JPWO2016002185A1 - 表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置 - Google Patents

表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016002185A1
JPWO2016002185A1 JP2015552934A JP2015552934A JPWO2016002185A1 JP WO2016002185 A1 JPWO2016002185 A1 JP WO2016002185A1 JP 2015552934 A JP2015552934 A JP 2015552934A JP 2015552934 A JP2015552934 A JP 2015552934A JP WO2016002185 A1 JPWO2016002185 A1 JP WO2016002185A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
surface treatment
alkaline earth
earth silicate
treated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015552934A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5934955B1 (ja
Inventor
真治 柴本
真治 柴本
大塩 祥三
祥三 大塩
山崎 圭一
圭一 山崎
惠美 宮崎
惠美 宮崎
ディー ウェン
ディー ウェン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP5934955B1 publication Critical patent/JP5934955B1/ja
Publication of JPWO2016002185A1 publication Critical patent/JPWO2016002185A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J13/00Colloid chemistry, e.g. the production of colloidal materials or their solutions, not otherwise provided for; Making microcapsules or microballoons
    • B01J13/02Making microcapsules or microballoons
    • B01J13/04Making microcapsules or microballoons by physical processes, e.g. drying, spraying
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342Silicates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層により被覆された表面処理蛍光体の製造方法である。表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種の表面処理物質とを、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種の多価アルコールの共存下において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成する表面処理、を有する。

Description

本開示は、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面が表面処理層で被覆された表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置に関する。
例えば、(Sr,Ba,Ca)SO:Eu2+等のアルカリ土類シリケート蛍光体は、組成の調節により様々な発光波長の光を得ることが容易でありかつ発光効率が高いため、白色LED用の蛍光体として注目されている。
しかし、一般にアルカリ土類シリケート蛍光体は、耐湿性に劣る。具体的には、水又は空気中の水分の存在下において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、アルカリ土類金属と水との反応により、水酸化物が形成される。水酸化物の形成によりアルカリ土類蛍光体が劣化し、発光効率の低下を招く。このため、従来、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に耐湿性を有する表面処理層を形成する技術が提案されている。
例えば、硫酸塩等の水溶性化合物を含有する表面処理水溶液と、アルカリ土類シリケート蛍光体とを接触させて、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成する製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2013−40236号公報
本開示の表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体の表面が表面処理層により被覆された表面処理蛍光体の製造方法である。表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種の表面処理物質とを、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種の多価アルコールの共存下において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成する表面処理、を有する。
以上の構成により、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い表面処理蛍光体を製造することができる。本開示の表面処理蛍光体並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
本開示の実施形態に係る表面処理蛍光体及び波長変換部材を示す概略図である。 本開示の実施形態に係る半導体発光装置の斜視図である。 図2における3A−3A線断面図である。 図2における3B−3B線断面図である。 図2に示す半導体発光装置における封止部材の形成方法を説明する図である。
本開示の実施形態の説明に先立ち、関連の表面処理蛍光体の製造方法における課題を説明する。
特許文献1の方法により表面処理層を形成する際、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理水溶液とが接触する。そのため、表面処理層が形成される前に、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面が水と反応し、水酸化物が形成される。このため、特許文献1の製造方法による表面処理蛍光体において、初期の発光効率が低下する。
また、特許文献1の方法では、表面処理層が形成されたとしても、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面と表面処理層との間に表面処理水溶液に由来する水が残存する。このため、残存する水が長期にわたって徐々にアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を劣化させる。そのため発光効率が徐々に低下する、すなわち、長期信頼性が劣る。
さらに、特許文献1の方法で得られる表面処理蛍光体は、残存する水が表面処理層を劣化させるおそれがある。
以下、本開示の実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置について詳細に説明する。
[表面処理蛍光体の製造方法]
本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩からなるアルカリ土類シリケート蛍光体と、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体の製造方法である。実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、下記の表面処理工程を有する。
(表面処理工程)
表面処理工程は、アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種の表面処理物質とを接触させる工程である。具体的には、アルカリ土類シリケート蛍光体と、表面処理物質とを、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種の多価アルコールの共存下において、接触させることにより、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成する工程である。はじめに、本工程で用いられるアルカリ土類シリケート蛍光体、表面処理物質及び多価アルコールについて説明する。
<アルカリ土類シリケート蛍光体>
本実施形態で用いられるアルカリ土類シリケート蛍光体は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有する。アルカリ土類シリケート蛍光体は、蛍光体の母体結晶としてのアルカリ土類金属の珪酸塩と、付活剤等の、アルカリ土類金属の珪酸塩以外の物質とを含む。
アルカリ土類金属の珪酸塩において、アルカリ土類金属は、例えば、ストロンチウム、バリウム及びカルシウムからなる群より選択される少なくとも1種である。
アルカリ土類金属の珪酸塩において、具体的には、例えば、母体の結晶構造は、MSiO又はMSiOの結晶構造と実質的に同じ構造を有する珪酸塩である。ここで、Mは、例えば、Sr、Ba及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属である。なお、MSiO又はMSiOの結晶構造と実質的に同じ構造とは、アルカリ土類金属の珪酸塩をX線回折法で測定した場合に、MSiO又はMSiOと同様なX線回折パターンを有することを意味する。
アルカリ土類シリケート蛍光体に含まれる付活剤としては、例えば、Fe、Mn、Cr、Bi、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が挙げられる。
アルカリ土類シリケート蛍光体には、必要により、例えば、Zn、Ga、Al、Y、Gd及びTb等の金属元素、F、Cl及びBr等のハロゲン元素、硫黄(S)並びにリン(P)が含まれていてもよい。これらの元素は、1種又は2種以上が含まれていてもよい。
アルカリ土類シリケート蛍光体の例としては、例えば、一般式(1)の組成を有する橙色蛍光体、一般式(2)の組成を有する橙色蛍光体、一般式(3)の組成を有する緑色又は黄色蛍光体や、一般式(4)の組成を有する緑色又は黄色蛍光体等が挙げられる。
(Sr1−xSiO:Eu2+ (1)
式(1)中、MはBa及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属である。また、式(1)中、0≦x<1.0であり、2.6≦y≦3.3である。
(Sr1−xSiO:Eu2+D (2)
式(2)中、MはBa及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属である。DはF、Cl及びBrからなる群より選ばれるハロゲンアニオンである。また、式(2)中、0≦x<1.0であり、2.6≦y≦3.3である。
(Sr1−xSiO:Eu2+ (3)
式(3)中、MはBa及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属であり、0≦x<1.0であり、1.8≦y≦2.2である。
(Sr1−xSiO:Eu2+D (4)
式(4)中、MはBa及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属である。DはF、Cl及びBrからなる群より選ばれるハロゲンアニオンである。また、式(4)中、0≦x<1.0であり、1.8≦y≦2.2である。
アルカリ土類シリケート蛍光体の屈折率は、通常1.8〜1.9である。
アルカリ土類シリケート蛍光体の外観形状は、通常、粒子状である。アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径は、1μm以上、好ましくは5μm以上、より好ましくは8以上、50μm以下である。ここで、平均粒子径とは、メディアン径(D50)を意味する。平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置により、レーザー回折・散乱法を用いて求められる。また、平均粒子径は、SEMなどの顕微鏡観察によっても求めることができる。
アルカリ土類シリケート蛍光体において、平均粒子径が大きいと、アルカリ土類シリケート蛍光体粒子中の欠陥密度が小さくなることから、発光時のエネルギー損失が少なくなり、発光効率が高くなる。また、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が1μm未満であると、輝度が低下し易いとともに、凝集しやすくなって均一な被覆処理が困難になる。このため、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が上記範囲内にあると、発光時のエネルギー損失が少なくなり、発光効率が高くなり、均一な被覆処理が容易になる。
ただし、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が大きすぎると、得られる表面処理蛍光体の透光性媒体中の分散性が悪くなり、波長変換部材や発光装置の特性に悪影響を与える。このため、表面処理蛍光体の分散性が厳密に要求される場合には、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径の実用上の上限を上記のように50μmにすればよい。
<表面処理物質>
本実施形態で用いられる表面処理物質は、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層を形成する原料である。
本実施形態で用いられる表面処理物質は、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種である。
硫酸塩としては、例えば、硫酸アンモニウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸リチウム、硫酸アルミニウム、硫酸ナトリウムアルミニウム、硫酸ナトリウムアンモニウムが用いられる。
