JP2001110304A - 表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造 - Google Patents
表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造に
関し、隔壁間の溝の底面に形成される電極が断線する原
因とならないように溝の内面、とくに底面を平滑面に近
付けるように加工することを目的とする。 【解決手段】 表示パネルの隔壁形成方法は、基板１の
主面にサンドブラスト法によって複数の溝４を切削し、
これらの溝４の間に残留した突出部５ａからなる隔壁５
を形成する表示パネルの隔壁形成方法であって、前記各
溝４の内面の少なくとも底面を平滑面に近付けるように
加工するように構成する。また、表示パネルの隔壁構造
は、基板１の主面を切削して形成した複数の溝４と、該
複数の溝４の間に残留した突出部５ａからなる隔壁５を
備えるとともに各溝４の底面上に電極を備える表示パネ
ルの隔壁構造であって、前記各溝４の内面の少なくとも
底面は、所定の表面あらさを有して構成する。
関し、隔壁間の溝の底面に形成される電極が断線する原
因とならないように溝の内面、とくに底面を平滑面に近
付けるように加工することを目的とする。 【解決手段】 表示パネルの隔壁形成方法は、基板１の
主面にサンドブラスト法によって複数の溝４を切削し、
これらの溝４の間に残留した突出部５ａからなる隔壁５
を形成する表示パネルの隔壁形成方法であって、前記各
溝４の内面の少なくとも底面を平滑面に近付けるように
加工するように構成する。また、表示パネルの隔壁構造
は、基板１の主面を切削して形成した複数の溝４と、該
複数の溝４の間に残留した突出部５ａからなる隔壁５を
備えるとともに各溝４の底面上に電極を備える表示パネ
ルの隔壁構造であって、前記各溝４の内面の少なくとも
底面は、所定の表面あらさを有して構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示パネルの隔壁
形成方法とその隔壁構造に係り、さらに詳しくは一対の
ガラス基板間の空間を区切る隔壁を備えた例えば、プラ
ズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、プラズマアドレッ
シング液晶表示パネル、フィールドエミッション表示パ
ネル等に関する。
形成方法とその隔壁構造に係り、さらに詳しくは一対の
ガラス基板間の空間を区切る隔壁を備えた例えば、プラ
ズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、プラズマアドレッ
シング液晶表示パネル、フィールドエミッション表示パ
ネル等に関する。
【０００２】中でもＰＤＰは、広視野角をもった薄型表
示パネルとして注目されており、ハイビジョン分野など
への用途拡大に向けて高精細化及び大画面化が進められ
ており、その低コスト化が強く要望されている。
示パネルとして注目されており、ハイビジョン分野など
への用途拡大に向けて高精細化及び大画面化が進められ
ており、その低コスト化が強く要望されている。
【０００３】
【従来の技術】例えばＰＤＰは、一対のガラス基板を互
いに微少間隔に離隔して対向配置し、その周囲を封止す
ることによって内部に放電空間を形成し、この放電空間
を各画素毎に等ピッチの隔壁（リブ）で区切ってマトリ
ックス状の放電セルを形成した自己発光型表示パネルで
ある。
いに微少間隔に離隔して対向配置し、その周囲を封止す
ることによって内部に放電空間を形成し、この放電空間
を各画素毎に等ピッチの隔壁（リブ）で区切ってマトリ
ックス状の放電セルを形成した自己発光型表示パネルで
ある。
【０００４】図６の要部分解斜視図に示すように、３電
極を備えた蛍光体によるカラーＡＣ面放電型ＰＤＰは、
一対の透明なガラス材でなる前面基板２０と背面基板２
１とが微小間隔を空けて対向配置されている。
極を備えた蛍光体によるカラーＡＣ面放電型ＰＤＰは、
一対の透明なガラス材でなる前面基板２０と背面基板２
１とが微小間隔を空けて対向配置されている。
【０００５】一方の前面基板２０には、表示電極２３
（一対のＸ，Ｙサスティン電極２３ａ，２３ｂ）とこの
表示電極２３を覆う誘電体層２４と更にその上に図示し
ない保護膜（ＭｇＯ膜）とが形成され、他方の背面基板
２１には放電空間２２を仕切るため、平面視は直線状の
例えば、高さ１００〜２００μｍ，幅３０〜５０μｍの
隔壁２５が、アドレス電極２６ラインに沿って２００μ
ｍ程度の等間隔に設けられている。
（一対のＸ，Ｙサスティン電極２３ａ，２３ｂ）とこの
表示電極２３を覆う誘電体層２４と更にその上に図示し
ない保護膜（ＭｇＯ膜）とが形成され、他方の背面基板
２１には放電空間２２を仕切るため、平面視は直線状の
例えば、高さ１００〜２００μｍ，幅３０〜５０μｍの
隔壁２５が、アドレス電極２６ラインに沿って２００μ
ｍ程度の等間隔に設けられている。
【０００６】そして、アドレス電極２６は誘電体層２７
