KR100743489B1 - 가스 방전 패널용 기판 구조체, 그 제조 방법 및 ａｃ형 가스 방전 패널 - Google Patents

가스 방전 패널용 기판 구조체, 그 제조 방법 및 ａｃ형 가스 방전 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR100743489B1
KR100743489B1 KR1020030054023A KR20030054023A KR100743489B1 KR 100743489 B1 KR100743489 B1 KR 100743489B1 KR 1020030054023 A KR1020030054023 A KR 1020030054023A KR 20030054023 A KR20030054023 A KR 20030054023A KR 100743489 B1 KR100743489 B1 KR 100743489B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas discharge
layer
dielectric layer
discharge panel
compound
Prior art date
Application number
KR1020030054023A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040014276A (ko
Inventor
이노우에가즈노리
가사하라시게오
사끼따고오이찌
도요다오사무
하세가와미노루
하라다히데끼
베쯔이게이이찌
Original Assignee
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼, 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 filed Critical 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Publication of KR20040014276A publication Critical patent/KR20040014276A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100743489B1 publication Critical patent/KR100743489B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems

Abstract

본 발명은 유전체층에 자외선이 조사됨으로써 생기는 가스에 의해, 형광체나 보호층이 열화하는 것을 방지하는 것을 과제로 한다.
기판 상에 전극과, 전극을 피복하는 유전체층과, 유전체층을 피복하여 방전 공간에 접촉하는 보호층을 구비한 가스 방전 패널용 기판 구조체에 있어서, 보호층 또는 보호층과 유전체층 사이에 설치한 중간층에 자외선 차폐 기능을 갖게 함으로써 상기 과제를 해결한다.
유전체층, 보호층, 가스 방전 패널용 기판 구조체, 형광체, 격벽, 진공 자외선

Description

가스 방전 패널용 기판 구조체, 그 제조 방법 및 ＡＣ형 가스 방전 패널{Gas Discharge Panel Substrate Assembly, Production Method Therefor and AC Type Gas Discharge Panel}
도1은 본 발명의 가스 방전 패널용 기판 구조체의 개략 공정 단면도.
도2는 본 발명의 가스 방전 패널용 기판 구조체의 개략 공정 단면도.
도3은 본 발명의 가스 방전 패널의 개략 단면도.
도4는 본 발명의 가스 방전 패널의 개략 단면도.
도5는 종래 PDP의 개략 사시도.
도6은 가스 방전 패널의 방전시의 모습을 도시한 개략도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 전방면 유리 기판
2 : 배면 유리 기판
3 : 표시 전극
31 : 투명 전극
32 : 버스 전극
4 : 유전체층
5 : 보호층
6 : 어드레스 전극
7 : 격벽
8 : 형광체
9 : 가스 방전
10 : 진공 자외선
11 : 가시광
12 : 자외선 차폐 기능을 갖는 보호층
13 : 중간층
X와 Y : 2개 1세트로 이루어지는 표시 전극
본 발명은, 가스 방전 패널용 기판 구조체, 그 제조 방법 및 AC형 가스 방전 패널에 관한 것이다.
가스 방전 패널로서 다양한 양식의 패널이 보고되어 있지만, 그 중 3전극 면방전 구조의 AC형 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)이 상품화되어 있다.
도5에 상품화되어 있는 PDP의 개략적 구조 사시도를 도시한다. PDP는 전방면 유리 기판(1)과 배면 유리 기판(2)을 부착한 구조를 하고 있다. 전방면 유리 기판(1)에는 투명 전극(31)과 버스 전극(32)으로 이루어지는 표시 전극(3)이 배치되고, 표시 전극(3)은 유전체층(4)으로 씌워져 있다. 유전체층(4) 위에 다시 2차 전자 방출 계수가 높은 MgO층으로 이루어지는 보호층(5)이 형성되어 있다. 배면 유리 기판(2)에는 표시 전극과 직교하도록 어드레스 전극(6)이 배치되어 있다. 어드레스 전극(6) 사이에는 발광 영역을 규정하기 위해 격벽(7)이 설치되고, 어드레스 전극(6) 상의 격벽(7)으로 구분된 영역에는 적색, 녹색, 청색의 형광체(8)가 도포되어 구분되있다. 서로 부착된 전방면 유리 기판(1)과 배면 유리 기판(2)의 내부에는 Ne － Xe 가스가 봉입되어 있다.
도6에 단면으로부터 본 방전 셀의 방전시의 상태를 도시한다. X와 Y의 2개 1세트로 이루어지는 표시 전극(3) 사이에 전압을 인가하여 방전 공간에 전계를 부여하면 Xe가 여기되어 가스 방전(9)을 일으키고, 그곳으로부터 진공 자외선(10)이 방출된다. 진공 자외선(10)은 형광체(8)에 닿아 가시광(11)을 낸다. 셀 내부의 전계에서 진공 자외선(10)을 제어함으로써 디스플레이로서 동작한다. 이 때 진공 자외선(10)은 형광체(8)뿐만 아니라 전방면 유리 기판(1)에도 조사된다. 전방면 유리 기판(1) 상에는 방전면으로부터 차례로 보호층(MgO층)(5)과 유전체층(4)이 형성되어 있지만, MgO은 진공 자외선(10)의 일부 파장(165 ㎚ 이상)을 투과하므로 진공 자외선(10)의 일부는 유전체층(4)까지 도달하고 있다. 도6 중, 참조 번호 2와 6은 도5와 동일하다.
PDP의 유전체층의 형성 방법으로서는, 일반적으로 프릿(frit) 유리를 분산시켜 형성하는 방법이 알려져 있다. 분산 전의 프릿 유리는, 일반적으로 에틸셀룰로오스 수지를 주체로 한 비이클에 유리 성분을 분산시켜 페이스트화한 것이다. 이 프릿 유리를 인쇄에 의해 기판에 도포하고 소성함으로써 수지 성분은 번아웃하고, 그 결과, 유리 성분을 주체로 하는 유전체층이 형성된다. 또한, 최근 대량 생산에 적합한 유전체층의 형성 방법으로서, 프릿 유리를 아크릴 수지 등에 분산시켜 시트화한 것을 부착 소성하여 형성하는 방법이나, CVD법 등의 기상 성막에 의한 방법도 제안되어 있다.
본 발명의 발명자들은 유전체층의 형성 방법과 PDP의 색도와의 관계에 대해 검토하였다. 그 결과, 유전체층을 시트화에 의한 방법이나 PECVD(Plasma Enhanced CVD)법과 같은 기상 성막법에 의해 형성된 경우에는 색도 이상이 일어나는 것을 알 수 있었다. 구체적으로는, 유전체층을 표 1에 나타낸 형성 조건으로 각각 형성하고, 그 후, MgO층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하여 통상 공정에서 PDP를 형성하여 PDP의 표시 품질 시험을 행하였다.
프릿 페이스트 시트 프릿 PECVD － SiO2
유리 기판 상에 전극 형성 후, 프릿 유리에 에틸셀룰로오스계 바인더를 첨가하여 페이스트형으로 가공한 것을 인쇄하고, 컨베이어형 소성로에서 350 ℃ 120분 소성 후 600 ℃ 30분 소성에 의해 30 ㎛의 유전체층을 형성하였다. 유리 기판 상에 전극 형성 후, 프릿 유리에 아크릴계 바인더를 첨가하여 시트형으로 가공한 것을 부착하고, 컨베이어형 소성로에서 350 ℃ 240분 소성 후 600 ℃ 60분 소성에 의해 30 ㎛의 유전체층을 형성하였다. 유리 기판 상에 전극 형성 후, 평행 평판형 PECVD 장치에 있어서 SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하였다.

프릿 페이스트를 이용한 유전체층 형성 조건에서의 PDP의 백색 색도 좌표는 CIE 표색계에서 (0.300, 0.300)이지만, 시트 프릿을 이용한 경우는 (0.310, 0.285), PECVD － SiO2에 있어서도 (0.320, 0.280)이 되어 모두 적색을 띠는 백색이 되었다. 이러한 색도의 이상은 발명자들이 검토한 결과, 녹색의 형광체가 열화되어 색도 좌표가 어긋났기 때문에 일어나고 있다는 것을 알 수 있었다.
즉, 표시 시험 중에 일어난 방전에 의해 시트 프릿에 의해 형성 또는 PECVD로 형성된 유전체층으로부터 가스 방출이 일어나 그 가스가 형광체를 열화시킨다고 추측된다.
가스원으로서는, 시트 프릿에 의해 형성된 유전체층에서는 형성 전의 시트층에 유기 성분이 많이 포함되어 있으므로, 소성시에 완전히 번아웃되지 않고 층 속에 잔류하는 탄화수소 결합을 갖는 물질을 생각할 수 있다. 또한, PECVD법에서는, 성막시에 완전히 분해되지 않고 일부 미반응 상태로 층 속에 잔류하는 SiH4 가스 또는 Si(OC2H5)4 등의 규소 및/또는 탄소와 수소의 결합을 갖는 물질을 생각할 수 있다. 그리고, 이들 물질이 방전에 의해 발생한 자외선에 의해 분해되어 탄화수소 혹은 수소 가스를 방출하고, 그들의 가스가 MgO층 속을 빠져 나가 방전 공간 속으로 방출되어 형광체를 열화시키고 있다고 생각된다. 또한, 이들 가스는 방전에 의해 활성화되어 환원성을 가지므로, 보호층(MgO층)도 환원한다고 생각된다. 환원된 보호층은 착색되므로 투과율이 악화된다. 이들 결과에 의해 패널 표시 속에 휘도가 열화되어 색도가 변동한다고 생각할 수 있다.
본 발명은 이러한 점에 주목하여 형광체 열화 현상이 발생하지 않은 가스 방전 패널용 기판 구조체, 가스 방전 패널 및 그 제조 방법을 제안하는 것이다.
이리하여 본 발명에 따르면, 기판 상에 전극과, 전극을 피복하는 유전체층과, 유전체층을 피복하여 방전 공간에 접촉하는 보호층을 구비하고, 보호층이 MgO과, Al 화합물, Ti 화합물, Y 화합물, Zn 화합물, Zr 화합물, Ta 화합물 및 SiC로부터 적어도 하나 선택되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 제1 가스 방전 패널용 기판 구조체가 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판 상에 전극과, 전극을 피복하는 유전체층과, 유전체층을 피복하는 중간층과, 중간층을 피복하여 방전 공간에 접촉하는 보호층을 구비하고, 보호층이 MgO을 포함하고, 중간층이 Al 화합물, Ti 화합물, Y 화합물, Zn 화합물, Zr 화합물, Ta 화합물 및 SiC로부터 적어도 1개 선택되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체가 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 제1과 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체의 유전체층을 CVD법, 플라즈마 CVD법으로 형성하거나, 또는 시트형의 프릿 유리를 기판 상에 부착하여 소성하는 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체의 중간층을 진공 증착법, CVD법, 플라즈마 CVD법, 졸겔법 또는 바인더법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체의 중간층과 유전체층을 CVD법 또는 플라즈마 CVD법으로 연속적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체의 중간층과 보호층을 진공 증착법으로 연속적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 제1 또는 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체를 전방면측의 가스 방전 패널용 기판 구조체로서 이용한 AC형 가스 방전 패널이 제공된다.
본 발명은, 구체적으로는 보호층에 자외선 차폐 기능을 갖게 하거나(제1 가스 방전 패널용 기판 구조체), 유전체층과 보호층 사이에 자외선 차폐 기능을 갖는 중간층을 삽입하는 것(제2 가스 방전 패널용 기판 구조체)을 특징 중 하나로 하고 있다. 자외선 차폐 기능이라 함은, 주로 200 ㎚ 이하의 자외광을 차폐할 수 있는 기능을 의미한다.
