JPH1027542A - プラズマディスプレイパネル及びその隔壁形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその隔壁形成方法Info
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- JPH1027542A JPH1027542A JP8182402A JP18240296A JPH1027542A JP H1027542 A JPH1027542 A JP H1027542A JP 8182402 A JP8182402 A JP 8182402A JP 18240296 A JP18240296 A JP 18240296A JP H1027542 A JPH1027542 A JP H1027542A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
- H01J9/242—Spacers between faceplate and backplate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 隔壁の剥離を防止することができるプラズマ
ディプレイパネルの隔壁形成方法を提供することを課題
とする。 【解決手段】 基板上に放電空間を仕切る隔壁を形成す
るプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法におい
て、前記基板の隔壁形成面を所定の深さに粗面化し、粗
面化した隔壁形成面（好ましくは表面粗さ４〜６μｍの
凹凸面）に隔壁材料層を積層した後、該隔壁材料層上に
隔壁に対応したマスキングパターンのマスクを設け、研
磨材の吹きつけにより隔壁材料層を部分的に除去してマ
スク下に隔壁を形成し、該マスクを除去することを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法によ
り上記課題を解決する。
ディプレイパネルの隔壁形成方法を提供することを課題
とする。 【解決手段】 基板上に放電空間を仕切る隔壁を形成す
るプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法におい
て、前記基板の隔壁形成面を所定の深さに粗面化し、粗
面化した隔壁形成面（好ましくは表面粗さ４〜６μｍの
凹凸面）に隔壁材料層を積層した後、該隔壁材料層上に
隔壁に対応したマスキングパターンのマスクを設け、研
磨材の吹きつけにより隔壁材料層を部分的に除去してマ
スク下に隔壁を形成し、該マスクを除去することを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法によ
り上記課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル及びそれの隔壁形成方法に関する。更に詳し
くは、本発明は、隔壁の剥離が生じない隔壁形成方法及
びプラズマディスプレイパネルに関する。
レイパネル及びそれの隔壁形成方法に関する。更に詳し
くは、本発明は、隔壁の剥離が生じない隔壁形成方法及
びプラズマディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置における表示画面の薄型
化と大型化の要求が大きくなっている。種々の表示装置
の内、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称
する）は、薄型で、カラー化及び大面積化が容易である
上に、自己発光型で、視認性に優れている。そのため、
例えば大画面壁掛けテレビの最有力候補として期待され
ている。
化と大型化の要求が大きくなっている。種々の表示装置
の内、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称
する）は、薄型で、カラー化及び大面積化が容易である
上に、自己発光型で、視認性に優れている。そのため、
例えば大画面壁掛けテレビの最有力候補として期待され
ている。
【０００３】ＰＤＰは一対の基板を微小間隙を設けて対
向配列し、周囲を封止することにより内部に放電空間を
形成した表示装置である。一般にＰＤＰは放電空間を仕
切るために一方の基板上に隔壁が設けられている。例え
ば、カラー表示に適したＰＤＰの場合、帯状の隔壁が等
間隔で基板上に形成され、隔壁間に蛍光体層が配設され
ている。
向配列し、周囲を封止することにより内部に放電空間を
形成した表示装置である。一般にＰＤＰは放電空間を仕
切るために一方の基板上に隔壁が設けられている。例え
ば、カラー表示に適したＰＤＰの場合、帯状の隔壁が等
間隔で基板上に形成され、隔壁間に蛍光体層が配設され
ている。
【０００４】上記隔壁の形成方法として、ガラスペース
トをスクリーン印刷法によって塗布し、その後焼成する
方法が一般に用いられている。しかしながら、この方法
では隔壁の幅及び配列ピッチの縮小が困難であり、表示
の高精化が望めない。また、表示面を大型化しようとす
ると、スクリーンマスクの収縮に起因して隔壁と電極と
の配置関係を表示面の全体にわたって均一にすることが
不可能になる。更に、所定の高さの隔壁を得るために十
回程度の重ね印刷が必要であり、印刷時及び焼成時に型
崩れが起こり易く放電に支障が生じることがある。
トをスクリーン印刷法によって塗布し、その後焼成する
方法が一般に用いられている。しかしながら、この方法
では隔壁の幅及び配列ピッチの縮小が困難であり、表示
の高精化が望めない。また、表示面を大型化しようとす
ると、スクリーンマスクの収縮に起因して隔壁と電極と
の配置関係を表示面の全体にわたって均一にすることが
不可能になる。更に、所定の高さの隔壁を得るために十
回程度の重ね印刷が必要であり、印刷時及び焼成時に型
崩れが起こり易く放電に支障が生じることがある。
【０００５】そこでスクリーン印刷法に代わる方法とし
て、サンドブラスト法が提案され実用化が進められてい
る。この方法は、基板上の隔壁形成面に隔壁材料層を積
層し、その上にフォトリソグラフィ法により所定隔壁パ
ターンのマスクを形成する。この後、研磨材を真上から
吹きつけて隔壁材料層を選択的に除去することによりマ
スク下に隔壁を形成した後、マスクを剥離する方法であ
る。
て、サンドブラスト法が提案され実用化が進められてい
る。この方法は、基板上の隔壁形成面に隔壁材料層を積
層し、その上にフォトリソグラフィ法により所定隔壁パ
ターンのマスクを形成する。この後、研磨材を真上から
吹きつけて隔壁材料層を選択的に除去することによりマ
