KR100312650B1 - 플라즈마디스플레이패널의전극형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 양질의 전극 패턴을 얻을 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법은, 수 개의 투명전극들이 소정 간격 이격되어 형성된 전면기판을 제공하는 단계; 상기 전면기판 상에 상기 투명전극들을 덮도록 제1감광막을 도포하는 단계; 상기 제1감광막을 배면 노광하고, 노광된 제1감광막을 현상하여, 버스 전극 형성 영역을 노출시키는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴을 덮도록, 전체 상부에 제1 및 제2전극용 페이스트를 연속해서 인쇄하는 단계; 상기 제2전극용 페이스트 상에 제2감광막을 도포하는 단계; 상기 제2감광막을 전면 노광하고, 노광된 제2감광막을 현상하여, 상기 제1감광막 패턴 상부의 제2전극용 페이스트 부분을 노출시키는 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 제2전극용 페이스트 부분과 그 하부의 제1전극용 페이스트 부분을 샌드 블라스트 공정으로 식각하여, 버스 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 및 제1감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 양질의 전극을 형성하면서도 기판 및 투명전극의 손상을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법에 관한 것이다.

평판 디스플레이 장치의 하나인 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하, PDP)은 독립적으로 방전시킬 수 있는 방전셀의 배열로 구성되며, 외부로부터 인가된 전기적신호에 따라 각 방전셀들을 독립적으로 방전시켜 소정의 영상을 재현한다.

이러한, PDP는 전체적인 두께를 1cm 이하로 제작할 수 있기 때문에 전자총을 사용하는 브라운관 디스플레이 장치에 비해 그 두께 및 무게를 현저하게 감소시킬 수 있고, 또한, 액정표시소자에 비해 넓은 시야각을 갖으며, 대화면 디스플레이 장치의 제작이 용이한 장점을 가지고 있다.

도 1은 종래의 교류형 PDP를 도시한 도면으로, 도시된 바와 같이, 교류형 PDP는 어드레스전극(2)이 구비된 배면기판(1)과 방전유지전극(7)이 구비된 전면기판(6)이 서로 마주보도록 합착되고, 기판들(1, 6) 사이의 방전공간에는 아르곤(Ar), 네온(Ne) 또는 크세논(Xe)과 같은 방전가스(10)가 봉입되어 있는 구조이다.

여기서, 배면기판(1) 상에는 어드레스전극(2)과 이를 피복하는 제1유전체층(3)이 형성되어 있으며, 상기 제1유전체층(3) 상에는 독립적인 방전공간을 한정함과 아울러 이웃하는 방전공간들간의 크로스토크(Crosstalk)를 방지하는 격벽들(Barrier Rib : 4)이 형성되어 있고, 격벽들(4) 사이에는 형광체층(5)이 형성되어 있다.

그리고, 전면기판(6) 상에는 투명전극(7a)과 버스전극(7b)으로 이루어진 방전유지전극들(7)이 하나의 방전공간 마다 두 개씩 배치되게 형성되어 있으며, 상기 방전유지전극들(7)이 덮혀지도록 기판(6) 전면에는 제2유전체층(8)이 형성되어 있고, 그 상부에는 MgO와 같은 물질로된 보호막(9)이 형성되어 있다.

한편, 상기한 PDP는 통상 인쇄법을 이용하여 전극들을 형성하게 되는데, 이 경우에는 인쇄 공정을 반복적으로 실시해야 하기 때문에 정렬이 어렵다는 단점이 있으며, 아울러, 인쇄 페이스트가 갖는 흐름성으로 인하여 전극의 고정세화를 얻기가 어렵다는 단점이 있다.

따라서, 최근에는 인쇄법 대신에 샌드 블라스트(Sand Blast)법, 또는, 리프트-오프(Lift-Off)법을 이용하여 전극 패턴을 형성하고 있다.

그러나, 샌드 블라스트법은 식각 대상물에 연마재를 분사시켜 패턴을 형성하는 방식으로므로, 전극의 고정세화를 얻을 수 있지만, 연마재 분사로 인하여 유리기판 또는 투명전극이 손상되는 문제점이 있고, 또한, 전극의 하부 부분이 절삭되는 문제점이 있었다.

또한, 리프트 오프법은 샌드 블라스트법과 마찬가지로 전극의 고정세화를 얻을 수 있다는 장점은 있지만, 감광막 패턴의 박리시에 전극이 함께 떨어져나가는 문제점이 있고, 아울러, 감광막 패턴의 상부에 전극용 페이스트가 잔류될 경우에는 상기 감광막 패턴의 박리가 어렵다는 문제점이 있었다.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 샌드 블라스트법과 리프트 오프법을 혼용하여 사용함으로써 양질의 전극을 형성하면서도 기판 및 투명전극의 손상을 방지할 수 있는 PDP의 전극 형성방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 교류형 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 단면도.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일실시예에 따른 버스전극 형성방법을 설명하기 위한 일련의 공정 단면도.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 어드레스전극 형성방법을 설명하기 위한 일련의 공정 단면도.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)

20 : 전면기판 22 : 투명전극

24 : 제1감광막 25,42 : 제1감광막 패턴

26,44 : 제1전극용 페이스트 28,46 : 제2전극용 페이스트

30 : 제2감광막 31,48 : 제2감광막 패턴

32 : 버스전극 40 : 배면기판

50 : 어드레스전극 100,200 : 포토 마스크

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 PDP의 전극 형성방법은, 수 개의 투명전극들이 소정 간격 이격되어 형성된 전면기판을 제공하는 단계; 상기 전면기판 상에 상기 투명전극들을 덮도록 제1감광막을 도포하는 단계; 상기 제1감광막을 배면 노광하고, 노광된 제1감광막을 현상하여, 버스 전극 형성 영역을 노출시키는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴이 덮도록 전체 상부에 제1 및 제2전극용 페이스트를 연속해서 인쇄하는 단계; 상기 제2전극용 페이스트 상에 제2감광막을 도포하는 단계; 상기 제2감광막을 전면 노광하고, 노광된 제2감광막을 현상하여, 상기 제1감광막 패턴의 상부의 제2전극용 페이스트 부분을 노출시키는 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 제2전극용 페이스트 부분과 그 하부의 제1전극용 페이스트 부분을 샌드 블라스트 공정으로 식각하여 버스전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 및 제1감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일실시예에 따른 PDP의 전극 형성방법은, 배면기판 상에 제1감광막을 도포하는 단계; 상기 제1감광막을 배면 노광하고, 노광된 제1감광막을 현상하여 어드레스 전극 형성 영역을 노출시키는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴이 덮도록, 전체 상부에 제1 및 제2전극용 페이스트를 연속해서 인쇄하는 단계; 상기 제2전극용 페이스트 상에 제2감광막을 도포하는 단계; 상기 제2감광막을 전면 노광하고, 노광된 제2감광막을 현상하여 상기 제1감광막 패턴들 상부의 제2전극용 페이스트 부분을 노출시키는 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 제2전극용 페이스트 부분과 그 하부의 제1전극용 페이스트 부분을 샌드 블라스트 공정으로 제거하여, 어드레스전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 및 제1감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따르면, 샌드 블라스트법과 리프트 오프법을 혼용하여 사용함으로써, 버스전극 및 어드레스전극의 형성시에 기판 및 전극의 손상을 방지할 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일실시예에 따른 버스전극 형성방법을 설명하기 위한 일련의 공정 단면도이다.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 전면기판(20) 상에 공지의 방법으로 소정 간격 이격되게 투명전극들(22)을 형성하고, 상기 투명전극들(22)이 형성된 전면기판(20) 상에 제1감광막(24)을 도포한다. 이때, 제1감광막(24)은 포지티브 타입(Positive Type)인 것을 사용하며, 그 두께는 10 내지 30㎛ 정도로 한다.

그런 다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 포토 마스크(100)를 전면기판(20)의 하부면에 배치시킨 상태에서 제1감광막(24)에 대한 배면 노광을 실시하고, 이어서, 현상 공정을 실시하여 투명전극(22)의 소정 부분을 노출시키는 제1감광막 패턴(25)을 형성한다.

다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이, 투명전극(22) 및 제1감광막 패턴(25)이 덮혀지도록 전체 상부에 제1전극용 페이스트(26)를 인쇄하고, 이어서, 상기 제1전극용 페이스트 상에 제2전극용 페이스트(28)를 인쇄한 후, 상기 제2전극용 페이스트 상에 네가티브 타입(Negative Type)의 제2감광막(30)을 도포한다. 이때, 인쇄법 대신에 플레이트 코터(Plate Coater) 또는 블래이드 코터(Blade Coater) 등과 같은 코터를 이용하여 제1 및 제2전극용 페이스트를 형성할 수도 있다.