우선, 제1 가스 방전 패널용 기판 구조체에 있어서, 유전체층을 피복하여 방전 공간에 접촉하는 보호층은 방전 전계로부터 유전체층을 보호하기 위한 MgO과, 자외선 차폐 기능을 갖는 Al 화합물, Ti 화합물, Y 화합물, Zn 화합물, Zr 화합물, Ta 화합물 및 SiC로부터 적어도 하나 선택되는 화합물로 이루어진다.
Al 화합물로서는 알루미나, 질화알루미늄 등을 예로 들 수 있고, Ti 화합물로서는 티타니아, 질화티탄 등을 예로 들 수 있고, Y 화합물로서는 산화이트륨, 질화이트륨 등을 예로 들 수 있고, Zn 화합물로서는 산화아연, 질화아연, 황화아연 등을 예로 들 수 있고, Zr 화합물로서는 산화지르코늄, 질화지르코늄 등을 예로 들 수 있고, Ta 화합물로서는 산화탄탈 등을 예로 들 수 있다.
자외선 차폐 기능을 갖는 화합물은 Al2O3(알루미나), AlN, TiO2(티타니아), Y2O3(산화이트륨), ZnO(산화아연), ZrO2(산화지르코늄), Ta2O 5(산화탄탈), SiC로부터 선택하는 것이 보다 바람직하다. 이하의 표 2에 이들 화합물의 밴드 갭을 나타낸다.
밴드 갭(eV)
MgO 8
Al2O3 7.4
AlN 3.8
TiO2 3.0
Y2O3 2.43
ZnO 3.2
ZnS 3.7
ZrO2 5.16
Ta2O5 4.2
SiC 3

상기 화합물 중, 밴드 갭이 6.2 eV 이하인 화합물이 진공 자외선(VUV)을 차폐하는 효과를 발휘하므로 바람직하다.
MgO과, 자외선 차폐 기능을 갖는 화합물과의 혼합 비율은 사용하는 화합물 종류에 따라서도 다르지만, 95 내지 85 : 5 내지 15(중량비)인 것이 바람직하다. 자외선 차폐 기능을 갖는 화합물의 비율이 5보다 적은 경우, 차폐 효과가 적어지므로 바람직하지 않고, 15보다 많은 경우, 2차 전자 방출비가 저하되므로 바람직하지 않다.
보호층의 두께는 소정의 기능을 발휘하는 한 특별히 한정되지 않고, 0.5 내지 1.5 ㎛의 범위인 것이 바람직하다.
보호층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 상기 분야에서 공지된 방법을 모두 사용할 수 있다. 예를 들어, CVD법, 스퍼터법, 진공 또는 상압의 증착법 등을 예로 들 수 있고, 이들 방법 중 진공 증착법이 바람직하다.
CVD법은, 보호층을 구성하는 화합물의 원료 가스(예를 들어, 염화물)를 가열함으로써 분해하여 원하는 화합물을 기판 상에 퇴적시키는 방법이다.
스퍼터법은, 보호층을 구성하는 화합물을 불활성 가스로 스퍼터함으로써 원하는 화합물을 기판 상에 퇴적시키는 방법이다.
증착법은, 보호층을 구성하는 화합물을 전자빔 등의 가열 수단에 의해 가열하여 증발시켜, 원하는 화합물을 기판 상에 퇴적시키는 방법이다.
한편, 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체에 있어서, 유전체층과 보호층 사이에 위치하는 중간층은 자외선 차폐 기능을 갖는 Al 화합물, Ti 화합물, Y 화합물, Zn 화합물, Zr 화합물, Ta 화합물 및 SiC로부터 적어도 하나 선택되는 화합물로 이루어진다. 이들 화합물의 구체적인 예는 상기 제1 가스 방전 패널용 기판 구조체와 동일한 화합물을 들 수 있다. 또한, 제1 방전 패널용 기판 구조체와 마찬가지로, 밴드 갭이 6.2 eV 이하인 화합물이 바람직하다.
중간층의 두께는 소정의 기능을 발휘하는 한 특별히 한정되지 않고, 0.1 내지 1 ㎛의 범위인 것이 바람직하다.
중간층의 형성 방법으로서는 진공 증착법, CVD법, 플라즈마 CVD법, 졸겔법, 바인더법 등을 예로 들 수 있다.
진공 증착법은, 중간층을 구성하는 화합물을 10-3 내지 10-8 Torr의 진공 하에서 전자빔 등의 가열 수단에 의해 가열하여 증발시켜 원하는 화합물을 기판 상에 퇴적시키는 방법이다.
CVD법은, 중간층을 구성하는 화합물의 원료 가스(예를 들어, 염화물)를 가열함으로써 분해하여 원하는 화합물을 기판 상에 퇴적시키는 방법이다.
플라즈마 CVD법은, 중간층을 구성하는 화합물의 원료 가스(예를 들어, 염화물)를 플라즈마에 의해 분해하여 원하는 화합물을 기판 상에 퇴적시키는 방법이다.
졸겔법은, 중간층을 구성하는 화합물의 지방산염 또는 알콕시드를 포함하는 용액을 기판 상에 도포하여 도포막을 소성함으로써 중간층을 형성하는 방법이다.
바인더법은, 중간층을 구성하는 화합물을 포함하는 용액 또는 분산액을 기판 상에 도포하여 도포막을 소성함으로써 중간층을 형성하는 방법이다.
또, 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체에 있어서, 중간층 상에 형성되어 방전 공간과 접촉하는 보호층은 MgO이 적절하게 사용되고, 그 두께는 0.5 내지 1.5 ㎛의 범위인 것이 바람직하다. 보호층의 형성 방법은 제1 가스 방전 패널용 기판 구조체와 같은 방법을 사용할 수 있다.
또한, 보호층에 자외선 차폐 기능을 갖게 함으로써, 중간층에 자외선 차폐 기능을 갖게 하는 구성과 비교하여 제조 공정수를 줄일 수 있고, 그 결과 택트 향상 및 비용을 저감할 수 있다.
상기 보호층 및 중간층 이외의 가스 방전 패널용 기판 구조체의 구성 부재는 제1 및 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체에 있어서 동일한 부재를 사용할 수 있다.
기판으로서는 특별히 한정되지 않고, 해당 분야에서 공지되어진 기판을 모두 사용할 수 있다. 구체적으로는 유리 기판, 플라스틱 기판 등의 투명 기판을 들 수 있다.
기판 상에 형성되는 전극으로서는 특별히 한정되지 않고, 해당 분야에서 공지되어진 전극을 모두 사용할 수 있다. 구체적으로는, ITO, NESA 등으로 이루어지는 투명 전극을 예로 들 수 있다. 또한, 투명 전극 상에, 투명 전극의 저항을 낮추기 위한 Cr, Cu 또는 그들의 적층체 등으로 이루어지는 금속 전극을 설치해도 좋다. 전극의 구성으로서는, 가스 방전 패널의 종류에 따라서 다르지만, 통상 스트라이프형으로 기판 상에 설치된다.
다음에, 전극을 피복하는 유전체층으로서는 특별히 한정되지 않고, 해당 분야에서 공지되어진 유전체를 모두 사용할 수 있다. 구체적으로는, 저융점 유리, SiO2 등으로 이루어지는 층을 예로 들 수 있다.
전자의 저융점 유리는 프릿 페이스트 또는 시트 프릿을 이용하여 형성할 수 있다. 프릿 페이스트는, 예를 들어 저융점 유리(프릿 유리)에 에틸 셀룰로오스계 바인더와 임의의 용매를 첨가함으로써 얻을 수 있다. 이 프릿 페이스트는 소정의 위치에 인쇄법 등에 의해 도포되어 소성함으로써 유전체층이 된다. 시트 프릿은, 예를 들어 프릿 유리에 아크릴계 바인더를 첨가하여 시트형으로 함으로써 얻을 수 있다. 이 시트 프릿은 기판 상에 부착한 후, 소성함으로써 유전체층이 된다. 저 융점 유리로 이루어지는 유전체층은 통상 15 내지 35 ㎛의 두께를 갖고 있다.
후자의 SiO2는 CVD법, PECVD법 등에 의해 형성할 수 있다. 구체적으로는, PECVD법의 경우, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 SiH4, Si2H6 등의 실란계 가스 또는 테트라오르소에틸실리케이트(TEOS) 등의 규소 함유 화합물을 RF 출력 1 내지 2 ㎾, 온도 300 내지 400 ℃, 압력 1 내지 3 Torr의 조건 하에서의 플라즈마에 의해 분해함으로써 형성할 수 있다. 또한, 상압 CVD법으로 형성해도 좋다. SiO2로 이루어지는 유전체층은 통상 5 내지 15 ㎛의 두께를 갖고 있다.
상기 유전체층의 형성 방법 중, 하기 이유 및 제조의 용이성으로부터 시트 프릿을 이용하여 형성하는 방법 및 CVD법, PECVD법 등의 기상법에 의해 형성하는 방법이 바람직하다.
상기 유전체층 중, 시트 프릿에 의해 형성된 유전체층에서는 형성 전의 시트층에 유기 성분이 많이 포함되어 있으므로, 소성시에 완전히 번아웃되지 않고 층 속에 잔류하는 탄화수소 결합을 갖는 물질이 존재한다고 생각된다. 또한, 기상법에서는 성막시에 완전히 분해되지 않고 일부 미반응 상태로 층 속에 잔류하는 SiH4 가스 또는 Si(OC2H5)4 등의 규소 및/또는 탄소와 수소의 결합을 갖는 물질이 존재한다고 생각된다. 그리고, 이들 물질이 방전에 의해 발생한 자외선에 의해 분해되어 탄화수소 혹은 수소 가스를 방출하고, 그들의 가스가 MgO층 속을 빠져 나가 방전 공간 속으로 방출되어 형광체를 열화시키고 있다고 생각된다. 또한, 이들 가스는 방전에 의해 활성화되어 환원성을 가지므로, 보호층(MgO층)도 환원된다고 생각된다. 환원된 보호층은, 착색되므로 투과율이 악화된다. 이들 결과에 의해 패널 표시 속에 휘도가 열화되어 색도가 변동한다고 생각된다. 본 발명에 있어서, 제1 가스 방전 패널용 기판 구조체의 보호층 및 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체의 중간층은 자외선 차폐 기능을 갖고 있다. 그로 인해, 방전 공간으로부터 생기는 자외선이 유전체층에 도달하는 것을 방지할 수 있으므로, 탄화수소 혹은 수소 가스의 발생을 방지할 수 있다.
또, 프릿 페이스트를 이용한 경우라도 프릿 시트 정도는 아니지만, 유전체층에 탄화수소 결합을 갖는 물질이 존재한다고 생각되므로, 본 발명의 구성은 유용하다.
상기 보호층, 중간층 및 유전체층의 형성에 있어서, 중간층과 유전체층을 CVD법 또는 플라즈마 CVD법으로 연속적으로 형성해도 좋고, 중간층과 보호층을 진공 증착법으로 연속적으로 형성해도 좋다. 연속으로 형성함으로써, 제조 시간의 단축과 각 층으로의 불순물의 혼입을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 제1 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법의 일예를 도1의 (a) 내지 (d)를 이용하여 설명한다. 도1의 (a) 내지 (d)는 기판측의 표시 전극(투명 전극, 버스 전극) 형성으로부터 보호층 형성까지의 공정을 나타낸 개략 단면도이다.
우선, 유리 기판 상에 투명 전극(31)이 형성되고[도1의 (a)], 계속해서 버스 전극(예를 들어, Cr/Cu/Cr의 3층 구조)(32)이 형성되고[도1의 (b)], 이에 의해 표 시 전극(유지 전극이라고도 함)(3)이 형성된다. 투명 전극 및 버스 전극은 공지되어진 방법에 의해 형성할 수 있다.
다음에, 상기 표시 전극(3)을 피복하는 유전체층(4)이 형성된다[도1의 (c)]. 형성 방법은 프릿 유리를 포함하는 프릿 페이스트 또는 시트 프릿을 사용하는 방법과 CVD법 등의 기상 성막법이 있다.
그리고 마지막으로 자외선 차폐 기능을 갖는 보호층(12)을 형성한다[도1의 (d)]. 보호층(12)의 형성 방법으로서는 CVD법, 진공 또는 상압의 증착법, 스퍼터법 등의 기상 성막법을 이용할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법의 일예를 도2의 (a) 내지 (e)를 이용하여 설명한다. 도2의 (a) 내지 (e)는 기판측의 표시 전극(투명 전극, 버스 전극) 형성으로부터 보호층 형성까지의 공정을 나타낸 개략 단면도이다.
우선, 유리 기판 상에 투명 전극(31)이 형성되고[도2의 (a)], 계속해서 버스 전극(32)이 형성되고[도2의 (b)], 이에 의해 표시 전극(유지 전극이라고도 함)(3)이 형성된다. 투명 전극 및 버스 전극은 공지의 방법에 의해 형성할 수 있다.
다음에, 상기 표시 전극(3)을 피복하는 유전체층(4)이 형성된다[도2의 (c)]. 형성 방법은 프릿 유리를 포함하는 프릿 페이스트 또는 시트 프릿을 사용하는 방법과 CVD법 등의 기상 성막법이 있다.
계속해서, 자외선 차폐 기능을 갖는 중간층(13)을 형성한다[도2의 (d)]. 형성 방법으로서는 진공 증착법, CVD법, 졸겔법 혹은 바인더법을 이용할 수 있다.
그리고 마지막으로 보호층(5)을 형성한다[도2의 (e)]. 보호층(5)의 형성 방법으로서는 증착, 스퍼터법 등의 기상 성막법을 이용하는 방법이 일반적이다.
이하, 본 발명의 가스 방전 패널용 기판 구조체를 전방면측에 이용한 경우의 가스 방전 패널(PDP)의 구성을 도3 및 4를 이용하여 설명한다.
도3 및 도4의 PDP는 3전극 AC형 면방전 PDP이다. 이 PDP는 서브 픽셀(방전 셀)이 스트라이프형의 격벽에 의해 형성된 경우를 예시하고 있다. 도3의 PDP는 제1 가스 방전 패널용 기판 구조체를, 도4의 PDP는 제2 가스 방전 패널용 기판 구조체를 사용한 PDP이다.
도3의 PDP는 전방면 기판과 배면 기판으로 구성된다.
우선, 전방면 기판에는 상기 도1의 공정에 의해 얻게 된 제1 가스 방전 패널용 기판 구조체가 그대로 사용된다.
다음에, 배면 기판은, 일반적으로 배면 유리 기판(2) 상에 형성된 복수개의 스트라이프형의 어드레스 전극(6), 인접하는 어드레스 전극(6) 사이에서 배면 유리 기판(2) 상에 형성된 복수개의 스트라이프형의 격벽(7), 격벽(7) 사이에 벽면을 포함하여 형성된 형광체(8)로 이루어진다. 도3에서는, 형광체(8)는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체로 이루어진다.
또한, 배면 유리 기판(2) 상에 어드레스 전극(6)을 피복하도록 유전체층을 형성하고, 유전체층 상에 격벽(7)을 형성해도 좋다. 이 유전체층은 전방면 기판측의 유전체층과 동일하게 하여 형성할 수 있다.
도4의 PDP는 도3의 PDP와 같이 자외선 차폐 기능을 보호층에 부여시키는 것 은 아니고, 보호층과 유전체층 사이에 자외선 차폐 기능을 갖는 중간층을 형성하는 것을 특징 중 하나로 하고 있다. 이 구성 이외는 도3의 PDP와 동일하다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 성막 조건, 층 두께, 재료 등은 이들에 한정되지 않는다.
제1 실시예(유전체층 : PECVD － SiO2 ＋ 자외선 차폐 기능을 갖는 보호층 : 전자빔 증착 － MgO과, ZrO2, 알루미나, 티타니아, Y2O3, ZnS, Ta2 O5 또는 SiC의 동시 증착)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로, SiO2로 이루어지는 유전체층을 5 ㎛ 성막하였다. 다음에, ZrO2 및 MgO을 전자빔 증착으로 동시에 증착함으로써, 두께 1.0 ㎛의 보호층을 얻었다. 그 후, 통상 공정에서 하기에 나타낸 명세서의 PDP를 형성하여 PDP의 표시 품질 시험을 행하였다.
(PDP의 명세서)
화면 사이즈 : 42인치
픽셀(화소) 수 : 852 × 480(VGA)
서브 픽셀 수 : 2556 × 480
서브 픽셀 사이즈 : 1080 ㎛ × 390 ㎛
전방면 기판의 재질 : 소다 석회 유리
전방면 기판의 두께 : 3 ㎜
투명 전극의 폭 : 275 ㎛
버스 전극의 폭 : 100 ㎛
면방전 갭 : 100 ㎛
투명 전극 사이의 차광층의 폭 : 350 ㎛
격벽의 폭 : 70 ㎛
격벽의 높이 : 140 ㎛
격벽 피치 : 360 ㎛
형광체의 종류 : PDP 표준 RGB 형광체, 적색(Y, Gd) BO3 : Eu,
녹색 Zn2SiO4 : Mn, 청색 BaMgAl10017 : Eu
구동 조건 : 180 V에서, 25 ㎑
(표시 품질 시험)
부하율 10 ％의 백색 표시를 토프콘사제 휘도계 BM7로 측정하였다.
시험의 결과, CIE 표색계에서의 색도 좌표는 (0.300, 0.301)이 되어 색도 이상은 억제되었다.
또한, ZrO2를 알루미나, 티타니아, Y2O3, ZnS, Ta2O5, SiC로 바꾸는 것 이외는 상기와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하였다. 이렇게 얻게 된 PDP의 색도는 각각 (0.301, 0.298), (0.301, 0.298), (0.303, 0.298), (0.302, 0.298), (0.300, 0.300), (0.302, 0.298)이 되어 열화가 억제되었다.
