KR970017843A - 폴리이미드를 이용한 전계방출 표시소자의 스페이서 제조방법 - Google Patents
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Abstract
폴리이미드를 이용한 전게방출용 표시소자의 스페이서 제조방법에서 하부기판에 형성되어 있는 에미터 및 전극을 보호하기 위하여 하부기판의 필드 에미터 상부에 포토레지스트를 코팅한 후, 스페이서가 형성될 부분을 제거하고, 폴리이미드 스페이서를 제조함으로서 하부기판상에 형성되어 있는 전극 및 에미터를 보호하여 성능이 우수한 전게방출 표시소자를 제조할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 전극 및 에미터가 설치된 하부기판에 포토레지스트를 도포한 후, 스페이서가 배치될 부분을 제거한 것을 나타낸 단면도,
제2도는 제1도의 상부에 폴리아믹산(polyamic acid)을 도포한 것을 나타낸 단면도,
제3도는 상기 폴리아믹산을 사진시각법으로 스페이서(spacer)가 형성된 것을 나타낸 단면도,
제4도는 상기 포토레지스트층을 제거한 후, 상기의 폴리아믹산을 소성시켜 폴리이미드의 스페이서가 형성된 것을 나타낸 단면도.
Claims (4)
- 전극 및 에기터가 만들어진 하부 유리기판에 포토레지스트를 형성하여 전극 및 에미터를 보호하는 막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트를 식각 공정으로 스페이서가 놓일 부분만을 제거한 후, 폴리아믹산을 형성하는 단계와, 상기 폴리아믹산을 1차 소성시킨 후 식각 공정을 이용하여 스페이서를 제외한 나머지 부분을 제거하는 단계와, 상기의 보호용 포토레지스트 제거한 후, 2차 소성으로 폴리이미드를 형성하는 단계를 포함하는 폴리이미드를 이용한 전계방출 표시소자의 스페이서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서가 형성될 위치를 상기 포토레지스트층이 도포된 하부기판을 정렬시키기 위하여 하부기판의 후방면에 표시 마크를 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 전게방출 표시소자의 스페이서 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 상부에 폴리이미드를 코팅하는 단계에 있어서, 폴리이미드의 원재료인 폴리아믹산을 스핀코팅 방법으로 130~150㎛의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 전계 방출용 표시소자의 스페이서 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 폴리이미드는 폴리아믹산을 70~90℃에서 20~40분간 1차 소성시킨 후, 진공중에서 250~300℃에서 50∼70분간, 370~430℃에서 50~70분간 2차 소성시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 전계방출용 표시소자의 스페이서 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031735A KR970017843A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 폴리이미드를 이용한 전계방출 표시소자의 스페이서 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031735A KR970017843A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 폴리이미드를 이용한 전계방출 표시소자의 스페이서 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970017843A true KR970017843A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031735A KR970017843A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 폴리이미드를 이용한 전계방출 표시소자의 스페이서 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970017843A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312650B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-12-28 | 박종섭 | 플라즈마디스플레이패널의전극형성방법 |
| KR100312649B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-12-28 | 박종섭 | 플라즈마디스플레이패널의전극형성방법 |
-
1995
- 1995-09-26 KR KR1019950031735A patent/KR970017843A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312650B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-12-28 | 박종섭 | 플라즈마디스플레이패널의전극형성방법 |
| KR100312649B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-12-28 | 박종섭 | 플라즈마디스플레이패널의전극형성방법 |
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