상기에서, 제1 및 제2전극용 페이스트(26, 28)는 각각 15 내지 20㎛ 정도의 두께로 인쇄하며, 특히, 제1전극용 페이스트(26)는 투명전극(22) 및 전면기판(20)과 밀착성이 우수하게 되도록 바인더(Binder)가 다량으로 첨가된 페이스트를 사용하며, 제2전극용 페이스트(28)는 비교적 바인더량이 적은 페이스트를 사용하여 미세 패턴의 형성이 용이하게 되도록 한다.

또한, 제2감광막(30)은 제2전극용 페이스트(28)와의 밀착성이 우수한 특성을 갖는 재료를 사용하여 후속의 샌드 블라스트 공정시에 감광막 패턴이 떨어져나가지 않도록 한다.

계속해서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 제1감광막 패턴의 형성시에 사용된 포토 마스크(100)를 제2감광막의 상부에 배치시킨 상태에서, 전면 노광 공정을 실시하고, 이어서, 노광 공정이 실시된 제2감광막에 대한 현상 공정을 실시하여 제1감광막 패턴(25)의 상부에 위치된 제2전극용 페이스트 부분을 노출시키는 제2감광막 패턴(31)을 형성한다.

여기서, 제2감광막에 대한 노광 공정은 제1감광막 패턴의 형성시에 사용된 포토 마스크를 그대로 사용하기 때문에 공정이 복잡해지는 것을 방지할 수 있으며, 아울러, 제조비용의 증가를 방지할 수 있다.

다음으로, 도 2e에 도시된 바와 같이, 샌드 블라스트법으로 노출된 제2전극용 페이스트 부분과 그 하부의 제1전극용 페이스트 부분을 식각하여 투명전극(22)의 일측 상에 버스전극(32)를 형성한다. 이때, 연마재의 분사 압력은 통상의 공정에서 사용되는 분사 압력인 1.5 내지 2.5Kg 정도 보다 높은 2.5 내지 3Kg 정도로 하여 버스전극이 샤프(Sharp)하게 되도록 만든다.

한편, 통상의 샌드 블라스트 공정에서는 식각 대상물이 제거된 후에 계속적으로 공정이 진행되는 것으로 인하여 전면기판 또는 투명전극의 손상이 초래되지만, 본 발명의 실시예에서는 제1감광막 패턴이 전면기판 및 투명전극을 보호하고 있기 때문에 상기 전면기판 및 투명전극의 손상을 방지할 수 있게 된다.

이후, 도 2f에 도시된 바와 같이, 제2 및 제1감광막 패턴(31, 25)을 동시에 박리시켜 버스전극(32)의 형성 공정을 완료한다. 이때, 박리액으로는 33%의 모노 에타르 아민(HOCH2CH2NH2)을 사용한다.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 어드레스전극 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.

우선, 앞선 실시예에서 설명한 바와 같이, 배면기판(40) 상에 포지티브 타입의 제1감광막을 노포한 후에, 소정의 포토 마스크(200)를 사용하여 상기 제1감광막을 배면 노광하고, 이어서, 현상 공정을 실시하여 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 배면기판(40) 상에 소정 간격 이격되어 배치되는 제1감광막 패턴(42)을 형성한다.

그런 다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1감광막 패턴(42)이 덮혀지도록 배면기판(40) 상에 제1전극용 페이스트(44)를 인쇄하고, 이 상부에 제2전극용 페이스트(46)를 인쇄한다. 여기서, 제1전극용 페이스트(44)의 인쇄후에는 약 20분 내지 30분 동안 레벨링(Leveling) 공정을 실시하여 상기 제1전극용 페이스트(44)의 평탄화가 충분하게 이루어질 수 있도록 하며, 아울러, 제1전극용 페이스트(44)의 건조 공정은 제1감광막 패턴(42)에 영향이 미치지 않도록 짧은 시간 동안 실시한다.

다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제2전극용 페이스트(46) 상에 네가티브 타입의 제2감광막을 도포한 후에, 전술된 제1감광막 패턴의 형성시에 사용된 포토 마스크를 재차 사용하여 상기 제2감광막에 대한 전면 노광 공정을 실시하고, 이어서, 현상 공정을 실시하여 제1감광막 패턴(42)의 상부에 위치된 제2전극용 페이스트 부분을 노출시키는 제2감광막 패턴(48)을 형성한다.

