し、高分子化合物を４０
重量％含む誘電体層形成用塗布液を調整した。
【００５０】得られた塗布液を基材上に塗布し、１５０
℃で３０分間ＭＩＢＫを乾燥除去して塗膜を形成した
後、５００℃で３０分間空気中で加熱することで誘電体
層を形成した。なお、乾燥除去工程は、所望の厚さの塗
膜が得られるまで繰り返した。
℃で３０分間ＭＩＢＫを乾燥除去して塗膜を形成した
後、５００℃で３０分間空気中で加熱することで誘電体
層を形成した。なお、乾燥除去工程は、所望の厚さの塗
膜が得られるまで繰り返した。
【００５１】得られた誘電体層のクラック耐性、比誘電
率、膜密度及び層の状態を、使用した易分解性樹脂の量
と共に表１に示す。
率、膜密度及び層の状態を、使用した易分解性樹脂の量
と共に表１に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】表１より高分子化合物に易分解性樹脂を添
加することで、クラック耐性が向上し、より低誘電率の
誘電体層が得られることが分かった。
加することで、クラック耐性が向上し、より低誘電率の
誘電体層が得られることが分かった。
【００５４】実施例２ アクリル樹脂を１２ｇ使用すること以外は実施例１と同
様にして誘電体層形成用塗布液を調整した。
様にして誘電体層形成用塗布液を調整した。
【００５５】誘電体層形成用塗布液を、透明電極４１及
び金属電極４２からなる表示電極を有する基板１１上
に、表示電極を覆うように、スロットコーターにより塗
布した。得られた塗膜を１５０℃で３０分間乾燥させた
後、５００℃で３０分間空気中で焼成することにより誘
電体層１７を形成した。誘電体層１７の厚さは５μｍで
あり、クラック及び剥離は見られなかった。誘電体層１
７上に、公知の方法により保護膜１８を形成することに
より前面板を得た。
び金属電極４２からなる表示電極を有する基板１１上
に、表示電極を覆うように、スロットコーターにより塗
布した。得られた塗膜を１５０℃で３０分間乾燥させた
後、５００℃で３０分間空気中で焼成することにより誘
電体層１７を形成した。誘電体層１７の厚さは５μｍで
あり、クラック及び剥離は見られなかった。誘電体層１
７上に、公知の方法により保護膜１８を形成することに
より前面板を得た。
【００５６】次に、公知の方法により、アドレス電極Ａ
が形成された基板２１上に、誘電体層２７、蛍光体層２
８及び隔壁２９を形成することにより背面板を得た。な
お、誘電体層２７は、公知の無機材料を塗布焼成するこ
とにより形成した。
が形成された基板２１上に、誘電体層２７、蛍光体層２
８及び隔壁２９を形成することにより背面板を得た。な
お、誘電体層２７は、公知の無機材料を塗布焼成するこ
とにより形成した。
【００５７】背面板と前面板とを貼り合わせ、放電空間
３０に放電ガスを封入することにより、図２に示すＰＤ
Ｐ１００を得た。
３０に放電ガスを封入することにより、図２に示すＰＤ
Ｐ１００を得た。
【００５８】得られたＰＤＰ１００は、１．０ｌｍ／Ｗ
の良好な発光効率を有していた。
の良好な発光効率を有していた。
【００５９】実施例３ 誘電体層形成用塗布液の塗布及び乾燥工程を２回繰り返
すこと以外は、実施例２と同様にしてＰＤＰを形成し
た。なお、この実施例における誘電体層の厚さは１０μ
ｍであり、クラック及び剥離は見られなかった。また、
得られたＰＤＰは、１．３ｌｍ／Ｗの良好な発光効率を
有していた。
すこと以外は、実施例２と同様にしてＰＤＰを形成し
た。なお、この実施例における誘電体層の厚さは１０μ
ｍであり、クラック及び剥離は見られなかった。また、
得られたＰＤＰは、１．３ｌｍ／Ｗの良好な発光効率を
有していた。
【００６０】実施例４ ５００℃で３０分間焼成することに替えて、３５０℃で
基板を加熱しつつ波長２４５ｎｍ、８００Ｗの紫外線を
５分間照射し、次いで４５０℃で３０分間空気中で焼成
することにより誘電体層１７を形成すること以外は、実
施例３と同様にしてＰＤＰを形成した。
基板を加熱しつつ波長２４５ｎｍ、８００Ｗの紫外線を
５分間照射し、次いで４５０℃で３０分間空気中で焼成
することにより誘電体層１７を形成すること以外は、実
施例３と同様にしてＰＤＰを形成した。
【００６１】この実施例における誘電体層の厚さは１０
μｍであり、クラック及び剥離は見られなかった。ま
た、得られたＰＤＰは、１．３ｌｍ／Ｗの良好な発光効
率を有していた。
μｍであり、クラック及び剥離は見られなかった。ま
た、得られたＰＤＰは、１．３ｌｍ／Ｗの良好な発光効
率を有していた。
【００６２】比較例 高分子化合物形成用のモノマーを使用しないこと以外
は、実施例２と同様にして誘電体層形成用塗布液を調整
し、誘電体層を形成した。得られた誘電体層は、其の全
面にクラックが見られ、また剥離している部分もあっ
た。そのためＰＤＰの誘電体層として使用することがで
きなかった。
は、実施例２と同様にして誘電体層形成用塗布液を調整
し、誘電体層を形成した。得られた誘電体層は、其の全
面にクラックが見られ、また剥離している部分もあっ
た。そのためＰＤＰの誘電体層として使用することがで
きなかった。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、従来の低誘電率材料で
はなしえなかった膜厚の誘電体層をクラック及び剥離な
しで形成することが可能となる。従って、従来より発光
効率が高いＰＤＰを形成することができる。また、ＣＶ
Ｄ法のような他の形成方法に比べて比較的低コストで誘
電体層を形成することができる。
はなしえなかった膜厚の誘電体層をクラック及び剥離な
しで形成することが可能となる。従って、従来より発光
効率が高いＰＤＰを形成することができる。また、ＣＶ
Ｄ法のような他の形成方法に比べて比較的低コストで誘
電体層を形成することができる。
【図1】本発明の方法により得られた誘電体層の概略断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の方法が適用可能なＰＤＰの概略斜視図
である。
である。
【図３】図２のＰＤＰの一部概略断面図である
１ 基体 ２ 気泡 １１、２１ 基板 １７、２７ 誘電体層 １８ 保護膜 ２８ 蛍光体層 ２９ 隔壁 ３０ 放電空間 ４１ 透明電極 ４２ 金属電極 １００ ＰＤＰ Ａ アドレス電極 Ｂ 青色表示部 Ｇ 緑色表示部 Ｒ 赤色表示部
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体層を有するガス放電パネルの製造
方法であって、少なくとも−Ｓｉ−Ｏ−結合を有する高
分子化合物と、加熱又はエネルギー線の照射により前記
高分子化合物より容易に分解しうる易分解性樹脂との混
合物からなる被膜を基材上に形成した後、被膜を加熱又
はエネルギー線の照射後加熱して易分解性樹脂の除去と
高分子化合物の架橋を行うことにより誘電体層を形成す
ることを特徴とするガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項２】 易分解性樹脂が、混合物中に、高分子化
合物１００重量部に対して９〜１８重量部の範囲で含ま
れる請求項１に記載のガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の方法により得ら
れ、実質的に独立気泡を含む誘電体層を少なくとも有す
るガス放電パネル。 - 【請求項４】 誘電体層が３〜１８μｍの厚さを有する
請求項３に記載のガス放電パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31255499A JP2001135222A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | ガス放電パネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31255499A JP2001135222A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | ガス放電パネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001135222A true JP2001135222A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18030617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31255499A Pending JP2001135222A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | ガス放電パネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001135222A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001071761A1 (fr) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Panneau d'affichage a plasma et son procede de fabrication |
| KR100495566B1 (ko) * | 2002-08-08 | 2005-06-16 | 한국과학기술원 | 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 및 그 제조방법 |
| JP2007059263A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物 |
| JP2007059280A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物 |
| KR100758913B1 (ko) | 2006-03-08 | 2007-09-17 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| KR100763286B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2007-10-04 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널용의 전면판 및 배면판, 그것에사용되는 조성물 |
-
1999
- 1999-11-02 JP JP31255499A patent/JP2001135222A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001071761A1 (fr) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Panneau d'affichage a plasma et son procede de fabrication |
| US6940227B2 (en) | 2000-03-24 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and manufacturing method thereof |
| KR100495566B1 (ko) * | 2002-08-08 | 2005-06-16 | 한국과학기술원 | 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 및 그 제조방법 |
| KR100763286B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2007-10-04 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널용의 전면판 및 배면판, 그것에사용되는 조성물 |
| JP2007059263A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物 |
| JP2007059280A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物 |
| JP4589202B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2010-12-01 | 東京応化工業株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物 |
| KR100758913B1 (ko) | 2006-03-08 | 2007-09-17 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
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