スク下に隔壁を形成した後、マスクを剥離する方法であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記サンドブラスト法
においては、隔壁の幅が細くなるとマスクを除去すると
きに隔壁が基板から剥離したり、対向基板との重ね合わ
せ時（パネル組み立て時）に振動等の外力によって隔壁
が基板から剥離するという問題があった。
においては、隔壁の幅が細くなるとマスクを除去すると
きに隔壁が基板から剥離したり、対向基板との重ね合わ
せ時（パネル組み立て時）に振動等の外力によって隔壁
が基板から剥離するという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意検討の
結果、マスクと隔壁間の密着力より、隔壁と基板間の密
着力を大きくすることで上記課題を解決することができ
ることを見いだし本発明に至った。かくして本発明によ
れば、基板上に放電空間を仕切る隔壁を形成するプラズ
マディスプレイパネルの隔壁形成方法において、前記基
板の隔壁形成面を所定の深さに粗面化し、粗面化した隔
壁形成面に隔壁材料層を積層した後、該隔壁材料層上に
隔壁に対応したマスキングパターンのマスクを設け、研
磨材の吹きつけにより隔壁材料層を部分的に除去してマ
スク下に隔壁を形成し、該マスクを除去することを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法が提
供される。
結果、マスクと隔壁間の密着力より、隔壁と基板間の密
着力を大きくすることで上記課題を解決することができ
ることを見いだし本発明に至った。かくして本発明によ
れば、基板上に放電空間を仕切る隔壁を形成するプラズ
マディスプレイパネルの隔壁形成方法において、前記基
板の隔壁形成面を所定の深さに粗面化し、粗面化した隔
壁形成面に隔壁材料層を積層した後、該隔壁材料層上に
隔壁に対応したマスキングパターンのマスクを設け、研
磨材の吹きつけにより隔壁材料層を部分的に除去してマ
スク下に隔壁を形成し、該マスクを除去することを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法が提
供される。
【０００８】また、本発明によれば、基板の表面に設け
た複数の電極を誘電体層により被覆し、該誘電体層上に
所定パターンの隔壁を設けたプラズマディスプレイパネ
ルの隔壁形成方法であって、前記誘電体層の表面を所定
の深さ粗面化する工程と、粗面化した誘電体層上に隔壁
材料層を積層する工程と、該隔壁材料層上に隔壁に対応
したマスキングパターンのマスクを設け、研磨材の吹き
つけにより隔壁材料層を部分的に除去してマスク下に隔
壁を形成する工程と、該マスクを除去する工程とを含ん
でなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
隔壁形成方法が提供される。
た複数の電極を誘電体層により被覆し、該誘電体層上に
所定パターンの隔壁を設けたプラズマディスプレイパネ
ルの隔壁形成方法であって、前記誘電体層の表面を所定
の深さ粗面化する工程と、粗面化した誘電体層上に隔壁
材料層を積層する工程と、該隔壁材料層上に隔壁に対応
したマスキングパターンのマスクを設け、研磨材の吹き
つけにより隔壁材料層を部分的に除去してマスク下に隔
壁を形成する工程と、該マスクを除去する工程とを含ん
でなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
隔壁形成方法が提供される。
【０００９】更に、本発明によれば、基板の表面に設け
た複数の電極を誘電体層により被覆し、該誘電体層上に
放電空間を仕切る所定パターンの隔壁を設けたプラズマ
ディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層は表面が表
面粗さ４〜６μｍの凹凸面に形成され、前記隔壁は該誘
電体層表面に積層した隔壁材料層を所定隔壁パターンの
マスクで覆い該マスクより露出する隔壁材料層部分をサ
ンドブラスト加工により研削して形成された前記基板面
に対してほぼ垂直な壁からなること特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルが提供される。
た複数の電極を誘電体層により被覆し、該誘電体層上に
放電空間を仕切る所定パターンの隔壁を設けたプラズマ
ディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層は表面が表
面粗さ４〜６μｍの凹凸面に形成され、前記隔壁は該誘
電体層表面に積層した隔壁材料層を所定隔壁パターンの
マスクで覆い該マスクより露出する隔壁材料層部分をサ
ンドブラスト加工により研削して形成された前記基板面
に対してほぼ垂直な壁からなること特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルが提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明でいう基板上の隔壁形成面
とは、絶縁性基板の表面と電極との間に形成されたパッ
シベーション膜の表面、又は電極を放電空間から絶縁す
るための誘電体層の表面、又は電極及び絶縁性基板をサ
ンドブラスト加工から保護するための切削防止膜の表面
である。ここで絶縁性基板としては、ガラス基板、石英
基板等が挙げられる。この内、ガラス基板が安価なので
好ましい。なお、誘電体層についてはＡＣ駆動形式の３
電極型面放電ＰＤＰを代表例として下記で説明する。
とは、絶縁性基板の表面と電極との間に形成されたパッ
シベーション膜の表面、又は電極を放電空間から絶縁す
るための誘電体層の表面、又は電極及び絶縁性基板をサ
ンドブラスト加工から保護するための切削防止膜の表面
である。ここで絶縁性基板としては、ガラス基板、石英
基板等が挙げられる。この内、ガラス基板が安価なので
好ましい。なお、誘電体層についてはＡＣ駆動形式の３
電極型面放電ＰＤＰを代表例として下記で説明する。
【００１１】背面側の一方の絶縁性基板上には、前述し
たように所定の間隔で直線状のアドレス電極が複数本形
成される。アドレス電極に使用できる材料は、特に限定
されず公知の電極材料を使用できる。例えば、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体、ＩＴＯ等の
金属酸化物が挙げられる。これらの内、Ａｇ、Ｃｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒの三層構造が好ましい。また、アドレス電極の
厚さは１μｍ〜１．５μｍ、幅は５０〜１００μｍであ
り、ピッチは２００〜４００μｍが好ましい。
たように所定の間隔で直線状のアドレス電極が複数本形
成される。アドレス電極に使用できる材料は、特に限定
されず公知の電極材料を使用できる。例えば、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体、ＩＴＯ等の
金属酸化物が挙げられる。これらの内、Ａｇ、Ｃｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒの三層構造が好ましい。また、アドレス電極の
厚さは１μｍ〜１．５μｍ、幅は５０〜１００μｍであ
り、ピッチは２００〜４００μｍが好ましい。
【００１２】次に、隔壁形成面には所定の深さの粗面が
形成される。ここで所定の深さの粗面とは、表面粗さ４
〜６μｍの凹凸であることが好ましい。ここで、絶縁性
基板の表面に上記表面粗さを付与するためには、例えば
サンドブラスト法等の物理的方法や、エッチング等の化
学的方法が挙げられる。この内、サンドブラスト法で
は、炭酸カルシウム、ガラスビーズ等の大きさ１０〜３
０μｍの粒子を、１．５〜３Ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で
５〜１５分間吹きつけることにより、絶縁性基板上に上
記表面粗さが付与される。また、エッチング法として
は、例えばフッ酸系のエッチャントに１〜１０分間（エ
ッチャントの種類により相違する）浸漬するウエットエ
ッチング法が使用できる。
形成される。ここで所定の深さの粗面とは、表面粗さ４
〜６μｍの凹凸であることが好ましい。ここで、絶縁性
基板の表面に上記表面粗さを付与するためには、例えば
サンドブラスト法等の物理的方法や、エッチング等の化
学的方法が挙げられる。この内、サンドブラスト法で
は、炭酸カルシウム、ガラスビーズ等の大きさ１０〜３
０μｍの粒子を、１．５〜３Ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で
５〜１５分間吹きつけることにより、絶縁性基板上に上
記表面粗さが付与される。また、エッチング法として
は、例えばフッ酸系のエッチャントに１〜１０分間（エ
ッチャントの種類により相違する）浸漬するウエットエ
ッチング法が使用できる。
【００１３】一方、絶縁性基板上に形成される誘電体層
の表面に上記表面粗さの凹凸を付与するには、（１）所
定の温度で誘電体層を形成するか、（２）所定の粒径の
フィラーを混合した後所定の温度で誘電体層を形成する
ことによりなし遂げられる。なお、誘電体層は、１０〜
２０μｍの厚さで塗布され、後に行われる焼成により約
半分の厚さとなる。 （１）所定の温度で誘電体層を形成する場合 誘電体層の形成に使用できる材料は、特に限定されず、
公知の材料を使用できる。例えば低融点ガラス粉末と樹
脂バインダー（エチルセルロース等）からなる低融点ガ
ラスペーストが挙げられる。なお、本発明において低融
点とは、６００℃より低い融点を指す。この低融点ガラ
スペーストを、公知の方法により基板上に塗布し、低融
点ガラス粉末のガラス化温度より１０〜２０℃低い温度
で焼成することにより上記表面粗さの誘電体層が形成さ
れる。低融点ガラス粉末のガラス化温度より１０〜２０
℃低い温度としては、具体的には、５６０〜５７０℃が
挙げられる。ここで５６０℃より低い場合、誘電体層の
内部がポーラスな状態となるため、その断面方向には多
数の貫通孔が開くこととなる。この貫通孔によりパネル
内（放電空間内）に充填された放電ガスが減少し、つま
り貫通孔に放電ガスがリークする所謂スローリークによ
る点灯不良が生じるので好ましくない。５７０℃より高
い場合、表面粗さが減少するので好ましくない。 （２）所定の粒径のフィラーを混合した後所定の温度で
誘電体層を形成する場合この場合、上記低融点ガラスペ
ーストに、更に所定の粒径のフィラーが混合されたペー
ストを公知の方法により基板上に塗布し、焼成すること
により形成される。
の表面に上記表面粗さの凹凸を付与するには、（１）所
定の温度で誘電体層を形成するか、（２）所定の粒径の
フィラーを混合した後所定の温度で誘電体層を形成する
ことによりなし遂げられる。なお、誘電体層は、１０〜
２０μｍの厚さで塗布され、後に行われる焼成により約
半分の厚さとなる。 （１）所定の温度で誘電体層を形成する場合 誘電体層の形成に使用できる材料は、特に限定されず、
公知の材料を使用できる。例えば低融点ガラス粉末と樹
脂バインダー（エチルセルロース等）からなる低融点ガ
ラスペーストが挙げられる。なお、本発明において低融
点とは、６００℃より低い融点を指す。この低融点ガラ
スペーストを、公知の方法により基板上に塗布し、低融
点ガラス粉末のガラス化温度より１０〜２０℃低い温度
で焼成することにより上記表面粗さの誘電体層が形成さ
れる。低融点ガラス粉末のガラス化温度より１０〜２０
℃低い温度としては、具体的には、５６０〜５７０℃が
挙げられる。ここで５６０℃より低い場合、誘電体層の
内部がポーラスな状態となるため、その断面方向には多
数の貫通孔が開くこととなる。この貫通孔によりパネル
内（放電空間内）に充填された放電ガスが減少し、つま
り貫通孔に放電ガスがリークする所謂スローリークによ
る点灯不良が生じるので好ましくない。５７０℃より高
い場合、表面粗さが減少するので好ましくない。 （２）所定の粒径のフィラーを混合した後所定の温度で
誘電体層を形成する場合この場合、上記低融点ガラスペ
ーストに、更に所定の粒径のフィラーが混合されたペー
ストを公知の方法により基板上に塗布し、焼成すること
により形成される。
【００１４】ここでペーストは、 （ａ）中心粒径１．５〜５μｍ（好ましくは１．５〜３
μｍ）であり、粒径１μｍ以下の粒子を除去したフィラ
ーを６〜１８重量％（好ましくは１０〜１５重量％）含
むペースト （ｂ）中心粒径４〜１０μｍ（好ましくは４〜６μｍ）
のフィラーを１０〜３５重量％（好ましくは１５〜２５
重量％）含むペースト を使用することが好ましい。
μｍ）であり、粒径１μｍ以下の粒子を除去したフィラ
ーを６〜１８重量％（好ましくは１０〜１５重量％）含
むペースト （ｂ）中心粒径４〜１０μｍ（好ましくは４〜６μｍ）
のフィラーを１０〜３５重量％（好ましくは１５〜２５
重量％）含むペースト を使用することが好ましい。
【００１５】（ａ）及び（ｂ）のいずれのペーストも、
焼成することによりフィラーが誘電体層の表面に一部露
出して所定の深さ（好ましくは４〜６μｍ）の表面粗さ
を誘電体層に付与することができる。ここで、焼成温度
は５７５〜５９５℃が好ましい。５７５℃より低い場
合、焼成が十分行えないので好ましくない。一方、５９
５℃より高い場合、ブリスター（噴火口状突起）が生