이후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 노출된 제2전극용 페이스트 부분과 그 하부의 제1전극용 페이스트 부분을 샌드 블라스트법으로 제거하여 어드레스전극들(50)을 형성하고, 이어서, 식각 마스크로 사용된 제2 및 제1감광막 패턴을 33%의 모노 에타르 아민으로 박리시켜 어드레스전극의 형성 공정을 완료한다.

이상에서와 같이, 본 발명은 샌드 블라스트법과 리프트 오프법을 적절하게 혼용하여 전극을 형성함으로써, 양질의 전극을 형성하면서도, 샌드 블라스트법 또는 리프트 오프법으로 공정을 진행할 경우에 발생되는 기판 및 투명전극의 손상으 방지할 수 있고, 그래서, 제조 수율도 향상시킬 수 있다.

한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.

Claims (17)

1. 수 개의 투명전극들이 소정 간격 이격되어 형성된 전면기판을 제공하는 단계;

   상기 전면기판 상에 상기 투명전극들을 덮도록 제1감광막을 도포하는 단계;

   상기 제1감광막을 배면 노광하고, 노광된 제1감광막을 현상하여, 버스 전극 형성 영역을 노출시키는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계;

   상기 제1감광막 패턴을 덮도록, 전체 상부에 제1 및 제2전극용 페이스트를 연속해서 인쇄하는 단계;

   상기 제2전극용 페이스트 상에 제2감광막을 도포하는 단계;

   상기 제2감광막을 전면 노광하고, 노광된 제2감광막을 현상하여, 상기 제1감광막 패턴의 상부의 제2전극용 페이스트 부분을 노출시키는 제2감광막 패턴을 형성하는 단계;

   상기 노출된 제2전극용 페이스트 부분과 그 하부의 제1전극용 페이스트 부분을 샌드 블라스트 공정으로 식각하여, 버스 전극을 형성하는 단계; 및

   상기 제2 및 제1감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1감광막은 10 내지 30㎛ 두께로 도포하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1감광막은 포지티브 타입인것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 제2감광막은 네가티브 타입인 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1감광막 및 제2감광막의 노광은 동일한 포토 마스크를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 제1전극용 페이스트는 상기 제1감광막 패턴을 완전히 덮도록 인쇄하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
7. 제 1 항에 있어서, 상기 샌드 블라스트 공정은 2.5 내지 3.0Kg의 분사압으로 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
8. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 및 제1감광막 패턴의 제거는 33%의 모노 에타르 아민(HOCH₂CH₂NH₂)으로 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
9. 배면기판 상에 제1감광막을 도포하는 단계;

   상기 제1감광막을 배면 노광하고, 노광된 제1감광막을 현상하여 어드레스 전극 형성 영역을 노출시키는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계;

   상기 제1감광막 패턴을 덮도록, 전체 상부에 제1 및 제2전극용 페이스트를 연속해서 인쇄하는 단계;

   상기 제2전극용 페이스트 상에 제2감광막을 도포하는 단계;

   상기 제2감광막을 전면 노광하고, 노광된 제2감광막을 현상하여 상기 제1감광막 패턴들 상부의 제2전극용 페이스트 부분을 노출시키는 제2감광막 패턴을 형성하는 단계;

   상기 노출된 제2전극용 페이스트 부분과 그 하부의 제1전극용 페이스트 부분을 샌드 블라스트 공정으로 제거하여, 어드레스전극을 형성하는 단계; 및

   상기 제2 및 제1감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 제1감광막은 10 내지 30㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 제1감광막은 포지티브 타입인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법.
12. 제 9 항에 있어서, 상기 제2감광막은 네가티브 타입인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
13. 제 9 항에 있어서, 상기 제1감광막 및 제2감광막의 노광은 동일한 포토 마스크를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
14. 제 9 항에 있어서, 상기 제1전극용 페이스트를 인쇄한 후에 상기 제1전극용 페이스트의 평탄화를 위하여 레벨링 공정을 더 실시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
15. 제 14 항에 있어서, 상기 레벨링 공정은 20 내지 30분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
16. 제 9 항에 있어서, 상기 샌드 블라스트 공정은 2.5 내지 3.0Kg의 분사압으로 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
17. 제 9 항에 있어서, 상기 제2 및 제1감광막 패턴의 제거는 33%의 모노 에타르 아민(HOCH₂CH₂NH₂)으로 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.