で被覆され、さらに各隔壁２５間の溝２５ａの内面に赤
Ｒ，緑Ｇ，青Ｂのそれぞれの色に発光する蛍光体層２８
が形成されている。隔壁２５は、放電の干渉や色のクロ
ストークを防止する。
で被覆され、さらに各隔壁２５間の溝２５ａの内面に赤
Ｒ，緑Ｇ，青Ｂのそれぞれの色に発光する蛍光体層２８
が形成されている。隔壁２５は、放電の干渉や色のクロ
ストークを防止する。
【０００７】背面基板２１と前面基板２０とは、それぞ
れの表示電極２３とアドレス電極２６とが互いに直交す
るように重ねられてその周囲を図示しない封止材により
封着してあり、前面基板２０と背面基板２１との間に形
成された放電空間２２内に図示しない放電ガスが封入さ
れて自己発光型の表示パネル用基板としている。
れの表示電極２３とアドレス電極２６とが互いに直交す
るように重ねられてその周囲を図示しない封止材により
封着してあり、前面基板２０と背面基板２１との間に形
成された放電空間２２内に図示しない放電ガスが封入さ
れて自己発光型の表示パネル用基板としている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、表示パ
ネルの低コスト化を図るため、既に平成１１年８月２日
に出願した特願平１１−２１８７４６において、新しい
隔壁形成方法を出願している。
ネルの低コスト化を図るため、既に平成１１年８月２日
に出願した特願平１１−２１８７４６において、新しい
隔壁形成方法を出願している。
【０００９】この隔壁形成方法は、ＰＤＰの製造工程中
の背面基板の表面に、直接サンドブラスト法によって所
定ピッチの溝を切削することにより隔壁を形成する方法
である。
の背面基板の表面に、直接サンドブラスト法によって所
定ピッチの溝を切削することにより隔壁を形成する方法
である。
【００１０】図７の（ａ）〜（ｃ）図及び図８の（ａ）
〜（ｃ）図は、従来技術の隔壁形成方法及び隔壁間の電
極形成方法を製造工程順に説明する側断面図である。先
ず、図７の（ａ）図において、ガラス基板３１の隔壁形
成側表面（他方のガラス基板との対向面）に隔壁形成部
分を覆う耐切削性マスキングパターン（ドライフィルム
レジスト）３２をフォトリソグラフィ法によりパターニ
ングする。
〜（ｃ）図は、従来技術の隔壁形成方法及び隔壁間の電
極形成方法を製造工程順に説明する側断面図である。先
ず、図７の（ａ）図において、ガラス基板３１の隔壁形
成側表面（他方のガラス基板との対向面）に隔壁形成部
分を覆う耐切削性マスキングパターン（ドライフィルム
レジスト）３２をフォトリソグラフィ法によりパターニ
ングする。
【００１１】同図（ｂ）図において、ガラス基板３１に
サンドブラスト法により微小な研磨剤３３を吹き付け、
マスクされていない部分を切削して溝３４を形成し、溝
３４間に突出部３５ａが残留されて形成される。
サンドブラスト法により微小な研磨剤３３を吹き付け、
マスクされていない部分を切削して溝３４を形成し、溝
３４間に突出部３５ａが残留されて形成される。
【００１２】同図（ｃ）図において、耐切削性マスキン
グパターン３２を剥離液に浸漬して膨潤除去することに
より、各溝３４間に残留した突出部３５ａからなる隔壁
３５を形成する。
グパターン３２を剥離液に浸漬して膨潤除去することに
より、各溝３４間に残留した突出部３５ａからなる隔壁
３５を形成する。
【００１３】図８の（ａ）図において、隔壁３５を形成
したガラス基板３１の全面に金属膜３６ａを成膜する。
同図の（ｂ）図において、溝３４の底部における金属膜
３６ａ上にエッチングレジスト３７をパターンニングす
る。
したガラス基板３１の全面に金属膜３６ａを成膜する。
同図の（ｂ）図において、溝３４の底部における金属膜
３６ａ上にエッチングレジスト３７をパターンニングす
る。
【００１４】同図の（ｃ）図において、金属膜３６ａを
エッチングすることにより、隔壁３５間の溝３４の底部
の（ｂ）図のエッチングレジスト３７でマスクされた部
分の金属膜３６ａが残留し、このエッチングレジスト３
７を除去することによってアドレス電極３６が形成され
る。
エッチングすることにより、隔壁３５間の溝３４の底部
の（ｂ）図のエッチングレジスト３７でマスクされた部
分の金属膜３６ａが残留し、このエッチングレジスト３
７を除去することによってアドレス電極３６が形成され
る。
【００１５】以後の工程は図示を省略しているが、先の
図６に示したように、このアドレス電極を覆って溝の底
面に誘電体層を形成した後、さらに溝の内面及び誘電体
層の表面に蛍光体層を形成することによってＰＤＰの背
面基板を完成している。
図６に示したように、このアドレス電極を覆って溝の底
面に誘電体層を形成した後、さらに溝の内面及び誘電体
層の表面に蛍光体層を形成することによってＰＤＰの背
面基板を完成している。
【００１６】しかしながら、このようにしてガラス基板
に直接、隔壁を形成する場合には、つぎのような問題が
発生することを明らかにした。図９に示すように、サン
ドブラストで切削された溝３４の底面３４−１が荒れて