じ、隔壁をその上に形成できず、また所望の膜厚にもで
きないので好ましくない。なお、ペーストは焼成温度が
高い程粘度が低くなり、フィラーを混合した効果を弱め
るので、特に５７５〜５８０℃が好ましい。
焼成することによりフィラーが誘電体層の表面に一部露
出して所定の深さ（好ましくは４〜６μｍ）の表面粗さ
を誘電体層に付与することができる。ここで、焼成温度
は５７５〜５９５℃が好ましい。５７５℃より低い場
合、焼成が十分行えないので好ましくない。一方、５９
５℃より高い場合、ブリスター（噴火口状突起）が生
じ、隔壁をその上に形成できず、また所望の膜厚にもで
きないので好ましくない。なお、ペーストは焼成温度が
高い程粘度が低くなり、フィラーを混合した効果を弱め
るので、特に５７５〜５８０℃が好ましい。
【００１６】上記低融点ガラスペーストは、塗布に適し
た粘度にするために溶媒（ターピネオール等）を加えて
もよい。次に、隔壁が、所定の深さの表面粗さ（好まし
くは４〜６μｍ）の基体上に形成される。４μｍより小
さい又は６μｍより大きい場合、接触面積の増加による
アンカー効果が期待できないので好ましくない。なお、
表面粗さは４．５〜５．５μｍがより好ましい。
た粘度にするために溶媒（ターピネオール等）を加えて
もよい。次に、隔壁が、所定の深さの表面粗さ（好まし
くは４〜６μｍ）の基体上に形成される。４μｍより小
さい又は６μｍより大きい場合、接触面積の増加による
アンカー効果が期待できないので好ましくない。なお、
表面粗さは４．５〜５．５μｍがより好ましい。
【００１７】次に、隔壁形成面上に隔壁材料層を積層
し、隔壁材料層上に隔壁に対応したマスキングパターン
のマスクを積層し、次いでサンドブラスト法により隔壁
材料層を選択的に除去することによりマスク下に隔壁を
形成した後、マスクを除去する。ここで、隔壁材料とし
ては、特に限定されず公知の材料をいずれも使用でき
る。例えば、低融点ガラスと樹脂バインダーとを塗布に
適した粘度になるように溶剤で希釈した低融点ガラスペ
ーストが挙げられる。低融点ガラスペーストに含まれる
樹脂としては、エチルセルロース等のセルロース系樹脂
が挙げられる。隔壁材料層は、１５０〜２５０μｍの厚
さを有することが好ましい。また、その形成方法は、公
知の塗布法をいずれも使用することができる。
し、隔壁材料層上に隔壁に対応したマスキングパターン
のマスクを積層し、次いでサンドブラスト法により隔壁
材料層を選択的に除去することによりマスク下に隔壁を
形成した後、マスクを除去する。ここで、隔壁材料とし
ては、特に限定されず公知の材料をいずれも使用でき
る。例えば、低融点ガラスと樹脂バインダーとを塗布に
適した粘度になるように溶剤で希釈した低融点ガラスペ
ーストが挙げられる。低融点ガラスペーストに含まれる
樹脂としては、エチルセルロース等のセルロース系樹脂
が挙げられる。隔壁材料層は、１５０〜２５０μｍの厚
さを有することが好ましい。また、その形成方法は、公
知の塗布法をいずれも使用することができる。
【００１８】また更に、隔壁材料層は、セルロース系樹
脂を２〜４重量％含有する第１隔壁材料層と、該第１隔
壁材料層上に形成されたセルロース系樹脂を１〜２重量
％含有する第２隔壁材料層からなっていてもよい。第１
隔壁材料層と第２隔壁材料層は、１３：１〜１５：１の
厚さの比を有していることが好ましい。ここで第１隔壁
材料層は焼成時に含まれる樹脂が炭化し、隔壁形成面に
対する密着力を向上させる役割を果たす。一方、第２隔
壁材料層は以下に説明するサンドブラスト法による加工
をより容易にするという役割を果たす。
脂を２〜４重量％含有する第１隔壁材料層と、該第１隔
壁材料層上に形成されたセルロース系樹脂を１〜２重量
％含有する第２隔壁材料層からなっていてもよい。第１
隔壁材料層と第２隔壁材料層は、１３：１〜１５：１の
厚さの比を有していることが好ましい。ここで第１隔壁
材料層は焼成時に含まれる樹脂が炭化し、隔壁形成面に
対する密着力を向上させる役割を果たす。一方、第２隔
壁材料層は以下に説明するサンドブラスト法による加工
をより容易にするという役割を果たす。
【００１９】次に、隔壁材料層上に形成されるマスク
は、例えば、ドライフィルムレジストを隔壁材料層上に
貼り露光及び現像するか、レジスト溶液を塗布し露光及
び現像するか、レジスト溶液をスクリーン印刷等の方法
により塗布することにより形成される。次いで、上記サ
ンドブラスト法により隔壁材料層をマスク下のみ残して
除去する。サンドブラスト法は、炭酸カルシウム、炭化
珪素、ガラスビーズ等の大きさ１０〜３０μｍの粒子
を、１．５〜３Ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で１５〜３０分
間吹きつけることが好ましい。
は、例えば、ドライフィルムレジストを隔壁材料層上に
貼り露光及び現像するか、レジスト溶液を塗布し露光及
び現像するか、レジスト溶液をスクリーン印刷等の方法
により塗布することにより形成される。次いで、上記サ
ンドブラスト法により隔壁材料層をマスク下のみ残して
除去する。サンドブラスト法は、炭酸カルシウム、炭化
珪素、ガラスビーズ等の大きさ１０〜３０μｍの粒子
を、１．５〜３Ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で１５〜３０分
間吹きつけることが好ましい。
【００２０】次いで、マスクを除去（剥離）するが、剥
離用の溶液として例えば炭酸ナトリウム等を０．１〜
１．０重量％含む弱アルカリ性水溶液を用いることが好
ましい。この溶液を使用すれば、従来使用されていた水
酸化ナトリウムと比較して、隔壁と隔壁形成面の剥離を
より防ぐことができる。剥離は、浸漬又はスプレー等の
公知の方法により行うことができる。
離用の溶液として例えば炭酸ナトリウム等を０．１〜
１．０重量％含む弱アルカリ性水溶液を用いることが好
ましい。この溶液を使用すれば、従来使用されていた水
酸化ナトリウムと比較して、隔壁と隔壁形成面の剥離を
より防ぐことができる。剥離は、浸漬又はスプレー等の
公知の方法により行うことができる。
【００２１】この後、隔壁を５６０℃の焼成に付すこと
により、隔壁を有する基板構造体が形成される。なお、
この焼成により隔壁は、１００〜２００μｍ程度の高さ
となる。この発明の隔壁形成方法は、ＰＤＰ（ＡＣ型及
びＤＣ型ＰＤＰを含む）だけではなく、例えば液晶層と
ガス放電層とを積層し、ガス放電層をスイッチング素子
として利用するアクティブマトリクス型液晶表示装置に
も適用することができる。以下では、ＰＤＰの隔壁形成
方法について説明する。
により、隔壁を有する基板構造体が形成される。なお、
