JP2014031496A - 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 - Google Patents

蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014031496A
JP2014031496A JP2013115543A JP2013115543A JP2014031496A JP 2014031496 A JP2014031496 A JP 2014031496A JP 2013115543 A JP2013115543 A JP 2013115543A JP 2013115543 A JP2013115543 A JP 2013115543A JP 2014031496 A JP2014031496 A JP 2014031496A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
crystal
light
light emitting
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013115543A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6057213B2 (ja
Inventor
Naoto Hirosaki
尚登 広崎
Takashi Takeda
隆史 武田
Shiro Funabashi
司朗 舟橋
Eiichiro Narimatsu
栄一郎 成松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute for Materials Science
Original Assignee
National Institute for Materials Science
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute for Materials Science filed Critical National Institute for Materials Science
Priority to JP2013115543A priority Critical patent/JP6057213B2/ja
Publication of JP2014031496A publication Critical patent/JP2014031496A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6057213B2 publication Critical patent/JP6057213B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】 従来の蛍光体とは異なる発光特性を有し、470nm以下のLEDと組み合わせた場合でも発光強度が高く、化学的および熱的に安定な蛍光体を提供すること。
【解決手段】 本発明の蛍光体は、L元素とA元素とD元素とE元素とO元素とN元素(Lは、Li元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)とを含む無機結晶に、M元素(Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶した無機化合物を含む。
【選択図】 図1

Description

本発明は、L元素とA元素とD元素とE元素とO元素(酸素)とN元素(窒素)(ただし、Lは、Li元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)とを含む無機結晶(以下N結晶と呼ぶ)に、M元素(ただしMは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶した無機化合物を含む蛍光体、その製造方法、および、その用途に関する。
蛍光体は、蛍光表示管(VFD(Vacuum−Fluorescent Display))、フィールドエミッションディスプレイ(FED(Field Emission Display)またはSED(Surface−Conduction Electron−Emitter Display))、プラズマディスプレイパネル(PDP(Plasma Display Panel))、陰極線管(CRT(Cathode−Ray Tube))、液晶ディスプレイバックライト(Liquid−Crystal Display Backlight)、白色発光ダイオード(LED(Light−Emitting Diode))などに用いられている。これらのいずれの用途においても、蛍光体を発光させるためには、蛍光体を励起するためのエネルギーを蛍光体に供給する必要があり、蛍光体は真空紫外線、紫外線、電子線、青色光などの高いエネルギーを有した励起源により励起されて、青色光、緑色光、黄色光、橙色光、赤色光等の可視光線を発する。しかしながら、蛍光体は前記のような励起源に曝される結果、蛍光体の輝度が低下し易く、輝度低下のない蛍光体が求められている。そのため、従来のケイ酸塩蛍光体、リン酸塩蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、硫化物蛍光体などの蛍光体に代わり、高エネルギーの励起においても輝度低下の少ない蛍光体として、サイアロン蛍光体、酸窒化物蛍光体、窒化物蛍光体などの、結晶構造に窒素を含有する無機結晶を母体とする蛍光体が提案されている。
このサイアロン蛍光体の一例は、概略以下に述べるような製造プロセスによって製造される。まず、窒化ケイ素(Si)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化ユーロピウム(Eu)を所定のモル比に混合し、1気圧(0.1MPa)の窒素中において1700℃の温度で1時間保持してホットプレス法により焼成して製造される(例えば、特許文献1参照)。このプロセスで得られるEu2+イオンを付活したαサイアロンは、450から500nmの青色光で励起されて550から600nmの黄色の光を発する蛍光体となることが報告されている。また、αサイアロンの結晶構造を保ったまま、SiとAlの割合や酸素と窒素の割合を変えることにより、発光波長が変化することが知られている(例えば、特許文献2および特許文献3参照)。
サイアロン蛍光体の別の例として、β型サイアロンにEu2+を付活した緑色の蛍光体が知られている(特許文献4参照)。この蛍光体では、結晶構造を保ったまま酸素含有量を変化させることにより発光波長が短波長に変化することが知られている(例えば、特許文献5参照)。また、Ce3+を付活すると青色の蛍光体となることが知られている(例えば、特許文献6参照)。
酸窒化物蛍光体の一例は、JEM相(LaAl(Si6−zAl)N10−z)を母体結晶としてCeを付活させた青色蛍光体(特許文献7参照)が知られている。この蛍光体では、結晶構造を保ったままLaの一部をCaで置換することにより、励起波長が長波長化するとともに発光波長が長波長化することが知られている。
酸窒化物蛍光体の別の例として、La−N結晶LaSi11を母体結晶としてCeを付活させた青色蛍光体(特許文献8参照)が知られている。
窒化物蛍光体の一例は、CaAlSiNを母体結晶としてEu2+を付活させた赤色蛍光体(特許文献9参照)が知られている。この蛍光体を用いることにより、白色LEDの演色性を向上させる効果がある。光学活性元素としてCeを添加した蛍光体は橙色の蛍光体と報告されている。
このように、蛍光体は、母体となる結晶と、それに固溶させる金属イオン(付活イオン)の組み合わせで、発光色が決まる。さらに、母体結晶と付活イオンの組み合わせは、発光スペクトル、励起スペクトルなどの発光特性や、化学的安定性、熱的安定性を決めるため、母体結晶が異なる場合や付活イオンが異なる場合は、異なる蛍光体と見なされる。また、化学組成が同じであっても結晶構造が異なる材料は、母体結晶が異なることにより発光特性や安定性が異なるため、異なる蛍光体と見なされる。
さらに、多くの蛍光体においては母体結晶の結晶構造を保ったまま、構成する元素の種類を置換することが可能であり、これにより発光色を変化させることが行われている。例えば、YAGにCeを添加した蛍光体は緑色発光をするが、YAG結晶中のYの一部をGdで、Alの一部をGaで置換した蛍光体は黄色発光を呈する。さらに、CaAlSiNにEuを添加した蛍光体においては、Caの一部をSrで置換することにより結晶構造を保ったまま組成が変化し、発光波長が短波長化することが知ら
れている。このように、結晶構造を保ったまま元素置換を行った蛍光体は、同じグループの材料と見なされる。
これらのことから、新規蛍光体の開発においては、新規の結晶構造を持つ母体結晶を見つけることが重要であり、このような母体結晶に発光を担う金属イオンを付活して蛍光特性を発現させることにより、新規の蛍光体を提案することができる。
特許第3668770号明細書 特許第3837551号明細書 特許第4524368号明細書 特許第3921545号明細書 国際公開第2007/066733号公報 国際公開第2006/101096号公報 国際公開第2005/019376号公報 特開2005−112922号公報 特許第3837588号明細書
本発明はこのような要望に応えようとするものであり、目的のひとつは、従来の蛍光体とは異なる発光特性(発光色や励起特性、発光スペクトル)を有し、かつ、470nm以下のLEDと組み合わせた場合でも発光強度が高く、化学的および熱的に安定な無機蛍光体を提供することにある。本発明のもうひとつの目的として、かかる蛍光体を用いた耐久性に優れた発光装置および耐久性に優れる画像表示装置を提供することにある。
本発明者らにおいては、かかる状況の下で、窒素を含む新しい結晶およびこの結晶構造中の金属元素やNを他の元素で置換した結晶を母体とする蛍光体について詳細な研究を行い、L元素とA元素とD元素とE元素とO元素(酸素)とN元素(窒素)(ただし、Lは、Li元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)とを含む無機結晶(N結晶)、あるいは、N結晶と同一の結晶構造を持つ結晶を母体とする無機蛍光体が、高輝度の蛍光を発することを見いだした。また、特定の組成では、青色から緑色の発光を示すことを見いだした。
さらに、この蛍光体を用いることにより、高い発光効率を有し温度変動が小さい白色発光ダイオード(発光装置)や、それを用いた照明器具や、鮮やかな発色の画像表示装置が得られることを見いだした。
本発明者は、上記実情に鑑み鋭意研究を重ねた結果、以下に記載する構成を講ずることによって特定波長領域で高い輝度の発光現象を示す蛍光体を提供することに成功した。また、以下の方法を用いて優れた発光特性を持つ蛍光体を製造することに成功した。さらに、この蛍光体を使用し、以下に記載する構成を講ずることによって優れた特性を有する発光装置、照明器具、画像表示装置、顔料、紫外線吸収材を提供することにも成功したもので、その構成は、以下に記載のとおりである。
本発明の蛍光体は、少なくともL元素とA元素とD元素とE元素とO元素(酸素)とN元素(窒素)(ただし、Lは、Li元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)とを含む無機結晶(以下N結晶と呼ぶ)に、M元素(ただしMは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶した無機化合物を含み、これにより上記課題を解決する。
前記N結晶の単位格子は、(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)で示される結晶(ただし、yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値である。以下NC結晶と呼ぶ。)であってもよい。
前記N結晶は、前記NC結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶、NC結晶の固溶体結晶、NC結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶の固溶体結晶のいずれかであってもよい。
前記A元素にSrを含み、前記D元素にSiを含み、前記E元素にAlを含んでもよい。
前記A元素はSrであり、前記D元素はSiであり、前記E元素はAlであってもよい。
前記M元素にEuを含んでもよい。
前記N結晶は、組成式L19−x2+x27−x(A)1−y(SiO)
(ただし、xは0 ≦ x ≦ 19の範囲の数値であり、yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値)で示されてもよい。
前記yの範囲は、0.25 ≦ y ≦ 0.5であってもよい。
前記NC結晶の単位格子は、
(1−y)LiSr(Si,Al)19(O,N)29Sr+yLiSr(Si,Al)19(O,N)29(SiO)
y = 0.4
であってもよい。
前記N結晶は、三方晶系の結晶でありP3m1の対称性を持ってもよい。
前記N結晶は、三方晶系の結晶であり、格子定数a、b、cが、
a = 1.21029±0.05 nm
b = 1.21029±0.05 nm
c = 0.48825±0.05 nm
の範囲の値であってもよい。
前記N結晶は、Li(ただし、式中c+d+e+f+g+h+i = 1であり、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)の組成式で示され、パラメータc、d、e、f、g、h、iが、
0.01 ≦ c ≦ 0.1
0.00001 ≦ d ≦ 0.1
0.02 ≦ e ≦ 0.1
0.02 ≦ f ≦ 0.4
0.02 ≦ g ≦ 0.4
0.02 ≦ h ≦ 0.4
0.1 ≦ i ≦ 0.5
の条件を全て満たす範囲の組成で表されてもよい。
前記パラメータc、d、e、f、g、h、iは、
0.018 ≦ c ≦ 0.072
0.00035 ≦ d ≦ 0.01
0.05 ≦ e ≦ 0.075
0.20 ≦ f ≦ 0.30
0.07 ≦ g ≦ 0.17
0.10 ≦ h ≦ 0.22
0.32 ≦ i ≦ 0.45
の条件を全て満たす範囲の組成で表されてもよい。
前記無機化合物は、平均粒径0.1μm以上20μm以下の単結晶粒子あるいは単結晶の集合体であってもよい。
前記無機化合物に加えて、前記無機結晶とは異なる他の結晶相あるいはアモルファス相をさらに含み、前記無機化合物の含有量が20質量%以上であってもよい。
前記M元素にEuを含み、励起源を照射することにより470nmから530nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発光してもよい。
前記励起源が100nm以上450nm以下の波長を持つ真空紫外線、紫外線または可視光、電子線またはX線であってもよい。
励起源が照射されたときに発光する色がCIE1931色度座標上の(x,y)の値で、
0 ≦ x ≦ 0.6
0 ≦ y ≦ 0.9
の条件を満たしてもよい。
本発明の蛍光体の製造方法は、金属化合物の混合物であって焼成することにより、上記無機化合物を構成しうる原料混合物を、窒素を含有する不活性雰囲気中において1200℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成し、これにより上記課題を解決する。
前記金属化合物の混合物が、Lを含有する化合物と、Mを含有する化合物と、Aを含有する化合物と、Dを含有する化合物と、Eを含有する化合物と、Oを含有する化合物と、Nを含有する化合物(ただし、Lは、Li元素、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素、Xは、O、N、Fから選ばれる1種または2種以上の元素)とからなってもよい。
前記Lを含有する化合物と、前記Mを含有する化合物と、前記Aを含有する化合物と、前記Dを含有する化合物と、前記Eを含有する化合物とが、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物であってもよい。
本発明の発光装置は、少なくとも発光体と蛍光体とを備え、前記蛍光体は、少なくとも上記蛍光体を含み、これにより上記課題を解決する。
前記発光体は、330〜500nmの波長の光を発する発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、半導体レーザ、または、有機EL発光体(OLED)であってもよい。
前記発光装置は、白色発光ダイオード、前記白色発光ダイオードを複数含む照明器具、または、液晶パネル用バックライトであってもよい。
前記発光体は、ピーク波長300〜500nmの紫外または可視光を発し、上記蛍光体が発する青色から黄色光と他の蛍光体が発する450nm以上の波長の光とを混合することにより白色光または白色光以外の光を発してもよい。
前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長420nm〜500nm以下の光を発する青色蛍光体をさらに含んでもよい。
前記青色蛍光体は、AlN:(Eu,Si)、BaMgAl1017:Eu、SrSiAl19ON31:Eu、LaSiAl1932:Eu、α−サイアロン:Ce、JEM:Ceから選ばれてもよい。
前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長500nm以上550nm以下の光を発する緑色蛍光体をさらに含んでもよい。
前記緑色蛍光体は、β−サイアロン:Eu、(Ba,Sr,Ca,Mg)SiO:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si:Euから選ばれてもよい。
前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長550nm以上600nm以下の光を発する黄色蛍光体をさらに含んでもよい。
前記黄色蛍光体は、YAG:Ce、α−サイアロン:Eu、CaAlSiN:Ce、LaSi11:Ceから選ばれてもよい。
前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長600nm以上700nm以下の光を発する赤色蛍光体をさらに含んでもよい。
前記赤色蛍光体は、CaAlSiN:Eu、(Ca,Sr)AlSiN:Eu、CaSi:Eu、SrSi:Euから選ばれてもよい。
本発明の画像表示装置は、励起源と蛍光体とを備え、前記蛍光体は、少なくとも上記蛍光体を含み、これにより上記課題を解決する。
前記画像表示装置は、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)、または、液晶ディスプレイ(LCD)のいずれかであってもよい。
本発明の顔料は、上記無機化合物からなる。
本発明の紫外線吸収剤は、上記無機化合物からなる。
本発明の蛍光体は、1価元素と2価元素と3価元素と4価元素とを含む多元酸窒化物、なかでもN結晶、および、N結晶と同一の結晶構造を持つ他の結晶を主成分として含有していることにより、蛍光体として機能し、特定の組成では青色から緑色の蛍光体として優れている。励起源に長期間曝された場合でも、この蛍光体は、輝度が低下しないため、白色発光ダイオード等の発光装置、照明器具、液晶用バックライト光源、VFD、FED、PDP、CRTなどに好適に使用される有用な蛍光体を提供するものである。また、この蛍光体は、紫外線を吸収することから顔料および紫外線吸収剤に好適である。
N結晶の結晶構造を示す図。 N結晶の結晶構造から計算したCuKα線を用いた粉末X線回折を示す図。 実施例21で合成した蛍光体の粉末X線回折結果を示す図。 実施例21で合成した蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図。 本発明による照明器具(砲弾型LED照明器具)を示す概略図。 本発明による照明器具(基板実装型LED照明器具)を示す概略図。 本発明による画像表示装置(プラズマディスプレイパネル)を示す概略図。 本発明による画像表示装置(フィールドエミッションディスプレイパネル)を示す概略図。
以下、本発明の蛍光体を、図面を参照して詳しく説明する。
本発明の蛍光体は、少なくともL元素とA元素とD元素とE元素とO元素(酸素)とN元素(窒素)(ただし、Lは、Li元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)とを含む無機結晶(以下N結晶と呼ぶ)に、M元素(ただしMは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶した無機化合物を主成分として含むことにより、高輝度な蛍光体として機能する。
N結晶は、本発明者が新たに合成し、結晶構造解析により新規結晶であると確認した、本発明より以前において報告されていない結晶である。
図1は、N結晶の結晶構造を示す図である。
本発明者が合成した[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41は、N結晶のひとつである。[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶について行った単結晶構造解析によれば、[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶は、三方晶系に属し、P3m1空間群(International Tables for Crystallographyの156番の空間群)に属し、表1に示す結晶パラメータおよび原子座標位置を占める。
表1において、格子定数a、b、cは単位格子の軸の長さを示し、α、β、γは単位格子の軸間の角度を示す。原子座標は単位格子中の各原子の位置を、単位格子を単位とした0から1の間の値で示す。この結晶中には、Li、Sr、Si、Al、O、Nの各原子が存在し、Liは1種類の席Li(1)に存在し、SrはSr(1)からSr(3)の3種類の席に存在する解析結果を得た。また、SiとAlとは席を区別することなく(Si,Al(1))から(Si,Al(5))、(Si,Al(6A))および(Si,Al(6B))の7種類の席に存在する解析結果を得た。さらに、OとNは(O,N(1))から(O,N(10))の10種類の同じ席に存在する解析結果を得た。
図1は、[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶の結晶構造を示す図である。
表1のデータを使った解析の結果、[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶は図1に示す構造であり、SiまたはAlと、OまたはNとの結合で構成される4面体が連なった骨格中に、Li元素とSr元素とが含有された構造を持つことが分かった。この結晶中にはEu等の付活イオンとなるM元素は、主に、Sr元素の一部を置換する形で結晶中に取り込まれる。
合成および構造解析した[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶と同一の結晶構造をとる結晶として、
(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)で示される結晶(ただし、yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値である。)がある。この結晶は、結晶の単位格子が、L(D,E)19(O,N)29Aで示される構造、または、L(D,E)19(O,N)29(SiO)で示される構造からなり、yの値によりL(D,E)19(O,N)29Aで示される構造とL(D,E)19(O,N)29(SiO)で示される構造との混合割合が変化する。これにより、結晶全体では平均値として、(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)の組成をとる。
なお、LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶は、(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)で示される結晶において、AがSrであり、DがSiであり、EがAlであり、yが0.41の場合に相当する。0.59LiSr(Si,Al)19(O,N)29Sr+yLi(Si,Al)19(O,N)29(SiO)中の(SiO)のSiの一部にAlが、Oの一部にNが置換固溶しているため、LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41と表されている。
本発明のN結晶は、X線回折や中性子線回折により同定することができる。本発明で示す[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶のX線回折結果と同一の回折を示す物質として、(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)で示される結晶がある。さらに、N結晶において構成元素が他の元素と置き換わることにより格子定数や原子位置が変化した結晶がある。
N結晶は、その構成元素成分の選択や、Euなどの付活元素が固溶することによって格子定数は変化するが、結晶構造と原子が占めるサイトとその座標によって与えられる原子位置は骨格原子間の化学結合が切れるほどには大きく変わることはない。本発明では、X線回折や中性子線回折の結果をP3m1の空間群でリートベルト解析して求めた格子定数および原子座標から計算されたAl−N、Al−O、Si−N、Si−Oの化学結合の長さ(近接原子間距離)が、表1に示すN結晶の格子定数と原子座標から計算された化学結合の長さと比べて±5%以内の場合は同一の結晶構造と定義してN結晶かどうかの判定を行う。この判定基準は、実験によればN結晶において化学結合の長さが±5%を越えて変化すると化学結合が切れて別の結晶となることが確認されたためである。
さらに、固溶量が小さい場合は、N結晶の簡便な判定方法として次の方法がある。新たな物質について測定したX線回折結果から計算した格子定数と表1の結晶構造データを用いて計算した回折のピーク位置(2θ)が主要ピークについて一致したときに当該結晶構造が同じものと特定することができる。
図2は、[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶の結晶構造から計算したCuKα線を用いた粉末X線回折を示す図である。
図2と比較対象となる物質を比べることにより、N結晶かどうかの簡易的な判定ができる。N結晶の主要ピークとしては、回折強度の強い10本程度で判定するとよい。表1は、その意味でN結晶を特定する上において基準となるもので重要である。また、N結晶の結晶構造を三方晶以外の晶系を用いても近似的な構造を定義することができ、その場合異なった空間群と格子定数および面指数を用いた表現となるが、X線回折結果(例えば図2)および結晶構造(例えば図1)に変わりはなく、それを用いた同定方法や同定結果も同一の物となる。このため、本発明では、三方晶系としてX線回折の解析を行うものとする。この表1に基づく物質の同定方法については、後述実施例において具体的に述べることとし、ここでは概略的な説明に留める。
N結晶に、M元素として、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素を付活すると蛍光体が得られる。N結晶の組成、付活元素の種類および量により、励起波長、発光波長、発光強度等の発光特性が変化するので、用途に応じて選択するとよい。
N結晶の単位格子が、(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)で示される結晶(ただし、yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値である。以下、NC結晶と呼ぶ。)である蛍光体は結晶が安定であり、発光強度が高い。
N結晶が、NC結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶、NC結晶の固溶体結晶、または、NC結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶の固溶体結晶のいずれかである蛍光体は発光強度が高い。
N結晶において、少なくともA元素にSrを含み、D元素にSiを含み、E元素にAlを含む組成は発光強度が高い。
なかでも特に輝度が高いのは、A元素がSrであり、D元素がSi、E元素がAlであるN結晶を母体とする蛍光体である。
付活元素MとしてEuは特に発光強度が高い蛍光体が得られる。
N結晶が、L19−x2+x27−x(A)1−y(SiO)
(ただし、xは0 ≦ x ≦ 19の範囲の数値であり、yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値)の組成式で示される結晶をホストとする蛍光体は、発光強度が高く組成を変えることにより色調の変化が制御できる蛍光体である。
なかでも、パラメータyが、
0.25 ≦ y ≦ 0.5の条件を満たす組成は、結晶構造が安定であり発光強度が高い。
NC結晶の単位格子が、
(1−y)LiSr(Si,Al)19(O,N)29Sr+yLiSr(Si,Al)19(O,N)29(SiO)
y = 0.4
である蛍光体は結晶が安定であり、発光強度が高い。
N結晶が、三方晶系の結晶でありP3m1の対称性を持つ結晶は特に安定であり、これらをホスト結晶とする蛍光体は発光強度が高い。
N結晶が、三方晶系の結晶であり
格子定数a、b、cが、
a = 1.21029±0.05 nm
b = 1.21029±0.05 nm
c = 0.48825±0.05 nm
の範囲の値であるものは結晶が特に安定であり、これらをホスト結晶とする蛍光体は発光強度が高い。この範囲を外れると結晶が不安定となり発光強度が低下することがある。
N結晶が、Li(ただし、式中c+d+e+f+g+h+i = 1であり、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)の組成式で示され、パラメータc、d、e、f、g、h、iが、
0.01 ≦ c ≦ 0.1
0.00001 ≦ d ≦ 0.1
0.02 ≦ e ≦ 0.1
0.02 ≦ f ≦ 0.4
0.02 ≦ g ≦ 0.4
0.02 ≦ h ≦ 0.4
0.1 ≦ i ≦ 0.5
の条件を全て満たす範囲の組成で表される蛍光体は特に発光強度が高い。
パラメータcは、Li元素の組成を表すパラメータであり、0.01より少ないか0.01より多いと結晶構造が不安定になる。パラメータdは、付活元素の添加量であり、0.00001より少ないと付活イオン(発光イオン)の量が不十分で輝度が低下する。0.1より多いと結晶構造が不安定になる。パラメータeは、Sr、Ba等のアルカリ土類元素の組成を表すパラメータであり、0.02より少ないか0.4より多いと結晶構造が不安定になる。パラメータfは、Si等のD元素の組成を表すパラメータであり、0.20より少ないか0.4より多いと結晶構造が不安定になる。パラメータgは、Al等のE元素の組成を表すパラメータであり、0.02より少ないか0.4より多いと結晶構造が不安定になる。パラメータhは、O元素の組成を表すパラメータであり、0.02より少ないか0.4より多いと結晶構造が不安定になる。パラメータiは、N元素の組成を表すパラメータであり、0.1より少ないか0.5より多いと結晶構造が不安定になり発光強度が低下する。O元素およびN元素はアニオンであり、Li、A、M、D、E元素のカチオンと中性の電荷が保たれるようにO、N比の組成が決まる。
なかでも、パラメータc、d、e、f、g、h、iが、
0.018 ≦ c ≦ 0.072
0.00035 ≦ d ≦ 0.01
0.05 ≦ e ≦ 0.075
0.20 ≦ f ≦ 0.30
0.07 ≦ g ≦ 0.17
0.10 ≦ h ≦ 0.22
0.32 ≦ i ≦ 0.45
の条件を全て満たす範囲の組成は、結晶構造が安定であり発光強度が高い。
パラメータc、e、f、g、hおよびiが、上記範囲を満たすと、結晶構造が安定となり発光強度を向上させることができる。また、パラメータdが上記範囲を満たすと、濃度消光の発生を抑制し、高輝度発光が可能となる。
無機化合物が、平均粒径0.1μm以上20μm以下の単結晶粒子あるいは単結晶の集合体である蛍光体は発光効率が高く、LEDに実装する場合の操作性がよいため、この範囲の粒径に制御するのがよい。
本発明の実施形態の1つとして、N結晶を母体とし、これに付活イオンMが固溶した無機化合物と、これと異なる他の結晶相あるいはアモルファス相との混合物であり、無機化合物の含有量が20質量%以上である蛍光体がある。N結晶を母体とする蛍光体単体では目的の特性が得られない場合、あるいは、導電性等の機能を付加する場合に本実施形態を用いるとよい。N結晶を母体とする蛍光体の含有量は、目的とする特性により調整するとよいが、20質量%以下では発光強度が低くなる恐れがある。このような観点から、本発明の蛍光体において、20質量%以上を上述の無機化合物の主成分とすることが好ましい。
電子線励起の用途など蛍光体に導電性が必要とされる場合、他の結晶相あるいはアモルファス相として導電性を持つ無機物質を添加するとよい。
導電性を持つ無機物質としては、Zn、Al、Ga、In、Snから選ばれる1種または2種以上の元素を含む酸化物、酸窒化物、窒化物、あるいは、これらの混合物を挙げることができる。例えば、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、窒化インジウム、酸化スズなどを挙げることができる。
N結晶を母体とする蛍光体単体では目的とする発光スペクトルが得られない場合は、第2の他の蛍光体を添加するとよい。他の蛍光体としては、BAM蛍光体、β−サイアロン蛍光体、α−サイアロン蛍光体、(Sr,Ba)Si蛍光体、CaAlSiN蛍光体、(Ca,Sr)AlSiN蛍光体等を挙げることができる。
本発明の実施形態の1つとして、M元素にEuを含み、励起源を照射することにより青色から緑色発光する蛍光体がある。例えば、A元素にSrを含み、D元素にSiを含み、E元素にAlを含む上記N結晶にEuが固溶した蛍光体は、励起源として360nmから450nmの光を照射すると、470nm以上530nm以下の青色から緑色の蛍光を発するので、白色LED等の青色から緑色発光の用途に用いるとよい。
本発明の実施形態の1つとして、励起源が100nm以上450nm以下の波長を持つ真空紫外線、紫外線または可視光、電子線またはX線で発光する蛍光体がある。これらの励起源を用いることにより効率よく発光させることができる。
本発明の実施形態の1つとして、励起源が照射されたときに発光する色がCIE1931色度座標上の(x,y)の値で、
0 ≦ x ≦ 0.6
0 ≦ y ≦ 0.9
範囲の蛍光体がある。白色LED等の青色から緑色発光の用途に用いるとよい。
このように本発明の蛍光体は、通常の酸化物蛍光体や既存のサイアロン蛍光体と比べて、電子線やX線、および、紫外線から可視光の幅広い励起範囲を持つこと、波長470nm〜530nmの青色から緑色の発光をすること、ならびに、発光波長や発光ピーク幅が調節可能であることが特徴である。しかして、このような発光特性により、本発明の蛍光体は、照明器具、画像表示装置、顔料、紫外線吸収剤に好適である。本発明の蛍光体はまた、高温にさらしても劣化しないことから耐熱性に優れており、酸化雰囲気および水分環境下での長期間の安定性にも優れているという利点をも有し、耐久性に優れた製品を提供し得る。
このような本発明の蛍光体の製造方法は特に規定されないが、例えば、金属化合物の混合物であって、焼成することにより、N結晶を母体とする蛍光体(上述の無機化合物)を構成しうる原料混合物を、窒素を含有する不活性雰囲気中において1200℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成することにより得ることができる。本発明の主結晶は三方晶系で空間群P3m1に属するが、焼成温度等の合成条件により、これと異なる結晶系や空間群を持つ結晶が混入する場合がありうるが、この場合においても、発光特性の変化は僅かであるため高輝度蛍光体として使用することができる。
出発原料としては、例えば、金属化合物の混合物が、Lを含有する化合物と、Mを含有する化合物と、Aを含有する化合物と、Dを含有する化合物と、Eを含有する化合物と、Oを含有する化合物と、Nを含有する化合物(ただし、Lは、Li元素、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素、Xは、O、N、Fから選ばれる1種または2種以上の元素)を用いるとよい。
出発原料として、Lを含有する化合物と、Mを含有する化合物と、Aを含有する化合物と、Dを含有する化合物と、Eを含有する化合物とが、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物であるであるものは、原料が入手しやすく安定性に優れるため好ましい。
焼成に用いる炉は、焼成温度が高温であり、また焼成雰囲気が窒素を含有する不活性雰囲気であることから、金属抵抗加熱方式又は黒鉛抵抗加熱方式で、炉の高温部の材料として炭素を用いた電気炉が好適である。
窒素を含有する不活性雰囲気の圧力範囲は、出発原料および生成物である窒化物あるいは酸窒化物の熱分解が抑えられるため、好ましくは、0.1MPa以上100MPa以下の範囲である。窒素を含有する不活性雰囲気は、好ましくは、窒素ガス雰囲気である。焼成雰囲気中の酸素分圧は、出発原料および生成物である窒化物あるいは酸窒化物の酸化反応を抑制するため、好ましくは、0.0001%以下である。
なお、焼成時間は焼成温度によっても異なるが、通常1〜10時間程度である。
蛍光体を粉体または凝集体形状で製造するには、原料を嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で容器に充填した後に焼成する方法をとるとよい。嵩密度を40%以下の充填率にすることにより、粒子同士の強固な接着をさけることができる。ここで、相対嵩密度とは、容器に充填された粉体の質量を容器の容積で割った値(嵩密度)と粉体の物質の真密度との比である。特に断りのない限り、本発明では、相対嵩密度を単に嵩密度と称する。
金属化合物の混合物の焼成において、混合物を保持する容器に種々の耐熱性材料が使用されうるが、本発明に使用する金属窒化物に対する材質劣化の悪影響が低いことから、学術雑誌Journal of the American Ceramic Society 2002年85巻5号1229ページないし1234ページに記載の、α−サイアロンの合成に使用された窒化ホウ素をコートしたグラファイトるつぼに示されるように、窒化ホウ素をコートした容器、あるいは、窒化ホウ素焼結体等の窒化ホウ素製の容器が適している。このような条件で焼成を行うと、容器から製品にホウ素あるいは窒化ホウ素成分が混入するが、少量であれば発光特性は低下しないので影響は少ない。さらに少量の窒化ホウ素の添加により、製品の耐久性が向上することがあるので、場合によっては好ましい。
蛍光体を粉体または凝集体形状で製造するには、金属化合物の混合物の形状は、粉体または凝集体であり、これらの平均粒径は500μm以下とすると、反応性と操作性に優れるので好ましい。
粒子または凝集体の粒径を500μm以下にする方法として、スプレイドライヤ、ふるい分け、または、風力分級を用いると作業効率と操作性にすぐれるので好ましい。
蛍光体を粉体または凝集体形状で製造するには、ホットプレスによることなく、常圧焼結法またはガス圧焼結法の外部から機械的な加圧を施さない焼成手法が、好ましい。
蛍光体粉末の平均粒径は、体積基準のメディアン径(d50)で50nm以上200μm以下のものが、発光強度が高いので好ましい。体積基準の平均粒径の測定は、例えば、マイクロトラックやレーザ散乱法によって測定できる。粉砕、分級、酸処理から選ばれる1種ないし複数の手法を用いることにより、焼成により合成した蛍光体粉末の平均粒径を50nm以上200μm以下に粒度調整するとよい。
焼成後の蛍光体粉末、粉砕処理後の蛍光体粉末、または、粒度調整後の蛍光体粉末を、1000℃以上で焼成温度以下の温度で熱処理することにより、粉末に含まれる欠陥および粉砕による損傷が回復することがある。欠陥および損傷は発光強度の低下の要因となることがあり、熱処理により発光強度が回復する。
蛍光体の合成のための焼成時に、焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物を添加して焼成してもよい。このような液相を生成する無機化合物は、フラックスとして働き、反応および粒成長が促進されて安定な結晶が得られることがあり、これによって発光強度が向上することがある。
焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物には、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素のフッ化物、塩化物、ヨウ化物、臭化物、あるいは、リン酸塩の1種または2種以上の混合物がある。これらの無機化合物はそれぞれ融点が異なるため、合成温度によって使い分けると良い。
さらに、焼成後に溶剤で洗浄することにより、焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物の含有量が低減する。これにより、蛍光体の発光強度が高くなることがある。
本発明の蛍光体を発光装置等の用途に使用する場合には、これを液体媒体中に分散させた形態で用いることが好ましい。また、本発明の蛍光体を含有する蛍光体混合物として用いることもできる。本発明の蛍光体を液体媒体中に分散させたものを、蛍光体含有組成物と呼ぶものとする。
本発明の蛍光体含有組成物に使用可能な液体媒体としては、所望の使用条件下において液状の性質を示し、本発明の蛍光体を好適に分散させると共に、好ましくない反応等を生じないものであれば、任意のものを目的等に応じて選択することが可能である。液体媒体の例としては、硬化前の付加反応型シリコーン樹脂、縮合反応型シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエステル系樹脂等が挙げられる。これらの液体媒体は一種を単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
液状媒体の使用量は、用途等に応じて適宜調整すればよいが、一般的には、本発明の蛍光体に対する液状媒体の重量比で、通常3重量%以上、好ましくは5重量%以上、また、通常30重量%以下、好ましくは15重量%以下の範囲である。
また、本発明の蛍光体含有組成物は、本発明の蛍光体および液状媒体に加え、その用途等に応じて、その他の任意の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、拡散剤、増粘剤、増量剤、干渉剤等が挙げられる。具体的には、アエロジル等のシリカ系微粉、アルミナ等が挙げられる。
本発明の発光装置は、少なくとも発光体または発光光源と蛍光体とを備え、蛍光体は、上述してきたN結晶を母体とし、これに付活元素Mが固溶した無機化合物を主成分とする蛍光体を含有する。
発光体または発光光源としては、発光ダイオード(LED)発光器具、レーザダイオード(LD)発光器具、有機EL(OLED)発光器具、半導体レーザ、蛍光ランプなどがある。LED発光装置では、本発明の蛍光体を用いて、特開平5−152609、特開平7−99345、特許公報第2927279号などに記載されているような公知の方法により製造することができる。この場合、発光体または発光光源は330〜500nmの波長の光を発するものが望ましく、中でも330〜420nmの紫外(または紫)LED発光素子または420〜500nmの青色LED発光素子が好ましい。特に、本発明の蛍光体を青色蛍光体として用いる場合は、発光体または発光光源は、330〜420nmの紫外(または紫)LED発光素子が好ましい。これらのLED発光素子としては、GaNやInGaNなどの窒化物半導体からなるものがあり、組成を調整することにより、所定の波長の光を発する発光光源となり得る。
本発明の発光装置としては、本発明の蛍光体を含む、白色発光ダイオード、または白色発光ダイオードを複数含む照明器具、液晶パネル用バックライト等がある。
このような発光装置において、本発明の蛍光体に加えて、Euを付活したβサイアロン蛍光体、Euを付活したαサイアロン黄色蛍光体、Euを付活したSrSi橙色蛍光体、Euを付活した(Ca,Sr)AlSiN橙色蛍光体、および、Euを付活したCaAlSiN赤色蛍光体から選ばれる1種または2種以上の蛍光体をさらに含んでもよい。上記以外の黄色蛍光体としては、例えば、YAG:Ce、(Ca,Sr,Ba)Si:Euなどを用いてもよい。
本発明の発光装置の一形態として、発光体または発光光源がピーク波長300〜450nmの紫外または可視光を発し、本発明の蛍光体が発する青色から緑色光と、本発明の他の蛍光体が発する450nm以上の波長の光を混合することにより白色光または白色光以外の光を発する発光装置がある。
本発明の発光装置の一形態として、本発明の蛍光体に加えて、さらに、発光体または発光光源によりピーク波長420nm〜500nm以下の光を発する青色蛍光体を含むことができる。このような、青色蛍光体としては、AlN:(Eu,Si)、BaMgAl1017:Eu、SrSiAl19ON31:Eu、LaSiAl1932:Eu、α−サイアロン:Ce、JEM:Ceなどがある。
本発明の発光装置の一形態として、本発明の蛍光体に加えて、さらに、発光体または発光光源によりピーク波長500nm以上550nm以下の光を発する緑色蛍光体を含むことができる。このような、緑色蛍光体としては、例えば、β−サイアロン:Eu、(Ba,Sr,Ca,Mg)SiO:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si:Euなどがある。
本発明の発光装置の一形態として、本発明の蛍光体に加えて、さらに、発光体または発光光源によりピーク波長550nm以上600nm以下の光を発する黄色蛍光体を含むことができる。このような黄色蛍光体としては、YAG:Ce、α−サイアロン:Eu、CaAlSiN:Ce、LaSi11:Ceなどがある。
本発明の発光装置の一形態として、本発明の蛍光体に加えて、さらに、発光体または発光光源によりピーク波長600nm以上700nm以下の光を発する赤色蛍光体を含むことができる。このような赤色蛍光体としては、CaAlSiN:Eu、(Ca,Sr)AlSiN:Eu、CaSi:Eu、SrSi:Euなどがある。
本発明の画像表示装置は、少なくも励起源と蛍光体とを備え、蛍光体は、上述してきたN結晶を母体とし、これに付活元素Mが固溶した無機化合物を主成分とする蛍光体を含有する。
画像表示装置には、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)、液晶ディスプレイ(LCD)などがある。本発明の蛍光体は、100〜190nmの真空紫外線、190〜380nmの紫外線、電子線などの励起で発光することが確認されており、これらの励起源と本発明の蛍光体との組み合わせで、上記のような画像表示装置を構成することができる。
特定の化学組成を有する無機化合物結晶相よりなる本発明の蛍光体は、白色の物体色を持つことから顔料又は蛍光顔料として使用することができる。すなわち、本発明の蛍光体に太陽光や蛍光灯などの照明を照射すると白色の物体色が観察されるが、その発色がよいこと、そして長期間に渡り劣化しないことから、本発明の蛍光体は無機顔料に好適である。このため、塗料、インキ、絵の具、釉薬、プラスチック製品に添加する着色剤などに用いると長期間に亘って良好な発色を高く維持することができる。
本発明の窒化物蛍光体は、紫外線を吸収するため紫外線吸収剤としても好適である。このため、塗料として用いたり、プラスチック製品の表面に塗布したり内部に練り込んだりすると、紫外線の遮断効果が高く、製品を紫外線劣化から効果的に保護することができる。
本発明を以下に示す実施例によってさらに詳しく説明するが、これはあくまでも本発明を容易に理解するための一助として開示したものであって、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
[合成に使用した原料]
合成に使用した原料粉末は、比表面積11.2m/gの粒度の、酸素含有量1.29重量%、α型含有量95%の窒化ケイ素粉末(宇部興産(株)製のSN−E10グレード)と、比表面積3.3m/gの粒度の、酸素含有量0.82重量%の窒化アルミニウム粉末((株)トクヤマ製のEグレード)と、比表面積13.2m/gの粒度の酸化アルミニウム粉末(大明化学工業製タイミクロン)と、炭酸リチウム(LiCO;高純度科学研究所製)粉末と、酸化ストロンチウム(SrO;高純度化学製)と、純度99.9%の酸化ユーロピウム(Eu;信越化学工業(株)製)とであった。
[結晶[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41の合成と構造解析]
窒化ケイ素(Si)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al)、炭酸リチウム(LiCO)、酸化ストロンチウム(SrO)をカチオン比がLi:Sr:Si:Al = 1:3.59:11.41:8となるような割合で混合組成を設計した。これらの原料粉末を、上記混合組成となるように秤量し、酸素含有量1ppmの窒素雰囲気のグローブボックス中で窒化ケイ素焼結体製乳棒と乳鉢を用いて5分間混合を行なった。次いで、得られた混合粉末を、窒化ホウ素焼結体製のるつぼに投入した。混合粉末(粉体)の嵩密度は約30%であった。
混合粉末が入ったるつぼを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成の操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を1×10−1Pa以下圧力の真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.999体積%の窒素を導入して炉内の圧力を1MPaとし、毎時500℃で1800℃でまで昇温し、その温度で2時間保持した。
合成物を光学顕微鏡で観察し、合成物中から84μm×16μm×20μmの大きさの結晶粒子を採取した。この粒子をエネルギー分散型元素分析器(EDS;ブルカー・エイエックスエス社製QUANTAX)を備えた走査型電子顕微鏡(SEM;日立ハイテクノロジーズ社製のSU1510)を用いて、結晶粒子に含まれる元素の分析を行った。その結果、Sr、Si、Al、O、N元素の存在が確認され、Sr、Si、Alの含有原子数の比は、3.59:11.41:8であることが測定された。マススペクトルを用いて、Liを検出した。具体的には、New Wave Research社製のNd:YAGレーザによるビーム径30μmで波長213nmのレーザ光を合成物に照射して、合成物から揮散してきたLi元素を、レーザアブレーション付属のICPマススペクトルメータにより分析した。
次に、この結晶をガラスファイバーの先端に有機系接着剤で固定した。これをMoKα線の回転対陰極付きの単結晶X線回折装置(ブルカー・エイエックスエス社製のSMART APEXII Ultra)を用いて、X線源の出力が50kV50mAの条件でX線回折測定を行った。その結果、この結晶粒子が単結晶であることを確認した。
次に、X線回折測定結果から単結晶構造解析ソフトウエア(ブルカー・エイエックスエス社製のAPEX2)を用いて結晶構造を求めた。得られた結晶構造データを表1に、結晶構造の図を図1に示す。表1には、結晶系、空間群、格子定数、原子の種類と原子位置が記述してあり、このデータを用いて、単位格子の形および大きさとその中の原子の並びを決めることができる。なお、SiとAlとは同じ原子位置にある割合で入り、酸素と窒素は同じ原子位置にある割合で入り、全体として平均化したときにその結晶の組成割合となる。
この結晶は、三方晶系(trigonal)に属し、空間群P3m1、(International Tables for Crystallographyの156番の空間群)に属し、格子定数a = 1.21029nm、b = 1.21029nm、c = 0.48825nm、角度α = 90°、β = 90°、γ = 120°であった。また原子位置は表1に示す通りであった。なお、表中、SiとAlは同じ原子位置に組成によって決まるある割合で存在する。また、一般的にサイアロン系の結晶においては酸素と窒素が入ることができるが、Liは+1価、Srは+2価、Alは+3価、Siは+4価であるので、原子位置とLiとSrとAlとSiの比がわかれば、(O,N)位置を占めるOとNの比は結晶の電気的中性の条件から求められる。EDSの測定値のSr:Si:Al比と単結晶X線構造解析から求めたこの結晶の組成は、[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41であった。なお、出発原料組成と結晶組成が異なる場合があるが、それは少量の第二相として[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41以外の組成物が生成したことによる。その場合でも、本測定は単結晶を用いているので解析結果は純粋な[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41構造を示している。
詳細な結晶構造の検討を行ったところ、[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶は、同じ単位格子を持つ[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]と[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr][(Si,Al)(O,N)]との結晶構造の平均構造であることがわかった。さらに、2種類の結晶構造の割合は、[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]:[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr][(Si,Al)(O,N)] = 0.59:0.41と解析された。すなわち、この結晶は結晶系、空間群、格子定数が等しく原子組成と原子位置が異なる2種類の結晶構造の平均構造をとることがわかった。
類似構造を持つ結晶の検討を行ったところ、解析で得られた[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶の結晶構造は、一般式(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)(yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値)として記述できるNC結晶のひとつであることがわかった。ここで、Lは、Li元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素である。
(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)(yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値)で表される結晶は、[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41結晶と同一の結晶構造を持ち、三方晶の結晶系で、P3m1の対称性を持つ。A、D、Eの元素は、それぞれ、表1に示した[LiSr(Si,Al)19(O,N)29][Sr]0.59[(Si,Al)(O,N)]0.41におけるSr、Si、Alの座標位置を占める。ただし、占有率は組成とx値とにより、表1の値から変化することもある。
結晶構造データからこの結晶は今まで報告されていない新規の物質であることが確認された。結晶構造データから計算した粉末X線回折パターンを図2に示す。今後は、合成物の粉末X回折測定を行い、測定された粉末パターンが図2と同じであれば図1のN結晶が生成していると判定できる。さらに、N結晶として結晶構造を保ったまま格子定数等が変化したものは、粉末X線回折測定により得られた格子定数の値と表1の結晶構造データから計算により粉末X線パターンを計算できるので、計算パターンと比較することによりN結晶が生成していると判定できる。
[蛍光体実施例および比較例;例1から例28]
表2および表3に示す設計組成に従って、原料を表4の原料混合組成(質量比)となるように秤量した。使用する原料の種類によっては表2および表3の設計組成と表4の原料混合組成とで組成が異なる場合が生じるが、この場合は金属イオンの量が合致するように混合組成を決定した。組成のずれの成分は、生成物中に第二相として混入するが、その量はわずかであるので、性能に及ぼす影響は少ない。秤量した原料粉末を窒化ケイ素焼結体製乳棒と乳鉢を用いて5分間混合を行なった。その後、混合粉末を窒化ホウ素焼結体製のるつぼに投入した。粉体の嵩密度は約20%から30%であった。
混合粉末が入ったるつぼを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成の操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を1×10−1Pa以下圧力の真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.999体積%の窒素を導入して炉内の圧力を1MPaとし、毎時500℃で表5に示す設定温度まで昇温し、その温度で2時間保持した。
次に、合成した化合物をメノウの乳鉢を用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線回折測定を行った。結果を図3に示す。主な生成相を表6に示す。また、EDS測定およびICPマススペクトルメータにより、合成物が、希土類元素、アルカリ土類金属、Si、Al、O、NおよびLiを含むことを確認した。
図3は、実施例21で合成した合成物の粉末X線回折結果を示す図である。
合成物の粉末X線回折結果(図3)は構造解析の結果(図2)と良い一致を示し、実施例21の合成物のX線回折パターンは、N結晶のX線回折パターンと同じであり、N結晶と同一の結晶構造を持つ結晶が得られたことが分かった。さらに、EDS測定より、実施例21の合成物は、Eu、Sr、Si、Al、O、Nを含むことを確認した。ICPマススペクトルメータにより、実施例21の合成物は、Liを含むことを確認した。実施例2〜28の合成物は、いずれも、上記N結晶と同じ結晶構造を持つ相の含有量が20質量%以上であり、上記N結晶と同じ結晶構造を持つ相が主生成相であった。以上より、実施例2〜28の合成物は、N結晶に付活イオンMが固溶した無機化合物を含むことが示された。なお、混合原料組成と合成物の化学組成が異なっている部分は、不純物第二相として合成物中に微量混在していると考えられる。
焼成後、この得られた焼成体(合成物)を粗粉砕の後、窒化ケイ素焼結体製のるつぼと乳鉢を用いて手で粉砕し、30μmの目のふるいを通した。粒度分布を測定したところ、平均粒径は3〜8μmであった。
これらの合成物に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、青色から緑色に発光することを確認した。この合成物の発光スペクトルおよび励起スペクトルを、蛍光分光光度計を用いて測定した。結果を図4に示す。励起スペクトルのピーク波長と発光スペクトルのピーク波長を表7に示す。
図4は、実施例21で合成した蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。
実施例21の合成物は、369nmで最も効率よく励起できることがわかり、369nmで励起したときの発光スペクトルは490nmにピークを持つ発光を呈することがわかった。実施例21の合成物の発光色は、CIE1931色度座標において、0 ≦ x ≦ 0.6および0 ≦ y ≦ 0.9の範囲内であることを確認した。
実施例2〜28の合成物は、300nm〜380nmの紫外線、380nm〜450nmの紫色または青色光で励起することが可能であり、470nm〜530nmの青色から緑色発光する蛍光体であることを確認した。以上より、合成物は、N結晶に付活イオンMが固溶した無機化合物を含んでこり、これが青色から緑色発光する蛍光体として機能することが示された。
図示しないが、実施例2〜28で合成した合成物を観察したところ、白色の物体色を示した。本発明の合成物である無機化合物は、太陽光または蛍光灯などの照明の照射によって、白色の物体色を示すので、顔料または蛍光顔料として利用できることが分かった。
[発光装置および画像表示装置の実施例;実施例29から32]
次に、本発明の蛍光体を用いた発光装置について説明する。
[実施例29]
図5は、本発明による照明器具(砲弾型LED照明器具)を示す概略図である。
図5に示すいわゆる砲弾型白色発光ダイオードランプ(1)を製作した。2本のリードワイヤ(2、3)があり、そのうち1本(2)には、凹部があり、365nmに発光ピークを持つ紫外発光ダイオード素子(4)が載置されている。紫外発光ダイオード素子(4)の下部電極と凹部の底面とが導電性ペーストによって電気的に接続されており、上部電極ともう1本のリードワイヤ(3)とが金細線(5)によって電気的に接続されている。蛍光体(7)が樹脂に分散され、紫外発光ダイオード素子(4)近傍に実装されている。この蛍光体を分散した第一の樹脂(6)は、透明であり、紫外発光ダイオード素子(4)の全体を被覆している。凹部を含むリードワイヤの先端部、紫外発光ダイオード素子、蛍光体を分散した第一の樹脂は、透明な第二の樹脂(8)によって封止されている。透明な第二の樹脂(8)は全体が略円柱形状であり、その先端部がレンズ形状の曲面となっていて、砲弾型と通称されている。
本実施例では、実施例21で作製した青色蛍光体と、緑色蛍光体(β−サイアロン:Eu)と、赤色蛍光体(CaAlSiN:Eu)とを混合した蛍光体粉末を35重量%の濃度でエポキシ樹脂に混ぜ、ディスペンサを用いて適量滴下して、蛍光体を混合したもの(7)を分散した第一の樹脂(6)を形成した。これにより、図5の照明器具は、青色蛍光体が励起されて発する青色と、緑色蛍光体が励起されて発する緑色と、赤色蛍光体が励起されて発する赤色との光が混合されて白色を発した。
[実施例30]
図6は、本発明による照明器具(基板実装型LED照明器具)を示す概略図である。
図6に示す基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ(11)を製作した。可視光線反射率の高い白色のアルミナセラミックス基板(19)に2本のリードワイヤ(12、13)が固定されており、それらワイヤの片端は基板のほぼ中央部に位置し、他端はそれぞれ外部に出ていて電気基板への実装時ははんだづけされる電極となっている。リードワイヤのうち1本(12)は、その片端に、基板中央部となるように発光ピーク波長405nmの紫色発光ダイオード素子(14)が載置され固定されている。紫色発光ダイオード素子(14)の下部電極と下方のリードワイヤとは導電性ペーストによって電気的に接続されており、上部電極ともう1本のリードワイヤ(13)とが金細線(15)によって電気的に接続されている。
第一の樹脂(16)と実施例4で作製した蛍光体と黄色蛍光体(α−サイアロン:Eu)とを混合した蛍光体(17)を混合したものが、紫色発光ダイオード素子近傍に実装されている。この蛍光体を分散した第一の樹脂は、透明であり、紫色発光ダイオード素子(14)の全体を被覆している。また、セラミック基板上には中央部に穴の開いた形状である壁面部材(20)が固定されている。壁面部材(20)は、その中央部が紫色発光ダイオード素子(14)および蛍光体(17)を分散させた樹脂(16)がおさまるための穴となっていて、中央に面した部分は斜面となっている。この斜面は光を前方に取り出すための反射面であって、その斜面の曲面形は光の反射方向を考慮して決定される。また、少なくとも反射面を構成する面は白色または金属光沢を持った可視光線反射率の高い面となっている。本実施例では、該壁面部材(20)を白色のシリコーン樹脂によって構成した。壁面部材の中央部の穴は、チップ型発光ダイオードランプの最終形状としては凹部を形成するが、ここには紫色発光ダイオード素子(14)および蛍光体(17)を分散させた第一の樹脂(16)のすべてを封止するようにして透明な第二の樹脂(18)を充填している。本実施例では、第一の樹脂(16)と第二の樹脂(18)とには同一のエポキシ樹脂を用いた。これにより、図6の照明器具は、青色蛍光体が励起されて発する青色と、黄色蛍光体が励起されて発する黄色との光が混合されて白色を発した。
次に、本発明の蛍光体を用いた画像表示装置の設計例について説明する。
[実施例31]
図7は、本発明による画像表示装置(プラズマディスプレイパネル)を示す概略図である。
赤色蛍光体(CaAlSiN:Eu2+)(31)、緑色蛍光体(β−サイアロン:Eu2+)(32)および本発明の実施例21の青色蛍光体(33)が、ガラス基板(44)上に電極(37、38、39)および誘電体層(41)を介して配置されたそれぞれのセル(34、35、36)の内面に塗布されている。電極(37、38、39、40)に通電するとセル中でXe放電により真空紫外線が発生し、これにより蛍光体が励起されて、赤、緑、青の可視光を発し、この光が保護層(43)、誘電体層(42)、ガラス基板(45)を介して外側から観察され、画像表示装置として機能する。
[実施例32]
図8は、本発明による画像表示装置(フィールドエミッションディスプレイパネル)を示す概略図である。
本発明の実施例21の青色蛍光体(56)が陽極(53)の内面に塗布されている。陰極(52)とゲート(54)の間に電圧をかけることにより、エミッタ(55)から電子(57)が放出される。電子は陽極(53)と陰極の電圧により加速されて、青色蛍光体(56)に衝突して蛍光体が発光する。全体はガラス(51)で保護されている。図は、1つのエミッタと1つの蛍光体からなる1つの発光セルを示したが、実際には青色の他に、赤色、緑色のセルが多数配置されて多彩な色を発色するディスプレイが構成される。緑色や赤色のセルに用いられる蛍光体に関しては特に指定しないが、低速の電子線で高い輝度を発するものを用いるとよい。
本発明の窒化物蛍光体は、従来の蛍光体とは異なる発光特性(発光色や励起特性、発光スペクトル)を有し、かつ、470nm以下のLEDと組み合わせた場合でも発光強度が高く、化学的および熱的に安定であり、さらに励起源に曝された場合の蛍光体の輝度の低下が少ないので、VFD、FED、PDP、CRT、白色LEDなどに好適に使用される窒化物蛍光体である。今後、各種表示装置における材料設計において、大いに活用され、産業の発展に寄与することが期待できる。
1.砲弾型発光ダイオードランプ。
2、3.リードワイヤ。
4.発光ダイオード素子。
5.ボンディングワイヤ。
6、8.樹脂。
7.蛍光体。
11.基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ。
12、13.リードワイヤ。
14.発光ダイオード素子。
15.ボンディングワイヤ。
16、18.樹脂。
17.蛍光体。
19.アルミナセラミックス基板。
20.側面部材。
31.赤色蛍光体。
32.緑色蛍光体。
33.青色蛍光体。
34、35、36.紫外線発光セル。
37、38、39、40.電極。
41、42.誘電体層。
43.保護層。
44、45.ガラス基板。
51.ガラス。
52.陰極。
53.陽極。
54.ゲート。
55.エミッタ。
56.蛍光体。
57.電子。

Claims (37)

  1. 少なくともL元素とA元素とD元素とE元素とO元素(酸素)とN元素(窒素)(ただし、Lは、Li元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)とを含む無機結晶(以下N結晶と呼ぶ)に、M元素(ただしMは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶した無機化合物を含む、蛍光体。
  2. 前記N結晶の単位格子は、(1−y)L(D,E)19(O,N)29A+yL(D,E)19(O,N)29(SiO)で示される結晶(ただし、yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値である。以下NC結晶と呼ぶ。)である、請求項1に記載の蛍光体。
  3. 前記N結晶は、前記NC結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶、NC結晶の固溶体結晶、NC結晶と同一の結晶構造を有する無機結晶の固溶体結晶のいずれかである請求項2に記載の蛍光体。
  4. 前記A元素にSrを含み、前記D元素にSiを含み、前記E元素にAlを含む、請求項1に記載の蛍光体。
  5. 前記A元素はSrであり、前記D元素はSiであり、前記E元素はAlである、請求項1に記載の蛍光体。
  6. 前記M元素にEuを含む、請求項1に記載の蛍光体。
  7. 前記N結晶は、組成式L19−x2+x27−x(A)1−y(SiO)
    (ただし、xは0 ≦ x ≦ 19の範囲の数値であり、yは0 ≦ y ≦ 1の範囲の数値)で示される、請求項1に記載の蛍光体。
  8. 前記yの範囲は、0.25 ≦ y ≦ 0.5である、請求項7に記載の蛍光体。
  9. 前記NC結晶の単位格子は、
    (1−y)LiSr(Si,Al)19(O,N)29Sr+yLiSr(Si,Al)19(O,N)29(SiO)
    y = 0.4
    である、請求項2に記載の蛍光体。
  10. 前記N結晶は、三方晶系の結晶でありP3m1の対称性を持つ、請求項1に記載の蛍光体。
  11. 前記N結晶は、三方晶系の結晶であり、格子定数a、b、cが、
    a = 1.21029±0.05 nm
    b = 1.21029±0.05 nm
    c = 0.48825±0.05 nm
    の範囲の値である、請求項1に記載の蛍光体。
  12. 前記N結晶は、Li(ただし、式中c+d+e+f+g+h+i = 1であり、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素)の組成式で示され、パラメータc、d、e、f、g、h、iが、
    0.01 ≦ c ≦ 0.1
    0.00001 ≦ d ≦ 0.1
    0.02 ≦ e ≦ 0.1
    0.02 ≦ f ≦ 0.4
    0.02 ≦ g ≦ 0.4
    0.02 ≦ h ≦ 0.4
    0.1 ≦ i ≦ 0.5
    の条件を全て満たす範囲の組成で表される、請求項1に記載の蛍光体。
  13. 前記パラメータc、d、e、f、g、h、iは、
    0.018 ≦ c ≦ 0.072
    0.00035 ≦ d ≦ 0.01
    0.05 ≦ e ≦ 0.075
    0.20 ≦ f ≦ 0.30
    0.07 ≦ g ≦ 0.17
    0.10 ≦ h ≦ 0.22
    0.32 ≦ i ≦ 0.45
    の条件を全て満たす範囲の組成で表される、請求項12に記載の蛍光体。
  14. 前記無機化合物は、平均粒径0.1μm以上20μm以下の単結晶粒子あるいは単結晶の集合体である、請求項1に記載の蛍光体。
  15. 前記無機化合物に加えて、前記無機結晶とは異なる他の結晶相あるいはアモルファス相をさらに含み、前記無機化合物の含有量が20質量%以上である、請求項1に記載の蛍光体。
  16. 前記M元素にEuを含み、励起源を照射することにより470nmから530nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発光する、請求項1に記載の蛍光体。
  17. 前記励起源が100nm以上450nm以下の波長を持つ真空紫外線、紫外線または可視光、電子線またはX線である、請求項16に記載の蛍光体。
  18. 励起源が照射されたときに発光する色がCIE1931色度座標上の(x,y)の値で、
    0 ≦ x ≦ 0.6
    0 ≦ y ≦ 0.9
    の条件を満たす、請求項1に記載の蛍光体。
  19. 金属化合物の混合物であって焼成することにより、請求項1に記載の無機化合物を構成しうる原料混合物を、窒素を含有する不活性雰囲気中において1200℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成する、請求項1に記載の蛍光体の製造方法。
  20. 前記金属化合物の混合物が、Lを含有する化合物と、Mを含有する化合物と、Aを含有する化合物と、Dを含有する化合物と、Eを含有する化合物と、Oを含有する化合物と、Nを含有する化合物(ただし、Lは、Li元素、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素、Dは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種または2種以上の元素、Eは、Al、Ga、In、Sc、Y、Laから選ばれる1種または2種以上の元素、Xは、O、N、Fから選ばれる1種または2種以上の元素)とからなる、請求項19に記載の蛍光体の製造方法。
  21. 前記Lを含有する化合物と、前記Mを含有する化合物と、前記Aを含有する化合物と、前記Dを含有する化合物と、前記Eを含有する化合物とが、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、酸窒化物、塩化物、フッ化物、または酸フッ化物から選ばれる単体または2種以上の混合物である、請求項20に記載の蛍光体の製造方法。
  22. 少なくとも発光体と蛍光体とを備える発光装置において、前記蛍光体は、少なくとも請求項1に記載の蛍光体を含む、発光装置。
  23. 前記発光体は、330〜500nmの波長の光を発する発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、半導体レーザ、または、有機EL発光体(OLED)である、請求項22に記載の発光装置。
  24. 前記発光装置は、白色発光ダイオード、前記白色発光ダイオードを複数含む照明器具、または、液晶パネル用バックライトである、請求項22に記載の発光装置。
  25. 前記発光体は、ピーク波長300〜500nmの紫外または可視光を発し、
    請求項1に記載の蛍光体が発する青色から黄色光と他の蛍光体が発する450nm以上の波長の光とを混合することにより白色光または白色光以外の光を発する、請求項22に記載の発光装置。
  26. 前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長420nm〜500nm以下の光を発する青色蛍光体をさらに含む、請求項22に記載の発光装置。
  27. 前記青色蛍光体は、AlN:(Eu,Si)、BaMgAl1017:Eu、SrSiAl19ON31:Eu、LaSiAl1932:Eu、α−サイアロン:Ce、JEM:Ceから選ばれる、請求項26に記載の発光装置。
  28. 前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長500nm以上550nm以下の光を発する緑色蛍光体をさらに含む、請求項22に記載の発光装置。
  29. 前記緑色蛍光体は、β−サイアロン:Eu、(Ba,Sr,Ca,Mg)SiO:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si:Euから選ばれる、請求項28に記載の発光装置。
  30. 前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長550nm以上600nm以下の光を発する黄色蛍光体をさらに含む、請求項22に記載の発光装置。
  31. 前記黄色蛍光体は、YAG:Ce、α−サイアロン:Eu、CaAlSiN:Ce、LaSi11:Ceから選ばれる、請求項30に記載の発光装置。
  32. 前記蛍光体は、前記発光体によりピーク波長600nm以上700nm以下の光を発する赤色蛍光体をさらに含む、請求項22に記載の発光装置。
  33. 前記赤色蛍光体は、CaAlSiN:Eu、(Ca,Sr)AlSiN:Eu、CaSi:Eu、SrSi:Euから選ばれる、請求項32に記載の発光装置。
  34. 励起源と蛍光体とを備える画像表示装置において、前記蛍光体は、少なくとも請求項1に記載の蛍光体を含む、画像表示装置。
  35. 前記画像表示装置は、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)、または、液晶ディスプレイ(LCD)のいずれかである、請求項34に記載の画像表示装置。
  36. 請求項1に記載の無機化合物からなる顔料。
  37. 請求項1に記載の無機化合物からなる紫外線吸収剤。
JP2013115543A 2012-07-10 2013-05-31 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 Active JP6057213B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013115543A JP6057213B2 (ja) 2012-07-10 2013-05-31 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012154218 2012-07-10
JP2012154218 2012-07-10
JP2013115543A JP6057213B2 (ja) 2012-07-10 2013-05-31 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014031496A true JP2014031496A (ja) 2014-02-20
JP6057213B2 JP6057213B2 (ja) 2017-01-11

Family

ID=50281581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013115543A Active JP6057213B2 (ja) 2012-07-10 2013-05-31 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6057213B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014175385A1 (ja) * 2013-04-25 2014-10-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
CN110343524A (zh) * 2019-07-17 2019-10-18 重庆理工大学 一种Eu2+激活的硅酸盐蓝紫光荧光粉及其制备方法
CN110969957A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 深圳光峰科技股份有限公司 Led显示屏
CN111344380A (zh) * 2017-11-10 2020-06-26 欧司朗Oled股份有限公司 发光材料组合物,转换元件,光电子设备
CN113307496A (zh) * 2021-06-15 2021-08-27 亚细亚建筑材料股份有限公司 一种发光釉陶瓷材料及其制备方法和用途
CN114774127A (zh) * 2022-03-12 2022-07-22 陕西师范大学 一种Eu3+掺杂的多锂氮氧化物硅酸盐红光材料的制备方法
WO2022244523A1 (ja) * 2021-05-21 2022-11-24 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光素子および発光装置
CN115558493A (zh) * 2022-09-07 2023-01-03 湖南师范大学 一种高效率热稳定的二价铕离子青光荧光粉及其制备方法和应用
US11566174B2 (en) 2016-08-12 2023-01-31 Osram Oled Gmbh Phosphor and method for producing the phosphor
US11851596B2 (en) 2016-08-12 2023-12-26 Osram Oled Gmbh Lighting device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108570323B (zh) * 2017-11-13 2021-03-16 昆明学院 一种磷铝酸锶锂荧光粉及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005036038A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ube Ind Ltd サイアロン系蛍光体およびその製造方法
JP2007231245A (ja) * 2005-05-24 2007-09-13 National Institute For Materials Science 蛍光体及びその利用
JP2009024030A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 National Institute For Materials Science 蛍光体と発光器具
WO2012067130A1 (ja) * 2010-11-16 2012-05-24 電気化学工業株式会社 蛍光体、発光装置及びその用途

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005036038A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ube Ind Ltd サイアロン系蛍光体およびその製造方法
JP2007231245A (ja) * 2005-05-24 2007-09-13 National Institute For Materials Science 蛍光体及びその利用
JP2009024030A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 National Institute For Materials Science 蛍光体と発光器具
WO2012067130A1 (ja) * 2010-11-16 2012-05-24 電気化学工業株式会社 蛍光体、発光装置及びその用途

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6040500B2 (ja) * 2013-04-25 2016-12-07 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JPWO2014175385A1 (ja) * 2013-04-25 2017-02-23 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
US9617471B2 (en) 2013-04-25 2017-04-11 National Institute Of Materials Science Inorganic phosphor, manufacture thereof, light-emitting device, and image display utilizing inorganic phosphor
WO2014175385A1 (ja) * 2013-04-25 2014-10-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
US11851596B2 (en) 2016-08-12 2023-12-26 Osram Oled Gmbh Lighting device
US11639465B2 (en) 2016-08-12 2023-05-02 Osram Oled Gmbh Phosphor and method for producing the phosphor
US11566174B2 (en) 2016-08-12 2023-01-31 Osram Oled Gmbh Phosphor and method for producing the phosphor
CN111344380B (zh) * 2017-11-10 2022-11-29 欧司朗Oled股份有限公司 发光材料组合物,转换元件,光电子设备
CN111344380A (zh) * 2017-11-10 2020-06-26 欧司朗Oled股份有限公司 发光材料组合物,转换元件,光电子设备
US11542431B2 (en) 2017-11-10 2023-01-03 Osram Oled Gmbh Luminophore combination, conversion element, and optoelectronic device
CN110969957A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 深圳光峰科技股份有限公司 Led显示屏
CN110343524B (zh) * 2019-07-17 2022-04-08 重庆理工大学 一种Eu2+激活的硅酸盐蓝紫光荧光粉及其制备方法
CN110343524A (zh) * 2019-07-17 2019-10-18 重庆理工大学 一种Eu2+激活的硅酸盐蓝紫光荧光粉及其制备方法
WO2022244523A1 (ja) * 2021-05-21 2022-11-24 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光素子および発光装置
CN113307496A (zh) * 2021-06-15 2021-08-27 亚细亚建筑材料股份有限公司 一种发光釉陶瓷材料及其制备方法和用途
CN114774127A (zh) * 2022-03-12 2022-07-22 陕西师范大学 一种Eu3+掺杂的多锂氮氧化物硅酸盐红光材料的制备方法
CN114774127B (zh) * 2022-03-12 2023-09-01 陕西师范大学 一种Eu3+掺杂的多锂氮氧化物硅酸盐红光材料的制备方法
CN115558493A (zh) * 2022-09-07 2023-01-03 湖南师范大学 一种高效率热稳定的二价铕离子青光荧光粉及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP6057213B2 (ja) 2017-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5717076B2 (ja) 蛍光体および製造方法、蛍光体を用いる発光装置および画像表示装置
JP5713305B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP6083881B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP5881092B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP5885174B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP6057213B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP6040500B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP6061332B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP6684412B1 (ja) 蛍光体、その製造方法および発光装置
JP2017210529A (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤
JP6176664B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤
JP5920773B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP6735487B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP6700630B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP6700632B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP6074807B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤
JP6700633B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
JP6700631B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160426

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6057213

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250