ピーク・ツー・ピークで±３μｍ程度の凹凸面になって
いるため、図１０に示すように、電極形成用の金属膜３
６ａを成膜すると、金属膜３６ａがその凸凹面に馴染ま
ず、とくに金属膜が薄い場合は、膜厚むらを生じると電
極が断線することがある。
に直接、隔壁を形成する場合には、つぎのような問題が
発生することを明らかにした。図９に示すように、サン
ドブラストで切削された溝３４の底面３４−１が荒れて
ピーク・ツー・ピークで±３μｍ程度の凹凸面になって
いるため、図１０に示すように、電極形成用の金属膜３
６ａを成膜すると、金属膜３６ａがその凸凹面に馴染ま
ず、とくに金属膜が薄い場合は、膜厚むらを生じると電
極が断線することがある。
【００１７】また、図１０に示すように、エッチングレ
ジスト３７によりマスクされた金属膜３６ａをエッチン
グする際、金属膜３６ａの下地、即ち溝３４の底面３４
−１が荒れた凸凹面になっているため、凸凹面へのエッ
チャント（エッチング液）３８の染み込みによりアドレ
ス電極３６となる金属膜３６ａがサイドエッチングされ
易くなり、その後において断線に至ることがある。
ジスト３７によりマスクされた金属膜３６ａをエッチン
グする際、金属膜３６ａの下地、即ち溝３４の底面３４
−１が荒れた凸凹面になっているため、凸凹面へのエッ
チャント（エッチング液）３８の染み込みによりアドレ
ス電極３６となる金属膜３６ａがサイドエッチングされ
易くなり、その後において断線に至ることがある。
【００１８】上記問題点に鑑み、本発明は隔壁間の溝の
底面に形成される電極が断線する原因とならないように
溝の内面、とくに底面を平滑な面に近付けるように加工
する表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造を提供す
ることを目的とする。
底面に形成される電極が断線する原因とならないように
溝の内面、とくに底面を平滑な面に近付けるように加工
する表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造を提供す
ることを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の表示パネルの隔壁形成方法においては、基
板の主面にサンドブラスト法によって複数の溝を切削
し、これらの溝の間に残留した突出部からなる隔壁を形
成する表示パネルの隔壁形成方法であって、前記切削さ
れた各溝の内面の少なくとも底面を平滑面に近付けるよ
うに加工する。
に、本発明の表示パネルの隔壁形成方法においては、基
板の主面にサンドブラスト法によって複数の溝を切削
し、これらの溝の間に残留した突出部からなる隔壁を形
成する表示パネルの隔壁形成方法であって、前記切削さ
れた各溝の内面の少なくとも底面を平滑面に近付けるよ
うに加工する。
【００２０】また、表示パネルの隔壁構造においては、
基板の主面を切削して形成した複数の溝と、該複数の溝
の間に残留した突出部からなる隔壁を備えるとともに各
溝の底面上に電極を備える表示パネルの隔壁構造であっ
て、前記各溝の内面の少なくとも底面は、所定の表面あ
らさを有して構成する。
基板の主面を切削して形成した複数の溝と、該複数の溝
の間に残留した突出部からなる隔壁を備えるとともに各
溝の底面上に電極を備える表示パネルの隔壁構造であっ
て、前記各溝の内面の少なくとも底面は、所定の表面あ
らさを有して構成する。
【００２１】ところで、ガラス材でなる基板にサンドブ
ラスト法により直接溝を切削して隔壁を形成した場合、
切削された溝の内面は切削部材（研磨剤）の衝突により
荒れた凸凹面になっている。
ラスト法により直接溝を切削して隔壁を形成した場合、
切削された溝の内面は切削部材（研磨剤）の衝突により
荒れた凸凹面になっている。
【００２２】この切削された溝の内面の少なくとも底面
に対し、平滑な面に近付けるように平滑化加工（例え
ば、機械的研磨、化学的研磨あるいはガラス部材のコー
ティング処理）を施すことにより、この底面の上に形成
した金属膜にパターンエッチングを施す際に、エッチャ
ントの染み込みによるサイドエッチングが防止され、形
成された電極の断線確率が小さくなって表示パネルの信
頼度を向上できる。
に対し、平滑な面に近付けるように平滑化加工（例え
ば、機械的研磨、化学的研磨あるいはガラス部材のコー
ティング処理）を施すことにより、この底面の上に形成
した金属膜にパターンエッチングを施す際に、エッチャ
ントの染み込みによるサイドエッチングが防止され、形
成された電極の断線確率が小さくなって表示パネルの信
頼度を向上できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施例に基づ
いて本発明の要旨を詳細に説明する。ガラス材でなる基
板（背面基板）は、その主面（前面基板と対向する面で
隔壁形成面）に研磨剤を吹きつけるサンドブラスト法に
よって複数の溝を所定間隔で切削し、これらの溝の間に
残留した突出部からなる隔壁を形成する。なお、ガラス
材としてはソーダガラス、ＰＤ２００（旭ガラス製）、
