JPH10125240A - プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法Info
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- JPH10125240A JPH10125240A JP9070936A JP7093697A JPH10125240A JP H10125240 A JPH10125240 A JP H10125240A JP 9070936 A JP9070936 A JP 9070936A JP 7093697 A JP7093697 A JP 7093697A JP H10125240 A JPH10125240 A JP H10125240A
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- phosphor
- phosphor particles
- display panel
- plasma display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＤＰの蛍光体層の寿命並びに発光効率を向
上させる。 【解決手段】 蛍光体粒子４１の表面に均一なコーティ
ング層４２を形成され、コーティング層４２の膜厚を、
（２ｍ＋１）／４ｎを満たすように設定する（但し、λ
は放電空間で発生する紫外線の波長、ｎはコーティング
層の屈折率、ｍは０，１，２，３）。あるいは、蛍光体
粒子の表面に、粒状物質を、紫外線が通過できる隙間を
隔てて島状に付着させる。あるいは、蛍光体粒子の表面
に、有機金属化合物の加水分解反応によって、紫外線が
通過できる隙間を隔てて金属酸化物を島状に形成する。
上させる。 【解決手段】 蛍光体粒子４１の表面に均一なコーティ
ング層４２を形成され、コーティング層４２の膜厚を、
（２ｍ＋１）／４ｎを満たすように設定する（但し、λ
は放電空間で発生する紫外線の波長、ｎはコーティング
層の屈折率、ｍは０，１，２，３）。あるいは、蛍光体
粒子の表面に、粒状物質を、紫外線が通過できる隙間を
隔てて島状に付着させる。あるいは、蛍光体粒子の表面
に、有機金属化合物の加水分解反応によって、紫外線が
通過できる隙間を隔てて金属酸化物を島状に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネル及びその蛍光体の
製造方法に関するものである。
に用いるプラズマディスプレイパネル及びその蛍光体の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハイビジョンをはじめとする高品
位で大画面のテレビに対する期待が高まっている中で、
ＣＲＴ，液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと記載す
る），プラズマディスプレイパネル（Plasma Display P
anel，以下ＰＤＰと記載する）といった各ディスプレイ
の分野において、これに適したディスプレイの開発が進
められている。
位で大画面のテレビに対する期待が高まっている中で、
ＣＲＴ，液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと記載す
る），プラズマディスプレイパネル（Plasma Display P
anel，以下ＰＤＰと記載する）といった各ディスプレイ
の分野において、これに適したディスプレイの開発が進
められている。
【０００３】従来からテレビのディスプレイとして広く
用いられているＣＲＴは、解像度・画質の点で優れてい
るが、画面の大きさに伴って奥行き及び重量が大きくな
る点で４０インチ以上の大画面には不向きである。ま
た、ＬＣＤは、消費電力が少なく、駆動電圧も低いとい
う優れた性能を有しているが、大画面を作製するのに技
術上の困難性があり、視野角にも限界がある。
用いられているＣＲＴは、解像度・画質の点で優れてい
るが、画面の大きさに伴って奥行き及び重量が大きくな
る点で４０インチ以上の大画面には不向きである。ま
た、ＬＣＤは、消費電力が少なく、駆動電圧も低いとい
う優れた性能を有しているが、大画面を作製するのに技
術上の困難性があり、視野角にも限界がある。
【０００４】これに対して、ＰＤＰは、小さい奥行きで
も大画面を実現することが可能であって、既に４０イン
チクラスの製品も開発されている。ＰＤＰは、大別して
直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）とに分けられる
が、現在では大型化に適したＡＣ型が主流となってい
る。図７は、従来の一般的な交流面放電型ＰＤＰの概略
断面図である。図７において、フロントカバープレート
１０１上に表示電極１０２が配設され、その上を鉛ガラ
ス［ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2ガラス］からなる誘電体
ガラス層１０３で覆われている。
も大画面を実現することが可能であって、既に４０イン
チクラスの製品も開発されている。ＰＤＰは、大別して
直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）とに分けられる
が、現在では大型化に適したＡＣ型が主流となってい
る。図７は、従来の一般的な交流面放電型ＰＤＰの概略
断面図である。図７において、フロントカバープレート
１０１上に表示電極１０２が配設され、その上を鉛ガラ
ス［ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2ガラス］からなる誘電体
ガラス層１０３で覆われている。
【０００５】また、バックプレート１０５上には、アド
レス電極１０６と隔壁１０７と、赤または緑または青の
蛍光体粒子１５０からなる蛍光体層１０８とが配設さ
れ、誘電体ガラス層１０３，バックプレート１０５，隔
壁１０７に囲まれた放電空間１０９内には、ヘリウム
（Ｈｅ）とキセノン（Ｘｅ）あるいはネオン（Ｎｅ）と
キセノン（Ｘｅ）からなる放電ガスが封入されている。
レス電極１０６と隔壁１０７と、赤または緑または青の
蛍光体粒子１５０からなる蛍光体層１０８とが配設さ
れ、誘電体ガラス層１０３，バックプレート１０５，隔
壁１０７に囲まれた放電空間１０９内には、ヘリウム
（Ｈｅ）とキセノン（Ｘｅ）あるいはネオン（Ｎｅ）と
キセノン（Ｘｅ）からなる放電ガスが封入されている。
【０００６】このようなＰＤＰにおける発光原理は、基
本的に蛍光灯と同様であって、表示電極１０２の放電に
伴って放電ガスから紫外線（波長１４７ｎｍ及び１７３
ｎｍ）が放出され、この紫外線を受けて蛍光体層１０８
の蛍光体粒子（赤，緑，青）が励起発光される。
本的に蛍光灯と同様であって、表示電極１０２の放電に
伴って放電ガスから紫外線（波長１４７ｎｍ及び１７３
ｎｍ）が放出され、この紫外線を受けて蛍光体層１０８
の蛍光体粒子（赤，緑，青）が励起発光される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＰＤＰにおいては、放
電エネルギの紫外線への変換する効率や蛍光体における
変換効率が低いので、蛍光灯のように高い輝度を得るこ
とは困難であって、輝度を向上させることが課題となっ
ている。現在、４０〜４２インチクラスのテレビ用のＰ
ＤＰにおいては、ＮＴＳＣの画素レベル（画素数６４０
×４８０個，セルピッチ０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ，
１セルの面積０．５５ｍｍ2）の場合、１５０〜２５０
ｃｄ／ｍ2程度の画面輝度が得られている（機能材料１
９９６年２月号Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２ ページ７参
照）。
電エネルギの紫外線への変換する効率や蛍光体における
変換効率が低いので、蛍光灯のように高い輝度を得るこ
とは困難であって、輝度を向上させることが課題となっ
ている。現在、４０〜４２インチクラスのテレビ用のＰ
ＤＰにおいては、ＮＴＳＣの画素レベル（画素数６４０
×４８０個，セルピッチ０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ，
１セルの面積０．５５ｍｍ2）の場合、１５０〜２５０
ｃｄ／ｍ2程度の画面輝度が得られている（機能材料１
９９６年２月号Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２ ページ７参
照）。
【０００８】これに対して、近年期待されているフルス
ペックの４２インチクラスのハイビジョンテレビでは、
画素数が１９２０×１１２５で、セルピッチは０．１５
ｍｍ×０．４８ｍｍとなる。この場合、１セルの面積は
０．０７２ｍｍ2であって、ＮＴＳＣの場合と比べて１
／７〜１／８となるため、４２インチのハイビジョンテ
レビ用のＰＤＰを、従来通りのセル構成で作成した場
合、画面の輝度は３０〜４０ｃｄ／ｍ2程度に低下する
ことが予想され、このような背景のもとで、更にＰＤＰ
の輝度を向上させる技術が望まれている。
ペックの４２インチクラスのハイビジョンテレビでは、
画素数が１９２０×１１２５で、セルピッチは０．１５
ｍｍ×０．４８ｍｍとなる。この場合、１セルの面積は
０．０７２ｍｍ2であって、ＮＴＳＣの場合と比べて１
／７〜１／８となるため、４２インチのハイビジョンテ
レビ用のＰＤＰを、従来通りのセル構成で作成した場
合、画面の輝度は３０〜４０ｃｄ／ｍ2程度に低下する
ことが予想され、このような背景のもとで、更にＰＤＰ
の輝度を向上させる技術が望まれている。
【０００９】次に、ＰＤＰにおいては、寿命の問題もあ
る。ＰＤＰの寿命を決定する要因としては、狭い放電空
間内にプラズマを閉じ込め紫外線を発生させるため、蛍
