CN111834293A - 一种可拉伸oled面板及其制备方法 - Google Patents

一种可拉伸oled面板及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种可拉伸OLED面板及其制备方法，该方法包括以下步骤：在临时载板上设置一柔性基底，在所述柔性基底上形成岛基体以及拉伸区，在每个所述岛基体的上表面的四周边缘区域形成一环形凹槽且在每个所述岛基体的中间区域形成第一沟槽，在每个所述拉伸区中形成多个平行排列的第二沟槽，接着在所述环形凹槽中形成一环形阻挡块，并在所述第一沟槽的形成承载金属块，接着在所述柔性基底上形成缓冲材料层、TFT器件以及OLED器件，接着形成无机封装介质层以及有机弹性封装层，所述有机弹性封装层覆盖多个所述无机封装介质层以及所述拉伸区，其中，部分的所述有机弹性封装层嵌入到所述第二沟槽中，最后去除所述临时载板。

Description

一种可拉伸OLED面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体显示技术领域，尤其是涉及一种可拉伸OLED面板及其制备方法。
背景技术
OLED显示面板是利用有机发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光有机电激发光二极管，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。其中，可拉伸OLED显示面板由于其具有可拉伸的特性，其拥有更加广泛的应用范围，例如可以用于折叠式智能设备、穿戴式设备以及飞机和汽车中，在设计上具有更大的自由度和发挥空间，如何改变可拉伸OLED显示面板的结构，以增加其使用寿命，这是业界的技术热点。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种可拉伸OLED面板及其制备方法。
为实现上述目的，一种可拉伸OLED面板的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供一临时载板，在所述临时载板上设置一柔性基底，接着对所述柔性基底进行刻蚀处理，以在所述柔性基底上形成多个呈阵列排布的岛基体以及位于相邻两个岛基体之间的拉伸区。
(2)接着在每个所述岛基体的上表面的四周边缘区域形成一环形凹槽，接着在每个所述岛基体的中间区域形成第一沟槽；所述环形凹槽的深度小于所述沟槽的深度，接着在每个所述拉伸区中形成多个平行排列的第二沟槽。
(3)接着在所述环形凹槽和所述第一沟槽中沉积金属材料，以在每个所述环形凹槽中形成一环形阻挡块，并在每个所述第一沟槽的形成承载金属块。
(4)接着在所述柔性基底上形成缓冲材料层，所述缓冲材料层覆盖所述岛基体的上表面、所述环形阻挡块、所述承载金属块、所述拉伸区的上表面以及所述第二沟槽。
(5)接着在每个所述岛基体的上方设置一TFT器件，所述TFT器件包括半导体有源层、栅电极、源电极以及漏电极。
(6)接着在每个所述TFT器件的上方形成一OLED器件，所述OLED器件包括阳极、发光层以及阴极。
(7)接着在每个所述岛基体上均形成一无机封装介质层，所述无机封装介质层封装相应的所述TFT器件和所述OLED器件。
(8)接着在所述柔性基底上形成有机弹性封装层，所述有机弹性封装层覆盖多个所述无机封装介质层以及所述拉伸区，其中，部分的所述有机弹性封装层嵌入到所述第二沟槽中。
(9)去除所述临时载板。
作为优选，在所述步骤(1)中，首先在所述临时载板上设置一临时粘结层，接着在所述临时粘结层上设置所述柔性基底，所述柔性基底的材料为聚酰亚胺、热塑性聚氨酯或聚二甲基硅氧烷。
作为优选，在所述步骤(2)中，通过干法刻蚀工艺形成所述环形凹槽、所述第一沟槽以及所述第二沟槽，所述环形凹槽的深度与所述第一沟槽的深度的比值为0.6-0.9。
作为优选，在所述步骤(3)中，所述金属材料为金、银、铜、铝、钛、镍、钴、铁中的一种或多种，所述环形阻挡块和所述承载金属块通过蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、电镀或化学镀的工艺形成。
作为优选，在所述步骤(4)中，所述缓冲材料层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述缓冲材料层通过PECVD法形成。
作为优选，在所述步骤(7)中，所述无机封装介质层的材料是氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、氧化铪、氮氧化硅中的一种或多种。
作为优选，在所述步骤(8)中，所述有机弹性封装层为硅橡胶、EVA、丙烯酸树脂、聚二甲基硅氧烷或热塑性聚氨酯。
本发明还提出一种可拉伸OLED面板，其采用上述方法制备形成的。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
在本发明的可拉伸OLED面板的制备过程中，通过在每个岛基体的上表面的四周边缘区域形成一环形凹槽，并在每个所述岛基体的中间区域形成第一沟槽，进而沉积金属材料以分别形成环形阻挡块和承载金属块，其中，本发明的可拉伸OLED面板在拉伸过程中，环形阻挡块的设置可以避免岛基体发生形变，进而可以防止TFT器件和OLED器件损坏，同时承载金属块的设置则可以提高岛基体的承载稳定性，且可以对FTF器件进行有效的散热。且在本发明中，通过同一刻蚀工艺和沉积工艺以同时形成环形阻挡块和承载金属块，节约了可拉伸OLED面板的制备工序，降低了生产成本。同时在每个拉伸区中形成多个平行排列的第二沟槽，进而使得后续的有机弹性封装层嵌入到所述第二沟槽中，有效提高了本发明的OLED面板的拉伸性能。
附图说明
图1-图7为本发明的可拉伸OLED面板的制备过程的结构示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
本发明提出的一种可拉伸OLED面板的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供一临时载板，在所述临时载板上设置一柔性基底，接着对所述柔性基底进行刻蚀处理，以在所述柔性基底上形成多个呈阵列排布的岛基体以及位于相邻两个岛基体之间的拉伸区。
(2)接着在每个所述岛基体的上表面的四周边缘区域形成一环形凹槽，接着在每个所述岛基体的中间区域形成第一沟槽；所述环形凹槽的深度小于所述沟槽的深度，接着在每个所述拉伸区中形成多个平行排列的第二沟槽。
(3)接着在所述环形凹槽和所述第一沟槽中沉积金属材料，以在每个所述环形凹槽中形成一环形阻挡块，并在每个所述第一沟槽的形成承载金属块。
(4)接着在所述柔性基底上形成缓冲材料层，所述缓冲材料层覆盖所述岛基体的上表面、所述环形阻挡块、所述承载金属块、所述拉伸区的上表面以及所述第二沟槽。
(5)接着在每个所述岛基体的上方设置一TFT器件，所述TFT器件包括半导体有源层、栅电极、源电极以及漏电极。
(6)接着在每个所述TFT器件的上方形成一OLED器件，所述OLED器件包括阳极、发光层以及阴极。
(7)接着在每个所述岛基体上均形成一无机封装介质层，所述无机封装介质层封装相应的所述TFT器件和所述OLED器件。
(8)接着在所述柔性基底上形成有机弹性封装层，所述有机弹性封装层覆盖多个所述无机封装介质层以及所述拉伸区，其中，部分的所述有机弹性封装层嵌入到所述第二沟槽中。
(9)去除所述临时载板。
其中，在所述步骤(1)中，首先在所述临时载板上设置一临时粘结层，接着在所述临时粘结层上设置所述柔性基底，所述柔性基底的材料为聚酰亚胺、热塑性聚氨酯或聚二甲基硅氧烷。
其中，在所述步骤(2)中，通过干法刻蚀工艺形成所述环形凹槽、所述第一沟槽以及所述第二沟槽，所述环形凹槽的深度与所述第一沟槽的深度的比值为0.6-0.9。
其中，在所述步骤(3)中，所述金属材料为金、银、铜、铝、钛、镍、钴、铁中的一种或多种，所述环形阻挡块和所述承载金属块通过蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、电镀或化学镀的工艺形成。
其中，在所述步骤(4)中，所述缓冲材料层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述缓冲材料层通过PECVD法形成。
其中，在所述步骤(7)中，所述无机封装介质层的材料是氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、氧化铪、氮氧化硅中的一种或多种。
其中，在所述步骤(8)中，所述有机弹性封装层为硅橡胶、EVA、丙烯酸树脂、聚二甲基硅氧烷或热塑性聚氨酯。
本发明还提出一种可拉伸OLED面板，其采用上述方法制备形成的。
请参阅图1-7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。
请参考图1-7，本发明提出的一种可拉伸OLED面板的制备方法，包括以下步骤：
如图1所示，首先进行步骤(1)，首先提供一临时载板1，在所述临时载板1上设置一柔性基底2，接着对所述柔性基底2进行刻蚀处理，以在所述柔性基底2上形成多个呈阵列排布的岛基体21以及位于相邻两个岛基体21之间的拉伸区22。
其中，在所述步骤(1)中，首先在所述临时载板1上设置一临时粘结层11，接着在所述临时粘结层11上设置所述柔性基底2，所述柔性基底2的材料为聚酰亚胺、热塑性聚氨酯或聚二甲基硅氧烷，所述临时粘结层可以在光照或加热状态下失去粘性，进而便于临时载板1的剥离。
在具体的实施例中，所述临时载板1具体可以为不锈钢基底、玻璃基底或陶瓷基底等刚性基底，使得所述临时载板1具有足够的强度以便于后续各功能层的制备。接着将一柔性基底2通过临时粘结层11粘结至所述临时载板1上，接着通过激光烧蚀工艺在所述柔性基底2上形成多个呈阵列排布的岛基体21以及位于相邻两个岛基体21之间的拉伸区22。
如图2所示，接着进行步骤(2)，接着在每个所述岛基体21的上表面的四周边缘区域形成一环形凹槽211，接着在每个所述岛基体21的中间区域形成第一沟槽212；所述环形凹槽211的深度小于所述沟槽212的深度，接着在每个所述拉伸区22中形成多个平行排列的第二沟槽221。
其中，在所述步骤(2)中，通过干法刻蚀工艺形成所述环形凹槽211、所述第一沟槽212以及所述第二沟槽221，所述环形凹槽211的深度与所述第一沟槽212的深度的比值为0.6-0.9。
在优选的实施例中，所述环形凹槽211的深度与所述第一沟槽212的深度的比值为0.7或0.8，通过优化所述环形凹槽211的深度与所述第一沟槽212的深度的比值，有效确保岛基体的稳定性和韧性。同时设置所述第二沟槽221的深度与所述拉伸区的厚度为比值为0.2-0.4，更优选的，所述第二沟槽221的深度与所述拉伸区的厚度为比值为0.3，以平衡所述拉伸区22的拉伸性能和机械性能。
如图3所示，接着在步骤(3)中，接着在所述环形凹槽211和所述第一沟槽212中沉积金属材料，以在每个所述环形凹槽211中形成一环形阻挡块31，并在每个所述第一沟槽212的形成承载金属块32。
其中，在所述步骤(3)中，所述金属材料为金、银、铜、铝、钛、镍、钴、铁中的一种或多种，所述环形阻挡块31和所述承载金属块32通过蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、电镀或化学镀的工艺形成。
在具体的实施例中，所述金属材料可以是铜或铝，且通过电镀或磁控溅射工艺形成所述环形阻挡块31和所述承载金属块32。
如图4所示，接着进行步骤(4)，接着在所述柔性基底2上形成缓冲材料层4，所述缓冲材料层4覆盖所述岛基体21的上表面、所述环形阻挡块31、所述承载金属块32、所述拉伸区22的上表面以及所述第二沟槽221。
在具体的实施例中，所述缓冲材料层4为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述缓冲材料层4通过PECVD法形成，所述缓冲层4的存在可以修饰所述柔性基底2的上表面，同时也可以阻挡湿气进入功能器件，进而影响器件的性能。通过调整缓冲材料层4的制备工艺，使得在所述岛基体21上形成较厚的缓冲材料层，而在所述拉伸区上形成较薄的缓冲材料层，具体的，在所述拉伸区上的缓冲材料层的厚度为50-200纳米，进而使得其不填满所述第二沟槽221，而仅仅覆盖所述第二沟槽221的侧壁和底面。
如图5所示，接着进行步骤(5)，接着在每个所述岛基体21的上方设置一TFT器件5，所述TFT器件5包括半导体有源层、栅电极、源电极以及漏电极。接着进行步骤(6)，接着在每个所述TFT器5的上方形成一OLED器件6，所述OLED器件6包括阳极、发光层以及阴极。
在其具体的实施例中，TFT器5和OLED器件6的制备工艺可以为：在所述缓冲层4上形成半导体有源层，接着在半导体有源层上形成栅极绝缘层，接着在栅极绝缘层上形成栅电极，接着在所述栅极绝缘层上形成层间绝缘层，接着对所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层进行开孔以暴露所述半导体有源层，进而填充导电材料以形成源极和漏极，接着形成平坦化层以覆盖所述层间绝缘层和所述源极、漏极，接着对所述平坦化层进行图案化以露出所述薄膜晶体管的漏极，接着在所述平坦化层上形成OLED器件6的阳极，所述阳极与相应的漏极电性耦接，以接收漏极传输的信号，驱动OLED器件6，接着在所述阳极上形成发光层和阴极，其中，在所述阳极和所述发光层之间还具有空穴注入层和空穴传输层，在所述阴极与所述发光层之间还具有电子注入层和电子传输层。同时还可以在所述拉伸区上的缓冲材料层上形成线路层(未图示)，所述线路层用于电连接相邻的岛基体21上的TFT器件5，所述线路层仅覆盖所述第二沟槽221的侧壁和底面，使得相邻岛基体21之间的线路层呈波浪状，进而使得可拉伸OLED面板在反复拉伸下，线路层也不易断裂，提高了可拉伸OLED面板的稳定性。
如图6所示，(7)接着在每个所述岛基体上均形成一无机封装介质层7，所述无机封装介质层7封装相应的所述TFT器件和所述OLED器件。所述无机封装介质层7的材料是氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、氧化铪、氮氧化硅中的一种或多种。其中所述无机封装介质层7具体可以为氧化硅或氧化铝，且所述无机封装介质层7通过PECVD或ALD法形成。
如图7所示，接着进行步骤(8)，接着在所述柔性基底2上形成有机弹性封装层8，所述有机弹性封装层8覆盖多个所述无机封装介质层7以及所述拉伸区22，其中，部分的所述有机弹性封装层8嵌入到所述第二沟槽221中。其中，所述有机弹性封装层8为硅橡胶、EVA、丙烯酸树脂、聚二甲基硅氧烷或热塑性聚氨酯。接着进行步骤(9)，去除所述临时载板，进一步还可以减薄所述岛基体21的下表面以暴露所述承载金属块32，进而便于所述可拉伸OLED面板散热
如图7所示，本发明还提出一种可拉伸OLED面板，其采用上述方法制备形成的。
在本发明的可拉伸OLED面板的制备过程中，通过在每个岛基体的上表面的四周边缘区域形成一环形凹槽，并在每个所述岛基体的中间区域形成第一沟槽，进而沉积金属材料以分别形成环形阻挡块和承载金属块，其中，本发明的可拉伸OLED面板在拉伸过程中，环形阻挡块的设置可以避免岛基体发生形变，进而可以防止TFT器件和OLED器件损坏，同时承载金属块的设置则可以提高岛基体的承载稳定性，且可以对FTF器件进行有效的散热。且在本发明中，通过同一刻蚀工艺和沉积工艺以同时形成环形阻挡块和承载金属块，节约了可拉伸OLED面板的制备工序，降低了生产成本。同时在每个拉伸区中形成多个平行排列的第二沟槽，进而使得后续的有机弹性封装层嵌入到所述第二沟槽中，有效提高了本发明的OLED面板的拉伸性能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种可拉伸OLED面板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一临时载板，在所述临时载板上设置一柔性基底，接着对所述柔性基底进行刻蚀处理，以在所述柔性基底上形成多个呈阵列排布的岛基体以及位于相邻两个岛基体之间的拉伸区；
(2)接着在每个所述岛基体的上表面的四周边缘区域形成一环形凹槽，接着在每个所述岛基体的中间区域形成第一沟槽；所述环形凹槽的深度小于所述沟槽的深度，接着在每个所述拉伸区中形成多个平行排列的第二沟槽；
(3)接着在所述环形凹槽和所述第一沟槽中沉积金属材料，以在每个所述环形凹槽中形成一环形阻挡块，并在每个所述第一沟槽的形成承载金属块；
(4)接着在所述柔性基底上形成缓冲材料层，所述缓冲材料层覆盖所述岛基体的上表面、所述环形阻挡块、所述承载金属块、所述拉伸区的上表面以及所述第二沟槽；
(5)接着在每个所述岛基体的上方设置一TFT器件，所述TFT器件包括半导体有源层、栅电极、源电极以及漏电极；
(6)接着在每个所述TFT器件的上方形成一OLED器件，所述OLED器件包括阳极、发光层以及阴极；
(7)接着在每个所述岛基体上均形成一无机封装介质层，所述无机封装介质层封装相应的所述TFT器件和所述OLED器件；
(8)接着在所述柔性基底上形成有机弹性封装层，所述有机弹性封装层覆盖多个所述无机封装介质层以及所述拉伸区，其中，部分的所述有机弹性封装层嵌入到所述第二沟槽中；
(9)去除所述临时载板。
2.根据权利要求1所述的可拉伸OLED面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，首先在所述临时载板上设置一临时粘结层，接着在所述临时粘结层上设置所述柔性基底，所述柔性基底的材料为聚酰亚胺、热塑性聚氨酯或聚二甲基硅氧烷。
3.根据权利要求1所述的可拉伸OLED面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，通过干法刻蚀工艺形成所述环形凹槽、所述第一沟槽以及所述第二沟槽，所述环形凹槽的深度与所述第一沟槽的深度的比值为0.6-0.9。
4.根据权利要求1所述的可拉伸OLED面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，所述金属材料为金、银、铜、铝、钛、镍、钴、铁中的一种或多种，所述环形阻挡块和所述承载金属块通过蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、电镀或化学镀的工艺形成。
5.根据权利要求1所述的可拉伸OLED面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述缓冲材料层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述缓冲材料层通过PECVD法形成。
6.根据权利要求1所述的可拉伸OLED面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(7)中，所述无机封装介质层的材料是氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、氧化铪、氮氧化硅中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的可拉伸OLED面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(8)中，所述有机弹性封装层为硅橡胶、EVA、丙烯酸树脂、聚二甲基硅氧烷或热塑性聚氨酯。
8.一种可拉伸OLED面板，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的。
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