JP2016027077A - 表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置 - Google Patents

表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置 Download PDF

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真治 柴本
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惠美 宮崎
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Abstract

【課題】初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置を提供する。【解決手段】本発明の表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体を製造する表面処理蛍光体の製造方法であって、前記アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも１種の表面処理物質とを、非水系溶媒の共存下で接触させることにより、前記アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に前記表面処理層を形成する表面処理工程、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面が表面処理層で被覆された表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置に関する。
例えば、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）２ＳＯ４：Ｅｕ２＋等のアルカリ土類シリケート蛍光体は、組成の調節により様々な発光波長の光を得ることが容易でありかつ発光効率が高いため、白色ＬＥＤ用の蛍光体として注目されている。
しかし、上記アルカリ土類シリケート蛍光体は、耐湿性に劣る。具体的には、上記アルカリ土類シリケート蛍光体は、水又は空気中の水分の存在下で蛍光体の表面のアルカリ土類金属が水酸化物を形成して劣化することにより、蛍光体の発光効率が低下し易い。このため、従来、上記アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に耐湿性を有する表面処理層を形成する技術が提案されている。
例えば、特許文献１には、硫酸塩等の水溶性化合物を含有する表面処理水溶液と、アルカリ土類シリケート蛍光体とを接触させて、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成して、表面処理蛍光体を製造する方法が記載されている。
特開２０１３−４０２３６号公報
しかしながら、特許文献１の方法では、耐湿性の低い上記アルカリ土類シリケート蛍光体の表面が表面処理水溶液との接触により劣化して、表面処理蛍光体の初期の発光効率が低下するという問題があった。また、特許文献１の方法では、表面処理水溶液に由来する水が表面処理蛍光体のアルカリ土類シリケート蛍光体の表面と表面処理層との間に残存し、発光効率が徐々に低下する、すなわち、長期信頼性が劣るという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の態様に係る表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、この蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体を製造する方法である。この製造方法は、表面処理工程を有する。この表面処理工程では、前記アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを非水系溶媒の共存下で接触させることにより、前記アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に前記表面処理層を形成する。表面処理物質は、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも１種である。
本発明の表面処理蛍光体の製造方法は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い表面処理蛍光体を製造することができる。
本発明の実施形態に係る表面処理蛍光体及び波長変換部材を示す概略図である。 本発明の実施形態に係る発光装置を説明するための概略図である。 本発明の実施形態に係る半導体発光装置の一例を模式的に示す斜視図である。 （Ａ）は図３におけるＡ−Ａ線断面図であり、（Ｂ）は図３におけるＢ−Ｂ線断面図である。 半導体発光装置における封止部材の形成方法を説明するための図である。
以下、本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置について詳細に説明する。
［表面処理蛍光体の製造方法］
実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩からなるアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体を製造する表面処理蛍光体の製造方法である。実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、下記の表面処理工程を有する。
（表面処理工程）
表面処理工程は、アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも１種の表面処理物質とを接触させる工程である。具体的には、アルカリ土類シリケート蛍光体と、表面処理物質とを、非水系溶媒の共存下で接触させることにより、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成する工程である。はじめに、本工程で用いられるアルカリ土類シリケート蛍光体、表面処理物質及び非水系溶媒について説明する。
＜アルカリ土類シリケート蛍光体＞
本実施形態で用いられるアルカリ土類シリケート蛍光体は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有する物質である。アルカリ土類シリケート蛍光体は、蛍光体の母体結晶としてのアルカリ土類金属の珪酸塩と、付活剤等の、アルカリ土類金属の珪酸塩以外の物質とを含む。
前記アルカリ土類金属の珪酸塩は、例えば、ストロンチウム、バリウム及びカルシウムからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属の珪酸塩である。
アルカリ土類金属の珪酸塩は、具体的には、例えば、母体の結晶構造が、Ｍ３ＳｉＯ５又はＭ２ＳｉＯ４の結晶構造と実質的に同じ構造を有する珪酸塩である。ここで、Ｍは、例えば、Ｓｒ、Ｂａ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属である。なお、「Ｍ３ＳｉＯ５又はＭ２ＳｉＯ４の結晶構造と実質的に同じ構造」とは、アルカリ土類金属の珪酸塩をＸ線回折法で測定した場合に、Ｍ３ＳｉＯ５又はＭ２ＳｉＯ４と同様なＸ線回折パターンを有することを意味する。
アルカリ土類シリケート蛍光体に含まれる付活剤としては、例えば、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が挙げられる。
アルカリ土類シリケート蛍光体には、必要により、例えば、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｙ、Ｇｄ及びＴｂ等の金属元素、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒ等のハロゲン元素、硫黄（Ｓ）並びにリン（Ｐ）が含まれていてもよい。これらの元素は、１種又は２種以上が含まれていてもよい。
アルカリ土類シリケート蛍光体の例としては、例えば、一般式（１）の組成を有する橙色蛍光体、一般式（２）の組成を有する橙色蛍光体、一般式（３）の組成を有する緑色又は黄色蛍光体や、一般式（４）の組成を有する緑色又は黄色蛍光体等が挙げられる。
（Ｓｒ１−ｘＭｘ）ｙＳｉＯ５：Ｅｕ２＋ （１）
式（１）中、ＭはＢａ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属である。また、式（１）中、０≦ｘ＜１．０であり、２．６≦ｙ≦３．３である。
（Ｓｒ１−ｘＭｘ）ｙＳｉＯ５：Ｅｕ２＋Ｄ （２）
式（２）中、ＭはＢａ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属である。ＤはＦ、Ｃｌ及びＢｒからなる群より選ばれるハロゲンアニオンである。また、式（２）中、０≦ｘ＜１．０であり、２．６≦ｙ≦３．３である。
（Ｓｒ１−ｘＭｘ）ｙＳｉＯ４：Ｅｕ２＋ （３）
式（３）中、ＭはＢａ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属であり、０≦ｘ＜１．０であり、１．８≦ｙ≦２．２である。
（Ｓｒ１−ｘＭｘ）ｙＳｉＯ４：Ｅｕ２＋Ｄ （４）
式（４）中、ＭはＢａ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属である。ＤはＦ、Ｃｌ及びＢｒからなる群より選ばれるハロゲンアニオンである。また、式（４）中、０≦ｘ＜１．０であり、１．８≦ｙ≦２．２である。
アルカリ土類シリケート蛍光体は、屈折率が、通常１．８〜１．９である。
アルカリ土類シリケート蛍光体は、通常、粒子状である。アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径は、通常１μｍ以上、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは８〜５０μｍである。ここで、平均粒子径とは、メディアン径（Ｄ５０）を意味する。平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置を用い、レーザー回折・散乱法を用いて求められる。また、平均粒子径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を用いた観察により求めることもできる。
アルカリ土類シリケート蛍光体は、平均粒子径が大きいと、アルカリ土類シリケート蛍光体粒子中の欠陥密度が小さくなることから、発光時のエネルギー損失が少なくなり、発光効率が高くなる。また、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が１μｍ未満であると、輝度が低下し易いとともに、表面処理蛍光体自体が凝集しやすくなって均一な被覆処理が困難になる。このため、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が上記範囲内にあると、発光時のエネルギー損失が少なくなり、発光効率が高くなり、均一な被覆処理が容易になる。
ただし、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が大きすぎると、得られる表面処理蛍光体の透光性媒体中の分散性が悪くなり、波長変換部材や発光装置の特性に悪影響を与える恐れがある。このため、表面処理蛍光体の分散性が厳密に要求される場合には、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径の実用上の上限を上記のように５０μｍにすればよい。
＜表面処理物質＞
本実施形態で用いられる表面処理物質は、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層を形成するための原料である。
本実施形態で用いられる表面処理物質は、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも１種である。
硫酸塩としては、例えば、硫酸アンモニウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸リチウム、硫酸アルミニウム、硫酸ナトリウムアルミニウム、硫酸ナトリウムアンモニウムが用いられる。
リン酸塩としては、例えば、リン酸一水素アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウム、リン酸ナトリウムアンモニウム、リン酸カリウムアンモニウムが用いられる。
炭酸塩としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウムが用いられる。ホウ酸塩としては、例えば、メタホウ酸ナトリウム（ＮａＢＯ２）が用いられる。また、本実施形態では表面処理物質として、ホウ酸塩と同様にホウ酸を用いることができる。チタン酸塩としては、例えば、チタンアルコキシド、チタン錯体が用いられる。フッ化物としては、例えば、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）、二フッ化アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）が用いられる。
これらの表面処理物質は、非水系溶媒中で溶解して陰イオンを生成する。ここで、非水系溶媒としては、例えば、分子中に−ＯＨ基等の親水性を有する官能基を複数個有する非水系溶媒が用いられる。分子中に−ＯＨ基等の親水性を有する官能基を複数個有する非水系溶媒としては、例えば、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも１種の多価アルコールが用いられる。表面処理物質が非水系溶媒中に溶解するメカニズムは、非水系溶媒が表面処理物質を錯化する錯化作用によると推定される。一方、表面処理物質が接触するアルカリ土類シリケート蛍光体の表面には、通常、空気中の水分等との反応により、ストロンチウム、バリウム及びカルシウム等の水酸化物であるＳｒ（ＯＨ）２、Ｂａ（ＯＨ）２、Ｃａ（ＯＨ）２等が存在している。このため、表面処理物質から生成された陰イオンと、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物とが接触して反応すると、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、アルカリ土類金属塩からなる表面処理層が生成される。このアルカリ土類金属塩は水に難溶性であるため、表面処理層は耐水性を有するものとなる。
例えば、表面処理物質が硫酸アンモニウムであり、非水系溶媒が多価アルコールである場合の、表面処理層の生成のメカニズムについて説明する。硫酸アンモニウムが多価アルコール中に投入されると、多価アルコールの錯化作用等により多価アルコールに溶解して、硫酸イオンが生成される。そして、多価アルコール中で、この硫酸イオンがアルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物である、Ｓｒ（ＯＨ）２、Ｂａ（ＯＨ）２、Ｃａ（ＯＨ）２等と接触すると、下記式（５）〜（７）の反応が生じる。この結果、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、難溶性の硫酸塩である、ＳｒＳＯ４、ＢａＳＯ４、ＣａＳＯ４等からなる表面処理層が形成される。上記メカニズムは、多価アルコール以外の分子中に−ＯＨ基等の親水性を有する官能基を複数個有する非水系溶媒にも当てはまると推測される。
［化１］
Ｓｒ（ＯＨ）２＋ＳＯ４ ２−→ＳｒＳＯ４＋２ＯＨ− （５）
［化２］
Ｂａ（ＯＨ）２＋ＳＯ４ ２−→ＢａＳＯ４＋２ＯＨ− （６）
［化３］
Ｃａ（ＯＨ）２＋ＳＯ４ ２−→ＣａＳＯ４＋２ＯＨ− （７）
なお、上記の非水系溶媒に溶解した硫酸塩から難溶性の硫酸塩を生成するメカニズムは、硫酸塩以外の表面処理物質であるリン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物についても同様に当てはまると推定される。
具体的には、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物は、非水系溶媒の錯化作用等により非水系溶媒に溶解して、それぞれリン酸イオン、炭酸イオン、ホウ酸イオン、チタン酸イオン及びフッ化物イオンを生成する。そして、これらのリン酸イオン、炭酸イオン、ホウ酸イオン、チタン酸イオン及びフッ化物イオンが、それぞれ、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物と接触すると、難溶性の塩からなる表面処理層が形成される。
例えば、表面処理物質が炭酸アンモニウムであり、非水系溶媒が多価アルコールである場合について説明する。多価アルコール中で炭酸アンモニウムから生成した炭酸イオンがアルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物である、Ｓｒ（ＯＨ）２、Ｂａ（ＯＨ）２、Ｃａ（ＯＨ）２等と接触すると、下記式（８）〜（１０）の反応が生じる。この結果、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、難溶性の炭酸塩である、ＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３等からなる表面処理層が形成される。上記メカニズムは、多価アルコール以外の分子中に−ＯＨ基等の親水性を有する官能基を複数個有する非水系溶媒にも当てはまると推測される。
［化４］
Ｓｒ（ＯＨ）２＋ＣＯ３ ２−→ＳｒＣＯ３＋２ＯＨ− （８）
［化５］
Ｂａ（ＯＨ）２＋ＣＯ３ ２−→ＢａＣＯ３＋２ＯＨ− （９）
［化６］
Ｃａ（ＯＨ）２＋ＣＯ３ ２−→ＣａＣＯ３＋２ＯＨ− （１０）
＜非水系溶媒＞
本実施形態で用いられる非水系溶媒は、上記アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを接触させる際にアルカリ土類シリケート蛍光体及び表面処理物質の溶媒又は分散媒として共存させる物質である。この非水系溶媒は、上記表面処理物質を溶解させることができるため、アルカリ土類シリケート蛍光体に水を接触させずに、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成することが可能になる。
本実施形態で用いられる非水系溶媒としては、例えば、分子中に−ＯＨ基等の親水性を有する官能基を複数個有する非水系溶媒が用いられる。分子中に−ＯＨ基等の親水性を有する官能基を複数個有すると、表面処理物質を錯化により溶解しやすい。分子中に−ＯＨ基等の親水性を有する官能基を複数個有する非水系溶媒としては、例えば、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも１種の多価アルコールが用いられる。ジオールとしては、例えば、エチレングリコール及びその誘導体が用いられる。トリオールとしては、例えば、グリセリン及びその誘導体が用いられる。ここで誘導体とは、ジオール及びトリオールの母体の構造及び性質を大幅に変えずに官能基が導入されたものを意味する。エチレングリコール及びその誘導体並びにグリセリンその誘導体のうち、エチレングリコール及びその誘導体は、比較的粘度が低く、沸点が低いため乾燥による除去が可能で、好ましい。
なお、一般的な溶媒であるメタノール、エタノール及びイソプロパノール等の１価アルコールは、本実施形態で用いられる表面処理物質を溶解させることが困難であるため、１価アルコールのみからなる非水溶媒中で表面処理層を形成することは困難である。これに対し、本実施形態で用いられる多価アルコール等の非水系溶媒は、表面処理物質を溶解させることができるため、非水系溶媒中、又は非水系溶媒を含む非水溶媒中で、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成することができる。
表面処理工程は、上記アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを非水系溶媒の共存下で接触させる工程である。ここで、非水系溶媒の共存下とは、非水系溶媒を含む溶媒中でアルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを接触させることを意味する。また、非水系溶媒を含む溶媒とは、非水系溶媒、又は非水系溶媒を含む溶媒を意味する。非水系溶媒を含む溶媒において、非水系溶媒以外に含まれる溶媒としては、水以外の溶媒が用いられ、例えば、メタノール、エタノール及びイソプロパノール等の１価アルコールが用いられる。これらの溶媒は、１種で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
なお、非水系溶媒を含む溶媒は、水分を実質的に含まないようにする。ここで、「水分を実質的に含まない」とは、積極的に水を添加しないという意味であり、非水系溶媒を含む溶媒に空気中の水分が微量吸収された状態は「水分を実質的に含まない」状態に含まれる。非水系溶媒を含む溶媒が非水系溶媒のみからなると、アルカリ土類シリケート蛍光体や表面処理物質が水分とより接触し難いため好ましい。
非水系溶媒を含む溶媒は、非水系溶媒の濃度が、通常９０質量％以上、好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９８質量％以上である。非水系溶媒の濃度が高いと、アルカリ土類シリケート蛍光体及び表面処理層の水分による劣化が少ないため好ましい。
本工程では、非水系溶媒を含む溶媒中に表面処理物質が溶解しかつアルカリ土類シリケート蛍光体が分散した蛍光体分散表面処理液を調製することにより、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理層とを非水系溶媒の共存下で接触させる。蛍光体分散表面処理液の調製は、通常、表面処理物質が非水系溶媒を含む溶媒に溶解した状態で行われる。
表面処理物質を非水系溶媒を含む溶媒に溶解させて蛍光体分散表面処理液を調製する方法としては、例えば、以下の第１及び第２の方法が用いられる。第１の方法は、非水系溶媒を含む溶媒に表面処理物質を溶解させて得られた表面処理液と、非水系溶媒を含む溶媒にアルカリ土類シリケート蛍光体を分散させて得られた蛍光体分散液とを、攪拌して混合する方法である。第２の方法は、非水系溶媒を含む溶媒に表面処理物質を溶解させて得られた表面処理液にアルカリ土類シリケート蛍光体を分散させる方法である。
このうち、第１の方法は、非水系溶媒中に均一に分散したアルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが均一に反応し易い。また、第２の方法は、第１の方法に比較して作業が容易である。第１の方法を採用する場合、表面処理工程は、通常、表面処理液調製工程と、分散液調製工程と、混合工程とを有する。また、第２の方法を採用する場合、表面処理工程は、通常、表面処理液調製工程と、分散工程とを有する。第１の方法及び第２の方法について説明する。
＜第１の方法＞
［表面処理液調製工程］
表面処理液調製工程は、非水系溶媒を含む溶媒中に表面処理物質を溶解させて表面処理液（Ｉ）を得る工程である。ここで、非水系溶媒を含む溶媒とは、上記説明の通りであるため、説明を省略する。本工程では、非水系溶媒を含む溶媒中に表面処理物質が溶解した表面処理液（Ｉ）が得られる。表面処理液（Ｉ）は、例えば、室温とする。ここで、室温とは、通常５〜３５℃、好ましくは２０〜２５℃である。
［分散液調製工程］
分散液調製工程は、非水系溶媒を含む溶媒中にアルカリ土類シリケート蛍光体を分散させて蛍光体分散液（ＩＩ）を得る工程である。ここで、非水系溶媒を含む溶媒とは、上記説明の通りである。本工程では、非水系溶媒を含む溶媒中にアルカリ土類シリケート蛍光体が分散された蛍光体分散液（ＩＩ）が得られる。蛍光体分散液（ＩＩ）は、例えば、室温とする。室温の温度範囲は表面処理液調製工程における室温と同じであるため、説明を省略する。
［混合工程］
混合工程は、表面処理液（Ｉ）と蛍光体分散液（ＩＩ）とを混合して蛍光体分散表面処理液を調製する工程である。本工程では、表面処理液（Ｉ）と蛍光体分散液（ＩＩ）との混合により、非水系溶媒を含む溶媒中に、アルカリ土類シリケート蛍光体と、溶解した表面処理物質と、が共存した蛍光体分散表面処理液が得られる。混合方法としては、例えば、マグネチックスターラーを用いて攪拌する方法が用いられる。蛍光体分散表面処理液は、通常、スラリーとなる。
本工程では、蛍光体分散表面処理液中のアルカリ土類シリケート蛍光体に対する表面処理物質の濃度である単位表面積当たりモル数（モル／ｍ２）が、通常２．５×１０−４〜２．５×１０−１（モル／ｍ２）である。ここで、単位表面積当たりモル数（モル／ｍ２）とは、蛍光体分散表面処理液中の表面処理物質のモル数Ａ（モル）を、蛍光体分散表面処理液中のアルカリ土類シリケート蛍光体の全表面積Ｓ（ｍ２）で除して算出された値である。単位表面積当たりモル数が上記範囲内にあると、蛍光体表面全体に均一な膜を形成することが可能なため好ましい。
本工程では、表面処理液（Ｉ）と蛍光体分散液（ＩＩ）との混合で得られる蛍光体分散表面処理液の温度を、例えば、室温とする。室温の温度範囲は表面処理液調製工程における室温と同じであるため、説明を省略する。本工程では、アルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが十分に反応するため、蛍光体分散表面処理液の温度を室温にすることができる。
蛍光体分散表面処理液を攪拌し続けると、アルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが十分に反応し、非水系溶媒を含む溶媒中で、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層が形成された表面処理蛍光体が作製される。
蛍光体分散表面処理液の攪拌は、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面上の表面処理層の厚みが、通常５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００ｎｍ、より好ましくは２０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは４０〜２００ｎｍになるまで行うことが好ましい。
表面処理層の厚みが５ｎｍ以上であると、アルカリ土類シリケート蛍光体の粒子の表面に凹凸が存在していても厚みがほぼ均一になるように被覆することができるため好ましい。また、表面処理層の厚みが１０００ｎｍ以下であると、表面処理層に亀裂が入り難いため表面処理層の剥離が抑制されるため好ましい。蛍光体分散表面処理液の攪拌時間は、特に限定されないが、例えば、通常２〜６０分、好ましくは５〜３０分である。
＜第２の方法＞
［表面処理液調製工程］
表面処理液調製工程は、非水系溶媒を含む溶媒中に表面処理物質を溶解させて表面処理液（Ｉ）を得る工程である。第２の方法の表面処理液調製工程は、第１の方法の表面処理液調製工程と同じであるため、説明を省略する。
［分散工程］
分散工程は、表面処理液（Ｉ）にアルカリ土類シリケート蛍光体を分散させて蛍光体分散表面処理液を調製する工程である。このように蛍光体分散表面処理液を調製する方法としては、例えば、非水系溶媒を含む溶媒に表面処理物質を溶解させて得られた表面処理液を攪拌しながら、表面処理液にアルカリ土類シリケート蛍光体を添加して分散させる方法が用いられる。表面処理液の攪拌方法としては、例えば、マグネチックスターラーを用いて攪拌する方法が用いられる。蛍光体分散表面処理液は、通常、スラリーとなる。
本工程では、蛍光体分散表面処理液中のアルカリ土類シリケート蛍光体の分散量である単位表面積当たりモル数（モル／ｍ２）が、第１の方法の混合工程と同様に、通常２．５×１０−４〜２．５×１０−１（モル／ｍ２）である。単位表面積当たりモル数が上記範囲内にあると、蛍光体表面全体に均一な膜を形成することが可能なため好ましい。
本工程における蛍光体分散表面処理液の温度や攪拌の度合いは、第１の方法の混合工程と同じであるため、説明を省略する。
蛍光体分散表面処理液を攪拌し続けると、アルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが十分に反応し、非水系溶媒を含む溶媒中で、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層が形成された表面処理蛍光体が作製される。表面処理層の厚みは、第１の方法の混合工程と同じであるため、説明を省略する。
上記の第１の方法や第２の方法等からなる表面処理工程が終了すると、非水系溶媒を含む溶媒中に形成された表面処理蛍光体は、吸引濾過、自然濾過等により、非水系溶媒を含む溶媒から分離・回収される。回収した表面処理蛍光体を、適宜、乾燥させると、実施形態に係る表面処理蛍光体が得られる。
実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体を製造する表面処理蛍光体の製造方法である。この製造方法は、表面処理工程を有する。この表面処理工程では、前記アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも１種の表面処理物質とを接触させる。ここで、前記アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とは、非水系溶媒の共存下で接触させる。これにより、この表面処理工程では、前記アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に前記表面処理層を形成する。
実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い表面処理蛍光体を製造することができる。
具体的には、実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、表面処理層の形成の際にアルカリ土類シリケート蛍光体と水とが接触しないため、水との接触によるアルカリ土類シリケート蛍光体の初期劣化が抑制される。
また、実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理層との界面に水が残存し難いため、水によるアルカリ土類シリケート蛍光体の劣化を長期にわたって抑制できる。
さらに、実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、作製される表面処理層の屈折率がアルカリ土類シリケート蛍光体と透光性媒体との間の値を採る。このため、表面処理層を形成しない場合に比べて光取り出し効率が高くなり、発光効率が高くなる。
［表面処理蛍光体］
実施形態に係る表面処理蛍光体は、上記の表面処理蛍光体の製造方法を用いて製造される蛍光体である。実施形態に係る表面処理蛍光体は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する。
＜アルカリ土類シリケート蛍光体＞
実施形態に係る表面処理蛍光体を構成するアルカリ土類シリケート蛍光体については、上記の表面処理蛍光体の製造方法で説明したものと同じであるため、説明を省略する。
＜表面処理層＞
表面処理層は、Ｓｒ、Ｂａ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属の、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩又はフッ化物である。これらの化合物は、耐湿性が高いため、表面処理蛍光体の耐湿性が高い。
アルカリ土類金属の硫酸塩としては、例えば、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４、屈折率：１．６４）や硫酸ストロンチウム（ＳｒＳＯ４、屈折率：１．６３）が挙げられる。アルカリ土類金属のリン酸塩としては、例えば、リン酸ストロンチウム（Ｓｒ３（ＰＯ４）２、屈折率：約１．６）が挙げられる。アルカリ土類金属の炭酸塩としては、例えば、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３、屈折率：約１．５、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３、屈折率：約１．６）が挙げられる。アルカリ土類金属のホウ酸塩としては、例えば、メタホウ酸バリウム（ＢａＢ２Ｏ４、屈折率：約１．６）が挙げられる。アルカリ土類金属のフッ化物としては、例えば、フッ化バリウム（ＢａＦ２、屈折率：約１．５）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２、屈折率：約１．４）が挙げられる。
表面処理層の成分が上記物質であると、耐水性があるため、アルカリ土類シリケート蛍光体の耐水性を向上させることができる。また、表面処理層の屈折率が後述の透光性媒体よりも大きく、かつ蛍光体の屈折率よりも小さい、いわゆる中間屈折率のものは、次の点で好ましい。すなわち、この中間屈折率のものは、ＬＥＤチップ等の励起源から放射された励起光（１次光）が、透光性媒体から表面処理蛍光体の表面処理層に入射する際に表面反射を抑制できるため好ましい。また、発光光が蛍光体から透光性媒体に出社される際も、蛍光体-透光性媒体界面での全反射が抑制できるため好ましい。
また、表面処理蛍光体を構成する表面処理層は、厚みが、通常５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００ｎｍ、より好ましくは２０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは４０〜２００ｎｍである。この理由は上述の表面処理蛍光体の製造方法において説明したため、説明を省略する。
実施形態に係る表面処理蛍光体は、純水２０００重量部中に前記アルカリ土類シリケート蛍光体1重量部を２０分間浸漬した後の水の導電率（水浸漬試験導電率）が、通常１００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは５０μＳ／ｃｍ以下である。水浸漬試験導電率が、この範囲内にあると、水による分解劣化が少なく、優れた耐湿性を示すため好ましい。
実施形態に係る表面処理蛍光体は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
具体的には、実施形態に係る表面処理蛍光体は、表面処理層の形成の際にアルカリ土類シリケート蛍光体と水とが接触しないため、水との接触によるアルカリ土類シリケート蛍光体の初期劣化が抑制される。
また、実施形態に係る表面処理蛍光体は、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理層との界面に水が残存し難いため、水によるアルカリ土類シリケート蛍光体の劣化を長期にわたって抑制できる。
さらに、実施形態に係る表面処理蛍光体は、作製される表面処理層の屈折率がアルカリ土類シリケート蛍光体と透光性媒体との間の値を採る。このため、表面処理層を形成しない場合に比べて光取り出し効率が高くなり、発光効率が高くなる。
実施形態に係る表面処理蛍光体は、ＬＥＤチップ等の励起源から、アルカリ土類シリケート蛍光体を励起する励起光（１次光）が照射されることにより、アルカリ土類シリケート蛍光体が励起光の一部をより長波長の光（２次光）に変換して放射する。この２次光は、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面の表面処理層を透過して表面処理蛍光体外に放射される。
このように表面処理蛍光体の発光にはＬＥＤチップ等の励起源が必要である。現在、表面処理蛍光体を発光用途に用いる場合、表面処理蛍光体と励起源とを含む発光装置、又は表面処理蛍光体を含むが励起源を含まない波長変換部材が知られている。波長変換部材は、励起源と組み合わせて用いることにより、表面処理蛍光体を発光させることができる。次に、波長変換部材及び発光装置について説明する。
［波長変換部材］
実施形態に係る波長変換部材は、透光性媒体と、この透光性媒体内に分散される表面処理蛍光体と、を備えるものである。この波長変換部材において、表面処理蛍光体は上述の実施形態に係る表面処理蛍光体と同じであり、透光性媒体の屈性率は表面処理蛍光体の表面処理層の屈性率よりも小さいものである。
以下、図面を参照して本実施形態の波長変換部材の具体的な構成を説明する。図１は、本実施形態に係る表面処理蛍光体及び波長変換部材を示す概略図である。
図１に示すように、本実施形態の波長変換部材１５は、透光性媒体１４内に表面処理蛍光体１１が分散された構造を有する。表面処理蛍光体１１は、アルカリ土類シリケート蛍光体１２と、このアルカリ土類シリケート蛍光体１２の表面を被覆する表面処理層１３と、を有する。図１中、符号ｔは、表面処理層１３の厚みを示す。
（表面処理蛍光体）
表面処理蛍光体は、上記の実施形態に係る表面処理蛍光体と同じであるため、説明を省略する。
（透光性媒体）
透光性媒体は、表面処理蛍光体を分散させる透光性を有する媒体である。この透光性媒体としては、透光性を有するとともに、屈性率が、表面処理蛍光体の表面処理層の屈性率よりも小さいものが用いられる。透光性媒体の屈性率が、表面処理蛍光体の表面処理層の屈性率よりも小さいと、ＬＥＤチップ等の励起源から放射された励起光（１次光）が、表面処理蛍光体の表面処理層に入射する際に全反射になり難いため好ましい。
このような透光性媒体としては、例えば、シロキサン結合を有するケイ素化合物、ガラス、アクリル樹脂、有機成分と無機成分とがナノメートルレベル又は分子レベルで混合及び結合されることで形成される有機・無機ハイブリッド材料、等が用いられる。これらの透光性媒体のうち、シロキサン結合を有するケイ素化合物及びガラスは、耐熱性及び耐光性、特に青色〜紫外線等の短波長の光に対する耐久性に優れる。このため、ＬＥＤチップ等の励起源から放射される励起光（１次光）が一般的な青色光から紫外光に亘る波長域の光であっても、劣化し難い。
ケイ素化合物としては、例えば、シリコーン樹脂、オルガノシロキサンの加水分解縮合物、オルガノシロキサンの縮合物、公知の重合手法により架橋される複合樹脂が用いられる。ここで、公知の重合手法とは、ヒドロシリル化等の付加重合やラジカル重合等である。
表面処理蛍光体を透光性媒体中に分散させる方法としては、公知の方法が用いられる。例えば、流動状態の透光性媒体中に表面処理蛍光体を均一に分散させた後、流動状態の透光性媒体を硬化する方法が用いられる。
波長変換部材は、透光性媒体内に表面処理蛍光体が分散された構造を有するため、励起源から励起光（１次光）が入射されると、励起光の一部をより長波長の光（２次光）に変換し、透光性媒体を介して波長変換部材外に放射する。
実施形態に係る波長変換部材は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
［発光装置］
実施形態に係る発光装置としては、励起源と表面処理蛍光体とが一体化された第１の発光装置と、励起源と波長変換部材とが別部材である第２の発光装置とがある。
（第１の発光装置）
実施形態に係る第１の発光装置は、励起源と、この励起源から放射される光の一部をより長波長の光に変換して放射する表面処理蛍光体と、を備えた発光装置である。この第１の発光装置において、表面処理蛍光体は、上記の実施形態に係る表面処理蛍光体と同じであるため説明を省略する。
＜励起源＞
励起源は、表面処理蛍光体中のアルカリ土類シリケート蛍光体を励起する励起光（１次光）を放射する光源である。励起源としては、例えば、ＬＥＤチップが用いられる。励起源は、アルカリ土類シリケート蛍光体の励起特性に合わせて、放電装置、電子銃、固体発光素子等から適宜選択すればよい。
＜表面処理蛍光体＞
表面処理蛍光体は、上記の実施形態に係る表面処理蛍光体と同じであるため、説明を省略する。
第１の発光装置において、表面処理蛍光体は、通常、透光性媒体中に分散される。この透光性媒体の材質、及び表面処理蛍光体を透光性媒体中に分散させる方法は、上記の波長変換部材で説明したものと同じであるため、説明を省略する。
第１の発光装置では、通常、励起源が、表面処理蛍光体を分散させた透光性媒体中に埋設される。すなわち、第１の発光装置は、通常、励起源の周囲を、表面処理蛍光体が分散した透光性媒体で被覆する構造になっている。第１の発光装置をこのような構造にすると、第１の発光装置を小型化できるとともに、励起源から放射された励起光が効率よく表面処理蛍光体に照射され、表面処理蛍光体の発光効率を高くすることができる。
励起源を、表面処理蛍光体を分散させた透光性媒体で埋設する方法としては、公知の方法が用いられる。例えば、流動状態の透光性媒体中に表面処理蛍光体を均一に分散させた分散物を、励起源の周囲に流し込んだ後、流動状態の透光性媒体を硬化する方法が用いられる。
第１の発光装置について、より具体的に説明する。本実施形態の第１の発光装置は、発光する機能を備えた電子装置を広く包含するものであり、何らかの光を発する電子装置であれば特に限定されるものではない。発光装置としては、例えば、蛍光灯、電子管、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、白色ＬＥＤ、検出装置、照明光源、照明装置、表示装置、レーザーダイオードを備えるプロジェクター、ＬＥＤバックライトを備える液晶ディスプレイ等が挙げられる。
本実施形態の第１の発光装置は、上述の表面処理蛍光体が放つ蛍光を出力光として利用するものであり、一方、フォトルミネッセンス等のルミネッセンスは蛍光を放つ現象である。このため、本実施形態の発光装置は、上記のルミネッセンスを利用するものを含む。
ルミネッセンスについて説明する。電子装置に利用される蛍光現象は、学術的に、フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンス、エレクトロルミネッセンス等の用語で区別されている。ここで、「フォトルミネッセンス（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）」とは、蛍光体に電磁波を照射したときに蛍光体が放つ蛍光を意味する。また、「電磁波」という用語は、Ｘ線、紫外線、可視光及び赤外線等を総称する用語である。さらに、「カソードルミネッセンス（ｃａｔｈｏｄｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）」とは、蛍光体に電子線を照射したときに蛍光体が放つ蛍光を意味する。また、エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）とは、蛍光体に電子を注入したり電界をかけたりしたときに放つ蛍光を意味する。なお、原理的にフォトルミネッセンスに近い蛍光として、サーモルミネッセンス（ｔｈｅｒｍｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）という用語もあるが、これは蛍光体に熱を加えたときに蛍光体が放つ蛍光をいう。また、原理的にカソードルミネッセンスに近い蛍光として、ラジオルミネッセンス（ｒａｄｉｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）という用語もあるが、これは蛍光体に放射線を照射したときに蛍光体が放つ蛍光をいう。
本実施形態の第１の発光装置のうち、フォトルミネッセンスを出力光として利用するものとしては、例えば、Ｘ線イメージインテンシファイア、蛍光灯、白色ＬＥＤ、蛍光体とレーザーダイオードを利用する半導体レーザープロジェクター及びＰＤＰが挙げられる。
また、本実施形態の第１の発光装置のうち、カソードルミネッセンスを出力光として利用するものとしては、例えば、電子管、蛍光表示管及びフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）が挙げられる。
さらに、本実施形態の第１の発光装置のうち、エレクトロルミネッセンスを出力光として利用するものとしては、例えば、無機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（無機ＥＬ）及び発光ダイオード（ＬＥＤ）が挙げられる。また、このエレクトロルミネッセンスを出力光として利用するものとしては、例えば、半導体レーザー（ＬＤ）及び有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）も挙げられる。
＜第１の発光装置の具体的な構成＞
以下、図面を参照して本実施形態の第１の発光装置の具体的な構成を説明する。図２は、本実施形態に係る第１の発光装置の概略を示す。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）において、励起源１は、本実施形態の表面処理蛍光体１１のアルカリ土類シリケート蛍光体を励起するための一次光を生成する光源である。励起源１としては、α線、β線、電子線等の粒子線や、γ線、Ｘ線、真空紫外線、紫外線、可視光（特に紫色光の短波長可視光）等の電磁波を放つ放射装置を用いることができる。また励起源１としては、各種の放射線発生装置や電子ビーム放射装置、放電光発生装置、固体発光素子、固体発光装置等も用いることができる。励起源１の代表的なものとしては、電子銃、Ｘ線管球、希ガス放電装置、水銀放電装置、発光ダイオード、半導体レーザーを含むレーザー光発生装置、無機又は有機のエレクトロルミネッセンス素子等が挙げられる。
また、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）において、出力光４は、表面処理蛍光体１１のアルカリ土類シリケート蛍光体が、励起源１が放つ励起線又は励起光３によって励起されて放つ蛍光である。出力光４は、発光装置において照明光や表示光として利用される。
図２（Ａ）は、励起線又は励起光３を表面処理蛍光体１１に照射する方向に、表面処理蛍光体１１からの出力光４が放出される構造の発光装置を示す。なお、図２（Ａ）に示す発光装置としては、白色ＬＥＤ光源や蛍光ランプ、電子管等が挙げられる。一方、図２（Ｂ）は、励起線又は励起光３を蛍光体１１に照射する方向とは逆の方向に、蛍光体１１からの出力光４が放出される構造の発光装置を示す。図２（Ｂ）に示す発光装置としては、プラズマディスプレイ装置や反射板付き蛍光体ホイールを利用する光源装置、プロジェクター等が挙げられる。
本実施形態の第１の発光装置の具体例として、好ましくは、表面処理蛍光体１１等の蛍光体を利用して構成した半導体発光装置、照明光源、照明装置、ＬＥＤバックライト付き液晶パネル、ＬＥＤプロジェクター、レーザープロジェクター等が挙げられる。また本実施形態の第１の発光装置は、３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ未満の範囲内に強度最大値を持つ短波長可視光によって表面処理蛍光体１１等の蛍光体を励起する構造を有することが好ましい。さらに当該発光装置は、短波長可視光を放つ固体発光素子をさらに備えることが好ましい。励起源として固体発光素子を用いることにより、衝撃に強い全固体の発光装置、例えば固体照明を実現することが可能となる。
以下、本実施形態の第１の発光装置が半導体発光装置である場合の具体例を詳細に説明する。図３に示すように、半導体発光装置１００は、基板１１０、複数のＬＥＤ（発光素子）１２０、及び複数の封止部材１３０を備える。基板１１０は、例えば、セラミック基板や熱伝導樹脂等からなる絶縁層とアルミ板等からなる金属層との二層構造を有する。基板１１０は略方形の板状であって、基板１１０の短手方向（Ｘ軸方向）の幅Ｗ１が１２〜３０ｍｍであり、長手方向（Ｙ軸方向）の幅Ｗ２が１２〜３０ｍｍである。
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ１２０は、平面視形状が略長方形である。ＬＥＤ１２０としては、例えばＧａＮ系のＬＥＤが用いられる。ＬＥＤ１２０は、例えば、短手方向（Ｘ軸方向）の幅Ｗ３が０．３〜１．０ｍｍ、長手方向（Ｙ軸方向）の幅Ｗ４が０．３〜１．０ｍｍ、厚み（Ｚ軸方向の幅）が０．０８〜０．３０ｍｍである。
ＬＥＤ１２０は、基板１１０の長手方向（Ｙ軸方向）とＬＥＤ１２０の素子列の配列方向とが一致するように配置されている。ＬＥＤ１２０は、一列に並んだ複数のＬＥＤ１２０ごと素子列を構成しており、それら素子列が基板１１０の短手方向（Ｘ軸方向）に沿って複数列並べて実装されている。具体的には、例えば、２５個のＬＥＤ１２０が５列５行でマトリックス状に実装される。すなわち、１つの素子列は５個のＬＥＤで構成され、このような素子列が５行並べて実装される。
各素子列では、ＬＥＤ１２０が長手方向（Ｙ軸方向）に直線状に配列される。このようにＬＥＤ１２０を直線状に配列することによって、これらＬＥＤ１２０を封止する封止部材１３０も直線状に形成することができる。
図４（Ｂ）に示すように、各素子列は、それぞれ長尺状の封止部材１３０によって個別に封止される。そして、１つの素子列とその素子列を封止する１つの封止部材１３０とによって、１つの発光部１０１を構成する。したがって、半導体発光装置１００は５つの発光部１０１を備えている。
封止部材１３０は、蛍光体を含有した透光性の樹脂材料で形成される。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン・エポキシのハイブリッド樹脂、ユリア樹脂等を用いることができる。ここで、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体を用いることができる。なお、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体に加え、例えば、Ｅｕ２＋、Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋、Ｍｎ２＋の少なくともいずれかで付活した酸化物や酸ハロゲン化物等の酸化物系蛍光体も用いることができる。また、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体に加え、Ｅｕ２＋、Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋、Ｍｎ２＋の少なくともいずれかで付活した窒化物や酸窒化物等の窒化物系蛍光体、又は硫化物や酸硫化物等の硫化物系蛍光体も用いることができる。
本実施形態の表面処理蛍光体に加えて用いられる蛍光体の具体例を以下に示す。青色蛍光体としては、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６：Ｅｕ２＋、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ２＋等が挙げられる。緑青又は青緑色蛍光体としては、Ｓｒ４Ｓｉ３Ｏ８Ｃｌ４：Ｅｕ２＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２４：Ｅｕ２＋、ＢａＡｌ８Ｏ１３：Ｅｕ２＋、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋が挙げられる。さらに緑青又は青緑色蛍光体としては、ＢａＺｒＳｉ３Ｏ９：Ｅｕ２＋、Ｃａ２ＹＺｒ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋、Ｃａ２ＹＨｆ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋、Ｃａ２ＹＺｒ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋が挙げられる。緑色蛍光体としては、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋、Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋が挙げられる。さらに緑色蛍光体としては、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｍｎ２＋、Ｙ３Ａｌ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋、Ｌｕ３Ａｌ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋が挙げられる。また、緑色蛍光体としては、Ｙ３Ｇａ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ３＋、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ３＋、β−Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２＋、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ２＋が挙げられる。緑色蛍光体としては、Ｂａ３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３Ｓｉ１３Ａｌ３Ｏ２Ｎ２１：Ｅｕ２＋、ＹＴｂＳｉ４Ｎ６Ｃ：Ｃｅ３＋、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋が挙げられる。緑色蛍光体としては、Ｃａ２ＬａＺｒ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋、Ｃａ２ＴｂＺｒ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋、Ｃａ２ＴｂＺｒ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋，Ｐｒ３＋が挙げられる。緑色蛍光体としては、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ２＋、ＭｇＧａ２Ｏ４：Ｍｎ２＋が挙げられる。緑色蛍光体としては、ＬａＰＯ４：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋、Ｙ２ＳｉＯ４：Ｃｅ３＋，ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ３＋、ＧｄＭｇＢ５Ｏ１０：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋が挙げられる。黄又は橙色蛍光体としては、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、α−Ｃａ−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ２＋が挙げられる。黄又は橙色蛍光体としては、Ｙ２Ｓｉ４Ｎ６Ｃ：Ｃｅ３＋、Ｌａ３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ３＋、Ｙ３ＭｇＡｌ（ＡｌＯ４）２（ＳｉＯ４）：Ｃｅ３＋が挙げられる。赤色蛍光体としては、Ｓｒ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、ＳｒＡｌＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、ＣａＳ：Ｅｕ２＋、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、Ｙ３Ｍｇ２（ＡｌＯ４）（ＳｉＯ４）２：Ｃｅ３＋が挙げられる。また、赤色蛍光体としては、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ３＋、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ３＋、ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋が挙げられる。赤色蛍光体としては、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ４＋、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、ＧｄＭｇＢ５Ｏ１０：Ｃｅ３＋，Ｍｎ２＋が挙げられる。
上記の表面処理蛍光体に加えて用いられる蛍光体に関しても、必要に応じて表面処理やコーティング等の処理を施すことができる。これによって、蛍光体の耐湿性や効率を向上させることができ、波長変換部材及び発光装置の経時的な効率低下、発光色の経時的な変化を抑制することができる。この結果、上記の表面処理やコーティング等の処理が施された蛍光体を用いることにより、長期間にわたって波長変換部材及び発光装置の信頼性を高めることができる。上記の表面処理蛍光体に加えて用いられる蛍光体に施すことができるコーティングや表面処理の種類に関して特に制限は無いが、例えば、酸化物等のゾルゲル被膜を蛍光体表面に形成するような、ゾルゲルコーティング等が用いられる。
また、上記の表面処理蛍光体に加えて用いられる蛍光体のうち、一部は、本明細書で開示された手法を用いることにより、蛍光体表面に耐湿性が高く光取出し性を向上しうる表面処理膜を形成できる。上記の表面に表面処理層が形成されうる一部の蛍光体としては、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属を含む蛍光体、例えば、以下の蛍光体が挙げられる。すなわち、青色蛍光体のＣａＭｇＳｉ２Ｏ６：Ｅｕ２＋、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋；緑青又は青緑色蛍光体のＢａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋；緑青又は青緑色蛍光体のＢａＺｒＳｉ３Ｏ９：Ｅｕ２＋が挙げられる。また、緑色蛍光体の（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋、Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｂａ３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３Ｓｉ１３Ａｌ３Ｏ２Ｎ２１：Ｅｕ２＋が挙げられる。さらに、黄又は橙色蛍光体の（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋が挙げられる。これらの一部の蛍光体に表面処理層が形成されて得られた表面処理蛍光体やゾルゲルコーティング層等のコーティング層が形成されて得られた表面コーティング蛍光体は、本実施形態に係る表面処理蛍光体に加えて用いることができる。
図４に示すように、封止部材１３０は、細長い形状であることが好ましい。具体的には、封止部材１３０は、短手方向（Ｘ軸方向）の幅Ｗ５が０．８〜３．０ｍｍ、長手方向（Ｙ軸方向）の幅Ｗ６が３．０〜４０．０ｍｍであることが好ましい。また、ＬＥＤ１２０を含めた最大厚み（Ｚ軸方向の幅）Ｔ１が０．４〜１．５ｍｍ、ＬＥＤ１２０を含めない最大厚みＴ２が０．２〜１．３ｍｍであることが好ましい。封止信頼性を確保するためには、封止部材１３０の幅Ｗ５はＬＥＤ１２０の幅Ｗ３に対して２〜７倍であることが好ましい。
封止部材１３０の短手方向に沿った断面の形状は図４（Ａ）に示すように、略半楕円形である。また、封止部材１３０の長手方向の両端部１３１、１３２は、Ｒ形状になっている。具体的には、両端部１３１、１３２の形状は、図３に示すように、平面視における形状が略半円形であり、図４（Ｂ）に示すように、長手方向に沿った断面の形状が約９０°の中心角を有する略扇形である。封止部材１３０の両端部１３１、１３２がこのようにＲ形状になっていると、それら両端部１３１、１３２において応力集中が生じ難いと共に、ＬＥＤ１２０の出射光を封止部材１３０の外部に取り出し易い。
各ＬＥＤ１２０は、基板１１０にフェイスアップ実装される。そして基板１１０に形成された配線パターン１４０によって、ＬＥＤ１２０に電力が供給する図示しない点灯回路ユニットと電気的に接続されている。配線パターン１４０は、一対の給電用のランド１４１、１４２と、各ＬＥＤ１２０に対応する位置に配置された複数のボンディング用のランド１４３とを有する。
図４に示すように、ＬＥＤ１２０は、例えば、ワイヤボンディングによりワイヤ（例えば、金ワイヤ）１５０を介してランド１４３と電気的に接続される。ワイヤ１５０の一方の端部１５１はＬＥＤ１２０と接合され、他方の端部１５２はランド１４３と接合される。各ワイヤ１５０は、それぞれ接続対象である発光素子の属する素子列に沿って配置される。さらに各ワイヤ１５０の両端部１５１、１５２も素子列に沿って配置される。各ワイヤ１５０は、ＬＥＤ１２０やランド１４３と共に封止部材１３０により封止されているため劣化し難く、また絶縁されていて安全性も高い。なお、ＬＥＤ１２０の基板１１０への実装方法は、上記のようなフェイスアップ実装に限定されず、フリップチップ実装であってもよい。
ＬＥＤ１２０は、図３に示すように、同じ素子列に属する５個のＬＥＤ１２０が直列接続され、５つの素子列が並列接続される。なお、ＬＥＤ１２０の接続形態はこれに限定されず、素子列に関係なくどのように接続されていてもよい。ランド１４１、１４２には、図示しない点灯回路ユニットの一対のリード線が接続され、それらリード線を介して点灯回路ユニットから各ＬＥＤ１２０に電力が供給され、これにより各ＬＥＤ１２０が発光する。
封止部材１３０は、以下のような手順で形成することができる。はじめに、図３に示すように、一列に並んだ複数のＬＥＤ１２０からなる素子列がＸ軸方向に複数列並べて実装された基板１１０を用意する。次に図５に示すように、基板１１０に、例えばディスペンサ１６０を用いて、素子列に沿って樹脂ペースト１３５をライン状に塗布する。その後、塗布後の樹脂ペースト１３５を固化させることによって、素子列ごとに個別に封止部材１３０を形成する。
本実施形態の半導体発光装置は、照明光源用や液晶ディスプレイのバックライト用、表示装置用の光源等広く利用可能である。すなわち上述のように、本実施形態の表面処理蛍光体は、視認性が良好な光を放ち得る。そのため、当該蛍光体を照明光源等に用いた場合、高演色性かつ高効率の照明光源や、高輝度画面の広色域表示が可能な表示装置を提供することができる。
このような照明光源としては、本実施形態の半導体発光装置と、当該半導体発光装置を動作させる点灯回路と、口金等照明器具との接続部品とを組み合わせて構成することができる。また、必要に応じて照明器具を組み合わせれば、照明装置や照明システムを構成することにもなる。
実施形態に係る第１の発光装置は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
（第２の発光装置）
実施形態に係る第２の発光装置は、励起源と、この励起源から放射される光の一部をより長波長の光に変換して放射する波長変換部材と、を備えた発光装置である。この第２の発光装置において、波長変換部材は、上記の実施形態に係る波長変換部材と同じであるため説明を省略する。
＜励起源＞
励起源は、第１の発光装置で用いられるものと同じであるため、説明を省略する。
＜波長変換部材＞
波長変換部材は、上記の実施形態に係る波長変換部材と同じである。波長変換部材は、上記のとおり、透光性媒体内に表面処理蛍光体が分散されている構造を有する。このため、別部材である励起源からの励起光が波長変換部材に入射すると、表面処理蛍光体が励起光の一部をより長波長の光（２次光）に変換し、透光性媒体を介して波長変換部材外に放射する。
これら以外の点については、実施形態に係る第２の発光装置についても、実施形態に係る第１の発光装置を援用しうる。
実施形態に係る第２の発光装置は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
以下、本発明を実施例及び比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
［実施例１、比較例１］
はじめに、ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体粉末（（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、λｐ＝５２８ｎｍ）５ｇをエチレングリコール２００ｍｌ中に分散させて蛍光体分散液を調製した（分散液調製工程）。ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体粉末は、水浸漬試験導電率が３７０μＳ／ｃｍであった。ここで、水浸漬試験導電率とは、常温の純水２０００重量部中に蛍光体1重量部を２０分間浸漬して得られた水について、堀場株式会社製導電率計Ｔｗｉｎ Ｃｏｎｄ Ｂ−１７３を用いて測定した導電率である。なお、この水浸漬試験導電率は、上記蛍光体粉末に表面処理を行って得られた表面処理蛍光体粉末についても行った。一方、硫酸アンモニウム０．０５ｇをエチレングリコール１００ｍｌ中に溶解させて表面処理液を調製した（表面処理液調製工程）。次に、蛍光体分散液２００ｍｌに表面処理液１００ｍｌを添加し、マグネチックスターラーを用いて２５℃で１０分間攪拌混合し、蛍光体分散表面処理液を調製した（混合工程）。なお、蛍光体分散表面処理液は、硫酸アンモニウムのモル数を、蛍光体粉末の全表面積（ｍ２）で除して算出された単位表面積当たりモル数（モル／ｍ２）が、１．２５×１０−３（モル／ｍ２）であった。攪拌混合後に得られたスラリーを濾紙を用いて吸引濾過し、残滓を回収した。この残滓を１５０℃で１時間乾燥させた。乾燥処理後、蛍光体の表面に、硫酸バリウム及び硫酸ストロンチウムからなる表面処理層が形成された表面処理蛍光体粉末が得られた。表面処理蛍光体粉末は、表面処理層の厚さが５０ｎｍであった（実施例１）。
また、実施例１において、上記表面処理をしていないもの、すなわち、ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体粉末（（Ｓｒ，Ｂａ）ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋）そのものを比較例１とした。
得られた表面処理蛍光体粉末（実施例１）及び蛍光体粉末（比較例１）について、水浸漬試験導電率を測定するとともに、以下のようにして初期発光効率及び耐湿性を評価した。比較例１は表面処理をしていないため、比較例１の水浸漬試験導電率は、原料である蛍光体粉末と同じである。
（初期発光効率）
初期発光効率は、得られた表面処理蛍光体粉末（実施例１）又は蛍光体粉末（比較例１）について、蛍光分光光度計（製品名ＱＥ−１１００、ハーフムーン型積分球、大塚電子株式会社製）を用いて発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定した。測定条件は、励起波長を４５０ｎｍ、測定波長範囲を４６０〜８００ｎｍ、積算回数３０回とした。得られた発光効率（ｌｍ／Ｗ）を、表面処理をしていない実験例である比較例１の発光効率（ｌｍ／Ｗ）を１００としたときの相対値として算出し、これを初期発光効率の相対値とした。
（耐湿性）
耐湿性は、得られた表面処理蛍光体粉末又は蛍光体粉末を水（イオン交換水、以下「水」と表記する）に接触させた後、発光効率を測定することにより評価した。具体的には、はじめに、表面処理蛍光体粉末又は蛍光体粉末の１ｇを水１Ｌに分散させ２０分間攪拌した。次に、分散液を濾過し、残滓を１５０℃で１時間乾燥させて、表面処理蛍光体粉末又は蛍光体粉末からなる耐湿試験後試料を得た。
得られた耐湿試験後試料について、初期発光効率の測定と同様にして発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定した。この発光効率（耐湿試験後発光効率の絶対値）（ｌｍ／Ｗ）を、表面処理をしていない実験例である比較例１の発光効率（ｌｍ／Ｗ）を１００としたときの相対値として算出し、これを耐湿試験後発光効率の相対値とした。すなわち、｛（耐湿試験後発光効率の絶対値（ｌｍ／Ｗ））／（比較例１の初期発光効率の絶対値（ｌｍ／Ｗ））｝×１００の式を用いて耐湿試験後発光効率の相対値を算出した。
表面処理の条件、水浸漬試験導電率、初期発光効率の相対値及び耐湿試験後発光効率の相対値を表１に示す。
Figure 2016027077
［実施例２及び３］
表面処理液の調製の際の硫酸アンモニウム配合量を０．０５ｇから０．２ｇに変えた以外は実施例１と同様にして、表面処理蛍光体を作製した（実施例２）。また、表面処理液の調製の際の硫酸アンモニウム配合量を０．０５ｇから０．８ｇに変えた以外は実施例１と同様にして、表面処理蛍光体を作製した（実施例３）。
得られた表面処理蛍光体について、実施例１と同様にして水浸漬試験導電率、初期発光効率及び耐湿性を評価した。表１に、表面処理の条件、水浸漬試験導電率、初期発光効率の相対値及び耐湿試験後発光効率の相対値の結果を示す。
［比較例２〜５］
比較例２として、以下の条件以外は実施例１と同様にして、表面処理蛍光体の作製を試みた。すなわち、比較例２では、蛍光体分散液の調製の際の溶媒をエチレングリコール２００ｍｌからエタノール２００ｍｌに変え、かつ、表面処理液の調製の際の溶媒をエチレングリール１００ｍｌからエタノール１００ｍｌに変えた。
また、比較例３として、以下の条件以外は実施例１と同様にして、表面処理蛍光体の作製を試みた。すなわち、比較例３では、蛍光体分散液の調製の際の溶媒をエチレングリコール２００ｍｌからメタノール２００ｍｌに変え、かつ、表面処理液の調製の際の溶媒をエチレングリコール１００ｍｌからメタノール１００ｍｌに変えた。
さらに、比較例４として、以下の条件以外は実施例１と同様にして、表面処理蛍光体の作製を試みた。すなわち、比較例４では、蛍光体分散液の調製の際の溶媒をエチレングリコール２００ｍｌからＩＰＡ（イソプロパノール）２００ｍｌに変え、かつ、表面処理液の調製の際の溶媒をエチレングリコール１００ｍｌからＩＰＡ１００ｍｌに変えた。
しかし、比較例２〜４では、表面処理物質が溶媒（エタノール、メタノール、ＩＰＡ）に溶解しなかったため、ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体（（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）の表面に表面処理層を形成できなかった。
比較例５として、以下の条件以外は実施例１と同様にして、表面処理蛍光体を作製した。すなわち、比較例５では、蛍光体分散液の調製の際の溶媒をエチレングリコール２００ｍｌから水２００ｍｌに変え、かつ表面処理液の調製の際の溶媒をエチレングリコール１００ｍｌから水１００ｍｌに変えた。比較例５で得られた表面処理蛍光体は、その一部に表面処理層の未被覆部分があり、表面処理層の厚さに０〜５ｎｍとばらつきがあった。
比較例２〜５で得られた表面処理蛍光体について、実施例１と同様にして水浸漬試験導電率、初期発光効率の相対値及び耐湿試験後発光効率の相対値を算出した。表１に、水浸漬試験導電率、表面処理の条件、初期発光効率の相対値及び耐湿試験後発光効率の相対値の結果を示す。
［比較例６］
はじめに、硫酸アンモニウム０．０５ｇを水２００ｍｌ中に溶解させて硫酸アンモニウム水溶液を調製した。次に、この硫酸アンモニウム水溶液２００ｍｌに水浸漬試験導電率が３７０μＳ／ｃｍのユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体（（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、λｐ＝５２８ｎｍ）を５ｇ投入したところ、凝集が生じた。この状態で、マグネチックスターラーを用いて２５℃で１０分間攪拌混合したところ、凝集が少なくなったが依然として凝集が目視で認められた。
攪拌混合後に得られたスラリーを濾紙を用いて吸引濾過し、残滓を回収した。この残滓を１５０℃で１時間乾燥させた。乾燥処理後、蛍光体の表面に、硫酸バリウム及び硫酸ストロンチウムからなる表面処理層が形成された表面処理蛍光体が得られた。比較例６で得られた表面処理蛍光体は、その一部に表面処理層の未被覆部分があり、表面処理層の厚さに０〜６０ｎｍとばらつきがあった。
比較例６で得られた表面処理蛍光体について、実施例１と同様にして水浸漬試験導電率、初期発光効率の相対値及び耐湿試験後発光効率の相対値を算出した。表１に、表面処理の条件、水浸漬試験導電率、初期発光効率の相対値及び耐湿試験後発光効率の相対値の結果を示す。
表１より、実施例１〜３は、水浸漬試験導電率、初期発光効率及び耐湿試験後発光効率に優れることが分かる。
以上、実施例に沿って本発明の内容を説明したが、本発明はこれらの記載に限定されるものではなく、種々の変形及び改良が可能であることは、当業者には自明である。
１ 励起源
２ 蛍光体
６ 固体発光素子（励起源）
１１ 表面処理蛍光体
１２ アルカリ土類シリケート蛍光体粒子（ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体粒子）
１３ 表面処理層
１４ 透光性媒体
１５ 波長変換部材

Claims (14)

  1. アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体を製造する表面処理蛍光体の製造方法であって、
    前記アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも１種の表面処理物質とを、非水系溶媒の共存下で接触させることにより、前記アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に前記表面処理層を形成する表面処理工程、
    を有することを特徴とする表面処理蛍光体の製造方法。
  2. 前記非水系溶媒は、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも１種の多価アルコールであることを特徴とする請求項１に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  3. 前記表面処理工程は、
    前記非水系溶媒を含む溶媒中に前記表面処理物質が溶解しかつ前記アルカリ土類シリケート蛍光体が分散した蛍光体分散表面処理液を調製することにより、前記アルカリ土類シリケート蛍光体と前記表面処理層とを前記非水系溶媒の共存下で接触させることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  4. 前記表面処理工程は、
    前記非水系溶媒を含む溶媒中に前記表面処理物質を溶解させて表面処理液（Ｉ）を得る表面処理液調製工程と、
    前記非水系溶媒を含む溶媒中に前記アルカリ土類シリケート蛍光体を分散させて蛍光体分散液（ＩＩ）を得る分散液調製工程と、
    前記表面処理液（Ｉ）と前記蛍光体分散液（ＩＩ）とを混合して蛍光体分散表面処理液を調製する混合工程と、
    を有することを特徴とする請求項３に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  5. 前記表面処理工程は、
    前記非水系溶媒を含む溶媒中に前記表面処理物質を溶解させて表面処理液（Ｉ）を得る表面処理液調製工程と、
    前記表面処理液（Ｉ）に前記アルカリ土類シリケート蛍光体を分散させて蛍光体分散表面処理液を調製する分散工程と、
    を有することを特徴とする請求項３に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  6. 前記蛍光体分散表面処理液中の前記アルカリ土類シリケート蛍光体の分散量は、前記蛍光体分散表面処理液中の前記表面処理物質のモル数Ａ（モル）を、前記蛍光体分散表面処理液中の前記アルカリ土類シリケート蛍光体の全表面積Ｓ（ｍ２）で除して算出された単位表面積当たりモル数（モル／ｍ２）が、２．５×１０−４〜２．５×１０−１（モル／ｍ２）であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  7. 前記表面処理工程において、前記蛍光体分散表面処理液の液温は室温であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  8. 前記表面処理層の厚みは、５〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  9. 前記アルカリ土類金属の珪酸塩は、ストロンチウム、バリウム及びカルシウムからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属の珪酸塩であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表面処理蛍光体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする表面処理蛍光体。
  11. 純水２０００重量部中に前記アルカリ土類シリケート蛍光体1重量部を２０分間浸漬した後の水の導電率が１００μＳ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１０に記載の表面処理蛍光体。
  12. 透光性媒体と、
    この透光性媒体内に分散される、請求項１０又は１１に記載された表面処理蛍光体と、
    を備え、
    前記透光性媒体の屈性率は、前記表面処理蛍光体の表面処理層の屈性率よりも小さいことを特徴とする波長変換部材。
  13. 励起源と、
    この励起源から放射される光の一部をより長波長の光に変換して放射する請求項１０又は１１に記載された表面処理蛍光体と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
  14. 励起源と、
    この励起源から放射される光の一部をこの光よりも長波長の光に変換して放射する請求項１２に記載された波長変換部材と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
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