WO2021003900A1 - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021003900A1
WO2021003900A1 PCT/CN2019/114790 CN2019114790W WO2021003900A1 WO 2021003900 A1 WO2021003900 A1 WO 2021003900A1 CN 2019114790 W CN2019114790 W CN 2019114790W WO 2021003900 A1 WO2021003900 A1 WO 2021003900A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
glass substrate
polyimide film
preparation
film
bending area
Prior art date
Application number
PCT/CN2019/114790
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
刘婉婷
郑颖
Original Assignee
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 filed Critical 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Priority to US16/624,075 priority Critical patent/US11296309B2/en
Publication of WO2021003900A1 publication Critical patent/WO2021003900A1/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to the field of display technology, in particular to a display panel and a preparation method thereof.
  • the present invention provides a display panel and a preparation method thereof, so as to solve the problem that the polyimide substrate has a relatively thick film layer and a long distance from the metal wiring on the polyimide substrate, so that the bending area is neutral.
  • the layer is biased toward the polyimide substrate, which results in greater stress on the metal layer, which causes the metal traces to be broken or cracks, thereby affecting the technical problems of the display.
  • the present invention provides a method for manufacturing a display panel, including:
  • the preparation method further includes: removing the protective film before the S30.
  • the glass substrate is etched with a hydrofluoric acid solution, so that the glass substrate forms a strip-shaped protrusion in the bending area.
  • the preparation method further includes: before the S50, forming a barrier layer on the first polyimide film; and forming a second polyimide film on the barrier layer. Amine film.
  • the thin film transistor array is formed on the second polyimide film, and a light emitting layer is formed on the thin film transistor array.
  • the uniformity of the etching rate is less than 10%.
  • the S40 includes:
  • the temperature is increased for dehydration, a thermal imidization reaction occurs, and the first polyimide film is obtained.
  • the present invention provides another method for manufacturing a display panel, including:
  • the preparation method further includes: before the S20, forming a protective film on the surface of the glass substrate on the side facing away from the organic photoresist.
  • the preparation method further includes: removing the protective film before the S30.
  • the glass substrate is etched with a hydrofluoric acid solution, so that the glass substrate forms a strip-shaped protrusion in the bending area.
  • the preparation method further includes: before the S50, forming a barrier layer on the first polyimide film; and forming a second polyimide film on the barrier layer. Amine film.
  • the thin film transistor array is formed on the second polyimide film, and a light emitting layer is formed on the thin film transistor array.
  • the surface of the first polyimide film facing away from the glass substrate is a flat surface.
  • the uniformity of the etching rate is less than 10%.
  • the S40 includes:
  • the temperature is increased for dehydration, a thermal imidization reaction occurs, and the first polyimide film is obtained.
  • the present invention also provides a display panel prepared by the above-mentioned manufacturing method.
  • the display panel is defined with a bending area and includes a first polyimide film and a thin film transistor disposed on the first polyimide film The array and the light-emitting layer arranged on the thin film transistor array, wherein the film thickness of the first polyimide film in the bending area is smaller than the film thickness in other areas.
  • the beneficial effect of the present invention is that by patterning the glass substrate, the thickness of the bending area is thicker, and the polyimide film in the bending area can be thinned when the polyimide film is prepared on the glass substrate. Thin film, thereby reducing the stress of the metal trace during bending, and avoiding the risk of breaking or cracking of the metal trace.
  • FIG. 1 is a flowchart of the steps of a method for manufacturing a display panel according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the structure of a patterned organic photoresist according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic diagram of the structure of the etched glass substrate according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of the structure of the glass substrate after removing the organic photoresist according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is another structural diagram of the glass substrate after removing the organic photoresist according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of the structure of a second polyimide film according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic structural diagram of a display panel without peeling the glass substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic structural diagram of a display panel after peeling off the glass substrate according to an embodiment of the present invention.
  • the present invention is directed to the existing display panel. Since the film layer of the polyimide substrate is thicker and the distance from the metal traces above it is longer, the neutral layer in the bending area will be biased toward the polyimide substrate, resulting in metal The stress on the layer is relatively large, which causes the metal wires to be broken or cracks, which affects the technical problem of the display. This embodiment can solve this defect.
  • an embodiment of the present invention provides a display panel 100.
  • the display panel 100 includes a first polyimide film 40 and a thin film transistor array 70 disposed on the first polyimide film 40. , And a light-emitting layer 80 disposed on the thin film transistor array 70.
  • the embodiment of the present invention takes a flexible OLED display panel as an example. Because polyimide material has excellent thermal properties, mechanical properties, and stability, it is widely used as a flexible substrate, but due to its thick film layer, it is bent At this time, the neutral layer will be biased towards the polyimide substrate, which will cause the metal layer to be subjected to greater stress, which will cause problems such as disconnection of the metal wire. The embodiment of the present invention addresses this problem.
  • a bending area 101 is defined on the display panel 100, and the film thickness of the first polyimide film 40 in the bending area 101 is smaller than the film thickness of other areas.
  • an embodiment of the present invention provides a method for manufacturing the foregoing display panel 100, including:
  • a glass substrate 10 is provided, a bending area 101 is defined on the glass substrate 10, and a patterned organic photoresist 20 is formed in the bending area 101.
  • an organic photoresist is coated on the glass substrate 10, and the organic photoresist is exposed, developed, and cleaned using a special mask, and the organic photoresist in the bending area 101 is retained, that is, A patterned organic photoresist 20 is formed in the bending area 101.
  • a protective film 30 is formed on the surface (rear surface) of the glass substrate 10 that faces away from the organic photoresist 20 to protect the bottom of the glass substrate 10
  • the material of the protective film 30 may be a polyethylene film, and the polyethylene film is directly attached to the entire back surface of the glass substrate 10.
  • the glass substrate 10 is etched with a hydrofluoric acid solution to obtain a patterned glass substrate 10.
  • the glass substrate 10 is immersed in the hydrofluoric acid solution and rinsed. Since the hydrofluoric acid only etches the glass and does not react with the organic photoresist material, the protective film Under the protection of 30, the glass substrate 10 covered by the organic photoresist 20 is not etched, and the glass substrate 10 outside the bending area 101 is etched, so that in the bending area 101, the glass substrate 10 forms a convex From 11.
  • the difference in film layer heights in different regions of the glass substrate 10 is used to achieve the purpose of reducing the film thickness in the bending region when the polyimide film is subsequently prepared.
  • the shape of the protrusions 11 is a striped pattern or a trapezoidal pattern, which is not limited here.
  • the predetermined film thickness is achieved by maintaining the uniformity U% of the etching rate.
  • the uniformity value U% the better the etching uniformity, and the uniformity of this embodiment is less than 5%.
  • the protective film 30 on the glass substrate 10 needs to be removed, and then the organic photoresist 20 is removed by an organic chemical solvent.
  • the polyamic acid solution is uniformly coated on the patterned glass substrate 10, baked at a low temperature to form a film, the organic solvent is removed, and then the film is heated and dehydrated in a high-purity nitrogen atmosphere.
  • the thermal imidization reaction obtains the first polyimide film 40.
  • the first polyimide film 40 is used as a substrate, it is necessary to provide a smooth surface for the subsequently prepared device. Therefore, in the process of coating solution and film formation, it is necessary to ensure that the obtained first polyimide film 40 The film 40 is a flat surface.
  • the first polyimide film 40 is formed on the side surface of the glass substrate 10 with the protrusions 11, the first polyimide film 40 is close to the glass substrate.
  • a groove is formed on the surface of one side of 10, and the groove is formed in the bending area 101, so that the film layer of the first polyimide film 40 in the bending area 101 The thickness is smaller than the film thickness in other areas.
  • a multilayer polyimide film can be prepared to enhance the reliability of the substrate film.
  • a barrier layer 50 may be formed on the first polyimide film 40, and then the second polyimide film 60 may be formed on the barrier layer 50.
  • the preparation method of the second polyimide film 60 can refer to the preparation method of the first polyimide film 40, which will not be repeated here.
  • a thin film transistor array 70 and a light emitting layer 80 are sequentially formed on the first polyimide film 40.
  • the thin film transistor array 70 is prepared on the second polyimide film 60, and the thin film transistor array 70 includes an active layer, a source, and a drain.
  • Metal devices such as electrodes, gates, and surrounding wiring.
  • the light-emitting layer 80 is an OLED light-emitting layer, including an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting material layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a cathode, and the like.
  • the glass substrate 10 is peeled off.
  • the laser lift-off technology may be used to peel off the glass substrate 10 from the first polyimide film 40.
  • the thickness of the bending area is thicker, and when the polyimide film is prepared on the glass substrate, the polyimide film in the bending area can be thinned, thereby reducing The stress of small metal traces during bending avoids the risk of metal traces breaking or cracks.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示面板及其制备方法，包括：提供一玻璃基板，在玻璃基板上定义出弯折区域，在弯折区域内形成图案化的有机光阻；对玻璃基板无图案化的有机光阻覆盖的部分进行刻蚀，在弯折区域内形成凸起；在图案化的所述玻璃基板上形成第一聚酰亚胺薄膜，第一聚酰亚胺薄膜在弯折区域内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度。

Description

显示面板及其制备方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
 背景技术
随着科技的不断进步，柔性显示成为大势所趋，柔性显示最重要的部分就是柔性基板，而聚酰亚胺材料由于其具有优异的热学性能、机械性能以及稳定性，被用作柔性基板，广泛地应用于柔性有机发光二极管的制备。
然而，在聚酰亚胺基板上制备薄膜晶体管后，由于聚酰亚胺基板的膜厚较厚，且与其上方的金属走线距离较远，弯折区域的中性层偏向聚酰亚胺基板，导致金属层所受应力较大，从而造成金属断线或出现裂纹现象。
 技术问题
本发明提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有的显示面板，由于聚酰亚胺基板的膜层厚度较厚，且与其上方的金属走线距离较远，弯折区域的中性层偏向聚酰亚胺基板，导致金属层所受应力较大，从而造成金属走线断线或出现裂纹现象，进而影响显示的技术问题。
 技术解决方案
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种显示面板的制备方法，包括：
S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上定义出弯折区域，在所述弯折区域内形成图案化的有机光阻；
S20，在所述玻璃基板的背离所述有机光阻的一侧表面形成保护膜后，对所述玻璃基板无图案化的所述有机光阻覆盖的部分进行刻蚀，使得所述玻璃基板图案化，并在所述弯折区域内形成凸起；
S30，去除图案化的所述有机光阻；
S40，在图案化的所述玻璃基板上形成第一聚酰亚胺薄膜，其中，所述第一聚酰亚胺薄膜在所述弯折区域内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度，所述第一聚酰亚胺薄膜背离所述玻璃基板的一侧表面为一平整的表面；
S50，在所述第一聚酰亚胺薄膜上依次形成薄膜晶体管阵列和发光层；
S60，剥离所述玻璃基板。
在本发明的一种实施例中，所述制备方法还包括：在所述S30之前，去除所述保护膜。
在本发明的一种实施例中，在所述S20中，利用氢氟酸溶液对所述玻璃基板进行刻蚀，使得所述玻璃基板在所述弯折区域内形成一条形凸起。
在本发明的一种实施例中，所述制备方法还包括：在所述S50之前，在所述第一聚酰亚胺薄膜上形成阻隔层；在所述阻隔层上形成第二聚酰亚胺薄膜。
在本发明的一种实施例中，在所述S50中，在所述第二聚酰亚胺薄膜上形成所述薄膜晶体管阵列，在所述薄膜晶体管阵列上形成发光层。
在本发明的一种实施例中，在所述S20中，刻蚀速率的均一度小于10%。
在本发明的一种实施例中，所述S40包括：
在所述玻璃基板上涂布聚酰胺酸溶液；
低温烘烤以去除有机溶剂；
升温脱水，发生热酰亚胺化反应，得到所述第一聚酰亚胺薄膜。
本发明提供另外一种显示面板的制备方法，包括：
S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上定义出弯折区域，在所述弯折区域内形成图案化的有机光阻；
S20，对所述玻璃基板无图案化的所述有机光阻覆盖的部分进行刻蚀，使得所述玻璃基板图案化，并在所述弯折区域内形成凸起；
S30，去除图案化的所述有机光阻；
S40，在图案化的所述玻璃基板上形成第一聚酰亚胺薄膜，其中，所述第一聚酰亚胺薄膜在所述弯折区域内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度；
S50，在所述第一聚酰亚胺薄膜上依次形成薄膜晶体管阵列和发光层；
S60，剥离所述玻璃基板。
在本发明的一种实施例中，所述制备方法还包括：在所述S20之前，在所述玻璃基板的背离所述有机光阻的一侧表面形成保护膜。
在本发明的一种实施例中，所述制备方法还包括：在所述S30之前，去除所述保护膜。
在本发明的一种实施例中，在所述S20中，利用氢氟酸溶液对所述玻璃基板进行刻蚀，使得所述玻璃基板在所述弯折区域内形成一条形凸起。
在本发明的一种实施例中，所述制备方法还包括：在所述S50之前，在所述第一聚酰亚胺薄膜上形成阻隔层；在所述阻隔层上形成第二聚酰亚胺薄膜。
在本发明的一种实施例中，在所述S50中，在所述第二聚酰亚胺薄膜上形成所述薄膜晶体管阵列，在所述薄膜晶体管阵列上形成发光层。
在本发明的一种实施例中，所述第一聚酰亚胺薄膜背离所述玻璃基板的一侧表面为一平整的表面。
在本发明的一种实施例中，在所述S20中，刻蚀速率的均一度小于10%。
在本发明的一种实施例中，所述S40包括：
在所述玻璃基板上涂布聚酰胺酸溶液；
低温烘烤以去除有机溶剂；
升温脱水，发生热酰亚胺化反应，得到所述第一聚酰亚胺薄膜。
本发明还提供一种采用上述制备方法制备的显示面板，所述显示面板上定义有弯折区域，包括第一聚酰亚胺薄膜、设置于所述第一聚酰亚胺薄膜上的薄膜晶体管阵列、设置于所述薄膜晶体管阵列上的发光层，其中，所述第一聚酰亚胺薄膜在所述弯折区域内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度。
 有益效果
本发明的有益效果为：通过将玻璃基板图案化，使得其弯折区域的部分的厚度较厚，进而在玻璃基板上制备聚酰亚胺薄膜时，能够减薄弯折区域的聚酰亚胺薄膜，从而减小金属走线在弯折时的应力，避免金属走线断线或发生裂纹的风险。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例显示面板的制备方法的步骤流程图；
图2为本发明实施例图案化的有机光阻的结构示意图；
图3为本发明实施例被刻蚀后的玻璃基板的结构示意图；
图4为本发明实施例去除有机光阻后的玻璃基板的结构示意图；
图5为本发明实施例去除有机光阻后的玻璃基板的另一结构示意图；
图6为本发明实施例第二聚酰亚胺薄膜的结构示意图；
图7为本发明实施例未剥离玻璃基板的显示面板的结构示意图；
图8为本发明实施例剥离玻璃基板后的显示面板的结构示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的显示面板，由于聚酰亚胺基板的膜层厚度较厚，且与其上方的金属走线距离较远，弯折区域的中性层会偏向聚酰亚胺基板，导致金属层所受应力较大，从而造成金属走线断线或出现裂纹现象，进而影响显示的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图8所示，本发明实施例提供一种显示面板100，所述显示面板100包括第一聚酰亚胺薄膜40、设置于所述第一聚酰亚胺薄膜40上的薄膜晶体管阵列70、以及设置于所述薄膜晶体管阵列70上的发光层80。
本发明实施例以柔性OLED显示面板为例，由于聚酰亚胺材料具有优异的热学性能、机械性能以及稳定性，被广泛地用作柔性基板，但是由于其膜层厚度较厚，在弯折的时候，中性层会偏向聚酰亚胺基板，导致金属层所受应力较大，进而造成金属线断线等问题，本发明实施例针对该问题进行改进。
显示面板100上定义有弯折区域101，所述第一聚酰亚胺薄膜40在所述弯折区域101内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度。通过减薄弯折区域101内的第一聚酰亚胺薄膜40的厚度，进而使得显示面板100在弯折的时候，使得中性层向薄膜晶体管阵列70上的金属层偏移，从而降低金属层所受应力，降低金属走线断线的风险。
针对上述目的，本发明实施例提供一种上述显示面板100的制备方法，包括：
如图1所示，S10，提供一玻璃基板10，在所述玻璃基板10上定义出弯折区域101，在所述弯折区域101内形成图案化的有机光阻20。
如图2所示，在所述玻璃基板10上涂布有机光阻，利用特殊光罩对该有机光阻进行曝光、显影、清洗，保留所述弯折区域101内的有机光阻，即在所述弯折区域101内形成图案化的有机光阻20。
如图3~图5所示，S20，对所述玻璃基板10无图案化的所述有机光阻覆盖的部分进行刻蚀，使得所述玻璃基板10图案化，并在所述弯折区域101内形成凸起11。
具体地，在进行对所述玻璃基板10之前，先在所述玻璃基板10的背离所述有机光阻20的一侧表面（背面）形成保护膜30，对所述玻璃基板10的底部进行保护，所述保护膜30的材质可为聚乙烯薄膜，直接在所述玻璃基板10的背面整面贴附聚乙烯薄膜。
接着，利用氢氟酸溶液对所述玻璃基板10进行刻蚀以得到图案化的玻璃基板10。具体地，将所述玻璃基板10沉浸在所述氢氟酸溶液中，并进行淋洗，由于氢氟酸仅对玻璃进行刻蚀，不与有机光阻材料发生反应，因此在所述保护膜30的保护下，所述有机光阻20覆盖下的玻璃基板10不受到刻蚀，弯折区域101以外的玻璃基板10收到刻蚀，从而在弯折区域101内，玻璃基板10形成一个凸起11。利用玻璃基板10不同区域的膜层高度差，以达到后续在制备聚酰亚胺薄膜的时候减薄弯折区域的薄膜厚度的目的。
所述凸起11的形状为条形图案，也可为梯形图案，这里不做限制。
在刻蚀的过程中，通过保持刻蚀速率的均一度U%，来达到预设的膜厚。一般均一度值U%越小说明刻蚀均一性越好，本实施例的均一度小于5%。
S30，去除图案化的所述有机光阻。
在去除所述有机光阻20之前，需要将所述玻璃基板10上的保护膜30去除，然后再通过有机化学溶剂除去该有机光阻20。
如图6所示，S40，在图案化的所述玻璃基板10上形成第一聚酰亚胺薄膜40，其中，所述第一聚酰亚胺薄膜40在所述弯折区域101内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度。
具体地，将聚酰胺酸溶液均匀涂布于图案化的所述玻璃基板10上，经过低温烘烤成膜，去除有机溶剂，然后在高纯度氮气氛围中，将薄膜升温脱水，该过程发生高温热酰亚胺化反应，得到所述第一聚酰亚胺薄膜40。
由于所述第一聚酰亚胺薄膜40作为基底使用，需要为后续制备的器件提供一平滑表面，因此，在涂布溶液、成膜过程中，需要保证得到的所述第一聚酰亚胺薄膜40为一平整的表面。
另外，由于所述第一聚酰亚胺薄膜40是在所述玻璃基板10具有所述凸起11的一侧表面形成的，因此，所述第一聚酰亚胺薄膜40靠近所述玻璃基板10一侧的表面会相应地形成一凹槽，且该凹槽形成于所述弯折区域101内，进而使得所述第一聚酰亚胺薄膜40在所述弯折区域101内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度。
在本实施例基础上，可制备多层聚酰亚胺薄膜，以增强衬底薄膜的可靠性。例如，在本实施例基础上，可在所述第一聚酰亚胺薄膜40上形成阻隔层50，再在所述阻隔层50上形成所述第二聚酰亚胺薄膜60。
所述第二聚酰亚胺薄膜60的制备方法可参考所述第一聚酰亚胺薄膜40的制备方法，这里不再赘述。
如图7所示，S50，在所述第一聚酰亚胺薄膜40上依次形成薄膜晶体管阵列70和发光层80。
具体地，当制备有两层聚酰亚胺薄膜时，在所述第二聚酰亚胺薄膜60上制备所述薄膜晶体管阵列70，所述薄膜晶体管阵列70包括有源层、源极、漏极、栅极、以及周围走线等金属器件。
所述发光层80为OLED发光层，包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层以及阴极等。
如图8所示，S60，剥离所述玻璃基板10。
可利用激光剥离技术，将所述玻璃基板10从所述第一聚酰亚胺薄膜40上剥离下来。
有益效果：通过将玻璃基板图案化，使得其弯折区域的部分的厚度较厚，进而在玻璃基板上制备聚酰亚胺薄膜时，能够减薄弯折区域的聚酰亚胺薄膜，从而减小金属走线在弯折时的应力，避免金属走线断线或发生裂纹的风险。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (17)

  1. 一种显示面板的制备方法，包括：
    S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上定义出弯折区域，在所述弯折区域内形成图案化的有机光阻；
    S20，在所述玻璃基板的背离所述有机光阻的一侧表面形成保护膜后，对所述玻璃基板无图案化的所述有机光阻覆盖的部分进行刻蚀，使得所述玻璃基板图案化，并在所述弯折区域内形成凸起；
    S30，去除图案化的所述有机光阻；
    S40，在图案化的所述玻璃基板上形成第一聚酰亚胺薄膜，其中，所述第一聚酰亚胺薄膜在所述弯折区域内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度，所述第一聚酰亚胺薄膜背离所述玻璃基板的一侧表面为一平整的表面；
    S50，在所述第一聚酰亚胺薄膜上依次形成薄膜晶体管阵列和发光层；
    S60，剥离所述玻璃基板。
  2. 根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述制备方法还包括：在所述S30之前，去除所述保护膜。
  3. 根据权利要求1所述的制备方法，其中，在所述S20中，利用氢氟酸溶液对所述玻璃基板进行刻蚀，使得所述玻璃基板在所述弯折区域内形成一条形凸起。
  4. 根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述制备方法还包括：在所述S50之前，在所述第一聚酰亚胺薄膜上形成阻隔层；在所述阻隔层上形成第二聚酰亚胺薄膜。
  5. 根据权利要求4所述的制备方法，其中，在所述S50中，在所述第二聚酰亚胺薄膜上形成所述薄膜晶体管阵列，在所述薄膜晶体管阵列上形成发光层。
  6. 根据权利要求1所述的制备方法，其中，在所述S20中，刻蚀速率的均一度小于10%。
  7. 根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述S40包括：
    在所述玻璃基板上涂布聚酰胺酸溶液；
    低温烘烤以去除有机溶剂；
    升温脱水，发生热酰亚胺化反应，得到所述第一聚酰亚胺薄膜。
  8. 一种显示面板的制备方法，包括：
    S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上定义出弯折区域，在所述弯折区域内形成图案化的有机光阻；
    S20，对所述玻璃基板无图案化的所述有机光阻覆盖的部分进行刻蚀，使得所述玻璃基板图案化，并在所述弯折区域内形成凸起；
    S30，去除图案化的所述有机光阻；
    S40，在图案化的所述玻璃基板上形成第一聚酰亚胺薄膜，其中，所述第一聚酰亚胺薄膜在所述弯折区域内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度；
    S50，在所述第一聚酰亚胺薄膜上依次形成薄膜晶体管阵列和发光层；
    S60，剥离所述玻璃基板。
  9. 根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述制备方法还包括：在所述S20之前，在所述玻璃基板的背离所述有机光阻的一侧表面形成保护膜。
  10. 根据权利要求9所述的制备方法，其中，所述制备方法还包括：在所述S30之前，去除所述保护膜。
  11. 根据权利要求8所述的制备方法，其中，在所述S20中，利用氢氟酸溶液对所述玻璃基板进行刻蚀，使得所述玻璃基板在所述弯折区域内形成一条形凸起。
  12. 根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述制备方法还包括：在所述S50之前，在所述第一聚酰亚胺薄膜上形成阻隔层；在所述阻隔层上形成第二聚酰亚胺薄膜。
  13. 根据权利要求12所述的制备方法，其中，在所述S50中，在所述第二聚酰亚胺薄膜上形成所述薄膜晶体管阵列，在所述薄膜晶体管阵列上形成发光层。
  14. 根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述第一聚酰亚胺薄膜背离所述玻璃基板的一侧表面为一平整的表面。
  15. 根据权利要求8所述的制备方法，其中，在所述S20中，刻蚀速率的均一度小于10%。
  16. 根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述S40包括：
    在所述玻璃基板上涂布聚酰胺酸溶液；
    低温烘烤以去除有机溶剂；
    升温脱水，发生热酰亚胺化反应，得到所述第一聚酰亚胺薄膜。
  17. 一种显示面板，其上定义有弯折区域，所述显示面板采用如权利要求8所述的制备方法制备，所述显示面板包括：
    第一聚酰亚胺薄膜；
    薄膜晶体管阵列，设置于所述第一聚酰亚胺薄膜上；
    发光层，设置于所述薄膜晶体管阵列上；其中，
    所述第一聚酰亚胺薄膜在所述弯折区域内的膜层厚度小于其他区域的膜层厚度。
PCT/CN2019/114790 2019-07-05 2019-10-31 显示面板及其制备方法 WO2021003900A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/624,075 US11296309B2 (en) 2019-07-05 2019-10-31 Method of manufacturing same display panel having bending region of polymide film having different thickness than in other regions

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910603357.1A CN110429106B (zh) 2019-07-05 2019-07-05 显示面板及其制备方法
CN201910603357.1 2019-07-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021003900A1 true WO2021003900A1 (zh) 2021-01-14

Family

ID=68408998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2019/114790 WO2021003900A1 (zh) 2019-07-05 2019-10-31 显示面板及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11296309B2 (zh)
CN (1) CN110429106B (zh)
WO (1) WO2021003900A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111584536B (zh) * 2020-05-25 2024-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种透明基板、柔性显示基板及其制作方法和显示装置
KR20220003892A (ko) * 2020-07-02 2022-01-11 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 표시패널
CN112479596B (zh) * 2020-11-26 2022-08-23 恩利克(浙江)显示科技有限公司 超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法
CN115064075A (zh) * 2022-06-30 2022-09-16 芜湖长信科技股份有限公司 一种区域性厚度连续变化的柔性玻璃及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1460299A (zh) * 2001-04-03 2003-12-03 皇家菲利浦电子有限公司 具有柔性衬底的矩阵阵列器件
CN1789007A (zh) * 2004-11-04 2006-06-21 Lg.菲利浦Lcd株式会社 印版及其制造方法
US9430072B2 (en) * 2011-03-10 2016-08-30 Wintek Corporation Touch panel and touch-sensitive display device
CN106340523A (zh) * 2016-10-25 2017-01-18 厦门天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置
CN107068862A (zh) * 2017-03-06 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制造方法、柔性显示装置、载体基板
CN109659318A (zh) * 2018-12-06 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板及其制作方法、显示面板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102627321B1 (ko) * 2016-07-28 2024-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2018055679A1 (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 シャープ株式会社 フレキシブルデバイスおよびその製造方法
JP2018054675A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018078057A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106784311A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 柔性面板及其制作方法
US10312228B2 (en) * 2017-01-25 2019-06-04 Innolux Corporation Display device
JP6843710B2 (ja) * 2017-07-12 2021-03-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
CN107491221B (zh) * 2017-08-31 2023-08-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制备方法、显示装置
KR102185116B1 (ko) * 2017-12-19 2020-12-01 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108539016B (zh) * 2018-03-29 2022-01-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性衬底及其制备方法、显示面板的制备方法和显示装置
KR102562373B1 (ko) * 2018-05-31 2023-08-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR102441330B1 (ko) * 2019-03-27 2022-09-13 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1460299A (zh) * 2001-04-03 2003-12-03 皇家菲利浦电子有限公司 具有柔性衬底的矩阵阵列器件
CN1789007A (zh) * 2004-11-04 2006-06-21 Lg.菲利浦Lcd株式会社 印版及其制造方法
US9430072B2 (en) * 2011-03-10 2016-08-30 Wintek Corporation Touch panel and touch-sensitive display device
CN106340523A (zh) * 2016-10-25 2017-01-18 厦门天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置
CN107068862A (zh) * 2017-03-06 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制造方法、柔性显示装置、载体基板
CN109659318A (zh) * 2018-12-06 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板及其制作方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN110429106B (zh) 2021-01-15
US20210296412A1 (en) 2021-09-23
US11296309B2 (en) 2022-04-05
CN110429106A (zh) 2019-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021003900A1 (zh) 显示面板及其制备方法
WO2020199306A1 (zh) 显示面板和显示面板制作方法
WO2020124914A1 (zh) 柔性显示基板及其制作方法
WO2020042235A1 (zh) 柔性oled显示面板
CN102412199B (zh) 薄膜电路装置和电子设备
WO2020124921A1 (zh) 显示面板及其制作方法
US11195889B2 (en) Method of manufacturing flexible display panel
US7049161B2 (en) Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
WO2020000609A1 (zh) 显示面板及其制造方法
WO2019192348A1 (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板及显示装置
KR20110068352A (ko) 플렉서블 표시장치의 제조 방법
TWI485499B (zh) 液晶顯示面板陣列基板及其製造方法
KR20100070730A (ko) 플렉서블 표시장치의 제조 방법
WO2016000399A1 (zh) 有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2021128454A1 (zh) 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
US20210366380A1 (en) Array substrate and method for manufacturing same, display panel, and display device
WO2019227668A1 (zh) 触控显示屏的制作方法
WO2020220476A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、及显示面板
KR100375898B1 (ko) 2단계 웨트 에칭 공정에 의해 도전성 패턴층을 제조하는방법
WO2020211349A1 (zh) 阵列基板及其制备方法
WO2021031322A1 (zh) Oled显示面板及其制备方法
CN107195658A (zh) 柔性基板及其制作方法
JP2008208426A (ja) 成膜用マスクおよび成膜用マスクの製造方法
KR20110042899A (ko) 플렉서블 표시장치의 제조방법
US20200218111A1 (en) Flexible display panel and preparing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19936851

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19936851

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1