この焼成により隔壁は、１００〜２００μｍ程度の高さ
となる。この発明の隔壁形成方法は、ＰＤＰ（ＡＣ型及
びＤＣ型ＰＤＰを含む）だけではなく、例えば液晶層と
ガス放電層とを積層し、ガス放電層をスイッチング素子
として利用するアクティブマトリクス型液晶表示装置に
も適用することができる。以下では、ＰＤＰの隔壁形成
方法について説明する。
【００２２】
【実施例】以下、本発明をＡＣ駆動形式の３電極型面放
電ＰＤＰに適用した実施例に基づいて具体的に説明す
る。まず、この面放電ＰＤＰの概略構造につき図３の斜
視図と図４及び図５の断面図を参照して説明する。
電ＰＤＰに適用した実施例に基づいて具体的に説明す
る。まず、この面放電ＰＤＰの概略構造につき図３の斜
視図と図４及び図５の断面図を参照して説明する。
【００２３】前面側のガラス基板１１の内面に、マトリ
クス表示のラインＬ毎に一対のサスティン電極Ｘ，Ｙ
（素子電極ともいう）が配列されている。サスティン電
極Ｘ，Ｙは、それぞれが透明電極４１と金属電極（バス
電極）４２とからなり、ＡＣ駆動のための誘電体層１７
で被覆されている。誘電体層１７の表面にはＭｇＯから
なる保護膜１８が蒸着されている。
クス表示のラインＬ毎に一対のサスティン電極Ｘ，Ｙ
（素子電極ともいう）が配列されている。サスティン電
極Ｘ，Ｙは、それぞれが透明電極４１と金属電極（バス
電極）４２とからなり、ＡＣ駆動のための誘電体層１７
で被覆されている。誘電体層１７の表面にはＭｇＯから
なる保護膜１８が蒸着されている。
【００２４】一方、背面側のガラス基板２１の内面に
は、アドレス電極Ａ、誘電体層２７、隔壁２９及び３色
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体２８が設けられている。各隔壁
２９は、平面的に見て直線状である。これら隔壁２９に
よって放電空間３０がマトリクス表示のライン方向にサ
ブピクセル毎に区画され、かつ放電空間３０の間隙寸法
が一定値に規定されている。表示の１ピクセル（画素）
は、ライン方向に並ぶ３つのサブピクセルからなる。サ
ブピクセルは、アドレス電極Ａとサスティン電極Ｙとの
交差部に画定されたアドレス用放電セルと、サスティン
電極Ｘ，Ｙ間に画定された表示用放電セルとの組からな
る。このＰＤＰでは、隔壁２９の配置パターンがいわゆ
るストライプパターンであることから、放電空間３０内
の各列に対応した部分は、全てのラインＬに跨がって列
方向に連続している。各列内のサブピクセルの発光色は
同一である。なお図４は図３のＸ−Ｘ線の断面図を、図
５は図３の前面側の基板構造体のＹ−Ｙ線の断面図を示
している。
は、アドレス電極Ａ、誘電体層２７、隔壁２９及び３色
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体２８が設けられている。各隔壁
２９は、平面的に見て直線状である。これら隔壁２９に
よって放電空間３０がマトリクス表示のライン方向にサ
ブピクセル毎に区画され、かつ放電空間３０の間隙寸法
が一定値に規定されている。表示の１ピクセル（画素）
は、ライン方向に並ぶ３つのサブピクセルからなる。サ
ブピクセルは、アドレス電極Ａとサスティン電極Ｙとの
交差部に画定されたアドレス用放電セルと、サスティン
電極Ｘ，Ｙ間に画定された表示用放電セルとの組からな
る。このＰＤＰでは、隔壁２９の配置パターンがいわゆ
るストライプパターンであることから、放電空間３０内
の各列に対応した部分は、全てのラインＬに跨がって列
方向に連続している。各列内のサブピクセルの発光色は
同一である。なお図４は図３のＸ−Ｘ線の断面図を、図
５は図３の前面側の基板構造体のＹ−Ｙ線の断面図を示
している。
【００２５】次に、本発明の背面側基板に設けた隔壁形
成方法について更に詳細に説明する。 実施例１及び比較例１ ガラス基板１上に蒸着法によりＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒをこの
順で１０００Å／１００００Å／２０００Åとなるよう
に堆積させた。次いで、公知のフォトリソグラフィ技術
により、幅７０μｍ、ピッチ１２０μｍのアドレス電極
２を形成した。
成方法について更に詳細に説明する。 実施例１及び比較例１ ガラス基板１上に蒸着法によりＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒをこの
順で１０００Å／１００００Å／２０００Åとなるよう
に堆積させた。次いで、公知のフォトリソグラフィ技術
により、幅７０μｍ、ピッチ１２０μｍのアドレス電極
２を形成した。
【００２６】次に、Ａｌ2 Ｏ3 からなり下記表１に示す
中心粒径、最大粒径及び含有率のフィラー（実施例１で
は粒径１μｍ以下のフィラーを除去している）、低融点
ガラスと樹脂とターピネオールからなる溶剤を含む低融
点ガラスペーストを、厚さ１５μｍで塗布した。続い
て、５７５℃で１０分間焼成することにより誘電体層３
を形成した。ここで図２（ａ）に示すように実施例１で
は誘電体層表面に表面粗さ４〜６μｍの凹凸が、図２
（ｂ）に示すように比較例１では誘電体層表面に２μｍ
以下の凹凸がそれぞれ形成される。またこれらの誘電体
層はガラス化している。
中心粒径、最大粒径及び含有率のフィラー（実施例１で
は粒径１μｍ以下のフィラーを除去している）、低融点
ガラスと樹脂とターピネオールからなる溶剤を含む低融
点ガラスペーストを、厚さ１５μｍで塗布した。続い
て、５７５℃で１０分間焼成することにより誘電体層３
を形成した。ここで図２（ａ）に示すように実施例１で
は誘電体層表面に表面粗さ４〜６μｍの凹凸が、図２
（ｂ）に示すように比較例１では誘電体層表面に２μｍ
以下の凹凸がそれぞれ形成される。またこれらの誘電体
層はガラス化している。
【００２７】次いで、誘電体層３上に低融点ガラスペー
ストを厚さ１８０μｍで塗布し、隔壁材料層４を形成し
た（図１（ａ）参照）。次に、メタクリル酸メチル含有
アクリル系ポリマーをバインダー樹脂とするドライフィ
ルム５を貼布した（図１（ｂ）参照）。次に、ドライフ
ィルムを露光・現像することによりアドレス電極間の隔
壁材料層上にマスク６を形成した（図１（ｃ）参照）。
ストを厚さ１８０μｍで塗布し、隔壁材料層４を形成し
た（図１（ａ）参照）。次に、メタクリル酸メチル含有
アクリル系ポリマーをバインダー樹脂とするドライフィ
ルム５を貼布した（図１（ｂ）参照）。次に、ドライフ
ィルムを露光・現像することによりアドレス電極間の隔
壁材料層上にマスク６を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００２８】次に、１０〜３０μｍの大きさを有する炭
酸カルシウム粒子を、２．２Ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で
２０分間吹きつけること（サンドブラスト法）により、
マスク下以外の隔壁材料層を除去することにより幅７０
μｍ、高さ１８０μｍ及びピッチ２２０μｍの隔壁７を
形成した（図１（ｄ）参照）。続いて、炭酸ナトリウム
を０．５〜２．０重量％含む水溶液を常温で、圧力０．
５〜３．０Ｋｇｆ／ｃｍ2 、３〜８分間スプレーし、次
いで純水を圧力０．５〜３．０Ｋｇｆ／ｃｍ2 、２〜１
２分間スプレーすることにより、マスク６を除去した
（図１（ｅ）参照）。
酸カルシウム粒子を、２．２Ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で
２０分間吹きつけること（サンドブラスト法）により、
マスク下以外の隔壁材料層を除去することにより幅７０
μｍ、高さ１８０μｍ及びピッチ２２０μｍの隔壁７を
形成した（図１（ｄ）参照）。続いて、炭酸ナトリウム
を０．５〜２．０重量％含む水溶液を常温で、圧力０．
５〜３．０Ｋｇｆ／ｃｍ2 、３〜８分間スプレーし、次
いで純水を圧力０．５〜３．０Ｋｇｆ／ｃｍ2 、２〜１
２分間スプレーすることにより、マスク６を除去した
（図１（ｅ）参照）。
【００２９】この後、５６０℃で焼成することにより背
面側の基板構造体８が得られた（図１（ｆ）参照）。結
果を表１に示す。
面側の基板構造体８が得られた（図１（ｆ）参照）。結
果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】表中、ＮＧは隔壁の５〜３０％が剥離した
状態を意味し、ＯＫはほぼ剥離のない状態を意味する
（以下、同一意味）。表１より、表面粗さが４〜６μｍ
の範囲内で効果があることが判った。従って、実施例１
によればマスク剥離時での隔壁の剥離を防止できる。ま
た、対向側の前面側基板構造体との重ね合わせ時での振
動等による隔壁剥離を防止できる。更に、この誘電体層
はガラス化しているので放電ガスのスローリークを防止
できる。
状態を意味し、ＯＫはほぼ剥離のない状態を意味する
（以下、同一意味）。表１より、表面粗さが４〜６μｍ
の範囲内で効果があることが判った。従って、実施例１
によればマスク剥離時での隔壁の剥離を防止できる。ま
た、対向側の前面側基板構造体との重ね合わせ時での振
動等による隔壁剥離を防止できる。更に、この誘電体層
はガラス化しているので放電ガスのスローリークを防止
できる。
【００３２】実施例２〜４、比較例２及び３ この例ではアドレス電極上に誘電体層を形成せず、以下
のように基板の表面に粗面化処理を施した。なお、この
粗面化処理以外は、実施例１と同様である。 （１）１０〜３０μｍの大きさを有する炭酸カルシウム
粒子を、２．２Ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で５〜１５分間
吹きつけること（サンドブラスト法）により、基板表面
を粗面化した（実施例２）。 （２）フッ酸系のエッチャントに１〜１０分間浸漬する
ことにより、基板表面を粗面化した（実施例３及び４、
比較例３）。
のように基板の表面に粗面化処理を施した。なお、この
粗面化処理以外は、実施例１と同様である。 （１）１０〜３０μｍの大きさを有する炭酸カルシウム
粒子を、２．２Ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で５〜１５分間
吹きつけること（サンドブラスト法）により、基板表面
を粗面化した（実施例２）。 （２）フッ酸系のエッチャントに１〜１０分間浸漬する
ことにより、基板表面を粗面化した（実施例３及び４、
比較例３）。
【００３３】なお、未処理の基板を比較のため準備した
（比較例２）。結果を表２に示す。
（比較例２）。結果を表２に示す。
【００３４】
【表２】
【００３５】表２より、基板表面に粗面化処理を行うこ
とで隔壁の剥離が防止できることが判った。
とで隔壁の剥離が防止できることが判った。
【００３６】実施例５及び６、比較例４〜７ フィラーの粒度分布が従来のままの低融点ガラスペース
トを使用し、焼成温度を異ならせた以外は、実施例１と
同様におこなった。結果を表３に示す。
トを使用し、焼成温度を異ならせた以外は、実施例１と
同様におこなった。結果を表３に示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】表３より、焼成温度５６０〜５７０℃の範
囲であれば、誘電体層と隔壁の密着力が改善されること
が判った。
囲であれば、誘電体層と隔壁の密着力が改善されること
が判った。
【００３９】実施例７〜９ 隔壁材料層全体にセルロース樹脂を１〜２重量％含有さ
せる（実施例７）、全体にセルロース樹脂を２〜４重量
％含有させる（実施例８）、高さ１：１３：１の３層と
し最上層及び最下層にセルロース樹脂を２〜４重量％含
有させ、中間層にセルロース樹脂を１〜２重量％含有さ
せる（実施例９）こと以外は、実施例１と同様に行っ
た。
せる（実施例７）、全体にセルロース樹脂を２〜４重量
％含有させる（実施例８）、高さ１：１３：１の３層と
し最上層及び最下層にセルロース樹脂を２〜４重量％含
有させ、中間層にセルロース樹脂を１〜２重量％含有さ
せる（実施例９）こと以外は、実施例１と同様に行っ
た。
【００４０】結果を表４に示す。なお、表４中、加工時
間及び密着強度は実施例７を１とし、それと比較するこ
とにより評価している。また、密着強度は一定の負荷を
隔壁に与えたときに、隔壁が剥がれるまでの時間で評価
している。
間及び密着強度は実施例７を１とし、それと比較するこ
とにより評価している。また、密着強度は一定の負荷を
隔壁に与えたときに、隔壁が剥がれるまでの時間で評価
している。
【００４１】
【表４】
【００４２】表４より、セルロース樹脂の含有量を変化
させることが、効率よく密着強度を改善でき、好ましい
ことが判った。
させることが、効率よく密着強度を改善でき、好ましい
ことが判った。
【００４３】実施例１０〜１５ 表５に示された如きマスクの剥離液を使用すること以外
は、実施例１と同様におこなった。結果を表５に示す。
は、実施例１と同様におこなった。結果を表５に示す。
【００４４】
【表５】
【００４５】表５より剥離液には炭酸ナトリウムの如き
弱アルカリを含む水溶液が好ましく、更にその濃度が
０．１〜１．０重量％の場合が特に好ましいことが判っ
た。
弱アルカリを含む水溶液が好ましく、更にその濃度が
０．１〜１．０重量％の場合が特に好ましいことが判っ
た。
【００４６】実施例１６ 隔壁材料層に含まれるフィラーを、粒径４〜６μｍ及び