石英ガラスなどを対象とする。
いて本発明の要旨を詳細に説明する。ガラス材でなる基
板（背面基板）は、その主面（前面基板と対向する面で
隔壁形成面）に研磨剤を吹きつけるサンドブラスト法に
よって複数の溝を所定間隔で切削し、これらの溝の間に
残留した突出部からなる隔壁を形成する。なお、ガラス
材としてはソーダガラス、ＰＤ２００（旭ガラス製）、
石英ガラスなどを対象とする。
【００２４】ガラス基板の切削された各溝の内面は、荒
れた凹凸面（表面あらさ±３μｍ程度）になっているた
め、少なくとも電極（アドレス電極）を形成する底面を
表面あらさ±１μｍ程度の範囲内に仕上げ、平滑な面に
近付けるように加工する。
れた凹凸面（表面あらさ±３μｍ程度）になっているた
め、少なくとも電極（アドレス電極）を形成する底面を
表面あらさ±１μｍ程度の範囲内に仕上げ、平滑な面に
近付けるように加工する。
【００２５】〔第１の実施例〕この第１の実施例は機械
的研磨加工による方法で、図１の（ａ）〜（ｄ）図は、
第１の実施例を製造工程順に示す側断面図である。
的研磨加工による方法で、図１の（ａ）〜（ｄ）図は、
第１の実施例を製造工程順に示す側断面図である。
【００２６】先ず、同図の（ａ）図において、ガラス基
板（背面基板）１の隔壁形成側表面（他方の前面基板と
の対向面）に隔壁形成部分を覆う厚さ３０〜５０μｍの
耐切削性マスキングパターン（ドライフィルムレジス
ト）２をフォトリソグラフィ法によりパターニングす
る。（マスクパターン形成工程）つぎに、同図の（ｂ）
図において、このガラス基板１にサンドブラスト法によ
り粒径が１０〜３０μｍの微小な第１の研磨剤３−１を
吹き付け、マスクされていない部分を直接切削して、複
数の溝４を形成し、これらの溝４の間に残留した突出部
５ａで隔壁５を形成する。（溝切削サンドブラスト工
程）この時点では、図９の図示と同様に、切削された溝
４の表面あらさは荒く、±３μｍ程度になっている。
板（背面基板）１の隔壁形成側表面（他方の前面基板と
の対向面）に隔壁形成部分を覆う厚さ３０〜５０μｍの
耐切削性マスキングパターン（ドライフィルムレジス
ト）２をフォトリソグラフィ法によりパターニングす
る。（マスクパターン形成工程）つぎに、同図の（ｂ）
図において、このガラス基板１にサンドブラスト法によ
り粒径が１０〜３０μｍの微小な第１の研磨剤３−１を
吹き付け、マスクされていない部分を直接切削して、複
数の溝４を形成し、これらの溝４の間に残留した突出部
５ａで隔壁５を形成する。（溝切削サンドブラスト工
程）この時点では、図９の図示と同様に、切削された溝
４の表面あらさは荒く、±３μｍ程度になっている。
【００２７】溝４は、例えば幅１００〜４００μｍ、深
さ１００〜１４０μｍ、ピッチ１５０〜５００μｍであ
る。また、研磨剤３−１としては、例えば平均直径１０
〜２０μｍのアルミナ粒子を用い、サンドブラスト圧は
１．５〜３．０Ｋｇ／ｃｍ2である。
さ１００〜１４０μｍ、ピッチ１５０〜５００μｍであ
る。また、研磨剤３−１としては、例えば平均直径１０
〜２０μｍのアルミナ粒子を用い、サンドブラスト圧は
１．５〜３．０Ｋｇ／ｃｍ2である。
【００２８】そして、同図の（ｃ）図において、この溝
４の荒れた凹凸面を平滑な面に近付けるように加工する
ため、突出部５ａの頂部の耐切削性マスキングパターン
２を除去せずに引続きマスクとして利用し、再度、微細
な粒径の切削部材である研磨剤でサンドブラストを施
す。溝４の内面、とくに底面を、以後の工程で電極を形
成する関係上、平滑な面に近付けるように、表面あらさ
を±１μｍの範囲内に研磨加工する。（溝面平滑化サン
ドブラスト工程） この研磨剤は、先の溝切削サンドブラスト工程で用いた
第１の研磨剤３−１よりも粒径の微細なアルミナ粒子で
なる第２の研磨剤３−２を用い、サンドブラスト圧は
１．５〜３．０Ｋｇ／ｃｍ2 とする。
４の荒れた凹凸面を平滑な面に近付けるように加工する
ため、突出部５ａの頂部の耐切削性マスキングパターン
２を除去せずに引続きマスクとして利用し、再度、微細
な粒径の切削部材である研磨剤でサンドブラストを施
す。溝４の内面、とくに底面を、以後の工程で電極を形
成する関係上、平滑な面に近付けるように、表面あらさ
を±１μｍの範囲内に研磨加工する。（溝面平滑化サン
ドブラスト工程） この研磨剤は、先の溝切削サンドブラスト工程で用いた
第１の研磨剤３−１よりも粒径の微細なアルミナ粒子で
なる第２の研磨剤３−２を用い、サンドブラスト圧は
１．５〜３．０Ｋｇ／ｃｍ2 とする。
【００２９】つぎに、同図の（ｄ）図において、突出部
５ａの頂部に残る耐切削性マスキングパターン２を剥離
液に浸漬して膨潤除去する。（マスク剥離工程） 以後の工程は図示を省略するが、従来と同様の工程で隔
壁を形成した基板全面に電極形成用の金属膜を成膜し、
溝の底部における金属膜上にエッチングレジストをパタ
ーンニングする。
５ａの頂部に残る耐切削性マスキングパターン２を剥離
液に浸漬して膨潤除去する。（マスク剥離工程） 以後の工程は図示を省略するが、従来と同様の工程で隔