光体層が劣下して輝度が低下すること、並びに、誘電体
ガラス層がガス放電によってスパッタされて劣化するこ
との２点が考えられる。
る。ＰＤＰの寿命を決定する要因としては、狭い放電空
間内にプラズマを閉じ込め紫外線を発生させるため、蛍
光体層が劣下して輝度が低下すること、並びに、誘電体
ガラス層がガス放電によってスパッタされて劣化するこ
との２点が考えられる。
【００１０】誘電体ガラス層の劣化を防止するために、
図７に示すように、誘電体ガラス層１０３の表面に酸化
マグネシウム［ＭｇＯ］からなる保護層１０４を真空蒸
着法によって形成する技術が知られている。一方、蛍光
体層の形成方法に関して、例えば特開平７−４５１８９
号公報には、蛍光体粒子に結着剤としてのシリカ（酸化
硅素：ＳｉＯ2）を混合して塗布して蛍光体層を形成す
ることにより蛍光体粒子の脱落を防止する技術が開示さ
れているが、蛍光体層の長寿命化に対する技術はあまり
知られておらず、今後ハイビジョンのような細かい画素
を形成した場合、従来よりも狭い空間にプラズマをとじ
込めることになるため、蛍光体層の寿命が更に大きな課
題となることが予想される。
図７に示すように、誘電体ガラス層１０３の表面に酸化
マグネシウム［ＭｇＯ］からなる保護層１０４を真空蒸
着法によって形成する技術が知られている。一方、蛍光
体層の形成方法に関して、例えば特開平７−４５１８９
号公報には、蛍光体粒子に結着剤としてのシリカ（酸化
硅素：ＳｉＯ2）を混合して塗布して蛍光体層を形成す
ることにより蛍光体粒子の脱落を防止する技術が開示さ
れているが、蛍光体層の長寿命化に対する技術はあまり
知られておらず、今後ハイビジョンのような細かい画素
を形成した場合、従来よりも狭い空間にプラズマをとじ
込めることになるため、蛍光体層の寿命が更に大きな課
題となることが予想される。
【００１１】本発明は、このような課題を鑑みてなされ
たものであって、ＰＤＰの蛍光体層の寿命並びに発光効
率を向上させることを目的としている。
たものであって、ＰＤＰの蛍光体層の寿命並びに発光効
率を向上させることを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＰＤＰでは、蛍光体層を構成する蛍光体粒
子の表面に、蛍光体粒子の屈折率より低い屈折率を持つ
コーティング層を設け、コーティング層の膜厚を、放電
空間で発生する紫外線の蛍光体粒子内への透過率を、非
コーティングの場合よりも増大させるように設定した。
め、本発明のＰＤＰでは、蛍光体層を構成する蛍光体粒
子の表面に、蛍光体粒子の屈折率より低い屈折率を持つ
コーティング層を設け、コーティング層の膜厚を、放電
空間で発生する紫外線の蛍光体粒子内への透過率を、非
コーティングの場合よりも増大させるように設定した。
【００１３】これにより、コーティング層が、プラズマ
中のイオンから蛍光体粒子を保護し、蛍光体層の耐久性
を向上させる。また、蛍光体粒子に取り込まれる紫外線
量が増え、紫外線の利用効率が向上するので、輝度を向
上させることができる。コーティング層の膜厚を上記数
１式で示される値に設定すれば、このような条件は満た
される。即ち、数１式で表される膜厚に設定すると、蛍
光体表面での紫外線の反射量が小さくなり、蛍光体粒子
中に入り込む紫外線量が増大する。
中のイオンから蛍光体粒子を保護し、蛍光体層の耐久性
を向上させる。また、蛍光体粒子に取り込まれる紫外線
量が増え、紫外線の利用効率が向上するので、輝度を向
上させることができる。コーティング層の膜厚を上記数
１式で示される値に設定すれば、このような条件は満た
される。即ち、数１式で表される膜厚に設定すると、蛍
光体表面での紫外線の反射量が小さくなり、蛍光体粒子
中に入り込む紫外線量が増大する。
【００１４】コーティング層を形成する材料としては、
ＳｉＯ2やＳｉ（Ｏ・Ｆ）2が優れている。これらの材料
は、紫外線に対する屈折率が１．４程度と蛍光体粒子の
屈折率（通常２．０程度）より小さい値であり、化学的
に安定な物質であって、コーティング層の材料として適
している。また、上記目的を達成するため、本発明のＰ
ＤＰは、蛍光体層を構成する蛍光体粒子の表面に、突状
物を、紫外線が通過できる隙間を隔てて島状に配した。
ＳｉＯ2やＳｉ（Ｏ・Ｆ）2が優れている。これらの材料
は、紫外線に対する屈折率が１．４程度と蛍光体粒子の
屈折率（通常２．０程度）より小さい値であり、化学的
に安定な物質であって、コーティング層の材料として適
している。また、上記目的を達成するため、本発明のＰ
ＤＰは、蛍光体層を構成する蛍光体粒子の表面に、突状
物を、紫外線が通過できる隙間を隔てて島状に配した。
【００１５】この突状物は、平均粒径２０ｎｍ〜１００
ｎｍの粒状物質や有機金属化合物の加水分解反応によっ
て生成した金属酸化物で形成することができる。これに
よって、蛍光体粒子表面に配設された粒状物質が、プラ
ズマ中のイオンから蛍光体粒子を保護し、蛍光体層の耐
久性を向上させる。一方、紫外線は、粒状物質どうしの
隙間を多重反射しながら内部の蛍光体粒子に到達する。
ｎｍの粒状物質や有機金属化合物の加水分解反応によっ
て生成した金属酸化物で形成することができる。これに
よって、蛍光体粒子表面に配設された粒状物質が、プラ
ズマ中のイオンから蛍光体粒子を保護し、蛍光体層の耐
久性を向上させる。一方、紫外線は、粒状物質どうしの
隙間を多重反射しながら内部の蛍光体粒子に到達する。
【００１６】突状物の性質としては、イオンの衝突に耐
えるものであれば良く、屈折率は特に限定されない。こ
こで、隙間が狭すぎると、イオンの衝突を防止する効果
はあるものの紫外線が通過できなくなる。また、隙間が
広すぎると、紫外線は通過できるがイオンの衝突に対す
る保護ができない。従って、島と島の平均間隔は１０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
えるものであれば良く、屈折率は特に限定されない。こ
こで、隙間が狭すぎると、イオンの衝突を防止する効果
はあるものの紫外線が通過できなくなる。また、隙間が
広すぎると、紫外線は通過できるがイオンの衝突に対す
る保護ができない。従って、島と島の平均間隔は１０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
【００１７】粒状物質の材料としては、ＳｉＯ2，Ａｌ2
Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2な
どを挙げることができる。用いる有機金属化合物として
は、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｓｎなどの
金属キレートやアルコキシドを挙げることができる。
Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2な
どを挙げることができる。用いる有機金属化合物として
は、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｓｎなどの
金属キレートやアルコキシドを挙げることができる。
【００１８】
〔実施の形態１〕 （ＰＤＰの全体的な構成及び製法）図１は、本実施の形
態に係る交流面放電型ＰＤＰの概略断面図である。図１
ではセルが１つだけ示されているが、赤，緑，青の各色
を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが構成されてい
る。
態に係る交流面放電型ＰＤＰの概略断面図である。図１
ではセルが１つだけ示されているが、赤，緑，青の各色
を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが構成されてい
る。
【００１９】このＰＤＰは、前面ガラス基板１１上に放
電電極１２と誘電体ガラス層１３が配された前面パネル
と、背面ガラス基板１５上にアドレス電極１６，隔壁１
７，蛍光体層１８が配された背面パネルとを張り合わ
せ、前面パネルと背面パネルの間に形成される放電空間
１９内に放電ガスが封入された構成となっており、以下
に示すように作製される。
電電極１２と誘電体ガラス層１３が配された前面パネル
と、背面ガラス基板１５上にアドレス電極１６，隔壁１
７，蛍光体層１８が配された背面パネルとを張り合わ
せ、前面パネルと背面パネルの間に形成される放電空間
１９内に放電ガスが封入された構成となっており、以下
に示すように作製される。
【００２０】前面パネルの作製：前面パネルは、前面ガ
ラス基板１１上に放電電極１２を形成し、その上を鉛系
の誘電体ガラス層１３で覆い、更に誘電体ガラス層１３
の表面上に保護層１４を形成することによって作製す
る。本実施の形態では、放電電極１２は銀電極であっ
て、銀電極用のペーストをスクリーン印刷した後に焼成
する方法で形成する。また、鉛系の誘電体ガラス層１３
の組成は、酸化鉛［ＰｂＯ］７５重量％，酸化硼素［Ｂ
2Ｏ3］１５重量％，酸化硅素［ＳｉＯ2］１０重量％で
あって、スクリーン印刷法と焼成によって形成する。
ラス基板１１上に放電電極１２を形成し、その上を鉛系
の誘電体ガラス層１３で覆い、更に誘電体ガラス層１３
の表面上に保護層１４を形成することによって作製す
る。本実施の形態では、放電電極１２は銀電極であっ
て、銀電極用のペーストをスクリーン印刷した後に焼成
する方法で形成する。また、鉛系の誘電体ガラス層１３
の組成は、酸化鉛［ＰｂＯ］７５重量％，酸化硼素［Ｂ
2Ｏ3］１５重量％，酸化硅素［ＳｉＯ2］１０重量％で
あって、スクリーン印刷法と焼成によって形成する。
【００２１】保護層１４は、アルカリ土類の酸化物（本
実施形態ではＭｇＯ）からなり、結晶が（１００）面ま
たは（１１０）面に配向された緻密な膜構造となってい
る。このような緻密な保護層は、ＣＶＤ法、或はイオン
ビームを照射しながらＭｇＯを蒸着する方法を用いて形
成する。具体的な保護層の形成方法については後述す
る。
実施形態ではＭｇＯ）からなり、結晶が（１００）面ま
たは（１１０）面に配向された緻密な膜構造となってい
る。このような緻密な保護層は、ＣＶＤ法、或はイオン
ビームを照射しながらＭｇＯを蒸着する方法を用いて形
成する。具体的な保護層の形成方法については後述す
る。
【００２２】背面パネルの作製：背面ガラス基板１５上
に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷しその後焼成
する方法によってアドレス電極１６を形成し、ガラス製
の隔壁１７を所定のピッチで形成する。そして、隔壁１
７に挟まれた各空間内に、赤色蛍光体，緑色蛍光体，青
色蛍光体の中の１つを配設することによって蛍光体層１
８を形成する。蛍光体層１８の形成方法については後で
詳述するが、一般的にＰＤＰに用いられている蛍光体粒
子に被覆処理を施した被覆蛍光体粒子４０を、スクリー
ン印刷法で塗布して形成する。
に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷しその後焼成
する方法によってアドレス電極１６を形成し、ガラス製
の隔壁１７を所定のピッチで形成する。そして、隔壁１
７に挟まれた各空間内に、赤色蛍光体，緑色蛍光体，青
色蛍光体の中の１つを配設することによって蛍光体層１
８を形成する。蛍光体層１８の形成方法については後で
詳述するが、一般的にＰＤＰに用いられている蛍光体粒
子に被覆処理を施した被覆蛍光体粒子４０を、スクリー
ン印刷法で塗布して形成する。
【００２３】パネル張り合わせによるＰＤＰの作製：次
に、このように作製した前面パネルと背面パネルとを封
着用ガラスを用いて張り合せると共に、隔壁１７で仕切
られた放電空間１９内を高真空（８×１０-7Ｔｏｒｒ）
に排気した後、放電ガス（Ｈｅ−Ｘｅ系，Ｎｅ−Ｘｅ
系）を所定の圧力で封入することによってＰＤＰを作製
する。
に、このように作製した前面パネルと背面パネルとを封
着用ガラスを用いて張り合せると共に、隔壁１７で仕切
られた放電空間１９内を高真空（８×１０-7Ｔｏｒｒ）
に排気した後、放電ガス（Ｈｅ−Ｘｅ系，Ｎｅ−Ｘｅ
系）を所定の圧力で封入することによってＰＤＰを作製
する。
【００２４】（保護層の形成について）図２は、保護層
１４を形成するのに用いるＣＶＤ装置の概略図である。
このＣＶＤ装置は、熱ＣＶＤを行うものであって、ＣＶ
Ｄ装置本体２５の中には、ガラス基板２７（図１におけ
る放電電極１２及び誘電体ガラス層１３を形成した前面
ガラス基板１１）を加熱するヒータ部２６が設けられ、
ＣＶＤ装置本体２５内は排気装置２９で減圧にすること
ができるようになっている。
１４を形成するのに用いるＣＶＤ装置の概略図である。
このＣＶＤ装置は、熱ＣＶＤを行うものであって、ＣＶ
Ｄ装置本体２５の中には、ガラス基板２７（図１におけ
る放電電極１２及び誘電体ガラス層１３を形成した前面
ガラス基板１１）を加熱するヒータ部２６が設けられ、
ＣＶＤ装置本体２５内は排気装置２９で減圧にすること
ができるようになっている。
【００２５】Ａｒガスボンベ２１ａ，２１ｂは、キャリ
ヤであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
２２，２３を経由してＣＶＤ装置本体２５に供給するも
のである。気化器２２は、ＭｇＯの原料（ソース）とな
る金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガスボンベ２１ａ
からＡｒガスを吹き込むことによって、このキレートを
蒸発させてＣＶＤ装置本体２５に送り込むことができる
ようになっている。
ヤであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
２２，２３を経由してＣＶＤ装置本体２５に供給するも
のである。気化器２２は、ＭｇＯの原料（ソース）とな
る金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガスボンベ２１ａ
からＡｒガスを吹き込むことによって、このキレートを
蒸発させてＣＶＤ装置本体２５に送り込むことができる
ようになっている。
【００２６】キレートの具体例としては、Magnesium Di
pivaloyl Methane［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］、Magnesiu
m Acetylacetone［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2］、Magnesium T
rifluoroacetylacetone［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5Ｆ3Ｏ2）2］を挙
げることができる。気化器２３は、ＭｇＯの原料（ソー
ス）となるCyclopentadienyl Magnesium［Ｍｇ（Ｃ
5Ｈ5）2］を加熱して貯え、Ａｒガスボンベ２１ｂから
Ａｒガスを吹き込むことによって、このシクロペンタジ
エニル化合物を蒸発させてＣＶＤ装置本体２５に送り込
むことができるようになっている。
pivaloyl Methane［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］、Magnesiu
m Acetylacetone［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2］、Magnesium T
rifluoroacetylacetone［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5Ｆ3Ｏ2）2］を挙
げることができる。気化器２３は、ＭｇＯの原料（ソー
ス）となるCyclopentadienyl Magnesium［Ｍｇ（Ｃ
5Ｈ5）2］を加熱して貯え、Ａｒガスボンベ２１ｂから
Ａｒガスを吹き込むことによって、このシクロペンタジ
エニル化合物を蒸発させてＣＶＤ装置本体２５に送り込
むことができるようになっている。
【００２７】酸素ボンベ２４は、反応ガスである酸素
［Ｏ2］をＣＶＤ装置本体２５に供給するものである。
このＣＶＤ装置を用いて、ヒータ部２６の上に、誘電体
ガラス層を上にしてガラス基板２７を置き、所定の温度
（３５０〜４００℃）に加熱すると共に、反応容器内を
排気装置２９で減圧にする（数十Ｔｏｒｒ程度）。
［Ｏ2］をＣＶＤ装置本体２５に供給するものである。
このＣＶＤ装置を用いて、ヒータ部２６の上に、誘電体
ガラス層を上にしてガラス基板２７を置き、所定の温度
（３５０〜４００℃）に加熱すると共に、反応容器内を
排気装置２９で減圧にする（数十Ｔｏｒｒ程度）。
【００２８】そして、気化器２２または気化器２３で、
ソースとなるキレートまたはシクロペンタジエニル化合
物を、所定の気化温度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ
２１ａまたは２１ｂからＡｒガスを送り込む。また、こ
れと同時に、酸素ボンベ２４から酸素を流す。これによ
って、ＣＶＤ装置本体２５内に送り込まれるキレートも
しくはシクロペンタジエニル化合物が、酸素と反応し、
ガラス基板２７の誘電体ガラス層の表面上に、ＭｇＯ層
が形成される。
ソースとなるキレートまたはシクロペンタジエニル化合
物を、所定の気化温度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ
２１ａまたは２１ｂからＡｒガスを送り込む。また、こ
れと同時に、酸素ボンベ２４から酸素を流す。これによ
って、ＣＶＤ装置本体２５内に送り込まれるキレートも
しくはシクロペンタジエニル化合物が、酸素と反応し、
ガラス基板２７の誘電体ガラス層の表面上に、ＭｇＯ層
が形成される。
【００２９】このようにＣＶＤ法によって保護層を形成
すれば、ＭｇＯの結晶が緩やかに成長するようコントロ
ールされ、（１００）面配向の緻密なＭｇＯからなる保
護層を形成することができる。次に、イオンビームを照
射しながらＭｇＯを蒸着させて保護層を形成する方法に
ついて説明する。
すれば、ＭｇＯの結晶が緩やかに成長するようコントロ
ールされ、（１００）面配向の緻密なＭｇＯからなる保
護層を形成することができる。次に、イオンビームを照
射しながらＭｇＯを蒸着させて保護層を形成する方法に
ついて説明する。
【００３０】図３は、保護層を形成するのに用いるイオ
ンビーム照射装置の概略図である。この装置において、
真空チャンバー３５内には、誘電体ガラス層が形成され
たガラス基板３１が装着されており、ＭｇＯを蒸発させ
る電子銃３２が設けられている。イオンガン３３は、電
子銃３２で蒸発させたＭｇＯにイオンビームを照射する
ものである。
ンビーム照射装置の概略図である。この装置において、
真空チャンバー３５内には、誘電体ガラス層が形成され
たガラス基板３１が装着されており、ＭｇＯを蒸発させ
る電子銃３２が設けられている。イオンガン３３は、電
子銃３２で蒸発させたＭｇＯにイオンビームを照射する
ものである。
【００３１】この装置を用いて、次のようにイオンビー
ムを照射しながらＭｇＯの蒸着を行う。先ず、誘電体ガ
ラス層が形成されたガラス基板３１を真空チャンバー３
５内にセットし、ＭｇＯの結晶を電子銃３２の中に入れ
る。真空チャンバー３５内を真空にして、基板３１を加
熱する（１５０℃）。そして、電子銃３２でＭｇＯを蒸
発させると共に、イオンガン３３を用いてアルゴンのイ
オンビームを基板３１に向けて照射することによって、
ＭｇＯの保護層を形成する。
ムを照射しながらＭｇＯの蒸着を行う。先ず、誘電体ガ
ラス層が形成されたガラス基板３１を真空チャンバー３
５内にセットし、ＭｇＯの結晶を電子銃３２の中に入れ
る。真空チャンバー３５内を真空にして、基板３１を加
熱する（１５０℃）。そして、電子銃３２でＭｇＯを蒸
発させると共に、イオンガン３３を用いてアルゴンのイ
オンビームを基板３１に向けて照射することによって、
ＭｇＯの保護層を形成する。
【００３２】このように、イオンビームを照射しながら
蒸着する方法でＭｇＯの保護層を形成することによっ
て、ＭｇＯの結晶は緩やかに成長し配向性がコントロー
ルされ、（１１０）面配向の緻密なＭｇＯからなる保護
層を形成することができる。このように形成された（１
００）面あるいは（１１０）面に配向された緻密な膜構
造のＭｇＯ層は、従来の蒸着法により形成された（１１
１）面配向のＭｇＯ層と比べて、耐スパッタ性が優れて
いる。
蒸着する方法でＭｇＯの保護層を形成することによっ
て、ＭｇＯの結晶は緩やかに成長し配向性がコントロー
ルされ、（１１０）面配向の緻密なＭｇＯからなる保護
層を形成することができる。このように形成された（１
００）面あるいは（１１０）面に配向された緻密な膜構
造のＭｇＯ層は、従来の蒸着法により形成された（１１
１）面配向のＭｇＯ層と比べて、耐スパッタ性が優れて
いる。
【００３３】（蛍光体層の形成について）図４は、本実
施の形態にかかる被覆蛍光体粒子４０を示す概略断面図
であって、蛍光体粒子４１の表面に均一なコーティング
層４２が形成され、コーティング層４２の膜厚は、上記
数１式を満たすように設定されている。蛍光体粒子４１
としては、ＰＤＰの分野で一般的に用いられいるものを
用いることができるが、ここでは、以下のものを用いる
ものとする。
施の形態にかかる被覆蛍光体粒子４０を示す概略断面図
であって、蛍光体粒子４１の表面に均一なコーティング
層４２が形成され、コーティング層４２の膜厚は、上記
数１式を満たすように設定されている。蛍光体粒子４１
としては、ＰＤＰの分野で一般的に用いられいるものを
用いることができるが、ここでは、以下のものを用いる
ものとする。
【００３４】 青色蛍光体： ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+ 緑色蛍光体： Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ 赤色蛍光体： （ＹxＧｄ1-x）ＢＯ3：Ｅｕ3+ コーティング層４２の材料としては、屈折率が蛍光体の
屈折率よりも小さいこと及び紫外線を透過できることが
必要であり、具体的にはＳｉＯ2、ＳｉＦ2、Ｓｉ（Ｏ・
Ｆ）2、ＭｇＦ2、ＣａＦ2等の酸化物、酸フッ化物、フ
ッ化物を挙げることができる（電子技術総合研究所彙報
第４４巻 第１，２号 １９８０年参照）。この中で
も、ＳｉＯ2やＳｉ（Ｏ・Ｆ）2は、化学的に安定であっ
て好ましい。
屈折率よりも小さいこと及び紫外線を透過できることが
必要であり、具体的にはＳｉＯ2、ＳｉＦ2、Ｓｉ（Ｏ・
Ｆ）2、ＭｇＦ2、ＣａＦ2等の酸化物、酸フッ化物、フ
ッ化物を挙げることができる（電子技術総合研究所彙報
第４４巻 第１，２号 １９８０年参照）。この中で
も、ＳｉＯ2やＳｉ（Ｏ・Ｆ）2は、化学的に安定であっ
て好ましい。
【００３５】コーティング層４２は、蛍光体粒子４１を
イオンの衝突から保護すると共に、以下に説明するよう
に、蛍光体粒子４１表面での紫外線の反射を防ぎ、蛍光
体粒子４１の紫外線利用率を向上させる働きがある。通
常、蛍光体粒子４１の紫外線（波長１４０〜２００ｎ
ｍ）領域における屈折率は２．０前後と考えられてお
り、未処理の蛍光体粒子４１の表面に紫外線が入射した
時には、反射による損失が大きく、紫外線の利用効率は
低いと考えられる（この点に関して、「久保田、波動光
学、岩波書店、１９７３年、１１ページ」に、蛍光体粒
子の屈折率が２の場合、表面での紫外線の反射率が約１
１％になることが記載されている）。
イオンの衝突から保護すると共に、以下に説明するよう
に、蛍光体粒子４１表面での紫外線の反射を防ぎ、蛍光
体粒子４１の紫外線利用率を向上させる働きがある。通
常、蛍光体粒子４１の紫外線（波長１４０〜２００ｎ
ｍ）領域における屈折率は２．０前後と考えられてお
り、未処理の蛍光体粒子４１の表面に紫外線が入射した
時には、反射による損失が大きく、紫外線の利用効率は
低いと考えられる（この点に関して、「久保田、波動光
学、岩波書店、１９７３年、１１ページ」に、蛍光体粒
子の屈折率が２の場合、表面での紫外線の反射率が約１
１％になることが記載されている）。
【００３６】これに対して、コーティング層４２を設け
ると、表面での紫外線の反射が防止される。更に、コー
ティング層４２膜厚は上記数１で示す値に設定されてい
るため、コーティング層４２の表面で反射される紫外線
と蛍光体粒子４１の表面で反射される紫外線とが干渉し
て反射量は小さくなり、逆に蛍光体粒子４１の中に入り
込む紫外線量は増大する（波動光学、岩波書店 １９７
３年、Ｐ．１０９参照）。従って、蛍光体粒子４１の紫
外線利用率が向上する。なお、コーティング層４２の膜
厚を上記数１式の値に設定したときには効果が大きい
が、上記数１式の値の近傍にあれば、ある程度の効果を
奏するものと考えられる。
ると、表面での紫外線の反射が防止される。更に、コー
ティング層４２膜厚は上記数１で示す値に設定されてい
るため、コーティング層４２の表面で反射される紫外線
と蛍光体粒子４１の表面で反射される紫外線とが干渉し
て反射量は小さくなり、逆に蛍光体粒子４１の中に入り
込む紫外線量は増大する（波動光学、岩波書店 １９７
３年、Ｐ．１０９参照）。従って、蛍光体粒子４１の紫
外線利用率が向上する。なお、コーティング層４２の膜
厚を上記数１式の値に設定したときには効果が大きい
が、上記数１式の値の近傍にあれば、ある程度の効果を
奏するものと考えられる。
【００３７】ところで、コーティング層４２の膜厚が厚
くなり過ぎると、イオン衝突に対する信頼性は向上する
ものの、紫外線（１４７ｎｍ，１７３ｎｍ）の透過率が
低下する傾向を示す。従って、ＳｉＯ2からなるコーテ
ィング層の場合、膜厚は２００ｎｍ以下に設定するのが
好ましい。放電空間で発生する紫外線の波長が１４７ｎ
ｍであって、コーティング層４２がＳｉＯ2（屈折率ｎ
＝１．４１）からなる場合、上記数１式を満たすコーテ
ィング層４２の膜厚は、約２６ｎｍ，７８ｎｍ，１３０
ｎｍ，１８２ｎｍとなる（上記数１式においてｍ＝０，
１，２，３に相当）。
くなり過ぎると、イオン衝突に対する信頼性は向上する
ものの、紫外線（１４７ｎｍ，１７３ｎｍ）の透過率が
低下する傾向を示す。従って、ＳｉＯ2からなるコーテ
ィング層の場合、膜厚は２００ｎｍ以下に設定するのが
好ましい。放電空間で発生する紫外線の波長が１４７ｎ
ｍであって、コーティング層４２がＳｉＯ2（屈折率ｎ
＝１．４１）からなる場合、上記数１式を満たすコーテ
ィング層４２の膜厚は、約２６ｎｍ，７８ｎｍ，１３０
ｎｍ，１８２ｎｍとなる（上記数１式においてｍ＝０，
１，２，３に相当）。
【００３８】コーティング層４２の膜厚の測定は、走査
電子顕微鏡（ＳＥＭ）あるいは透過電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）を用いて行うことができる。なお、ＣＲＴの場合、
電子線が蛍光体粒子に１０μｍ程度の深さまで進入する
のに対して、ＰＤＰの場合、紫外線が蛍光体中へ進入す
る度合は、ごく表面層（０．１μｍ以下）に限られてい
る。
電子顕微鏡（ＳＥＭ）あるいは透過電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）を用いて行うことができる。なお、ＣＲＴの場合、
電子線が蛍光体粒子に１０μｍ程度の深さまで進入する
のに対して、ＰＤＰの場合、紫外線が蛍光体中へ進入す
る度合は、ごく表面層（０．１μｍ以下）に限られてい
る。
【００３９】ＳｉＯ2やＳｉ（Ｏ・Ｆ）2のコーティング
層４２を形成するには、硅酸カリ、硅酸エチルやケイフ
ッ化水素酸を加水分解することによって、蛍光体粒子４
１の表面にＳｉＯ2やＳｉ（Ｏ・Ｆ）2を吸着させる方法
が有効である。このとき、膜厚は、反応温度や反応時間
等の条件によって変化するので、これらの条件を調整す
ることによって、所定の膜厚に調整することができる。
層４２を形成するには、硅酸カリ、硅酸エチルやケイフ
ッ化水素酸を加水分解することによって、蛍光体粒子４
１の表面にＳｉＯ2やＳｉ（Ｏ・Ｆ）2を吸着させる方法
が有効である。このとき、膜厚は、反応温度や反応時間
等の条件によって変化するので、これらの条件を調整す
ることによって、所定の膜厚に調整することができる。
【００４０】（実施の形態２）本実施の形態のＰＤＰ
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、蛍光体粒子の被覆処理において、
平均粒径２０ｎｍ〜１００ｎｍの粒状物質を、粒子間に
紫外線が通過できる隙間を隔てて配設している点が異な
っている。
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、蛍光体粒子の被覆処理において、
平均粒径２０ｎｍ〜１００ｎｍの粒状物質を、粒子間に
紫外線が通過できる隙間を隔てて配設している点が異な
っている。
【００４１】図５は、本実施の形態にかかる被覆蛍光体
粒子５０を示す概略断面図であって、蛍光体粒子５１の
表面に、粒状物質５２が、紫外線が通過できる隙間５３
を隔てて島状に付着している。ここで、粒状物質５２ど
うしの平均間隔ｄは１０ｎｍ〜１００ｎｍに設定し、島
の平均高さｈと平均間隔ｄとの比ｈ／ｄ（アスペクト
比）は、１／１〜４／１の範囲となるように設定するこ
とが好ましい。なお、島の間隔（島どうしが一番接近し
ているところの距離）や高さは、ＳＥＭで測定すること
ができる。
粒子５０を示す概略断面図であって、蛍光体粒子５１の
表面に、粒状物質５２が、紫外線が通過できる隙間５３
を隔てて島状に付着している。ここで、粒状物質５２ど
うしの平均間隔ｄは１０ｎｍ〜１００ｎｍに設定し、島
の平均高さｈと平均間隔ｄとの比ｈ／ｄ（アスペクト
比）は、１／１〜４／１の範囲となるように設定するこ
とが好ましい。なお、島の間隔（島どうしが一番接近し
ているところの距離）や高さは、ＳＥＭで測定すること
ができる。
【００４２】用いる粒状物質５２の性質としては、イオ
ンの衝突に耐えるものであれば良く、屈折率は特に限定
されない。粒状物質５２の具体例としては、平均粒径２
０ｎｍ〜１００ｎｍのＳｉＯ2，ＴｉＯ2，ＭｇＯ，Ａｌ
2Ｏ3，ＺｒＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2といった酸化物を挙
げることができる。このような被覆蛍光体粒子５０は、
蛍光体粒子５１と、粒状物質５２とを、金属アルコキシ
ドのような結合剤と共に混合し、蛍光体粒子５１の表面
に粒状物質５２を付着させることによって作製すること
ができる。ここで、反応条件を変えることによって、平
均間隔ｄも変わるので、反応条件を調整することによっ
て、所定の平均間隔ｄに調整することができる。
ンの衝突に耐えるものであれば良く、屈折率は特に限定
されない。粒状物質５２の具体例としては、平均粒径２
０ｎｍ〜１００ｎｍのＳｉＯ2，ＴｉＯ2，ＭｇＯ，Ａｌ
2Ｏ3，ＺｒＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2といった酸化物を挙
げることができる。このような被覆蛍光体粒子５０は、
蛍光体粒子５１と、粒状物質５２とを、金属アルコキシ
ドのような結合剤と共に混合し、蛍光体粒子５１の表面
に粒状物質５２を付着させることによって作製すること
ができる。ここで、反応条件を変えることによって、平
均間隔ｄも変わるので、反応条件を調整することによっ
て、所定の平均間隔ｄに調整することができる。
【００４３】図５に示されるように、粒状物質５２によ
って形成される島の平均高さｈは、粒状物質５２の平均
粒径とほぼ同等と見なすことができるので、用いる粒状
物質５２の平均粒径に合わせて、アスペクト比ｈ／ｄが
上記の範囲となるような反応条件を選択することが好ま
しい。このような構成の被覆蛍光体粒子５０を用いるこ
とによって、粒状物質５２がプラズマ中のイオンの衝突
から蛍光体粒子５１を保護し、蛍光体層１８の耐久性を
向上させることができる。
って形成される島の平均高さｈは、粒状物質５２の平均
粒径とほぼ同等と見なすことができるので、用いる粒状
物質５２の平均粒径に合わせて、アスペクト比ｈ／ｄが
上記の範囲となるような反応条件を選択することが好ま
しい。このような構成の被覆蛍光体粒子５０を用いるこ
とによって、粒状物質５２がプラズマ中のイオンの衝突
から蛍光体粒子５１を保護し、蛍光体層１８の耐久性を
向上させることができる。
【００４４】一方、紫外線は、粒状物質５２どうしの隙
間５３を多重反射しながら内部の蛍光体粒子５１に到達
するので、紫外線の反射を防止し、紫外線の利用効率を
向上させることができる。このような効果は、アスペク
ト比ｈ／ｄが上記の範囲にあり、平均間隔ｄが１０ｎｍ
〜１００ｎｍにある場合は特に優れるものと考えられ
る。
間５３を多重反射しながら内部の蛍光体粒子５１に到達
するので、紫外線の反射を防止し、紫外線の利用効率を
向上させることができる。このような効果は、アスペク
ト比ｈ／ｄが上記の範囲にあり、平均間隔ｄが１０ｎｍ
〜１００ｎｍにある場合は特に優れるものと考えられ
る。
【００４５】（実施の形態３）本実施の形態のＰＤＰ
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、蛍光体粒子の表面に、有機金属化
合物の加水分解反応を急速に行なうことによって、蛍光
体表面上に金属酸化物を凹凸のある島状に配設する点が
異なっている。
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、蛍光体粒子の表面に、有機金属化
合物の加水分解反応を急速に行なうことによって、蛍光
体表面上に金属酸化物を凹凸のある島状に配設する点が
異なっている。
【００４６】用いる有機金属化合物としては、Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｓｎなどの金属キレート
やアルコキシドが挙げられ、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａｌ2
Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2といった金
属酸化物が島状に生成される。図６は、本実施の形態に
かかる被覆蛍光体粒子６０を示す概略断面図であって、
蛍光体粒子６１の表面に、紫外線が通過できる隙間６３
を隔てて、金属酸化物６２が島状に形成されている。
ｌ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｓｎなどの金属キレート
やアルコキシドが挙げられ、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａｌ2
Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2といった金
属酸化物が島状に生成される。図６は、本実施の形態に
かかる被覆蛍光体粒子６０を示す概略断面図であって、
蛍光体粒子６１の表面に、紫外線が通過できる隙間６３
を隔てて、金属酸化物６２が島状に形成されている。
【００４７】このような構成によって、上記実施の形態
２と同様、蛍光体粒子６１の表面に島状に配設された金
属酸化物６２が、プラズマ中のイオンから蛍光体粒子を
保護し、蛍光体層の耐久性を向上させる。一方、紫外線
は、金属酸化物６２の島どうしの隙間６３を多重反射し
ながら内部の蛍光体粒子に到達する。また、本実施形態
においても、反応条件を変えることによって、金属酸化
物６２からなる島の平均間隔や平均高さを変えることが
できるので、反応条件を調整することによって、上述し
た適当な平均間隔及びアスペクト比に調整すればよい。
２と同様、蛍光体粒子６１の表面に島状に配設された金
属酸化物６２が、プラズマ中のイオンから蛍光体粒子を
保護し、蛍光体層の耐久性を向上させる。一方、紫外線
は、金属酸化物６２の島どうしの隙間６３を多重反射し
ながら内部の蛍光体粒子に到達する。また、本実施形態
においても、反応条件を変えることによって、金属酸化
物６２からなる島の平均間隔や平均高さを変えることが
できるので、反応条件を調整することによって、上述し
た適当な平均間隔及びアスペクト比に調整すればよい。
【００４８】
［実施例１］
【００４９】
【表１】 表１に示したＮｏ．１〜４のＰＤＰは、上記実施の形態
１に基づいて作製したものであって、隔壁１７は、スク
リーン印刷をくりかえし行なった後焼成することによっ
て形成し、４２インチのハイビジョンテレビ用のディス
プレイに合わせて、隔壁１７の高さは０．１５ｍｍ、隔
壁１７の間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し
た。
１に基づいて作製したものであって、隔壁１７は、スク
リーン印刷をくりかえし行なった後焼成することによっ
て形成し、４２インチのハイビジョンテレビ用のディス
プレイに合わせて、隔壁１７の高さは０．１５ｍｍ、隔
壁１７の間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し
た。
【００５０】鉛系の誘電体ガラス層１３は、７５重量％
の酸化鉛［ＰｂＯ］と１５重量％の酸化硼素［Ｂ2Ｏ3］
と１０重量％の酸化硅素［ＳｉＯ2］と有機バインダー
［α− ターピネオールに１０％のエチルセルローズを
溶解したもの］とを混合してなる組成物を、スクリーン
印刷法で塗布した後、５２０℃で１０分間焼成すること
によって形成し、その膜厚は２０μｍに設定した。
の酸化鉛［ＰｂＯ］と１５重量％の酸化硼素［Ｂ2Ｏ3］
と１０重量％の酸化硅素［ＳｉＯ2］と有機バインダー
［α− ターピネオールに１０％のエチルセルローズを
溶解したもの］とを混合してなる組成物を、スクリーン
印刷法で塗布した後、５２０℃で１０分間焼成すること
によって形成し、その膜厚は２０μｍに設定した。
【００５１】放電ガスにおけるＨｅとＸｅの比率及び封
入圧力は、表１の各該当欄に示す条件に設定した。誘電
体ガラス層の保護層の形成方法については、Ｎｏ．１，
２では、熱ＣＶＤ法で、Magnesium Dipivaloyl Methane
［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］をソースとして用い、気化器
２２の温度は１２５℃、ガラス基板２７の加熱温度は３
５０℃に設定し、Ａｒガスの流量は１ l／分、酸素の流
量は２ l／分で、共に１分間流し、膜形成速度は１．０
μｍ／分に調整し、膜厚１．０μｍのＭｇＯ層を形成し
た。
入圧力は、表１の各該当欄に示す条件に設定した。誘電
体ガラス層の保護層の形成方法については、Ｎｏ．１，
２では、熱ＣＶＤ法で、Magnesium Dipivaloyl Methane
［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］をソースとして用い、気化器
２２の温度は１２５℃、ガラス基板２７の加熱温度は３
５０℃に設定し、Ａｒガスの流量は１ l／分、酸素の流
量は２ l／分で、共に１分間流し、膜形成速度は１．０
μｍ／分に調整し、膜厚１．０μｍのＭｇＯ層を形成し
た。
【００５２】Ｎｏ．３，４では、イオンビーム（電流１
０ｍＡ）を照射しながらＭｇＯを蒸着する方法で膜厚
１．０μｍのＭｇＯ層を形成した。蛍光体粒子に対する
コーティング層の形成は、次のような方法で行った。Ｎ
ｏ．１では、各色蛍光体粒子の粉末を、脱イオン水中に
投入し、超音波バス中において、約１時間分散させ、懸
濁液を作成し、次にこれに硅酸カリ［Ｋ2Ｏ・ＳｉＯ2］
