JP2015214705A - 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 - Google Patents
高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015214705A JP2015214705A JP2015126415A JP2015126415A JP2015214705A JP 2015214705 A JP2015214705 A JP 2015214705A JP 2015126415 A JP2015126415 A JP 2015126415A JP 2015126415 A JP2015126415 A JP 2015126415A JP 2015214705 A JP2015214705 A JP 2015214705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- silicate
- light
- fluorine
- containing compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 367
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 184
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 title abstract description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 137
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 122
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 91
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 88
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 85
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 35
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 28
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 27
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 25
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 4
- GMAOTEKSTISZRL-UHFFFAOYSA-L [O-]C([O-])=O.P.[Sr+2] Chemical compound [O-]C([O-])=O.P.[Sr+2] GMAOTEKSTISZRL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N oxomanganese Chemical compound [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWTSNVLRQWMZLF-UHFFFAOYSA-L [O-]C([O-])=O.P.[Ba+2] Chemical compound [O-]C([O-])=O.P.[Ba+2] UWTSNVLRQWMZLF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 229940013553 strontium chloride Drugs 0.000 description 2
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- IWBUYGUPYWKAMK-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[N] Chemical compound [AlH3].[N] IWBUYGUPYWKAMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXEOSTAFIDYVEF-UHFFFAOYSA-N [Si](O)(O)(O)O.[F] Chemical group [Si](O)(O)(O)O.[F] KXEOSTAFIDYVEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 alkaline earth metal aluminate Chemical class 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940047908 strontium chloride hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- AMGRXJSJSONEEG-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.Cl[Sr]Cl AMGRXJSJSONEEG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77342—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/77922—Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
従って、本発明の目的は、ケイ酸塩蛍光体が有する発光強度を低下させずに、ケイ酸塩蛍光体の耐湿性を向上させる技術を提供することにある。すなわち、本発明の目的は、発光強度が高く、耐湿性が高いケイ酸塩蛍光体及びその製造方法を提供することにある。本発明の目的はまた、長期間にわたって安定して高い発光強度を示す発光装置を提供することにある。
(1)混合物が、フッ化アンモニウムをケイ酸塩蛍光体100質量部に対して1〜10質量部の範囲の量にて含む。
(2)ケイ酸塩蛍光体が、(Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Aの組成式、但し、Aは付活元素を示す、で示されるケイ酸塩青色発光蛍光体、(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Bの組成式、但し、Bは付活元素を示す、で示されるケイ酸塩緑色発光蛍光体、及び(Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Eu,Mnの組成式で示されるケイ酸塩赤色発光蛍光体からなる群より選ばれる蛍光体である。
(3)温度が60℃で、相対湿度が90%の環境下で720時間静置した後の波長400nmの光で励起させたときの可視光の発光ピーク強度が、被覆層を持たない当該蛍光体の波長400nmの光で励起させたときの可視光の発光ピーク強度に対して0.85〜1.5倍の範囲にある。
(1)ケイ酸塩蛍光体が(Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Aの組成式、但し、Aは付活元素を示す、で示されるケイ酸塩青色発光蛍光体であって、フッ素含有化合物被覆層の厚さが30〜150nmの範囲にある。
(2)ケイ酸塩蛍光体が(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Bの組成式、但し、Bは付活元素を示す、で示されるケイ酸塩緑色発光蛍光体であって、フッ素含有化合物被覆層の厚さが100〜800nmの範囲にある。
(3)ケイ酸塩蛍光体が(Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Eu,Mnの組成式で示されるケイ酸塩赤色発光蛍光体であって、フッ素含有化合物被覆層の厚さが30〜300nmの範囲にある。
(1)緑色発光蛍光体も、ケイ酸塩緑色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを0.5〜15質量部の範囲の量にて含む混合物を200〜600℃の温度にて加熱する方法によって得られたフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩緑色発光蛍光体である。
(2)赤色発光蛍光体も、ケイ酸塩赤色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを0.5〜15質量部の範囲の量にて含む混合物を200〜600℃の温度にて加熱する方法によって得られたフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩赤色発光蛍光体である。
(1)緑色発光蛍光体も、表面に厚さが30〜1500nmの範囲にあるフッ素含有化合物被覆層を有するケイ酸塩緑色発光蛍光体からなるフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩緑色発光蛍光体である。
