JP2004006426A - ガス放電表示デバイスの製造方法 - Google Patents
ガス放電表示デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006426A JP2004006426A JP2003320074A JP2003320074A JP2004006426A JP 2004006426 A JP2004006426 A JP 2004006426A JP 2003320074 A JP2003320074 A JP 2003320074A JP 2003320074 A JP2003320074 A JP 2003320074A JP 2004006426 A JP2004006426 A JP 2004006426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- display device
- gas discharge
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】ガラス基板11上に配列された電極X,Yを覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層17を有したガス放電表示デバイス1の製造において、電極X,Yの配列を終えた段階以降の基板構体の表面に、誘電体層17としてプラズマ気相成長法によって成膜の下地面を等方的に覆いかつ圧縮応力を有した珪素化合物からなる層を形成する。
【選択図】図3
Description
図1は本発明に係るPDP1の電極配列を示す平面図である。
導入ガスと流量 :O2 /2000SCCM
高周波出力 :1.5kW
基板温度 :350℃
真空度 :1.0Torr
得られたSiO2 膜は、シリコン基板では−0.7×109 dyn/cm2 、ソーダライムガラス基板では−1.9×109 dyn/cm2 の圧縮応力を有しており、比誘電率は4.1であった。
導入ガスと流量 :N2 O/4000SCCM
高周波出力 :1.0kW
基板温度 :340℃
真空度 :1.2Torr
得られたSiO2 膜は、シリコン基板では+1.0×109 dyn/cm2 の引張応力を有し、ソーダライムガラス基板では−0.2×109 dyn/cm2 の圧縮応力を有しており、比誘電率は4.1であった。
導入ガスと流量 :H2 O/4000SCCM
高周波出力 :2.0kW
基板温度 :400℃
真空度 :1.0Torr
得られた有機酸化珪素膜の比誘電率は2.6であった。
〔比較例1〕
常圧CVD装置100を用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれぞれ次の条件でSiO2 膜(熱CVD膜)を成膜した。
導入ガスと流量 :H2 O/6000SCCM
基板温度 :450℃
得られたSiO2 膜は、シリコン基板では+4.0×109 dyn/cm2 、ソーダライムガラス基板では+2.3×109 dyn/cm2 の引張応力を有していた。
〔比較例2〕
平行平板型のプラズマCVD装置100を用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれぞれ次の条件でSiO2 膜を成膜した。
導入ガスと流量 :N2 O/5000SCCM
高周波出力 :1.8kW
基板温度 :380℃
真空度 :0.7Torr
得られたSiO2 膜は、シリコン基板では−3.3×109 dyn/cm2 の圧縮応力を有し、ソーダライムガラス基板では−4.6×109 dyn/cm2 の圧縮応力を有していた。
〔比較例3〕
従来の厚膜手法により誘電体層を形成した。すなわち、実施例1と同じ表1の材質のガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、PbO−BO−SiO系フリットガラスをロールコータで30μmの厚さに印刷し、コンベア炉を用いて大気雰囲気で焼成した(580℃,60min)。得られた低融点ガラス層は無数の泡を含んでおり、比誘電率の測定値は12.0であった。低融点ガラス層の上に厚さ0.5μmのMgO膜を蒸着法によって成膜し、得られた基板構体と別途に作製した背面側の基板構体とを張り合わせてPDPを完成させた。発光効率の測定結果は0.8lm/Wであった。
〔第2実施形態〕
図5は第2実施形態に係るPDPの要部断面構造の模式図である。
〔第3実施形態〕
図6は第3実施形態に係るPDPの要部断面構造の模式図である。図7は第3実施形態に係るPDPの表示領域の平面図である。
11,11b,11c ガラス基板(基板)
X,Y,Xb,Yb,Xc,Yc 主電極(電極)
ES,ESc 表示領域
17,17b,17c 誘電体層
s 下地面
F 圧縮応力
50 絶縁体層
55 絶縁体層(遮光層)
S1 スリット(放電間隙)
S2 逆スリット(電極間部分)
Claims (5)
- ガラス基板上に配列された電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を有したガス放電表示デバイスの製造方法であって、
前記電極の配列を終えた段階以降の基板構体の表面に、前記誘電体層としてプラズマ気相成長法によって成膜の下地面を等方的に覆いかつ圧縮応力を有した珪素化合物からなる層を形成する
ことを特徴とするガス放電表示デバイスの製造方法。 - ガラス基板上に透明導電膜に金属膜を重ねた複層構造の主電極が面放電を生じさせるための電極対を構成するように配列され、前記主電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を有したガス放電表示デバイスの製造方法であって、
前記電極の配列を終えた段階以降の基板構体の表面に、前記誘電体層としてプラズマ気相成長法によって成膜の下地面を等方的に覆いかつ圧縮応力を有した珪素化合物からなる層を形成する
ことを特徴とするガス放電表示デバイスの製造方法。 - 前記誘電体層の形成以前に、前記主電極のそれぞれの金属膜に重ねて、当該主電極を部分的に覆う絶縁体層を形成する
請求項2記載のガス放電表示デバイスの製造方法。 - ガラス基板上に配列された電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を有したガス放電表示デバイスの製造方法であって、
前記誘電体層の形成以前に、前記表示領域のうちの放電間隙を除いた電極間部分に遮光層を設け、
前記電極の配列を終えた段階以降の基板構体の表面に、前記誘電体層としてプラズマ気相成長法によって成膜の下地面を等方的に覆う珪素化合物からなる層を形成する
ことを特徴とするガス放電表示デバイスの製造方法。 - 前記誘電体層として二酸化珪素または有機酸化珪素からなる層を形成する
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のガス放電表示デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003320074A JP3835555B2 (ja) | 2003-09-11 | 2003-09-11 | ガス放電表示デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003320074A JP3835555B2 (ja) | 2003-09-11 | 2003-09-11 | ガス放電表示デバイスの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19127398A Division JP3481142B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | ガス放電表示デバイス |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006167679A Division JP3886523B2 (ja) | 2006-06-16 | 2006-06-16 | ガス放電表示デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006426A true JP2004006426A (ja) | 2004-01-08 |