を１ｖｏｌ％添加し、硝酸バリウム［ＢａＮＯ3］の水
溶液を添加しながら４時間スターラーで撹拌することに
よって、蛍光体粒子の表面上に非晶質のＳｉＯ2を厚さ
約２８ｎｍで吸着させた。その後、これを水洗し、脱
水、乾燥後、５００℃で焼成することによって、蛍光体
粒子の表面に膜厚約２５ｎｍのＳｉＯ2層を形成した。
０ｍＡ）を照射しながらＭｇＯを蒸着する方法で膜厚
１．０μｍのＭｇＯ層を形成した。蛍光体粒子に対する
コーティング層の形成は、次のような方法で行った。Ｎ
ｏ．１では、各色蛍光体粒子の粉末を、脱イオン水中に
投入し、超音波バス中において、約１時間分散させ、懸
濁液を作成し、次にこれに硅酸カリ［Ｋ2Ｏ・ＳｉＯ2］
を１ｖｏｌ％添加し、硝酸バリウム［ＢａＮＯ3］の水
溶液を添加しながら４時間スターラーで撹拌することに
よって、蛍光体粒子の表面上に非晶質のＳｉＯ2を厚さ
約２８ｎｍで吸着させた。その後、これを水洗し、脱
水、乾燥後、５００℃で焼成することによって、蛍光体
粒子の表面に膜厚約２５ｎｍのＳｉＯ2層を形成した。
【００５３】Ｎｏ．２では、各色蛍光体粒子の粉末を、
硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ2Ｈ5）4］／エチルアルコー
ル／水／硝酸がモル比で２対４５対１２対０．２６の割
合で混合された溶液中に投入し、超音波バスの中におい
て撹拌しながら約０．５時間反応させることによって、
蛍光体粒子の表面上に非晶質のＳｉＯ2を厚さ約７８ｎ
ｍで吸着させた。その後、これを水洗し、脱水、乾燥後
５００℃で焼成することによって、蛍光体粒子の表面に
膜厚約７６ｎｍのＳｉＯ2層を形成した。
硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ2Ｈ5）4］／エチルアルコー
ル／水／硝酸がモル比で２対４５対１２対０．２６の割
合で混合された溶液中に投入し、超音波バスの中におい
て撹拌しながら約０．５時間反応させることによって、
蛍光体粒子の表面上に非晶質のＳｉＯ2を厚さ約７８ｎ
ｍで吸着させた。その後、これを水洗し、脱水、乾燥後
５００℃で焼成することによって、蛍光体粒子の表面に
膜厚約７６ｎｍのＳｉＯ2層を形成した。
【００５４】Ｎｏ．３では、各色蛍光体粒子の粉末を、
５モル％の硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ2Ｈ5）4］と０．
０２モル％のステアリン酸を含むノルマルヘキサン溶液
中に投入し、超音波バス中において１時間を分散させて
懸濁液を作り、これをスターラーで撹拌しながら１０時
間反応を進めることによって、蛍光体粒子の表面に非晶
質のＳｉＯ2を厚さ約１３０ｎｍで吸着させた。次に、
溶液から粒子を分離し、メタノールで洗浄後乾燥し、５
００℃で焼成することによって、蛍光体粒子の表面に膜
厚約１２７ｎｍのＳｉＯ2層を形成した。
５モル％の硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ2Ｈ5）4］と０．
０２モル％のステアリン酸を含むノルマルヘキサン溶液
中に投入し、超音波バス中において１時間を分散させて
懸濁液を作り、これをスターラーで撹拌しながら１０時
間反応を進めることによって、蛍光体粒子の表面に非晶
質のＳｉＯ2を厚さ約１３０ｎｍで吸着させた。次に、
溶液から粒子を分離し、メタノールで洗浄後乾燥し、５
００℃で焼成することによって、蛍光体粒子の表面に膜
厚約１２７ｎｍのＳｉＯ2層を形成した。
【００５５】Ｎｏ．４では、先ず、ケイフッ化水素酸
［Ｈ2ＳｉＦ6］水溶液にシリカゲル［ＳｉＯ2］を飽和
するまで添加し、次に、各色蛍光体粒子の粉末とホウ酸
（Ｈ3ＢＯ3）を少量加えながら超音波バス中で７時間撹
拌することによって、蛍光体粒子の表面に非晶質のＳｉ
（Ｏ・Ｆ）2を吸着させた。次に、この溶液から粒子を
分離し、水洗後乾燥し６００℃で焼成することによっ
て、蛍光体粒子の表面に膜厚約１７７ｎｍのＳｉ（Ｏ・
Ｆ）2層を形成した。
［Ｈ2ＳｉＦ6］水溶液にシリカゲル［ＳｉＯ2］を飽和
するまで添加し、次に、各色蛍光体粒子の粉末とホウ酸
（Ｈ3ＢＯ3）を少量加えながら超音波バス中で７時間撹
拌することによって、蛍光体粒子の表面に非晶質のＳｉ
（Ｏ・Ｆ）2を吸着させた。次に、この溶液から粒子を
分離し、水洗後乾燥し６００℃で焼成することによっ
て、蛍光体粒子の表面に膜厚約１７７ｎｍのＳｉ（Ｏ・
Ｆ）2層を形成した。
【００５６】上記のようにして得られた各蛍光体粒子
を、１０％のエチルセルロースを含むα−ターピネオー
ルと混合し、三本ロールでスクリーン印刷用のペースト
とし、スクリーン印刷法で隔壁内に印刷し、５００℃で
焼成することによって蛍光体層を形成した。 ［比較例１］表１に示したＮｏ．５のＰＤＰは、蛍光体
粒子に被覆処理をしていない点と放電ガスの組成比率が
異なっている点以外は、実施例１のＮｏ．１のＰＤＰと
同様の構成である。
を、１０％のエチルセルロースを含むα−ターピネオー
ルと混合し、三本ロールでスクリーン印刷用のペースト
とし、スクリーン印刷法で隔壁内に印刷し、５００℃で
焼成することによって蛍光体層を形成した。 ［比較例１］表１に示したＮｏ．５のＰＤＰは、蛍光体
粒子に被覆処理をしていない点と放電ガスの組成比率が
異なっている点以外は、実施例１のＮｏ．１のＰＤＰと
同様の構成である。
【００５７】［実験１］上記Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５のＰＤ
Ｐを用いて、放電維持電圧１５０Ｖ周波数３０ＫＨｚで
放電させた時の紫外線の波長、パネル輝度、７０００時
間駆動したときのパネル輝度の変化率及び放電維持電圧
の変化率（初期値に対する７０００時間駆動後の値の変
化率）を測定した。
Ｐを用いて、放電維持電圧１５０Ｖ周波数３０ＫＨｚで
放電させた時の紫外線の波長、パネル輝度、７０００時
間駆動したときのパネル輝度の変化率及び放電維持電圧
の変化率（初期値に対する７０００時間駆動後の値の変
化率）を測定した。
【００５８】その測定結果は表１に示されている。表１
で紫外線の波長が１４７ｎｍと記載されているのは、１
４７ｎｍを中心とするＸｅの共鳴線による励起波長が主
であることを示し、紫外線の波長が１７３ｎｍと記載さ
れいるのは、１７３ｎｍを中心とするＸｅの分子線励起
による波長が主であることを示している。
で紫外線の波長が１４７ｎｍと記載されているのは、１
４７ｎｍを中心とするＸｅの共鳴線による励起波長が主
であることを示し、紫外線の波長が１７３ｎｍと記載さ
れいるのは、１７３ｎｍを中心とするＸｅの分子線励起
による波長が主であることを示している。
【００５９】表１から明らかなように、Ｎｏ．１〜Ｎ
ｏ．４のＰＤＰは、Ｎｏ．５のＰＤＰと比べて、パネル
輝度の初期値が高く、所定時間経過後のパネル輝度の変
化も少ない。これは、ＳｉＯ2のコーティング層を、上
記数１式を満たす膜厚で、蛍光体粒子の表面に形成する
ことによって、蛍光体粒子への紫外線の吸収率が向上す
ると共に、蛍光体層の耐久性も向上することを示してい
る。
ｏ．４のＰＤＰは、Ｎｏ．５のＰＤＰと比べて、パネル
輝度の初期値が高く、所定時間経過後のパネル輝度の変
化も少ない。これは、ＳｉＯ2のコーティング層を、上
記数１式を満たす膜厚で、蛍光体粒子の表面に形成する
ことによって、蛍光体粒子への紫外線の吸収率が向上す
ると共に、蛍光体層の耐久性も向上することを示してい
る。
【００６０】［実施例２］
【００６１】
【表２】 表２に示したＮｏ．６〜１２のＰＤＰは、上記実施の形
態２に基づいて作製したものである。これらのＰＤＰの
構成は、蛍光体層以外は上記実施例１のＮｏ．５のＰＤ
Ｐと同様であって、１０％のＸｅガスを含むヘリウムガ
ス（Ｈｅ）ガスを放電ガスとし、封入圧力は６００Ｔｏ
ｒｒである。また、蛍光体層の形成においても、スクリ
ーン印刷の方法は、実施例１のＰＤＰと同様であって、
蛍光体粒子の被覆処理の形態だけが異なっている。
態２に基づいて作製したものである。これらのＰＤＰの
構成は、蛍光体層以外は上記実施例１のＮｏ．５のＰＤ
Ｐと同様であって、１０％のＸｅガスを含むヘリウムガ
ス（Ｈｅ）ガスを放電ガスとし、封入圧力は６００Ｔｏ
ｒｒである。また、蛍光体層の形成においても、スクリ
ーン印刷の方法は、実施例１のＰＤＰと同様であって、
蛍光体粒子の被覆処理の形態だけが異なっている。
【００６２】以下、Ｎｏ．６〜１２のＰＤＰにおける蛍
光体粒子の被覆処理の方法について説明する。Ｎｏ．６
では、平均粒径０．３μｍの各色蛍光体粒子の粉末と、
平均粒径２０ｎｍ（０．０２μｍ）のＳｉＯ2粒子と
を、金属アルコキシドである硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ
2Ｈ5）4］とエチルアルコール［Ｃ2Ｈ5ＯＨ］（硅酸エ
チルとエチルアルコールの比、１対９０）の溶液の中に
投入後、超音波バス中において、１０分間撹拌しながら
良く混合させることによって、蛍光体粒子の表面上に平
均粒径２０ｎｍのＳｉＯ2粒子を紫外線が透過できる隙
間（平均間隔約１０ｎｍ）をあけて付着させた。その
後、これを水洗し、脱水、乾燥後５００℃で焼成するこ
とによって、蛍光体粒子の表面に島状にＳｉＯ2を配設
した。なお、硅酸エチルは、蛍光体粒子とＳｉＯ2粒子
を結合するカップリング剤としての役割を果している。
光体粒子の被覆処理の方法について説明する。Ｎｏ．６
では、平均粒径０．３μｍの各色蛍光体粒子の粉末と、
平均粒径２０ｎｍ（０．０２μｍ）のＳｉＯ2粒子と
を、金属アルコキシドである硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ
2Ｈ5）4］とエチルアルコール［Ｃ2Ｈ5ＯＨ］（硅酸エ
チルとエチルアルコールの比、１対９０）の溶液の中に
投入後、超音波バス中において、１０分間撹拌しながら
良く混合させることによって、蛍光体粒子の表面上に平
均粒径２０ｎｍのＳｉＯ2粒子を紫外線が透過できる隙
間（平均間隔約１０ｎｍ）をあけて付着させた。その
後、これを水洗し、脱水、乾燥後５００℃で焼成するこ
とによって、蛍光体粒子の表面に島状にＳｉＯ2を配設
した。なお、硅酸エチルは、蛍光体粒子とＳｉＯ2粒子
を結合するカップリング剤としての役割を果している。
【００６３】Ｎｏ．７では、平均粒径１．０μｍの各色
蛍光体粒子の粉末と、平均粒径５０ｎｍ（０．０５μ
ｍ）のＴｉＯ2粒子を、硅酸メチル［Ｓｉ（Ｏ・ＣＨ3）
4］とエチルアルコール（硅酸メチルとエチルアルコー
ルの比、１対９０）の溶液の中に投入後、超音波バス中
において、１０分間撹拌しながら良く混合させることに
よって、蛍光体粒子の表面上にＴｉＯ2粒子を紫外線が
透過できる隙間（平均間隔約３０ｎｍ）をあけて付着さ
せた。その後、これを水洗し、脱水、乾燥後５００℃で
焼成することによって、蛍光体粒子の表面にＳｉＯ2を
島状に配設した。Ｎｏ．８では、平均粒径１．５μｍの
各色蛍光体粒子の粉末と、平均粒径８０ｎｍ（０．０８
μｍ）のＡｌ2Ｏ3粒子を、硅酸メチル［Ｓｉ（Ｏ・ＣＨ
3）4］とエチルアルコール（硅酸メチルとエチルアルコ
ールの比、１対９０）の溶液の中に投入後、超音波バス
中において、１０分間撹拌しながら良く混合させること
によって、蛍光体粒子の表面上に、平均粒径８０ｎｍの
Ａｌ2Ｏ3粒子を紫外線が通過できる隙間（平均間隔約８
０ｎｍ）をあけて付着させた。その後、これを水洗し、
脱水、乾燥後５００℃で焼成することによって、蛍光体
粒子の表面に島状にＡｌ2Ｏ3を配設した。
蛍光体粒子の粉末と、平均粒径５０ｎｍ（０．０５μ
ｍ）のＴｉＯ2粒子を、硅酸メチル［Ｓｉ（Ｏ・ＣＨ3）
4］とエチルアルコール（硅酸メチルとエチルアルコー
ルの比、１対９０）の溶液の中に投入後、超音波バス中
において、１０分間撹拌しながら良く混合させることに
よって、蛍光体粒子の表面上にＴｉＯ2粒子を紫外線が
透過できる隙間（平均間隔約３０ｎｍ）をあけて付着さ
せた。その後、これを水洗し、脱水、乾燥後５００℃で
焼成することによって、蛍光体粒子の表面にＳｉＯ2を
島状に配設した。Ｎｏ．８では、平均粒径１．５μｍの
各色蛍光体粒子の粉末と、平均粒径８０ｎｍ（０．０８
μｍ）のＡｌ2Ｏ3粒子を、硅酸メチル［Ｓｉ（Ｏ・ＣＨ
3）4］とエチルアルコール（硅酸メチルとエチルアルコ
ールの比、１対９０）の溶液の中に投入後、超音波バス
中において、１０分間撹拌しながら良く混合させること
によって、蛍光体粒子の表面上に、平均粒径８０ｎｍの
Ａｌ2Ｏ3粒子を紫外線が通過できる隙間（平均間隔約８
０ｎｍ）をあけて付着させた。その後、これを水洗し、
脱水、乾燥後５００℃で焼成することによって、蛍光体
粒子の表面に島状にＡｌ2Ｏ3を配設した。
【００６４】Ｎｏ．９では、平均粒径５．０μｍの各色
蛍光体粒子の粉末と、平均粒径１００ｎｍ（０．１μ
ｍ）のＭｇＯ粒子とを、硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ
2Ｈ5）4］とエチルアルコール（硅酸エチルとエチルア
ルコールの比、１対９０）の溶液の中に投入後、超音波
バス中において、１０分間撹拌しながら良く混合させる
ことによって、蛍光体粒子の表面上に、平均粒径１００
ｎｍのＭｇＯ粒子を、紫外線が通過できる隙間（平均間
隔約１００ｎｍ）を隔てて付着させた。その後、これを
水洗し、脱水、乾燥後５００℃で焼成することによっ
て、蛍光体粒子の表面に島状にＭｇＯを配設した。
蛍光体粒子の粉末と、平均粒径１００ｎｍ（０．１μ
ｍ）のＭｇＯ粒子とを、硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ
2Ｈ5）4］とエチルアルコール（硅酸エチルとエチルア
ルコールの比、１対９０）の溶液の中に投入後、超音波
バス中において、１０分間撹拌しながら良く混合させる
ことによって、蛍光体粒子の表面上に、平均粒径１００
ｎｍのＭｇＯ粒子を、紫外線が通過できる隙間（平均間
隔約１００ｎｍ）を隔てて付着させた。その後、これを
水洗し、脱水、乾燥後５００℃で焼成することによっ
て、蛍光体粒子の表面に島状にＭｇＯを配設した。
【００６５】同様にして、Ｎｏ．１０〜１２では、用い
る金属酸化物粒子の種類と平均粒径を変えて、蛍光体粒
子の表面に紫外線が通過できる隙間を隔てて金属酸化物
粒子を島状に配設した。以上のように表面に金属酸化物
粒子を島状に配設した蛍光体粒子を用いて、上記実施例
１と同様の方法でスクリーン印刷法で蛍光体層を形成し
た。
る金属酸化物粒子の種類と平均粒径を変えて、蛍光体粒
子の表面に紫外線が通過できる隙間を隔てて金属酸化物
粒子を島状に配設した。以上のように表面に金属酸化物
粒子を島状に配設した蛍光体粒子を用いて、上記実施例
１と同様の方法でスクリーン印刷法で蛍光体層を形成し
た。
【００６６】なお、表２に示したＮｏ．１３のＰＤＰ
は、比較例のＮｏ．５のＰＤＰと同様の構成である。 ［実験２］上記Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１３のＰＤＰを用い
て、放電維持電圧１５０Ｖ周波数３０ＫＨｚで放電させ
た時の紫外線の波長を測定したところ、１７３ｎｍを中
心とするＸｅの分子線による励起波長が主であった。ま
た、パネル輝度、７０００時間駆動したときのパネル輝
度の変化率及び放電維持電圧の変化率（初期値に対する
７０００時間駆動後の値の変化率）を測定した。その測
定結果は表２に示されている。
は、比較例のＮｏ．５のＰＤＰと同様の構成である。 ［実験２］上記Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１３のＰＤＰを用い
て、放電維持電圧１５０Ｖ周波数３０ＫＨｚで放電させ
た時の紫外線の波長を測定したところ、１７３ｎｍを中
心とするＸｅの分子線による励起波長が主であった。ま
た、パネル輝度、７０００時間駆動したときのパネル輝
度の変化率及び放電維持電圧の変化率（初期値に対する
７０００時間駆動後の値の変化率）を測定した。その測
定結果は表２に示されている。
【００６７】表２から明らかなように、Ｎｏ．６〜Ｎ
ｏ．１２のＰＤＰは、Ｎｏ．１３のＰＤＰと比べて、パ
ネル輝度（初期値）が高く、所定時間経過後のパネル輝
度の変化（劣化）も少ない。これは、蛍光体粒子の表面
に、紫外線が通過できる隙間を隔てて、金属酸化物粒子
を島状に配設することによって、蛍光体粒子への紫外線
の吸収率が向上すると共に、蛍光体層の耐久性も向上す
ることを示している。
ｏ．１２のＰＤＰは、Ｎｏ．１３のＰＤＰと比べて、パ
ネル輝度（初期値）が高く、所定時間経過後のパネル輝
度の変化（劣化）も少ない。これは、蛍光体粒子の表面
に、紫外線が通過できる隙間を隔てて、金属酸化物粒子
を島状に配設することによって、蛍光体粒子への紫外線
の吸収率が向上すると共に、蛍光体層の耐久性も向上す
ることを示している。
【００６８】［実施例３］
【００６９】
【表３】 表３に示したＮｏ．１４〜２２のＰＤＰは、上記実施の
形態３に基づいて作製したものである。これらのＰＤＰ
の構成は、蛍光体層以外は上記実施例１のＮｏ．１５の
ＰＤＰと同様であって、１０％のＸｅガスを含むヘリウ
ムガス（Ｈｅ）ガスを放電ガスとし、封入圧力は６００
Ｔｏｒｒである。また、蛍光体層の形成においても、ス
クリーン印刷の方法は実施例１のＰＤＰと同様であっ
て、蛍光体粒子の被覆処理の形態だけが異なっている。
形態３に基づいて作製したものである。これらのＰＤＰ
の構成は、蛍光体層以外は上記実施例１のＮｏ．１５の
ＰＤＰと同様であって、１０％のＸｅガスを含むヘリウ
ムガス（Ｈｅ）ガスを放電ガスとし、封入圧力は６００
Ｔｏｒｒである。また、蛍光体層の形成においても、ス
クリーン印刷の方法は実施例１のＰＤＰと同様であっ
て、蛍光体粒子の被覆処理の形態だけが異なっている。
【００７０】以下、Ｎｏ．１４〜２２の各ＰＤＰにおけ
る蛍光体粒子の被覆処理の方法について説明する。Ｎ
ｏ．１４では、平均粒径２．５μｍの各色蛍光体粒子の
粉末を、硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ2Ｈ5）4］とエチル
アルコール［Ｃ2Ｈ5ＯＨ］，水，硝酸がモル比で１０対
５０対５対１の割合で混合された溶液中に投入し、４０
℃に加熱した超音波バス中において撹拌しながら約１０
分間反応させることによって、蛍光体粒子の表面上に平
均高さ２２ｎｍで島状にＳｉＯ2を析出させた。その
後、これを水洗し、脱水、乾燥後５００℃で焼成するこ
とによって、蛍光体粒子の表面に、島状にＳｉＯ2を形
成した（島の平均間隔１０ｎｍ，平均高さ約２０ｎ
ｍ）。Ｎｏ．１５〜２２では、コーティング材料（有機
金属化合物の種類）、有機金属，アルコール，水，硝酸
のモル比、反応時間等を変えて、これと同様に蛍光体粒
子の表面に金属酸化物を島状に析出させた。
る蛍光体粒子の被覆処理の方法について説明する。Ｎ
ｏ．１４では、平均粒径２．５μｍの各色蛍光体粒子の
粉末を、硅酸エチル［Ｓｉ（Ｏ・Ｃ2Ｈ5）4］とエチル
アルコール［Ｃ2Ｈ5ＯＨ］，水，硝酸がモル比で１０対
５０対５対１の割合で混合された溶液中に投入し、４０
℃に加熱した超音波バス中において撹拌しながら約１０
分間反応させることによって、蛍光体粒子の表面上に平
均高さ２２ｎｍで島状にＳｉＯ2を析出させた。その
後、これを水洗し、脱水、乾燥後５００℃で焼成するこ
とによって、蛍光体粒子の表面に、島状にＳｉＯ2を形
成した（島の平均間隔１０ｎｍ，平均高さ約２０ｎ
ｍ）。Ｎｏ．１５〜２２では、コーティング材料（有機
金属化合物の種類）、有機金属，アルコール，水，硝酸
のモル比、反応時間等を変えて、これと同様に蛍光体粒
子の表面に金属酸化物を島状に析出させた。
【００７１】以上のように、表面に金属酸化物を島状に
配設した蛍光体粒子を用いて、上記実施例１と同様の方
法でスクリーン印刷法で蛍光体層を形成した。 ［実験３］作製したＮｏ．１４〜Ｎｏ．２２のＰＤＰを
用いて、放電維持電圧１５０Ｖ周波数３０ＫＨｚで放電
させた時の紫外線の波長を測定したところ、１７３ｎｍ
を中心とするＸｅの分子線による励起波長が主であっ
た。また、実験２と同じ条件でパネル輝度、パネル輝度
の変化率及び放電維持電圧の変化率を測定した。その測
定結果は表３に示されている。
配設した蛍光体粒子を用いて、上記実施例１と同様の方
法でスクリーン印刷法で蛍光体層を形成した。 ［実験３］作製したＮｏ．１４〜Ｎｏ．２２のＰＤＰを
用いて、放電維持電圧１５０Ｖ周波数３０ＫＨｚで放電
させた時の紫外線の波長を測定したところ、１７３ｎｍ
を中心とするＸｅの分子線による励起波長が主であっ
た。また、実験２と同じ条件でパネル輝度、パネル輝度
の変化率及び放電維持電圧の変化率を測定した。その測
定結果は表３に示されている。
【００７２】表２のＮｏ．１３のＰＤＰのデータと表３
のデータとから明らかなように、Ｎｏ．１４〜Ｎｏ．２
２のＰＤＰは、Ｎｏ．１３のＰＤＰと比べて、パネル輝
度（初期値）が高く、所定時間経過後のパネル輝度の変
化（劣化）も少ない。これは、蛍光体粒子の表面に、紫
外線が通過できる隙間を隔てて、金属酸化物を島状に付
着させることによって、蛍光体粒子への紫外線の吸収率
が向上すると共に、蛍光体層の耐久性も向上することを
示している。
のデータとから明らかなように、Ｎｏ．１４〜Ｎｏ．２
２のＰＤＰは、Ｎｏ．１３のＰＤＰと比べて、パネル輝
度（初期値）が高く、所定時間経過後のパネル輝度の変
化（劣化）も少ない。これは、蛍光体粒子の表面に、紫
外線が通過できる隙間を隔てて、金属酸化物を島状に付
着させることによって、蛍光体粒子への紫外線の吸収率
が向上すると共に、蛍光体層の耐久性も向上することを
示している。
【００７３】なお、上記実施の形態においては、交流面
放電型ＰＤＰについて説明したが、本発明は、これに限
らず、直流型のＰＤＰにおいても適用できる。
放電型ＰＤＰについて説明したが、本発明は、これに限
らず、直流型のＰＤＰにおいても適用できる。
【００７４】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明のＰＤＰ
では、蛍光体層を構成する蛍光体粒子の表面に、蛍光体
粒子の屈折率より低い屈折率のコーティング層を設け、
コーティング層の膜厚を、放電空間で発生する紫外線の
蛍光体粒子への透過率を、非コーティングの場合よりも
増大させるように設定したり、あるいは、蛍光体層を構
成する蛍光体粒子の表面に、突状物を、紫外線が通過で
きる隙間を隔てて島状に配することによって、コーティ
ング層や突状物が、プラズマ中のイオンの衝突から蛍光
体粒子を保護し、蛍光体層の耐久性を向上させる。ま
た、蛍光体粒子に取り込まれる紫外線量が増え、紫外線
の利用効率が向上するので、輝度を向上させることがで
きる。
では、蛍光体層を構成する蛍光体粒子の表面に、蛍光体
粒子の屈折率より低い屈折率のコーティング層を設け、
コーティング層の膜厚を、放電空間で発生する紫外線の
蛍光体粒子への透過率を、非コーティングの場合よりも
増大させるように設定したり、あるいは、蛍光体層を構
成する蛍光体粒子の表面に、突状物を、紫外線が通過で
きる隙間を隔てて島状に配することによって、コーティ
ング層や突状物が、プラズマ中のイオンの衝突から蛍光
体粒子を保護し、蛍光体層の耐久性を向上させる。ま
た、蛍光体粒子に取り込まれる紫外線量が増え、紫外線
の利用効率が向上するので、輝度を向上させることがで
きる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る交流面放電型ＰＤ
Ｐの概略断面図である。
Ｐの概略断面図である。
【図２】誘電体ガラス層の保護層を形成するのに用いる
ＣＶＤ装置の概略図である。
ＣＶＤ装置の概略図である。
【図３】誘電体ガラス層の保護層を形成するのに用いる
イオンビーム照射装置の概略図である。
イオンビーム照射装置の概略図である。
【図４】実施の形態１にかかる被覆蛍光体粒子を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図５】実施の形態２にかかる被覆蛍光体粒子を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図６】実施の形態３にかかる被覆蛍光体粒子を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図７】従来の一般的な交流面放電型ＰＤＰの概略断面
図である。
図である。
１１ 前面ガラス基板 １２ 放電電極 １３ 誘電体ガラス層 １４ 保護層 １５ 背面ガラス基板 １６ アドレス電極 １７ 隔壁 １８ 蛍光体層 １９ 放電空間 ４０ 被覆蛍光体粒子 ４１ 蛍光体粒子 ４２ コーティング層 ５０ 被覆蛍光体粒子 ５１ 蛍光体粒子 ５２ 粒状物質 ５３ 隙間 ６０ 被覆蛍光体粒子 ６１ 蛍光体粒子 ６２ 金属酸化物 ６３ 隙間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 茂夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 一対の平行に配されたプレートの間に、
電極及び蛍光体層が配設されガス媒体が封入された放電
空間が形成され、電極による放電に伴って紫外線を発し
前記蛍光体層で可視光に変換することによって発光する
プラズマディスプレイパネルであって、 前記蛍光体層を構成する蛍光体粒子の表面には、当該蛍
光体粒子の屈折率より低い屈折率を持つコーティング層
が設けられ、 当該コーティング層は、 放電空間で発生する紫外線の蛍光体粒子への透過率を、
非コーティングの場合よりも増大させるような膜厚に設
定されていることを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項２】前記コーティング層の膜厚は、 数１式で表される値に設定されていることを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。 【数１】 （但し、λは放電空間で発生する紫外線の波長、ｎはコ
ーティング層の屈折率、ｍは０，１，２，３） - 【請求項３】 前記コーティング層は、 ＳｉＯ2あるいはＳｉ（Ｏ・Ｆ）2からなることを特徴と
する請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】 一対の平行に配されたプレートの間に、
電極及び蛍光体層が配設されガス媒体が封入された放電
空間が形成され、電極による放電に伴って紫外線を発し
前記蛍光体層で可視光に変換することによって発光する
プラズマディスプレイパネルであって、 前記蛍光体層を構成する蛍光体粒子の表面には、 紫外線が通過できる隙間を隔てて、突状物が島状に配さ
れていることを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項５】 前記突状物は、 平均粒径２０ｎｍ〜１００ｎｍの粒状物質からなること
を特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項６】 前記粒状物質は、 ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2，Ｉｎ2
Ｏ3，ＳｎＯ2及びこれらの混合物からなる群から選択さ
れたものからなることを特徴とする請求項５記載のプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項７】 前記突状物は、 有機金属化合物の加水分解反応によって形成された金属
酸化物からなることを特徴とする請求項４記載のプラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項８】 蛍光体粒子と平均粒径２０ｎｍ〜１００
ｎｍの粒状物とを、結合剤を含む溶液中で撹拌すること
によって、前記蛍光体粒子の表面に、前記粒状物を、紫
外線が通過できる隙間を隔てて配設するステップを備え
ることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用の蛍
光体の製造方法。 - 【請求項９】 蛍光体粒子を、有機金属化合物を含む溶
液中で撹拌し、加水分解反応することによって、前記蛍
光体粒子の表面に金属酸化物を、紫外線が通過できる隙
間を隔てて島状に配設するステップを備えることを特徴
とするプラズマディスプレイパネル用蛍光体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7093697A JP3234526B2 (ja) | 1996-08-29 | 1997-03-25 | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-228094 | 1996-08-29 | ||
| JP22809496 | 1996-08-29 | ||
| JP7093697A JP3234526B2 (ja) | 1996-08-29 | 1997-03-25 | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125240A true JPH10125240A (ja) | 1998-05-15 |
| JP3234526B2 JP3234526B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=26412053
Family Applications (1)
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