(2)赤色発光蛍光体も、表面に厚さが30〜1500nmの範囲にあるフッ素含有化合物被覆層を有するケイ酸塩赤色発光蛍光体からなるフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩赤色発光蛍光体である。
ケイ酸塩蛍光体に、励起光を照射して発光スペクトルを測定する。得られた発光スペクトルの最大ピークの高さを求め、この高さを発光強度とする。励起光が波長146nmもしくは波長172nmの真空紫外光の場合は光源にエキシマランプを使用し、励起光が波長254nmもしくは波長400nmの紫外光の場合は光源にキセノンランプを使用する。
(1)SMS青色発光蛍光体の製造
炭酸ストロンチウム粉末(純度:99.99質量%、平均粒子径:2.73μm)、酸化マグネシウム粉末(気相法により製造したもの、純度:99.98質量%、BET比表面積:8m2/g)、二酸化ケイ素粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:3.87μm)、酸化ユウロピウム粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:2.71μm)、塩化ストロンチウム粉末(純度:99.9質量%)を、SrCO3:MgO:SiO2:Eu2O3:SrCl2のモル比が2.845:1:2.000:0.015:0.125となるようにそれぞれ秤量した。なお、各原料粉末の平均粒子径は、いずれもレーザー回折散乱法により測定した値である。
上記(1)で製造したSMS青色発光蛍光体100質量部に対して0.5質量部のフッ化アンモニウムを加えて混合した。得られた混合物をアルミナ坩堝に入れ、アルミナ坩堝に蓋をして、大気雰囲気下にて400℃の温度で3時間加熱した後、室温まで放冷した。放冷後のSMS青色発光蛍光体について、AC型PDPで主に利用される波長146nmと波長172nmの真空紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。表1にその結果を示す。なお、表1に記載した発光強度は、(1)で測定した初期発光強度を100とした相対値である。
上記(2)の加熱処理を行なったSMS青色発光蛍光体を、アルミナ坩堝に入れ、大気雰囲気下にて、500℃で30分間加熱した後、室温まで放冷した。放冷後のSMS青色発光蛍光体について、波長146nmと波長172nmの真空紫外光励起による発光強度を測定した。表1にその結果を示す。なお、表1に記載した発光強度は、(1)で測定した初期発光強度を100とした相対値である。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して5.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長146nmと波長172nmの真空紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して10.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長146nmと波長172nmの真空紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理を行なわなかったこと以外は、実施例1と同様にして、(3)の大気雰囲気下での加熱処理を行なった。大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長146nmと波長172nmの真空紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して20.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長146nmと波長172nmの真空紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して30.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長146nmと波長172nmの真空紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。
注2)発光強度は、初期発光強度(フッ化アンモニウム存在下での加熱処理前の発光強度)を100とした相対値である。なお、比較例1の括弧内の発光強度は、大気雰囲気下での加熱処理前の発光強度である。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して1.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、CCFLで主に利用される波長254nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を、表2に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して2.5質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長254nmと白色LEDで主に利用される波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表2と3に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して4.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長254nmと波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表2と3に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して7.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長254nmと波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表2と3に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して10.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にして、(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理と(3)の大気雰囲気下での加熱処理とを行なった。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後と、大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長254nmと波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表2と3に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理を行なわなかったこと以外は、実施例1と同様にして、(3)の大気雰囲気下での加熱処理を行なった。大気雰囲気下での加熱処理後のSMS青色発光蛍光体について、波長254nmと波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表2と3に示す。
注2)発光強度は、初期発光強度(フッ化アンモニウム存在下での加熱処理前の発光強度)を100とした相対値である。なお、比較例4の括弧内の発光強度は、大気雰囲気下での加熱処理前の発光強度である。
注2)発光強度は、初期発光強度(フッ化アンモニウム存在下での加熱処理前の発光強度)を100とした相対値である。なお、比較例4の括弧内の発光強度は、大気雰囲気下での加熱処理前の発光強度である。
前述の実施例2で得た、100質量部のSMS青色発光蛍光体に対して5.0質量部のフッ化アンモニウム存在下で加熱処理したSMS青色発光蛍光体を2g量り取り、温度30℃、相対湿度80%に調整した恒温恒湿槽内にて、24時間、48時間、72時間の各時間静置した。各時間静置後のSMS青色発光蛍光体について1000℃の温度で1時間加熱したときの質量減少率を測定した。得られた質量減少率から、恒温恒湿槽で静置する前のSMS青色発光蛍光体を1000℃の温度で1時間加熱したときの質量減少率を差し引いた値を吸湿率として算出した。その結果を表4に示す。
実施例1(1)で製造したSMS青色発光蛍光体(フッ化アンモニウム処理なし)について、実施例9と同様にして、温度30℃、相対湿度80%の恒温恒湿槽内にて24時間、48時間、72時間の各時間静置した後の質量減少率を測定し、吸湿率を算出した。その結果を表4に示す。
実施例1(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをSMS青色発光蛍光体100質量部に対して2.0質量部加えたこと以外は、実施例1と同様にしてフッ化アンモニウム存在下での加熱処理を行なった。加熱処理後のSMS青色発光蛍光体の表面を、TEM(電界放出型透過型電子顕微鏡)を用いて観察したところ、SMS青色発光蛍光体の表面に被覆層が形成されていることが確認された。SMS青色発光蛍光体の表面の被覆層をEDS(UTW型エネルギー分散型X線装置、NORAN製)を用いて、Si(Li)半導体検出器を検出器として、ビーム径を1nmとして分析したところ、SrとFとが多く検出された。さらにSMS青色発光蛍光体のX線回折パターンを下記の条件にて測定したところ、SrF2に起因するピークが検出された。また、前述の比較例2で得た100質量部のSMS青色発光蛍光体に対して20.0質量部のフッ化アンモニウム存在下で加熱処理したSMS青色発光蛍光体についてX線回折パターンを測定すると、SrF2に起因するピークが検出された。これらの結果からフッ化アンモニウム存在下での加熱処理によって、SMS青色発光蛍光体の表面のSrとフッ化アンモニウムの熱分解ガス中のFとが反応して、SrF2を含むフッ素含有化合物被覆層が形成されたと考えられる。
測定:連続測定
X線源:CuKα
管電圧:40kV
管電流:40mA
発散スリット幅:1/2deg
散乱スリット幅:1/2deg
受光スリット幅:0.30mm
スキャンスピード:2deg/分
スキャンステップ:0.02deg
(1)(Sr,Ba)2SiO4:Eu緑色発光蛍光体の製造
炭酸ストロンチウム粉末(純度:99.99質量%、平均粒子径:2.73μm)、炭酸バリウム粉末(純度:99.8質量%、平均粒子径:1.26μm)、二酸化ケイ素粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:3.87μm)、酸化ユウロピウム粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:2.71μm)、塩化ストロンチウム粉末(純度:99.9質量%)をSrCO3:BaCO3:SiO2:Eu2O3:SrCl2のモル比が、0.945:1:1.000:0.0200:0.015となるようにそれぞれ秤量した。なお、各原料粉末の平均粒子径はいずれもレーザー回折散乱法により測定した値である。
上記(1)で製造したケイ酸塩緑色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを5質量部加えて混合して、粉末混合物を得た。得られた粉末混合物をアルミナ坩堝に入れ、アルミナ坩堝に蓋をして、大気雰囲気下にて500℃の温度で6時間加熱した後、室温まで放冷した。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩緑色発光蛍光体について、波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を、表5に示す。また、フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩緑色発光蛍光体について、蛍光体を切断し、蛍光体の表層部分の断面をTEM(電界放出型透過型電子顕微鏡)を用いて観察したところ、蛍光体の表面に被覆層が形成されていることが確認された。
切断した蛍光体の表層部分の断面をTEMにて観察しながら、蛍光体の表層部分のフッ素濃度をEDSを用いて、Si(Li)半導体検出器を検出器として、ビーム径を1nmとして測定した。そして蛍光体の表面からフッ素濃度が20原子%以下になった部分までの長さを被覆層の厚さとして求めた。その結果を、表5に示す。
フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩緑色発光蛍光体について、温度60℃、相対湿度90%に調整した恒温恒湿槽内にて720時間静置した。静置後のケイ酸塩緑色発光蛍光体について、波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を、表5に示す。
実施例11の(2)フッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをケイ酸塩緑色発光蛍光体100質量部に対して20質量部加えたこと以外は、実施例13と同様にして、ケイ酸塩緑色発光蛍光体をフッ化アンモニウム存在下で加熱処理した。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩緑色発光蛍光体の発光強度、被覆層の厚さ、そして高湿環境下での静置後の発光強度を実施例11と同様にして測定した。その結果を、表5に示す。
実施例11(1)の(Sr,Ba)2SiO4:Eu緑色発光蛍光体の製造と同様にして製造したケイ酸塩緑色発光蛍光体について、高湿環境下での静置後の発光強度を実施例11と同様にして測定した。その結果を、表5に示す。
注2)発光強度は、初期発光強度(フッ化アンモニウム存在下での加熱処理前の発光強度)を100とした相対値である。なお、比較例7の括弧内の発光強度は、高湿環境下静置前の発光強度である。
(1)Ba2SiO4:Eu緑色発光蛍光体の製造
炭酸バリウム粉末(純度:99.8質量%、平均粒子径:1.26μm)、二酸化ケイ素粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:3.87μm)、酸化ユウロピウム粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:2.71μm)、塩化バリウム粉末(純度:99.9質量%)をBaCO3:SiO2:Eu2O3:BaCl2のモル比が、1.945:1:0.020:0.015となるようにそれぞれ秤量した。なお、各原料粉末の平均粒子径はいずれもレーザー回折散乱法により測定した値である。
上記(1)で製造したケイ酸塩緑色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを5質量部加えて混合して、粉末混合物を得た。得られた粉末混合物をアルミナ坩堝に入れ、アルミナ坩堝に蓋をして、大気雰囲気下にて500℃の温度で6時間加熱した後、室温まで放冷した。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩緑色発光蛍光体について、波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果、フッ化アンモニウム存在下での加熱処理前の発光強度を100とした発光強度は98であり、フッ化アンモニウム存在下での加熱処理の前後で発光強度はほぼ同じであった。
(1)Ba3MgSi2O8:Eu,Mn赤色発光蛍光体の製造
炭酸バリウム粉末(純度:99.8質量%、平均粒子径:1.26μm)、酸化マグネシウム粉末(気相法により製造したもの、純度:99.98質量%、BET比表面積から換算した粒子径:0.2μm)、二酸化ケイ素粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:3.87μm)、塩化バリウム粉末(純度:99質量%)、酸化ユウロピウム粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:2.71μm)、一酸化マンガン粉末(純度:99.9質量%)をBaCO3:BaCl2:MgO:SiO2:Eu2O3:MnOのモル比が、2.705:0.125:1:2.000:0.035:0.100となるようにそれぞれ秤量した。なお、酸化マグネシウム粉末を除く各原料粉末の平均粒子径はいずれもレーザー回折散乱法により測定した値である。
上記(1)で製造したケイ酸塩赤色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを5質量部加えて混合して、粉末混合物を得た。得られた粉末混合物をアルミナ坩堝に入れ、アルミナ坩堝に蓋をして、大気雰囲気下にて500℃の温度で6時間加熱した後、室温まで放冷した。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩赤色発光蛍光体について、波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表6に示す。また、フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩赤色発光蛍光体について、蛍光体を切断し、蛍光体の表層部分の断面をTEMを用いて観察したところ、蛍光体の表面に被覆層が形成されていることが確認された。
実施例11と同様にして、被覆層の厚さを測定した。その結果を表6に示す。
フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩赤色発光蛍光体について、温度60℃、相対湿度90%に調整した恒温恒湿槽内にて720時間静置した。静置後のケイ酸塩赤色発光蛍光体について、波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表6に示す。
実施例13の(2)フッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをケイ酸塩赤色発光蛍光体100質量部に対して20質量部加えたこと以外は、実施例13と同様にして、ケイ酸塩赤色発光蛍光体をフッ化アンモニウム存在下で加熱処理した。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩赤色発光蛍光体の発光強度と高湿環境下での静置後の発光強度を実施例13と同様にして測定した。その結果を表6に示す。
実施例13(1)のBa3MgSi2O8:Eu,Mn赤色発光蛍光体の製造と同様にして製造した赤色発光蛍光体について、高湿環境下での静置後の発光強度を実施例13と同様にして測定した。その結果を表6に示す。
注2)発光強度は、初期発光強度(フッ化アンモニウム存在下での加熱処理前の発光強度)を100とした相対値である。なお、比較例9の括弧内の発光強度は、高湿環境下静置前の発光強度である。
実施例13の(2)のフッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、加熱温度を400℃としたこと以外は、実施例13と同様にして、ケイ酸塩赤色発光蛍光体をフッ化アンモニウム存在下で処理した。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩赤色発光蛍光体の発光強度を実施例13と同様に測定したところ、フッ化アンモニウム存在下での加熱処理前の発光強度を100とした発光強度は110であった。
(1)Sr3MgSi2O8:Eu,Y青色発光蛍光体の製造
炭酸ストロンチウム(SrCO3)粉末(純度:99.7質量%、平均粒子径:0.9μm)、塩化ストロンチウム六水和物(SrCl2・6H2O)粉末(純度:99質量%)、酸化ユウロピウム(Eu2O3)粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:2.7μm)、酸化スカンジウム(Sc2O3)粉末(純度:99.9質量%)、酸化マグネシウム(MgO)粉末(気相法により製造したもの、純度:99.98質量%、BET比表面積から換算した粒子径:0.2μm)、二酸化ケイ素(SiO2)粉末(純度:99.9質量%、BET比表面積から換算した粒子径:0.01μm)を、SrCO3:SrCl2・6H2O:Eu2O3:Sc2O3:MgO:SiO2のモル比が2.800:0.125:0.035:0.0025:1:2.000となるようにそれぞれ秤量した。秤量した各原料粉末を、水中にてボールミルを用いて15時間湿式混合して原料粉末混合物のスラリーを得た。得られたスラリーをスプレードライヤーで噴霧乾燥して、平均粒子径が40μmの原料粉末混合物を得た。得られた原料粉末混合物をアルミナ坩堝に入れて、大気雰囲気下にて800℃の温度で3時間焼成し、次いで、室温まで放冷した後、2体積%水素−98体積%アルゴンの混合ガス雰囲気下にて1200℃の温度で3時間焼成して、Sr2.925MgSi2O8:Eu2+ 0.070Y2+ 0.005の一般式で表されるケイ酸塩青色発光蛍光体を製造した。なお、酸化マグネシウム粉末を除く各原料粉末の平均粒子径はいずれもレーザー回折散乱法により測定した値である。
上記(1)で製造したケイ酸塩青色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを5質量部加えて混合して、粉末混合物を得た。得られた粉末混合物をアルミナ坩堝に入れ、アルミナ坩堝に蓋をして、大気雰囲気下にて500℃の温度で6時間加熱した後、室温まで放冷した。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩青色発光蛍光体について、波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表7に示す。また、フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後の緑色発光蛍光体について、蛍光体を切断し、蛍光体の表層部分の断面をTEMを用いて観察したところ、蛍光体の表面に被覆層が形成されていることが確認された。
実施例11と同様にして、被覆層の厚さを測定した。その結果を表7に示す。
フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩青色発光蛍光体について、温度60℃、相対湿度90%に調整した恒温恒湿槽内にて720時間静置した。静置後のケイ酸塩青色発光蛍光体について、波長400nmの紫外光励起による発光強度を上記の方法により測定した。その結果を表7に示す。
実施例15の(2)フッ化アンモニウム存在下での加熱処理において、フッ化アンモニウムをケイ酸塩青色発光蛍光体100質量部に対して20質量部加えたこと以外は、実施例15と同様にして、緑色発光蛍光体をフッ化アンモニウム存在下で加熱処理した。フッ化アンモニウム存在下での加熱処理後のケイ酸塩青色発光蛍光体の発光強度と高湿環境下での静置後の発光強度を実施例15と同様にして測定した。その結果を表7に示す。
実施例15(1)のSr3MgSi2O8:Eu,Y青色発光蛍光体の製造と同様にして製造した緑色発光蛍光体について、高湿環境下での静置後の発光強度を実施例15と同様にして測定した。その結果を表7に示す。
注2)発光強度は、初期発光強度(フッ化アンモニウム存在下での加熱処理前の発光強度)を100とした相対値である。なお、比較例11の括弧内の発光強度は、高湿環境下静置前の発光強度である。
2 接着材
3 半導体発光素子
4a、4b 電極
5a、5b リード線
6 樹脂層
7 蛍光体層
8 光反射材
9a、9b 導電線
Claims (16)
- ケイ酸塩蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを0.5〜15質量部の範囲の量にて含む混合物を200〜600℃の温度にて加熱する方法によって得られたフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体。
- 混合物が、フッ化アンモニウムをケイ酸塩蛍光体100質量部に対して1〜10質量部の範囲の量にて含む請求項1に記載のフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体。
- ケイ酸塩蛍光体が、(Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Aの組成式、但し、Aは付活元素を示す、で示されるケイ酸塩青色発光蛍光体、(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Bの組成式、但し、Bは付活元素を示す、で示されるケイ酸塩緑色発光蛍光体、及び(Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Eu,Mnの組成式で示されるケイ酸塩赤色発光蛍光体からなる群より選ばれる蛍光体である請求項1に記載のフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体。
- 温度が60℃で、相対湿度が90%の環境下で720時間静置した後の波長400nmの光で励起させたときの可視光の発光ピーク強度が、被覆層を持たない当該蛍光体の波長400nmの光で励起させたときの可視光の発光ピーク強度に対して0.85〜1.5倍の範囲にある請求項1に記載のフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体。
- ケイ酸塩蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを0.5〜15質量部の範囲の量にて含む混合物を200〜600℃の温度にて加熱するフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体の製造方法。
- 混合物が、フッ化アンモニウムをケイ酸塩蛍光体100質量部に対して1〜10質量部の範囲の量にて含む請求項5に記載のフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体の製造方法。
- 表面に厚さが30〜1500nmの範囲にあるフッ素含有化合物被覆層を有するケイ酸塩蛍光体からなるフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体。
- ケイ酸塩蛍光体が(Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Aの組成式、但し、Aは付活元素を示す、で示されるケイ酸塩青色発光蛍光体であって、フッ素含有化合物被覆層の厚さが30〜150nmの範囲にある請求項7に記載のフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体。
- ケイ酸塩蛍光体が(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Bの組成式、但し、Bは付活元素を示す、で示されるケイ酸塩緑色発光蛍光体であって、フッ素含有化合物被覆層の厚さが100〜800nmの範囲にある請求項7に記載のフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体。
- ケイ酸塩蛍光体が(Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Eu,Mnの組成式で示されるケイ酸塩赤色発光蛍光体であって、フッ素含有化合物被覆層の厚さが30〜300nmの範囲にある請求項7に記載のフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩蛍光体。
- 波長350〜430nmの光を発光する半導体発光素子と、該半導体発光素子にて発生した光で励起させると、青色光の発光を示す青色発光蛍光体、緑色光の発光を示す緑色発光蛍光体、そして赤色光の発光を示す赤色発光蛍光体がそれぞれ樹脂バインダ中に分散されてなる蛍光体含有樹脂組成物とを含む発光装置であって、少なくとも青色発光蛍光体が、ケイ酸塩青色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを0.5〜15質量部の範囲の量にて含む混合物を200〜600℃の温度にて加熱する方法によって得られたフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩青色発光蛍光体である発光装置。
- 緑色発光蛍光体も、ケイ酸塩緑色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを0.5〜15質量部の範囲の量にて含む混合物を200〜600℃の温度にて加熱する方法によって得られたフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩緑色発光蛍光体である請求項11に記載の発光装置。
- 赤色発光蛍光体も、ケイ酸塩赤色発光蛍光体100質量部に対してフッ化アンモニウムを0.5〜15質量部の範囲の量にて含む混合物を200〜600℃の温度にて加熱する方法によって得られたフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩赤色発光蛍光体である請求項11に記載の発光装置。
- 波長350〜430nmの光を発光する半導体発光素子と、該半導体発光素子にて発生した光で励起させると、青色光の発光を示す青色発光蛍光体、緑色光の発光を示す緑色発光蛍光体、そして赤色光の発光を示す赤色発光蛍光体がそれぞれ樹脂バインダ中に分散されてなる蛍光体含有樹脂組成物とを含む発光装置であって、少なくとも青色発光蛍光体が、表面に厚さが30〜1500nmの範囲にあるフッ素含有化合物被覆層を有するケイ酸塩青色発光蛍光体からなるフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩青色発光蛍光体である発光装置。
- 緑色発光蛍光体も、表面に厚さが30〜1500nmの範囲にあるフッ素含有化合物被覆層を有するケイ酸塩緑色発光蛍光体からなるフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩緑色発光蛍光体である請求項14に記載の発光装置。
- 赤色発光蛍光体も、表面に厚さが30〜1500nmの範囲にあるフッ素含有化合物被覆層を有するケイ酸塩赤色発光蛍光体からなるフッ素含有化合物被覆ケイ酸塩赤色発光蛍光体である請求項14に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015126415A JP6315212B2 (ja) | 2010-11-22 | 2015-06-24 | 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 |
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010260256 | 2010-11-22 | ||
JP2010260257 | 2010-11-22 | ||
JP2010260256 | 2010-11-22 | ||
JP2010260257 | 2010-11-22 | ||
JP2011042279 | 2011-02-28 | ||
JP2011042279 | 2011-02-28 | ||
JP2011221080 | 2011-10-05 | ||
JP2011221080 | 2011-10-05 | ||
JP2015126415A JP6315212B2 (ja) | 2010-11-22 | 2015-06-24 | 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012545762A Division JP5770205B2 (ja) | 2010-11-22 | 2011-11-22 | 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015214705A true JP2015214705A (ja) | 2015-12-03 |
JP6315212B2 JP6315212B2 (ja) | 2018-04-25 |
Family
ID=46145907
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012545762A Active JP5770205B2 (ja) | 2010-11-22 | 2011-11-22 | 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 |
JP2015126415A Active JP6315212B2 (ja) | 2010-11-22 | 2015-06-24 | 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012545762A Active JP5770205B2 (ja) | 2010-11-22 | 2011-11-22 | 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9117981B2 (ja) |
JP (2) | JP5770205B2 (ja) |
KR (1) | KR101843216B1 (ja) |
TW (2) | TWI592465B (ja) |
WO (1) | WO2012070565A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10414976B2 (en) | 2016-03-28 | 2019-09-17 | Nichia Corporation | Method for producing fluorescent material, fluorescent material, and light emitting device using the same |
KR20200020398A (ko) * | 2018-08-17 | 2020-02-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012117954A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 青色発光蛍光体及び該青色発光蛍光体を用いた発光装置 |
US20120236529A1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Avago Technologies Ecbu Ip(Singapore) Pte. Ltd. | Method And Apparatus For A Light Source |
US9041046B2 (en) | 2011-03-15 | 2015-05-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for a light source |
JPWO2013176195A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2016-01-14 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 可視領域での発光光の発光強度と演色性とが最適化された蛍光体混合物 |
WO2014104286A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 被覆蛍光体粒子及びその製造方法 |
JP6275471B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2018-02-07 | 日本山村硝子株式会社 | 固体発光装置および蛍光体分散有機−無機ハイブリッドプレポリマー組成物 |
JPWO2015194180A1 (ja) * | 2014-06-18 | 2017-04-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置 |
JP2016027077A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-02-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置 |
JP6399472B2 (ja) * | 2014-11-19 | 2018-10-03 | 宇部興産株式会社 | 連続発光時に高い発光強度維持率を示す蛍光体粉末及びその製造方法 |
KR102337406B1 (ko) | 2014-12-09 | 2021-12-13 | 삼성전자주식회사 | 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치 |
US9882107B2 (en) * | 2016-01-12 | 2018-01-30 | Citizen Electronics Co., Ltd. | LED package with covered bonding wire |
JP6443417B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2018-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体の製造方法、窒化物蛍光体及び発光装置 |
US10217907B2 (en) | 2016-02-29 | 2019-02-26 | Nichia Corporation | Method of producing nitride fluorescent material, nitride fluorescent material, and light emitting device using the same |
JP6414190B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2018-10-31 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体の製造方法 |
JP7221052B2 (ja) * | 2016-04-29 | 2023-02-13 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 高輝度明白色led光源 |
JP6885055B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2021-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | 充填材、樹脂組成物、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
DE102017107939A1 (de) * | 2017-04-12 | 2018-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
KR102504559B1 (ko) | 2017-11-17 | 2023-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US10763414B2 (en) | 2017-12-18 | 2020-09-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06158041A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-07 | Fujitsu Ltd | 蛍光体の製造方法及び蛍光体を使用したx線画像変換パネル |
JPH10125240A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法 |
WO2002054502A1 (de) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittlierenden element |
JP2002539925A (ja) * | 1999-03-24 | 2002-11-26 | サーノフ コーポレイション | 湿気に敏感な無機材料のための耐湿性を改善する方法 |
JP2003155478A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光シリカゲルおよびその製造方法 |
JP2003183644A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | ケイ酸塩蛍光体の製造方法 |
WO2003097767A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran plasma |
JP2005068343A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 真空紫外線励起蛍光体およびプラズマディスプレイパネル |
JP2005105146A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Fujitsu Ltd | 蛍光体の製造方法 |
KR100538104B1 (ko) * | 2004-08-04 | 2005-12-21 | 인터매틱스 코포레이션 | 신규한 실리케이트계 옐로우-그린 형광체 |
US20060027785A1 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-09 | Intematix Corporation | Novel silicate-based yellow-green phosphors |
JP2006083296A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネル |
WO2006109759A1 (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 蛍光体、蛍光体ペースト及び発光素子 |
CN101033399A (zh) * | 2006-03-09 | 2007-09-12 | 索尼株式会社 | 光致发光组合物和光源装置 |
JP2008007734A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Sony Corp | 発光組成物、光源装置、表示装置、及び発光組成物の製造方法 |
CN101175833A (zh) * | 2005-04-07 | 2008-05-07 | 住友化学株式会社 | 荧光体、荧光体糊及发光元件 |
CN101292009A (zh) * | 2004-08-04 | 2008-10-22 | 英特曼帝克司公司 | 以硅酸盐为主的新颖黄-绿色磷光体 |
JP2008280471A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sony Corp | 発光組成物及びこれを用いた光源装置並びにこれを用いた表示装置 |
JP2009132916A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体、及びその製造方法 |
JP2009286995A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-12-10 | Showa Denko Kk | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
US20090315448A1 (en) * | 2005-04-07 | 2009-12-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Phosphor, phosphor paste and light emitting device |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6555958B1 (en) * | 2000-05-15 | 2003-04-29 | General Electric Company | Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light |
US8057704B2 (en) * | 2006-02-24 | 2011-11-15 | National Institute For Materials Science | Phosphor, method for producing same, and light-emitting device |
KR100785492B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-12-13 | 한국과학기술원 | 새로운 조성의 황색 발광 Ce3+부활 실리케이트황색형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 백색발광 다이오드 |
US8529791B2 (en) * | 2006-10-20 | 2013-09-10 | Intematix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
CN101960624B (zh) * | 2008-03-03 | 2012-09-26 | 夏普株式会社 | 发光装置 |
WO2009143283A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Lightscape Materials, Inc. | Silicate-based phosphors and led lighting devices using the same |
US8390193B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-03-05 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
EP2415848A4 (en) * | 2009-03-31 | 2013-08-14 | Mitsubishi Chem Corp | PHOSPHORUS, PHOSPHORUS PROCESSING METHOD, PHOSPHORUS COMPOSITION, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE |
JP5517037B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-06-11 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
US8604678B2 (en) * | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
US8610341B2 (en) * | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
US8957585B2 (en) * | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
US8614539B2 (en) * | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
WO2012047937A1 (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-12 | Intematix Corporation | Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion |
US20120138874A1 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | Intematix Corporation | Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor |
US9006966B2 (en) * | 2011-11-08 | 2015-04-14 | Intematix Corporation | Coatings for photoluminescent materials |
-
2011
- 2011-11-22 JP JP2012545762A patent/JP5770205B2/ja active Active
- 2011-11-22 KR KR1020137015874A patent/KR101843216B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-22 WO PCT/JP2011/076892 patent/WO2012070565A1/ja active Application Filing
- 2011-11-22 TW TW104133212A patent/TWI592465B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-11-22 US US13/988,548 patent/US9117981B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-22 TW TW100142709A patent/TWI515286B/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-06-24 JP JP2015126415A patent/JP6315212B2/ja active Active
Patent Citations (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06158041A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-07 | Fujitsu Ltd | 蛍光体の製造方法及び蛍光体を使用したx線画像変換パネル |
JPH10125240A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法 |
JP2002539925A (ja) * | 1999-03-24 | 2002-11-26 | サーノフ コーポレイション | 湿気に敏感な無機材料のための耐湿性を改善する方法 |
US20040051111A1 (en) * | 2000-12-28 | 2004-03-18 | Koichi Ota | Light emitting device |
WO2002054502A1 (de) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittlierenden element |
EP1347517A1 (en) * | 2000-12-28 | 2003-09-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2007189239A (ja) * | 2000-12-28 | 2007-07-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子を備えた光源 |
CN1483224A (zh) * | 2000-12-28 | 2004-03-17 | 含光辐射元素的光源 | |
JP2003155478A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光シリカゲルおよびその製造方法 |
JP2003183644A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | ケイ酸塩蛍光体の製造方法 |
JP2003336048A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
US20040239247A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-12-02 | Hiroyuki Kawamura | Plasma display unit |
CN1556843A (zh) * | 2002-05-17 | 2004-12-22 | ���µ�����ҵ��ʽ���� | 等离子体显示装置 |
EP1506989A1 (en) * | 2002-05-17 | 2005-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display unit |
WO2003097767A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran plasma |
KR100572432B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2006-04-18 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 장치, 그에 사용되는 형광체 및 그의 제조 방법 |
JP2005068343A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 真空紫外線励起蛍光体およびプラズマディスプレイパネル |
JP2005105146A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Fujitsu Ltd | 蛍光体の製造方法 |
WO2006022792A2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-03-02 | Intematix Corporation | Novel silicate-based yellow-green phosphors |
US20060027785A1 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-09 | Intematix Corporation | Novel silicate-based yellow-green phosphors |
CN101292009A (zh) * | 2004-08-04 | 2008-10-22 | 英特曼帝克司公司 | 以硅酸盐为主的新颖黄-绿色磷光体 |
EP1778816A2 (en) * | 2004-08-04 | 2007-05-02 | Intematix Corporation | Novel silicate-based yellow-green phosphors |
KR100538104B1 (ko) * | 2004-08-04 | 2005-12-21 | 인터매틱스 코포레이션 | 신규한 실리케이트계 옐로우-그린 형광체 |
JP2006083296A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネル |
JP2007535615A (ja) * | 2005-04-05 | 2007-12-06 | インテマティックス・コーポレーション | 新規なシリケート系黄色−緑色蛍光体 |
CN101175833A (zh) * | 2005-04-07 | 2008-05-07 | 住友化学株式会社 | 荧光体、荧光体糊及发光元件 |
EP1892279A1 (en) * | 2005-04-07 | 2008-02-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Phosphor, phosphor paste and light-emitting device |
JP2006312654A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-11-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 蛍光体 |
WO2006109759A1 (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 蛍光体、蛍光体ペースト及び発光素子 |
US20090315448A1 (en) * | 2005-04-07 | 2009-12-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Phosphor, phosphor paste and light emitting device |
US20070210707A1 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Sony Corporation | Photoluminescent composition and light source device |
JP2007238814A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Sony Corp | 発光組成物及び光源装置 |
CN101033399A (zh) * | 2006-03-09 | 2007-09-12 | 索尼株式会社 | 光致发光组合物和光源装置 |
JP2008007734A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Sony Corp | 発光組成物、光源装置、表示装置、及び発光組成物の製造方法 |
JP2008280471A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sony Corp | 発光組成物及びこれを用いた光源装置並びにこれを用いた表示装置 |
JP2009286995A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-12-10 | Showa Denko Kk | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
JP2009132916A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体、及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10414976B2 (en) | 2016-03-28 | 2019-09-17 | Nichia Corporation | Method for producing fluorescent material, fluorescent material, and light emitting device using the same |
KR20200020398A (ko) * | 2018-08-17 | 2020-02-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
KR102654335B1 (ko) * | 2018-08-17 | 2024-04-04 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101843216B1 (ko) | 2018-03-28 |
US20140054634A1 (en) | 2014-02-27 |
TW201610099A (zh) | 2016-03-16 |
JP6315212B2 (ja) | 2018-04-25 |
JP5770205B2 (ja) | 2015-08-26 |
KR20130140088A (ko) | 2013-12-23 |
TWI515286B (zh) | 2016-01-01 |
JPWO2012070565A1 (ja) | 2014-05-19 |
WO2012070565A1 (ja) | 2012-05-31 |
US9117981B2 (en) | 2015-08-25 |
TW201235444A (en) | 2012-09-01 |
TWI592465B (zh) | 2017-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6315212B2 (ja) | 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 | |
JP5092667B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5770192B2 (ja) | 青色発光蛍光体及び該青色発光蛍光体を用いた発光装置 | |
JP2014031496A (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
US20190067530A1 (en) | Blue light-emitting phosphor and light emitting device using same | |
KR20090016416A (ko) | 청색 발광 형광체 | |
JP5770365B2 (ja) | 深赤色発光性フルオロゲルマニウム酸マグネシウム蛍光体及びその製造方法 | |
US8956554B2 (en) | Green light-emitting silicate phosphor | |
US9011718B2 (en) | Blue light-emitting phosphor and light-emitting device using the blue light-emitting phosphor | |
JP7017150B2 (ja) | 蛍光体粉末及び発光装置並びに蛍光体粉末の製造方法 | |
JP5736272B2 (ja) | 青色発光蛍光体及び該青色発光蛍光体を用いた発光装置 | |
JP5870256B2 (ja) | 蛍光体および発光装置 | |
JP6099089B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体と発光器具 | |
JPWO2013176195A1 (ja) | 可視領域での発光光の発光強度と演色性とが最適化された蛍光体混合物 | |
JP2016117808A (ja) | 蛍光体およびそれを使用した発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150930 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160428 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170327 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171205 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180313 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6315212 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |