CN104641485A - 用于制造严密密封的腔的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施方式中提供一种设备,所述设备具有:第一载体(102),所述第一载体用至少一种ALD前驱体(302)和/或至少一种MLD前驱体(302);第二载体(104),所述第二载体用与所述第一载体(102)的至少一种ALD前驱体(302)和/或MLD前驱体(302)互补的至少一种ALD前驱体(304)和/或至少一种MLD前驱体(304)占据,其中第一载体(102)与第二载体(104)至少部分地借助于第一载体(102)的ALD前驱体(302)和第二载体(104)的ALD前驱体(304)之间的或者第一载体(102)的MLD前驱体(302)或者第二载体(104)的MLD前驱体(304)之间的原子键合部(118)来连接,使得形成ALD层(118)或者MLD层(118)。

Description

用于制造严密密封的腔的设备和方法
技术领域
不同的实施例涉及用于制造严密密封的腔的设备和方法。
背景技术
面状的有机器件、例如有机发光二极管或者有机光伏模块应被保护(封装)以免有害材料侵入、例如以免氧和水侵入,否则会产生有机层的有机材料或者材料混合物的不受控的老化或者退化。
面状的器件的传统的封装方法是腔封装,其中腔玻璃借助于吸气剂粘接到面状的器件上。该方法是相对昂贵的并且仅适合于机械刚性的面状的器件。
此外通常用于面状的器件的是原位的薄层封装,其中薄的封装层直接在面状的器件上制造(封装部)并且必要时也在器件下方的衬底上制造(阻挡部)。封装在此必须原位进行从而延长了工艺流并且提高了关于构件的深加工。
此外,具有阻挡薄膜的面状的构件的层叠是常用的。在此,通过下方的阻挡薄膜直接粘接在上部的阻挡薄膜上的方式,面状的阻挡薄膜通常在构成保护边缘的条件下粘接到面状的器件上和面状的器件下。阻挡薄膜例如是塑料薄膜,所述塑料薄膜设有例如由SiO2、SiN或者金属膜构成的阻挡层。然而在阻挡薄膜的棱边处,水和氧的侵入仅由层叠粘接剂限制。然而迄今为止已知的粘接剂仅具有关于水和氧受限的密封性。此外,在层压的面状的器件的边缘处产生在层压的构件的阻挡作用方面的薄弱部位,所述薄弱部位会导致边缘泄漏。
发明内容
在不同的实施方式中提供用于制造关于水和氧严密密封的腔的设备和方法,借助于所述设备和方法例如可行的是,在没有传统的粘接剂的情况下以严密密封地封装对于水和氧敏感的材料、材料混合物或者具有阻挡薄膜的器件。
在本说明书的范围中,能够不考虑相应的聚集态将有机材料理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的碳化合物。此外,在本说明书的范围中,能够不考虑相应的聚集态将无机材料理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的不具有碳的化合物或单碳化合物。在本说明书的范围中,能够不考虑相应的聚集态将有机-无机材料(杂化材料)理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的具有包含碳的化合物部分和不具有碳的化合物部分的化合物。在本说明书的范围中,术语“材料”包括全部上述材料,例如有机材料、无机材料和/或杂化材料。此外,在本说明书的范围中,能够如下理解材料混合物:组成部分由两种或更多种不同的材料构成,其组成部分例如非常精细地分布。将由一种或多种有机材料、一种或多种无机材料或一种或多种杂化材料组成的材料混合物或材料理解为材料类。术语“物质”能够与术语“材料”同义地应用。
借助于用于原子层沉积(ALD:atomic layer deposition)的方法在不同的技术领域中可复现地制造非常薄的功能层,例如在光学中、在半导体生产中并且在光电子学中。
在术语“原子层沉积”下已知如下方法,其中,为了制造层,将为此所需要的原材料(前驱体)并非同时地、而是相继交替地输送给在也称作为反应器的、具有待覆层的衬底的覆层室中。原始材料在此能够交替地聚集在待覆层的衬底的表面上或者之前已聚集的原始材料上从而形成一种化学化合物。由此可行的是,对于每次重复循环、即对于在相继的子步骤中输送必要的原材料,分别最多生长单层的待施加的层。借助于循环的数量可以良好地控制层厚度。首先输送的原始材料仅聚集在待覆层的表面上并且随后输送的第二原始材料才能够与第一原始材料形成化学反应。原材料的化学反应借助于表面上的反应参与者的数量来限制、即自限制。
类似的自限制性的表面反应能够用于构成有机膜、例如聚合物膜、例如聚酰胺。有机膜的这种构成能够被称作为分子层沉积(molecularlayer deposition MLD),因为每次循环,分子的一部分就被施加在表面上。MLD前驱体能够具有同双官能的反应物,换句话说,原材料能够分别具有两个相同的官能团。每个层的自终止的MLD反应能够借助于异双官能的反应物构成,也就是说,每个原材料具有两个不同的官能团。官能团中的一个能够与表面的化学基团反应并且官能团中的另一个不能与其反应。异双官能的反应物由此能够仅单官能地构成从而防止彼此间的双重反应,所述双重反应例如能够导致聚合物链的终止。
除了异双官能的反应物,双重反应还能够借助于掩蔽的或者受保护的官能性来实现,其中掩蔽的或者受保护的官能性仅在反应时开放。
存在多个开环反应,所述开环反应产生羟基(-OH)、胺基(-NH2)或者羧基(-COOH)。环氧环例如能够与胺基基团在衬底表面上进行反应,以便产生羟基基团。环状氮杂硅烷(zyklisches Azasilan)、例如2,2-二甲氧基-1,6-二氮杂-2-硅杂环辛烷,能够与衬底表面上的羟基基团产生胺基基团。环状碳酸酯、例如碳酸乙烯酯能够与衬底表面上的胺基基团产生羟基基团。
有机聚合物和有机无机混合聚合物的分子层沉积也能够借助于三阶段法来构成。三阶段法能够提高分子层沉积的灵活性并且包括不同的有机成分。附加地,能够借助于三阶段法提高可能的异双官能的反应物的不同组合的数量,所述异双官能的反应物能够用于限定MLD法。三阶段法的一个实例例如是三甲基铝、乙醇胺和马来酸酐的序列反应。该方法具有金属烷基反应物、异双官能的反应物和开环反应物。该三阶段的方法避免双重反应的可能性并且能够引起非常鲁棒的且线性的分子层生长。其它可行的具有异双官能的反应物、开环反应物和带有掩蔽的或者受保护的官能性的反应物的三阶段方法能够实现用于有机的MLD膜和有机无机的混合MLD膜的分子层沉积的广泛可行性。此外,通常具有四个或更多个阶段的方法也是可行的。四阶段法的一个实例例如能够具有三甲基铝/水/二甲基甲氧基氯硅烷/水以产生聚二甲基硅氧烷膜(硅酮)。
借助于ALD和MLD能够实现非常一致的层生长,其中具有大的长宽比的表面也能够被均匀地覆盖。
在不同的实施方式中,提供一种设备,所述设备具有:第一载体,所述第一载体用至少一种ALD前驱体和/或至少一种MLD前驱体占据;第二载体,所述第二载体用与第一载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体互补的至少一种ALD前驱体和/或至少一种MLD前驱体占据;其中第一载体与第二载体至少部分地借助于第一载体的ALD前驱体和第二载体的ALD前驱体之间的或者第一载体的MLD前驱体和第二载体的MLD前驱体之间的原子键合部来连接,使得形成ALD层或者MLD层。
在一个设计方案中,第一载体能够机械弹性地构成。
在又一个设计方案中,第一载体能够是面状的。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有在几何上复杂的三维形状。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有关于有害材料例如水和/或氧的扩散阻挡部。
在又一个设计方案中,第一载体的材料或者材料混合物能够具有关于有害材料例如水和/或氧的固有的扩散阻挡部。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有第一系统载体和第一封装层或者由其形成,并且第一载体的关于有害材料例如水和/或氧的扩散阻挡部能够借助于第一封装层构成。系统载体在此能够被理解为自承式的衬底,例如薄膜或者玻璃衬底,其中系统衬底也能够仅借助于封装层严密密封从而能够成为严密密封的载体。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有无机材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述材料中的材料或合金:铁、钢、铝、铜、银、金、钯、镁、钛、铂、镍、锡、锌。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述的材料中的材料:玻璃、石英玻璃、蓝宝石、碳化硅、石墨烯、金刚石。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述的材料中的材料或者材料混合物:半导体材料:元素半导体:硅、锗、α-锡、碳化合物、例如富勒烯、硼、硒、碲;化合物半导体:铟、镓、砷、磷、锑、氮、锌、镉、铍、汞;有机半导体:四苯、并五苯、酞菁、聚噻吩、PTCDA、MePTCDT、喹吖啶酮、吖啶酮、阴丹酮、黄烷、紫环酮、Alq3;以及混合体系:聚乙烯咔唑、TCNQ络合物。