壁を形成した基板全面に電極形成用の金属膜を成膜し、
溝の底部における金属膜上にエッチングレジストをパタ
ーンニングする。
【００３０】そして、これをエッチングして溝の底部に
電極（アドレス電極）を形成し、この電極を覆って溝の
底面に誘電体層を形成し、さらに誘電体層を覆って溝の
内面に蛍光体層を形成することで背面基板を完成する。
電極（アドレス電極）を形成し、この電極を覆って溝の
底面に誘電体層を形成し、さらに誘電体層を覆って溝の
内面に蛍光体層を形成することで背面基板を完成する。
【００３１】〔第２の実施例〕この第２の実施例は、第
１の実施例のように溝の荒れた凹凸面を平滑な面に近付
けるのに、さらに微細な粒径の研磨剤でサンドブラスト
を施す溝面平滑化サンドブラスト工程を経るのでなく、
化学研磨を施して平滑な面に近付ける。
１の実施例のように溝の荒れた凹凸面を平滑な面に近付
けるのに、さらに微細な粒径の研磨剤でサンドブラスト
を施す溝面平滑化サンドブラスト工程を経るのでなく、
化学研磨を施して平滑な面に近付ける。
【００３２】即ち、この化学研磨方法は図示を省略して
いるが、先ず第１の実施例の溝切削サンドブラスト工程
を経て得られるガラス基板の溝の頂部に残る耐切削性マ
スキングパターンを剥離液に浸漬して膨潤除去し、つぎ
に、そのガラス基板を弗酸（ＨＦ）１０％と硫酸（Ｈ2
ＳＯ4 ）６０％の水溶剥離液などに浸漬し、溝面におけ
る凹凸したガラス尖端をエッチングすることにより、溝
の荒れた凹凸面を平滑な面に近付けるように化学研磨す
る。（溝面平滑化化学研磨工程） 以後の工程は、第１の実施例と同様の工程で背面基板を
完成する。
いるが、先ず第１の実施例の溝切削サンドブラスト工程
を経て得られるガラス基板の溝の頂部に残る耐切削性マ
スキングパターンを剥離液に浸漬して膨潤除去し、つぎ
に、そのガラス基板を弗酸（ＨＦ）１０％と硫酸（Ｈ2
ＳＯ4 ）６０％の水溶剥離液などに浸漬し、溝面におけ
る凹凸したガラス尖端をエッチングすることにより、溝
の荒れた凹凸面を平滑な面に近付けるように化学研磨す
る。（溝面平滑化化学研磨工程） 以後の工程は、第１の実施例と同様の工程で背面基板を
完成する。
【００３３】〔第３の実施例〕この第３の実施例では、
第１の実施例の溝切削サンドブラスト工程を経て得られ
るガラス基板１につぎの加工を施す。
第１の実施例の溝切削サンドブラスト工程を経て得られ
るガラス基板１につぎの加工を施す。
【００３４】図２の（ａ）〜（ｃ）図は、第３の実施例
を製造工程順に示す側断面図である。先ず、同図の
（ａ）図において、突出部５ａの頂部に残る耐切削性マ
スキングパターン２を剥離液に浸漬して膨潤除去する。
この時点では、図９の図示と同様に、溝４の底面は荒れ
た凹凸面になっている。（マスク剥離工程） つぎに、同図の（ｂ）図において、溝４の底面に印刷法
により研磨剤入りスラリー６（微細な研磨剤を水に混合
したもの）を塗布する。（研磨剤塗布工程） そして、同図の（ｃ）図において、発泡ウレタンゴムな
どからなり、溝４に嵌まる形状の凸部７ａを有した型パ
ッド７をガラス基板１に押し当てて溝４に沿って往復摺
動させて研磨し、溝４の少なくとも底面の荒れた凹凸面
を平滑な面に近付けるように研磨加工する。（溝面平滑
化研磨工程） なお、型パッド７は、ガラス基板１に対し均一に押圧力
を加えるため、剛性のある第１の押さえ板８に貼り付け
て使用する。
を製造工程順に示す側断面図である。先ず、同図の
（ａ）図において、突出部５ａの頂部に残る耐切削性マ
スキングパターン２を剥離液に浸漬して膨潤除去する。
この時点では、図９の図示と同様に、溝４の底面は荒れ
た凹凸面になっている。（マスク剥離工程） つぎに、同図の（ｂ）図において、溝４の底面に印刷法
により研磨剤入りスラリー６（微細な研磨剤を水に混合
したもの）を塗布する。（研磨剤塗布工程） そして、同図の（ｃ）図において、発泡ウレタンゴムな
どからなり、溝４に嵌まる形状の凸部７ａを有した型パ
ッド７をガラス基板１に押し当てて溝４に沿って往復摺
動させて研磨し、溝４の少なくとも底面の荒れた凹凸面
を平滑な面に近付けるように研磨加工する。（溝面平滑
化研磨工程） なお、型パッド７は、ガラス基板１に対し均一に押圧力
を加えるため、剛性のある第１の押さえ板８に貼り付け
て使用する。
【００３５】以後の工程は、第１の実施例と同様の工程
で背面基板を完成する。 〔第４の実施例〕この第４の実施例では、図４の単体斜
視図に示すように、別工程において、溝の底面を平滑な
面に近付けるのに第３の実施例で用いた研磨剤入りスラ
リー６を付着した平パッド９を用意する。
で背面基板を完成する。 〔第４の実施例〕この第４の実施例では、図４の単体斜
視図に示すように、別工程において、溝の底面を平滑な
面に近付けるのに第３の実施例で用いた研磨剤入りスラ
リー６を付着した平パッド９を用意する。
【００３６】この平パッド９は、柔軟な材料を用い、そ
の片面上に印刷法により研磨剤入りスラリー６を溝４と
同じパターンで印刷して研磨剤パターンを形成したもの
である。
の片面上に印刷法により研磨剤入りスラリー６を溝４と
同じパターンで印刷して研磨剤パターンを形成したもの
である。
【００３７】そして、この第４の実施例では、第１の実
施例の溝切削サンドブラスト工程を経て得られるガラス
基板に図３に示すつぎの加工を施す。先ず、図３の
（ａ）図において、突出部５ａの頂部に残る耐切削性マ
スキングパターン２を剥離液に浸漬して膨潤除去する。
この時点では、図９の図示と同様に、溝４の底面は荒れ
た凹凸面になっている。（マスク剥離工程） つぎに、同図の（ｂ）図において、このガラス基板１上
に平パッド９を研磨剤入りスラリー６のパターンと溝４
のパターンとを一致させて置く。
施例の溝切削サンドブラスト工程を経て得られるガラス
基板に図３に示すつぎの加工を施す。先ず、図３の
（ａ）図において、突出部５ａの頂部に残る耐切削性マ
スキングパターン２を剥離液に浸漬して膨潤除去する。
この時点では、図９の図示と同様に、溝４の底面は荒れ
た凹凸面になっている。（マスク剥離工程） つぎに、同図の（ｂ）図において、このガラス基板１上
に平パッド９を研磨剤入りスラリー６のパターンと溝４
のパターンとを一致させて置く。
【００３８】そして、均一な押圧力を加えるため、第２
の押さえ板１１で平パッド９を押し付ける。第２の押さ
え板１１の押圧側の表面には、溝４のパターンに一致さ
せた凸部１１ａが設けてあり、平パッド９を溝４内に押
し込んで研磨剤入りスラリー６を溝４の底面に押し付
け、溝４に沿って往復摺動させて研磨することにより、
溝４の少なくとも底面の荒れた凹凸面を平滑な面に近付
けるように研磨する。（溝面平滑化研磨工程） 以後の工程は、第１の実施例と同様の工程で背面基板を
完成する。
の押さえ板１１で平パッド９を押し付ける。第２の押さ
え板１１の押圧側の表面には、溝４のパターンに一致さ
せた凸部１１ａが設けてあり、平パッド９を溝４内に押
し込んで研磨剤入りスラリー６を溝４の底面に押し付
け、溝４に沿って往復摺動させて研磨することにより、
溝４の少なくとも底面の荒れた凹凸面を平滑な面に近付
けるように研磨する。（溝面平滑化研磨工程） 以後の工程は、第１の実施例と同様の工程で背面基板を
完成する。
【００３９】〔第５の実施例〕この第５の実施例では、
溝の底面を平滑な面に近付けるのにガラス層をコーティ
ングする。
溝の底面を平滑な面に近付けるのにガラス層をコーティ
ングする。
【００４０】図５の（ａ）〜（ｃ）図は、第５の実施例
を製造工程順に示す側断面図である。この第５の実施例
では、第１の実施例の溝切削サンドブラスト工程を経て
得られるガラス基板につぎの加工を施す。
を製造工程順に示す側断面図である。この第５の実施例
では、第１の実施例の溝切削サンドブラスト工程を経て
得られるガラス基板につぎの加工を施す。
【００４１】先ず、図５の（ａ）図において、突出部５
ａの頂部に残る耐切削性マスキングパターン２を剥離液
に浸漬して膨潤除去する。この時点では、図９の図示と
同様ように、溝４の底面は荒れた凹凸面になっている。
（マスク剥離工程） つぎに、同図の（ｂ）図において、印刷法などにより溝
４の底面に低融点ガラスペースト１２ａを塗布し乾燥す
る。（低融点ガラスペースト塗布工程） つぎに、同図の（ｃ）図において、このガラス基板１を
加熱・焼成することにより低融点ガラスペースト１２ａ
が軟化変形し、冷却されると表面の滑らかなガラス層１
２になって溝４の少なくとも底面がコーティングされ
る。（溝面平滑化コーティング工程） あるいは、図示を省略するが、ゾルゲル法により溝面を
ガラス材でコーティングする方法がある。例えば、テト
ラエトキシシラン〔Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5)〕と塩酸（ＨＣ
ｌ）とアルコール（例えば、エタノール）と水とを混合
した溶液中にガラス基板を浸漬し、引き上げたガラス基
板をスピニング法により余分な溶液を振り落とす。
ａの頂部に残る耐切削性マスキングパターン２を剥離液
に浸漬して膨潤除去する。この時点では、図９の図示と
同様ように、溝４の底面は荒れた凹凸面になっている。
（マスク剥離工程） つぎに、同図の（ｂ）図において、印刷法などにより溝
４の底面に低融点ガラスペースト１２ａを塗布し乾燥す
る。（低融点ガラスペースト塗布工程） つぎに、同図の（ｃ）図において、このガラス基板１を
加熱・焼成することにより低融点ガラスペースト１２ａ
が軟化変形し、冷却されると表面の滑らかなガラス層１
２になって溝４の少なくとも底面がコーティングされ
る。（溝面平滑化コーティング工程） あるいは、図示を省略するが、ゾルゲル法により溝面を
ガラス材でコーティングする方法がある。例えば、テト
ラエトキシシラン〔Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5)〕と塩酸（ＨＣ
ｌ）とアルコール（例えば、エタノール）と水とを混合
した溶液中にガラス基板を浸漬し、引き上げたガラス基
