WO2021031322A1 - Oled显示面板及其制备方法 - Google Patents

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WO2021031322A1
WO2021031322A1 PCT/CN2019/111861 CN2019111861W WO2021031322A1 WO 2021031322 A1 WO2021031322 A1 WO 2021031322A1 CN 2019111861 W CN2019111861 W CN 2019111861W WO 2021031322 A1 WO2021031322 A1 WO 2021031322A1
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layer
groove
inorganic
organic
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李朝
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Definitions

  • This application relates to the display field, and in particular to an OLED display panel and a preparation method thereof.
  • OLED Organic Light Emitting Diode (Organic Light Emitting Diode) display technology
  • OLED products have received more and more attention and applications due to their light and thin, fast response, wide viewing angle, high contrast, and flexibility. They are mainly used in mobile phones and tablets. , TV and other display fields.
  • the OLED display panel includes the base layer, TFT (Thin Film Transistor, thin film field effect transistor) driving layer, OLED light emitting layer, encapsulation layer, etc.
  • the encapsulation layer includes an alternate structure of "inorganic layer-organic layer-inorganic layer" to block water and oxygen transmission and prevent the OLED device from failing and aging due to external water, oxygen, impurities, etc.
  • OLED display panels are required to have better bending resistance, that is, OLED display panels can still maintain good display performance in a bent state without accelerating failure aging.
  • this requires strong adhesion between the packaging layers, and can better release the internal stress of the packaging film, and no peeling between the film layers occurs in the bending state, thereby effectively avoiding external water, oxygen, and impurities Intrusion into the internal film layer of the display panel from the peeling point, causing the OLED display panel to be oxidized and fail.
  • the inorganic layer and the organic layer, and the organic layer and the inorganic layer are generally flat and smooth, and the materials of the organic layer and the inorganic layer are different.
  • pressure When pressure is applied, it is easy to dislocation or peeling off, causing external water, oxygen, impurities, etc. to invade the internal film, affecting the quality of the internal film.
  • This application relates to an OLED display panel and a preparation method thereof, which are used to solve the poor stability and adhesion between the inorganic layer and the organic layer of the thin film packaging structure in the prior art, making the internal film layer vulnerable to external Water vapor and impurities affect the quality of the display panel.
  • An OLED display panel provided by the present application includes: a base substrate, a thin film transistor layer, an OLED device layer, and an encapsulation structure layer which are sequentially stacked; the encapsulation structure layer includes: a first inorganic encapsulation layer and a second An organic encapsulation layer and a second inorganic encapsulation layer; wherein,
  • the first inorganic encapsulation layer is provided with a first groove on the side in contact with the first organic encapsulation layer;
  • the first organic encapsulation layer is provided with a second groove on the side in contact with the second inorganic encapsulation layer;
  • the film thickness of the first inorganic encapsulation layer is the same as the film thickness of the second inorganic encapsulation layer.
  • the packaging structure layer further includes: a second organic packaging layer and a third inorganic packaging layer stacked on the second inorganic packaging layer in sequence, wherein:
  • the second inorganic encapsulation layer is provided with a third groove on the side in contact with the second organic encapsulation layer;
  • the second organic encapsulation layer is provided with a fourth groove on the side contacting the third inorganic encapsulation layer.
  • the first groove and the third groove are arranged the same, and the second groove and the fourth groove are arranged the same.
  • the first grooves are uniformly distributed in an array on the side of the first inorganic encapsulation layer close to the first organic encapsulation layer; the second grooves are evenly distributed on the first organic encapsulation layer.
  • the organic encapsulation layer is close to the side of the second inorganic encapsulation layer.
  • the preset lengths of the first groove and the second groove are both: 5-10um, and the preset distances are both: 10-20um; the first groove The preset depth of is: 0-0.5um, and the preset depth of the second groove is: 0-1um.
  • the shapes of the first groove and the second groove are: any one or more of rectangle, semicircle, inverted triangle, trapezoid, J-shape, or crescent shape The combination.
  • the preset thickness of the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer are both: 1-2um; the preset thickness of the first organic encapsulation layer is: 6 12um.
  • the materials of the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer are the same, and both use silicon nitride; the material of the first organic encapsulation layer is polymethylmethacrylate .
  • the base substrate is a rigid substrate, a flexible substrate, or is made by coating a glass substrate with polyimide.
  • the thin film transistor layer is a top gate thin film transistor or a bottom gate thin film transistor.
  • the cathode layer in the OLED device layer is made of a low work function material.
  • the present application also provides an OLED display panel, including: a base substrate, a thin film transistor layer, an OLED device layer, and an encapsulation structure layer stacked in sequence;
  • the encapsulation structure layer includes: a first inorganic encapsulation layer and a second encapsulation layer stacked in sequence An organic encapsulation layer and a second inorganic encapsulation layer;
  • the first inorganic encapsulation layer is provided with a first groove on the side in contact with the first organic encapsulation layer;
  • the first organic encapsulation layer is provided with a second groove on the side contacting the second inorganic encapsulation layer.
  • the packaging structure layer further includes: a second organic packaging layer and a third inorganic packaging layer stacked on the second inorganic packaging layer in sequence, wherein:
  • the second inorganic encapsulation layer is provided with a third groove on the side in contact with the second organic encapsulation layer;
  • the second organic encapsulation layer is provided with a fourth groove on the side contacting the third inorganic encapsulation layer.
  • the first groove and the third groove are arranged the same, and the second groove and the fourth groove are arranged the same.
  • the first grooves are uniformly distributed in an array on the side where the first inorganic encapsulation layer contacts the first organic encapsulation layer; the second grooves are evenly distributed on the The side where the first organic encapsulation layer is in contact with the second inorganic encapsulation layer.
  • the preset lengths of the first groove and the second groove are both: 5-10um, and the preset distances are both: 10-20um; the first groove The preset depth of is: 0-0.5um, and the preset depth of the second groove is: 0-1um.
  • This application also provides a manufacturing method of an OLED display panel, which includes the following steps:
  • the method further includes:
  • the shape of the first mask is different from the shape of the second mask.
  • the first organic encapsulation layer and the second organic encapsulation layer are both prepared by an inkjet printing method, and the deposition of the first inorganic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer Using chemical vapor deposition method.
  • the OLED display panel provided by this application has the following beneficial effects:
  • a groove structure is provided in the thin film encapsulation layer to improve the adhesion and stability of the inorganic encapsulation layer and the first organic encapsulation layer, so that the display panel is bent When folded or subjected to lateral pressure, it is not easy to detach, which better protects the internal film from external water, oxygen, impurities, etc., and improves the quality of the display panel;
  • the groove is divided into a first groove and a second groove according to the thickness difference between the inorganic encapsulation layer and the first organic encapsulation layer, the first groove and the second groove There is a certain difference in the depth of the film, which further improves the stability of the film package;
  • the first protrusions are correspondingly provided on the side of the first organic packaging layer, the second inorganic packaging layer and the first inorganic packaging layer close to the base substrate. And the second protrusion;
  • the encapsulation layer structure layer is: "first inorganic encapsulation layer-first organic encapsulation layer-second inorganic encapsulation layer", “first inorganic encapsulation layer-first organic encapsulation layer” -The second inorganic encapsulation layer-the second organic encapsulation layer-the third inorganic encapsulation layer” or "the first inorganic encapsulation layer-the first organic encapsulation layer-the second inorganic encapsulation layer-the second organic encapsulation layer-the third inorganic encapsulation layer”
  • the multi-layer encapsulation structure of "layer-third organic encapsulation layer-fourth inorganic encapsulation layer” reduces the risk of peeling of the thin film encapsulation layer of the OLED display panel.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a first structure of an OLED display panel provided by an embodiment of the application.
  • 2A-2I are manufacturing process diagrams of the OLED display panel provided by the embodiments of the application.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a second structure of an OLED display panel provided by an embodiment of the application.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a third structure of an OLED display panel provided by an embodiment of the application.
  • FIG. 5 is a schematic flowchart of a manufacturing method of an OLED display panel provided by an embodiment of the application.
  • first and second are only used for descriptive purposes, and cannot be understood as indicating or implying relative importance or implicitly indicating the number of indicated technical features. Therefore, the features defined with “first” and “second” may explicitly or implicitly include one or more of the features. In the description of this application, “multiple” means two or more than two, unless otherwise specifically defined.
  • This application provides an OLED display panel and a manufacturing method thereof. For details, refer to FIGS. 1 to 5.
  • the thin film encapsulation layer in the field of OLED display generally has an alternating structure of "inorganic encapsulation layer-organic encapsulation layer-inorganic encapsulation layer".
  • the gap between the inorganic encapsulation layer and the organic encapsulation layer The film layer is prone to peeling, resulting in package failure. Therefore, the present application provides an OLED display panel and a manufacturing method for the phenomenon that the existing thin film encapsulation layer has poor stability, is prone to peeling, and cannot effectively block the erosion of the internal film layer by external water, oxygen, impurities, and the like.
  • a groove structure is provided between the organic encapsulation layer and the inorganic encapsulation layer in the thin film encapsulation layer, so that the first organic encapsulation layer and the inorganic encapsulation layer can be bent or subjected to lateral pressure. It is not easy to peel off.
  • a first bump is provided on the side of the first organic encapsulation layer close to the base substrate, and the second inorganic encapsulation layer is on the side close to the base substrate.
  • a second bump is provided, adjacently, a third bump is provided on the side of the second organic encapsulation layer close to the base substrate, and the third inorganic encapsulation layer is provided on the side close to the base substrate
  • There is a fourth protrusion so that the first protrusion is matched with the first groove, the second protrusion is matched with the second groove, and the third protrusion is matched with the third groove
  • the fourth protrusion is matched with the fourth groove; in addition, in order to further enhance the encapsulation effect of the thin film encapsulation layer of the OLED display panel, multiple groups of the thin film encapsulation layer may be provided, that is, it is not limited to
  • the combination of "first inorganic encapsulation layer-first organic encapsulation layer-second inorganic encapsulation layer", see Figure 3 for details, can also be "first inorganic encapsulation layer-first organic encapsulation layer-second inorganic encapsulation layer- Second organic encapsulation layer-third
  • the OLED display panel includes: a base substrate 11, in an embodiment of the present application, the base substrate 11 may be a rigid substrate, such as a glass substrate or a quartz substrate
  • a flexible substrate such as a resin substrate
  • the base substrate 11 can also be coated on a clean glass substrate with a PI (full English name: polyimide film; polyimide) coater, and then processed through high temperature curing and other processes. Because PI film has excellent high and low temperature resistance, electrical insulation, adhesion, radiation resistance, and dielectric resistance, the base substrate made from it has good flexibility;
  • the thin film transistor layer 12 is arranged on the side of the base substrate 11 and is made by chemical vapor deposition.
  • the thin film transistor layer 12 includes a gate layer and a source and drain layer.
  • the thin film transistor may be a top gate type. Thin film transistor or bottom gate thin film transistor;
  • the OLED device layer 13 is arranged on the side of the thin film transistor layer 12 away from the base substrate 11.
  • the OLED device layer 13 includes: a cathode layer, an anode layer, a light-emitting layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and Hole injection layer, hole transport layer and blocking layer.
  • the material of the cathode layer is a material with a low work function. First, it can improve the efficiency of electron injection; second, it can reduce the Joule heat generated during OLED operation and increase the life of the device; the anode layer, due to the need to inject holes In the OLED, it is required to have a higher work function. Therefore, the material for the anode layer is generally ITO, IZO, Au, Pt, Si, etc.
  • the encapsulation structure layer 14 is further divided into: a first inorganic encapsulation layer 141, a first organic encapsulation layer 142, and a second inorganic encapsulation layer 143; the first inorganic encapsulation layer 141 is disposed on the OLED device layer 13 is away from the side of the thin film transistor layer 12, and the first inorganic encapsulation layer 141 is away from the OLED device layer 13 is provided with a first groove 1411, the first groove 1411 is used to The first organic encapsulation layer 142 is matched with the first protrusion 1421 provided on the side close to the base substrate 11 to enhance the adhesion between the first inorganic encapsulation layer 141 and the first organic encapsulation layer 142 And stability;
  • the first organic encapsulation layer 142 is disposed on a side of the first inorganic encapsulation layer 141 away from the OLED device layer 13, and the first organic encapsulation layer 142 is away from a side of the first inorganic encapsulation layer 141
  • a second groove 1422 is provided on the side, the first organic encapsulation layer 142 is provided with the first protrusion 1421 on the side close to the base substrate 11, and the second groove 1422 is connected to the second inorganic encapsulation layer.
  • the layer 143 is arranged on the second protrusion 1431 on the side close to the base substrate 11 to enhance the adhesion and stability between the first organic encapsulation layer 142 and the second inorganic encapsulation layer 143 ;
  • the second inorganic encapsulation layer 143 is disposed on the side of the first organic encapsulation layer 142 away from the first inorganic encapsulation layer 141, and when the first thin-film encapsulation layer 14 is not the last thin-film encapsulation layer, The side of the second inorganic encapsulation layer 143 away from the first organic encapsulation layer 142 is provided with a third groove 1432, and the third groove 1432 is connected to the next adjacent film encapsulation layer (ie, the second film).
  • the first inorganic encapsulation layer 151 of the encapsulation layer 15 cooperates with the third protrusion 1511 provided on the side close to the base substrate 11 to strengthen the first thin film encapsulation layer 14 and the second thin film encapsulation layer 15 between adhesion and stability.
  • the packaging structure layer 14 further includes a second organic packaging layer 144 and a third inorganic packaging layer 145 stacked on the second inorganic packaging layer 143 in sequence, wherein the second inorganic packaging layer 143 A third groove 1432 is provided on the side where the second organic encapsulation layer 144 contacts; the second inorganic encapsulation layer 143 is provided with a fourth groove 1442 on the side where the third inorganic encapsulation layer 145 contacts.
  • the first groove 1411 and the third groove 1432 are arranged the same, and the second groove 1422 and the fourth groove 1442 are arranged the same.
  • the first grooves 1411 are uniformly distributed in an array on the side where the first inorganic encapsulation layer 141 contacts the first organic encapsulation layer 142; the second grooves 1422 are evenly distributed in the first organic encapsulation layer 142 is the side in contact with the second inorganic encapsulation layer 143.
  • the first groove (1411, 1412) and the second groove (1422, 1522) each have a certain preset depth, preset length, and preset distance.
  • the preset lengths of the first grooves (1411, 1412) and the second grooves (1422, 1522) are both: 5-10um, and the preset distances are both: 10-20um; the first recess
  • the preset depth of the groove (1411, 1412) is 0-0.5um, and the preset depth of the second groove (1422, 1522) is 0-1um.
  • the shape of the first groove (1411, 1412) or the third groove 1432 is: rectangle, semicircle, inverted triangle, trapezoid, J-shape or crescent shape, etc., which are not limited to those shown in the drawings shape. Because the trapezoid is narrow at the top and wide at the bottom, and the J-shape and the crescent shape both have a certain radian angle, it has stronger adhesion and stability when subjected to transverse shear stress.
  • the first groove (1411, 1412) ) Or the shape of the second groove (1422, 1522) is preferably trapezoid, J-shape and crescent shape, and the trapezoid can be: isosceles trapezoid, right-angled trapezoid, isosceles right-angled trapezoid or asymmetrical trapezoid.
  • the shape of the first groove (1411, 1412) or the second groove (1422, 1522) is J-shaped or crescent-shaped
  • the groove has a certain preset Angle
  • the preset angle of the groove is: 0 degree-180 degree.
  • the first groove (1411, 1412) and the second groove (1422, 1522) may be formed by mask deposition.
  • the first grooves (1411, 1412) and the second grooves (1422, 1522) can also be prepared by photolithography technology, and the photolithography technology includes wet Method etching and dry etching; wherein, the wet etching is a technique in which etching materials are immersed in an etching solution for etching. It is a pure chemical etching with excellent selectivity. The film will stop without damaging the film of other materials underneath. Dry etching is a technique that uses plasma to etch thin films.
  • the gas exists in the form of plasma, it has two characteristics: On the one hand, the chemical activity of these gases in the plasma is much stronger than in the normal state. According to the different materials to be etched, choosing the right gas can be faster React with the material to achieve the purpose of etching and removal; on the other hand, the electric field can also be used to guide and accelerate the plasma to make it have a certain amount of energy. When it bombards the surface of the etched object, it will be etched The atoms of the material are knocked out, so as to achieve the purpose of using physical energy transfer to achieve etching. In another embodiment of the present application, the excess film layer of the first groove (1411, 1412) or the second groove (1422, 1522) can also be removed by laser cutting.
  • the preset thicknesses of the first inorganic encapsulation layer (141, 151) and the second inorganic encapsulation layer (143, 153) are both: 1-2um; the first organic encapsulation layer (142, 152) ) The preset thickness is: 6-12um.
  • the materials of the first inorganic encapsulation layer (141, 151) and the second inorganic encapsulation layer (143, 153) are the same, and both use silicon nitride; the material of the first organic encapsulation layer (142, 152) is Polymethylmethacrylate.
  • the first thin film encapsulation layer 14 and the second thin film encapsulation layer 15 need to be provided with corresponding protrusions, namely the first protrusions (1421, 1521) Is arranged on the side of the first organic encapsulation layer (142, 152) close to the base substrate 11, corresponding to the first groove (1411, 1412); the second protrusion (1431, 1531) Is arranged on the side of the second inorganic encapsulation layer (143, 153) close to the base substrate 11, corresponding to the second groove (1422, 1522); the third protrusion 1511 is arranged on the The second organic encapsulation layer 151 is close to the base substrate 11, corresponding to the third groove 1432, and the fourth protrusion 1451 is disposed on the third inorganic encapsulation layer 145 close to the base substrate
  • One side of 11 corresponds to the fourth groove 1442; therefore, the shape and size of the first protrusion (1421, 1521) are the same as the shape and size of
  • the first inorganic encapsulation layer is deposited
  • the layers (141, 151) and the second inorganic encapsulation layer (143, 153) are doped with a certain amount of metal nanoparticles
  • the metal nanoparticles can be copper, aluminum, tantalum, magnesium, platinum, silver Or one or more of lead, which can prevent the propagation of cracks and effectively improve the materials of the first inorganic packaging layer (141, 151) and the second inorganic packaging layer (143, 153) in the thin film packaging layer Brittleness; in addition, due to the good thermal conductivity of metal nanoparticles, the heat dissipation performance of the OLED display panel can also be enhanced.
  • the present application also provides a method for manufacturing an OLED display panel.
  • the specific steps of the method are: S10, providing a base substrate 11; S20, sequentially stacking on the base substrate Setting a thin film transistor layer and an OLED device layer; S30, depositing the first inorganic packaging layer on the side of the OLED device layer away from the thin film transistor layer, and using a mask on the first inorganic packaging layer away from the A first groove is formed on one side of the OLED device layer; S40, a first organic encapsulation layer is deposited on the side of the first inorganic encapsulation layer where the first groove is provided, and a mask is used in the first organic encapsulation layer A second groove is formed on the side of the layer facing away from the first inorganic encapsulation layer; S50, a second inorganic encapsulation layer is provided on the side of the first organic encapsulation layer where the second groove is provided.
  • the method further includes: S60, using the first mask to form a third groove on the side of the second inorganic encapsulation layer away from the first organic encapsulation layer; S70, in the second inorganic encapsulation layer A second organic encapsulation layer is deposited on the side where the third groove is provided, and a fourth groove is formed on the side of the second organic encapsulation layer away from the second inorganic encapsulation layer by using the second mask S80, forming a third inorganic encapsulation layer on the side of the second organic encapsulation layer where the fourth groove is provided.
  • large-molecule organic materials are generally formed by inkjet printing, while small-molecule organic materials are generally deposited by evaporation.
  • the beneficial effects of an OLED display panel and a preparation method thereof provided by the present application are as follows: First, the OLED display panel provided by the present application is provided with a groove structure in the thin film encapsulation layer, which improves the relationship between the inorganic encapsulation layer and the The adhesion and stability of the first organic encapsulation layer make it difficult for the display panel to detach when it is bent or subjected to lateral pressure, which better protects the internal film layer from external water, oxygen, impurities, etc.
  • the groove is divided into a first groove and a second groove according to the difference in thickness between the inorganic encapsulation layer and the organic encapsulation layer, the first groove There is a certain difference between the depth of the second groove and the depth of the second groove, which further improves the stability of the film package; then, in order to cooperate with the fixing of the groove, the first organic encapsulation layer and the second inorganic encapsulation layer
  • the first bump and the second bump are correspondingly provided on the side of the layer close to the base substrate; finally, in the OLED display panel provided by this application, the encapsulation layer structure layer is: "first inorganic encapsulation layer- First organic encapsulation layer-second inorganic encapsulation layer", "first inorganic encapsulation layer-first organic encapsulation layer-second inorganic encapsulation layer-second organic encapsulation layer-third inorganic encapsulation layer” or "first inorganic encapsulation layer
  • first inorganic encapsulation layer is

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Abstract

一种OLED显示面板及其制作方法，包括：依次层叠设置的衬底基板、薄膜晶体管层、OLED器件层、封装结构层；封装结构层包括：依次层叠设置的第一无机封装层、第一有机封装层以及第二无机封装层；第一无机封装层中设置有第一凹槽；第一有机封装层中有第二凹槽。

Description

OLED显示面板及其制备方法 技术领域
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
 背景技术
近年来，OLED（Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管）显示技术发展突飞猛进，OLED产品由于具有轻薄、响应快、视角广、对比度高、可弯折等优点，受到了越来越多的关注和应用，主要应用在手机、平板、电视等显示领域。
OLED显示面板由下到上包括基底层、TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管）驱动层、OLED发光层、封装层等。其中封装层包括“无机层-有机层-无机层”交替结构，以起到阻隔水氧传输的作用，避免OLED器件因外界水氧、杂质等的侵袭而失效老化。在柔性OLED显示领域，需要OLED显示面板具有较好的抗弯折性能，即OLED显示面板在弯折状态下依旧能保持良好的显示性能而不加速失效老化。因此，这就要求封装层之间具有较强的粘附性，且能较好的释放封装薄膜的内应力，在弯折状态下不发生膜层间的剥离，从而有效避免外界水氧、杂质等从剥离处入侵到显示面板的内部膜层，致使OLED显示面板被氧化而失效。
但现有的薄膜封装中，无机层与有机层之间，有机层与无机层之间一般是平整、光滑的，且有机层与无机层的材料是不同的，在发生弯折或是受到横向压力时，容易错位或是产生剥离的现象，使得外部水氧、杂质等侵入内部膜层，影响内部膜层的质量。
因此，现有的有机发光二极管显示技术中，还存在着薄膜封装结构的无机层与有机层之间的稳定性、粘附性不佳，使得内部膜层容易受到外界水汽、杂质的影响，从而影响显示面板质量的问题，急需改进。
 技术问题
本申请涉及一种OLED显示面板及其制备方法，用于解决现有技术中存在着薄膜封装结构的无机层与有机层之间的稳定性、粘附性不佳，使得内部膜层容易受到外界水汽、杂质的影响，从而影响显示面板质量的问题。
 技术解决方案
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供的一种OLED显示面板，包括：依次层叠设置的衬底基板、薄膜晶体管层、OLED器件层、封装结构层；所述封装结构层包括：依次层叠设置的第一无机封装层、第一有机封装层以及第二无机封装层；其中，
所述第一无机封装层在与所述第一有机封装层接触的一侧设置有第一凹槽；
所述第一有机封装层在与所述第二无机封装层接触的一侧设置有第二凹槽；
所述第一无机封装层的膜厚与所述第二无机封装层的膜厚相同。
根据本申请提供的一实施例，所述封装结构层还包括：依次层叠设置在所述第二无机封装层上的第二有机封装层和第三无机封装层，其中，
所述第二无机封装层在与所述第二有机封装层接触的一侧设置有第三凹槽；
所述第二有机封装层在与所述第三无机封装层接触的一侧设置有第四凹槽。
根据本申请提供的一实施例，所述第一凹槽与所述第三凹槽相同设置，所述第二凹槽与所述第四凹槽相同设置。
根据本申请提供的一实施例，所述第一凹槽均匀阵列分布在所述第一无机封装层靠近所述第一有机封装层一侧；所述第二凹槽均匀分布在所述第一有机封装层靠近所述第二无机封装层一侧。
根据本申请提供的一实施例，所述第一凹槽和所述第二凹槽的预设长度均为：5-10um，其预设间距均为：10-20um；所述第一凹槽的预设深度为：0-0.5um，所述第二凹槽的预设深度为：0-1um。
根据本申请提供的一实施例，所述第一凹槽和所述第二凹槽的形状为：矩形、半圆形、倒三角形、梯形、J字形或是月牙形中任一种或多种的组合。
根据本申请提供的一实施例，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的预设厚度均为：1-2um；所述第一有机封装层的预设厚度为：6-12um。
根据本申请提供的一实施例，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的材料相同，均采用氮化硅；所述第一有机封装层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
根据本申请提供的一实施例，所述衬底基板为刚性基板、柔性基板或是通过聚酰亚胺涂布在玻璃基板上制得。
根据本申请提供的一实施例，所述薄膜晶体管层为顶栅型薄膜晶体管或是底栅型薄膜晶体管。
根据本申请提供的一实施例，所述OLED器件层中的阴极层采用低功函数的材料制得。
本申请还提供一种OLED显示面板，包括：依次层叠设置的衬底基板、薄膜晶体管层、OLED器件层、封装结构层；所述封装结构层包括：依次层叠设置的第一无机封装层、第一有机封装层以及第二无机封装层；其中，
所述第一无机封装层在与所述第一有机封装层接触的一侧设置有第一凹槽；
所述第一有机封装层在与所述第二无机封装层接触的一侧设置有第二凹槽。
根据本申请提供的一实施例，所述封装结构层还包括：依次层叠设置在所述第二无机封装层上的第二有机封装层和第三无机封装层，其中，
所述第二无机封装层在与所述第二有机封装层接触的一侧设置有第三凹槽；
所述第二有机封装层在与所述第三无机封装层接触的一侧设置有第四凹槽。
根据本申请提供的一实施例，所述第一凹槽与所述第三凹槽相同设置，所述第二凹槽与所述第四凹槽相同设置。
根据本申请提供的一实施例，所述第一凹槽均匀阵列分布在所述第一无机封装层与所述第一有机封装层接触的一侧；所述第二凹槽均匀分布在所述第一有机封装层与所述第二无机封装层接触的一侧。
根据本申请提供的一实施例，所述第一凹槽和所述第二凹槽的预设长度均为：5-10um，其预设间距均为：10-20um；所述第一凹槽的预设深度为：0-0.5um，所述第二凹槽的预设深度为：0-1um。
本申请还提供一种OLED显示面板的制作方法，其中，包括如下步骤：
S10，提供一衬底基板；
S20，依次在所述衬底基板上层叠设置薄膜晶体管层和OLED器件层；
S30，在所述OLED器件层背离所述薄膜晶体管层的一侧沉积所述第一无机封装层，并采用第一掩膜板在所述第一无机封装层背离所述OLED器件层一侧形成第一凹槽；
S40，在所述第一无机封装层设置有第一凹槽的一侧沉积第一有机封装层，并采用第二掩膜板在所述第一有机封装层背离所述第一无机封装层的一侧形成第二凹槽；
S50，在所述第一有机封装层设置有第二凹槽的一侧设置第二无机封装层。
根据本申请提供的一实施例，所述方法还包括：
S60，采用所述第一掩膜板在所述第二无机封装层背离所述第一有机封装层的一侧形成第三凹槽；
S70，在所述第二无机封装层设置有第三凹槽的一侧沉积第二有机封装层，并采用所述第二掩膜板在所述第二有机封装层背离所述第二无机封装层的一侧形成第四凹槽；
S80，在所述第二有机封装层设置有所述第四凹槽的一侧形成第三无机封装层。
根据本申请提供的一实施例，所述第一掩膜板的形状区别于所述第二掩膜板的形状。
根据本申请提供的一实施例，所述第一有机封装层和所述第二有机封装层均通过喷墨打印的方法制备，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的沉积采用化学气相沉积法。
 有益效果
与现有技术相比，本申请提供的一种OLED显示面板具备以下有益效果：
1.      本申请所提供的OLED显示面板，首先，其在薄膜封装层中设置凹槽结构，提高了所述无机封装层与所述第一有机封装层的粘附性和稳定性，使得显示面板在弯折或是受到横向压力时，不容易发生脱离，更好的保护了内部膜层免受外界水氧、杂质等的伤害，提高了显示面板的质量；
2.      其次，所述凹槽根据所述无机封装层与所述第一有机封装层的厚度的不同分为：第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度存在一定的差异，进一步提高了薄膜封装的稳定性；
3.      为了配合所述凹槽的固定，分别在所述第一有机封装层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层靠近所述衬底基板一侧对应设置所述第一凸起和所述第二凸起；
4.      最后，本申请所提供的OLED显示面板，其封装层结构层为：“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层”、“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层-第二有机封装层-第三无机封装层”或是“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层-第二有机封装层-第三无机封装层-第三有机封装层-第四无机封装层”的多层封装结构所组成，降低了OLED显示面板的薄膜封装层产生剥离的风险。
 附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的第一结构示意图。
图2A-2I为本申请实施例提供的OLED显示面板的制作工艺图。
图3为本申请实施例提供的OLED显示面板的第二结构示意图。
图4为本申请实施例提供的OLED显示面板的第三结构示意图。
图5为本申请实施例提供的OLED显示面板制作方法的流程示意图。
 本发明的实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请提供一种OLED显示面板及其制备方法，具体参阅图1-图5。
目前OLED显示领域的薄膜封装层一般为“无机封装层-有机封装层-无机封装层”的交替结构，当发生弯折或是横向受到压力作用时，其无机封装层与有机封装层之间的膜层容易产生剥离，从而导致封装失效。因此，本申请针对现有的薄膜封装层稳定性不佳，易产生剥离，不能有效阻挡外界水氧、杂质等对内部膜层的侵蚀的现象提供了一种OLED显示面板及其制作方法。首先，通过在所述薄膜封装层中的有机封装层与无机封装层之间设置凹槽结构，使得所述第一有机封装层与所述无机封装层即使在发生弯折或是受到横向压力时也不容易发生剥离，同时，对应地在所述第一有机封装层靠近所述衬底基板的一侧设置第一凸起，所述第二无机封装层在靠近所述衬底基板的一侧设置第二凸起，相邻的，所述第二有机封装层靠近所述衬底基板的一侧设置第三凸起，所述第三无机封装层在靠近所述衬底基板的一侧设置有第四凸起，使得所述第一凸起与所述第一凹槽配合，所述第二凸起与所述第二凹槽配合，所述第三凸起与所述第三凹槽配合，所述第四凸起与所述第四凹槽配合；此外，为了更进一步地增强OLED显示面板的所述薄膜封装层的封装效果，可以设置多组所述薄膜封装层，即不限于“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层”的组合，详见附图3，还可以是“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层-第二有机封装层-第三无机封装层”或是“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层-第二有机封装层-第三无机封装层-第三有机封装层-第四无机封装层”，详见附图1和图4，进一步降低了OLED显示面板的薄膜封装层产生剥离的风险，并增强了OLED显示面板的弯折性能。
参阅图1，为本申请实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。在本申请的一种实施例中，所述OLED显示面板包括：衬底基板11，在本申请的一种实施例中，所述衬底基板11可以为刚性基板，如玻璃基板或是石英基板；优选柔性基板，如树脂基板，可以是聚酰亚胺基板、聚酰胺基板、聚碳酸酯基板、聚醚砜基板等有机物基板；在本申请的另一种实施例中，所述衬底基板11也可以是通过PI(英文全称：polyimide film；聚酰亚胺)涂布机涂布在干净的玻璃基板上，然后再经过高温固化等工艺处理得到的。由于PI薄膜具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性，由此制成的衬底基板具有良好的柔韧性；
薄膜晶体管层12，设置在所述衬底基板11一侧，采用化学气相沉积法制得，所述薄膜晶体管层12内部包括：栅极层和源漏极层，所述薄膜晶体管可以是顶栅型薄膜晶体管或是底栅型薄膜晶体管；
OLED器件层13，设置在所述薄膜晶体管层12背离所述衬底基板11的一侧，所述OLED器件层13包括：阴极层，阳极层，发光层，电子注入层，电子传输层，空穴注入层，空穴传输层以及阻挡层。其中，所述阴极层的材料采用低功函数的材料，一是可以提高电子注入的效率；二是可以降低OLED工作时产生的焦耳热，提高器件的寿命；阳极层，由于需要将空穴注入到OLED中，因此需要其具有较高的功函数，因此，所述阳极层一般选用的材料为ITO，IZO，Au，Pt，Si等等。
封装结构层14，所述封装结构层14又分为：第一无机封装层141、第一有机封装层142以及第二无机封装层143；第一无机封装层141，设置在所述OLED器件层13背离所述薄膜晶体管层12的一侧，且所述第一无机封装层141背离所述OLED器件层13一侧设置有第一凹槽1411，所述第一凹槽1411用于与所述第一有机封装层142靠近所述衬底基板11一侧设置的所述第一凸起1421配合，增强所述第一无机封装层141与所述第一有机封装层142之间的粘附性和稳定性；
所述第一有机封装层142，设置在所述第一无机封装层141背离所述OLED器件层13的一侧，且所述第一有机封装层142背离所述第一无机封装层141的一侧设置有第二凹槽1422，所述第一有机封装层142靠近所述衬底基板11一侧设置有所述第一凸起1421，所述第二凹槽1422与所述第二无机封装层143设置在靠近所述衬底基板11一侧的所述第二凸起1431配合，增强所述第一有机封装层142与所述第二无机封装层143之间的粘附性和稳定性；
所述第二无机封装层143，设置在所述第一有机封装层142背离所述第一无机封装层141的一侧，且当第一薄膜封装层14不是最后一层薄膜封装层时，所述第二无机封装层143背离所述第一有机封装层142的一侧设置有第三凹槽1432，所述第三凹槽1432与相邻的下一个所述薄膜封装层（即第二薄膜封装层15）的所述第一无机封装层151靠近所述衬底基板11一侧设置的所述第三凸起1511配合，增强所述第一薄膜封装层14与所述第二薄膜封装层15之间的粘附性和稳定性。
所述封装结构层14还包括设置：依次层叠设置在所述第二无机封装层143上的第二有机封装层144和第三无机封装层145，其中，所述第二无机封装层143在与所述第二有机封装层144接触的一侧设置有第三凹槽1432；所述第二无机封装层143在于所述第三无机封装层145接触的一侧设置有第四凹槽1442。所述第一凹槽1411与所述第三凹槽1432相同设置，所述第二凹槽1422与所述第四凹槽1442相同设置。
所述第一凹槽1411均匀阵列分布在所述第一无机封装层141与所述第一有机封装层142接触的一侧；所述第二凹槽1422均匀分布在所述第一有机封装层142与所述第二无机封装层143接触的一侧。
在本申请的一种实施例中，所述第一凹槽（1411、1412）和所述第二凹槽（1422、1522）均具有一定的预设深度、预设长度和预设间距。所述第一凹槽（1411、1412）和所述第二凹槽（1422、1522）的预设长度均为：5-10um，其预设间距均为：10-20um；所述第一凹槽（1411、1412）的预设深度为：0-0.5um，所述第二凹槽（1422、1522）的预设深度为：0-1um。且所述第一凹槽（1411、1412）或是所述第三凹槽1432的形状为：矩形、半圆形、倒三角形、梯形、J字形或是月牙形等，不限于附图所示的形状。由于梯形上窄下宽，而J字形和月牙形均呈一定的弧度角，使得其在受到横向切应力时，粘附性和稳定性更强，因此，所述第一凹槽（1411、1412）或是第二凹槽（1422、1522）的形状优选梯形、J字形和月牙形，所述梯形可以是：等腰梯形、直角梯形、等腰直角梯形或是非对称梯形。同时，为了方便制备，当所述第一凹槽（1411、1412）或是所述第二凹槽（1422、1522）的形状为J字形或是月牙形时，其凹槽具备一定的预设角度，所述凹槽的预设角度为：0度-180度。
进一步地，在本申请的一种实施例中，所述第一凹槽（1411、1412）和所述第二凹槽（1422、1522）可以通过掩膜板沉积形成。在本申请的另一实施例中，所述第一凹槽（1411、1412）和所述第二凹槽（1422、1522）也可以通过光刻技术制备而成，所述光刻技术包括湿法刻蚀和干法刻蚀；其中，所述湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。在本申请的另一实施例中，所述第一凹槽（1411、1412）或是所述第二凹槽（1422、1522）多余的膜层还可以通过激光切割的方法去除。
进一步地，所述第一无机封装层（141、151）和所述第二无机封装层（143、153）的预设厚度均为：1-2um；所述第一有机封装层（142、152）的预设厚度为：6-12um。所述第一无机封装层（141、151）和所述第二无机封装层（143、153）的材料相同，均采用氮化硅；所述第一有机封装层（142、152）的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
进一步地，为了与所述凹槽配合，所述第一薄膜封装层14和所述第二薄膜封装层15内还需要对应设置相应的凸起，即所述第一凸起（1421、1521）设置在所述第一有机封装层（142、152）靠近所述衬底基板11的一侧，对应于所述第一凹槽（1411、1412）；所述第二凸起（1431、1531）设置在所述第二无机封装层（143、153）靠近所述衬底基板11的一侧，对应于所述第二凹槽（1422、1522）；所述第三凸起1511设置在所述第二有机封装层151靠近所述衬底基板11的一侧，对应于所述第三凹槽1432，所述第四凸起1451设置在所述第三无机封装层145靠近所述衬底基板11的一侧，对应于所述第四凹槽1442；因此，所述第一凸起（1421、1521）的形状、大小与所述第一凹槽（1411、1432）的形状、大小相同；所述第二凸起（1431、1531）的形状、大小与所述第二凹槽（1422、1522）的形状、大小相同。
在本申请的另一实施例中，为了增强所述第一无机封装层（141、151）、所述第二无机封装层（143、153）的强度和韧性，在沉积所述第一无机封装层（141、151）和所述第二无机封装层（143、153）时，在其中掺杂一定量的金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒可采用铜、铝、钽、镁、铂、银或是铅中的一种或多种，可以阻止裂纹的扩展，有效改善薄膜封装层中所述第一无机封装层（141、151）和所述第二无机封装层（143、153）材料的脆性；此外，由于金属纳米颗粒具有良好的导热性，还可以增强所述OLED显示面板的散热性能。
参阅图2A-图2I以及图5，本申请还提供一种OLED显示面板的制作方法，该方法的具体步骤为：S10，提供一衬底基板11；S20，依次在所述衬底基板上层叠设置薄膜晶体管层和OLED器件层；S30，在所述OLED器件层背离所述薄膜晶体管层的一侧沉积所述第一无机封装层，并采用掩膜板在所述第一无机封装层背离所述OLED器件层一侧形成第一凹槽；S40，在所述第一无机封装层设置有第一凹槽的一侧沉积第一有机封装层，并采用掩膜板在所述第一有机封装层背离所述第一无机封装层的一侧形成第二凹槽；S50，在所述第一有机封装层设置有第二凹槽的一侧设置第二无机封装层。所述方法还包括：S60，采用所述第一掩膜板在所述第二无机封装层背离所述第一有机封装层的一侧形成第三凹槽；S70，在所述第二无机封装层设置有第三凹槽的一侧沉积第二有机封装层，并采用所述第二掩膜板在所述第二有机封装层背离所述第二无机封装层的一侧形成第四凹槽；S80，在所述第二有机封装层设置有所述第四凹槽的一侧形成第三无机封装层。
在制备所述薄膜封装层时，大分子有机材料一般采用喷墨打印的方式进行成膜，而小分子有机材料一般采用蒸镀的方式进行薄膜沉积。
因此，本申请提供的一种OLED显示面板及其制备方法的有益效果为：首先，本申请所提供的OLED显示面板，其在薄膜封装层中设置凹槽结构，提高了所述无机封装层与所述第一有机封装层的粘附性和稳定性，使得显示面板在弯折或是受到横向压力时，不容易发生脱离，更好的保护了内部膜层免受外界水氧、杂质等的伤害，提高了显示面板的质量；其次，所述凹槽根据所述无机封装层与所述有机封装层的厚度的不同分为：第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度存在一定的差异，进一步提高了薄膜封装的稳定性；然后，为了配合所述凹槽的固定，分别在所述第一有机封装层和所述第二无机封装层靠近所述衬底基板一侧对应设置所述第一凸起和所述第二凸起；最后，本申请所提供的OLED显示面板，其封装层结构层为：“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层”、“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层-第二有机封装层-第三无机封装层”或是“第一无机封装层-第一有机封装层-第二无机封装层-第二有机封装层-第三无机封装层-第三有机封装层-第四无机封装层”的多层封装结构所组成，进一步降低了OLED显示面板的薄膜封装层产生剥离的风险。
以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (20)

  1. 一种OLED显示面板，包括：依次层叠设置的衬底基板、薄膜晶体管层、OLED器件层、封装结构层；所述封装结构层包括：依次层叠设置的第一无机封装层、第一有机封装层以及第二无机封装层；其中，
    所述第一无机封装层在与所述第一有机封装层接触的一侧设置有第一凹槽；
    所述第一有机封装层在与所述第二无机封装层接触的一侧设置有第二凹槽；
    所述第一无机封装层的膜厚与所述第二无机封装层的膜厚相同。
  2. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述封装结构层还包括：依次层叠设置在所述第二无机封装层上的第二有机封装层和第三无机封装层，其中，
    所述第二无机封装层在与所述第二有机封装层接触的一侧设置有第三凹槽；
    所述第二有机封装层在与所述第三无机封装层接触的一侧设置有第四凹槽。
  3. 根据权利要求2所述的OLED显示面板，其中，所述第一凹槽与所述第三凹槽相同设置，所述第二凹槽与所述第四凹槽相同设置。
  4. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述第一凹槽均匀阵列分布在所述第一无机封装层与所述第一有机封装层接触的一侧；所述第二凹槽均匀分布在所述第一有机封装层与所述第二无机封装层接触的一侧。
  5. 根据权利要求4所述的OLED显示面板，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的预设长度均为：5-10um，其预设间距均为：10-20um；所述第一凹槽的预设深度为：0-0.5um，所述第二凹槽的预设深度为：0-1um。
  6. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的形状为：矩形、半圆形、倒三角形、梯形、J字形或是月牙形中任一种或多种的组合。
  7. 根据权利要求1述的OLED显示面板，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的预设厚度均为：1-2um；所述第一有机封装层的预设厚度为：6-12um。
  8. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的材料相同，均采用氮化硅；所述第一有机封装层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
  9. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述衬底基板为刚性基板、柔性基板或是通过聚酰亚胺涂布在玻璃基板上制得。
  10. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述薄膜晶体管层为顶栅型薄膜晶体管或是底栅型薄膜晶体管。
  11. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述OLED器件层中的阴极层采用低功函数的材料制得。
  12. 一种OLED显示面板，包括：依次层叠设置的衬底基板、薄膜晶体管层、OLED器件层、封装结构层；所述封装结构层包括：依次层叠设置的第一无机封装层、第一有机封装层以及第二无机封装层；其中，
    所述第一无机封装层在与所述第一有机封装层接触的一侧设置有第一凹槽；
    所述第一有机封装层在与所述第二无机封装层接触的一侧设置有第二凹槽。
  13. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述封装结构层还包括：依次层叠设置在所述第二无机封装层上的第二有机封装层和第三无机封装层，其中，
    所述第二无机封装层在与所述第二有机封装层接触的一侧设置有第三凹槽；
    所述第二有机封装层在与所述第三无机封装层接触的一侧设置有第四凹槽。
  14. 根据权利要求2所述的OLED显示面板，其中，所述第一凹槽与所述第三凹槽相同设置，所述第二凹槽与所述第四凹槽相同设置。
  15. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述第一凹槽均匀阵列分布在所述第一无机封装层与所述第一有机封装层接触的一侧；所述第二凹槽均匀分布在所述第一有机封装层与所述第二无机封装层接触的一侧。
  16. 根据权利要求4所述的OLED显示面板，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的预设长度均为：5-10um，其预设间距均为：10-20um；所述第一凹槽的预设深度为：0-0.5um，所述第二凹槽的预设深度为：0-1um。
  17.    一种OLED显示面板的制作方法，其中，包括如下步骤：
    S10，提供一衬底基板；
    S20，依次在所述衬底基板上层叠设置薄膜晶体管层和OLED器件层；
    S30，在所述OLED器件层背离所述薄膜晶体管层的一侧沉积所述第一无机封装层，并采用第一掩膜板在所述第一无机封装层背离所述OLED器件层一侧形成第一凹槽；
    S40，在所述第一无机封装层设置有第一凹槽的一侧沉积第一有机封装层，并采用第二掩膜板在所述第一有机封装层背离所述第一无机封装层的一侧形成第二凹槽；
    S50，在所述第一有机封装层设置有所述第二凹槽的一侧形成第二无机封装层。
  18. 根据权利要求17所述的OLED显示面板的制作方法，其中，所述方法还包括：
    S60，采用所述第一掩膜板在所述第二无机封装层背离所述第一有机封装层的一侧形成第三凹槽；
    S70，在所述第二无机封装层设置有第三凹槽的一侧沉积第二有机封装层，并采用所述第二掩膜板在所述第二有机封装层背离所述第二无机封装层的一侧形成第四凹槽；
    S80，在所述第二有机封装层设置有所述第四凹槽的一侧形成第三无机封装层。
  19. 根据权利要求17所述的OLED显示面板的制作方法，其中，所述第一掩膜板的形状区别于所述第二掩膜板的形状。
  20. 根据权利要求17所述的OLED显示面板的制作方法，其中，所述第一有机封装层和所述第二有机封装层均通过喷墨打印的方法制备，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的沉积采用化学气相沉积法。
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