１〜２μｍのものをそれぞれ１５〜２５重量％及び３〜
７重量％とし、焼成温度を５７５〜５８０℃にしたこと
以外は実施例１と同様に行った。得られた隔壁は剥離も
なく、また放電ガスのスローリークも発生しなかった。
１〜２μｍのものをそれぞれ１５〜２５重量％及び３〜
７重量％とし、焼成温度を５７５〜５８０℃にしたこと
以外は実施例１と同様に行った。得られた隔壁は剥離も
なく、また放電ガスのスローリークも発生しなかった。
【００４７】比較例８ 隔壁材料層に含まれるフィラーを、粒径１〜２μｍ及び
２〜３μｍのものをそれぞれ５〜１０重量％及び６〜１
０重量％とし、焼成温度を５６０〜５７０℃にしたこと
以外は実施例１と同様に行った。得られた隔壁は３０％
程度剥離していた。
２〜３μｍのものをそれぞれ５〜１０重量％及び６〜１
０重量％とし、焼成温度を５６０〜５７０℃にしたこと
以外は実施例１と同様に行った。得られた隔壁は３０％
程度剥離していた。
【００４８】実施例１７ 実施例１６により形成した背面側基板構造体の隔壁間に
スクリーン印刷法により蛍光体を配設した。一方、前面
側のガラス基板上にサスティン電極（ＩＴＯ、厚さ１０
００Å、幅１８０μｍ、間隔８０μｍ）及びバス電極
（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、厚さ１０００Å／１００００Å／
２０００Å、幅７０μｍ、１つおきの間隔２２０μｍ）
をこの順で積層した後パターニングすることにより形成
した。次いで、全面に低融点ガラスからなる誘電体層を
厚さ２８μｍで積層した。更に、誘電体層上にＭｇＯか
らなる保護膜を厚さ６０００Åで形成することにより前
面側基板構造体を得た。
スクリーン印刷法により蛍光体を配設した。一方、前面
側のガラス基板上にサスティン電極（ＩＴＯ、厚さ１０
００Å、幅１８０μｍ、間隔８０μｍ）及びバス電極
（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、厚さ１０００Å／１００００Å／
２０００Å、幅７０μｍ、１つおきの間隔２２０μｍ）
をこの順で積層した後パターニングすることにより形成
した。次いで、全面に低融点ガラスからなる誘電体層を
厚さ２８μｍで積層した。更に、誘電体層上にＭｇＯか
らなる保護膜を厚さ６０００Åで形成することにより前
面側基板構造体を得た。
【００４９】次いで、背面側基板構造体と前面側基板構
造体を、アドレス電極と、サスティン電極及びバス電極
が直交するように重ね合わせ、周囲を気密封止すること
により図２〜４に示すＰＤＰを製造することができた。
なお、基板間に隔壁により形成された空間には、Ｎｅ
（Ｘｅを４体積％含む）放電ガスで満たし、内部圧力を
５００Ｔｏｒｒとした。
造体を、アドレス電極と、サスティン電極及びバス電極
が直交するように重ね合わせ、周囲を気密封止すること
により図２〜４に示すＰＤＰを製造することができた。
なお、基板間に隔壁により形成された空間には、Ｎｅ
（Ｘｅを４体積％含む）放電ガスで満たし、内部圧力を
５００Ｔｏｒｒとした。
【００５０】このＰＤＰ製造工程中に、隔壁の剥離は全
く発生せず、また完成したＰＤＰの放電ガスのスローリ
ークも全く発生しなかった。
く発生せず、また完成したＰＤＰの放電ガスのスローリ
ークも全く発生しなかった。
【００５１】
【発明の効果】本発明のプラズマディスプレイパネルの
隔壁形成方法によれば、隔壁材料層と基板上の隔壁形成
面（基板表面又は誘電体層表面）との密着力を強化でき
るため、サンドブラスト加工により隔壁を形成した後の
マスク剥離に際して当該隔壁が隔壁形成面から剥離され
ることを防止することができる。
隔壁形成方法によれば、隔壁材料層と基板上の隔壁形成
面（基板表面又は誘電体層表面）との密着力を強化でき
るため、サンドブラスト加工により隔壁を形成した後の
マスク剥離に際して当該隔壁が隔壁形成面から剥離され
ることを防止することができる。
【００５２】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルによれば、隔壁と誘電体層との密着性を強固にできる
ため、パネル組み立て時（基板重ね合わせ時）の外力に
よって隔壁が誘電体層から剥離されることを防止するこ
とができる。
ルによれば、隔壁と誘電体層との密着性を強固にできる
ため、パネル組み立て時（基板重ね合わせ時）の外力に
よって隔壁が誘電体層から剥離されることを防止するこ
とができる。
【図１】本発明のプラズマディスプレイパネルの隔壁形
成方法を示す概略断面工程図である。
成方法を示す概略断面工程図である。
【図２】本発明により形成された隔壁の効果を説明する
ための概略断面図である。
ための概略断面図である。
【図３】本発明に適用されるＡＣ駆動形式の３電極型面
放電ＰＤＰの概略斜視図である。
放電ＰＤＰの概略斜視図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ線の概略断面図である。
【図５】図３の透明電極及びバス電極付近のＹ−Ｙ線概
略断面図である。
略断面図である。
１、１１、２１ ガラス基板 ２、Ａ アドレス電極 ３、２７ 誘電体層 ４ 隔壁材料層 ５ ドライフィルム ６ マスク ７、２９ 隔壁 ８ 背面側基板構造体 １７ 誘電体層 １８ 保護膜 ２８ 蛍光体 ３０ 放電空間 ４１ 透明電極 ４２ バス電極 １００ ＰＤＰ Ｘ、Ｙ サスティン電極
Claims (13)
- 【請求項１】 基板上に放電空間を仕切る隔壁を形成す
るプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法におい
て、 前記基板の隔壁形成面を所定の深さに粗面化し、粗面化
した隔壁形成面に隔壁材料層を積層した後、該隔壁材料
層上に隔壁に対応したマスキングパターンのマスクを設
け、研磨材の吹きつけにより隔壁材料層を部分的に除去
してマスク下に隔壁を形成し、該マスクを除去すること
を特徴とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方
法。 - 【請求項２】 粗面化した隔壁形成面が表面粗さ４〜６
μｍの凹凸面である請求項１記載のプラズマディスプレ
イパネルの隔壁形成方法。 - 【請求項３】 隔壁形成面の凹凸がサンドブラスト法又
はエッチング法により形成される請求項１又は２記載の
プラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。 - 【請求項４】 基板の表面に設けた複数の電極を誘電体
層により被覆し、該誘電体層上に所定パターンの隔壁を
設けたプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法であ
って、 前記誘電体層の表面を所定の深さ粗面化する工程と、粗
面化した誘電体層上に隔壁材料層を積層する工程と、該
隔壁材料層上に隔壁に対応したマスキングパターンのマ
スクを設け、研磨材の吹きつけにより隔壁材料層を部分
的に除去してマスク下に隔壁を形成する工程と、該マス
クを除去する工程とを含んでなることを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。 - 【請求項５】 粗面化した誘電体層表面が表面粗さ４〜
６μｍの凹凸面である請求項４記載のプラズマディスプ
レイパネルの隔壁形成方法。 - 【請求項６】 誘電体層が、低融点ガラス粉末及び樹脂
バインダーからなる低融点ガラスペーストを該低融点ガ
ラス粉末のガラス化温度より１０〜２０℃低い温度で焼
成することにより形成される請求項５記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの隔壁形成方法。 - 【請求項７】 誘電体層が、低融点ガラス粉末、樹脂バ
インダー及び中心粒径１．５〜５μｍ、かつ粒径１μｍ
以下の粒子を除去したフィラーを６〜１８重量％含む低
融点ガラスペーストを焼成することにより形成される請
求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成
方法。 - 【請求項８】 誘電体層が、低融点ガラス粉末、樹脂バ
インダー及び中心粒径４〜１０μｍのフィラーを１０〜
３５重量％含む低融点ガラスペーストを焼成することに
より形成される請求項５記載のプラズマディスプレイパ
ネルの隔壁形成方法。 - 【請求項９】 焼成が、５７５〜５９５℃で行われる請
求項７又は８記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁
形成方法。 - 【請求項１０】 隔壁材料層が、セルロース系樹脂を２
〜４重量％含有する第１隔壁材料層と、該第１隔壁材料
層上に形成されたセルロース系樹脂を１〜２重量％含有
する第２隔壁材料層の少なくとも２層からなる請求項１
〜９いずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの隔
壁形成方法。 - 【請求項１１】 マスクが、弱アルカリ性水溶液により
除去される請求項１〜１０いずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの隔壁形成方法。 - 【請求項１２】 弱アルカリ性水溶液が、炭酸ナトリウ
ムである請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネ
ルの隔壁形成方法。 - 【請求項１３】 基板の表面に設けた複数の電極を誘電
体層により被覆し、該誘電体層上に放電空間を仕切る所
定パターンの隔壁を設けたプラズマディスプレイパネル
において、 前記誘電体層は表面が表面粗さ４〜６μｍの凹凸面に形
成され、前記隔壁は該誘電体層表面に積層した隔壁材料
層を所定隔壁パターンのマスクで覆い該マスクより露出
する隔壁材料層部分をサンドブラスト加工により研削し
て形成された前記基板面に対してほぼ垂直な壁からなる
こと特徴とするプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18240296A JP3209925B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | プラズマディスプレイパネル及びその隔壁形成方法 |
| US08/754,314 US5990617A (en) | 1996-07-11 | 1996-11-21 | Plasma display panel and method of forming barrier ribs for the same |
| KR1019960058156A KR100272741B1 (ko) | 1996-07-11 | 1996-11-27 | 플라즈마 디스플레이 판넬 및 그 격벽형성방법 |
| FR9614571A FR2751127B1 (fr) | 1996-07-11 | 1996-11-28 | Procede de formation de nervures de barrage, et panneau d'affichage a decharge dans un plasma |
| TW085114716A TW382677B (en) | 1996-07-11 | 1996-11-28 | Plasma display panel and method of forming barrier ribs for the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18240296A JP3209925B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | プラズマディスプレイパネル及びその隔壁形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027542A true JPH1027542A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3209925B2 JP3209925B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=16117688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18240296A Expired - Lifetime JP3209925B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | プラズマディスプレイパネル及びその隔壁形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5990617A (ja) |
| JP (1) | JP3209925B2 (ja) |
| KR (1) | KR100272741B1 (ja) |
| FR (1) | FR2751127B1 (ja) |
| TW (1) | TW382677B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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