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有有机材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述材料中的材料或者由其形成:聚烯烃(例如高密度或者低密度的聚乙烯(PE)或者聚丙烯(PP))、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酮(PEEK)。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有有机无机混合材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有由有机改性的陶瓷构成的材料组中的材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有材料混合物或者由其形成。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述材料中的材料混合物或者由其形成:无机材料、有机材料和/或混合材料。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有从大约1.0μm至大约5μm的厚度,其中所述载体是自承式的。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有大约5μm至大约200μm的厚度。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有大约200μm至大约20cm的厚度。
在又一个设计方案中,第一载体的表面能够具有结构化部。
在又一个设计方案中,第一载体的表面能够具有在微观上改变的表面形貌。
表面形貌在此能够具有周期性地、任意地或者分离地设置的隆起部和/或凹陷部,所述隆起部和/或凹陷部具有大约100nm至大约5cm的高度或深度和大约100nm至大约1m的长度和/或宽度。隆起部或者凹陷部能够具有任意可以想象的几何形状,例如球形或者截球、例如半球或者2/3球、柱形、立方体形、金字塔形或者具有三个或者更多个侧面的多边形,或者具有在几何上复杂的形状,例如呈钩或者环、例如孔眼的形状。
在又一个设计方案中,第一载体的表面能够具有不同的ALD前驱体和/或不同的MLD前驱体。
表面的形貌结构化的区域例如能够具有其它的ALD前驱体和/或其它的MLD前驱体作为未结构化的区域。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有机械弹性。
在又一个设计方案中,第二载体能够是面状的。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有在几何上复杂的三维形状,例如罐形、桶形、管形、翼形、船身形。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有关于有害材料例如水和/或氧的扩散阻挡部。
在又一个设计方案中,第二载体的材料或者材料混合物能够具有关于有害材料例如水和/或氧的固有的扩散阻挡部。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有第二系统载体和第二封装层或者由其形成,并且第二载体的关于有害材料例如水和/或氧的扩散阻挡部能够借助于第二封装层构成。系统载体在此能够被理解为自承式的衬底,例如薄膜或者玻璃衬底,其中系统载体也能够仅借助于封装层严密密封从而能够成为严密密封的载体。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有无机材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料或者合金:铁、钢、铝、铜、银、金、钯、镁、钛、铂、镍、锡、锌。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料:玻璃、石英玻璃、蓝宝石、碳化硅、石墨烯、金刚石。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料:半导体材料:硅、锗、α-锡、碳化合物例如富勒烯、硼、硒、碲;化合物半导体:铟、镓、砷、磷、锑、氮、锌、镉、铍、汞;有机半导体:四苯、并五苯、酞菁、聚噻吩、PTCDA、MePTCDT、喹吖啶酮、吖啶酮、阴丹酮、黄烷、紫环酮、Alq3;以及混合体系:聚乙烯咔唑、TCNQ络合物。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有有机材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料或者由其形成:聚烯烃(例如高密度或者低密度的聚乙烯(PE)或者聚丙烯(PP))、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酮(PEEK)。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有有机无机混合材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有由有机改性的陶瓷构成的材料的组中的材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有材料混合物或者由其形成。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料混合物或者由其形成:无机材料、有机材料和/或混合材料。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有大约0.1μm至大约5μm的厚度,其中所述载体是自承式的。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有大约5μm至大约200μm的厚度。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有大约200μm至大约20cm的厚度。
在又一个设计方案中,第二载体的表面能够具有结构化部。
在又一个设计方案中,第二载体的表面能够具有在微观上改变的表面形貌。
表面形貌在此能够具有周期性地、任意地或者分离地设置的隆起部和/或凹陷部,所述隆起部和/或凹陷部具有大约100nm至大约5cm的高度或深度和大约100nm至大约100m的长度和/或宽度。隆起部或者凹陷部能够具有任意可以想象的几何形状,例如球形或者球截、例如半球或者2/3球、柱形、立方体形、金字塔形或者具有三个或者更多个侧面的多边形,或者具有在几何上复杂的形状,例如呈钩或者环、例如孔眼的形状。
在又一个设计方案中,第二载体的表面能够具有不同的ALD前驱体和/或不同的MLD前驱体。
表面的形貌结构化的区域例如能够具有其它的ALD前驱体和/或其它的MLD前驱体作为未结构化的区域。结构化的或者未结构化的区域在此涉及表面平面的高度水平,所述表面平面构成载体表面的主要部分。
在又一个设计方案中,第一载体的化学结构化的和/或形貌结构化的表面具有与第二载体的化学结构化的和/或形貌结构化的表面互补的结构,也就是说,在化学上、形貌上满足钥匙锁原理。
借助于第一系统载体相对于第二系统载体的在微观上互补的结构化,能够在物理上提高连接层的抗剪和抗拉能力。由此能够提高腔的机械持久性,例如当正压或者负压对腔起作用时。互补的结构例如能够是微观的钩和孔眼或者隆起部和凹陷部。
系统载体的表面形貌在此能够具有周期性地、任意地或者分离地设置的隆起部和/或凹陷部,所述隆起部和/或凹陷部具有大约100nm至大约5cm的高度或深度和从大约100nm至大约100m的长度和/或宽度。隆起部或者凹陷部能够具有任意可以想象的几何形状,例如球形或者球截例、如半球或者2/3球、柱形、立方体形、金字塔形或者具有三个或者更多个侧面的多边形,或者具有在几何上复杂的形状,例如呈钩或者环(孔眼)的形状。然而也能够有利的是,仅对第一载体结构化并且保持第二载体未结构化,也就是说,第二载体具有光滑的表面。结构化部随后能够用作为被封装的通孔,例如用于电接触穿过封装部的在腔内部的光电子器件。
在另一个设计方案中,第一载体的在形貌上以互补的方式结构化的表面区域能够具有第二载体的前驱体并且第二载体的在形貌上以互补的方式结构化的表面区域具有第一载体的前驱体。连接层的形成因此仅能够在载体在化学上和形貌上互补一致的情况下进行。由此载体彼此间精确的定向是可行的,例如用于腔的严密密封的电接触部。
在又一个设计方案中,第一载体和/或第二载体的结构化能够借助于局部加热或者借助于ALD前驱体和/或MLD前驱体的键合过程的催化作用来进行。
在又一个设计方案中,第一载体和/或第二载体的ALD前驱体能够具有有机的、无机的或者有机无机的材料或者由其形成。
对于作为ALD前驱体的材料的不视为限制性的选择例如在下述一览表中示出。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体和/或第二载体的MLD前驱体能够具有有机材料、无机材料或有机无机材料或者由其形成。
对于作为MLD前驱体的材料的不视为限制性的选择例如在下述一览表中示出。
MLD层的特征在于与纯无机层相比更高的柔韧性。也可借助于MLD层通过相应的前驱体的组合形成聚酰亚胺或者ALD层和MLD层的其它组合。这些层尤其能够适合于特别是作为用于表面反应的基础。
在又一个设计方案中,ALD前驱体和/或MLD前驱体到第一载体或者第二载体上的施加能够在第一载体或者第二载体的表面上产生反应性的前驱体。
在又一个设计方案中,由第一载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体与第二载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体的键合构成的ALD层和/或MLD层能够将第一载体与第二载体无间隙地连续地连接,使得ALD层和/或MLD层在第一载体和第二载体之间围住腔。
在又一个设计方案中,第一载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体与第二载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体的原子键合能够借助于温度的改变和/或用电磁辐射辐照来进行。
在又一个设计方案中,ALD前驱体和MLD前驱体借助于温度的改变的原子键合能够具有温度的提高。
在又一个设计方案中,ALD前驱体和MLD前驱体的原子键合能够借助于将温度提高到至大约150℃来进行。
在又一个设计方案中,ALD前驱体和MLD前驱体键合为ALD层和/或MLD层能够借助于电磁辐射、即借助于x射线或者UV辐射的作用来进行。
在又一个设计方案中,ALD前驱体或MLD前驱体键合为ALD层或MLD层能够借助于电磁辐射和通过在以微波辐照第一载体与第二载体的连接部位之后提高温度而引起的温度的改变来进行。
在又一个设计方案中,腔能够相对于有害材料例如水和氧的扩散流严密密封。
在又一个设计方案中,在腔中能够封装有机器件。
在又一个设计方案中,第一载体或第二载体的表面能够是待封装的构件的平行载体或者是待封装的构件。
在又一个设计方案中,能够借助于第一载体与第二载体的严密密封的连接封装第一载体和第二载体之间的腔中的液体或者气体。
具有扩散阻挡部的载体能够被理解为是严密密封的载体的同义词。第一严密密封的载体与第二严密密封的载体的无间隙连续的连接产生第一封装层和第二封装层之间的腔。在此重要的是:这两个载体的扩散阻挡部的直接连接。气态的或者液态的材料、如水和/或氧扩散到该腔或从中扩散出是不可能的。腔在此是第一载体和第二载体之间的空间,所述空间由第一载体和第二载体展开。面状的、柔韧地成形的载体例如能够是薄膜并且是在几何上复杂的形状,所述形状由薄膜的折叠形成。第一载体和第二载体在此能够具有一个共同的系统载体。系统载体在此能够被理解为自承式的衬底、例如薄膜或者玻璃衬底,其中系统载体也能够仅借助于封装层严密密封从而能够成为严密密封的载体。用于第一载体和第二载体的共同的系统载体例如能够是系统载体上的不同区域,例如面状的、柔韧的系统载体、例如薄膜的在几何上相对置的边缘。在几何上复杂的形状例如能够采用罐、桶、管、翼的形状、机翼(Tragflaeche)的形状或者船身的形状。第一载体和/或第二载体的面状的扩展部、即其长度和宽度能够为大约1cm至大约100m。载体的面状的扩展能够具有方形的、矩形的、圆形的或者适合的形状。系统载体的大约100m的长度在卷对卷法中位于卷筒上的薄膜中例如能够是有利的。第二系统载体的面状的例如为几cm2的扩展,在此例如在使用第二载体作为用于第一载体的修复补丁的情况下能够远小于第一载体的例如几m2的面状的扩展。第二载体的面状的扩展部在作为修复补丁的使用中例如能够恰好(借助于用于连接层的重叠)匹配于在第一载体中、上或下方的修复部位的面状的扩展部。
复杂成形的面状的载体又能够具有复杂地结构化的子区域,所述子区域能够是载体,在船身的实例中例如是船身中的孔。第一载体因此能够是船身的具有孔的区域,而第二载体能够构成为修复补丁。修复补丁能够借助于ALD层或者MLD层密封船身中的孔以防止水的扩散,也就是说,船身中的孔能够是在第一载体和第二载体之间的腔中待保护防止水扩散的对象,也就是说,第一载体能够具有开放面状的表面。
腔例如能够用作为用于有机器件的保护空间以免水和/或氧侵入。然而腔也能够在防止氧侵入的同时防止水漏出,例如作为用于易变质的液体、例如水、酒、药品的严密密封的、例如绝氧的保护空间。除了关于水和氧作为扩散阻挡部的特性,封装层也能够具有消毒效果,例如在封装层的材料或者材料混合物含银的情况下。银就其消毒特性而言是已知的并且例如能够防止和减少细菌的生成,例如用于水、酒或者药品在被密封的腔、所谓的管中的储存。
在不同的实施方式中,提供一种用于制造设备的方法,所述方法具有:将至少一个ALD前驱体和/或至少一个MLD前驱体施加到第一载体上;将至少一个ALD前驱体和/或至少一个MLD前驱体施加到第二载体上,其中施加在第二载体上的ALD前驱体和/或MLD前驱体与施加在第一载体上的ALD前驱体和/或MLD前驱体互补;并且将施加在第一载体上的至少一个ALD前驱体和/或至少一个MLD前驱体与施加在第二载体上的互补的至少一个ALD前驱体和/或互补的至少一个MLD前驱体连接;其中第一载体与第二载体至少部分地借助于施加在第一载体上的ALD前驱体和施加在第二载体上的ALD载体之间的或者施加在第一载体上的MLD前驱体和施加在第二载体上的MLD载体之间的原子键合部连接,使得形成ALD层或者MLD层。
在所述方法的一个设计方案中,能够机械弹性地构成第一载体,机械弹性也称为柔韧性。
在所述方法的又一个设计方案中,能够面状地构成第一载体。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有在几何上复杂的三维形状。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有关于水和/或氧的扩散阻挡部。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体的材料或者材料混合物能够具有关于水和/或氧的固有的扩散阻挡部。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有第一系统载体和第一封装层或者由其形成,并且第一载体的关于水和/或氧的扩散阻挡部能够借助于第一封装层来实现,
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有无机材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第一载体的材料具有出自下述材料中的材料或者合金:铁、钢、铝、铜、银、金、钯、镁、钛、铂、镍、锡、锌。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述材料中的材料:玻璃、石英玻璃、蓝宝石、碳化硅、石墨烯、金刚石。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述材料中的材料:半导体材料:硅、锗、α-锡、碳化合物、例如富勒烯、硼、硒、碲;化合物半导体:铟、镓、砷、磷、锑、氮、锌、镉、铍、汞;有机半导体:四苯、并五苯、酞菁、聚噻吩、PTCDA、MePTCDT、喹吖啶酮、吖啶酮、阴丹酮、黄烷、紫环酮、Alq3;以及混合体系:聚乙烯咔唑、TCNQ络合物。
在又一个设计方案中,第一载体能够具有有机材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述材料中的材料或者由其形成:聚烯烃(例如高密度或者低密度的聚乙烯(PE)或者聚丙烯(PP))、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酮(PEEK)。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有有机无机混合材料或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有由有机改性的陶瓷构成的材料的组中的材料或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有材料混合物或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体的材料能够具有出自下述材料中的材料混合物或者由其形成:无机材料、有机材料和/或混合材料。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有大约0.1μm至大约5μm的厚度,其中所述载体是自承式的。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有大约5μm至大约200μm的厚度。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体能够具有大约200μm至大约20cm的厚度。
在所述方法的又一个设计方案中,能够结构化第一载体的表面。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体或者第一系统载体的表面的结构化能够是在将ALD前驱体和/或MLD前驱体施加给第一载体的表面之前的表面形貌的微观改变。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体的表面具有不同的ALD前驱体和/或不同的MLD前驱体或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,能够机械弹性地构成第二载体。
在所述方法的又一个设计方案中,能够面状地构成第二载体。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有在几何上复杂的三维形状。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有关于水和/或氧的扩散阻挡部。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体的材料或者材料混合物能够具有关于水和/或氧的固有的扩散阻挡部。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有第二系统载体和第二封装层或者由其形成,并且第二载体的关于水和/或氧的扩散阻挡部能够借助于第二封装层来实现,
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有无机材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第二载体的材料具有出自下述材料中的材料或者合金:铁、钢、铝、铜、银、金、钯、镁、钛、铂、镍、锡、锌。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料:玻璃、石英玻璃、蓝宝石、碳化硅、石墨烯、金刚石。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料:半导体材料:硅、锗、α-锡、碳化合物、例如富勒烯、硼、硒、碲;化合物半导体:铟、镓、砷、磷、锑、氮、锌、镉、铍、汞;有机半导体:四苯、并五苯、酞菁、聚噻吩、PTCDA、MePTCDT、喹吖啶酮、吖啶酮、阴丹酮、黄烷、紫环酮、Alq3;以及混合体系:聚乙烯咔唑、TCNQ络合物。
在又一个设计方案中,第二载体能够具有有机材料或者由其形成。
在又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料或者由其形成:聚烯烃(例如高密度或者低密度的聚乙烯(PE)或者聚丙烯(PP))、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酮(PEEK)。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有有机无机混合材料或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有由有机改性的陶瓷构成的材料的组中的材料或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有材料混合物或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体的材料能够具有出自下述材料中的材料混合物或者由其形成:无机材料、有机材料和/或混合材料。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有大约0.1μm至大约5μm的厚度,其中所述载体是自承式的。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有大约5μm至大约200μm的厚度。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体能够具有大约200μm至大约20cm的厚度。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体的表面能够具有结构化部。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体或者第二系统载体的表面的结构化能够具有在将ALD前驱体和/或MLD前驱体施加给第二载体的表面之前或者在将封装层施加给第二系统载体之前的表面形貌的微观改变。
在所述方法的又一个设计方案中,第二载体的表面具有不同的ALD前驱体和/或不同的MLD前驱体或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体的化学结构化的和/或形貌结构化的表面与第二载体的化学结构化的和/或形貌结构化的表面互补地构成。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体和/或第二载体的结构化部能够借助于局部加热或者借助于ALD或者MLD前驱体的键合过程的催化作用来实现。
载体的结构化部能够借助于常见的光刻法(对系统载体进行掩膜、曝光和蚀刻)或者借助于通过常见的光刻法施涂局部不同厚的连接剂层、前驱体的化学催化作用或者局部加热构成。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体和/或第二载体的ALD前驱体能够具有有机的、无机的或有机无机的材料或者由其形成。
在所述方法的又一个设计方案中,ALD和/或MLD前驱体到第一载体或第二载体的表面上的施加能够在第一载体或第二载体的表面上产生反应性的前驱体。
在所述方法的又一个设计方案中,由第一载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体与第二载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体的键合构成的ALD层和/或MLD层将第一载体无间隙地连续地与第二载体连接,使得ALD层和/或MLD层在第一载体和第二载体之间围住腔。
在第二载体与第一载体对齐之后,能够借助于热压印法(hotembossing)构成连接层,其中热压印法中的印模借助连接层匹配于载体的几何边缘。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体与第二载体的ALD前驱体和/或MLD前驱体键合为ALD层或MLD层借助于温度改变和/或用电磁辐射辐照来进行。
在所述方法的又一个设计方案中,将ALD前驱体和MLD前驱体键合成ALD层和/或MLD层借助于通过提高温度来改变温度进行。
在所述方法的又一个设计方案中,键合借助于将温度提高到直至大约150℃来进行。
在所述方法的又一个设计方案中,将ALD前驱体和MLD前驱体键合成ALD层和/或MLD层能够借助于电磁辐射、即借助于x射线或者UV辐射的作用来进行。
在所述方法的又一个设计方案中,将ALD前驱体和MLD前驱体键合成ALD层和/或MLD层能够借助于电磁辐射和由于用微波辐照第一载体与第二载体的键合点而引起的温度提高来进行。
在所述方法的又一个设计方案中,腔能够相对于水和氧的扩散流严密密封。
在所述方法的又一个设计方案中,将有机器件密封在腔中。
在所述方法的又一个设计方案中,第一载体或第二载体的表面能够是待封装的构件的平行的载体或者是待封装的构件。
在所述方法的又一个设计方案中,能够借助于第一载体与第二载体的严密密封的连接部封装第一载体和第二载体之间的腔中的水状的液体。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。
附图示出:
图1示出严密密封的腔的示意性的横截面视图;
图2示出结构化的系统载体的示意性的横截面视图;
图3示出ALD或者MLD键合部的原理的示意性的横截面视图;
图4示出借助于封装设备来封装的有机器件的示意性的横截面视图;
图5示出借助于封装设备来封装的有机器件的示意性的横截面视图;
图6示出借助于传统的具有阻挡薄膜的封装部来封装的有机器件的示意性的横截面视图;以及
图7示出借助于传统的原位的薄层封装部来封装的有机器件的示意性的横截面视图。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图,所述附图形成所述描述的一部分,并且在所述附图中示出能够实施本发明的具体的实施方式以用于说明。在此方面,相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的定向来定位,所以方向术语仅用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是,能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变,而不偏离本发明的保护范围。要理解的是,只要没有特殊地另外说明,就能够将在此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此,下面详细的描述不能够理解为受限制的意义,并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
在本说明书的范围中,术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中,只要是适当的,相同的或相似的元件就设有相同的附图标记。
图1示出严密密封的第一载体102和严密密封的第二载体104之间的严密密封的腔100。严密密封的第一载体102能够具有第一系统载体106、第一封装层108和第一连接剂层110。严密密封的第二载体104能够具有第二系统载体112、第二封装层114和第二连接剂层116。在连接层118中,严密密封的第一载体102与严密密封的第二载体104处于物理接触部120中并且原子化合。
第一封装层108、第二封装层114和连接层118关于水和氧是不可透过的,也就是说被理解为关于水和氧是严密密封的。借助于封装层108、114能够使系统载体106、112成为严密密封的载体102、104。第一严密密封的载体102与第二严密密封的载体104的无间隙的连续的连接能够形成第一封装层108和第二封装层114之间的腔100。腔100、即直观地在载体102、104之间展开的空间能够借助于封装层108、114和连接层118来保护以防止水和氧扩散离开腔122或者防止水和氧扩散进入腔124、126、128、130。
第一系统载体106和/或第二系统载体112能够机械弹性地、面状地和/或在几何上复杂地成形。薄膜例如能够是面状柔韧的形式,并且在几何上复杂的形状能够是由于薄膜折叠而产生的形状。
第一系统载体106和/或第二系统载体112能够由有机材料或者材料混合物:例如聚烯烃(例如高密度或者低密度的聚乙烯(PE)或者聚丙烯(PP))、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酮(PEEK);出自下述材料中的无机材料或者合金:铁、钢、铝、铜、银、金、钯、镁、钛、铂、镍、锡、锌;出自下述材料中的:玻璃、石英玻璃、蓝宝石、碳化硅、石墨烯、金刚石;出自下述材料中的:半导体材料:硅、锗、α-锡、碳化合物、例如富勒烯、硼、硒、碲;化合物半导体:铟、镓、砷、磷、锑、氮、锌、镉、铍、汞;有机半导体:四苯、并五苯、酞菁、聚噻吩、PTCDA、MePTCDT、喹吖啶酮、吖啶酮、阴丹酮、黄烷、紫环酮、Alq3;以及混合体系:聚乙烯咔唑、TCNQ络合物;或者混合材料、例如有机改性的陶瓷形成。
第一系统载体106和/或第二系统载体能够具有大约1μm至大约20cm的厚度:例如大约1μm至大约200μm;例如大约200μm至大约2mm;例如大约2mm至大约1cm;例如大约1cm至大约20cm。
第一系统载体106和/或第二系统载体112的面状的扩展、即其长度和宽度能够为大约1cm至大约100m。系统载体106、112的面状的扩展能够具有方形的、矩形的、圆形的或者适合的形状。系统载体106、112的大约100m的长度在卷对卷法中位于卷筒上的薄膜中例如能够是有利的。例如在使用第二载体104作为用于第一载体102的修复补丁的情况下,第二系统载体112的面状的例如为几cm2的扩展在此能够远小于第一载体106的例如几m2的面状的扩展。第二载体104的面状的扩展在作为修复补丁的使用中例如能够适合地(借助于用于连接层118的叠加)匹配于在第一载体102中、上或下方的修复部位的面状的扩展。
第一封装层108、第二封装层114和连接层118能够通过第一系统载体106或者第二系统载体112的面状的侧124、128防止水或者氧扩散离开或者进入腔100。封装层108、114能够与其相应的系统载体106、112处于体物理触并且具有大约1nm至最大大约1mm的层厚度,例如从大约1nm至大约50nm;例如从大约50nm至大约200nm;例如从大约200nm至大约100μm的层厚度。作为用于封装层108、114的材料,能够适合作为材料的例如是:氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、掺杂铝的氧化锌、以及它们的混合物和合金。
第一封装层108和第二封装层114能够具有相同的或者不同的化学组分和/或层厚度。如果腔100例如在一侧上密集地经受水和/或氧,例如124,那么第一封装层108与第二载体104相比能够具有带有其它材料的、更大密度和/或层厚度的封装部。
如果系统载体106或者112已经具有关于水和氧的固有的扩散阻挡部,那么能够弃用附加的封装层108或者114,例如当系统载体由玻璃或者金属构成时。因此系统载体106或112能够成为严密密封的载体102或104。
腔100能够用作为用于有机器件的保护空间以防止水和/或氧124、126、128、130侵入。然而腔也能够在防止氧侵入的同时防止水泄漏,例如作为用于易变质的液体、例如水、酒、药品的严密密封的、例如绝氧的保护空间。除了关于水和氧作为扩散阻挡部的特性,封装层108或114也能够具有消毒效果,例如在封装层的材料或者材料混合物含银的情况下。银就其消毒特性而言是已知的并且例如能够防止和减少细菌的生成,例如用于水、酒或者药品的储存。
图2示出结构化的系统载体的示意性的横截面视图。根据应用,能够有利的是,在施加封装层108、114和连接剂层110、116之前或者在系统载体116或112的固有的封装中在施加连接剂层110、116之前,将第一系统载体106和/或第二系统载体112形貌方面局部进行结构化202、204、208、210、212并且保持其它的区域未结构化206,其中第一载体102和第二载体104的未结构化的平面206为隆起部和凹陷部的参考水平。
第一系统载体106和第二系统载体112的结构能够形貌彼此互补地构成,202与204,208与210互补,或者仅系统载体中的一个能够被结构化212,而另一个系统载体保持未结构化206。
借助于第一系统载体106与第二系统载体112的在微观上互补的结构202、204、208、212能够在物理上提高连接层118的抗剪和抗拉能力。由此能够提高腔100的机械持久性,例如当正压或者负压对腔100起作用时。互补的结构例如能够是微观的钩和孔眼或者隆起部204、210和凹陷部208、202。
系统载体106、112的表面形貌在此能够具有周期性地、任意地或者分离地设置的隆起部204、210和/或凹陷部202、208、212,所述隆起部和/或凹陷部具有大约100nm至大约5cm的高度或者深度和大约100nm至大约100m的长度和/或宽度。隆起部204、210或者凹陷部202、208、212能够具有任意可以想象的几何形状,例如球形或者截球、例如半球或者2/3球、柱形、立方体形、金字塔形或者具有三个或者更多个侧面的多边形,或者具有在几何上复杂的形状,例如呈钩或者环(孔眼)的形状。然而也能够有利的是,仅对第一载体106结构化212并且保持第二载体112未结构化206,也就是说,第二载体112能够具有光滑的表面206。结构212因此能够用作为封装的通孔,例如用于电接触穿过封装部108、114的在腔100内部的光电子器件。
载体102、104的结构化能够借助于常见的光刻法(对系统载体106、112进行掩膜、曝光和蚀刻)或者借助于施涂局部不同厚度的连接剂层110、116、前驱体的化学催化作用或者局部加热或者借助于压印进行。
图3示出ALD或者MLD连接的原理的示意性的横截面视图或者示出第一严密密封的载体102借助于构成连接层118与第二严密密封的载体104的严密密封的连接部300。
具有反应性的表面302、304的连接剂层110、116沉积在第一载体102和第二载体104上。反应性的表面302、304在此具有反应性的ALD前驱体和/或MLD前驱体。第一载体302的前驱体在此能够与第二载体304的前驱体互补地构成。
对于作为ALD前驱体或者MLD前驱体的材料的不视为限制性的选择例如在下述一览表中示出。
ALD前驱体或者MLD前驱体在严密密封的载体102、104的表面上的施加在不限制普遍性的情况下以第一载体102作为示例绘制。
在将前驱体施加到严密密封的载体102的表面上之前,所述表面可能能够被预处理,例如平整、粗糙化、在严密密封的载体102的表面上以湿化学的方式形成羟基或者金基团。
一种或多种ALD前驱体和/或MLD前驱体的一个或多个层能够沉积到严密密封的载体102的表面上。在此能够在整个表面202、206、208上或者仅部分地在严密密封的载体102的表面的区域上、例如仅在202、208上或者在第一载体102的面状的表面的几何边缘(未示出)上进行前驱体的施加。前驱体在第一载体102的表面的子区域上的施加能够借助于常见的光刻法来限制。
为了施加具有反应性的表面302的连接剂层110,反应性的互补的前驱体能够顺序地气状地或者以湿化学的方式在严密密封的载体102的表面上被引导。当相应的表面具有相应的前驱体补体时,ALD前驱体或者MLD前驱体能够与第一载体102的相应暴露的表面或者连接剂层110的已经形成的部分反应并且构成原子化合物。该反应对于各个前驱体而言是自终止的并且过剩的ALD前驱体或MLD前驱体能够被泵出。借助于互补的前驱体的相继紧随的以层的方式的沉积,连接剂层110能够被施加在严密密封的载体的表面上——因此术语ALD为原子层沉积(atomic layer deposition ALD)或者MLD为分子层沉积(molecularlayer deposition MLD)。连接剂层110的暴露的前驱体-层在此能够构成反应性的前驱体-表面302。该前驱体-表面对于构成具有第二载体104的前驱体补体304的连接层118中的原子键合能够是重要的。
连接剂层110、116的反应性的ALD表面或者MLD前驱体表面302或304能够引起在物理接触部120中构成连接层118,也就是说,反应性的表面302和304的ALD前驱体和/或MLD前驱体能够在物理接触部120中构成原子键合的ALD层和/或MLD层。
原子化合物的构成在干化学工艺中例如能够借助于能量输送来进行。能量输送能够根据ALD前驱体或者MLD前驱体借助于例如提高温度、输送电磁辐射例如X射线或者UV辐射;或者借助于由于电磁辐射例、如微波的作用而引起的温度提高来进行。
连接层118能够将第一载体102与第二载体106至少在载体102、104中的一个的封装层的几何边缘处无间隙地连续地连接。连接层118在此关于水和氧能够是不可透过的。连接剂层110和116能够在第一载体102与第二载体104的接触区域120中在前驱体302与304原子键合之后成为连接层118。
以层的方式将前驱体施加在第一载体102上也能够引起表面的结构化,例如以产生用于与第二载体104的反应性的表面304连接的平坦206的反应性的表面302或者构成形貌结构204、210。
在另一个实施例中,第二载体104的前驱体能够被施加到第一载体202、208的在形貌上以互补的方式结构化的表面区域上并且第一载体302的前驱体能够被施加到第二载体204、210的在形貌上以与第一载体102互补的方式结构化的表面区域上。连接层118的形成因此仅能够在载体102、104在化学上和形貌互补一致的情况下进行。由此能够简化载体102、104彼此之间的对齐,例如用于腔的电接触。产生不同的前驱体区域作为反应性的表面302、304,能够利用常见的光刻工艺(掩膜)进行,例如在构成反应性的表面302、304之前在用于制造110、116的最后的步骤中能够将掩膜施加到已经形成的连接剂层110或116上,所述掩膜在表面的待结构化的部分中防止前驱体-层302或304与连接剂层110或116的原子键合。
图4示出借助于封装设备400封装的有机器件的示意性的横截面视图。
面状的器件402、例如光电子器件、例如有机发光二极管(organiclight emitting diode OLED),能够在器件载体406、例如厚度为大约0.1mm至5mm的玻璃载体上具有有机功能层结构404,并且能够具有机械保护部408、例如环氧树脂。电接触部410保证有机功能层结构404的供电。器件载体406能够安置或者固定在严密密封的第一载体102上或上方。第一载体102的面尺寸在此至少与器件载体406同样大或比器件载体大。第一载体102能够是机械刚性的,例如具有厚度为2mm并且面状表面积为大约15×15cm2的玻璃。玻璃能够具有关于水和氧的固有的扩散阻挡部,使得能够弃用第一载体102上的附加的封装层108。反应性的表面302例如能够具有三甲基铝(TMA)。连接剂层110能够具有由TMA前驱体和TMA前驱体补体产生的材料、即铝试剂和/或Al2O3或者由其形成。
严密密封的第二载体104能够安置或者固定在机械保护部408上或上方。第二载体104的面尺寸在此与机械保护部408至少同样大或者比机械保护部大,并且此外具有至第一载体102的无间隙的环绕的接触区域120。第二载体104例如能够具有机械柔韧的PET薄膜作为厚度为大约0.1mm并且面状的表面积为大约15×15cm2的系统载体112。一个或多个氧化层和/或氮化层例如能够借助于PECVD和或ALD法在第二系统载体112上沉积0.5μm作为封装层114。在封装层114上或上方,第二载体104能够具有层厚度为大约0.1μm的铝试剂的连接剂层114。连接剂层114的反应性的表面304能够具有含羟基的TMA补体、例如乙二醇。应指出的是,在其它的实施例中,尺寸也能够容易地不同地选择从而在上文中示例性地给出的尺寸不具有限制性。
第一载体102和第二载体104形成临时的腔。器件载体406、第一载体102和第二载体104彼此对齐,使得电接触部410位于电通孔212中。器件载体406、第一载体102和第二载体104彼此间的对齐能够借助于形貌结构202、204、208、210来简化。
第一载体102和第二载体102在接触区域120中对齐之后具有在化学上、形貌互补的反应性的表面302、304。在载体102、104和器件402对齐之后,能够借助于在接触区域120中局部提高温度通过反应性的表面302、304构成严密密封的连接层118。临时的腔由此成为严密密封的腔100。
设计方案400在此能够在真空下构成。形貌结构202、204、208、210和212的产生能够借助于结构化110和116来进行。
在另一个实施例中,光电子层结构404与机械保护部408例如能够直接产生在玻璃盘102上,也就是说,器件载体406相应于第一系统载体106和严密密封的第一载体102,例如当器件载体406由玻璃形成时,例如玻璃盘具有2000μm的厚度和15×15cm2的面表面积。具有机械保护部408的面状的光电子器件402与第一载体102相比具有更小的面尺寸、例如14.5×14.5cm2的面表面积和大约20μm的厚度。具有机械保护部408的器件402能够中央地、即轴对称地在第一载体102上定向。在不具有光电子层结构404和机械保护部408的第一载体102的面状边缘上能够施加由铝试剂构成的、层厚度为大约0.1μm并且具有反应性的TMA表面302的连接剂层110。作为严密密封的第二载体104,例如能够使用厚度为500μm并且面表面积为15×15cm2的PET薄膜作为系统载体112,和大约0.5μm厚的氧化层或氮化层作为封装层114。在封装层114的表面上能够沉积由铝试剂构成的层厚度为0.1μm的连接剂层116。连接剂层116的反应性的表面304能够具有作为TMA补体的乙二醇的原子键合到连接剂层上的层。在第二载体104与第一载体102对齐之后,能够借助于热压印法(hot embossing)构成连接层118,其中热压印法中的印模借助连接剂层110、116适应于载体102、104的几何边缘。
图5示出借助于封装设备500来封装的有机器件的示意性的横截面视图。
当应保持腔100中的柔韧的、面状的器件402的机械柔韧的特性时,机械柔韧的载体102、104能够是有利的,例如器件载体406能够由塑料薄膜、例如由层厚度为100μm的PET、PEN、PC、PI构成。
第一载体102和第二载体104两者都能够是机械弹性的,例如具有厚度为100μm并且面表面积为大约15×15cm2的PET薄膜106、112。作为用于封装层108、114的材料,层厚度为0.5μm的SiN能够施加在薄膜106、112上。第一载体的反应性的表面302例如能够具有对苯二甲酰氯。第二载体的反应性的表面304能够具有对苯二甲酰氯补体、例如对苯二胺。连接器层110、116能够具有0.1μm的厚度并且具有由对苯二甲酰氯和对苯二胺的原子键合而产生的材料聚(对亚苯基对苯二甲酰胺)或者由其形成。
图6示出借助于传统的具有阻挡薄膜的封装部600来封装的有机器件的示意性的横截面视图。在有机光电子器件402的具有层压的阻挡薄膜102、104的封装设备中,阻挡薄膜102、104通常与层压粘接剂602彼此连接。层压粘接剂602包围器件402并且填充阻挡薄膜102、104之间的空间。借助于阻挡薄膜保护光电子器件免受来自于阻挡薄膜124、126方向的水和氧。然而水和氧能够侧向地(借助于方向箭头604来表明)侵入到层压粘接剂602和有机光电子器件402中。
图7示出通过传统的原位薄层封装部700来封装的有机器件402的示意性的横截面视图。
在有机光电子器件402的具有原位薄层封装部700的封装设备中,有机光电子器件402能够被施加到严密密封的载体上,例如产生或固定到其上。在制造有机光电子器件402(原位)时,薄的封装层702能够被施加在有机光电子器件402上或上方。这种原位法具有延长工艺流程和不能与待封装的构件的工艺无关地执行的缺点。
在不同的实施方式中,提供用于制造关于水和氧严密密封的腔的设备和方法,借助于所述设备和方法可行的是,在没有粘接剂的情况下严密密封地封装对于水和氧敏感的材料、材料混合物或者具有阻挡薄膜的器件。由此能够很大程度上弃用材料或者器件的原位封装覆层,但是尽管如此还是使用任意的载体材料。如果此外使用器件载体作为系统载体,那么此外省掉阻挡薄膜。

Claims (15)

1.一种设备,具有:
●第一载体(102),所述第一载体用至少一种ALD前驱体(302)和/或至少一种MLD前驱体(302)占据;
●第二载体(104),所述第二载体用与所述第一载体(102)的至少一种ALD前驱体(302)和/或MLD前驱体(302)互补的至少一种ALD前驱体(304)和/或至少一种MLD前驱体(304)占据,
●其中所述第一载体(102)与所述第二载体(104)至少部分地借助于所述第一载体(102)的ALD前驱体(302)和所述第二载体(104)的ALD前驱体(304)之间的或者所述第一载体(102)的MLD前驱体(302)和所述第二载体(104)的MLD前驱体(304)之间的原子键合部(118)来连接,使得形成ALD层(118)或者MLD层(118)。
2.根据权利要求1所述的设备,
其中所述第一载体(102)和第二载体(104)具有关于水和/或氧的扩散阻挡部(108,114)。
3.根据权利要求1或2所述的设备,
其中由所述第一载体(102)的ALD前驱体(302)和/或MLD前驱体(302)与所述第二载体(104)的ALD前驱体(304)和/或MLD前驱体(304)进行键合而构成的所述ALD层(118)和/或MLD层(118)将所述第一载体(102)无间隙连续地与所述第二载体(104)连接,使得所述ALD层(118)和/或MLD层(118)在所述第一载体(102)和第二载体(104)之间围住腔(100)。
4.根据权利要求3所述的设备,
其中所述腔(100)是严密密封的,以防止水和氧的扩散流(124,126,128,130)。
5.根据权利要求3或4所述的设备,
其中在所述腔(100)中封装有机器件(402)、尤其是有机发光二极管(402)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备,
其中所述第一载体(102)的表面或者所述第二载体(104)的表面是待封装的构件(402)的构件载体(406)或者具有所述待封装的构件(402)。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的设备,
其中在所述第一载体(102)和第二载体(104)之间的所述腔(100)中借助于严密密封的连接部(118)封装水状的液体。
8.一种用于制造设备的方法,所述方法具有:
●将至少一种ALD前驱体(302)和/或至少一种MLD前驱体(302)施加到第一载体(102)上;
●将至少一种ALD前驱体(304)和/或至少一种MLD前驱体(304)施加到第二载体(104)上,其中施加在所述第二载体(104)上的ALD前驱体(304)和/或MLD前驱体(304)与施加在所述第一载体(102)上的ALD前驱体(302)和/或MLD前驱体(302)互补;以及
●使施加在所述第一载体(102)上的至少一种ALD前驱体(302)和/或至少一种MLD前驱体(302)与施加在所述第二载体(104)上的至少一种互补的ALD前驱体(304)和/或至少一种互补的MLD前驱体(304)进行键合;
●其中所述第一载体(102)与所述第二载体(104)至少部分地借助于施加在所述第一载体(102)上的ALD前驱体(302)和施加在所述第二载体(104)上的ALD前驱体(304)之间的或者施加在所述第一载体(102)上的MLD前驱体(302)和施加在所述第二载体(104)上的MLD前驱体(116)之间的原子键合来连接,使得形成ALD层(118)或者MLD层(118)。
9.根据权利要求8所述的方法,
其中将所述第一载体(102)的和/或所述第二载体(104)的表面结构化。
10.根据权利要求9所述的方法,
其中将所述第一载体(102)的表面和/或所述第二载体(104)的表面用多个彼此不同的ALD前驱体占据和/或用多个彼此不同的MLD前驱体占据。
11.根据权利要求9或10所述的方法,
其中所述第一载体(102)的化学结构化的和/或形貌结构化的表面与所述第二载体(104)的化学结构化的和/或形貌结构化的表面互补。
12.根据权利要求9或11所述的方法,其中所述第一载体(202,208,212)和/或所述第二载体(204,210)的结构化部借助于局部加热或者借助于所述ALD前驱体(110,116)或者MLD前驱体(110,116)的键合过程的催化作用来形成。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法,
其中用ALD前驱体(110,116)和/或MLD前驱体(110,116)占据所述第一载体(102)的或所述第二载体(104)的表面在所述第一载体(102)的或所述第二载体(104)的表面上形成反应性的ALD前驱体(302,304)和/或反应性的MLD前驱体(302,304)。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的方法,
其中由所述第一载体(102)的ALD前驱体(302)和/或MLD前驱体(302)与所述第二载体(104)的ALD前驱体(304)和/或MLD前驱体(304)的键合而构成的所述ALD层(118)和/或MLD层(118)将所述第一载体(102)无间隙连续地与所述第二载体(104)连接,使得所述ALD层(118)和/或MLD层(118)在所述第一载体(102)和第二载体(104)之间围住腔(100)。
15.根据权利要求14所述的方法,
其中在所述腔(100)中封装有机器件(402)。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518143A (zh) * 2019-08-19 2019-11-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10804094B2 (en) 2016-05-06 2020-10-13 Applied Materials, Inc. Methods of depositing SiCON with C, O and N compositional control
DE102014112696B4 (de) * 2014-09-03 2023-09-07 Pictiva Displays International Limited Organisches Bauelement
US20190036077A1 (en) * 2016-02-18 2019-01-31 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing organic el display device, and organic el display device
JP6815158B2 (ja) * 2016-10-13 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 酸化チタン膜の成膜方法およびハードマスクの形成方法
CN108074499A (zh) * 2017-12-27 2018-05-25 周卫江 一种led模组及其封装方法
EP3573434A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-27 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Stretchable electronic device
DE102019202716B4 (de) 2019-02-28 2020-12-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Flex-folien-package mit coplanarer topologie für hochfrequenzsignale und verfahren zum herstellen eines derartigen flex-folien-packages
DE102019202715A1 (de) 2019-02-28 2020-09-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Folienbasiertes package mit distanzausgleich
DE102019202718B4 (de) 2019-02-28 2020-12-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dünnes Dual-Folienpackage und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102019202721B4 (de) * 2019-02-28 2021-03-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 3d-flexfolien-package
KR102224346B1 (ko) * 2019-07-11 2021-03-05 한양대학교 산학협력단 유무기 하이브리드층, 이 층을 구비하는 유무기 적층체, 및 이 적층체를 가스 배리어로 구비하는 유기전자소자
CN110508155B (zh) * 2019-08-21 2021-09-03 南京大学 一种锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法
US11447865B2 (en) 2020-11-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Deposition of low-κ films

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1471065A (zh) * 2002-07-05 2004-01-28 ��ʽ����뵼����Դ�о��� 发光器件及其制造方法
CN101292373A (zh) * 2005-08-25 2008-10-22 维特克斯系统公司 封装的器件和制备方法
CN102027603A (zh) * 2007-09-26 2011-04-20 伊斯曼柯达公司 沉积有机材料的方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6503330B1 (en) * 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
JP4887585B2 (ja) * 2001-08-24 2012-02-29 パナソニック株式会社 表示パネルおよびそれを用いた情報表示装置
US20050181212A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 General Electric Company Composite articles having diffusion barriers and devices incorporating the same
US6872319B2 (en) * 2002-09-30 2005-03-29 Rockwell Scientific Licensing, Llc Process for high yield fabrication of MEMS devices
US20040189195A1 (en) * 2003-03-24 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Devices including, methods using, and compositions of reflowable getters
US7581443B2 (en) * 2005-07-20 2009-09-01 The Boeing Company Disc resonator gyroscopes
US7109092B2 (en) * 2003-05-19 2006-09-19 Ziptronix, Inc. Method of room temperature covalent bonding
JP2005011649A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Sanyo Electric Co Ltd 接着方法、その接着方法を利用可能なエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、及びエレクトロルミネッセンスパネル
WO2006014591A2 (en) * 2004-07-08 2006-02-09 Itn Energy Systems, Inc. Permeation barriers for flexible electronics
US7091568B2 (en) * 2004-12-22 2006-08-15 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic device including dielectric layer, and a process for forming the electronic device
JP5080258B2 (ja) * 2005-02-03 2012-11-21 富士フイルム株式会社 液晶表示装置
US7647836B2 (en) * 2005-02-10 2010-01-19 Cardiomems, Inc. Hermetic chamber with electrical feedthroughs
US20080248648A1 (en) * 2007-04-06 2008-10-09 Thompson David M Deposition precursors for semiconductor applications
JP5220106B2 (ja) * 2007-06-22 2013-06-26 ザ・リージエンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・コロラド 原子層堆積法及び分子層堆積法を用いて製造された有機電子デバイス用の保護被膜
US20090081356A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
JP4471002B2 (ja) * 2008-01-23 2010-06-02 セイコーエプソン株式会社 接合体の形成方法
JP2009199902A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Seiko Epson Corp 有機発光装置および電子機器
WO2009129850A1 (en) * 2008-04-23 2009-10-29 Agilent Technologies, Inc. Microstructured separation element with a porous surface coating
FR2933538B1 (fr) 2008-07-07 2012-09-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif electroluminescent d'affichage, d'eclairage ou de signalisation, et son procede de fabrication
US8926906B2 (en) * 2008-07-21 2015-01-06 Concordia University Microfluidic device and method for fabricating the microfluidic device
US20110291544A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-01 Industrial Technology Research Institute Gas barrier substrate, package of organic electro-luminenscent device and packaging method thereof
JP6012018B2 (ja) 2012-04-05 2016-10-25 住友化学株式会社 有機el装置及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1471065A (zh) * 2002-07-05 2004-01-28 ��ʽ����뵼����Դ�о��� 发光器件及其制造方法
CN101292373A (zh) * 2005-08-25 2008-10-22 维特克斯系统公司 封装的器件和制备方法
CN102027603A (zh) * 2007-09-26 2011-04-20 伊斯曼柯达公司 沉积有机材料的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SUNG GAP IM 等: "《A conformal nano-adhesive via initiated chemical vapor deposition for microfluidic devices》", 《THE ROYAL SOCIETY OF CHEMISTRY》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518143A (zh) * 2019-08-19 2019-11-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
WO2021031322A1 (zh) * 2019-08-19 2021-02-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
US11404668B2 (en) 2019-08-19 2022-08-02 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel having groove structure in thin film packaging layer to improve adhesion and method of manufacturing thereof

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