リン酸塩としては、例えば、リン酸一水素アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウム、リン酸ナトリウムアンモニウム、リン酸カリウムアンモニウムが用いられる。
炭酸塩としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウムが用いられる。
ホウ酸塩としては、例えば、メタホウ酸ナトリウム(NaBO)が用いられる。また、本実施形態では表面処理物質として、ホウ酸塩と同様にホウ酸を用いることができる。
チタン酸塩としては、例えば、チタンアルコキシド、チタン錯体が用いられる。
フッ化物としては、例えば、フッ化アンモニウム(NHF)、二フッ化アンモニウム(NHHF)、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化カリウム(KF)が用いられる。
これらの表面処理物質は、多価アルコール中で溶解して陰イオンを生成する。表面処理物質が多価アルコール中に溶解するメカニズムは、多価アルコールが表面処理物質を錯化する錯化作用によると推定される。表面処理物質が接触するアルカリ土類シリケート蛍光体の表面には、通常、空気中の水分等との反応により、ストロンチウム、バリウム及びカルシウム等の水酸化物であるSr(OH)、Ba(OH)、Ca(OH)等が存在している。このため、表面処理物質から生成された陰イオンと、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物とが接触して反応すると、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、アルカリ土類金属塩からなる表面処理層が生成される。このアルカリ土類金属塩は水に難溶性であるため、表面処理層は耐水性を有する。
表面処理物質として硫酸アンモニウムを用いる場合を例にして、表面処理層の生成のメカニズムを説明する。硫酸アンモニウムは、多価アルコール中に投入されると、多価アルコールの錯化作用等により多価アルコールに溶解する。そのため、多価アルコール中に、硫酸イオンが生成される。多価アルコール中で、この硫酸イオンがアルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物である、Sr(OH)、Ba(OH)、Ca(OH)等と接触すると、下記式(5)〜(7)の反応が生じる。この結果、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、難溶性の硫酸塩である、SrSO、BaSO、CaSO等からなる表面処理層が形成される。
Sr(OH)+SO 2−→SrSO+2OH (5)
Ba(OH)+SO 2−→BaSO+2OH (6)
Ca(OH)+SO 2−→CaSO+2OH (7)
なお、上記の多価アルコールに溶解した硫酸塩から難溶性の硫酸塩を生成するメカニズムは、硫酸塩以外の表面処理物質であるリン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物についても同様に当てはまると推定される。
具体的には、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物は、多価アルコールの錯化作用等により多価アルコールに溶解して、それぞれリン酸イオン、炭酸イオン、ホウ酸イオン、チタン酸イオン及びフッ化物イオンを生成する。これらのリン酸イオン、炭酸イオン、ホウ酸イオン、チタン酸イオン及びフッ化物イオンが、それぞれ、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物と接触すると、難溶性の塩からなる表面処理層が形成される。
表面処理物質として炭酸アンモニウムを用いる場合を例に説明する。多価アルコール中で炭酸アンモニウムから生成した炭酸イオンが、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物である、Sr(OH)、Ba(OH)、Ca(OH)等と接触すると、下記式(8)〜(10)の反応が生じる。この結果、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、難溶性の炭酸塩である、SrCO、BaCO、CaCO等からなる表面処理層が形成される。
Sr(OH)+CO 2−→SrCO+2OH (8)
Ba(OH)+CO 2−→BaCO+2OH (9)
Ca(OH)+CO 2−→CaCO+2OH (10)
<多価アルコール>
本実施形態で用いられる多価アルコールは、上記アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを接触させる際にアルカリ土類シリケート蛍光体及び表面処理物質の溶媒又は分散媒として共存させる。この多価アルコールは、上記表面処理物質を溶解する。そのため、アルカリ土類シリケート蛍光体に水を接触させることなく、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成させることが可能になる。
本実施形態で用いられる多価アルコールは、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種である。ジオールとしては、例えば、エチレングリコール及びその誘導体が用いられる。トリオールとしては、例えば、グリセリン及びその誘導体が用いられる。誘導体とは、ジオール及びトリオールの母体の構造及び性質を大幅に変えずに官能基が導入されたものを意味する。エチレングリコール及びその誘導体並びにグリセリンその誘導体のうち、エチレングリコール及びその誘導体は、比較的粘度が低く、沸点が低いため、乾燥により除去され得るので、好ましい。
なお、一般的な溶媒であるメタノール、エタノール及びイソプロパノール等の1価アルコールは、本実施形態で用いられる表面処理物質を溶解させることが困難である。そのため、1価アルコールのみからなる非水溶媒中で表面処理層を形成することは困難である。これに対し、本実施形態で用いられる多価アルコールは、表面処理物質を溶解させ得る。そのため、多価アルコール中、又は多価アルコールを含む非水溶媒中で、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成させることができる。
表面処理工程において、上記アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを多価アルコールの共存下で接触させる。多価アルコールの共存下とは、多価アルコールを含む溶媒中でアルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを接触させることを意味する。また、多価アルコールを含む溶媒とは、多価アルコール、又は多価アルコールを含む溶媒を意味する。多価アルコールを含む溶媒において、多価アルコール以外に含まれる溶媒としては、水以外の溶媒が用いられ、例えば、メタノール、エタノール及びイソプロパノール等の1価アルコールが用いられる。これらの溶媒は、1種で又は2種以上組み合わせて用いることができる。
なお、多価アルコールを含む溶媒は、水分を実質的に含まない。水分を実質的に含まないとは、積極的に水を添加しないという意味であり、多価アルコールを含む溶媒に空気中の水分が微量吸収された状態は、水分を実質的に含まない状態に含まれる。多価アルコールを含む溶媒が多価アルコールのみからなると、アルカリ土類シリケート蛍光体や表面処理物質が水分とより接触し難いため好ましい。
多価アルコールを含む溶媒は、多価アルコールの濃度が、通常90質量%以上、好ましくは95質量%以上、さらに好ましくは98質量%以上である。多価アルコールの濃度が高いと、アルカリ土類シリケート蛍光体及び表面処理層の水分による劣化が少ないため好ましい。
本工程において、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とは、表面処理物質が多価アルコールを含む溶媒に溶解した状態で、接触させられる。表面処理物質を、多価アルコールを含む溶媒に溶解させる方法としては、例えば、多価アルコールを含む溶媒に表面処理物質を溶解させた後、攪拌中の溶媒にアルカリ土類シリケート蛍光体を添加する方法が用いられる。また、多価アルコールを含む溶媒に表面処理物質を溶解させた溶液と、多価アルコールを含む溶媒にアルカリ土類シリケート蛍光体を分散させた分散液とを、攪拌して混合する方法も用いられる。このうち、後者の方法は、多価アルコール中に均一に分散したアルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが均一に反応し易いため好ましい。後者の方法を採用する場合、表面処理工程は、通常、複数個の小工程を有する。以下、これらの小工程について説明する。表面処理工程は、分散液調製工程と、溶解液調製工程と、混合工程とを有することが好ましい。
<分散液調製工程>
分散液調製工程において、多価アルコールを含む溶媒中にアルカリ土類シリケート蛍光体を分散させて蛍光体分散液(A)を得る。多価アルコールを含む溶媒とは、上記説明の通りである。本工程では、多価アルコールを含む溶媒中にアルカリ土類シリケート蛍光体が分散された蛍光体分散液(A)が得られる。蛍光体分散液(A)は、例えば、5〜35℃程度の常温である。
<溶解液調製工程>
溶解液調製工程において、多価アルコールを含む溶媒中に表面処理物質を溶解させて表面処理物質溶解液(B)を得る。多価アルコールを含む溶媒とは、上記説明の通りである。本工程では、多価アルコールを含む溶媒中に表面処理物質が溶解した表面処理物質溶解液(B)が得られる。表面処理物質溶解液(B)は、例えば、5〜35℃程度の常温である。
<混合工程>
混合工程において、蛍光体分散液(A)と表面処理物質溶解液(B)とを混合する。本工程では、蛍光体分散液(A)と表面処理物質溶解液(B)との混合により、多価アルコールを含む溶媒中に、アルカリ土類シリケート蛍光体と、溶解した表面処理物質とが共存したスラリー(C)が得られる。混合方法としては、例えば、マグネチックスターラーを用いて攪拌する方法が用いられる。
本工程では、蛍光体分散液(A)と表面処理物質溶解液(B)との混合で得られるスラリー(C)の温度は、例えば、5〜35℃程度の常温である。この温度範囲において、アルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが十分に反応する。
スラリー(C)が攪拌され続けると、アルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが十分に反応する。そのため、多価アルコールを含む溶媒中において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層が形成された表面処理蛍光体が作製される。
スラリー(C)の攪拌において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面上の表面処理層の厚みが、通常5nm以上、1000nm以下、好ましくは10nm以上、500nm以下、より好ましくは20nm以上、500nm以下、さらに好ましくは40nm以上、200nm以下になるまで攪拌を続けることが好ましい。
表面処理層の厚みが5nm以上であると、アルカリ土類シリケート蛍光体の粒子の表面に凹凸が存在していても、ほぼ均一な厚みの表面処理層によりアルカリ土類シリケート蛍光体が被覆されるため好ましい。また、表面処理層の厚みが1000nm以下であると、表面処理層に亀裂が入り難いため表面処理層の剥離が抑制されるため好ましい。
スラリー(C)の攪拌時間は、特に限定されないが、例えば、通常2分以上、60分以下、好ましくは5分以上、30分以下である。
本工程の終了後、多価アルコールを含む溶媒中に形成された表面処理蛍光体を、吸引濾過等することにより、多価アルコールを含む溶媒から分離・回収される。回収した表面処理蛍光体を、適宜、乾燥させると、実施形態に係る表面処理蛍光体を得ることができる。
実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体の製造方法である。この製造方法は、表面処理工程を有する。表面処理工程では、アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種の表面処理物質とを接触させる。アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とは、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種の多価アルコールの共存下で接触させる。これにより、表面処理工程では、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層が形成される。
本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い表面処理蛍光体を製造することができる。
具体的には、本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、表面処理層の形成の際にアルカリ土類シリケート蛍光体と水とが接触しないため、水との接触により生じるアルカリ土類シリケート蛍光体の初期劣化が抑制される。
また、本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理層との界面に水が残存し難いため、水によるアルカリ土類シリケート蛍光体の劣化を長期にわたって抑制できる。
さらに、本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、表面処理層の屈折率をアルカリ土類シリケート蛍光体と透光性媒体の各屈折率との間にすることができる。このため、本実施形態に係る表面処理蛍光体については、表面処理層を形成しない場合に比べて光取り出し効率が高くなり、高い発光効率を得ることができる。
[表面処理蛍光体]
本実施形態に係る表面処理蛍光体は、上記の表面処理蛍光体の製造方法を用いて製造される。本実施形態に係る表面処理蛍光体は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する。
<アルカリ土類シリケート蛍光体>
本実施形態に係る表面処理蛍光体を構成するアルカリ土類シリケート蛍光体については、上記の表面処理蛍光体の製造方法で説明したものと同じであるため、説明を省略する。
<表面処理層>
表面処理層は、Sr、Ba及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属の、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩又はフッ化物である。これらの化合物は、耐湿性が高いため、表面処理蛍光体の耐湿性が高い。
アルカリ土類金属の硫酸塩としては、例えば、硫酸バリウム(BaSO、屈折率:約1.64)や硫酸ストロンチウム(SrSO、屈折率:約1.63)が挙げられる。アルカリ土類金属のリン酸塩としては、例えば、リン酸ストロンチウム(Sr(PO、屈折率:約1.6)が挙げられる。アルカリ土類金属の炭酸塩としては、例えば、炭酸ストロンチウム(SrCO、屈折率:約1.5)、炭酸バリウム(BaCO、屈折率:約1.6)が挙げられる。アルカリ土類金属のホウ酸塩としては、例えば、メタホウ酸バリウム(BaB2O、屈折率:約1.6)が挙げられる。
表面処理層の成分である上記物質は耐水性を有するため、アルカリ土類シリケート蛍光体の耐水性が向上する。また、上記物質を含む表面処理層の屈折率は後述の透光性媒体のそれよりも大きく、蛍光体と透光性媒体の各屈折率の中間になる。このように表面処理層の屈折率が蛍光体と透光性媒体の各屈折率の中間にあると、LEDチップ等の励起源から放射された励起光(1次光)が、透光性媒体から表面処理蛍光体の表面処理層に入射する際、反射を抑制できるため好ましい。また、表面処理層の屈折率が蛍光体と透光性媒体の各屈折率の中間にあると、発光した光が蛍光体から透光性媒体へと出射される際、反射を抑制できるため好ましい。
また、表面処理蛍光体を構成する表面処理層の厚みは、通常5nm以上、1000nm以下、好ましくは10nm以上、500nm以下、より好ましくは20nm以上、500nm以下、さらに好ましくは40nm以上、200nm以下である。この理由は上述の表面処理蛍光体の製造方法において説明したため、説明を省略する。
本実施形態に係る表面処理蛍光体において、高い初期発光効率と、高い長期信頼性を得ることができる。
具体的には、本実施形態に係る表面処理蛍光体において、表面処理層の形成の際にアルカリ土類シリケート蛍光体と水とが接触しない。そのため、水との接触によるアルカリ土類シリケート蛍光体の初期劣化が抑制される。
また、本実施形態に係る表面処理蛍光体において、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理層との界面に水が残存し難いため、水によるアルカリ土類シリケート蛍光体の劣化を長期にわたって抑制できる。
さらに、実施形態に係る表面処理蛍光体において、表面処理層の屈折率は、アルカリ土類シリケート蛍光体と透光性媒体の各屈折率の間である。このため、表面処理層を有さない蛍光体に比べて、高い光取り出し効率、高い発光効率を得ることができる。
本実施形態に係る表面処理蛍光体に、LEDチップ等の励起源から、励起光(1次光)が照射されると、表面処理蛍光体の核を構成するアルカリ土類シリケート蛍光体が、励起光の一部をより長波長の光(2次光)に変換する。この2次光は、表面処理層を透過して表面処理蛍光体の外部に放射される。
以下、本開示の表面処理蛍光体の具体的な製造方法及び特性について以下に示す蛍光体試料を例に説明する。なお、本開示はこれら試料例に限定されるものではない。
[試料#1]
はじめに、ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体((Ba,Sr)SiO:Eu2+、λ=528nm)の粉末5gを分散させたエチレングリコール200mlから構成される蛍光体分散液を調製する(分散液調製工程)。また、硫酸アンモニウム0.05gを溶解させたエチレングリコール100mlから構成される表面処理物質溶解液を調製する(溶解液調製工程)。
次に、蛍光体分散液200mlに表面処理物質溶解液100mlを添加し、マグネチックスターラーを用いて25℃で10分間攪拌混合する(混合工程)。
攪拌混合後に得られたスラリーを、濾紙を用いて吸引濾過し、残滓を回収する。この残滓を150℃で1時間乾燥させる。乾燥処理後、蛍光体の表面に、硫酸バリウム及び硫酸ストロンチウムからなる表面処理層を有する表面処理蛍光体(試料#1)が得られる。表面処理蛍光体の表面処理層の厚さが50nmである。
[試料#2]
試料#2の工程では、試料#1の工程における硫酸アンモニウムの配合量を0.2gに置換える。それ以外の工程は、試料#1の工程と同じである。表面処理蛍光体(試料#2)の表面処理層の厚さは、120nmである。
[試料#3]
試料#3の工程では、試料#1の工程における硫酸アンモニウムの配合量を0.8gに置換える。それ以外の工程は、試料#1の工程と同じである。表面処理蛍光体(試料#3)の表面処理層の厚さは、300nmである。
比較のための試料として以下の表面処理蛍光体(試料#4〜#9)を試作する。
[試料#4]
試料#4は、試料#1の工程で用いる(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体と同じである。すなわち、試料#4においては、本実施形態における表面処理を施していない。
[試料#5]
試料#5の工程では、試料#1の工程における蛍光体分散液の調製の際に用いるエチレングリコール200mlをエタノール200mlに置換え、かつ、表面処理物質溶解液の調製の際に用いるエチレングリール100mlをエタノール100mlに置換える。
それ以外の工程は、試料#1の工程と同じである。
試料#5の工程においては、表面処理物質が溶媒であるエタノールに溶解しない。そのためユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体の表面に表面処理層は形成されない。
[試料#6]
試料#6の工程では、試料#1の工程における蛍光体分散液の調製の際に用いるエチレングリコール200mlをメタノール200mlに置換え、かつ、表面処理物質溶解液の調製の際に用いるエチレングリコール100mlをメタノール100mlに置換える。
試料#6の工程においては、表面処理物質が溶媒であるメタノールに溶解しない。そのためユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体の表面に表面処理層は形成されない。
[試料#7]
試料#7の工程では、試料#1の工程における蛍光体分散液の調製の際に用いるエチレングリコール200mlをIPA(イソプロパノール)200mlに置換え、かつ、表面処理物質溶解液の調製の際に用いるエチレングリコール100mlをIPA100mlに置換える。
試料#7の工程においては、表面処理物質が溶媒であるIPAに溶解しない。そのためユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体の表面に表面処理層は形成されない。
[試料#8]
試料#8の工程では、試料#1の工程における蛍光体分散液の調製の際に用いるエチレングリコール200mlを水200mlに置換え、かつ表面処理物質溶解液の調製の際に用いるエチレングリコール100mlを水100mlに置換える。得られる表面処理蛍光体(試料#8)において、(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体の表面の一部に表面処理層の未被覆部分があり、表面処理層の厚さは、ゼロから5nmの範囲でばらつきがある。
[試料#9]
はじめに、硫酸アンモニウム0.05gを水200ml中に溶解させて硫酸アンモニウム水溶液を調製した。次に、この硫酸アンモニウム水溶液200mlに(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体の粉末を5g投入する。この場合、蛍光体に凝集が生じる。凝集した状態で、マグネチックスターラーを用いて25℃で10分間攪拌混合すると、凝集が少なくなるが依然として目視において凝集が認められる。
攪拌混合後に得られるスラリーを濾紙を用いて吸引濾過し、残滓を回収する。この残滓を150℃で1時間乾燥させる。乾燥処理後、蛍光体の表面に、硫酸バリウム及び硫酸ストロンチウムからなる表面処理層が形成された表面処理蛍光体が得られる。得られた表面処理蛍光体(試料#9)は、(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体の(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体の表面の一部に表面処理層の未被覆部分があり、表面処理層の厚さにゼロから60nmの範囲でばらつきがある。
以上の試料#1〜試料#9における試作条件、表面処理層の厚さ、初期発光効率及び耐湿性を表1に示す。
Figure 2016002185
(初期発光効率)
一般に蛍光体の発光効率(lm/W)は、蛍光分光光度計(例えば、製品名QE−1100、ハーフムーン型積分球、大塚電子株式会社製)を用いて測定することができる。測定条件は、励起波長を450nm、測定波長範囲を460以上、800nm以下、積算回数30回とする。試料#1〜5、及び#7の初期発光効率の相対値は、試料#6の発光効率(lm/W)を100としたときの相対値である。
表1より、表面処理層を有する試料#1〜#3の初期発光効率は、表面処理を行っていない試料#4のそれと比べて、3〜4%高い。
(耐湿性)
耐湿性の評価では、試料#1〜試料#4及び試料#8、#9に以下の吸湿処理をした後に、発光効率を測定する。吸湿処理では、はじめに、各試料の各粉末1gをそれぞれ分散させた水1Lを20分間攪拌させる。次に、分散液を濾過し、残滓を150℃で1時間乾燥させて、耐湿試験用の試料を得る。
耐湿試験用の各試料の発光効率の相対値は、試料#4(吸湿処理をしていない)の発光効率(lm/W)を100としたときの相対値である。
表1より、表面処理層を有する試料#1〜#3及び表面処理層が部分的にしか形成されていない試料#8、#9の相対発光効率は、表面処理を行っていない試料#4のそれと比べて、29%〜31%高い。
以上の結果から、表面処理層を有する試料#1〜#3の初期発光効率及び耐湿性が表面処理を施していない試料#4よりも優れる。
以上、試作した試料に沿って本開示の内容を説明したが、本開示はこれらの記載に限定されるものではなく、種々の変形及び改良が可能であることは、当業者には自明である。
表面処理蛍光体の発光にはLEDチップ等の励起源が必要である。表面処理蛍光体を含む波長変換部材、及びこの波長変換部材と励起源とを組み合わせた発光装置について説明する。
[波長変換部材]
本実施形態に係る波長変換部材は、透光性媒体と、この透光性媒体内に分散された表面処理蛍光体とを含む。波長変換部材において、表面処理蛍光体は上述の実施形態に係る表面処理蛍光体である。透光性媒体の屈性率は、表面処理蛍光体の表面処理層の屈性率よりも小さい。
以下、図面を参照して本実施形態の波長変換部材の具体的な構成を説明する。図1は、本開示の実施形態に係る表面処理蛍光体11及び波長変換部材15を示す概略図である。
波長変換部材15において、透光性媒体14内に表面処理蛍光体11が分散されている。表面処理蛍光体11は、アルカリ土類シリケート蛍光体12と、アルカリ土類シリケート蛍光体12の表面を被覆する表面処理層13と、を有する。図1中、符号tは、表面処理層13の厚みを示す。
(表面処理蛍光体)
表面処理蛍光体11は、上記の実施形態に係る表面処理蛍光体と同じであるため、説明を省略する。
(透光性媒体)
透光性媒体14は、透光性を有する。透光性媒体14内に表面処理蛍光体11が分散される。表面処理蛍光体11の表面処理層13の屈性率よりも小さい屈折率を有する透光性媒体が通常用いられる。透光性媒体の屈性率が、表面処理蛍光体11の表面処理層13の屈性率よりも小さいと、LEDチップ等の励起源から放射された励起光(1次光)が、表面処理蛍光体11の表面処理層13に入射する際。反射が抑制されるため好ましい。また、発光光が表面処理蛍光体11から透光性媒体14へと出射する際、反射が抑制されるので好ましい。
このような透光性媒体14としては、例えば、シロキサン結合を有するケイ素化合物、ガラス、アクリル樹脂、有機成分と無機成分とがナノメートルレベル又は分子レベルで混合及び結合されることで形成される有機・無機ハイブリッド材料、等が用いられる。これらの透光性媒体のうち、シロキサン結合を有するケイ素化合物及びガラスは、耐熱性及び耐光性に優れ、特に青色〜紫外線等の短波長の光に対する耐久性に優れる。これらの材料において、LEDチップ等の励起源から放射される励起光(1次光)の波長域が青色光から紫外光に亘る光であっても、劣化し難い。
ケイ素化合物としては、例えば、シリコーン樹脂、オルガノシロキサンの加水分解縮合物、オルガノシロキサンの縮合物、公知の重合手法により架橋される複合樹脂が用いられる。公知の重合手法とは、ヒドロシリル化等の付加重合やラジカル重合等である。
表面処理蛍光体11を透光性媒体14中に分散させる方法としては、例えば、流動状態の透光性媒体14中に表面処理蛍光体11を均一に分散させた後、流動状態の透光性媒体を硬化させる方法が用いられる。
波長変換部材15は、透光性媒体14内に表面処理蛍光体11を分散させた構造を有する。そのため、波長変換部材15に励起源から励起光(1次光)が入射すると、励起光の一部がより長波長の光(2次光)に変換され、2次光が透光性媒体14を介して波長変換部材15の外に放射される。
実施形態に係る波長変換部材15は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
[発光装置]
本実施形態の発光装置の一例として半導体発光装置100を図2から図4を参照し説明する。図2は半導体発光装置100の斜視図である。図3Aは、図2における3A−3A線断面図であり、図3Bは、図4における3B−3B線断面図である。図4は半導体発光装置100における封止部材の形成方法を説明するための図である。
図2に示すように、半導体発光装置100は、励起源である複数のLED120と、この励起源から放射される光の一部をより長波長の光に変換して放射する表面処理蛍光体とを有する発光装置である。半導体発光装置100は、さらに基板110、表面処理蛍光体を含む複数の封止部材130とを有する。基板110は、例えば、セラミックや熱伝導樹脂等からなる絶縁層とアルミ板等からなる金属層との二層構造を有する。基板110は全体的に方形の板状であって、基板110の短手方向(X軸方向)の幅W1が12〜30mmであり、長手方向(Y軸方向)の幅W2が12〜30mmである。
図3A及び図3Bに示すように、LED120は、平面視形状が全体的に長方形である。LED120としては、例えばピーク波長を440nm〜500nmとするGaN系のLEDが用いられる。LED120において、例えば、短手方向(X軸方向)の幅W3が0.3〜1.0mm、長手方向(Y軸方向)の幅W4が0.3〜1.0mm、厚み(Z軸方向の幅)が0.08〜0.30mmである。
複数のLED120の配置において、基板110の長手方向(Y軸方向)とLED120の素子列の配列方向とが一致している。基板110の長手方向に直線状に並べられた複数のLED120は、素子列を構成しており、さらに複数の素子列が基板110の短手方向(X軸方向)に並べられて配置されている。具体的には、例えば、25個のLED120において、それぞれ5個のLEDで構成される素子列が、5行並べられて配置される。LED120を直線状に配列することによって、LED120を封止する封止部材130も直線状に形成されることができる。
図3Bに示すように、各素子列は、それぞれ長尺状の封止部材130によって個別に封止される。1つの素子列とその素子列を封止する1つの封止部材130とによって、1つの発光部101が構成される。半導体発光装置100は5つの発光部101を有する。
封止部材130は、蛍光体を含有した透光性の樹脂材料で形成される。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン・エポキシのハイブリッド樹脂、ユリア樹脂等を用いることができる。蛍光体は、LED120から放射される光の一部をより長波長の光に変換して、放射することができる。蛍光体を含む封止部材130が波長変換部材である。ここで、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体を用いることができる。なお、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体に加え、例えば、Eu2+、Ce3+、Tb3+、Mn2+の少なくともいずれかで付活した酸化物や酸ハロゲン化物等の酸化物系蛍光体も用いることができる。また、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体に加え、Eu2+、Ce3+、Tb3+、Mn2+の少なくともいずれかで付活した窒化物や酸窒化物等の窒化物系蛍光体、又は硫化物や酸硫化物等の硫化物系蛍光体も用いることができる。
本実施形態の表面処理蛍光体に加えて用いられる蛍光体の具体例を以下に示す。青色蛍光体としては、BaMgAl1017:Eu2+、CaMgSi:Eu2+、BaMgSi:Eu2+、Sr10(POCl:Eu2+等が挙げられる。緑青又は青緑色蛍光体としては、SrSiCl:Eu2+、SrAl1424:Eu2+、BaAl13:Eu2+、BaSiO:Eu2+が挙げられる。さらに緑青又は青緑色蛍光体としては、BaZrSi:Eu2+、CaYZr(AlO:Ce3+、CaYHf(AlO:Ce3+、CaYZr(AlO:Ce3+,Tb3+が挙げられる。緑色蛍光体としては、(Ba,Sr)SiO:Eu2+、CaMg(SiOCl:Eu2+、CaMg(SiOCl:Eu2+,Mn2+が挙げられる。さらに緑色蛍光体としては、BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+、CeMgAl1119:Mn2+、YAl(AlO:Ce3+、LuAl(AlO:Ce3+が挙げられる。また、緑色蛍光体としては、YGa(AlO:Ce3+、CaScSi12:Ce3+、CaSc:Ce3+、β−Si:Eu2+、SrSi:Eu2+が挙げられる。緑色蛍光体としては、BaSi12:Eu2+、SrSi13Al21:Eu2+、YTbSiC:Ce3+、SrGa:Eu2+が挙げられる。緑色蛍光体としては、CaLaZr(AlO:Ce3+、CaTbZr(AlO:Ce3+、CaTbZr(AlO:Ce3+,Pr3+が挙げられる。緑色蛍光体としては、ZnSiO:Mn2+、MgGa:Mn2+が挙げられる。緑色蛍光体としては、LaPO:Ce3+,Tb3+、YSiO:Ce3+,CeMgAl1119:Tb3+、GdMgB10:Ce3+,Tb3+が挙げられる。黄又は橙色蛍光体としては、(Sr,Ba)SiO:Eu2+、(Y,Gd)Al12:Ce3+、α−Ca−SiAlON:Eu2+が挙げられる。黄又は橙色蛍光体としては、YSiC:Ce3+、LaSi11:Ce3+、YMgAl(AlO(SiO):Ce3+が挙げられる。赤色蛍光体としては、SrSi:Eu2+、CaAlSiN:Eu2+、SrAlSi:Eu+、CaS:Eu2+、LaS:Eu3+、YMg(AlO)(SiO:Ce3+が挙げられる。また、赤色蛍光体としては、Y:Eu3+、YS:Eu3+、Y(P,V)O:Eu3+、YVO:Eu3+が挙げられる。赤色蛍光体としては、3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn4+、KSiF:Mn4+、GdMgB10:Ce3+,Mn2+が挙げられる。
図4に示すように、封止部材130は、細長い形状であることが好ましい。具体的には、封止部材130は、短手方向(X軸方向)の幅W5が0.8〜3.0mm、長手方向(Y軸方向)の幅W6が3.0〜40.0mmであることが好ましい。また、LED120を含めた最大厚み(Z軸方向の幅)T1が0.4〜1.5mm、LED120を含めない最大厚みT2が0.2〜1.3mmであることが好ましい。封止信頼性を確保するためには、封止部材130の幅W5はLED120の幅W3に対して2〜7倍であることが好ましい。
封止部材130の短手方向に沿った断面の形状は図3Aに示すように、半楕円形である。また、封止部材130の長手方向の両端部131、132は、R形状になっている。具体的には、両端部131、132の形状は、図2に示すように、平面視における形状が半円形であり、図3Bに示すように、長手方向に沿った断面の形状が約90°の中心角を有する扇形である。封止部材130の両端部131、132がこのようにR形状になっていると、それら両端部131、132において応力集中が生じ難いと共に、LED120の出射光を封止部材130の外部に取り出し易い。
各LED120は、基板110にフェイスアップ実装される。LED120には、基板110に形成された配線パターン140を介して、点灯回路(図示せず)が電気的に接続されている。配線パターン140は、一対の給電用のランド141、142と、各LED120に対応する位置に配置された複数のボンディング用のランド143とを有する。
図4に示すように、LED120は、例えば、ワイヤ(例えば、金ワイヤ)150を介してランド143と電気的に接続される。ワイヤ150の一方の端部151はLED120と接合され、他方の端部152はランド143と接合される。各ワイヤ150は、素子列の方向に沿って配置される。各ワイヤ150は、LED120やランド143と共に封止部材130により封止されている。そのため劣化し難い。また封止部材130により絶縁されていている。なお、LED120の基板110への実装方法は、上記のようなフェイスアップ実装に限定されず、フリップチップ実装であってもよい。
LED120において、図2に示すように、同じ素子列に属する5個のLED120が直列接続され、5つの素子列が並列接続されている。なお、LED120の接続形態はこれに限定されず、素子列に関係なくどのように接続されていてもよい。ランド141、142には、一対のリード線(図示せず)が接続され、リード線を介して点灯回路ユニットから各LED120に電力が供給される。
封止部材130は、以下の手順で形成することができる。LED120が直線状に実装された基板110に、例えばディスペンサ160を用いて、素子列に沿って樹脂ペースト135を線状に塗布する。その後、塗布後の樹脂ペースト135を固化させて、素子列ごとに個別に封止部材130が形成される。
本実施形態の半導体発光装置は、照明光源や液晶ディスプレイのバックライト用、表示装置の光源等として広く利用可能である。
照明光源は、本実施形態の半導体発光装置と、半導体発光装置に電力を供給する点灯回路と、照明器具との接続部品である口金とを有する。また、照明器具を適宜組み合わせることより、照明装置や照明システムを構成することもできる。本実施形態の半導体発光装置を用いた光源は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
半導体発光装置100において、励起源としてLEDを用いたが、これに限られず、本開示にかかる発光装置において、励起源として放電装置、電子銃、固体発光素子等から適宜選択することができる。
半導体発光装置100では、励起源が、表面処理蛍光体を含む波長変換部材(封止部材130、)中に埋設された例を示した。本開示に係る発光装置において、励起源と波長変換部材を分離して配置してもよい。
11 表面処理蛍光体
12 アルカリ土類シリケート蛍光体粒子(ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体粒子)
13 表面処理層
14 透光性媒体
15 波長変換部材
本開示は、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面が表面処理層で被覆された表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置に関する。
例えば、(Sr,Ba,Ca)SO:Eu2+等のアルカリ土類シリケート蛍光体は、組成の調節により様々な発光波長の光を得ることが容易でありかつ発光効率が高いため、白色LED用の蛍光体として注目されている。
しかし、一般にアルカリ土類シリケート蛍光体は、耐湿性に劣る。具体的には、水又は空気中の水分の存在下において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、アルカリ土類金属と水との反応により、水酸化物が形成される。水酸化物の形成によりアルカリ土類蛍光体が劣化し、発光効率の低下を招く。このため、従来、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に耐湿性を有する表面処理層を形成する技術が提案されている。
例えば、硫酸塩等の水溶性化合物を含有する表面処理水溶液と、アルカリ土類シリケート蛍光体とを接触させて、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成する製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2013−40236号公報
本開示の表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体の表面が表面処理層により被覆された表面処理蛍光体の製造方法である。表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種の表面処理物質とを、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種の多価アルコールの共存下において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成する表面処理、を有する。
以上の構成により、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い表面処理蛍光体を製造することができる。本開示の表面処理蛍光体並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
本開示の実施形態に係る表面処理蛍光体及び波長変換部材を示す概略図である。 本開示の実施形態に係る半導体発光装置の斜視図である。 図2における3A−3A線断面図である。 図2における3B−3B線断面図である。 図2に示す半導体発光装置における封止部材の形成方法を説明する図である。
本開示の実施形態の説明に先立ち、関連の表面処理蛍光体の製造方法における課題を説明する。
特許文献1の方法により表面処理層を形成する際、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理水溶液とが接触する。そのため、表面処理層が形成される前に、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面が水と反応し、水酸化物が形成される。このため、特許文献1の製造方法による表面処理蛍光体において、初期の発光効率が低下する。
また、特許文献1の方法では、表面処理層が形成されたとしても、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面と表面処理層との間に表面処理水溶液に由来する水が残存する。このため、残存する水が長期にわたって徐々にアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を劣化させる。そのため発光効率が徐々に低下する、すなわち、長期信頼性が劣る。
さらに、特許文献1の方法で得られる表面処理蛍光体は、残存する水が表面処理層を劣化させるおそれがある。
以下、本開示の実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置について詳細に説明する。
[表面処理蛍光体の製造方法]
本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩からなるアルカリ土類シリケート蛍光体と、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体の製造方法である。実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、下記の表面処理工程を有する。
(表面処理工程)
表面処理工程は、アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種の表面処理物質とを接触させる工程である。具体的には、アルカリ土類シリケート蛍光体と、表面処理物質とを、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種の多価アルコールの共存下において、接触させることにより、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成する工程である。はじめに、本工程で用いられるアルカリ土類シリケート蛍光体、表面処理物質及び多価アルコールについて説明する。
<アルカリ土類シリケート蛍光体>
本実施形態で用いられるアルカリ土類シリケート蛍光体は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有する。アルカリ土類シリケート蛍光体は、蛍光体の母体結晶としてのアルカリ土類金属の珪酸塩と、付活剤等の、アルカリ土類金属の珪酸塩以外の物質とを含む。
アルカリ土類金属の珪酸塩において、アルカリ土類金属は、例えば、ストロンチウム、バリウム及びカルシウムからなる群より選択される少なくとも1種である。
アルカリ土類金属の珪酸塩において、具体的には、例えば、母体の結晶構造は、MSiO又はMSiOの結晶構造と実質的に同じ構造を有する珪酸塩である。ここで、Mは、例えば、Sr、Ba及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属である。なお、MSiO又はMSiOの結晶構造と実質的に同じ構造とは、アルカリ土類金属の珪酸塩をX線回折法で測定した場合に、MSiO又はMSiOと同様なX線回折パターンを有することを意味する。
アルカリ土類シリケート蛍光体に含まれる付活剤としては、例えば、Fe、Mn、Cr、Bi、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が挙げられる。
アルカリ土類シリケート蛍光体には、必要により、例えば、Zn、Ga、Al、Y、Gd及びTb等の金属元素、F、Cl及びBr等のハロゲン元素、硫黄(S)並びにリン(P)が含まれていてもよい。これらの元素は、1種又は2種以上が含まれていてもよい。
アルカリ土類シリケート蛍光体の例としては、例えば、一般式(1)の組成を有する橙色蛍光体、一般式(2)の組成を有する橙色蛍光体、一般式(3)の組成を有する緑色又は黄色蛍光体や、一般式(4)の組成を有する緑色又は黄色蛍光体等が挙げられる。
(Sr1−xSiO:Eu2+ (1)
式(1)中、MはBa及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属である。また、式(1)中、0≦x<1.0であり、2.6≦y≦3.3である。
(Sr1−xSiO:Eu2+D (2)
式(2)中、MはBa及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属である。DはF、Cl及びBrからなる群より選ばれるハロゲンアニオンである。また、式(2)中、0≦x<1.0であり、2.6≦y≦3.3である。
(Sr1−xSiO:Eu2+ (3)
式(3)中、MはBa及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属であり、0≦x<1.0であり、1.8≦y≦2.2である。
(Sr1−xMx)SiO:Eu2+D (4)
式(4)中、MはBa及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属である。DはF、Cl及びBrからなる群より選ばれるハロゲンアニオンである。また、式(4)中、0≦x<1.0であり、1.8≦y≦2.2である。
アルカリ土類シリケート蛍光体の屈折率は、通常1.8〜1.9である。
アルカリ土類シリケート蛍光体の外観形状は、通常、粒子状である。アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径は、1μm以上、好ましくは5μm以上、より好ましくは8以上、50μm以下である。ここで、平均粒子径とは、メディアン径(D50)を意味する。平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置により、レーザー回折・散乱法を用いて求められる。また、平均粒子径は、SEMなどの顕微鏡観察によっても求めることができる。
アルカリ土類シリケート蛍光体において、平均粒子径が大きいと、アルカリ土類シリケート蛍光体粒子中の欠陥密度が小さくなることから、発光時のエネルギー損失が少なくなり、発光効率が高くなる。また、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が1μm未満であると、輝度が低下し易いとともに、凝集しやすくなって均一な被覆処理が困難になる。このため、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が上記範囲内にあると、発光時のエネルギー損失が少なくなり、発光効率が高くなり、均一な被覆処理が容易になる。
ただし、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径が大きすぎると、得られる表面処理蛍光体の透光性媒体中の分散性が悪くなり、波長変換部材や発光装置の特性に悪影響を与える。このため、表面処理蛍光体の分散性が厳密に要求される場合には、アルカリ土類シリケート蛍光体の平均粒子径の実用上の上限を上記のように50μmにすればよい。
<表面処理物質>
本実施形態で用いられる表面処理物質は、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層を形成する原料である。
本実施形態で用いられる表面処理物質は、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種である。
硫酸塩としては、例えば、硫酸アンモニウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸リチウム、硫酸アルミニウム、硫酸ナトリウムアルミニウム、硫酸ナトリウムアンモニウムが用いられる。
リン酸塩としては、例えば、リン酸一水素アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウム、リン酸ナトリウムアンモニウム、リン酸カリウムアンモニウムが用いられる。
炭酸塩としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウムが用いられる。
ホウ酸塩としては、例えば、メタホウ酸ナトリウム(NaBO)が用いられる。また、本実施形態では表面処理物質として、ホウ酸塩と同様にホウ酸を用いることができる。
チタン酸塩としては、例えば、チタンアルコキシド、チタン錯体が用いられる。
フッ化物としては、例えば、フッ化アンモニウム(NHF)、二フッ化アンモニウム(NHHF)、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化カリウム(KF)が用いられる。
これらの表面処理物質は、多価アルコール中で溶解して陰イオンを生成する。表面処理物質が多価アルコール中に溶解するメカニズムは、多価アルコールが表面処理物質を錯化する錯化作用によると推定される。表面処理物質が接触するアルカリ土類シリケート蛍光体の表面には、通常、空気中の水分等との反応により、ストロンチウム、バリウム及びカルシウム等の水酸化物であるSr(OH)、Ba(OH)、Ca(OH)等が存在している。このため、表面処理物質から生成された陰イオンと、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物とが接触して反応すると、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、アルカリ土類金属塩からなる表面処理層が生成される。このアルカリ土類金属塩は水に難溶性であるため、表面処理層は耐水性を有する。
表面処理物質として硫酸アンモニウムを用いる場合を例にして、表面処理層の生成のメカニズムを説明する。硫酸アンモニウムは、多価アルコール中に投入されると、多価アルコールの錯化作用等により多価アルコールに溶解する。そのため、多価アルコール中に、硫酸イオンが生成される。多価アルコール中で、この硫酸イオンがアルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物である、Sr(OH)、Ba(OH)、Ca(OH)等と接触すると、下記式(5)〜(7)の反応が生じる。この結果、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、難溶性の硫酸塩である、SrSO、BaSO、CaSO等からなる表面処理層が形成される。
Sr(OH)+SO 2−→SrSO+2OH (5)
Ba(OH)+SO 2−→BaSO+2OH (6)
Ca(OH)+SO 2−→CaSO+2OH (7)
なお、上記の多価アルコールに溶解した硫酸塩から難溶性の硫酸塩を生成するメカニズムは、硫酸塩以外の表面処理物質であるリン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物についても同様に当てはまると推定される。
具体的には、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物は、多価アルコールの錯化作用等により多価アルコールに溶解して、それぞれリン酸イオン、炭酸イオン、ホウ酸イオン、チタン酸イオン及びフッ化物イオンを生成する。これらのリン酸イオン、炭酸イオン、ホウ酸イオン、チタン酸イオン及びフッ化物イオンが、それぞれ、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物と接触すると、難溶性の塩からなる表面処理層が形成される。
表面処理物質として炭酸アンモニウムを用いる場合を例に説明する。多価アルコール中で炭酸アンモニウムから生成した炭酸イオンが、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面のアルカリ土類金属水酸化物である、Sr(OH)、Ba(OH)、Ca(OH)等と接触すると、下記式(8)〜(10)の反応が生じる。この結果、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に、難溶性の炭酸塩である、SrCO、BaCO、CaCO等からなる表面処理層が形成される。
Sr(OH)+CO 2−→SrCO+2OH (8)
Ba(OH)+CO 2−→BaCO+2OH (9)
Ca(OH)+CO 2−→CaCO+2OH (10)
<多価アルコール>
本実施形態で用いられる多価アルコールは、上記アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを接触させる際にアルカリ土類シリケート蛍光体及び表面処理物質の溶媒又は分散媒として共存させる。この多価アルコールは、上記表面処理物質を溶解する。そのため、アルカリ土類シリケート蛍光体に水を接触させることなく、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成させることが可能になる。
本実施形態で用いられる多価アルコールは、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種である。ジオールとしては、例えば、エチレングリコール及びその誘導体が用いられる。トリオールとしては、例えば、グリセリン及びその誘導体が用いられる。誘導体とは、ジオール及びトリオールの母体の構造及び性質を大幅に変えずに官能基が導入されたものを意味する。エチレングリコール及びその誘導体並びにグリセリンその誘導体のうち、エチレングリコール及びその誘導体は、比較的粘度が低く、沸点が低いため、乾燥により除去され得るので、好ましい。
なお、一般的な溶媒であるメタノール、エタノール及びイソプロパノール等の1価アルコールは、本実施形態で用いられる表面処理物質を溶解させることが困難である。そのため、1価アルコールのみからなる非水溶媒中で表面処理層を形成することは困難である。これに対し、本実施形態で用いられる多価アルコールは、表面処理物質を溶解させ得る。そのため、多価アルコール中、又は多価アルコールを含む非水溶媒中で、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層を形成させることができる。
表面処理工程において、上記アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを多価アルコールの共存下で接触させる。多価アルコールの共存下とは、多価アルコールを含む溶媒中でアルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とを接触させることを意味する。また、多価アルコールを含む溶媒とは、多価アルコール、又は多価アルコールを含む溶媒を意味する。多価アルコールを含む溶媒において、多価アルコール以外に含まれる溶媒としては、水以外の溶媒が用いられ、例えば、メタノール、エタノール及びイソプロパノール等の1価アルコールが用いられる。これらの溶媒は、1種で又は2種以上組み合わせて用いることができる。
なお、多価アルコールを含む溶媒は、水分を実質的に含まない。水分を実質的に含まないとは、積極的に水を添加しないという意味であり、多価アルコールを含む溶媒に空気中の水分が微量吸収された状態は、水分を実質的に含まない状態に含まれる。多価アルコールを含む溶媒が多価アルコールのみからなると、アルカリ土類シリケート蛍光体や表面処理物質が水分とより接触し難いため好ましい。
多価アルコールを含む溶媒は、多価アルコールの濃度が、通常90質量%以上、好ましくは95質量%以上、さらに好ましくは98質量%以上である。多価アルコールの濃度が高いと、アルカリ土類シリケート蛍光体及び表面処理層の水分による劣化が少ないため好ましい。
本工程において、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とは、表面処理物質が多価アルコールを含む溶媒に溶解した状態で、接触させられる。表面処理物質を、多価アルコールを含む溶媒に溶解させる方法としては、例えば、多価アルコールを含む溶媒に表面処理物質を溶解させた後、攪拌中の溶媒にアルカリ土類シリケート蛍光体を添加する方法が用いられる。また、多価アルコールを含む溶媒に表面処理物質を溶解させた溶液と、多価アルコールを含む溶媒にアルカリ土類シリケート蛍光体を分散させた分散液とを、攪拌して混合する方法も用いられる。このうち、後者の方法は、多価アルコール中に均一に分散したアルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが均一に反応し易いため好ましい。後者の方法を採用する場合、表面処理工程は、通常、複数個の小工程を有する。以下、これらの小工程について説明する。表面処理工程は、分散液調製工程と、溶解液調製工程と、混合工程とを有することが好ましい。
<分散液調製工程>
分散液調製工程において、多価アルコールを含む溶媒中にアルカリ土類シリケート蛍光体を分散させて蛍光体分散液(A)を得る。多価アルコールを含む溶媒とは、上記説明の通りである。本工程では、多価アルコールを含む溶媒中にアルカリ土類シリケート蛍光体が分散された蛍光体分散液(A)が得られる。蛍光体分散液(A)は、例えば、5〜35℃程度の常温である。
<溶解液調製工程>
溶解液調製工程において、多価アルコールを含む溶媒中に表面処理物質を溶解させて表面処理物質溶解液(B)を得る。多価アルコールを含む溶媒とは、上記説明の通りである。本工程では、多価アルコールを含む溶媒中に表面処理物質が溶解した表面処理物質溶解液(B)が得られる。表面処理物質溶解液(B)は、例えば、5〜35℃程度の常温である。
<混合工程>
混合工程において、蛍光体分散液(A)と表面処理物質溶解液(B)とを混合する。本工程では、蛍光体分散液(A)と表面処理物質溶解液(B)との混合により、多価アルコールを含む溶媒中に、アルカリ土類シリケート蛍光体と、溶解した表面処理物質とが共存したスラリー(C)が得られる。混合方法としては、例えば、マグネチックスターラーを用いて攪拌する方法が用いられる。
本工程では、蛍光体分散液(A)と表面処理物質溶解液(B)との混合で得られるスラリー(C)の温度は、例えば、5〜35℃程度の常温である。この温度範囲において、アルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが十分に反応する。
スラリー(C)が攪拌され続けると、アルカリ土類シリケート蛍光体と溶解した表面処理物質とが十分に反応する。そのため、多価アルコールを含む溶媒中において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層が形成された表面処理蛍光体が作製される。
スラリー(C)の攪拌において、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面上の表面処理層の厚みが、通常5nm以上、1000nm以下、好ましくは10nm以上、500nm以下、より好ましくは20nm以上、500nm以下、さらに好ましくは40nm以上、200nm以下になるまで攪拌を続けることが好ましい。
表面処理層の厚みが5nm以上であると、アルカリ土類シリケート蛍光体の粒子の表面に凹凸が存在していても、ほぼ均一な厚みの表面処理層によりアルカリ土類シリケート蛍光体が被覆されるため好ましい。また、表面処理層の厚みが1000nm以下であると、表面処理層に亀裂が入り難いため表面処理層の剥離が抑制されるため好ましい。
スラリー(C)の攪拌時間は、特に限定されないが、例えば、通常2分以上、60分以下、好ましくは5分以上、30分以下である。
本工程の終了後、多価アルコールを含む溶媒中に形成された表面処理蛍光体を、吸引濾過等することにより、多価アルコールを含む溶媒から分離・回収される。回収した表面処理蛍光体を、適宜、乾燥させると、実施形態に係る表面処理蛍光体を得ることができる。
実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する表面処理蛍光体の製造方法である。この製造方法は、表面処理工程を有する。表面処理工程では、アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種の表面処理物質とを接触させる。アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理物質とは、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種の多価アルコールの共存下で接触させる。これにより、表面処理工程では、アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に表面処理層が形成される。
本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い表面処理蛍光体を製造することができる。
具体的には、本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、表面処理層の形成の際にアルカリ土類シリケート蛍光体と水とが接触しないため、水との接触により生じるアルカリ土類シリケート蛍光体の初期劣化が抑制される。
また、本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理層との界面に水が残存し難いため、水によるアルカリ土類シリケート蛍光体の劣化を長期にわたって抑制できる。
さらに、本実施形態に係る表面処理蛍光体の製造方法によれば、表面処理層の屈折率をアルカリ土類シリケート蛍光体と透光性媒体の各屈折率との間にすることができる。このため、本実施形態に係る表面処理蛍光体については、表面処理層を形成しない場合に比べて光取り出し効率が高くなり、高い発光効率を得ることができる。
[表面処理蛍光体]
本実施形態に係る表面処理蛍光体は、上記の表面処理蛍光体の製造方法を用いて製造される。本実施形態に係る表面処理蛍光体は、アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体と、このアルカリ土類シリケート蛍光体の表面を被覆する表面処理層と、を有する。
<アルカリ土類シリケート蛍光体>
本実施形態に係る表面処理蛍光体を構成するアルカリ土類シリケート蛍光体については、上記の表面処理蛍光体の製造方法で説明したものと同じであるため、説明を省略する。
<表面処理層>
表面処理層は、Sr、Ba及びCaからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属の、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩又はフッ化物である。これらの化合物は、耐湿性が高いため、表面処理蛍光体の耐湿性が高い。
アルカリ土類金属の硫酸塩としては、例えば、硫酸バリウム(BaSO、屈折率:約1.64)や硫酸ストロンチウム(SrSO、屈折率:約1.63)が挙げられる。アルカリ土類金属のリン酸塩としては、例えば、リン酸ストロンチウム(Sr(PO)2、屈折率:約1.6)が挙げられる。アルカリ土類金属の炭酸塩としては、例えば、炭酸ストロンチウム(SrCO、屈折率:約1.5)、炭酸バリウム(BaCO、屈折率:約1.6)が挙げられる。アルカリ土類金属のホウ酸塩としては、例えば、メタホウ酸バリウム(BaB2O、屈折率:約1.6)が挙げられる。
表面処理層の成分である上記物質は耐水性を有するため、アルカリ土類シリケート蛍光体の耐水性が向上する。また、上記物質を含む表面処理層の屈折率は後述の透光性媒体のそれよりも大きく、蛍光体と透光性媒体の各屈折率の中間になる。このように表面処理層の屈折率が蛍光体と透光性媒体の各屈折率の中間にあると、LEDチップ等の励起源から放射された励起光(1次光)が、透光性媒体から表面処理蛍光体の表面処理層に入射する際、反射を抑制できるため好ましい。また、表面処理層の屈折率が蛍光体と透光性媒体の各屈折率の中間にあると、発光した光が蛍光体から透光性媒体へと出射される際、反射を抑制できるため好ましい。
また、表面処理蛍光体を構成する表面処理層の厚みは、通常5nm以上、1000nm以下、好ましくは10nm以上、500nm以下、より好ましくは20nm以上、500nm以下、さらに好ましくは40nm以上、200nm以下である。この理由は上述の表面処理蛍光体の製造方法において説明したため、説明を省略する。
本実施形態に係る表面処理蛍光体において、高い初期発光効率と、高い長期信頼性を得ることができる。
具体的には、本実施形態に係る表面処理蛍光体において、表面処理層の形成の際にアルカリ土類シリケート蛍光体と水とが接触しない。そのため、水との接触によるアルカリ土類シリケート蛍光体の初期劣化が抑制される。
また、本実施形態に係る表面処理蛍光体において、アルカリ土類シリケート蛍光体と表面処理層との界面に水が残存し難いため、水によるアルカリ土類シリケート蛍光体の劣化を長期にわたって抑制できる。
さらに、実施形態に係る表面処理蛍光体において、表面処理層の屈折率は、アルカリ土類シリケート蛍光体と透光性媒体の各屈折率の間である。このため、表面処理層を有さない蛍光体に比べて、高い光取り出し効率、高い発光効率を得ることができる。
本実施形態に係る表面処理蛍光体に、LEDチップ等の励起源から、励起光(1次光)が照射されると、表面処理蛍光体の核を構成するアルカリ土類シリケート蛍光体が、励起光の一部をより長波長の光(2次光)に変換する。この2次光は、表面処理層を透過して表面処理蛍光体の外部に放射される。
以下、本開示の表面処理蛍光体の具体的な製造方法及び特性について以下に示す蛍光体試料を例に説明する。なお、本開示はこれら試料例に限定されるものではない。
[試料#1]
はじめに、ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体((Ba,Sr)SiO:Eu2+、λp=528nm)の粉末5gを分散させたエチレングリコール200mlから構成される蛍光体分散液を調製する(分散液調製工程)。また、硫酸アンモニウム0.05gを溶解させたエチレングリコール100mlから構成される表面処理物質溶解液を調製する(溶解液調製工程)。
次に、蛍光体分散液200mlに表面処理物質溶解液100mlを添加し、マグネチックスターラーを用いて25℃で10分間攪拌混合する(混合工程)。
攪拌混合後に得られたスラリーを、濾紙を用いて吸引濾過し、残滓を回収する。この残滓を150℃で1時間乾燥させる。乾燥処理後、蛍光体の表面に、硫酸バリウム及び硫酸ストロンチウムからなる表面処理層を有する表面処理蛍光体(試料#1)が得られる。表面処理蛍光体の表面処理層の厚さが50nmである。
[試料#2]
試料#2の工程では、試料#1の工程における硫酸アンモニウムの配合量を0.2gに置換える。それ以外の工程は、試料#1の工程と同じである。表面処理蛍光体(試料#2)の表面処理層の厚さは、120nmである。
[試料#3]
試料#3の工程では、試料#1の工程における硫酸アンモニウムの配合量を0.8gに置換える。それ以外の工程は、試料#1の工程と同じである。表面処理蛍光体(試料#3)の表面処理層の厚さは、300nmである。
比較のための試料として以下の表面処理蛍光体(試料#4〜#9)を試作する。
[試料#4]
試料#4は、試料#1の工程で用いる(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体と同じである。すなわち、試料#4においては、本実施形態における表面処理を施していない。
[試料#5]
試料#5の工程では、試料#1の工程における蛍光体分散液の調製の際に用いるエチレングリコール200mlをエタノール200mlに置換え、かつ、表面処理物質溶解液の調製の際に用いるエチレングリール100mlをエタノール100mlに置換える。
それ以外の工程は、試料#1の工程と同じである。
試料#5の工程においては、表面処理物質が溶媒であるエタノールに溶解しない。そのためユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体の表面に表面処理層は形成されない。
[試料#6]
試料#6の工程では、試料#1の工程における蛍光体分散液の調製の際に用いるエチレングリコール200mlをメタノール200mlに置換え、かつ、表面処理物質溶解液の調製の際に用いるエチレングリコール100mlをメタノール100mlに置換える。
試料#6の工程においては、表面処理物質が溶媒であるメタノールに溶解しない。そのためユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体の表面に表面処理層は形成されない。
[試料#7]
試料#7の工程では、試料#1の工程における蛍光体分散液の調製の際に用いるエチレングリコール200mlをIPA(イソプロパノール)200mlに置換え、かつ、表面処理物質溶解液の調製の際に用いるエチレングリコール100mlをIPA100mlに置換える。
試料#7の工程においては、表面処理物質が溶媒であるIPAに溶解しない。そのためユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体の表面に表面処理層は形成されない。
[試料#8]
試料#8の工程では、試料#1の工程における蛍光体分散液の調製の際に用いるエチレングリコール200mlを水200mlに置換え、かつ表面処理物質溶解液の調製の際に用いるエチレングリコール100mlを水100mlに置換える。得られる表面処理蛍光体(試料#8)において、(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体の表面の一部に表面処理層の未被覆部分があり、表面処理層の厚さは、ゼロから5nmの範囲でばらつきがある。
[試料#9]
はじめに、硫酸アンモニウム0.05gを水200ml中に溶解させて硫酸アンモニウム水溶液を調製した。次に、この硫酸アンモニウム水溶液200mlに(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体の粉末を5g投入する。この場合、蛍光体に凝集が生じる。凝集した状態で、マグネチックスターラーを用いて25℃で10分間攪拌混合すると、凝集が少なくなるが依然として目視において凝集が認められる。
攪拌混合後に得られるスラリーを濾紙を用いて吸引濾過し、残滓を回収する。この残滓を150℃で1時間乾燥させる。乾燥処理後、蛍光体の表面に、硫酸バリウム及び硫酸ストロンチウムからなる表面処理層が形成された表面処理蛍光体が得られる。得られた表面処理蛍光体(試料#9)は、(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体の(Ba,Sr)SiO:Eu2+蛍光体の表面の一部に表面処理層の未被覆部分があり、表面処理層の厚さにゼロから60nmの範囲でばらつきがある。
以上の試料#1〜試料#9における試作条件、表面処理層の厚さ、初期発光効率及び耐湿性を表1に示す。
Figure 2016002185
(初期発光効率)
一般に蛍光体の発光効率(lm/W)は、蛍光分光光度計(例えば、製品名QE−1100、ハーフムーン型積分球、大塚電子株式会社製)を用いて測定することができる。測定条件は、励起波長を450nm、測定波長範囲を460以上、800nm以下、積算回数30回とする。試料#1〜5、及び#7の初期発光効率の相対値は、試料#6の発光効率(lm/W)を100としたときの相対値である。
表1より、表面処理層を有する試料#1〜#3の初期発光効率は、表面処理を行っていない試料#4のそれと比べて、3〜4%高い。
(耐湿性)
耐湿性の評価では、試料#1〜試料#4及び試料#8、#9に以下の吸湿処理をした後に、発光効率を測定する。吸湿処理では、はじめに、各試料の各粉末1gをそれぞれ分散させた水1Lを20分間攪拌させる。次に、分散液を濾過し、残滓を150℃で1時間乾燥させて、耐湿試験用の試料を得る。
耐湿試験用の各試料の発光効率の相対値は、試料#4(吸湿処理をしていない)の発光効率(lm/W)を100としたときの相対値である。
表1より、表面処理層を有する試料#1〜#3及び表面処理層が部分的にしか形成されていない試料#8、#9の相対発光効率は、表面処理を行っていない試料#4のそれと比べて、29%〜31%高い。
以上の結果から、表面処理層を有する試料#1〜#3の初期発光効率及び耐湿性が表面処理を施していない試料#4よりも優れる。
以上、試作した試料に沿って本開示の内容を説明したが、本開示はこれらの記載に限定されるものではなく、種々の変形及び改良が可能であることは、当業者には自明である。
表面処理蛍光体の発光にはLEDチップ等の励起源が必要である。表面処理蛍光体を含む波長変換部材、及びこの波長変換部材と励起源とを組み合わせた発光装置について説明する。
[波長変換部材]
本実施形態に係る波長変換部材は、透光性媒体と、この透光性媒体内に分散された表面処理蛍光体とを含む。波長変換部材において、表面処理蛍光体は上述の実施形態に係る表面処理蛍光体である。透光性媒体の屈性率は、表面処理蛍光体の表面処理層の屈性率よりも小さい。
以下、図面を参照して本実施形態の波長変換部材の具体的な構成を説明する。図1は、本開示の実施形態に係る表面処理蛍光体11及び波長変換部材15を示す概略図である。
波長変換部材15において、透光性媒体14内に表面処理蛍光体11が分散されている。表面処理蛍光体11は、アルカリ土類シリケート蛍光体12と、アルカリ土類シリケート蛍光体12の表面を被覆する表面処理層13と、を有する。図1中、符号tは、表面処理層13の厚みを示す。
(表面処理蛍光体)
表面処理蛍光体11は、上記の実施形態に係る表面処理蛍光体と同じであるため、説明を省略する。
(透光性媒体)
透光性媒体14は、透光性を有する。透光性媒体14内に表面処理蛍光体11が分散される。表面処理蛍光体11の表面処理層13の屈性率よりも小さい屈折率を有する透光性媒体が通常用いられる。透光性媒体の屈性率が、表面処理蛍光体11の表面処理層13の屈性率よりも小さいと、LEDチップ等の励起源から放射された励起光(1次光)が、表面処理蛍光体11の表面処理層13に入射する際。反射が抑制されるため好ましい。また、発光光が表面処理蛍光体11から透光性媒体14へと出射する際、反射が抑制されるので好ましい。
このような透光性媒体14としては、例えば、シロキサン結合を有するケイ素化合物、ガラス、アクリル樹脂、有機成分と無機成分とがナノメートルレベル又は分子レベルで混合及び結合されることで形成される有機・無機ハイブリッド材料、等が用いられる。これらの透光性媒体のうち、シロキサン結合を有するケイ素化合物及びガラスは、耐熱性及び耐光性に優れ、特に青色〜紫外線等の短波長の光に対する耐久性に優れる。これらの材料において、LEDチップ等の励起源から放射される励起光(1次光)の波長域が青色光から紫外光に亘る光であっても、劣化し難い。
ケイ素化合物としては、例えば、シリコーン樹脂、オルガノシロキサンの加水分解縮合物、オルガノシロキサンの縮合物、公知の重合手法により架橋される複合樹脂が用いられる。公知の重合手法とは、ヒドロシリル化等の付加重合やラジカル重合等である。
表面処理蛍光体11を透光性媒体14中に分散させる方法としては、例えば、流動状態の透光性媒体14中に表面処理蛍光体11を均一に分散させた後、流動状態の透光性媒体を硬化させる方法が用いられる。
波長変換部材15は、透光性媒体14内に表面処理蛍光体11を分散させた構造を有する。そのため、波長変換部材15に励起源から励起光(1次光)が入射すると、励起光の一部がより長波長の光(2次光)に変換され、2次光が透光性媒体14を介して波長変換部材15の外に放射される。
実施形態に係る波長変換部材15は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
[発光装置]
本実施形態の発光装置の一例として半導体発光装置100を図2から図4を参照し説明する。図2は半導体発光装置100の斜視図である。図3Aは、図2における3A−3A線断面図であり、図3Bは、図4における3B−3B線断面図である。図4は半導体発光装置100における封止部材の形成方法を説明するための図である。
図2に示すように、半導体発光装置100は、励起源である複数のLED120と、この励起源から放射される光の一部をより長波長の光に変換して放射する表面処理蛍光体とを有する発光装置である。半導体発光装置100は、さらに基板110、表面処理蛍光体を含む複数の封止部材130とを有する。基板110は、例えば、セラミックや熱伝導樹脂等からなる絶縁層とアルミ板等からなる金属層との二層構造を有する。基板110は全体的に方形の板状であって、基板110の短手方向(X軸方向)の幅W1が12〜30mmであり、長手方向(Y軸方向)の幅W2が12〜30mmである。
図3A及び図3Bに示すように、LED120は、平面視形状が全体的に長方形である。LED120としては、例えばピーク波長を440nm〜500nmとするGaN系のLEDが用いられる。LED120において、例えば、短手方向(X軸方向)の幅W3が0.3〜1.0mm、長手方向(Y軸方向)の幅W4が0.3〜1.0mm、厚み(Z軸方向の幅)が0.08〜0.30mmである。
複数のLED120の配置において、基板110の長手方向(Y軸方向)とLED120の素子列の配列方向とが一致している。基板110の長手方向に直線状に並べられた複数のLED120は、素子列を構成しており、さらに複数の素子列が基板110の短手方向(X軸方向)に並べられて配置されている。具体的には、例えば、25個のLED120において、それぞれ5個のLEDで構成される素子列が、5行並べられて配置される。LED120を直線状に配列することによって、LED120を封止する封止部材130も直線状に形成されることができる。
図3Bに示すように、各素子列は、それぞれ長尺状の封止部材130によって個別に封止される。1つの素子列とその素子列を封止する1つの封止部材130とによって、1つの発光部101が構成される。半導体発光装置100は5つの発光部101を有する。
封止部材130は、蛍光体を含有した透光性の樹脂材料で形成される。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン・エポキシのハイブリッド樹脂、ユリア樹脂等を用いることができる。蛍光体は、LED120から放射される光の一部をより長波長の光に変換して、放射することができる。蛍光体を含む封止部材130が波長変換部材である。ここで、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体を用いることができる。なお、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体に加え、例えば、Eu2+、Ce3+、Tb3+、Mn2+の少なくともいずれかで付活した酸化物や酸ハロゲン化物等の酸化物系蛍光体も用いることができる。また、蛍光体としては、本実施形態の表面処理蛍光体に加え、Eu2+、Ce3+、Tb3+、Mn2+の少なくともいずれかで付活した窒化物や酸窒化物等の窒化物系蛍光体、又は硫化物や酸硫化物等の硫化物系蛍光体も用いることができる。
本実施形態の表面処理蛍光体に加えて用いられる蛍光体の具体例を以下に示す。青色蛍光体としては、BaMgAl1017:Eu2+、CaMgSi:Eu2+、BaMgSi:Eu2+、Sr10(POl2:Eu2+等が挙げられる。緑青又は青緑色蛍光体としては、SrSiCl:Eu2+、SrAl1424:Eu2+、BaAl13:Eu2+、BaSiO:Eu2+が挙げられる。さらに緑青又は青緑色蛍光体としては、BaZrSi:Eu2+、CaYZr(AlO:Ce3+、CaYHf(AlO:Ce3+、CaYZr(AlO:Ce3+,Tb3+が挙げられる。緑色蛍光体としては、(Ba,Sr)SiO:Eu2+、CaMg(SiOl2:Eu2+、CaMg(SiOl2:Eu2+,Mn2+が挙げられる。さらに緑色蛍光体としては、BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+、CeMgAl1119:Mn2+、YAl(AlO:Ce3+、LuAl(AlO:Ce3+が挙げられる。また、緑色蛍光体としては、YGa(AlO:Ce3+、CaScSi12:Ce3+、CaSc:Ce3+、β−Si:Eu2+、SrSi:Eu2+が挙げられる。緑色蛍光体としては、BaSi12:Eu2+、SrSi13Al21:Eu2+、YTbSiC:Ce3+、SrGa:Eu2+が挙げられる。緑色蛍光体としては、CaLaZr(AlO:Ce3+、CaTbZr(AlO:Ce3+、CaTbZr(AlO:Ce3+,Pr3+が挙げられる。緑色蛍光体としては、ZnSiO:Mn2+、MgGa:Mn2+が挙げられる。緑色蛍光体としては、LaPO:Ce3+,Tb3+、YSiO:Ce3+,CeMgAl1119:Tb3+、GdMgB10:Ce3+,Tb3+が挙げられる。黄又は橙色蛍光体としては、(Sr,Ba)SiO:Eu2+、(Y,Gd)Al12:Ce3+、α−Ca−SiAlON:Eu2+が挙げられる。黄又は橙色蛍光体としては、YSiC:Ce3+、LaSi11:Ce3+、YMgAl(AlO(SiO):Ce3+が挙げられる。赤色蛍光体としては、SrSi:Eu2+、CaAlSiN:Eu2+、SrAlSi:Eu2+、CaS:Eu2+、LaS:Eu3+、YMg(AlO)(SiO:Ce3+が挙げられる。また、赤色蛍光体としては、Y:Eu3+、YS:Eu3+、Y(P,V)O:Eu3+、YVO:Eu3+が挙げられる。赤色蛍光体としては、3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn4+、KSiF:Mn4+、GdMgB10:Ce3+,Mn2+が挙げられる。
図4に示すように、封止部材130は、細長い形状であることが好ましい。具体的には、封止部材130は、短手方向(X軸方向)の幅W5が0.8〜3.0mm、長手方向(Y軸方向)の幅W6が3.0〜40.0mmであることが好ましい。また、LED120を含めた最大厚み(Z軸方向の幅)T1が0.4〜1.5mm、LED120を含めない最大厚みT2が0.2〜1.3mmであることが好ましい。封止信頼性を確保するためには、封止部材130の幅W5はLED120の幅W3に対して2〜7倍であることが好ましい。
封止部材130の短手方向に沿った断面の形状は図3Aに示すように、半楕円形である。また、封止部材130の長手方向の両端部131、132は、R形状になっている。具体的には、両端部131、132の形状は、図2に示すように、平面視における形状が半円形であり、図3Bに示すように、長手方向に沿った断面の形状が約90°の中心角を有する扇形である。封止部材130の両端部131、132がこのようにR形状になっていると、それら両端部131、132において応力集中が生じ難いと共に、LED120の出射光を封止部材130の外部に取り出し易い。
各LED120は、基板110にフェイスアップ実装される。LED120には、基板110に形成された配線パターン140を介して、点灯回路(図示せず)が電気的に接続されている。配線パターン140は、一対の給電用のランド141、142と、各LED120に対応する位置に配置された複数のボンディング用のランド143とを有する。
図4に示すように、LED120は、例えば、ワイヤ(例えば、金ワイヤ)150を介してランド143と電気的に接続される。ワイヤ150の一方の端部151はLED120と接合され、他方の端部152はランド143と接合される。各ワイヤ150は、素子列の方向に沿って配置される。各ワイヤ150は、LED120やランド143と共に封止部材130により封止されている。そのため劣化し難い。また封止部材130により絶縁されていている。なお、LED120の基板110への実装方法は、上記のようなフェイスアップ実装に限定されず、フリップチップ実装であってもよい。
LED120において、図2に示すように、同じ素子列に属する5個のLED120が直列接続され、5つの素子列が並列接続されている。なお、LED120の接続形態はこれに限定されず、素子列に関係なくどのように接続されていてもよい。ランド141、142には、一対のリード線(図示せず)が接続され、リード線を介して点灯回路ユニットから各LED120に電力が供給される。
封止部材130は、以下の手順で形成することができる。LED120が直線状に実装された基板110に、例えばディスペンサ160を用いて、素子列に沿って樹脂ペースト135を線状に塗布する。その後、塗布後の樹脂ペースト135を固化させて、素子列ごとに個別に封止部材130が形成される。
本実施形態の半導体発光装置は、照明光源や液晶ディスプレイのバックライト用、表示装置の光源等として広く利用可能である。
照明光源は、本実施形態の半導体発光装置と、半導体発光装置に電力を供給する点灯回路と、照明器具との接続部品である口金とを有する。また、照明器具を適宜組み合わせることより、照明装置や照明システムを構成することもできる。本実施形態の半導体発光装置を用いた光源は、初期の発光効率が高く、かつ長期信頼性が高い。
半導体発光装置100において、励起源としてLEDを用いたが、これに限られず、本開示にかかる発光装置において、励起源として放電装置、電子銃、固体発光素子等から適宜選択することができる。
半導体発光装置100では、励起源が、表面処理蛍光体を含む波長変換部材(封止部材130、)中に埋設された例を示した。本開示に係る発光装置において、励起源と波長変換部材を分離して配置してもよい。
11 表面処理蛍光体
12 アルカリ土類シリケート蛍光体粒子(ユーロピウム付活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート蛍光体粒子)
13 表面処理層
14 透光性媒体
15 波長変換部材

Claims (8)

  1. アルカリ土類金属の珪酸塩を含有するアルカリ土類シリケート蛍光体の表面が表面処理層により被覆された表面処理蛍光体の製造方法であって、
    前記アルカリ土類シリケート蛍光体と、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸、チタン酸塩及びフッ化物からなる群より選択される少なくとも1種の表面処理物質とを、ジオール及びトリオールからなる群より選択される少なくとも1種の多価アルコールの共存下において、前記アルカリ土類シリケート蛍光体の表面に前記表面処理層を形成する表面処理、
    を有する表面処理蛍光体の製造方法。
  2. 前記表面処理は、
    前記多価アルコールを含む溶媒中に前記アルカリ土類シリケート蛍光体を分散させて蛍光体分散液(A)を得る分散液調製と、
    前記多価アルコールを含む溶媒中に前記表面処理物質を溶解させて表面処理物質溶解液(B)を得る溶解液調製と、
    前記蛍光体分散液(A)と前記表面処理物質溶解液(B)とを混合する混合と、
    を有する請求項1に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  3. 前記表面処理層の厚みは、5nm以上、1000nm以下である請求項1又は2に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  4. 前記アルカリ土類金属の珪酸塩は、ストロンチウム、バリウム及びカルシウムからなる群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属の珪酸塩である請求項1から3のいずれか1項に記載の表面処理蛍光体の製造方法。
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載の表面処理蛍光体の製造方法を用いて製造される表面処理蛍光体。
  6. 透光性媒体と、
    前記透光性媒体内に分散された請求項5に記載の表面処理蛍光体と、を有する波長変換部材であって、
    前記透光性媒体の屈性率は、前記表面処理蛍光体の前記表面処理層の屈性率よりも小さい波長変換部材。
  7. 励起源と、
    励起源から放射される光の一部をより長波長の光に変換して放射する請求項5に記載の表面処理蛍光体と、
    を備える発光装置。
  8. 励起源と、
    前記励起源から放射される光の一部をこの光よりも長波長の光に変換して放射する請求項6に記載された波長変換部材と、
    を備える発光装置。
JP2015552934A 2014-06-30 2015-06-29 表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置 Active JP5934955B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014133549 2014-06-30
JP2014133549 2014-06-30
PCT/JP2015/003241 WO2016002185A1 (ja) 2014-06-30 2015-06-29 表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5934955B1 JP5934955B1 (ja) 2016-06-15
JPWO2016002185A1 true JPWO2016002185A1 (ja) 2017-04-27

Family

ID=55018762

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014254769A Pending JP2016027077A (ja) 2014-06-30 2014-12-17 表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置
JP2015552934A Active JP5934955B1 (ja) 2014-06-30 2015-06-29 表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014254769A Pending JP2016027077A (ja) 2014-06-30 2014-12-17 表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20170130125A1 (ja)
EP (1) EP3162873A4 (ja)
JP (2) JP2016027077A (ja)
CN (1) CN106459751A (ja)
WO (1) WO2016002185A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6443417B2 (ja) * 2016-02-29 2018-12-26 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体の製造方法、窒化物蛍光体及び発光装置
EP3428245B1 (en) * 2016-03-08 2020-04-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and luminescence device
JP6477556B2 (ja) * 2016-03-14 2019-03-06 住友大阪セメント株式会社 複合粉体、表面処理複合粉体、樹脂組成物、硬化体、光半導体発光装置
US10414976B2 (en) 2016-03-28 2019-09-17 Nichia Corporation Method for producing fluorescent material, fluorescent material, and light emitting device using the same
JP6414190B2 (ja) * 2016-03-28 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 蛍光体の製造方法
JP6515979B2 (ja) * 2016-11-24 2019-05-22 日亜化学工業株式会社 蛍光体、その製造方法及び発光装置
WO2018159268A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換部材、光源及び照明装置
JP7037034B2 (ja) * 2017-08-31 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 充填材、樹脂組成物、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
US10608148B2 (en) 2018-05-31 2020-03-31 Cree, Inc. Stabilized fluoride phosphor for light emitting diode (LED) applications
JP7087883B2 (ja) * 2018-09-26 2022-06-21 堺化学工業株式会社 リン酸カルシウムセリウム蛍光体
US11732187B2 (en) 2018-10-25 2023-08-22 Nichia Corporation Chlorosilicate fluorescent material, method for producing the same, and light emitting device
US11261375B2 (en) 2019-05-22 2022-03-01 General Electric Company Method to enhance phosphor robustness and dispersability and resulting phosphors
CN115698199A (zh) 2020-04-14 2023-02-03 通用电气公司 具有窄带发射磷光体材料的油墨组合物和膜

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303051B1 (en) * 1999-09-09 2001-10-16 Osram Sylvania Inc. Phosphate treated silicate phosphor
JP2003034790A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体と蛍光体の製造方法およびプラズマディスプレイパネル表示装置
KR20050118210A (ko) * 2003-03-28 2005-12-15 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 입자 또는 물질의 표면 상에 코팅을 형성시키는 방법 및이에 의한 생성물
CN101878540B (zh) * 2007-11-29 2013-11-06 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
KR20090131489A (ko) * 2008-06-18 2009-12-29 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체, 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
DE102009044255A1 (de) * 2009-10-15 2011-04-28 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Erdalkalimetallsilikat-Leuchtstoffe und Verfahren zur Verbesserung ihrer Langzeitstabilität
US8593062B2 (en) * 2010-04-29 2013-11-26 General Electric Company Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them
JP5770205B2 (ja) * 2010-11-22 2015-08-26 宇部マテリアルズ株式会社 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置
JP2012162709A (ja) * 2011-01-18 2012-08-30 Sony Chemical & Information Device Corp 被覆蛍光体の製造方法及び被覆蛍光体
CN103717702B (zh) * 2011-05-30 2015-04-22 住友金属矿山株式会社 具有被覆膜的碱土金属类硅酸盐荧光体粒子的制造方法
US20130092964A1 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 Intematix Corporation Highly reliable photoluminescent materials having a thick and uniform titanium dioxide coating
JP2013213095A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 被覆珪酸塩系蛍光体粒子及びその製造方法
JP2013213097A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 被覆酸窒化物系緑色蛍光体粒子及びその製造方法
WO2013179626A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 パナソニック株式会社 Ledモジュール
WO2014008970A1 (de) * 2012-07-13 2014-01-16 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von leuchtstoffen
US9235039B2 (en) * 2013-02-15 2016-01-12 Dicon Fiberoptics Inc. Broad-spectrum illuminator for microscopy applications, using the emissions of luminescent materials

Also Published As

Publication number Publication date
JP5934955B1 (ja) 2016-06-15
US20170130125A1 (en) 2017-05-11
JP2016027077A (ja) 2016-02-18
EP3162873A1 (en) 2017-05-03
WO2016002185A1 (ja) 2016-01-07
EP3162873A4 (en) 2017-05-24
CN106459751A (zh) 2017-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5934955B1 (ja) 表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置
JP6625582B2 (ja) 発光ダイオード用途に使用するための赤色線放出蛍光体
TWI403570B (zh) 螢光體與其製造方法,含螢光體組成物,發光裝置及其用途
US9777213B2 (en) Phosphor, phosphor-containing composition and light-emitting unit using phosphor, and image display device and lighting device using light-emitting unit
CN102333844B (zh) 共掺杂锆和铪的次氮基硅酸盐
EP2833422A1 (en) Semiconductor light-emitting device, and illumination device
JP5230594B2 (ja) 蛍光体およびその製法ならびに波長変換器、発光装置、照明装置
JP2009013186A (ja) 被覆蛍光体粒子、被覆蛍光体粒子の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、および照明装置
JP2009173905A (ja) 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物および発光装置
JP2008111080A (ja) 蛍光体表面処理方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、および照明装置
WO2015194180A1 (ja) 表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置
CN101657521A (zh) 制备基于用于pcLED的原硅酸盐的磷光体的方法
CN102823002A (zh) 发光装置
JP2015211150A (ja) 波長変換部材及びこれを用いた照明装置
JP5238753B2 (ja) 照明装置
JP2009030042A (ja) 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、並びに発光装置
JP2008038081A (ja) 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP6115432B2 (ja) 複合波長変換粒子及び複合波長変換粒子含有樹脂組成物並びに発光装置
EP2246909B1 (en) White light emitting device and lighting fitting for vehicles using the white light emitting device
JP2015183085A (ja) 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び液晶表示装置
JP2016108496A (ja) アルカリ土類金属蛍光体、波長変換部材及び発光装置
JP5471021B2 (ja) 蛍光体及び蛍光体の製造方法、並びに、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP2015166423A (ja) 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP2006013157A (ja) 発光装置
WO2015064046A1 (ja) 波長変換粒子とその製造方法、波長変換部材及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160321

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5934955

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151