板をスピニング法により余分な溶液を振り落とす。
【００４２】このガラス基板を水平に保持すると、溝の
内面に付着した前記溶液が溝の底面に沿って薄い膜を形
成する。このガラス基板を加熱・焼成することで溝の底
面が表面の滑らかなガラス層でコーティングされる。
内面に付着した前記溶液が溝の底面に沿って薄い膜を形
成する。このガラス基板を加熱・焼成することで溝の底
面が表面の滑らかなガラス層でコーティングされる。
【００４３】なお、このガラス層は、以後に形成される
上層の誘電体層などの焼成温度より高い融点を有するも
のを用いる必要がある。以後の工程は、第１の実施例と
同様の工程を経て背面基板を完成する。
上層の誘電体層などの焼成温度より高い融点を有するも
のを用いる必要がある。以後の工程は、第１の実施例と
同様の工程を経て背面基板を完成する。
【００４４】上述のように、従来において、ガラス基板
にサンドブラスト法により直接溝を切削して隔壁を形成
した場合、切削された溝の内面は研磨剤の衝突により荒
れた凸凹面になっている。
にサンドブラスト法により直接溝を切削して隔壁を形成
した場合、切削された溝の内面は研磨剤の衝突により荒
れた凸凹面になっている。
【００４５】この溝の内面の少なくとも底面に対して更
に溝面平滑化加工、即ち機械的研磨、化学的研磨あるい
はガラス部材のコーティング処理を施すことにより、溝
の凸凹に荒れた内面、とくに底面が平滑な面に近付けて
仕上げられるため、この平滑な底面に電極形成用の金属
膜を成膜したとき、むらなく均一な厚さに成膜すること
ができる。
に溝面平滑化加工、即ち機械的研磨、化学的研磨あるい
はガラス部材のコーティング処理を施すことにより、溝
の凸凹に荒れた内面、とくに底面が平滑な面に近付けて
仕上げられるため、この平滑な底面に電極形成用の金属
膜を成膜したとき、むらなく均一な厚さに成膜すること
ができる。
【００４６】また、金属膜の下地を平滑な面に近付けて
いるため、金属膜のパターンエッチングの際にエッチャ
ントの染み込みにより電極（アドレス電極）がサイドエ
ッチングされにくくなって、これらの原因によりその後
に電極が断線する確率を小さくできる。
いるため、金属膜のパターンエッチングの際にエッチャ
ントの染み込みにより電極（アドレス電極）がサイドエ
ッチングされにくくなって、これらの原因によりその後
に電極が断線する確率を小さくできる。
【００４７】なお、本発明は上記実施例に限らず、隔壁
を形成する各溝の内面の少なくとも底面の表面あらさを
±１μｍの範囲内の平滑な面とするその他の平滑化の加
工方法によっても上記実施例と同様の作用、効果を奏す
る。
を形成する各溝の内面の少なくとも底面の表面あらさを
±１μｍの範囲内の平滑な面とするその他の平滑化の加
工方法によっても上記実施例と同様の作用、効果を奏す
る。
【００４８】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明によれば、
サンドブラストにより切削された溝の底部の荒れた凸凹
面を平滑な面に近付けることにより、そこに形成される
電極が断線しにくくなり、表示パネルの信頼性を向上で
きるといった産業上極めて有用な効果を発揮する。
サンドブラストにより切削された溝の底部の荒れた凸凹
面を平滑な面に近付けることにより、そこに形成される
電極が断線しにくくなり、表示パネルの信頼性を向上で
きるといった産業上極めて有用な効果を発揮する。
【図１】 本発明による第１の実施例を製造工程順に示
す側断面図
す側断面図
【図２】 本発明による第３の実施例を製造工程順に示
す側断面図
す側断面図
【図３】 本発明による第４の実施例を示す側断面図
【図４】 図３で用いる平パッドの単体斜視図
【図５】 本発明による第５の実施例を製造工程順に示
す側断面図
す側断面図
【図６】 従来技術によるＰＤＰの要部分解斜視図
【図７】 従来技術による隔壁形成方法及び隔壁間の電
極形成方法を製造工程順に示す側断面図
極形成方法を製造工程順に示す側断面図
【図８】 図７に続く製造工程を順に示す側断面図
【図９】 図７の切削された溝の凹凸に荒れた底面を示
す要部拡大図
す要部拡大図
【図１０】 図９の凹凸に荒れた底面にパターニングし
たエッチングレジストを示す要部拡大図
たエッチングレジストを示す要部拡大図
１：ガラス基板 ２：耐切削性マスキングパターン（ドライフィルムレジ
スト） ３−１：微小な第１の研磨剤 ３−２：微細な第２の研磨剤 ４：溝 ５：隔壁（リブ） ５ａ：突出部 ６：研磨剤入りスラリー ７：型パッド ７ａ：凸部 ８：第１の押さえ板 ９：平パッド １０：研磨剤パターン １０ａ：研磨剤 １１：第２の押さえ板 １１ａ：凸部 １２：ガラス層 １２ａ：低融点ガラスペースト
スト） ３−１：微小な第１の研磨剤 ３−２：微細な第２の研磨剤 ４：溝 ５：隔壁（リブ） ５ａ：突出部 ６：研磨剤入りスラリー ７：型パッド ７ａ：凸部 ８：第１の押さえ板 ９：平パッド １０：研磨剤パターン １０ａ：研磨剤 １１：第２の押さえ板 １１ａ：凸部 １２：ガラス層 １２ａ：低融点ガラスペースト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C027 AA09 5C040 GA03 GC19 GF02 GF08 GF19 JA02 JA17 JA21 KA07 MA23 5C094 AA32 AA43 BA31 BA32 BA34 CA19 DA13 EA04 EC03 EC04 FA04 FB02 FB15 GB10
Claims (6)
- 【請求項１】 基板の主面にサンドブラスト法によっ
て複数の溝を切削し、これらの溝の間に残留した突出部
からなる隔壁を形成した後、前記溝の底部が電極形成部
として使用される表示パネルの隔壁形成方法であって、 前記各溝の内面の少なくとも底面を平滑面に近付けるよ
うに加工することを特徴とするガス表示パネルの隔壁形
成方法。 - 【請求項２】 前記加工は、前記溝の切削加工に用い
た切削部材より小さな粒径の切削部材を当該溝に吹きつ
けることを特徴とする請求項１記載の表示パネルの隔壁
形成方法。 - 【請求項３】 前記加工は、前記溝の切削加工に用い
た切削部材より小さな粒径の切削部材を含んだ水を当該
溝に吹きつけることを特徴とする請求項１記載の表示パ
ネルの隔壁形成方法。 - 【請求項４】 前記加工は、前記溝の切削加工に用い
た切削部材より小さな粒径の切削部材を前記溝の少なく
とも底面に押し付けて摺動することを特徴とする請求項
１記載の表示パネルの隔壁形成方法。 - 【請求項５】 前記加工は、前記各溝の少なくとも底
面に低融点ガラス部材を塗布した後に焼成し、当該底面
にガラス層をコートすることを特徴とする請求項１記載
の表示パネルの隔壁形成方法。 - 【請求項６】 基板の主面を切削して形成した複数の
溝と、該複数の溝の間に残留した突出部からなる隔壁を
備えるとともに各溝の底面上に電極を備える表示パネル
の隔壁構造であって、 前記各溝の内面の少なくとも底面は、所定の表面あらさ
を有していることを特徴とする表示パネルの隔壁構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28421199A JP2001110304A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28421199A JP2001110304A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110304A true JP2001110304A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17675612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28421199A Pending JP2001110304A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7473151B2 (en) | 2002-08-26 | 2009-01-06 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a substrate for a flat panel display including forming grooves in a surface |
| CN111834182A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-10-27 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种半导体电极材料的加工方法 |
-
1999
- 1999-10-05 JP JP28421199A patent/JP2001110304A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7473151B2 (en) | 2002-08-26 | 2009-01-06 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a substrate for a flat panel display including forming grooves in a surface |
| CN111834182A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-10-27 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种半导体电极材料的加工方法 |
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|
| A711 | Notification of change in applicant |
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