JP3835555B2 JP3835555B2 (ja) | 2006-10-18 |
Family
ID=30439042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003320074A Expired - Fee Related JP3835555B2 (ja) | 2003-09-11 | 2003-09-11 | ガス放電表示デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3835555B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007099603A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル |
KR100770725B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2007-10-30 | 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 기판 |
US7482755B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-01-27 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Plasma display panel and plasma display device |
-
2003
- 2003-09-11 JP JP2003320074A patent/JP3835555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100770725B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2007-10-30 | 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 기판 |
US7482755B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-01-27 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Plasma display panel and plasma display device |
WO2007099603A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3835555B2 (ja) | 2006-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3481142B2 (ja) | ガス放電表示デバイス | |
JP4097480B2 (ja) | ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びac型ガス放電パネル | |
JP2000223032A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JPH1154051A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
CN1661756A (zh) | 交流驱动型等离子显示器及其制造方法 | |
JP3835555B2 (ja) | ガス放電表示デバイスの製造方法 | |
JP2003331734A (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
JP3886523B2 (ja) | ガス放電表示デバイスの製造方法 | |
JP2006222034A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP3546987B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
EP1548790A1 (en) | Plasma display panel | |
JP4085223B2 (ja) | プラズマ表示装置 | |
JP2001155647A (ja) | ガス放電表示デバイス及びその製造方法 | |
JP4281155B2 (ja) | 表示パネル及び表示装置 | |
JPH11204044A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JPH11185631A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JPH08339767A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP3152628B2 (ja) | 導体膜上への透明厚膜誘電体の形成方法 | |
US7187127B2 (en) | Plasma display panel having exothermal inhibition layer | |
KR20060104536A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널용 그린 시트 및 그의 제조방법 | |
JP2001135241A (ja) | ガス放電パネル及びその製造方法 | |
JP2004335339A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP2001307645A (ja) | ガス放電パネル及びその製造方法 | |
JP2000113821A (ja) | 表示用放電管 | |
US20070152585A1 (en) | Plasma display panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050720 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20050720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051206 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060425 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20060718 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R154 | Certificate of patent or utility model (reissue) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |