JP6072253B2 - 気密のキャビティを製造するための装置および方法 - Google Patents

気密のキャビティを製造するための装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6072253B2
JP6072253B2 JP2015526915A JP2015526915A JP6072253B2 JP 6072253 B2 JP6072253 B2 JP 6072253B2 JP 2015526915 A JP2015526915 A JP 2015526915A JP 2015526915 A JP2015526915 A JP 2015526915A JP 6072253 B2 JP6072253 B2 JP 6072253B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
precursor
mld
ald
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2015526915A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015532765A (ja
Inventor
ラング エアヴィン
ラング エアヴィン
ロイシュ ティロ
ロイシュ ティロ
シュヴァンプ フィリップ
シュヴァンプ フィリップ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram Oled GmbH
Original Assignee
Osram Oled GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Oled GmbH filed Critical Osram Oled GmbH
Publication of JP2015532765A publication Critical patent/JP2015532765A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6072253B2 publication Critical patent/JP6072253B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45529—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making a layer stack of alternating different compositions or gradient compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06—Hermetically-sealed casings
    • H05K5/065—Hermetically-sealed casings sealed by encapsulation, e.g. waterproof resin forming an integral casing, injection moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
    • B81C2201/0197—Processes for making multi-layered devices not provided for in groups B81C2201/0176 - B81C2201/0192
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/031—Anodic bondings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

関連する出願
本願は、２０１３年７月１８日に出願されたＰＣＴ出願Ｎｏ．：ＰＣＴ／ＥＰ２０１３／０６５２２０の米国特許法第３７１に従った国際段階での出願であり、２０１２年８月１４日付けで出願されたドイツ国出願Ｎｏ．：１０ ２０１２ ２１４ ４１１．０からの優先権を主張するものであり、かつその開示内容は、参照のために本明細書に援用される。
技術分野
さまざまな実施態様は、気密のキャビティを製造する装置およびこの装置を製造するための方法に関する。
発明の背景
平面状有機素子、例えば有機発光ダイオードまたは有機光電素子は、有害物質の侵入から、例えば酸素および水の侵入から保護（カプセル化）されるべきであった。さもないと、有機層の有機物質または有機物質混合物の無制御の老化または崩壊をまねきうるからである。
平面状素子の従来のカプセル化法は、ゲッターを有するキャビティガラスが平面状素子上に接合されるキャビティカプセル化である。この方法は、比較的安価であり、かつ機械的に剛性の平面状素子にだけ適している。
さらに、薄手のカプセル化層を直接に平面状素子上に製造し（カプセル化）および任意に前記素子（バリア）の下方の基体上にも製造する、インサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）での薄膜カプセル化は、平面状素子には慣用のことである。その際に、このカプセル化は、インサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で行なわなければならず、それによってプロセスの流れを延長し、かつ前記素子上での完成時の深さを増加させる。
さらに、平面状素子をバリアフィルムと貼り合わせることも慣用のことである。その際に、平面状バリアフィルムは、平面状素子の上下に接合され、通常、下方バリアフィルムが直接上方バリアフィルム上に接合されることにより、保護縁部が形成される。前記バリアフィルムは、例えばプラスチックフィルムであり、これは、例えばＳｉＯ2、ＳｉＮまたは金属フィルムからなるバリア層を備えている。しかし、水および酸素の侵入は、前記バリアフィルムの縁部上で貼合せ用接着剤によって制限されるにすぎない。しかし、従来公知の接着剤は、水および酸素に対して制限された密封性だけを有する。それゆえに、貼合された平面状素子の縁部上で、縁部での漏れをまねきうる、貼合された構造部のバリア効果における弱点を結果として生じる。
発明の概要
さまざまな実施態様において、例えば、水および酸素に敏感な物質、物質混合物またはバリアフィルムを有する素子を、従来の接着剤なしに気密にカプセル化しうる、水および酸素に対して気密のキャビティを製造するための装置および方法が提供される。
本明細書の範囲内で、有機物質とは、そのつどの凝集体状態にもかかわらず、化学的に単一の形で存在する、特有の物理的性質および化学的性質によって特徴付けられた炭素化合物であると解釈されうる。さらに、本明細書の範囲内で、無機物質とは、そのつどの凝集体状態にもかかわらず、化学的に単一の形で存在する、特有の物理的性質および化学的性質によって特徴付けられた、炭素または簡単な炭素化合物なしの化合物であると解釈されうる。本明細書の範囲内で、有機−無機物質（ハイブリッド物質）とは、そのつどの凝集体状態にもかかわらず、化学的に単一の形で存在する、特有の物理的性質および化学的性質によって特徴付けられた、炭素を含む結合部分および炭素を含まない結合部分を有する化合物であると解釈されうる。本明細書の範囲内で、“物質”の概念は、全ての上記物質、例えば有機物質、無機物質および／またはハイブリッド物質を含む。さらに、本明細書の範囲内で、物質混合物とは、例えば、成分が２つ以上のさまざまな物質からなり、これらの物質の成分が例えば極めて微細に分配されている物質であると解釈されうる。１つ以上の有機物質、１つ以上の無機物質または１つ以上のハイブリッド物質からなる物質または物質混合物は、１つの物質種として解釈されうる。“材料（Ｍａｔｅｒｉａｌ）”の概念は、“物質（Ｓｔｏｆｆ）”の概念と同義で使用されうる。
原子層堆積（ＡＬＤ：“ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ”）させる方法により、再現可能に極めて薄手の機能層は、さまざまな技術的範囲において、例えばオプティックス、半導体製造およびオプトエレクトロニクスにおいて製造されうる。
“原子層堆積”の概念とは、層の製造に必要とされる出発生成物（プリカーサ）が、同時にではなく、交互に順次に被覆チャンバー（反応器とも呼称される）中に、その中で被覆すべき基板と一緒に供給される方法であることが知られている。その際に、出発材料は、被覆すべき基板の表面上に堆積されうるかまたは先に堆積された出発材料上に交互に堆積されることができ、それによって化学結合が生じうる。それによって、サイクルの繰返し毎に、すなわち必要な出発生成物の供給毎に、順次に続く部分工程において、そのつど最大１つの単層の施与すべき層を成長させることができる。前記サイクルの数により、層厚の良好な制御が可能である。最初に供給された出発材料は、被覆すべき表面上でのみ堆積することができ、その後に供給された第２の出発材料は、はじめて第１の出発材料との化学反応を生じうる。出発生成物の化学反応は、前記表面上の反応成分の数により制限されており、すなわち自己制御性である。類似の自己制御性の表面反応は、有機フィルム、例えばポリマーフィルム、例えばポリアミドの形成に使用されうる。前記有機フィルムの形成は、分子層堆積法（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ＭＬＤ）と呼称されうる。それというのも、サイクル毎に分子の一部が表面上に施与されるからである。ＭＬＤプリカーサは、ホモ二官能性反応体を有することができ、換言すれば、出発生成物は、そのつど２個の同じ官能基を有することができる。すべての位置での自己末端ＭＬＤ反応（ｅｉｎｅ ｓｅｌｂｓｔｔｅｒｍｉｎｉｅｒｅｎｄｅ ＭＬＤ Ｒｅａｋｔｉｏｎ）は、ヘテロ二官能性反応体を用いて形成されていてよく、すなわちすべての出発生成物は、２個の異なる官能基を有する。前記官能基の一方は、表面化学基と反応可能であるが、他方は、反応しえない。それによって、ヘテロ二官能性反応体は、単官能的にだけ形成されていてよく、こうして、例えばポリマー鎖の終端化をまねきうる二重反応を互いに避けることができる。ヘテロ二官能性反応体のほかに、二重反応は、マスキングされたかまたは保護された官能基を用いて実現されてもよく、その際にマスキングされたかまたは保護された官能基は、この反応の場合にのみ開示されている。
ヒドロキシル（−ＯＨ）、アミン（−ＮＨ2）またはカルボン酸（−ＣＯＯＨ）を生じる数多くの開環反応がある。例えば、エポキシ環は、基板表面のアミノ基と反応でき、ヒドロキシル基を生じる。環状アザシラン、例えば２，２−ジメトキシ−１，６−ジアザ−２−シラシクロオクタンは、基板表面上のヒドロキシル基と反応してアミノ基を生じうる。環状カーボネート、例えばエチレンカーボネートは、基板表面上のアミノ基と反応してヒドロキシル基をもたらしうる。
有機ポリマーおよび有機−無機ハイブリッドポリマーの前記分子層堆積法は、三段階法により形成されてもよい。三段階法は、分子層堆積法の融通性を向上させることができかつさまざまな有機組成物を含むことができる。さらに、三段階法により、ＭＬＤ法を規定するために使用されうる、考えられうるヘテロ二官能性反応体のさまざまな組合せの数を高めることができる。三段階法の１例は、例えばトリメチルアルミニウムとエタノールアミンと無水マレイン酸との逐次反応である。前記方法は、アルキル金属反応体、ヘテロ二官能性反応体および開環反応体を有する。前記三段階法は、二重反応の可能性を回避させかつ分子層の極めて力強い、分子層の線状の成長をもたらしうる。ヘテロ二官能性反応体、開環反応体およびマスキングされたかまたは保護された官能基を有する反応体を用いる、他の考えられうる三段階法は、有機ＭＬＤフィルムおよび有機−無機ハイブリッドＭＬＤフィルムの分子層堆積法の範囲を大幅に拡大しうる。さらに、一般的に四段階以上を有する方法も考えられうる。四段階法の１例は、例えばポリジメチルシロキサンフィルム（シリコーン）を形成させるためのトリメチルアルミニウム／水／ジメチルメトキシクロロシラン／水を有することができる。ＡＬＤおよびＭＬＤを用いて、極めて適合した層成長を可能にすることができ、その際に大きなアスペクト比を有する表面も一様に含むことができる。
さまざまな実施態様において、少なくとも１つのＡＬＤプリカーサおよび／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサで被覆されている第１の担体；第１の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサに対して相補的である、少なくとも１つのＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサで被覆されている第２の担体を有する装置が提供され、その際に第１の担体と第２の担体とは、少なくとも部分的に、第１の担体のＡＬＤプリカーサと第２の担体のＡＬＤプリカーサとの間の原子接合により、ＡＬＤ層が形成されるように接合されており、および／または第１の担体のＭＬＤプリカーサと第２の担体のＭＬＤプリカーサとの間の原子接合により、ＭＬＤ層が形成されるように接合されている。
１つの態様において、第１の担体は、機械的に弾性に形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体は、平面状であってよい。
さらに１つの態様において、第１の担体は、幾何学的に複雑な立体形状を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体は、有害物質、例えば水および／または酸素に対して拡散バリアを有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質または物質混合物は、有害物質、例えば水および／または酸素に対して固有拡散バリアを有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体は、第１のシステム担体および第１のカプセル化層を有しうるかまたは第１のシステム担体および第１のカプセル化層から形成されていてよく、かつ第１の担体の拡散バリアは、有害物質、例えば水および／または酸素に対して、第１のカプセル化層により形成されていてよい。その際に、システム担体は、自立した基板、例えばフィルムまたはガラス基板として解釈されてよく、その際にこのシステム担体は、最初にカプセル化層により気密に密閉されてもよく、それによって気密の担体となりうる。
さらに１つの態様において、第１の担体は、無機物質を有しうるかまたは無機物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、鉄、鋼、アルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、マグネシウム、チタン、白金、ニッケル、錫、亜鉛からなる物質の群からの物質または合金を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、ガラス、石英ガラス、サファイア、炭化ケイ素、グラフェン、ダイヤモンドからなる物質の群からの物質を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、半導体材料：元素状半導体：ケイ素、ゲルマニウム、αスズ、炭素化合物、例えばフラーレン、ホウ素、セレン、テルル；化合物半導体：インジウム、ガリウム、砒素、燐、アンチモン、窒素、亜鉛、カドミウム、ベリリウム、水銀；有機半導体：テトラセン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリチオフェン、ＰＴＣＤＡ、ＭｅＰＴＣＤＩ、キナクリドン、アクリドン、インダントロン、フラバントロン、ペリノン、Ａｌｑ３；ならびに混合系：ポリビニルカルバゾール、ＴＣＮＱ錯体からなる物質の群からの物質または物質混合物を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体は、有機物質を有することができるかまたは有機物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、ポリオレフィン（例えば、高密度ポリエチレン（ＰＥ）もしくは低密度ポリエチレン（ＰＥ）、またはポリプロピレン（ＰＰ））、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる物質の群からの物質を有しうるかまたは当該物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体は、有機−無機ハイブリッド物質を有しうるかまたは有機−無機ハイブリッド物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、有機変性セラミックからなる物質の群からの物質を有しうるかまたは当該物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体は、物質混合物を有しうるかまたは物質混合物から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、無機物質、有機物質および／またはハイブリッド物質からなる物質の群からの物質混合物を有しうるかまたは当該物質混合物から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体は、約１．０μｍ〜約５μｍの厚さを有することができ、その際にこの担体は、自立型である。
さらに１つの態様において、第１の担体は、約５μｍ〜約２００μｍの厚さを有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体は、約２００μｍ〜約２０ｃｍの厚さを有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体の表面は、構造化を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体の表面は、微視的に変えられた表面地形を有することができる。
その際に、前記表面地形は、約１００ｎｍ〜約５ｃｍの高さまたは深さ、および約１００ｎｍ〜約１ｍの長さおよび／または幅で、周期的に、任意に、または散り散りに配置された隆起部および／または凹所を有することができる。前記の隆起部または凹所は、全ての考えられるかぎりの幾何学的形状、例えば球形または球セグメント、例えば半球または球の２／３、円筒形、立方形、ピラミッド状または３つ以上の辺を有する多角形、または幾何学的に複雑な形、例えばフックまたはリングの形、例えばアイレットの形を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体の表面は、さまざまなＡＬＤプリカーサおよび／またはさまざまなＭＬＤプリカーサを有することができる。
例えば、前記表面の微細構成的に構造化された領域は、構造化されていない領域とは異なるＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサを有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、機械的弾性を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、平面状であることができる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、幾何学的に複雑な立体形状、例えば灯油缶、樽、チューブ、羽根、ボートの胴体の形状を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、有害物質、例えば水および／または酸素に対する拡散バリアを有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質または物質混合物は、有害物質、例えば水および／または酸素に対する固有拡散バリアを有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、第２のシステム担体および第２のカプセル化層を有しうるかまたは第２のシステム担体および第２のカプセル化層から形成されていてよく、かつ第２の担体の拡散バリアは、有害物質、例えば水および／または酸素に対して、第２のカプセル化層により形成されていてよい。その際に、システム担体は、自立した基板、例えばフィルムまたはガラス基板として解釈されてよく、その際にこのシステム担体は、最初にカプセル化層により気密に密閉されてもよく、それによって気密の担体となりうる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、無機物質を有しうるかまたは無機物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、鉄、鋼、アルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、マグネシウム、チタン、白金、ニッケル、錫、亜鉛からなる物質の群からの物質または合金を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、ガラス、石英ガラス、サファイア、炭化ケイ素、グラフェン、ダイヤモンドからなる物質の群からの物質を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、半導体材料：ケイ素、ゲルマニウム、αスズ、炭素化合物、例えばフラーレン、ホウ素、セレン、テルル；化合物半導体：インジウム、ガリウム、砒素、燐、アンチモン、窒素、亜鉛、カドミウム、ベリリウム、水銀；有機半導体：テトラセン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリチオフェン、ＰＴＣＤＡ、ＭｅＰＴＣＤＩ、キナクリドン、アクリドン、インダントロン、フラバントロン、ペリノン、Ａｌｑ３；ならびに混合系：ポリビニルカルバゾール、ＴＣＮＱ錯体からなる物質の群からの物質を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、有機物質を有しうるかまたは有機物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、ポリオレフィン（例えば、高密度ポリエチレン（ＰＥ）もしくは低密度ポリエチレン（ＰＥ）、またはポリプロピレン（ＰＰ））、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる物質の群からの物質を有しうるかまたは当該物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体は、有機−無機ハイブリッド物質を有しうるかまたは有機−無機ハイブリッド物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、有機変性セラミックからなる物質の群からの物質を有しうるかまたは当該物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体は、物質混合物を有しうるかまたは物質混合物から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、無機物質、有機物質および／またはハイブリッド物質からなる物質の群からの物質混合物を有しうるかまたは当該物質混合物から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体は、約０．１μｍ〜約５μｍの厚さを有することができ、その際にこの担体は、自立型である。
さらに１つの態様において、第２の担体は、約５μｍ〜約２００μｍの厚さを有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、約２００μｍ〜約２０ｃｍの厚さを有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体の表面は、構造化を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体の表面は、微視的に変えられた表面地形を有することができる。
前記表面地形は、約１００ｎｍ〜約５ｃｍの高さまたは深さ、および約１００ｎｍ〜約１００ｍの長さおよび／または幅で、周期的に、任意に、または散り散りに配置された隆起および／または凹所を有することができる。前記の隆起部または凹所は、全ての考えられるかぎりの幾何学的形状、例えば球形または球セグメント、例えば半球または球の２／３、円筒形、立方形、ピラミッド状または３つ以上の辺を有する多角形、または幾何学的に複雑な形、例えばフックまたはリングの形、例えばアイレットの形を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体の表面は、さまざまなＡＬＤプリカーサおよび／またはさまざまなＭＬＤプリカーサを有することができる。
その際に、前記表面の微細構成的に構造化された領域は、構造化されていない領域とは異なるＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサを有することができる。その際に、構造化された領域または構造化されていない領域は、前記担体の表面の大部分を構成する、前記表面の高さの基準面に対するものである。
さらに１つの態様において、第１の担体の化学的に構造化された表面および／または微細構成的に構造化された表面は、第２の担体の化学的に構造化された表面および／または微細構成的に構造化された表面に対して相補的な構造を有することができ、すなわちキーロック原理を化学的、微細構成的に満たすことができる。
第２のシステム担体に対する第１のシステム担体の微視的に相補的な構造化により、接合層の剪断負荷性および引張負荷性が物理的に向上されうる。それによって、例えば過圧または低圧がキャビティに作用する場合には、キャビティの機械的耐久性は、向上されうる。相補的構造とは、例えば微視的なフックとアイレットまたは隆起部と凹所であることができる。
その際に、前記システム担体の表面地形は、約１００ｎｍ〜約５ｃｍの高さまたは深さ、および約１００ｎｍ〜約１００ｍの長さおよび／または幅で、周期的に、任意に、または散り散りに配置された隆起部および／または凹所を有することができる。前記の隆起部または凹所は、全ての考えられるかぎりの幾何学的形状、例えば球形または球セグメント、例えば半球または球の２／３、円筒形、立方形、ピラミッド状または３つ以上の辺を有する多角形、または幾何学的に複雑な形、例えばフックまたはリング（アイレット）の形を有することができる。しかし、第１の担体だけを構造化しかつ第２の担体を構造化せずにおくこと、すなわち第２の担体が平滑な表面を有することも好ましい。さらに、前記構造化は、カプセル化された実施態様として、例えばカプセル化部を通過するキャビティ中の光電子素子の電気的接触に使用されうる。
さらなる態様において、第１の担体の微細構成的に相補的に構造化された表面領域は、第２の担体のプリカーサを有することができ、かつ第２の担体の微細構成的に相補的に構造化された表面領域は、第１の担体のプリカーサを有することができる。さらに、接合層は、担体の化学的に相補的に一致した場合と担体の地理学的に相補的に一致した場合にのみ、形成されうる。それによって、例えばキャビティの気密の電気的接触のために、複数の前記担体の互いの正確な方向付けが可能である。
さらに１つの態様において、第１の担体の構造化および／または第２の担体の構造化は、局在的な加熱により行なうことができるか、またはＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサの接合プロセスの触媒反応により行なうことができる。
さらに１つの態様において、第１の担体および／または第２の担体の単数または複数のＡＬＤプリカーサは、有機物質、無機物質または有機−無機物質を有しうるかまたは有機物質、無機物質または有機−無機物質から形成されていてよい。
ＡＬＤプリカーサとしての物質の制限されていないとみなすべき選択は、例えば以下の概要に表わされている。
Figure 0006072253
さらに前記方法の態様において、第１の担体および／または第２の担体のＭＬＤプリカーサは、有機物質、無機物質または有機−無機物質を有しうるかまたは有機物質、無機物質または有機−無機物質から形成されていてよい。
ＭＬＤプリカーサとしての物質の制限されていないとみなすべき選択は、例えば以下の概要に表わされている。
Figure 0006072253
Figure 0006072253
ＭＬＤ層は、純粋な無機層よりも高い可撓性によって傑出している。また、ＭＬＤ層によりポリイミドまたはＡＬＤ層とＭＬＤ層との他の組合せは、相応するプリカーサの組合せによって形成されうる。当該層は、殊に表面反応の基礎として特に適しうる。
さらに１つの態様において、第１の担体または第２の担体の表面上へのＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサの施与は、第１の担体または第２の担体の表面上で反応性プリカーサをもたらしうる。
さらに１つの態様において、第１の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサと第２の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサとの接合によるＡＬＤ層および／またはＭＬＤ層は、前記のＡＬＤ層および／またはＭＬＤ層が第１の担体と第２の担体との間でキャビティを囲むように、第２の担体につながって隙間なしに第１の担体を接合することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサと第２の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサとを、温度変化および／または電磁線での照射により原子接合してＡＬＤ層またはＭＬＤ層とすることができる。
さらに１つの態様において、温度変化によるＡＬＤプリカーサとＭＬＤプリカーサとの原子接合は、温度上昇を示しうる。
さらに１つの態様において、ＡＬＤプリカーサとＭＬＤプリカーサとの原子接合は、約１５０℃までの温度上昇により行なうことができる。
さらに１つの態様において、ＡＬＤプリカーサとＭＬＤプリカーサとを、Ｘ線またはＵＶ線の作用により接合してＡＬＤ層および／またはＭＬＤ層とすることができる。
さらに１つの態様において、ＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサは、電磁線を用いて、かつ第１の担体と第２の担体との接合部をマイクロ波で照射した後の温度上昇による温度変化により接合されて、ＡＬＤ層またはＭＬＤ層とされうる。
さらに１つの態様において、前記キャビティは、有害物質、例えば水および酸素の拡散流に対して気密であるように密閉されていてよい。
さらに１つの態様において、キャビティ中で有機素子がカプセル化されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体または第２の担体の表面は、同時にカプセル化すべき素子の担体またはカプセル化すべき素子であることができる。
さらに１つの態様において、第１の担体と第２の担体との気密の接合により、液体またはガスは、第１の担体と第２の担体との間のキャビティ中でカプセル化されていてよい。
拡散バリアを有する担体は、気密の担体と同義あると解釈されうる。隙間なしにつながっている、気密な第１の担体と気密な第２の担体との接合は、第１のカプセル化層と第２のカプセル化層との間にキャビティを形成する。その際に、２つの担体の拡散バリア同士の直接の接合は、重要である。前記キャビティからの、または前記キャビティ中への、ガス状物質または液状物質、例えば水および／または酸素の拡散は、不可能である。その際に、前記キャビティは、第１の担体および第２の担体によって張設されている、第１の担体と第２の担体との間の空間である。平面状の可撓性に形成された担体は、例えばフィルムであることができ、かつフィルムの折り畳みにより形成される、幾何学的に複雑な形状であることができる。その際に、第１の担体と第２の担体は、共通のシステム担体を有することができる。その際に、システム担体は、自立した基板、例えばフィルムまたはガラス基板として解釈されることができ、その際に、前記システム担体は、カプセル化層により初めて気密に密閉されていてもよく、それによって気密の担体とすることができる。第１の担体と第２の担体との共通のシステム担体は、例えば当該システム担体上の異なる領域、例えば平面状の可撓性のシステム担体、例えばフィルムの幾何学的に対向する縁部であることができる。幾何学的に複雑な形状は、例えば灯油缶、樽、チューブ、羽根、主翼、ボートの胴体の形状をとることができる。第１の担体および／または第２の担体の平面状延長部、すなわちその長さおよび幅は、約１ｃｍ〜約１００ｍを有することができる。前記担体の平面状延長部は、正方形、長方形、円形または調製された形を有することができる。約１００ｍのシステム担体の長さは、例えばロールツーロール方式におけるロールでのフィルムの際に好ましい。その際に、例えば第２の担体を第１の担体のための修復用小片として使用する場合には、第２のシステム担体の平面状延長部、例えば数ｃｍ2は、第１の担体の平面状延長部、例えば数ｍ2よりも極めて狭くともよい。修復用小片としての使用における第２の担体の平面状延長部は、例えば調製されて（接合層に対するオーバーラップで）修復箇所の平面状延長部に、第１の担体の中、上方または下方で適合させることができる。
複雑に形成された平面状担体は、元通りに、ボートの胴体の例における担体であってよい、複雑に構造化された部分領域、例えばボートの胴体における穴を有することができる。第２の担体が修復用小片として形成されていてよい一方で、さらに、第１の担体は、穴を有するボートの胴体の範囲であることができる。前記修復用小片は、ボートの胴体中の穴を、ＡＬＤ層またはＭＬＤ層により水の拡散から密閉することができ、すなわちボートの胴体中の穴は、第１の担体と第２の担体との間のキャビティ中で水拡散から保護すべき対象であることができ、すなわち第１の担体は、開いた平面状表面を有することができる。
前記キャビティは、例えば侵入する水および／または酸素に対する有機素子用保護空間として使用されうる。しかし、このキャビティは、例えば腐敗しやすい液体、例えば水、ワイン、医薬品のための気密の、例えば無気的な保護空間として、水漏れと同時に酸素の侵入を避けることもできる。水および酸素に対する拡散バリアとしての性質の他に、カプセル化層は、例えばカプセル化層の銀含有物質または銀含有物質混合物の場合に消毒作用を有することもできる。銀は、その消毒特性が知られており、かつ例えば密閉されたキャビティ、いわゆるチューブ中での水、ワインまたは医薬品の貯蔵に対して、細菌類の形成を阻止することができるかまたは減少させることができる。
さまざまな実施態様において、以下の方法：少なくとも１つのＡＬＤプリカーサおよび／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサを第１の担体上に施与し；少なくとも１つのＡＬＤプリカーサおよび／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサであって、第２の担体上に施与されている、前記のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサが第１の担体上に施与されているＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサに対して相補的である、当該の少なくとも１つのＡＬＤプリカーサおよび／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサを第２の担体上に施与し；および前記の第１の担体上に施与されている、少なくとも１つのＡＬＤプリカーサおよび／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサと、前記の第２の担体上に施与されている、相補的な少なくとも１つのＡＬＤプリカーサおよび／または相補的な少なくとも１つのＭＬＤプリカーサとを接合し；その際に第１の担体と第２の担体とは、少なくとも部分的に、第１の担体上に施与されているＡＬＤプリカーサと第２に担体上に施与されているＡＬＤプリカーサとの間の原子接合により、ＡＬＤ層が形成されるように接合されており、および／または第１の担体上に施与されているＭＬＤプリカーサと第２の担体上に施与されているＭＬＤプリカーサとの間の原子接合により、ＭＬＤ層が形成されるように接合されている、装置を製造する方法が提供される。
前記方法の１つの態様において、第１の担体は、機械的に弾性に形成されていてもよく、ただし、この弾性は、可撓性とも呼称される。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、平面状であることができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、幾何学的に複雑な立体形状を有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、水および／または酸素に対して拡散バリアを有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体の物質または物質混合物は、水および／または酸素に対して固有拡散バリアを有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、第１のシステム担体および第１のカプセル化層を有しうるかまたは第１のシステム担体および第１のカプセル化層から形成されていてよく、かつ第１の担体の拡散バリアは、水および／または酸素に対して、第１のカプセル化層により構成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、第１の担体は、無機物質を有しうるかまたは無機物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、鉄、鋼、アルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、マグネシウム、チタン、白金、ニッケル、錫、亜鉛からなる物質の群からの物質または合金を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、ガラス、石英ガラス、サファイア、炭化ケイ素、グラフェン、ダイヤモンドからなる物質の群からの物質を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、半導体材料：ケイ素、ゲルマニウム、αスズ、炭素化合物、例えばフラーレン、ホウ素、セレン、テルル；化合物半導体：インジウム、ガリウム、砒素、燐、アンチモン、窒素、亜鉛、カドミウム、ベリリウム、水銀；有機半導体：テトラセン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリチオフェン、ＰＴＣＤＡ、ＭｅＰＴＣＤＩ、キナクリドン、アクリドン、インダントロン、フラバントロン、ペリノン、Ａｌｑ３；ならびに混合系：ポリビニルカルバゾール、ＴＣＮＱ錯体からなる物質の群からの物質を有することができる。
さらに１つの態様において、第１の担体は、有機物質を有することができるかまたは有機物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第１の担体の物質は、ポリオレフィン（例えば、高密度ポリエチレン（ＰＥ）もしくは低密度ポリエチレン（ＰＥ）、またはポリプロピレン（ＰＰ））、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる物質の群からの物質を有しうるかまたは当該物質から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、有機−無機ハイブリッド物質を有しうるかまたは有機−無機ハイブリッド物質から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体の物質は、有機変性セラミックからなる物質の群からの物質を有しうるかまたは当該物質から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、物質混合物を有しうるかまたは物質混合物から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体の物質は、無機物質、有機物質および／またはハイブリッド物質からなる物質の群からの物質混合物を有しうるかまたは当該物質混合物から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、約０．１μｍ〜約５μｍの厚さを有することができ、その際にこの担体は、自立型である。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、約５μｍ〜約２００μｍの厚さを有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体は、約２００μｍ〜約２０ｃｍの厚さを有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体の表面は、構造化されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体の表面は、微視的に変えられた表面地形を、ＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサでの第１の担体の表面への施与前に構造化することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体の表面は、さまざまなＡＬＤプリカーサおよび／またはさまざまなＭＬＤプリカーサを有することができるかまたはさまざまなＡＬＤプリカーサおよび／またはさまざまなＭＬＤプリカーサから形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、機械的に弾性に構成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、平面状であることができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、幾何学的に複雑な立体形状を有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、水および／または酸素に対して拡散バリアを有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体の物質または物質混合物は、水および／または酸素に対して固有拡散バリアを有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、第２のシステム担体および第２のカプセル化層を有しうるかまたは第２のシステム担体および第２のカプセル化層から形成されていてよく、かつ第２の担体の拡散バリアは、水および／または酸素に対して、第２のカプセル化層により形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、無機物質を有しうるかまたは無機物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、鉄、鋼、アルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、マグネシウム、チタン、白金、ニッケル、錫、亜鉛からなる物質の群からの物質または合金を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、ガラス、石英ガラス、サファイア、炭化ケイ素、グラフェン、ダイヤモンドからなる物質の群からの物質を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、半導体材料：ケイ素、ゲルマニウム、αスズ、炭素化合物、例えばフラーレン、ホウ素、セレン、テルル；化合物半導体：インジウム、ガリウム、砒素、燐、アンチモン、窒素、亜鉛、カドミウム、ベリリウム、水銀；有機半導体：テトラセン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリチオフェン、ＰＴＣＤＡ、ＭｅＰＴＣＤＩ、キナクリドン、アクリドン、インダントロン、フラバントロン、ペリノン、Ａｌｑ３；ならびに混合系：ポリビニルカルバゾール、ＴＣＮＱ錯体からなる物質の群からの物質を有することができる。
さらに１つの態様において、第２の担体は、有機物質を有することができるかまたは有機物質から形成されていてよい。
さらに１つの態様において、第２の担体の物質は、ポリオレフィン（例えば、高密度ポリエチレン（ＰＥ）もしくは低密度ポリエチレン（ＰＥ）、またはポリプロピレン（ＰＰ））、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる物質の群からの物質を有しうるかまたは当該物質から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、有機−無機ハイブリッド物質を有しうるかまたは有機−無機ハイブリッド物質から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体の物質は、有機変性セラミックからなる物質の群からの物質を有しうるかまたは当該物質から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、物質混合物を有しうるかまたは物質混合物から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体の物質は、無機物質、有機物質および／またはハイブリッド物質からなる物質の群からの物質混合物を有しうるかまたは当該物質混合物から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、約０．１μｍ〜約５μｍの厚さを有することができ、その際にこの担体は、自立型である。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、約５μｍ〜約２００μｍの厚さを有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体は、約２００μｍ〜約２０ｃｍの厚さを有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体の表面は、構造化を有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体の表面または第２のシステム担体の表面の構造化は、微視的に変えられた表面地形を、ＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサでの第２の担体の表面への施与前に有することができるか、またはカプセル化層での第２のシステム担体への施与前に有することができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第２の担体の表面は、さまざまなＡＬＤプリカーサおよび／またはさまざまなＭＬＤプリカーサを有することができるかまたはさまざまなＡＬＤプリカーサおよび／またはさまざまなＭＬＤプリカーサから形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体の化学的に構造化された表面および／または微細構成的に構造化された表面は、第２の担体の化学的に構造化された表面および／または微細構成的に構造化された表面に対して相補的に形成されうる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体の構造化および／または第２の担体の構造化は、局在的な加熱により行なうことができるか、またはＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサの接合プロセスの触媒反応により行なうことができる。
前記担体の構造化は、普通のフォトリソグラフィー法（前記システム担体のマスキング、露光およびエッチング）により形成させることができるか、または普通のフォトリソグラフィー法、プリカーサの化学的触媒反応、または局在的な加熱による、微細構成的にさまざまな厚さのコネクター層の施与により形成させることができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体のＡＬＤプリカーサおよび／または第２の担体のＡＬＤプリカーサは、有機物質、無機物質または有機−無機物質を有しうるかまたは有機物質、無機物質または有機−無機物質から形成されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体または第２の担体の表面上へのＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサの施与は、第１の担体または第２の担体の表面上で反応性プリカーサをもたらしうる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサと第２の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサとの接合によるＡＬＤ層および／またはＭＬＤ層は、前記のＡＬＤ層および／またはＭＬＤ層が第１の担体と第２の担体との間でキャビティを囲むように、第２の担体につながって隙間なしに第１の担体を接合することができる。
第１の担体に対して第２の担体を方向付けした後に、熱型押し法（ｈｏｔ ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）を用いて前記接合層は形成させることができ、その際に前記熱型押し法におけるラムは、コネクター層とともに、前記担体の幾何学的縁部に適合されている。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサと第２の担体のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサとを、温度変化および／または電磁線での照射により接合してＡＬＤ層またはＭＬＤ層とすることができる。
さらに前記方法の１つの態様において、ＡＬＤプリカーサとＭＬＤプリカーサとを温度上昇による温度変化により接合してＡＬＤ層および／またはＭＬＤ層とすることができる。
さらに前記方法の１つの態様において、前記接合は、約１５０℃までの温度上昇により行なうことができる。
さらに前記方法の１つの態様において、ＡＬＤプリカーサとＭＬＤプリカーサとを、電磁線を用いてＸ線またはＵＶ線の作用により接合してＡＬＤ層および／またはＭＬＤ層とすることができる。
さらに前記方法の１つの態様において、ＡＬＤプリカーサとＭＬＤプリカーサとは、電磁線を用いて、かつ第１の担体と第２の担体との接合部をマイクロ波で照射した後の温度上昇による温度変化により接合して、ＡＬＤ層またはＭＬＤ層とされうる。
さらに前記方法の１つの態様において、前記キャビティは、水および酸素の拡散流に対して気密であるように密閉されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、キャビティ中で有機素子がカプセル化されていてよい。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体または第２の担体の表面は、同時にカプセル化すべき素子の担体またはカプセル化すべき素子であることができる。
さらに前記方法の１つの態様において、第１の担体と第２の担体との気密な接合により、水性液体は、第１の担体と第２の担体とのキャビティ中でカプセル化されうる。
本発明の実施例は、図中に示されており、かつ以下に詳説される。
図中、同じ参照符号は、一般に異なる視点から見た同じ部分に適用する。図は、必ずしも一定の縮尺で記載されておらず、代わりに、一般に、開示された実施態様の原理が強調されて説明されている。以下の図には、さまざまな実施態様が記載されている。
気密のキャビティを示す略示横断面図。 構造化されたシステム担体を示す略示横断面図。 ＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサの接合の原理を示す略示横断面図。 カプセル化装備品で包まれた有機素子を示す略示横断面図。 カプセル化装備品で包まれた有機素子を示す略示横断面図。 バリアフィルムを有する従来のカプセル化部で包まれた有機素子を示す略示横断面図。 従来のインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）薄膜カプセル化部で包まれた有機素子を示す略示横断面図。
以下の詳細な説明には、この詳細な説明の一部をなす図に関連して、具体化するために、本開示内容が実施されうる特別な実施態様が示されている。この点に関して、方向を示す専門用語、例えば“ｏｂｅｎ：上に”、“ｕｎｔｅｎ：下に”、“ｖｏｒｎｅ：前に”、“ｈｉｎｔｅｎ：後ろに”、“ｖｏｒｄｅｒｅｓ：前方の”、“ｈｉｎｔｅｒｅｓ：後方の”等は、複数の図中に記載された方向決めに関連して使用される。実施態様の構成要素は、さまざまな方向決めの数において位置決定されうるので、前記の方向を示す専門用語は、具体例を示すために使用されるが、しかし、これに制限されるものではない。他の実施態様を利用し、かつ本開示内容の保護範囲を逸脱することなく、構造的または論理的に変更することができることは、自明のことである。特に別記しない限り、本明細書中に記載されたさまざまな例示的な実施態様の特徴を互いに組み合わせることができることは、自明のことである。したがって、以下の詳細な記載は、制限されて理解されるべきではなく、かつ本開示内容の保護範囲は、請求の範囲によって規定される。
本明細書の範囲内で、“ｖｅｒｂｕｎｄｅｎ：接合された”、“ａｎｇｅｓｃｈｌｏｓｓｅｎ：隣接された”および“ｇｅｋｏｐｐｅｌｔ：連結された”の概念は、直接的な接合ならびに間接的な接合、直接的な隣接または間接的な隣接、および直接的な連結または間接的な連結を説明するために、使用される。前記図中で、同一要素または類似した要素は、有利である限り、同一の参照符号を有する。
図１は、気密な第１の担体１０２と気密な第２の担体１０４との間の気密のキャビティ１００を示す。気密な第１の担体１０２は、第１のシステム担体１０６、第１のカプセル化層１０８および第１のコネクター層１１０を有することができる。気密な第２の担体１０４は、第２のシステム担体１１２、第２のカプセル化層１１４および第２のコネクター層１１６を有することができる。接合層１１８中で、気密な第１の担体１０２は、気密な第２の担体１０４とのボディーコンタクト領域１２０内にあり、かつ原子接合されていてよい。
第１のカプセル化層１０８、第２のカプセル化層１１４および接合層１１８は、水および酸素に対して不透過性であってよく、すなわち、水および酸素に対して気密であると解釈すべきである。カプセル化層１０８、１１４を用いると、システム担体１０６、１１２は、気密の担体１０２、１０４に対して密閉されうる。気密な第１の担体１０２と気密な第２の担体１０４との隙間のない当該接合は、第１のカプセル化層１０８と第２のカプセル化層１１４との間にキャビティ１００を形成することができる。キャビティ１００、すなわち担体１０２と１０４との間に張設された空間に具体化されているキャビティ１００は、カプセル化層１０８、１１４および接合層１１８により、キャビティ１２２からの水および酸素１２４、１２６、１２８、１３０の拡散またはキャビティ内への水および酸素１２４、１２６、１２８、１３０の拡散から保護されうる。
第１のシステム担体１０６および／または第２のシステム担体１１２は、機械的に弾性に形成されていてよく、平面状に形成されていてよく、および／または幾何学的に複雑に形成されていてよい。平面状に可撓性の形状物は、例えばフィルムであってよく、かつ幾何学的に複雑な形状物は、フィルムを折り畳むことから引き起こされる形状物であってよい。
第１のシステム担体１０６および／または第２のシステム担体１１２は、無機物質または物質混合物、例えばポリオレフィン（例えば、高密度ポリエチレン（ＰＥ）もしくは低密度ポリエチレン（ＰＥ）、またはポリプロピレン（ＰＰ））、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；鉄、鋼、アルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、マグネシウム、チタン、白金、ニッケル、錫、亜鉛からなる物質の群からの無機物質または合金から形成されていてよく；ガラス、石英ガラス、サファイア、炭化ケイ素、グラフェン、ダイヤモンドからなる物質の群からの物質、半導体材料：ケイ素、ゲルマニウム、αスズ、炭素化合物、例えばフラーレン、ホウ素、セレン、テルル；化合物半導体：インジウム、ガリウム、砒素、燐、アンチモン、窒素、亜鉛、カドミウム、ベリリウム、水銀；有機半導体：テトラセン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリチオフェン、ＰＴＣＤＡ、ＭｅＰＴＣＤＩ、キナクリドン、アクリドン、インダントロン、フラバントロン、ペリノン、Ａｌｑ３；ならびに混合系：ポリビニルカルバゾール、ＴＣＮＱ錯体、またはハイブリッド物質、例えば有機変性セラミックからなる物質の群から形成されていてよい。
第１のシステム担体１０６および／または第２のシステム担体１１２は、約１μｍ〜約２０ｃｍ、例えば約１μｍ〜約２００μｍ；例えば約２００μｍ〜約２ｍｍ；例えば約２ｍｍ〜約１ｃｍ；例えば約１ｃｍ〜約２０ｃｍの厚さを有することができる。
第１のシステム担体１０６および／または第２のシステム担体１１２の平面状延長部、すなわち当該平面状延長部の長さおよび幅は、約１ｃｍ〜約１００ｍを有することができる。前記システム担体１０６、１１２の平面状延長部は、正方形、矩形、円形または調整された形を有することができる。約１００ｍの前記システム担体１０６、１１２の長さは、ロール・ツー・ロール方式におけるロール上のフィルムの場合に好ましい。その際に、第２のシステム担体１１２の平面状延長部、例えば数ｃｍ2は、例えば第２の担体１０４を第１の担体１０２のための修復小片として使用する際に、第１の担体１０６の平面状延長部、例えば数ｍ2よりも極めて小さくともよい。修復小片としての使用における、第２の担体１０４の平面状延長部は、例えば調整して（接合層１１８に対する重なりとともに）第１の担体１０２中、第１の担体１０２上または第１の担体１０２の下の修復箇所の平面状延長部に適合させることができる。
第１のカプセル化層１０８、第２のカプセル化層１１４および接合層１１８は、キャビティ１００内への第１のシステム担体１０６または第２のシステム担体１１２の平面側を通しての水または酸素１２４、１２８の拡散を阻止することができるか、またはキャビティ１００からの第１のシステム担体１０６または第２のシステム担体１１２の平面側を通しての水または酸素１２４、１２８の拡散を阻止することができる。カプセル化層１０８、１１４は、それぞれのシステム担体１０６、１１２に対するボディーコンタクト領域内にあり、かつ約１ｎｍ〜最大約１ｍｍ、
例えば約１ｎｍ〜約５０ｎｍ、
例えば約５０ｎｍ〜約２００ｎｍ、
例えば約２００ｎｍ〜約１００μｍ
の層厚を有することができる。カプセル化層１０８、１１４のための物質として、例えば酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ランタニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、インジウム錫オキシド、インジウム亜鉛オキシド、アルミニウムをドープした酸化亜鉛、ならびにこれらの混合物および合金が適当でありうる。
第１のカプセル化層１０８および第２のカプセル化層１１４は、同一かまたは異なる化学組成および／または層厚を有することができる。例えば、キャビティ１００が片側で、例えば１２４の水および／または酸素に強力に晒されている場合には、第１のカプセル化層１０８は、第２の担体１０４とは異なる物質、第２の担体１０４よりも高い密度および／または層厚を有することができる。
システム担体１０６または１１２が既に水および酸素に対して固有拡散バリアを有する場合、例えばシステム担体がガラスまたは金属から形成されている場合には、さらなるカプセル化層１０８または１１４は、省略されてよい。さらに、システム担体１０６または１１２は、気密の担体１０２または１０４となりうる。
キャビティ１００は、侵入する水および／または酸素１２４、１２６、１２８、１３０からの有機素子に対する保護空間として使用されうる。しかし、前記キャビティは、気密の、例えば腐りやすい液体、例えば水、ワイン、医薬品のための嫌気性保護空間として、水漏れと同時に酸素の侵入を防止する。水および酸素に対する拡散バリアとしての特性とともに、カプセル化層１０８または１１４は、例えばカプセル化層の銀含有物質または銀含有物質混合物の場合に消毒作用を有することもできる。銀は、その消毒特性が知られており、かつ例えば水、ワインまたは医薬品の貯蔵に対して、細菌類の形成を阻止することができるかまたは減少させることができる。
図２は、構造化されたシステム担体の略示横断面を示す。用途に応じて、カプセル化層１０８、１１４およびコネクター層１１０、１１６の施与前に、またはコネクター層１１０、１１６の施与前のシステム担体１０６または１１２の固有のカプセル化の際に、第１のシステム担体１０６および／または第２のシステム担体１１２を微細構成的に構造化すること２０２、２０４、２０８、２１０、２１２、および他の領域を構造化せずにそのままにしておくこと２０６は、好ましく、その際に第１の担体１０２および第２の担体１０４の構造化されていない平面２０６は、隆起部および凹所に対する基準高さを表わす。
第１のシステム担体１０６および第２のシステム担体１１２の構造は、微細構成的に相補的に、２０４に対して２０２、２１０に対して２０８のように互いに形成されていてよいか、または前記システム担体の一方だけが構造化されていてよく、他方のシステム担体は、構造化されずにそのままである。
第２のシステム担体１１２に対する第１のシステム担体１０６の微視的に相補的な構造２０２、２０４、２０８、２１２により、接合層１１８の剪断強さおよび／または引裂強さは、物理的に高められる。それによって、例えばキャビティ１００に対する過圧または低圧が影響を及ぼす場合には、キャビティ１００の機械的耐久性は、高められうる。相補的構造とは、例えば微視的なフックとアイレットまたは隆起部２０４、２１０と凹所２０８、２０２であることができる。
その際に、前記システム担体１０６、１１２の表面地形は、約１００ｎｍ〜約５ｃｍの高さまたは深さ、および約１００ｎｍ〜約１００ｍの長さおよび／または幅で、周期的に、任意に、または散り散りに配置された隆起部２０４、２１０および／または凹所２０２、２０８、２１２を有することができる。前記の隆起部２０４、２１０または凹所２０２、２０８、２１２は、全ての考えられるかぎりの幾何学的形状、例えば球形または球セグメント、例えば半球または球の２／３、円筒形、立方形、ピラミッド状または３つ以上の辺を有する多角形、または幾何学的に複雑な形、例えばフックまたはリング（アイレット）の形を有することができる。しかし、第１の担体１０６だけを構造化しかつ第２の担体１１２を構造化せずにそのままにしておくこと２０６も好ましく、すなわち、第２の担体１１２は、平滑な表面２０６を有することができる。さらに、構造２１２は、カプセル化された実施態様として、例えばカプセル化層１０８、１１４を通してのキャビティ１００内での光電子素子の電気的接触に使用されうる。
前記担体１０２、１０４の構造化は、普通のフォトリソグラフィー法（前記システム担体１０６、１１２のマスキング、露光およびエッチング）により行なうことができるか、または微細構成的にさまざまな厚さのコネクター層１１０、１１６の施与、前記プリカーサの化学的触媒反応、または局在的な加熱または型押しにより行なうことができる。
図３は、ＡＬＤ接合またはＭＬＤ接合の原理を示す略示横断面であるか、または接合層１１８の形成による、気密な第１の担体１０２と気密な第２の担体１０４との気密の接合３００を示す。
第１の担体１０２および第２の担体１０４の上で、コネクター層１１０、１１６は、反応性表面３０２、３０４により分離されている。その際に、反応性表面３０２、３０４は、反応性ＡＬＤプリカーサおよび／または反応性ＭＬＤプリカーサを有する。その際に、第１の担体３０２のプリカーサは、第２の担体３０４のプリカーサに対して相補的に形成されていてよい。
制限されていないと見なすことができる、ＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサとしての物質の選択は、例えば次の概要に表わされている。
Figure 0006072253
Figure 0006072253
Figure 0006072253
気密の担体１０２、１０４の表面上へのＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサの施与は、一般的な制限なしに、第１の担体１０２の例につき示されるであろう。
気密の担体１０２の表面上への前記プリカーサの施与前に、当該表面は、任意に前処理されていてよく、例えば気密の担体１０２の表面の平滑化、気密の担体１０２の表面の粗面化、気密の担体１０２の表面上でのヒドロキシル基または金基の湿式化学的形成を示す。
気密の担体１０２の表面上には、１つ以上のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサの１つ以上の層が堆積されてよい。その際に、全ての表面２０２、２０６、２０８上へのプリカーサの施与、または部分的に気密の担体１０２の表面の領域上だけ、例えば２０２、２０８の領域上だけへのプリカーサの施与、または第１の担体１０２の平面状表面の幾何学的縁部（図示されていない）上へのプリカーサの施与は、行なうことができない。第１の担体１０２の表面の部分領域上へのプリカーサの施与は、普通のフォトリソグラフィー法により制限されていてよい。
反応性表面３０２を有するコネクター層１１０の施与のために、逐次に反応性の相補的プリカーサは、ガス状で、または湿式化学的に、気密の担体１０２の表面上に導かれうる。そのつどの表面がそのつどのプリカーサ補体を有する場合には、ＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサは、第１の担体１０２のそのつど露出された表面と反応するかまたはコネクター層１１０の既に形成された部分と反応し、かつ原子接合を形成しうる。前記反応は、全てのプリカーサに対して、自己停止されていてよく、過剰のＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサは、ポンプ排出されうる。相補的プリカーサの連続して続く層状の堆積により、コネクター層１１０は、前記の気密の担体の表面上に施与されることができ、したがって、ＡＬＤ原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ＡＬＤ）またはＭＬＤ分子層堆積（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ＭＬＤ）の概念が形成される。その際に、コネクター層１１０の露出されたプリカーサ層は、反応性プリカーサ表面３０２を形成することができる。このことは、第２の担体１０４のプリカーサ補体３０４を有する、接合層１１８における原子接合の形成にとって本質的なことであってよい。
コネクター層１１０の反応性ＡＬＤ表面もしくは反応性ＭＬＤプリカーサ表面３０２、またはコネクター層１１６の反応性ＡＬＤ表面もしくは反応性ＭＬＤプリカーサ表面３０４は、ボディーコンタクト領域１２０内で接合層１１８を形成させることができ、すなわち反応性表面３０２および３０４のＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサは、ボディーコンタクト領域１２０内で原子接合ＡＬＤ層および／または原子接合ＭＬＤ層を形成することができる。
前記原子接合は、例えばエネルギー供給を用いる乾式化学プロセスにおいて形成させることができる。前記エネルギー供給は、ＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサに応じて、例えば温度上昇、電磁線、例えばＸ線またはＵＶ線の供給により行なうことができるか、または温度上昇に続いて電磁線、例えばマイクロ波の作用により行なうことができる。
前記接合層１１８は、第１の担体１０２を、前記担体１０２、１０４の一方のカプセル化層の少なくとも幾何学的縁部に対して隙間なしに第２の担体１０６と接合させることができる。その際に、接合層１１８は、水および酸素に対して不透過性であることができる。コネクター層１１０および１１６は、第１の担体１０２と第２の担体１０４との接触領域１２０内で、プリカーサ３０２と３０４との原子接合後に接合層１１８とすることができる。
第１の担体１０２上への前記プリカーサの層状の施与は、例えば第２の担体１０４の反応性表面３０４との接合または微細構成的な構造２０４、２１０に対して、平面状２０６の反応性表面３０２を形成させるために、前記表面の構造化を生じさせてもよい。
さらなる実施例において、第１の担体２０２、２０８の微細構成的に相補的に構造化された表面領域上に、第２の担体１０４のプリカーサを施与することができ、かつ第１の担体１０２に対して、微細構成的に相補的に構造された、第２の担体２０４、２１０の表面領域上に、第１の担体３０２のプリカーサを施与することができる。さらに、接合層１１８は、担体１０２、１０４が化学的かつ微細構成的に相補的に一致している場合にのみ形成させることができる。それによって、担体１０２、１０４の方向付けは、例えばキャビティの電子的接触に対して、互いに簡易化されうる。反応性表面３０２、３０４としての異なるプリカーサ領域は、普通のリソグラフィー法（マスキング）を使用して製造することができ、例えば反応性表面３０２、３０４を形成させる前の１１０、１１６を製造する最後の工程において、既に形成されたコネクター層１１０または１１６上にマスクをもたらすことができ、このマスクは、前記表面の構造化すべき部分において、プリカーサ層３０２または３０４とコネクター層１１０または１１６との原子接合を防止する。
図４は、カプセル化装備品４００で包まれた有機素子を示す略示横断面図である。
平面状素子４０２、例えば光電子素子、例えば有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ＯＬＥＤ）は、有機機能性膜構造体４０４を素子担体４０６上、例えば約０．１〜５ｍｍの厚さを有するガラス担体上に有し、かつ機械的保護部４０８、例えばエポキシドを有することができる。電気的接触部４１０は、有機機能性膜構造体４０４の電流供給を確保する。前記素子担体４０６は、気密な第１の担体１０２上に置かれていてよいかまたは固定されていてよく、または気密な第１の担体１０２の上方に置かれていてよいかまたは固定されていてよい。その際に、第１の担体１０２の平面寸法は、素子担体４０６と少なくとも同じ大きさであるかまたは素子担体４０６よりも大きい。第１の担体１０２は、機械的に剛性であり、例えば２ｍｍの厚さおよび約１５×１５ｃｍ2の２つの平面状表面積を有するガラスを有することができる。ガラスは、水および酸素に対して固有の拡散バリアを有することができ、したがって、第１の担体１０２上のさらなるカプセル化層１０８を省略することができる。反応性表面３０２は、例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を有することができる。コネクター層１１０は、ＴＭＡプリカーサおよびＴＭＡプリカーサ補体から生じる物質であるＡｌｕｃｏｎｅおよび／またはＡｌ2Ｏ3を有することができるかまたは前記物質であるＡｌｕｃｏｎｅおよび／またはＡｌ2Ｏ3から形成されていてよい。
前記機械的保護部４０８上または前記機械的保護部４０８の上方には、気密な第２の担体１０４が置かれているかまたは固定されている。その際に、第２の担体１０４の平面寸法は、機械的保護部４０８と少なくとも同じ大きさであるかまたは機械的保護部４０８よりも大きく、かつそのうえ、第１の担体１０２に対して隙間がなく周囲を回る接触領域１２０を有する。第２の担体１０４は、例えば約０．１ｍｍの厚さおよび約１５×１５ｃｍ2の平面状表面積を有するシステム担体１１２としての機械的に可撓性のＰＥＴフィルムを有することができる。カプセル化層１１４として、第２のシステム担体１１２上には、１つ以上の酸化物相および／または窒化物層が、例えばＰＥＣＶＤ法および／またはＡＬＤ法を用いて０．５μｍで堆積されうる。カプセル化層１１４上またはカプセル化層１１４の上方で、第２の担体１０４は、約０．１μｍの層厚を有するコネクター層１１４であるＡｌｕｃｏｎｅを有することができる。コネクター層１１４の反応性表面３０４は、ヒドロキシルを含むＴＭＡ補体、例えばエチレングリコールを有することができる。他の実施例において、前記寸法は簡単に他の寸法が選択されてもよく、したがって、上記に例示的に記載された寸法は、制限された特性を示すものではないことを指摘することができる。
第１の担体１０２および第２の担体１０４は、仮のキャビティを形成する。素子担体４０６、第１の担体１０２および第２の担体１０４は、互いに方向付けされ、したがって、電気的引き込み線２１２中には、電気的接触部４１０が存在する。素子担体４０６、第１の担体１０２および第２の担体１０４の互いの方向付けは、微細構成的な構造化部２０２、２０４、２０８、２１０を用いて簡易化されうる。
第１の担体１０２および第２の担体１０４は、方向付け後に、接触領域１２０内で化学的、微細構成的に相補的な反応性表面３０２、３０４を有する。担体１０２、１０４および素子４０２の方向付け後に、反応性表面３０２、３０４を通しての接触領域１２０内での温度の局在的な高まりにより、気密の接合層１１８は、形成されうる。それによって、仮のキャビティは、気密のキャビティ１００となる。
その際に、前記カプセル化装備品４００の態様は、真空下で形成されうる。微細構成的な構造化部２０２、２０４、２０８、２１０および２１２は、１１０および１１６の構造化により製造されうる。
さらなる実施例において、機械的保護部４０８を有する光電子層構造体４０４は、例えば直接にガラス板１０２上で製造されてよく、すなわち素子担体４０６は、該素子担体４０６がガラス、例えば２〜２０００μｍの厚さおよび１５×１５ｃｍ2の平面状表面積を有するガラス板から形成されている場合には、第１のシステム担体１０６および気密な第１の担体１０２に対応する。機械的保護部４０８を有する平面状光電子素子４０２は、第１の担体１０２の平面寸法よりも小さい平面寸法、例えば１４．５×１４．５ｃｍ2の平面状表面積および約２０μｍの厚さを有する。機械的保護部４０８を有する素子４０２は、中心部に、すなわち軸対称に、第１の担体１０２上に方向付けされていてよい。光電子層構造体４０４および機械的保護部４０８なしの第１の担体１０２の平面状縁部上には、約０．１μｍの層厚を有するＡｌｃｏｎｅと反応性ＴＭＡ表面３０２とからなるコネクター層１１０が施与されていてよい。気密な第２の担体１０４として、例えば、システム担体１１２としての５００μｍの厚さおよび１５×１５ｃｍ2の平面状表面積、およびカプセル化層１１４としての約０．５μｍの厚さの酸化物層および窒化物層を有するＰＥＴフィルムが使用されうる。カプセル化層１１４の表面上には、０．１μｍの層厚を有する、Ａｌｃｏｎｅからなるコネクター層１１６が堆積されていてよい。コネクター層１１６の反応性表面３０４は、コネクター層上に原子接合された層であるエチレングリコールをＴＭＡ補体として有することができる。第２の担体１０４を第１の担体１０２に対して方向付けした後に、熱型押し法（ｈｏｔ ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）を用いて前記接合層１１８は形成させることができ、その際に前記熱型押し法におけるラムは、コネクター層１１０、１１６とともに、前記担体１０２、１０４の幾何学的縁部に適合されている。
図５は、カプセル化装備品５００で包まれた有機素子を示す略示横断面図である。
機械的に可撓性の担体１０２、１０４は、可撓性の平面状素子４０２の機械的に可撓性の性質がキャビティ１００内で得られる場合に好ましく、例えば素子担体４０６は、プラスチックフィルム、例えば１００μｍの層厚を有する、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ、ＰＩから形成されていてよい。
第１の担体１０２および第２の担体１０４は、双方が機械的に弾性であることができ、例えば１００μｍの厚さおよび約１５×１５ｃｍ2の平面状表面積を有するＰＥＴフィルム１０６、１１２を有することができる。カプセル化層１０８、１１４のための物質として、０．５μｍの層厚を有するＳｉＮは、フィルム１０６、１１２上に施与されていてよい。第１の担体の反応性表面３０２は、例えばテレフタロイルクロリドを有することができる。第２の担体の反応性表面３０４は、テレフタロイルクロリド補体、例えばｐ−フェニレンジアミンを有することができる。コネクター層１１０、１１６は、０．１μｍの厚さを有することができ、かつテレフタロイルクロリドとｐ−フェニレンジアミンとの原子接合から生じる物質であるポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）を有することができるかまたは該ポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）から形成されていてよい。
図６は、バリアフィルムを有する従来のカプセル化部６００で包まれた有機素子を示す略示横断面図である。積層されたバリアフィルム１０２、１０４を有する有機光電素子４０２のカプセル化装備品において、バリアフィルム１０２、１０４は、従来、貼合せ用接着剤６０２で互いに接合されている。貼合せ用接着剤６０２は、バリアフィルム１０２、１０４の間の空間を充たした素子４０２を含む。バリアフィルムを用いて、前記光電子素子は、バリアフィルム方向からの水および酸素１２４、１２６から保護されている。しかし、水および酸素は、（方向を示す矢印６０４により表示された）側面から貼合せ用接着剤６０２および有機光電素子４０２中に侵入することができる。
図７は、従来のインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）薄膜カプセル化部７００で包まれた有機素子４０２を示す略示横断面図である。
インサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）薄膜カプセル化部７００を有する有機光電素子４０２のカプセル化装備品において、有機光電素子４０２は、気密の担体上に施与されていてよく、例えば製造または固定されていてよい。有機光電素子４０２を（インサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で）製造する場合、薄手のカプセル化層７０２は、有機光電素子４０２の上方に施与されうるかまたは有機光電素子４０２上に施与されうる。このインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）での方法は、プロセスの流れを延長しかつカプセル化すべき素子のプロセスとは無関係に実施することができないという欠点を有する。
さまざまな実施態様において、水および酸素に敏感な物質、物質混合物またはバリアフィルムを有する素子を接着剤なしに気密にカプセル化することを可能にする、水および酸素に対して気密のキャビティを製造するための装置および方法を提供することである。それによって、前記の物質または素子のインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）でのカプセル化被覆を可能な限り省略することができるが、それにもかかわらず、前記担体の任意の物質を使用することができる。そのうえ、素子担体をシステム担体として使用する場合には、さらにバリアフィルムを節約することができる。
開示された実施態様は、特別な実施態様に関連して、特に提示されかつ記載されたものであるが、当業者であれば、形式上の詳細なさまざまな変更が、係属された特許請求の範囲によって規定されたように、開示された実施態様の精神および範囲から逸脱することなく可能であることは、理解されるべきである。したがって、開示された実施態様の範囲は、係属された特許請求の範囲によって示されており、それゆえに、請求の範囲が意味する等価の範囲内での全ての変更は、本明細書中に包含される。
１００ キャビティ、 １０２ 第１の担体、 １０４ 第２の担体、 １１８ 原子接合部、 ３０２ 第１の担体のＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサ、 ３０４ 第２の担体のＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサ、 ４０２ 有機素子、 ４０６ 素子担体

Claims (14)

  1. ・ 少なくとも１つのＡＬＤプリカーサ（３０２）および／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサ（３０２）で被覆されている第１の担体（１０２）と
    ・ 前記第１の担体（１０２）のＡＬＤプリカーサ（３０２）および／またはＭＬＤプリカーサ（３０２）に対して相補的である、少なくとも１つのＡＬＤプリカーサ（３０４）および／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサ（３０４）で被覆されている第２の担体（１０４）
    を有する、気密に密閉された有機素子を有する装置であって、
    ・ 前記第１の担体（１０２）と前記第２の担体（１０４）とは、少なくとも部分的に、前記第１の担体（１０２）のＡＬＤプリカーサ（３０２）と前記第２の担体（１０４）のＡＬＤプリカーサ（３０４）との間の原子接合部（１１８）により、ＡＬＤ層（１１８）が形成されるように接合されており、または前記第１の担体（１０２）のＭＬＤプリカーサ（３０２）と前記第２の担体（１０４）のＭＬＤプリカーサ（３０４）との間の原子接合部（１１８）により、ＭＬＤ層（１１８）が形成されるように接合されており、
    ・ 第１の担体（１０２）のＡＬＤプリカーサ（３０２）および／またはＭＬＤプリカーサ（３０２）と第２の担体（１０４）のＡＬＤプリカーサ（３０４）および／またはＭＬＤプリカーサ（３０４）との接合によるＡＬＤ層（１１８）および／またはＭＬＤ層（１１８）には、前記ＡＬＤ層（１１８）および／またはＭＬＤ層（１１８）が第１の担体（１０２）と第２の担体（１０４）との間でキャビティ（１００）を囲むように、第２の担体（１０４）につながって隙間なしに第１の担体（１０２）が接合されており、且つ
    ・ キャビティ（１００）中で有機素子（４０２）がカプセル化されており、前記有機素子（４０２）は、素子担体（４０６）と機械的保護部（４０８）との間に有機機能性膜構造体（４０４）を有し、
    ・ 前記素子担体（４０６）は、前記第１の担体（１０２）上に置かれているかまたは固定されており、且つ
    ・ 前記第２の担体（１０４）は前記機械的保護部（４０８）上に置かれているかまたは固定されている
    、前記装置。
  2. 前記第１の担体（１０２）および前記第２の担体（１０４）が、水および／または酸素に対して拡散バリアを有する、請求項１記載の装置。
  3. 前記キャビティ（１００）が、水および酸素の拡散流に対して気密であるように密閉されている、請求項１記載の装置。
  4. 前記有機素子が、有機発光ダイオードである、請求項１記載の装置。
  5. 前記第１の担体（１０２）の表面または前記第２の担体（１０４）の表面は、カプセル化すべき素子（４０２）の素子担体（４０６）であるかまたはカプセル化すべき素子（４０２）を有する、請求項１記載の装置。
  6. カプセル化によるキャビティ内の前記有機素子（４０２）と電気的に接触するためのカプセル化された電気的接触部（４１０）をさらに含む、請求項１記載の装置。
  7. 前記電気的接触部（４１０）が、第１の担体（１０２）と第２の担体（１０４）との間に配置されている、請求項６記載の装置。
  8. ・ 少なくとも１つのＡＬＤプリカーサ（３０２）および／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサ（３０２）を第１の担体（１０２）上に施与し；
    ・ 少なくとも１つのＡＬＤプリカーサ（３０４）および／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサ（３０４）を、第２の担体（１０４）上に施与し、その際、前記第２の担体（１０４）上に施与されているＡＬＤプリカーサ（３０４）および／またはＭＬＤプリカーサ（３０４）が前記第１の担体（１０２）上に施与されているＡＬＤプリカーサ（３０２）および／またはＭＬＤプリカーサ（３０２）に対して相補的であり；および
    ・ 前記第１の担体（１０２）上に施与されている、少なくとも１つのＡＬＤプリカーサ（３０２）および／または少なくとも１つのＭＬＤプリカーサ（３０２）と、前記第２の担体（１０４）上に施与されている、相補的な少なくとも１つのＡＬＤプリカーサ（３０４）および／または相補的な少なくとも１つのＭＬＤプリカーサ（３０４）とを接合する、気密に密閉された有機素子を有する装置を製造する方法であって、
    前記第１の担体（１０２）と前記第２の担体（１０４）とは、少なくとも部分的に、前記第１の担体（１０２）上に施与されているＡＬＤプリカーサ（３０２）と前記第２の担体（１０４）上に施与されているＡＬＤプリカーサ（３０４）との間の原子接合により、ＡＬＤ層（１１８）が形成されるように接合されており、または前記第１の担体（１０２）上に施与されているＭＬＤプリカーサ（３０２）と前記第２の担体（１０４）上に施与されているＭＬＤプリカーサ（１１６）との間の原子接合により、ＭＬＤ層（１１８）が形成されるように接合されており、
    ・ 第１の担体（１０２）のＡＬＤプリカーサ（３０２）および／またはＭＬＤプリカーサ（３０２）と第２の担体（１０４）のＡＬＤプリカーサ（３０４）および／またはＭＬＤプリカーサ（３０４）との接合によるＡＬＤ層（１１８）および／またはＭＬＤ層（１１８）には、前記のＡＬＤ層（１１８）および／またはＭＬＤ層（１１８）が第１の担体（１０２）と第２の担体（１０４）との間でキャビティ（１００）を囲むように、第２の担体（１０４）につながって隙間なしに第１の担体（１０２）が接合されており、且つ、
    ・ 前記キャビティ（１００）中で有機素子（４０２）がカプセル化されており、前記有機素子（４０２）は、素子担体（４０６）と機械的保護部（４０８）との間に有機機能性膜構造体（４０４）を有し、
    ・ 前記素子担体（４０６）は、前記第１の担体（１０２）上に置かれているかまたは固定されており、且つ
    ・ 前記第２の担体（１０４）は前記機械的保護部（４０８）上に置かれているかまたは固定されている、
    前記の装置を製造する方法。
  9. 前記第１の担体（１０２）の表面および／または前記第２の担体（１０４）の表面を構造化する、請求項８記載の方法。
  10. 前記第１の担体（１０２）の表面および／または前記第２の担体（１０４）の表面を複数の互いに異なるＡＬＤプリカーサで被覆し、および／または複数の互いに異なるＭＬＤプリカーサで被覆する、請求項８記載の方法。
  11. 前記第１の担体（１０２）の化学的に構造化された表面および／または微細構成的に構造化された表面は、前記第２の担体（１０４）の化学的に構造化された表面および／または微細構成的に構造化された表面に対して相補的である、請求項１０記載の方法。
  12. 前記第１の担体の構造化および／または前記第２の担体の構造化は、ＡＬＤプリカーサまたはＭＬＤプリカーサの局在的な加熱または接合プロセスの触媒反応により形成される、請求項９記載の方法。
  13. ＡＬＤプリカーサおよび／またはＭＬＤプリカーサによる前記第１の担体（１０２）または前記第２の担体（１０４）の表面被覆が、反応性ＡＬＤプリカーサおよび／または反応性ＭＬＤプリカーサを、前記第１の担体（１０２）または前記第２の担体（１０４）の表面上で形成する、請求項８記載の方法。
  14. 前記有機素子が有機発光ダイオードである、請求項８記載の方法。
JP2015526915A 2012-08-14 2013-07-18 気密のキャビティを製造するための装置および方法 Expired - Fee Related JP6072253B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012214411.0 2012-08-14
DE102012214411.0A DE102012214411B4 (de) 2012-08-14 2012-08-14 Vorrichtung und verfahren zum herstellen hermetisch dichter kavitäten
PCT/EP2013/065220 WO2014026823A1 (de) 2012-08-14 2013-07-18 Vorrichtung und verfahren zum herstellen hermetisch dichter kavitäten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015532765A JP2015532765A (ja) 2015-11-12
JP6072253B2 true JP6072253B2 (ja) 2017-02-01

Family

ID=48985724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015526915A Expired - Fee Related JP6072253B2 (ja) 2012-08-14 2013-07-18 気密のキャビティを製造するための装置および方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9692009B2 (ja)
JP (1) JP6072253B2 (ja)
KR (1) KR101635126B1 (ja)
CN (1) CN104641485B (ja)
DE (1) DE102012214411B4 (ja)
WO (1) WO2014026823A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10804094B2 (en) 2016-05-06 2020-10-13 Applied Materials, Inc. Methods of depositing SiCON with C, O and N compositional control
DE102014112696B4 (de) * 2014-09-03 2023-09-07 Pictiva Displays International Limited Organisches Bauelement
WO2017141870A1 (ja) * 2016-02-18 2017-08-24 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置
JP6815158B2 (ja) 2016-10-13 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 酸化チタン膜の成膜方法およびハードマスクの形成方法
CN108074499A (zh) * 2017-12-27 2018-05-25 周卫江 一种led模组及其封装方法
EP3573434A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-27 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Stretchable electronic device
DE102019202721B4 (de) 2019-02-28 2021-03-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 3d-flexfolien-package
DE102019202718B4 (de) 2019-02-28 2020-12-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dünnes Dual-Folienpackage und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102019202715A1 (de) * 2019-02-28 2020-09-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Folienbasiertes package mit distanzausgleich
DE102019202716B4 (de) 2019-02-28 2020-12-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Flex-folien-package mit coplanarer topologie für hochfrequenzsignale und verfahren zum herstellen eines derartigen flex-folien-packages
KR102224346B1 (ko) * 2019-07-11 2021-03-05 한양대학교 산학협력단 유무기 하이브리드층, 이 층을 구비하는 유무기 적층체, 및 이 적층체를 가스 배리어로 구비하는 유기전자소자
CN110518143A (zh) * 2019-08-19 2019-11-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN110508155B (zh) * 2019-08-21 2021-09-03 南京大学 一种锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法
US11447865B2 (en) 2020-11-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Deposition of low-κ films

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6503330B1 (en) * 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
JP4887585B2 (ja) 2001-08-24 2012-02-29 パナソニック株式会社 表示パネルおよびそれを用いた情報表示装置
JP4240276B2 (ja) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US20050181212A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 General Electric Company Composite articles having diffusion barriers and devices incorporating the same
US6872319B2 (en) * 2002-09-30 2005-03-29 Rockwell Scientific Licensing, Llc Process for high yield fabrication of MEMS devices
US20040189195A1 (en) * 2003-03-24 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Devices including, methods using, and compositions of reflowable getters
US7581443B2 (en) * 2005-07-20 2009-09-01 The Boeing Company Disc resonator gyroscopes
US7109092B2 (en) * 2003-05-19 2006-09-19 Ziptronix, Inc. Method of room temperature covalent bonding
JP2005011649A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Sanyo Electric Co Ltd 接着方法、その接着方法を利用可能なエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、及びエレクトロルミネッセンスパネル
WO2006014591A2 (en) * 2004-07-08 2006-02-09 Itn Energy Systems, Inc. Permeation barriers for flexible electronics
US7091568B2 (en) * 2004-12-22 2006-08-15 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic device including dielectric layer, and a process for forming the electronic device
JP5080258B2 (ja) * 2005-02-03 2012-11-21 富士フイルム株式会社 液晶表示装置
US7647836B2 (en) * 2005-02-10 2010-01-19 Cardiomems, Inc. Hermetic chamber with electrical feedthroughs
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US20080248648A1 (en) * 2007-04-06 2008-10-09 Thompson David M Deposition precursors for semiconductor applications
US9660205B2 (en) * 2007-06-22 2017-05-23 Regents Of The University Of Colorado Protective coatings for organic electronic devices made using atomic layer deposition and molecular layer deposition techniques
US7858144B2 (en) * 2007-09-26 2010-12-28 Eastman Kodak Company Process for depositing organic materials
US20090081356A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
JP4471002B2 (ja) * 2008-01-23 2010-06-02 セイコーエプソン株式会社 接合体の形成方法
JP2009199902A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Seiko Epson Corp 有機発光装置および電子機器
US20110108522A1 (en) 2008-04-23 2011-05-12 Agilent Technologies, Inc. Microstructured separation element with a porous surface coating
FR2933538B1 (fr) 2008-07-07 2012-09-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif electroluminescent d'affichage, d'eclairage ou de signalisation, et son procede de fabrication
EP2313339A1 (en) * 2008-07-21 2011-04-27 Valorbec S.E.C. A microfluidic device and method for fabricating the microfluidic device
US20110291544A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-01 Industrial Technology Research Institute Gas barrier substrate, package of organic electro-luminenscent device and packaging method thereof
JP6012018B2 (ja) 2012-04-05 2016-10-25 住友化学株式会社 有機ｅｌ装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101635126B1 (ko) 2016-06-30
DE102012214411A1 (de) 2014-02-20
DE102012214411B4 (de) 2022-05-25
CN104641485A (zh) 2015-05-20
US20150207101A1 (en) 2015-07-23
JP2015532765A (ja) 2015-11-12
WO2014026823A1 (de) 2014-02-20
KR20150038131A (ko) 2015-04-08
CN104641485B (zh) 2017-03-08
US9692009B2 (en) 2017-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6072253B2 (ja) 気密のキャビティを製造するための装置および方法
Zou et al. Boosting perovskite light-emitting diode performance via tailoring interfacial contact
Hong et al. Low-dimensional halide perovskites: review and issues
Gong et al. High-performance all-inorganic CsPbCl3 perovskite nanocrystal photodetectors with superior stability
Geng et al. Recent advances in growth of novel 2D materials: beyond graphene and transition metal dichalcogenides
Li et al. First-principles calculations of the electronic properties of SiC-based bilayer and trilayer heterostructures
Chang et al. All-inorganic perovskite nanocrystals with a stellar set of stabilities and their use in white light-emitting diodes
Seo et al. Laminated graphene films for flexible transparent thin film encapsulation
Chen et al. Flexible optoelectronic devices based on metal halide perovskites
Choi et al. Reduced water vapor transmission rate of graphene gas barrier films for flexible organic field-effect transistors
KR101813171B1 (ko) 가스차단성 박막, 이를 포함하는 전자소자 및 이의 제조방법
Wei et al. In situ light-initiated ligands cross-linking enables efficient all-solution-processed perovskite light-emitting diodes
US9530987B2 (en) Structure and method for packaging organic optoelectronic device
Choi et al. A study on the growth behavior and stability of molecular layer deposited alucone films using diethylene glycol and trimethyl aluminum precursors, and the enhancement of diffusion barrier properties by atomic layer deposited Al2O3 capping
KR20100117632A (ko) 전자 소자의 제조 방법 및 전자 소자
KR20200008626A (ko) Oled 소자의 봉지 모듈 및 봉지 방법, 디스플레이 장치
TWI496826B (zh) 具有高阻隔性的封裝材料
US10411220B2 (en) OLED display with an encapsulation with a plurality of inorganic layers
Yi et al. Roll-transferred graphene encapsulant for robust perovskite solar cells
CN104347820A (zh) Amoled器件及制备方法
Ghosh et al. Heavy mediator at quantum dot/graphene heterojunction for efficient charge carrier transfer: Alternative approach for high-performance optoelectronic devices
Tatebayashi et al. Optical characteristics of GaInP/GaP double-heterostructure core-shell nanowires embedded in polydimethylsiloxane membranes
Shao et al. One-step integration of a multiple-morphology gold nanoparticle array on a TiO 2 film via a facile sonochemical method for highly efficient organic photovoltaics
Kim et al. 2D Materials in the display industry: status and prospects
TWI360862B (en) Methods of forming gas barriers on electronic devi

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160411

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160706

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6072253

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees