JPH11191376A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH11191376A JPH11191376A JP28490498A JP28490498A JPH11191376A JP H11191376 A JPH11191376 A JP H11191376A JP 28490498 A JP28490498 A JP 28490498A JP 28490498 A JP28490498 A JP 28490498A JP H11191376 A JPH11191376 A JP H11191376A
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- Japan
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- display panel
- dielectric constant
- plasma display
- discharge
- high dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンピュータおよびテレビ等の画像表示に使
用されるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）におい
て、高精細化に伴い隣接する放電セルの影響による誤放
電に起因するクロストークを解決し、尚且放電開始電圧
を低下せしめ、高精細で低駆動電圧の優れた画質を表示
するＰＤＰを実現する。 【解決手段】 ＰＤＰを構成する放電セルの少なくとも
一種類の電極上に高誘電率層２０を設けることにより、
放電開始電圧が低下し、放電セル内に電界が集中するこ
とによって隣接する放電セルの誤放電によるクロストー
クを抑制する。
用されるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）におい
て、高精細化に伴い隣接する放電セルの影響による誤放
電に起因するクロストークを解決し、尚且放電開始電圧
を低下せしめ、高精細で低駆動電圧の優れた画質を表示
するＰＤＰを実現する。 【解決手段】 ＰＤＰを構成する放電セルの少なくとも
一種類の電極上に高誘電率層２０を設けることにより、
放電開始電圧が低下し、放電セル内に電界が集中するこ
とによって隣接する放電セルの誤放電によるクロストー
クを抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータおよ
びテレビ等の画像表示に用いるプラズマディスプレイパ
ネルに関するものである。
びテレビ等の画像表示に用いるプラズマディスプレイパ
ネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＰＤＰは、図９に示すような構成
のものが一般的である。
のものが一般的である。
【０００３】図９において、前面基板１１上には帯状の
電極群１９ａと、帯状の電極群１９ｂが形成され、電極
群１９ａ、１９ｂは鉛ガラスなどからなる誘電体ガラス
層１７で覆われており、誘電体ガラス層１７の表面はＭ
ｇＯ蒸着膜などからなる保護層１８で覆われている。背
面基板１２上には帯状のデータ電極群１４と表面を覆う
鉛ガラスなどからなる絶縁体層１３が設けられ、その上
に隔壁１５が配設されている。前面基板１１と背面基板
１２とは、それぞれの電極群が互いに直交するように組
み合わされている。隔壁１５は、背面基板１２と接着し
ており、前面基板１１とは接触している。隔壁１５によ
って通常は１００から２００ミクロン程度の間隔で前面
基板１１と背面基板１２が互いに平行に対峙し封止され
ている。
電極群１９ａと、帯状の電極群１９ｂが形成され、電極
群１９ａ、１９ｂは鉛ガラスなどからなる誘電体ガラス
層１７で覆われており、誘電体ガラス層１７の表面はＭ
ｇＯ蒸着膜などからなる保護層１８で覆われている。背
面基板１２上には帯状のデータ電極群１４と表面を覆う
鉛ガラスなどからなる絶縁体層１３が設けられ、その上
に隔壁１５が配設されている。前面基板１１と背面基板
１２とは、それぞれの電極群が互いに直交するように組
み合わされている。隔壁１５は、背面基板１２と接着し
ており、前面基板１１とは接触している。隔壁１５によ
って通常は１００から２００ミクロン程度の間隔で前面
基板１１と背面基板１２が互いに平行に対峙し封止され
ている。
【０００４】前面基板１１上の電極群１９ａ、１９ｂと
背面基板１２上のデータ電極群１４の間に選択的に電圧
を印加することによって、選択された電極の交点でガス
放電によって生じた電荷を誘電体ガラス１７上に蓄積
し、電圧を印加すべき電極を走査することにより１画面
分の画素の情報を蓄積するアドレス動作の後に、前面基
板１１上の電極群１９ａと電極群１９ｂ間に交流パルス
電圧を印加する維持放電動作によって、アドレス動作に
おいて選択された放電セルが一斉に発光することによっ
て画像を表示する。放電は前面基板１１、背面基板１
２、ならびに隔壁１５で隔離された空間で起こるため、
発光は拡散しない。つまり、隔壁１５は、前面基板１１
と背面基板１２との間隔を規定する目的と、解像度の高
い表示が行う目的を有している。
背面基板１２上のデータ電極群１４の間に選択的に電圧
を印加することによって、選択された電極の交点でガス
放電によって生じた電荷を誘電体ガラス１７上に蓄積
し、電圧を印加すべき電極を走査することにより１画面
分の画素の情報を蓄積するアドレス動作の後に、前面基
板１１上の電極群１９ａと電極群１９ｂ間に交流パルス
電圧を印加する維持放電動作によって、アドレス動作に
おいて選択された放電セルが一斉に発光することによっ
て画像を表示する。放電は前面基板１１、背面基板１
２、ならびに隔壁１５で隔離された空間で起こるため、
発光は拡散しない。つまり、隔壁１５は、前面基板１１
と背面基板１２との間隔を規定する目的と、解像度の高
い表示が行う目的を有している。
【０００５】さらにカラー表示を行う場合は、隔壁で遮
断されている放電空間の周辺部に蛍光体１６を塗布して
おく。蛍光体は、放電によって生じた紫外線を可視光に
変換することにより行われるので、三原色である赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体を使用し、それぞ
れによる発光強度を適当に調整することにより、カラー
表示が可能になる。
断されている放電空間の周辺部に蛍光体１６を塗布して
おく。蛍光体は、放電によって生じた紫外線を可視光に
変換することにより行われるので、三原色である赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体を使用し、それぞ
れによる発光強度を適当に調整することにより、カラー
表示が可能になる。
【０００６】放電ガスとしては、単色表示の場合は、放
電の際に可視域での発光が見られるネオンを中心とした
混合ガスが、またカラー表示の場合は、放電の際の発光
が紫外域にあるキセノンを中心とした混合ガスが選択さ
れる。ガス圧は、大気圧下でのＰＤＰの使用を想定し、
基板内部が外圧に対して減圧になるように、通常は、２
００Ｔｏｒｒから５００Ｔｏｒｒ程度の範囲に設定され
る。図１０に従来のＰＤＰの電極マトリックス図を示
す。
電の際に可視域での発光が見られるネオンを中心とした
混合ガスが、またカラー表示の場合は、放電の際の発光
が紫外域にあるキセノンを中心とした混合ガスが選択さ
れる。ガス圧は、大気圧下でのＰＤＰの使用を想定し、
基板内部が外圧に対して減圧になるように、通常は、２
００Ｔｏｒｒから５００Ｔｏｒｒ程度の範囲に設定され
る。図１０に従来のＰＤＰの電極マトリックス図を示
す。
【０００７】次に、従来のＰＤＰの駆動方法について図
１１を用いて説明する。図１１において、まず電極群１
９ｂ１〜１９ｂＮに初期化パルスを印加し、パネルの放
電セル内の壁電荷を初期化する。次に電極群１９ａの一
番目の電極１９ａ１に走査パルスを、データ電極群４４
の表示を行う放電セルに対応するライン１４１〜１４Ｍ
に書き込みパルスを同時に印加して書き込み放電を行い
誘電体層表面に壁電荷を蓄積する。次に電極群１９ａの
二番目のライン電極１９ａ２に走査パルスを、データ電
極群１４の表示を行う放電セルに対応するライン１４１
〜１４Ｍに書き込みパルスを同時に印加して書き込み放
電を行い誘電体層表面に壁電荷を蓄積する。続いて同様
に継続する走査で表示を行うセルに対応する壁電荷を誘
電体層表面に順次蓄積することによって１画面分の潜像
を書き込む。
１１を用いて説明する。図１１において、まず電極群１
９ｂ１〜１９ｂＮに初期化パルスを印加し、パネルの放
電セル内の壁電荷を初期化する。次に電極群１９ａの一
番目の電極１９ａ１に走査パルスを、データ電極群４４
の表示を行う放電セルに対応するライン１４１〜１４Ｍ
に書き込みパルスを同時に印加して書き込み放電を行い
誘電体層表面に壁電荷を蓄積する。次に電極群１９ａの
二番目のライン電極１９ａ２に走査パルスを、データ電
極群１４の表示を行う放電セルに対応するライン１４１
〜１４Ｍに書き込みパルスを同時に印加して書き込み放
電を行い誘電体層表面に壁電荷を蓄積する。続いて同様
に継続する走査で表示を行うセルに対応する壁電荷を誘
電体層表面に順次蓄積することによって１画面分の潜像
を書き込む。
【０００８】次に、維持放電を行うために、データ電極
群１４を接地し、電極群１９ａと電極群１９ｂに交互に
維持パルスを印加することによって、誘電体層表面に壁
電荷が蓄積されたセルでは誘電体表面の電位が放電開始
電圧を上回ることによって放電が発生し、維持パルスが
印加されている期間（維持期間）書き込みパルスによっ
て選択された表示セルの主放電が維持される。その後、
幅の狭い消去パルスを印加することによって不完全な放
電が発生し壁電荷が消滅するため消去が行われる。
群１４を接地し、電極群１９ａと電極群１９ｂに交互に
維持パルスを印加することによって、誘電体層表面に壁
電荷が蓄積されたセルでは誘電体表面の電位が放電開始
電圧を上回ることによって放電が発生し、維持パルスが
印加されている期間（維持期間）書き込みパルスによっ
て選択された表示セルの主放電が維持される。その後、
幅の狭い消去パルスを印加することによって不完全な放
電が発生し壁電荷が消滅するため消去が行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、高精細化に伴って放電セルのピッチが狭
まり、隣接する放電セルの影響を強く受けるため、誤放
電が起こりやすくなる。このために画像表示の際にクロ
ストークが発生するという問題点を有していた。
来の構成では、高精細化に伴って放電セルのピッチが狭
まり、隣接する放電セルの影響を強く受けるため、誤放
電が起こりやすくなる。このために画像表示の際にクロ
ストークが発生するという問題点を有していた。
【００１０】また、従来の構成では、維持期間中の１番
目の維持パルス印加時の放電遅れ時間及びそのバラツキ
が大きく、放電確率が低いために動画表示の際の画像の
輪郭部分のチラツキが大きく、画質を大きく低下させる
という問題点を有していた。
目の維持パルス印加時の放電遅れ時間及びそのバラツキ
が大きく、放電確率が低いために動画表示の際の画像の
輪郭部分のチラツキが大きく、画質を大きく低下させる
という問題点を有していた。
【００１１】また更に、放電セル内のガス圧を高めるこ
とによって発光効率は向上するが、同時に放電開始電圧
が上昇し、ＰＤＰの駆動電圧を増加させなければなら
ず、駆動回路に掛ける負担が増加するという課題を有し
ていた。
とによって発光効率は向上するが、同時に放電開始電圧
が上昇し、ＰＤＰの駆動電圧を増加させなければなら
ず、駆動回路に掛ける負担が増加するという課題を有し
ていた。
【００１２】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、隣接する放電セルの相互の影響を抑制しクロストー
クを無くし、放電遅れを改善し、また放電開始電圧を低
下させることによって駆動電圧を下げ、高精細で高画質
なＰＤＰを実現することを目的とする。
で、隣接する放電セルの相互の影響を抑制しクロストー
クを無くし、放電遅れを改善し、また放電開始電圧を低
下させることによって駆動電圧を下げ、高精細で高画質
なＰＤＰを実現することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、１対の基板間に誘電体に覆われた複数の対
向電極を設け、少なくとも一方の基板上の電極上に比誘
電率εrが１００以上２０００以下の値を有する高誘電
率層を設けるものとする。
に本発明は、１対の基板間に誘電体に覆われた複数の対
向電極を設け、少なくとも一方の基板上の電極上に比誘
電率εrが１００以上２０００以下の値を有する高誘電
率層を設けるものとする。
【００１４】また、１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け、駆動時に放電セルを選択する電圧
信号を印加する電極上に比誘電率εrが１００以上２０
００以下の値を有する高誘電率層を設けるものとする。
数の対向電極を設け、駆動時に放電セルを選択する電圧
信号を印加する電極上に比誘電率εrが１００以上２０
００以下の値を有する高誘電率層を設けるものとする。
【００１５】また、１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け、駆動時に発光を維持する為の電圧
を印加する電極上に比誘電率εrが１００以上２０００
以下の値を有する高誘電率層を設けるものとする。
数の対向電極を設け、駆動時に発光を維持する為の電圧
を印加する電極上に比誘電率εrが１００以上２０００
以下の値を有する高誘電率層を設けるものとする。
【００１６】また、１対の基板間に誘電体に覆われた複
数のストライプ状の対向電極を設け気体放電によって画
像を表示するプラズマディスプレイパネルにおいて、少
なくとも一方の基板上の電極上に比誘電率εrが１００
以上２０００以下の値を有するストライプ状の高誘電率
層を設けるものとする。
数のストライプ状の対向電極を設け気体放電によって画
像を表示するプラズマディスプレイパネルにおいて、少
なくとも一方の基板上の電極上に比誘電率εrが１００
以上２０００以下の値を有するストライプ状の高誘電率
層を設けるものとする。
【００１７】また、ストライプ状の電極の短辺の長さＷ
とストライプ状の高誘電率層の短辺の長さｗを０．５Ｗ
≦ｗ≦１．５Ｗの範囲とする。
とストライプ状の高誘電率層の短辺の長さｗを０．５Ｗ
≦ｗ≦１．５Ｗの範囲とする。
【００１８】また、高誘電率層が、鉛、バリウム、スト
ロンチウム、ランタン、からなるＡ群の内の少なくとも
いずれか１つと、チタン、ジルコニウム、マンガン、ニ
オブ、タンタルからなるＢ群の内の少なくともいずれか
１つを主成分とするＡＢＯ3型酸化物高誘電体から成る
ものとする。
ロンチウム、ランタン、からなるＡ群の内の少なくとも
いずれか１つと、チタン、ジルコニウム、マンガン、ニ
オブ、タンタルからなるＢ群の内の少なくともいずれか
１つを主成分とするＡＢＯ3型酸化物高誘電体から成る
ものとする。
【００１９】また、高誘電率層が、鉛、バリウム、スト
ロンチウム、ランタン、からなるＡ群の内の少なくとも
いずれか１つと、チタン、ジルコニウム、マンガン、ニ
オブ、タンタルからなるＢ群の内の少なくともいずれか
１つを主成分とするＡＢＯ3型酸化物高誘電体とガラス
の混合物から成るものとする。
ロンチウム、ランタン、からなるＡ群の内の少なくとも
いずれか１つと、チタン、ジルコニウム、マンガン、ニ
オブ、タンタルからなるＢ群の内の少なくともいずれか
１つを主成分とするＡＢＯ3型酸化物高誘電体とガラス
の混合物から成るものとする。
【００２０】また、１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け、少なくとも一方の基板上の電極上
に比誘電率εr が１００以上２０００以下の値を有する
高誘電率層を有するプラズマディスプレイパネルにおい
て、放電ガスの封入圧力を７６０〜４０００Ｔｏｒｒと
する。
数の対向電極を設け、少なくとも一方の基板上の電極上
に比誘電率εr が１００以上２０００以下の値を有する
高誘電率層を有するプラズマディスプレイパネルにおい
て、放電ガスの封入圧力を７６０〜４０００Ｔｏｒｒと
する。
【００２１】また、１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け、少なくとも一方の基板上の電極上
に比誘電率εr が１００以上２０００以下の値を有する
高誘電率層を有し、前記基板間の放電ガスを、ヘリウ
ム，ネオン，キセノン，アルゴンを含む希ガスの混合物
とする。また、放電ガスとして、キセノンを５体積％以
下、アルゴンを０．５体積％以下、ヘリウムが５５体積
％未満含有するものとする。
数の対向電極を設け、少なくとも一方の基板上の電極上
に比誘電率εr が１００以上２０００以下の値を有する
高誘電率層を有し、前記基板間の放電ガスを、ヘリウ
ム，ネオン，キセノン，アルゴンを含む希ガスの混合物
とする。また、放電ガスとして、キセノンを５体積％以
下、アルゴンを０．５体積％以下、ヘリウムが５５体積
％未満含有するものとする。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
て図面を用いて説明する。
【００２３】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１に係るＰＤＰの構成図である。図１において、前
面基板１１の電極上に、本発明に特有の高誘電率層２０
が設けられている。
形態１に係るＰＤＰの構成図である。図１において、前
面基板１１の電極上に、本発明に特有の高誘電率層２０
が設けられている。
【００２４】まず、前面基板１１を形成するにあたり、
ガラス基板上に電極群１９ａ，１９ｂとして厚膜銀ペー
ストをスクリーン印刷によってパターニング後焼成して
形成し、前面基板１１と電極群１９ａ,１９ｂ上に高誘
電率層２０としてＰｂ(1-x)ＬａxＴｉ(1-x/4)Ｏ3（ＰＬ
Ｔ）薄膜（ｘ＝０．０５〜０．２５）をＲＦマグネトロ
ンスパッタリング法にて成膜形成し、高誘電率層２０上
に保護膜１８としてＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法にて
形成した。
ガラス基板上に電極群１９ａ，１９ｂとして厚膜銀ペー
ストをスクリーン印刷によってパターニング後焼成して
形成し、前面基板１１と電極群１９ａ,１９ｂ上に高誘
電率層２０としてＰｂ(1-x)ＬａxＴｉ(1-x/4)Ｏ3（ＰＬ
Ｔ）薄膜（ｘ＝０．０５〜０．２５）をＲＦマグネトロ
ンスパッタリング法にて成膜形成し、高誘電率層２０上
に保護膜１８としてＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法にて
形成した。
【００２５】次に、背面基板１２を形成するにあたり、
ガラス基板上にデータ電極群１４として厚膜銀ペースト
をスクリーン印刷によってパターニングした後焼成して
形成し、データ電極群１４上に絶縁体層１３として絶縁
体ガラスペーストをスクリーン印刷法を用いて前面に印
刷した後に焼成して形成し、絶縁体層１３上に隔壁１５
として厚膜ペーストをスクリーン印刷によってパターニ
ングした後焼成して形成し、隔壁１５の側面と絶縁体層
１３の上部に蛍光体１６をスクリーン印刷によってパタ
ーニングした後焼成して形成した。
ガラス基板上にデータ電極群１４として厚膜銀ペースト
をスクリーン印刷によってパターニングした後焼成して
形成し、データ電極群１４上に絶縁体層１３として絶縁
体ガラスペーストをスクリーン印刷法を用いて前面に印
刷した後に焼成して形成し、絶縁体層１３上に隔壁１５
として厚膜ペーストをスクリーン印刷によってパターニ
ングした後焼成して形成し、隔壁１５の側面と絶縁体層
１３の上部に蛍光体１６をスクリーン印刷によってパタ
ーニングした後焼成して形成した。
【００２６】次に、前面基板１１と背面基板１２の周囲
をガラスフリットを用いて封着した後に真空排気し、放
電ガスとしてＸｅを５％含むＮｅ−Ｘｅ混合ガスを５０
０Ｔｏｒｒ封入した。
をガラスフリットを用いて封着した後に真空排気し、放
電ガスとしてＸｅを５％含むＮｅ−Ｘｅ混合ガスを５０
０Ｔｏｒｒ封入した。
【００２７】図２は、従来の構成のＰＤＰの誘電体膜厚
と放電開始電圧Ｖｆの関係を示している。図２のグラフ
から明らかなように、誘電体の膜厚が薄くなると共にＶ
ｆが低下している。しかし、従来の構成のＰＤＰにおい
ては、誘電体として低融点鉛ガラス系の厚膜誘電体層を
用いていたために、膜厚を２０μｍ以下まで薄くする
と、誘電体層内の気泡や異物等の厚膜プロセス固有の欠
陥によって耐電圧が低下し、誘電体層の絶縁破壊が発生
するために、低融点鉛ガラス系の厚膜誘電体層を用いる
場合は、膜厚を２５μｍ程度までしか薄くすることがで
きなかった。このため実際のＰＤＰにおいて、駆動電圧
は１８０Ｖ程度までしか低下させることができなかっ
た。
と放電開始電圧Ｖｆの関係を示している。図２のグラフ
から明らかなように、誘電体の膜厚が薄くなると共にＶ
ｆが低下している。しかし、従来の構成のＰＤＰにおい
ては、誘電体として低融点鉛ガラス系の厚膜誘電体層を
用いていたために、膜厚を２０μｍ以下まで薄くする
と、誘電体層内の気泡や異物等の厚膜プロセス固有の欠
陥によって耐電圧が低下し、誘電体層の絶縁破壊が発生
するために、低融点鉛ガラス系の厚膜誘電体層を用いる
場合は、膜厚を２５μｍ程度までしか薄くすることがで
きなかった。このため実際のＰＤＰにおいて、駆動電圧
は１８０Ｖ程度までしか低下させることができなかっ
た。
【００２８】本実施の形態１による構成のＰＤＰの高誘
電率層の比誘電率εrと膜厚ｔおよびＶｆと従来のもの
との比較を（表１）に示す。
電率層の比誘電率εrと膜厚ｔおよびＶｆと従来のもの
との比較を（表１）に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】前面板の電極上にεr＝１００の高誘電率
層を設けることによって、Ｖｆが、１６６Ｖ程度まで減
少している。さらにεr＝３５０の高誘電率層を設ける
ことによって、Ｖｆが１６０Ｖ程度まで減少している。
層を設けることによって、Ｖｆが、１６６Ｖ程度まで減
少している。さらにεr＝３５０の高誘電率層を設ける
ことによって、Ｖｆが１６０Ｖ程度まで減少している。
【００３１】これは、低融点鉛ガラス系の厚膜誘電体層
の比誘電率がεr＝１１程度であるのに対して、高誘電
率層の比誘電率がεr＝１００〜３５０と一桁以上大き
いため、その有効膜厚が１１／１００〜１１／３５０程
度に減少したためである。
の比誘電率がεr＝１１程度であるのに対して、高誘電
率層の比誘電率がεr＝１００〜３５０と一桁以上大き
いため、その有効膜厚が１１／１００〜１１／３５０程
度に減少したためである。
【００３２】このことから明らかなように、本実施の形
態１によるＰＤＰは、高誘電率層を用いて有効膜厚を１
μｍ程度まで減少させることによりＶｆを低下させ、従
来の低融点鉛ガラス系の誘電体層では不可能であった高
耐圧性と低放電開始電圧という相反する特性を両立させ
ることによって駆動電圧が低く信頼性に優れたＰＤＰを
実現できる。
態１によるＰＤＰは、高誘電率層を用いて有効膜厚を１
μｍ程度まで減少させることによりＶｆを低下させ、従
来の低融点鉛ガラス系の誘電体層では不可能であった高
耐圧性と低放電開始電圧という相反する特性を両立させ
ることによって駆動電圧が低く信頼性に優れたＰＤＰを
実現できる。
【００３３】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２に係るＰＤＰの構成図である。実施の形態１との
違いは、図３において、背面基板１２のデータ電極群１
４上に、本発明に特有の高誘電率層２０を設けたことで
ある。
形態２に係るＰＤＰの構成図である。実施の形態１との
違いは、図３において、背面基板１２のデータ電極群１
４上に、本発明に特有の高誘電率層２０を設けたことで
ある。
【００３４】まず前面基板１１を形成するにあたり、ガ
ラス基板上に電極群１９ａ，１９ｂとして厚膜銀ペース
トをスクリーン印刷によってパターニングした後焼成し
て形成し、前面基板１１と電極群１９ａ，１９ｂ上に誘
電体ガラス１７として低融点鉛ガラスペーストをスクリ
ーン印刷した後焼成して形成し、誘電体ガラス１７上に
保護膜１８としてＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法にて形
成した。
ラス基板上に電極群１９ａ，１９ｂとして厚膜銀ペース
トをスクリーン印刷によってパターニングした後焼成し
て形成し、前面基板１１と電極群１９ａ，１９ｂ上に誘
電体ガラス１７として低融点鉛ガラスペーストをスクリ
ーン印刷した後焼成して形成し、誘電体ガラス１７上に
保護膜１８としてＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法にて形
成した。
【００３５】次に、背面基板１２を形成するにあたり、
ガラス基板上にデータ電極群１４として厚膜銀ペースト
をスクリーン印刷によってパターニングした後焼成して
形成し、データ電極群１４上に高誘電率層２０としてＰ
ｂ(1-x)ＬａxＴｉ(1-x/4)Ｏ3薄膜（ｘ＝０．０５〜０．
２５）をＲＦマグネトロンスパッタリング法にて成膜し
た。
ガラス基板上にデータ電極群１４として厚膜銀ペースト
をスクリーン印刷によってパターニングした後焼成して
形成し、データ電極群１４上に高誘電率層２０としてＰ
ｂ(1-x)ＬａxＴｉ(1-x/4)Ｏ3薄膜（ｘ＝０．０５〜０．
２５）をＲＦマグネトロンスパッタリング法にて成膜し
た。
【００３６】その後、ケミカルエッチング法にてストラ
イプ状にパターニングし、絶縁体層１３として絶縁体ガ
ラスペーストをスクリーン印刷機のスキージを用いて埋
め込んだ後に焼成して形成し、絶縁体層１３上に隔壁１
５として厚膜ペーストをスクリーン印刷によってパター
ニングした後焼成して形成し、隔壁１５の側面と高誘電
率層２０および絶縁体層１３の上部に蛍光体１６をスク
リーン印刷によってパターニングした後焼成して形成し
た。次に前面基板１１と背面基板１２の周囲をガラスフ
リットを用いて封着した後に真空排気し放電ガスとして
Ｘｅを５％含むＮｅ−Ｘｅ混合ガスを５００Ｔｏｒｒ封
入した。
イプ状にパターニングし、絶縁体層１３として絶縁体ガ
ラスペーストをスクリーン印刷機のスキージを用いて埋
め込んだ後に焼成して形成し、絶縁体層１３上に隔壁１
５として厚膜ペーストをスクリーン印刷によってパター
ニングした後焼成して形成し、隔壁１５の側面と高誘電
率層２０および絶縁体層１３の上部に蛍光体１６をスク
リーン印刷によってパターニングした後焼成して形成し
た。次に前面基板１１と背面基板１２の周囲をガラスフ
リットを用いて封着した後に真空排気し放電ガスとして
Ｘｅを５％含むＮｅ−Ｘｅ混合ガスを５００Ｔｏｒｒ封
入した。
【００３７】図４に従来の構成のＰＤＰの放電セルピッ
チＰと単色表示と白色表示とのデータ電圧差△Ｖd（＝
Ｖd単色−Ｖd白色）の関係を示す。放電セルのピッチが
４００μｍ付近においては、Ｒ、Ｇ、Ｂ単色表示の場合
でも、白色（Ｒ、Ｇ、Ｂ全色表示）の場合でもデータ電
圧に変化は見られないが、放電セルのピッチが１００μ
ｍ付近においては、Ｒ、Ｇ、Ｂ単色表示の場合のデータ
電圧に比較して白色表示時のデータ電圧は２０Ｖ低い。
チＰと単色表示と白色表示とのデータ電圧差△Ｖd（＝
Ｖd単色−Ｖd白色）の関係を示す。放電セルのピッチが
４００μｍ付近においては、Ｒ、Ｇ、Ｂ単色表示の場合
でも、白色（Ｒ、Ｇ、Ｂ全色表示）の場合でもデータ電
圧に変化は見られないが、放電セルのピッチが１００μ
ｍ付近においては、Ｒ、Ｇ、Ｂ単色表示の場合のデータ
電圧に比較して白色表示時のデータ電圧は２０Ｖ低い。
【００３８】このことから放電セルピッチＰが小さくな
り高精細になるにつれ隣接する放電セルの影響が増大す
ることがわかる。このため放電セルのピッチが高精細に
なるとＰＤＰの駆動のアドレス動作時のデータ電圧のマ
ージンが非常に狭くなり、実際の画像表示の際には隣接
する放電セルの誤放電によるクロストークが多く発生
し、画質が著しく損なわれてしまう。
り高精細になるにつれ隣接する放電セルの影響が増大す
ることがわかる。このため放電セルのピッチが高精細に
なるとＰＤＰの駆動のアドレス動作時のデータ電圧のマ
ージンが非常に狭くなり、実際の画像表示の際には隣接
する放電セルの誤放電によるクロストークが多く発生
し、画質が著しく損なわれてしまう。
【００３９】本実施の形態２による構成のＰＤＰの放電
セルピッチＰと単色表示と白色表示とのデータ電圧差△
Ｖdの関係を図５に示す。データ電極上にεr＝１００の
高誘電率層を設けることによって、放電セルピッチが１
００μｍ付近であっても△Ｖdが２Ｖ以下に減少してい
る。
セルピッチＰと単色表示と白色表示とのデータ電圧差△
Ｖdの関係を図５に示す。データ電極上にεr＝１００の
高誘電率層を設けることによって、放電セルピッチが１
００μｍ付近であっても△Ｖdが２Ｖ以下に減少してい
る。
【００４０】さらに、εr＝３５０の高誘電率層を設け
ることによって、△Ｖdが０．７Ｖ以下に減少してい
る。この際のストライプ状の高誘電率層の短辺の長さｗ
と電極１４の短辺の長さＷ１とが０．５Ｗ１≦ｗ≦１．
５Ｗ１の範囲で同様の結果が得られた。
ることによって、△Ｖdが０．７Ｖ以下に減少してい
る。この際のストライプ状の高誘電率層の短辺の長さｗ
と電極１４の短辺の長さＷ１とが０．５Ｗ１≦ｗ≦１．
５Ｗ１の範囲で同様の結果が得られた。
【００４１】このことから明らかなように、本実施の形
態２によるＰＤＰは、高精細にもかかわらず駆動時の電
圧マージンが広がり、誤放電によるクロストークが発生
しないという点で非常に優れた画質を表示するＰＤＰを
実現できる。
態２によるＰＤＰは、高精細にもかかわらず駆動時の電
圧マージンが広がり、誤放電によるクロストークが発生
しないという点で非常に優れた画質を表示するＰＤＰを
実現できる。
【００４２】（実施の形態３）図６は、本発明の実施の
形態３に係るＰＤＰの構成図である。実施の形態１との
違いは、図６において、前面基板１１の走査パルスを印
加する方の電極群１９ａ上に、本発明に特有の高誘電率
層２０を設けたことである。
形態３に係るＰＤＰの構成図である。実施の形態１との
違いは、図６において、前面基板１１の走査パルスを印
加する方の電極群１９ａ上に、本発明に特有の高誘電率
層２０を設けたことである。
【００４３】まず、前面基板１１を形成するにあたり、
ガラス基板上に電極群１９ａ，１９ｂとして厚膜銀ペー
ストをスクリーン印刷によってパターニングした後焼成
して形成し、前面基板１１の電極群１９ａ上に高誘電率
層２０としてＰｂ(1-x)ＬａxＴｉ(1-x/4)Ｏ3薄膜（ｘ＝
０．０５〜０．２５）をＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法にて成膜後、ケミカルエッチング法にてストライプ
状にパターニングし、前面基板１１および電極群１９ｂ
上に誘電体ガラス１７として低融点鉛ガラスペーストを
スクリーン印刷機のスキージを用いて埋め込んだ後に焼
成して形成し、高誘電率層２０および誘電体ガラス１７
上に保護膜１８としてＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法に
て形成した。
ガラス基板上に電極群１９ａ，１９ｂとして厚膜銀ペー
ストをスクリーン印刷によってパターニングした後焼成
して形成し、前面基板１１の電極群１９ａ上に高誘電率
層２０としてＰｂ(1-x)ＬａxＴｉ(1-x/4)Ｏ3薄膜（ｘ＝
０．０５〜０．２５）をＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法にて成膜後、ケミカルエッチング法にてストライプ
状にパターニングし、前面基板１１および電極群１９ｂ
上に誘電体ガラス１７として低融点鉛ガラスペーストを
スクリーン印刷機のスキージを用いて埋め込んだ後に焼
成して形成し、高誘電率層２０および誘電体ガラス１７
上に保護膜１８としてＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法に
て形成した。
【００４４】次に、背面基板１２を形成するにあたり、
ガラス基板上にデータ電極群１４として厚膜銀ペースト
をスクリーン印刷によってパターニングした後焼成して
形成し、データ電極群１４上に絶縁体層１３として絶縁
体ガラスペーストをスクリーン印刷法を用いて前面に印
刷した後に焼成して形成し、絶縁体層１３上に隔壁１５
として厚膜ペーストをスクリーン印刷によってパターニ
ングした後焼成して形成し、隔壁１５の側面と高誘電率
層２０および絶縁体層１３の上部に蛍光体１６をスクリ
ーン印刷によってパターニングした後焼成して形成し
た。
ガラス基板上にデータ電極群１４として厚膜銀ペースト
をスクリーン印刷によってパターニングした後焼成して
形成し、データ電極群１４上に絶縁体層１３として絶縁
体ガラスペーストをスクリーン印刷法を用いて前面に印
刷した後に焼成して形成し、絶縁体層１３上に隔壁１５
として厚膜ペーストをスクリーン印刷によってパターニ
ングした後焼成して形成し、隔壁１５の側面と高誘電率
層２０および絶縁体層１３の上部に蛍光体１６をスクリ
ーン印刷によってパターニングした後焼成して形成し
た。
【００４５】次に、前面基板１１と背面基板１２の周囲
をガラスフリットを用いて封着した後に真空排気し、放
電ガスとしてＸｅを５％含むＮｅ−Ｘｅ混合ガスを５０
０Ｔｏｒｒ封入した。
をガラスフリットを用いて封着した後に真空排気し、放
電ガスとしてＸｅを５％含むＮｅ−Ｘｅ混合ガスを５０
０Ｔｏｒｒ封入した。
【００４６】本実施の形態３による構成のＰＤＰを図１
１の駆動波形を用いて駆動する際のアドレスパルスによ
る書き込み放電時の移動電荷量△Ｑと維持期間中の１番
目の維持パルス印加時の放電遅れ時間Ｔｄおよび高誘電
率層の比誘電率εr、膜厚ｔと従来のものとの比較を
（表２）に示す。
１の駆動波形を用いて駆動する際のアドレスパルスによ
る書き込み放電時の移動電荷量△Ｑと維持期間中の１番
目の維持パルス印加時の放電遅れ時間Ｔｄおよび高誘電
率層の比誘電率εr、膜厚ｔと従来のものとの比較を
（表２）に示す。
【００４７】
【表２】
【００４８】△Ｑの測定は、電極群１９ｂと駆動回路の
間に直列に参照用コンデンサーＣｓを接続し、アドレス
パルス印加の前後でのＣｓの両端の電位差Ｖｃｓの変化
量△Ｖｃｓに参照用コンデンサーの容量Ｃｓを乗じるこ
とによって算出した。
間に直列に参照用コンデンサーＣｓを接続し、アドレス
パルス印加の前後でのＣｓの両端の電位差Ｖｃｓの変化
量△Ｖｃｓに参照用コンデンサーの容量Ｃｓを乗じるこ
とによって算出した。
【００４９】また、放電遅れ時間Ｔｄの測定は、放電セ
ルの発光をアンプに接続したフォトダイオードで観測
し、発光ピーク波形と放電セルに印加するパルス電圧波
形をオシロスコープで同時に観察し、１０００回分の平
均を取ることによって行った。
ルの発光をアンプに接続したフォトダイオードで観測
し、発光ピーク波形と放電セルに印加するパルス電圧波
形をオシロスコープで同時に観察し、１０００回分の平
均を取ることによって行った。
【００５０】前面板の電極上にεr ＝１００の高誘電率
層を設けることによって△Ｑが、１０％程度増加し、Ｔ
ｄが２０％程度減少している。さらに、εr ＝３５０の
高誘電率層を設けることによって、△Ｑが、３０％程度
増加し、Ｔｄが５０％程度減少している。
層を設けることによって△Ｑが、１０％程度増加し、Ｔ
ｄが２０％程度減少している。さらに、εr ＝３５０の
高誘電率層を設けることによって、△Ｑが、３０％程度
増加し、Ｔｄが５０％程度減少している。
【００５１】これは、低融点鉛ガラス系の厚膜誘電体層
の比誘電率がεr ＝１１程度であるのに対して、高誘電
率層の比誘電率がεr ＝１００〜３５０と一桁以上大き
いため壁電荷量が増加し、維持期間中の１番目の維持パ
ルス印加時の放電セル内の電極群１９ａ上の放電空間の
実効的な電位が上昇するため、従来と同一の維持電圧波
形を用いているにもかかわらず、実質的には放電セルに
印加する電圧を上昇させた場合と同様の効果をもたらす
ため、放電遅れ時間が減少する。
の比誘電率がεr ＝１１程度であるのに対して、高誘電
率層の比誘電率がεr ＝１００〜３５０と一桁以上大き
いため壁電荷量が増加し、維持期間中の１番目の維持パ
ルス印加時の放電セル内の電極群１９ａ上の放電空間の
実効的な電位が上昇するため、従来と同一の維持電圧波
形を用いているにもかかわらず、実質的には放電セルに
印加する電圧を上昇させた場合と同様の効果をもたらす
ため、放電遅れ時間が減少する。
【００５２】この際のストライプ状の高誘電率層の短辺
の長さｗと電極１９ａの短辺の長さＷ２とが０．５Ｗ２
≦ｗ≦１．５Ｗ２の範囲で同様の結果が得られた。
の長さｗと電極１９ａの短辺の長さＷ２とが０．５Ｗ２
≦ｗ≦１．５Ｗ２の範囲で同様の結果が得られた。
【００５３】このことから明らかなように、本実施の形
態３によるＰＤＰは、高誘電率層を用いることによって
書き込み動作時の壁電荷量を増加させ、維持期間中の１
番目の維持パルス印加時の放電遅れを改善することによ
ってチラツキを無くし、高画質で優れたＰＤＰを実現で
きる。
態３によるＰＤＰは、高誘電率層を用いることによって
書き込み動作時の壁電荷量を増加させ、維持期間中の１
番目の維持パルス印加時の放電遅れを改善することによ
ってチラツキを無くし、高画質で優れたＰＤＰを実現で
きる。
【００５４】（実施の形態４）図７は、本発明の実施の
形態４に係るＰＤＰの構成を示す断面図である。実施の
形態１〜３との違いは、図７において、前面基板１１の
走査パルスを印加する方の電極群１９ａ上と背面基板１
２のデータ電極群１４上の双方に本発明に特有の高誘電
率層２０を設け、さらに、放電ガスとしてＨｅーＮｅー
ＸｅーＡｒの４元系混合ガスを従来より高い７６０〜４
０００Ｔｏｒｒで封入したことである。
形態４に係るＰＤＰの構成を示す断面図である。実施の
形態１〜３との違いは、図７において、前面基板１１の
走査パルスを印加する方の電極群１９ａ上と背面基板１
２のデータ電極群１４上の双方に本発明に特有の高誘電
率層２０を設け、さらに、放電ガスとしてＨｅーＮｅー
ＸｅーＡｒの４元系混合ガスを従来より高い７６０〜４
０００Ｔｏｒｒで封入したことである。
【００５５】従来と同様の構成のＰＤＰ（電極間距離ｄ
＝４０μｍ）において、Ｈｅ（５０％）−Ｎｅ（４８
％）−Ｘｅ（２％）、Ｈｅ（５０％）−Ｎｅ（４８％）
−Ｘｅ（２％）−Ａｒ(０.１％）、Ｈｅ（３０％）−Ｎ
ｅ（６８％）−Ｘｅ（２％）、Ｈｅ（３０％）−Ｎｅ
（６７．９％）−Ｘｅ（２％）−Ａｒ（０．１％）の各
種組成ガスを放電ガスに用いたＰＤＰを作成し、作成し
た各ＰＤＰにおいてＰｄ積と放電開始電圧との関係を調
べた。
＝４０μｍ）において、Ｈｅ（５０％）−Ｎｅ（４８
％）−Ｘｅ（２％）、Ｈｅ（５０％）−Ｎｅ（４８％）
−Ｘｅ（２％）−Ａｒ(０.１％）、Ｈｅ（３０％）−Ｎ
ｅ（６８％）−Ｘｅ（２％）、Ｈｅ（３０％）−Ｎｅ
（６７．９％）−Ｘｅ（２％）−Ａｒ（０．１％）の各
種組成ガスを放電ガスに用いたＰＤＰを作成し、作成し
た各ＰＤＰにおいてＰｄ積と放電開始電圧との関係を調
べた。
【００５６】図８はその結果を示すグラフである。ま
た、図８中のテーブルには、各組成ガスを用いたＰＤＰ
の輝度（放電電圧２５０Ｖ）を示した。
た、図８中のテーブルには、各組成ガスを用いたＰＤＰ
の輝度（放電電圧２５０Ｖ）を示した。
【００５７】特に、Ｈｅ（３０％）ーＮｅ（６７.９
％）ーＸｅ（２％）ーＡｒ（０.１％）のガスを用いれ
ば、輝度も比較的良好で、且つＰｄ積＝６（Ｔｏｒｒ・
ｃｍ）という条件（電極間距離ｄ＝６０μｍで、封入圧
力１０００Ｔｏｒｒ）下においても、放電開始電圧を実
用的に使用可能な放電開始電圧の領域（２２０Ｖ以下）
に入れることができることがわかる。
％）ーＸｅ（２％）ーＡｒ（０.１％）のガスを用いれ
ば、輝度も比較的良好で、且つＰｄ積＝６（Ｔｏｒｒ・
ｃｍ）という条件（電極間距離ｄ＝６０μｍで、封入圧
力１０００Ｔｏｒｒ）下においても、放電開始電圧を実
用的に使用可能な放電開始電圧の領域（２２０Ｖ以下）
に入れることができることがわかる。
【００５８】またこのガス組成では、放電開始電圧はＰ
ｄ積＝４付近において最小値を示しており、これより、
Ｐｄ積＝４（例えば、封入圧力が２０００Ｔｏｒｒの場
合、電極間距離ｄ＝２０μｍ）付近に設定するのが好ま
しいことがわかる。
ｄ積＝４付近において最小値を示しており、これより、
Ｐｄ積＝４（例えば、封入圧力が２０００Ｔｏｒｒの場
合、電極間距離ｄ＝２０μｍ）付近に設定するのが好ま
しいことがわかる。
【００５９】なお、これらの絶対値（特に放電開始電
圧）は、Ｘｅ量を変化させることで変わるが、相対関係
は、ほとんど変化しない。
圧）は、Ｘｅ量を変化させることで変わるが、相対関係
は、ほとんど変化しない。
【００６０】しかし、図１１の駆動波形を用いて実際に
画像表示を行う場合には、書き込み動作の際に前面板の
電極１９ａ、１９ｂの何れかと背面板の電極１４との間
で放電を行わなければならず、前面板の電極と背面板の
電極間の距離を２０μｍ程度まで短縮すると、背面板の
隔壁の内側に蛍光体層を塗布する従来のＰＤＰの放電セ
ル構造では、十分な放電空間が確保できないという大き
な課題を有していた。
画像表示を行う場合には、書き込み動作の際に前面板の
電極１９ａ、１９ｂの何れかと背面板の電極１４との間
で放電を行わなければならず、前面板の電極と背面板の
電極間の距離を２０μｍ程度まで短縮すると、背面板の
隔壁の内側に蛍光体層を塗布する従来のＰＤＰの放電セ
ル構造では、十分な放電空間が確保できないという大き
な課題を有していた。
【００６１】本実施の形態４においては、高誘電体層と
して比誘電率εr ＝３５０のＰＬｔ薄膜を用いた。ま
た、高誘電体層の幅は前面板の電極１９ａおよび背面板
のデータ電極１４それぞれの幅と同一とした。
して比誘電率εr ＝３５０のＰＬｔ薄膜を用いた。ま
た、高誘電体層の幅は前面板の電極１９ａおよび背面板
のデータ電極１４それぞれの幅と同一とした。
【００６２】（表３）に隔壁の高さ＝６０μｍ、封入圧
力２０００ｔｏｒｒでの従来の構成のＰＤＰと本実施の
形態４のＰＤＰを図１１の駆動波形を用いて実際に画像
表示を行った場合の輝度、効率および画質の評価結果を
示す。
力２０００ｔｏｒｒでの従来の構成のＰＤＰと本実施の
形態４のＰＤＰを図１１の駆動波形を用いて実際に画像
表示を行った場合の輝度、効率および画質の評価結果を
示す。
【００６３】
【表３】
【００６４】隔壁の高さおよび封入圧力が同一であるに
もかかわらず、従来の構成のＰＤＰにおいては、アドレ
ス不良が発生し、初期化パルスおよび書き込みパルス電
圧を上昇させてもほとんど画質は改善しなかった。これ
は、前面板と背面板の電極間距離が大きいために放電開
始電圧が上昇し、壁電荷量が十分に蓄積されないためで
ある。
もかかわらず、従来の構成のＰＤＰにおいては、アドレ
ス不良が発生し、初期化パルスおよび書き込みパルス電
圧を上昇させてもほとんど画質は改善しなかった。これ
は、前面板と背面板の電極間距離が大きいために放電開
始電圧が上昇し、壁電荷量が十分に蓄積されないためで
ある。
【００６５】一方、本実施の形態４のＰＤＰにおいて
は、アドレス不良は見られず良好な画像表示が可能であ
った。これは、書き込み動作の際に用いられる前面板の
電極群１９ａと背面板のデータ電極群１４の双方に高誘
電体層を用いることによって、書き込み放電時の壁電荷
量が増加し、さらに、高誘電体層の幅を各電極と同一と
することによって、放電空間の電界強度分布が集中した
為であると考えられる。また、効率は従来の構成で、Ｎ
ｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）混合ガスを５００ｔｏｒｒ
封入した場合の１．５倍程度高効率であった。
は、アドレス不良は見られず良好な画像表示が可能であ
った。これは、書き込み動作の際に用いられる前面板の
電極群１９ａと背面板のデータ電極群１４の双方に高誘
電体層を用いることによって、書き込み放電時の壁電荷
量が増加し、さらに、高誘電体層の幅を各電極と同一と
することによって、放電空間の電界強度分布が集中した
為であると考えられる。また、効率は従来の構成で、Ｎ
ｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）混合ガスを５００ｔｏｒｒ
封入した場合の１．５倍程度高効率であった。
【００６６】このように本実施の形態４のＰＤＰは、前
面板と背面板の電極双方に高誘電体層を用いることによ
って、放電ガスの封入圧力が高い条件下においてもアド
レス不良の無い高画質、高効率で優れたＰＤＰを実現で
きる。
面板と背面板の電極双方に高誘電体層を用いることによ
って、放電ガスの封入圧力が高い条件下においてもアド
レス不良の無い高画質、高効率で優れたＰＤＰを実現で
きる。
【００６７】尚、上記各実施の形態においては、高誘電
率層２０としてＡＢＯ3 型酸化物高誘電体薄膜を用いて
いるが、この構成に限定されるものではなく、高誘電率
層２０として主にＡＢＯ3 型酸化物高誘電体とガラスフ
リットの混合焼成物から成る厚膜高誘電体を用いても同
様の効果が得られることは言うまでもない。
率層２０としてＡＢＯ3 型酸化物高誘電体薄膜を用いて
いるが、この構成に限定されるものではなく、高誘電率
層２０として主にＡＢＯ3 型酸化物高誘電体とガラスフ
リットの混合焼成物から成る厚膜高誘電体を用いても同
様の効果が得られることは言うまでもない。
【００６８】また、上記各実施の形態においては、高誘
電率層２０としてεr＝１００とεr＝３５０の高誘電率
層を用いているが、この構成に限定されるものではな
く、高誘電率層２０としてεr ＝１００〜１０００の高
誘電率層を用いても同様の効果が得られることは言うま
でもない。
電率層２０としてεr＝１００とεr＝３５０の高誘電率
層を用いているが、この構成に限定されるものではな
く、高誘電率層２０としてεr ＝１００〜１０００の高
誘電率層を用いても同様の効果が得られることは言うま
でもない。
【００６９】
【発明の効果】以上のように本発明は、１対の基板間に
誘電体に覆われた複数の対向電極を設け、少なくとも一
方の基板上の電極上に高誘電率層を設けることにより、
放電開始電圧が低下し、壁電荷量が増加し、駆動電圧の
低下と駆動時の電圧マージンの増加および誤放電による
クロストークの抑制を実現し、非常に高画質で高効率の
ＰＤＰを実現するという顕著な効果が得られる。
誘電体に覆われた複数の対向電極を設け、少なくとも一
方の基板上の電極上に高誘電率層を設けることにより、
放電開始電圧が低下し、壁電荷量が増加し、駆動電圧の
低下と駆動時の電圧マージンの増加および誤放電による
クロストークの抑制を実現し、非常に高画質で高効率の
ＰＤＰを実現するという顕著な効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるプラズマディス
プレイパネルの構成図
プレイパネルの構成図
【図２】従来の構成のＰＤＰの誘電体膜厚と放電開始電
圧Ｖｆのプロットを示す図
圧Ｖｆのプロットを示す図
【図３】本発明の実施の形態２におけるプラズマディス
プレイパネルの構成図
プレイパネルの構成図
【図４】従来の構成のＰＤＰの放電セルピッチＰと単色
表示と白色表示とのデータ電圧差△Ｖdの関係を示す図
表示と白色表示とのデータ電圧差△Ｖdの関係を示す図
【図５】本実施の形態２による構成のＰＤＰの放電セル
ピッチＰと単色表示と白色表示とのデータ電圧差△Ｖd
の関係を示す図
ピッチＰと単色表示と白色表示とのデータ電圧差△Ｖd
の関係を示す図
【図６】本発明の実施の形態３におけるプラズマディス
プレイパネルの構成図
プレイパネルの構成図
【図７】本発明の実施の形態４におけるプラズマディス
プレイパネルの構成図
プレイパネルの構成図
【図８】種々の放電ガス組成におけるＰｄ積と放電開始
電圧との関係を示す図
電圧との関係を示す図
【図９】従来のプラズマディスプレイパネルの概略図
【図１０】従来のプラズマディスプレイパネルの電極マ
トリックス図
トリックス図
【図１１】従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方
法のタイミングチャート
法のタイミングチャート
１１ 前面基板 １２ 背面基板 １３ 絶縁体層 １４ データ電極群 １５ 隔壁 １６ 蛍光体 １７ 誘電体ガラス層 １８ 保護膜 １９ａ 電極群 １９ｂ 電極群 ２０ 高誘電率層
Claims (10)
- 【請求項１】平行な１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け放電ガスを封入し気体放電によって
画像を表示するプラズマディスプレイパネルであって、
少なくとも一方の基板上の電極上に比誘電率εr が１０
０以上２０００以下の値を有する高誘電率層を有するこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】平行な１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け放電ガスを封入し気体放電によって
画像を表示するプラズマディスプレイパネルであって、
駆動時に放電セルを選択する電圧信号を印加する電極上
に比誘電率εrが１００以上２０００以下の値を有する
高誘電率層を有することを特徴とするプラズマディスプ
レイパネル。 - 【請求項３】平行な１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け放電ガスを封入し気体放電によって
画像を表示するプラズマディスプレイパネルであって、
駆動時に発光を維持する為の電圧を印加する電極上に比
誘電率εr が１００以上２０００以下の値を有する高誘
電率層を有することを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項４】平行な１対の基板間に誘電体に覆われた複
数のストライプ状の対向電極を設け放電ガスを封入し気
体放電によって画像を表示するプラズマディスプレイパ
ネルであって、少なくとも一方の基板上の電極上に比誘
電率εr が１００以上２０００以下の値を有するストラ
イプ状の高誘電率層を有することを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】ストライプ状の電極の短辺の長さＷとスト
ライプ状の高誘電率層の短辺の長さｗが０．５Ｗ≦ｗ≦
１．５Ｗの範囲であることを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】高誘電率層が、鉛、バリウム、ストロンチ
ウム、ランタンからなるＡ群の内の少なくともいずれか
１つと、チタン、ジルコニウム、マンガン、ニオブ、タ
ンタルからなるＢ群の内の少なくともいずれか１つを主
成分とするＡＢＯ3 型酸化物高誘電体から成ることを特
徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項７】高誘電率層が、鉛、バリウム、ストロンチ
ウム、ランタンからなるＡ群の内の少なくともいずれか
１つと、チタン、ジルコニウム、マンガン、ニオブ、タ
ンタルからなるＢ群の内の少なくともいずれか１つを主
成分とするＡＢＯ3 型酸化物高誘電体とガラスの混合物
から成ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記
載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項８】平行な１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け、放電ガスを封入し、少なくとも一
方の基板上の電極上に比誘電率εr が１００以上２００
０以下の値を有する高誘電率層を有するプラズマディス
プレイパネルであって、前記放電ガスの封入圧力が、７
６０〜４０００Ｔｏｒｒであることを特徴とするプラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項９】平行な１対の基板間に誘電体に覆われた複
数の対向電極を設け、放電ガスを封入し、少なくとも一
方の基板上の電極上に比誘電率εr が１００以上２００
０以下の値を有する高誘電率層を備えたプラズマディス
プレイパネルであって、前記放電ガスが、ヘリウム，ネ
オン，キセノン，アルゴンを含む希ガスの混合物である
ことを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項１０】放電ガスとして、キセノンが５体積％以
下、アルゴンが０．５体積％以下、ヘリウムが５５体積
％未満含有されていることを特徴とする請求項８または
９記載のプラズマディスプレイパネル。
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|---|---|---|---|
| JP28490498A JP3460596B2 (ja) | 1997-10-13 | 1998-10-07 | プラズマディスプレイパネル |
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|---|---|---|---|
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| JP27839097 | 1997-10-13 | ||
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352195B1 (ko) * | 2000-03-09 | 2002-09-12 | 학교법인 인하학원 | 강유전체 박막을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널과강유전체 박막 증착방법 |
| WO2006075705A1 (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2007287548A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
-
1998
- 1998-10-07 JP JP28490498A patent/JP3460596B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352195B1 (ko) * | 2000-03-09 | 2002-09-12 | 학교법인 인하학원 | 강유전체 박막을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널과강유전체 박막 증착방법 |
| WO2006075705A1 (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JPWO2006075705A1 (ja) * | 2005-01-13 | 2008-06-12 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US7804247B2 (en) | 2005-01-13 | 2010-09-28 | Panasonic Corporation | Plasma display panel with panel member including recessed portion |
| JP2007287548A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3460596B2 (ja) | 2003-10-27 |
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