제2 실시예(유전체층 : PECVD － SiO2 ＋ 중간층 : 전자빔 증착 － ZrO2, 알루미나, 티타니아, Y2O3, ZnS, Ta2O5, SiC)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하였다. 계속해서, ZrO2층으로 이루어지는 중간층을 전자빔 증착으로 0.3 ㎛의 두께로 성막하였다. 그리고 계속해서 MgO층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험의 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.302)가 되어 색도 이상은 억제되었다.
또한, 중간층을 알루미나, 티타니아, Y2O3, ZnS, Ta2O5, SiC로 바꾸는 것 이외는 상기와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하였다. 이렇게 얻게 된 PDP의 색도는 각각 (0.302, 0.299), (0.302, 0.299), (0.301, 0.298), (0.301, 0299), (0.300, 0.300), (0.301, 0.299)가 되어 열화가 억제되었다.
제3 실시예(유도체층 : PECVD － SiO2 ＋ 중간층 : 티타니아바인더법 － TiO2)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈 마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하였다. 계속해서, 평균 입경 0.5 ㎛의 티타니아 분체를 에틸셀룰로오스 5 중량 ％와 텔피네올 95 중량 ％로 이루어지는 바인더로 분산시켜 인쇄법에 의해 도포막을 형성한 후, 400 ℃ 대기 속에서 30분간 도포막을 소성함으로써 TiO2층으로 이루어지는 3.0 ㎛의 중간층을 형성하였다. 그리고 계속해서 MgO층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험의 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.299)가 되어 색도 이상은 억제되었다.
제4 실시예(유전체층 : PECVD － SiO2 ＋ 중간층 : 티타니아졸겔법 － TiO2)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하였다. 계속해서, Ti(OC2H5)4와 0.5 ％ 희박 염산을 몰비 1 : 8로 혼합하여 30분간 반응시킨 후 에틸 알콜로 10배로 희석한 것을 스핀 코트법에 의해 도포막으로서 형성한 후, 400 ℃ 대기속에서 30분간 도포막을 소성함으로써 TiO2층으로 이루어지는 3.0 ㎛의 중간층을 형성하였다. 그리고 계속해서 MgO층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험의 결과, 색도 좌표는 (0.300, 0.299)가 되어 색도 이상은 억제되 었다.
제5 실시예(유전체층 : PECVD － SiO2 ＋ 중간층 : 티타니아티탄산이소프로필의 대기압 CVD － TiO2)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로 하여 5 ㎛ 성막하였다. 계속해서, 상압 CVD 장치에 있어서, Ti[COH(CH3)2]4 : 100 sccm과 O2 : 500 sccm, 기판 온도 400 ℃의 조건으로 TiO2층으로 이루어지는 1.0 ㎛의 중간층을 형성하였다. 그리고 계속해서 MgO층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험의 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.298)이 되어 색도 이상은 억제되었다.
제6 실시예(유전체층 : PECVD － SiO2 ＋ 중간층 : 티타니아4염화티탄의 대기압 CVD － TiO2)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하였다. 계속해서, 상압 CVD 장치에 있어서, TiCl4 : 100 sccm와 O2 : 500 sccm, 기판 온도 400 ℃의 조건으 로 TiO2층으로 이루어지는 0.3 ㎛의 중간층을 형성하였다. 그리고 계속해서 MgO층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험의 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.298)이 되어 색도 이상은 억제되었다.
제7 실시예(유전체층 : PECVD － SiO2 ＋ 중간층 : 4염화지르코니아의 대기압 CVD － ZrO2)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하였다. 계속해서, 상압 CVD 장치에 있어서, ZrCl4 : 100 sccm과 O2 : 500 sccm, 기판 온도 480 ℃의 조건으로 ZrO2층으로 이루어지는 0.3 ㎛의 중간층을 형성하였다. 그리고 계속해서 Mg0층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험의 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.299)가 되어 색도 이상은 억제되었다.
제8 실시예(유전체층 : PECVD － SiO2 ＋ 중간층 : 알루미나의 플라즈마 CVD － Al2O3)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈 마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 20 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하고, 연속하여 2AlCl3 : 100 sccm, CO2 : 1000 sccm, H2 : 500 sccm, RF 출력 2.0 kW, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 Al2O3층으로 이루어지는 0.3 ㎛의 중간층을 형성하였다. 그리고 계속해서 MgO층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.300)이 되어 색도 이상은 억제되었다.
제9 실시예(유전체층 : 시트 프릿 － 저융점 유리 ＋ 중간층 : 전자빔 증착 － ZrO2)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, PbO － B2O5 － SiO2로 이루어지는 프릿 유리에 아크릴계 바인더를 첨가하여 시트형으로 가공한 것을 부착하고, 컨베이어형 소성화로로 350 ℃ 240분 소성한 뒤, 600 ℃ 60분 소성함으로써 30 ㎛의 유전체층을 형성하였다. 계속해서, ZrO2층으로 이루어지는 중간층을 전자빔 증착으로 0.3 ㎛의 두께로 형성하였다. 그리고 계속해서 MgO층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.299)가 되어 색도 이상은 억제되었다.
제10 실시예(유전체층 : PECVD － SiO2 ＋ 중간층 : 전자빔 증착 － ZrO2)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치에 있어서, TEOS : 800 sccm, O2 : 2000 sccm, RF 출력 1.5 ㎾, 350 ℃, 1.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로 하여 5 ㎛ 성막하였다. 또, 상기와 동일한 조건으로 실리콘 기판 및 소다 석회 기판 상에 형성한 유전체층은 각각 - 0.7E9 dyn/㎠ 및 - 1.9 dyn/㎠의 응력을 갖고 있었다. 계속해서, ZrO2층으로 이루어지는 중간층을 전자빔 증착으로 0.3 ㎛의 두께로 형성하였다. 그리고, 계속해서 MgO층으로 이루어지는 보호층을 10 ㎛ 증착하였다.
그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.299)가 되어 색도 이상은 억제되었다.
제11 실시예(유전체층 : CVD － SiO2 ＋ 중간층 : 전자빔 증착 － ZrO2)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 상압 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 1000 sccm, N2O : 10000 sccm, 450 ℃의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하였다. 또, 상기와 동일한 조건으로 실리콘 기판 및 소다 석회 기판 상에 형성한 유전체층은 각각 ＋4E9 dyn/㎠ 및 ＋2.3 dyn/㎠의 응력을 갖고 있었다. 계속해서, ZrO2층으로 이루어지는 중간층을 전자빔 증착으로 0.3 ㎛의 두께로 형성하였다. 그리고, 계속해서 Mg0층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다.
그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험 결과, 색도 좌표는 (0.301, 0.299)가 되어 색도 이상은 억제되었다.
제12 실시예(유전체층 : CVD － SiO2 ＋ 중간층 : 산화탄탈의 플라즈마 CVD － Ta2O5)
전방면측의 기판 상에 투명 전극 및 버스 전극 형성 후, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치에 있어서, SiH4 : 900 sccm, N2O : 9000 sccm, RF 출력 2.0 ㎾, 400 ℃, 3.0 Torr의 조건으로 SiO2를 유전체층으로서 5 ㎛ 성막하였다. 연속하여 Ta(C2H5OH)5 : 200 sccm(기화하여 직접 공급), O2 :1000 sccm, RF 출력 2.0 kW, 400 ℃, 4.0 Torr의 조건으로 Ta2O5막으로 이루어지는 0.2 ㎛의 중간층을 형성하였다. 그 후, 계속해서 Mg0층으로 이루어지는 보호층을 1.0 ㎛ 증착하였다.
그 후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 PDP를 형성하여 그 표시 품질 시험을 행하였다. 시험 결과, 색도 좌표는 (0.300, 0.300)이 되어 색도 이상은 억제되었다.
또, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 격벽, 형광체층을 설치한 기판을 전방면측에 배치하고, 또한 유전체층, 보호층 등을 설치한 기판을 배면측에 배치한 구조로 하는 것도 가능하다. 또한, 어드레스 전극을 유전체층으로 씌워 그 유전체층 상에 격벽과 형광체층을 설치하는 것도 가능하고, 그 경우에는 유전체층 표면을 자외선 차폐 기능막으로 씌우는 것이 바람직하다. 또한 2전극 AC형 대향 방전 PDP에도 적용 가능하다.
본 발명에 따르면, 보호층 자체에 자외선 차폐 기능을 갖게 하거나, 혹은 보호층과 유전체층 사이에 자외선 차폐 기능을 갖는 중간층을 도입함으로써, 방전 중에 발생하는 진공 자외광의 유전체층으로의 도달을 방지하고, 유전체층 내의 탄소수소 결합 등의 절단을 방지할 수 있다. 그로 인해, 절단에 의해 생기는 수소에 의한 형광체 및 보호층의 환원을 방지할 수 있으므로, 형광체 열화가 없는 가스 방전 패널을 얻을 수 있다.

Claims (11)

  1. 기판 상에 전극과, 전극을 피복하는 유전체층과, 유전체층을 피복하는 보호층을 구비하고, 유전체층이 두께 15 ㎛ 이하의 이산화규소로 이루어지고, 보호층이 ZrO2, Al2O3, TiO2, Y2O3, ZnS, Ta2O5, SiC로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 5 내지 15 중량 %의 범위로 함유하는 자외선 차폐 기능을 갖는 MgO로 이루어지는 가스 방전 패널용 기판 구조체.
  2. 제1항에 있어서, 보호층이 200 ㎚ 이하의 파장의 빛을 투과하지 않는 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체.
  3. 기판 상에 전극과, 전극을 피복하는 유전체층과, 패널 조립 후 방전 공간에 접하는 보호층을 구비하고, 유전체층이 CVD법으로 만들어진 이산화규소로 이루어지고, 유전체층과 보호층 사이에 Al 화합물, Ti 화합물, Y 화합물, Zn 화합물, Zr 화합물, Ta 화합물 및 SiC로부터 선택된 적어도 하나의 재료로 이루어지는 두께 0.1 ㎛ 이상의 자외선 차폐 기능을 갖는 중간층을 구비한 가스 방전 패널용 기판 구조체.
  4. 제3항에 있어서, Al 화합물, Ti 화합물, Y 화합물, Zn 화합물, Zr 화합물, Ta 화합물 및 SiC로부터 적어도 하나 선택되는 화합물이 6.2 eV 이하의 밴드 갭을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체.
  5. 제3항에 있어서, 중간층이 200 ㎚ 이하인 파장의 빛을 투과하지 않는 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제3항에 기재된 중간층을 진공 증착법, CVD법, 플라즈마 CVD법, 졸겔법 또는 바인더법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법.
  9. 제3항에 기재된 중간층을 유전체층에 이어서 CVD법 또는 플라즈마 CVD법으로 연속적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법.
  10. 제3항에 기재된 중간층과 보호층을 진공 증착법으로 연속적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 방전 패널용 기판 구조체의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 가스 방전 패널용 기판 구조체를 전방면측의 가스 방전 패널용 기판 구조체로서 이용한 것을 특징으로 하는 AC형 가스 방전 패널.
KR1020030054023A 2002-08-06 2003-08-05 가스 방전 패널용 기판 구조체, 그 제조 방법 및 ａｃ형 가스 방전 패널 KR100743489B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002228725A JP4097480B2 (ja) 2002-08-06 2002-08-06 ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びａｃ型ガス放電パネル
JPJP-P-2002-00228725 2002-08-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040014276A KR20040014276A (ko) 2004-02-14
KR100743489B1 true KR100743489B1 (ko) 2007-07-30

Family

ID=30437737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030054023A KR100743489B1 (ko) 2002-08-06 2003-08-05 가스 방전 패널용 기판 구조체, 그 제조 방법 및 ａｃ형 가스 방전 패널

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7372206B2 (ko)
EP (1) EP1388878B1 (ko)
JP (1) JP4097480B2 (ko)
KR (1) KR100743489B1 (ko)
DE (1) DE60324995D1 (ko)
TW (1) TWI267889B (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1505624B1 (en) * 2003-03-03 2011-12-21 Panasonic Corporation Plasma display panel, its manufacturing method, and its protective layer material
KR100651421B1 (ko) 2003-04-22 2006-11-30 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법
CN100376011C (zh) * 2003-09-24 2008-03-19 松下电器产业株式会社 等离子显示面板
KR100599704B1 (ko) * 2003-10-21 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20060238122A1 (en) * 2004-02-09 2006-10-26 Morio Fujitani Plasma display panel
KR100599708B1 (ko) * 2004-05-25 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP2006207014A (ja) * 2004-07-14 2006-08-10 Mitsubishi Materials Corp ＭｇＯ蒸着材
JP2006120356A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP2006196307A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
KR20060117823A (ko) * 2005-05-14 2006-11-17 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자
KR100711512B1 (ko) * 2005-11-01 2007-04-27 엘지전자 주식회사 전자 방출이 용이한 보호층을 갖는 플라즈마 디스플레이패널 및 그의 제조 방법
KR100728207B1 (ko) * 2005-11-22 2007-06-13 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20090230862A1 (en) * 2005-12-19 2009-09-17 Fijitsu Hitachi Plasma Display Limited Substrate Assembly for Plasma Display Panel and Display Panel
US20070190808A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Stowell Michael W Low-k dielectric layers for large substrates
WO2008038344A1 (fr) * 2006-09-27 2008-04-03 Hitachi Plasma Display Limited Périphérique d'affichage de décharge de gaz
WO2008078383A1 (ja) * 2006-12-25 2008-07-03 Hitachi Plasma Display Limited プラズマディスプレイパネル用基板構体、プラズマディスプレイパネル
KR100874454B1 (ko) * 2007-03-15 2008-12-17 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
WO2011099265A1 (ja) * 2010-02-12 2011-08-18 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06316671A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Hokuriku Toryo Kk 誘電体保護剤
JP2001226762A (ja) * 2000-02-09 2001-08-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 酸化マグネシウム膜の製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5661739A (en) 1979-10-23 1981-05-27 Fujitsu Ltd Gas discharge panel
JP3674107B2 (ja) 1995-10-03 2005-07-20 三菱電機株式会社 面放電型ａｃ型プラズマディスプレイパネル
JP3339554B2 (ja) 1995-12-15 2002-10-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP3247632B2 (ja) 1997-05-30 2002-01-21 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置
KR100247821B1 (ko) * 1997-08-30 2000-03-15 손욱 플라즈마표시장치
TW423006B (en) * 1998-03-31 2001-02-21 Toshiba Corp Discharge type flat display device
JPH11339665A (ja) 1998-05-27 1999-12-10 Mitsubishi Electric Corp 交流型プラズマディスプレイパネル、交流型プラズマディスプレイパネル用基板及び交流型プラズマディスプレイパネル用保護膜材料
JP4111298B2 (ja) 1999-06-29 2008-07-02 株式会社日立プラズマパテントライセンシング プラズマディスプレイパネル
DE19944202A1 (de) * 1999-09-15 2001-03-22 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit UV-Licht reflektierender Frontplattenbeschichtung
TW553472U (en) * 1999-12-22 2003-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv Plasma display device
DE10009915A1 (de) * 2000-03-01 2001-09-27 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit UV-Licht emittierender Schicht
JP4878425B2 (ja) 2000-08-29 2012-02-15 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびにプラズマディスプレイパネル表示装置
KR100854893B1 (ko) * 2000-08-29 2008-08-28 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법과 플라즈마디스플레이 패널 표시장치
JP2002170494A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気体放電表示装置及び放電灯
JP2002260535A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Hitachi Ltd プラズマディスプレイパネル
DE10122287A1 (de) 2001-05-08 2002-11-14 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit verbessertem Weißfarbpunkt
JP2002373595A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Sony Corp プラズマ表示装置およびその製造方法
JP4698077B2 (ja) * 2001-07-18 2011-06-08 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP4073201B2 (ja) * 2001-11-09 2008-04-09 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイパネル及びそれを備えた画像表示装置
JP2003331743A (ja) * 2002-05-09 2003-11-21 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06316671A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Hokuriku Toryo Kk 誘電体保護剤
JP2001226762A (ja) * 2000-02-09 2001-08-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 酸化マグネシウム膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1388878B1 (en) 2008-12-03
DE60324995D1 (de) 2009-01-15
EP1388878A1 (en) 2004-02-11
JP4097480B2 (ja) 2008-06-11
US20080194165A1 (en) 2008-08-14
TW200405386A (en) 2004-04-01
KR20040014276A (ko) 2004-02-14
JP2004071338A (ja) 2004-03-04
US20040027072A1 (en) 2004-02-12
TWI267889B (en) 2006-12-01
US7372206B2 (en) 2008-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100743489B1 (ko) 가스 방전 패널용 기판 구조체, 그 제조 방법 및 ａｃ형 가스 방전 패널
KR100516715B1 (ko) 고품위의디스플레이에적합한플라즈마디스플레이패널및그제조방법
KR100812866B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JPH10125240A (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法
JP2000021304A (ja) ガス放電表示デバイスの製造方法
KR100709188B1 (ko) 평판 표시 장치 및 그의 제조방법
KR100884152B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR20010074772A (ko) 발광특성이 뛰어난 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법
JP3442634B2 (ja) プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
US7439675B2 (en) Plasma display panel having a magnesium oxide protective film and method for producing same
JPH10269952A (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法
US7312575B2 (en) Plasma display panel
JP2003007217A (ja) プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4102073B2 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP4360926B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2003338248A (ja) プラズマディスプレイパネル
CN101515529A (zh) 具有高清晰度和色纯度的等离子体显示面板
KR100599703B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 이로부터제조되는 플라즈마 디스플레이 패널
JP2004006426A (ja) ガス放電表示デバイスの製造方法
KR100922751B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
JPH11329254A (ja) プラズマディスプレイパネル
US20050067962A1 (en) Plasma display panel
KR100759447B1 (ko) 평판 표시 장치 및 그 제조방법
JP2004220929A (ja) ガス放電パネルおよびその製造方法
KR20020071609A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 소자의 상판 구조 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100719

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee