CN114725253A - Micro-LED显示基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种Micro‑LED显示基板及其制造方法。通过设置相邻两个Micro‑LED单元之间具有贯穿开口，设置第一绝缘层填满所述贯穿开口且覆盖每个所述Micro‑LED单元的第一半导体层，进而在所述第一绝缘层上沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开孔且覆盖所述第一凹槽的侧壁和底面，对所述第一金属层进行图案化处理，以在每个所述Micro‑LED单元上形成第一导电部和第一散热部，且通过设置所述第一凹槽的深度超过所述有源发光层所处的位置，进而使得第一散热部覆盖所述有源发光层的侧面。同时在所述第一散热部上形成有第一散热凸起，并在所述第二散热部的顶端设置一凹部，以同时起到了提高转移精确度和提高散热性能的作用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及Micro-LED显示基板及其制造方法。
背景技术
早期的LED显示屏像素采用红绿蓝三基色的LED结合而成，由于封装体尺寸较大，使得像素间距达到20 mm左右。随着芯片尺寸缩小和封装水平提高，市场上像素间距3 mm显示屏已经很常见。进一步地，芯片尺寸达到100 μm左右，工业上称之为mini LED，像素间距能够达到0.2 mm 左右，mini LED尺寸基本达到LED常用生产技术的极限。在芯片尺寸和OLED可比的情况下，亮度、对比度和可靠性等方面mini LED显示了巨大的优势。Micro-LED则进一步把芯片尺寸缩减至50 μm以下，由于Micro-LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与LCD、OLED相比，Micro-LED显示板具有高亮度、高分辨率、高对比度、低能耗、使用寿命长、响应速度快和热稳定性高等优点。而现有的Micro-LED显示基板的制作工艺复杂且散热性能差。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种Micro-LED显示基板和一种Micro-LED显示基板的制造方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种Micro-LED显示基板的制造方法，包括以下步骤：
步骤（1）：提供一生长基底，在所述生长基底上依次形成第一半导体层、发光功能层、第二半导体层和透光性导电层。
步骤（2）：接着提供第一转移基底，将所述生长基底上的透光性导电层贴合至所述第一转移基底，接着对所述第一半导体层、所述发光功能层、所述第二半导体层和所述透光性导电层进行刻蚀处理，以形成多个呈矩阵排列的Micro-LED单元，相邻两个所述Micro-LED单元之间具有贯穿开口。
步骤（3）：接着沉积导热绝缘材料以形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层填满所述贯穿开口且覆盖每个所述Micro-LED单元的第一半导体层。
步骤（4）：接着对所述第一绝缘层进行刻蚀处理，形成暴露每个所述Micro-LED单元的所述第一半导体层的第一开孔，且在相邻两个所述Micro-LED单元之间的所述第一绝缘层中形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度超过所述发光功能层所处的位置。
步骤（5）：接着在所述第一绝缘层上沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开孔且覆盖所述第一凹槽的侧壁和底面；
步骤（6）：接着对所述第一金属层进行图案化处理，以在每个所述Micro-LED单元上形成第一导电部和第一散热部，所述第一导电部与所述第一半导体层电连接，所述第一散热部覆盖每个所述Micro-LED单元的所述发光功能层的侧壁；
步骤（7）：接着在所述第一散热部上沉积金属材料以形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，以在所述第一散热部上形成第一散热凸起，接着对所述第一绝缘层进行切割处理，使得相邻的两个所述Micro-LED单元分离；
步骤（8）：接着提供一阵列基板，所述阵列基板上包括多个薄膜晶体管设置区和多个Micro-LED安装区，在每个所述薄膜晶体管设置区设置一薄膜晶体管，且在每个所述Micro-LED安装区设置一第二散热部，所述第二散热部的顶端设置一凹部；
步骤（9）：将多个所述Micro-LED单元分别转移至所述阵列基板中相应的所述Micro-LED安装区上，使得每个所述第二散热部与相应的所述第一散热部热接触，且使得所述第一散热凸起嵌入到所述凹部中。
作为优选的技术方案，在所述步骤（1）中，所述生长基底为硅基底、碳化硅基底、蓝宝石基底和氮化镓基底中的一种，在生长所述第一半导体层之前，在所述生长基底上先生长一缓冲层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为氮化镓、氮化铝镓、砷化镓、磷化镓中的一种。
作为优选的技术方案，在所述步骤（2）中，在所述第一转移基底上设置一粘合材料层，进而利用所述粘合材料层将所述透光性导电层粘合至所述第一转移基底，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺进行所述刻蚀处理。
作为优选的技术方案，在所述步骤（3）中，所述第一绝缘层的材料为氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅中的一种，所述第一绝缘层通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。
作为优选的技术方案，在所述步骤（5）中，所述第一金属层的材料为铜、铝、银、镍中的一种，所述第一金属层通过磁控溅射、热蒸镀、化学镀、电镀、电子束蒸发中的一种或多种工艺制备，所述第一金属层中位于所述第一凹槽的部分与所述第一凹槽共形。
作为优选的技术方案，在所述步骤（6）中，利用激光或刀具对所述第一绝缘层进行切割处理。
作为优选的技术方案，在所述步骤（7）中，通过对所述阵列基板的每个所述Micro-LED安装区进行开孔处理，进而填充金属材料以形成所述第二散热部。
作为优选的技术方案，本发明还提出一种Micro-LED显示基板，其采用上述制造方法形成的。
本发明的有益效果在于：
通过设置相邻两个Micro-LED单元之间具有贯穿开口，设置第一绝缘层填满所述贯穿开口且覆盖每个所述Micro-LED单元的第一半导体层，进而在所述第一绝缘层上沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开孔且覆盖所述第一凹槽的侧壁和底面，对所述第一金属层进行图案化处理，以在每个所述Micro-LED单元上形成第一导电部和第一散热部，且通过设置所述第一凹槽的深度超过所述发光功能层所处的位置，进而使得第一散热部覆盖所述发光功能层的侧面，上述结构的设置可以防止Micro-LED单元所发出的光不从Micro-LED单元的侧面射出，进而改善出光效果；同时由于第一散热部覆盖所述发光功能层的侧面以及所述第一半导体层的表面，可以快速散热。且在转移过程中，通过在每个所述Micro-LED安装区设置一第二散热部，进而使得每个所述第二散热部与相应的所述第一散热部热接触，进而方便热引出，进而可以提高Micro-LED显示基板稳定性和使用寿命。
同时由于在所述第一散热部上形成有第一散热凸起，并在所述第二散热部的顶端设置一凹部，进而在后续的转移过程中，使得所述第一散热凸起嵌入到所述凹部中，由于第一散热凸起和凹部的设置，便于每个Micro-LED单元的转移对位，有效提高了Micro-LED单元的转移效率和成品率，同时由于第一散热凸起嵌入到凹部中，进一步提高了Micro-LED显示基板的散热性能，即同时起到了提高转移精确度和提高散热性能的作用。
附图说明
图1显示为本发明实施例中在生长基底上依次形成第一半导体层、发光功能层、第二半导体层和透光性导电层的结构示意图。
图2显示为本发明实施例中在第一转移基底上形成多个呈矩阵排列的Micro-LED单元的结构示意图。
图3显示为本发明实施例中形成一第一绝缘层的结构示意图。
图4显示为本发明实施例中对所述第一绝缘层进行刻蚀处理形成第一开孔和第一凹槽的结构示意图。
图5显示为本发明实施例中形成第一金属层的结构示意图。
图6显示为本发明实施例中对所述第一金属层进行图案化处理以形成第一导电部和第一散热部的结构示意图。
图7显示为本发明实施例中对所述第二金属层进行图案化处理以形成第一散热凸起的结构示意图。
图8显示为本发明实施例中提供阵列基板的结构示意图。
图9显示为本发明实施例中将多个所述Micro-LED单元分别转移至所述阵列基板的结构示意图。
附图标记说明
生长基底100，第一半导体层101，发光功能层102，第二半导体层103，透光性导电层104，转移基底200，Micro-LED单元201，贯穿开口202，第一绝缘层203，第一开孔204，第一凹槽205，第一金属层300，第一导电部301，第一散热部302，第一散热凸起303，阵列基板400，薄膜晶体管设置区401，Micro-LED安装区402，第二散热部403，凹部404，薄膜晶体管500。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
如图1～图8所示，本实施例提供一种Micro-LED显示基板的制造方法，包括以下步骤：
在具体的实施例中，如图1所示，在步骤（1）中，提供一生长基底100，在所述生长基底上依次形成第一半导体层101、发光功能层102、第二半导体层103和透光性导电层104。
在具体的实施例中，在所述步骤（1）中，所述生长基底100为硅基底、碳化硅基底、蓝宝石基底和氮化镓基底中的一种，在生长所述第一半导体层101之前，在所述生长基底100上先生长一缓冲层（未示意），所述缓冲层的存在可以便于后续半导体层的生长，避免晶格失配，进而提高所述第一半导体层101、发光功能层102和第二半导体层103的生长质量。
在具体的实施例中，对所述第一半导体层101和所述第二半导体层103的材质不做限定，即可以是氮化镓、氮化铝镓、砷化镓、磷化镓中的一种，所述发光功能层102可以是单量子阱层或多量子阱层，所述第一半导体层101、发光功能层102和第二半导体层103可以通过分子束外延技术生长形成。所述透光性导电层104可以为透明氧化物导电层，具体的可以为ITO层，其可以通过磁控溅射工艺形成。
在具体的实施例中，如图2所示，在步骤（2）中，接着提供第一转移基底200，将所述生长基底100上的透光性导电层104贴合至所述第一转移基底200，进而去除所述生长基底100，接着对所述第一半导体层101、所述发光功能层102、所述第二半导体层103和所述透光性导电层104进行刻蚀处理，以形成多个呈矩阵排列的Micro-LED单元201，相邻两个所述Micro-LED单元201之间具有贯穿开口202。
在具体的实施例中，在所述步骤（2）中，在所述第一转移基底200上设置一粘合材料层（未示意），进而利用所述粘合材料层将所述透光性导电层104粘合至所述第一转移基底200，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺进行所述刻蚀处理。
在更具体的实施例中，所述粘合材料层临时粘结层，其在紫外光照射或者加热条件下可失去粘性，进而便于剥离。
在具体的实施例中，如图3所示，在步骤（3）中，接着沉积导热绝缘材料以形成一第一绝缘层203，所述第一绝缘层203填满所述贯穿开口202且覆盖每个所述Micro-LED单元201的第一半导体层101。
在具体的实施例中，在所述步骤（3）中，所述第一绝缘层203的材料为氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅中的一种，所述第一绝缘层203通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。
在更具体的实施例中，所述第一结缘层203为氧化铝层，进而通过原子层沉积工艺形成。在本申请中，该第一绝缘层203的设置便于后续形成的第一散热部与Micro-LED单元201电绝缘，进而便于确保Micro-LED单元201的正常工作。
在具体的实施例中，如图4所示，在步骤（4）中，接着对所述第一绝缘层203进行刻蚀处理，形成暴露每个所述Micro-LED单元201的所述第一半导体层101的第一开孔204，且在相邻两个所述Micro-LED单元201之间的所述第一绝缘层203中形成第一凹槽205，所述第一凹槽205的深度超过所述发光功能层102所处的位置。
在具体的实施例中，通过湿法刻蚀或者干法刻蚀形成所述第一开孔204和所述第一凹槽205。
在具体的实施例中，如图5所示，在步骤（5）中，接着在所述第一绝缘层上沉积金属材料以形成第一金属层300，所述第一金属层300填充所述第一开孔204且覆盖所述第一凹槽205的侧壁和底面。
在具体的实施例中，在所述步骤（5）中，所述第一金属层300的材料为铜、铝、银、镍中的一种，所述第一金属层300通过磁控溅射、热蒸镀、化学镀、电镀、电子束蒸发中的一种或多种工艺制备，所述第一金属层300中位于所述第一凹槽205的部分与所述第一凹槽205共形。
在更具体的实施例中，所述第一金属层300的材料为铜，且通过电镀或者蒸镀工艺形成。
在具体的实施例中，如图6所示，在步骤（6）中，接着对所述第一金属层300进行图案化处理，以在每个所述Micro-LED单元上形成第一导电部301和第一散热部302，所述第一导电部301与所述第一半导体层101电连接，所述第一散热部302覆盖每个所述Micro-LED单元201的所述发光功能层102的侧壁。
在具体的实施例中，通过湿法刻蚀工艺或者干法刻蚀工艺进行所述图案化处理。
在具体的实施例中，如图7所示，在步骤（7）中，接着在所述第一散热部302上沉积金属材料以形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，以在所述第一散热部302上形成第一散热凸起303，接着对所述第一绝缘层203进行切割处理，使得相邻的两个所述Micro-LED单元201分离。
在具体的实施例中，所述第二金属层的材料为铜、铝、银、镍中的一种，所述第二金属层通过磁控溅射、热蒸镀、化学镀、电镀、电子束蒸发中的一种或多种工艺制备，在更具体的实施例中，所述第二金属层的材料为铜，且通过电镀或者蒸镀工艺形成。
在具体的实施例中，通过湿法刻蚀工艺或者干法刻蚀工艺对所述第二金属层进行图案化处理，以在所述第一散热部302上形成第一散热凸起303，接着利用激光或刀具对所述第一绝缘层203进行切割处理。
在具体的实施例中，如图8所示，在步骤（8）中，接着提供一阵列基板400，所述阵列基板400上包括多个薄膜晶体管设置区401和多个Micro-LED安装区402，在每个所述薄膜晶体管设置区401设置一薄膜晶体管500，且在每个所述Micro-LED安装区402设置一第二散热部403，所述第二散热部403的顶端设置一凹部404。
在具体的实施例中，在所述步骤（7）中，通过对所述阵列基板400的每个所述Micro-LED安装区402进行开孔处理，进而填充金属材料以形成所述第二散热部403，且在填充步骤之后对所述第二散热部403的顶面进行回刻蚀工艺以形成所述凹部404。
在更具体的实施例中，所述薄膜晶体管500包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极以及漏极。
在更具体的实施例中，通过电镀铜工艺以形成所述第二散热部403。
在具体的实施例中，如图9所示，在步骤（9）中，将多个所述Micro-LED单元201分别转移至所述阵列基板400中相应的所述Micro-LED安装区402上，使得每个所述第二散热部403与相应的所述第一散热部热接触302，且使得所述第一散热凸起303嵌入到所述凹部404中。
在具体的实施例中，将每个所述Micro-LED单元201的第一导电部301与相应的薄膜晶体管的漏极电连接。
在更优选的实施例中，在后续的制备工艺中，将每个所述Micro-LED单元201的透光性导电层104进行电引出，并对所述Micro-LED单元201进行封装。
在具体的实施例中，如图9所示，本发明还提出一种Micro-LED显示基板，其采用上述制造方法形成的。
在其他优选的技术方案中，本发明提出的一种Micro-LED显示基板的制造方法，包括以下步骤：
步骤（1）：提供一生长基底，在所述生长基底上依次形成第一半导体层、发光功能层、第二半导体层和透光性导电层。
步骤（2）：接着提供第一转移基底，将所述生长基底上的透光性导电层贴合至所述第一转移基底，接着对所述第一半导体层、所述发光功能层、所述第二半导体层和所述透光性导电层进行刻蚀处理，以形成多个呈矩阵排列的Micro-LED单元，相邻两个所述Micro-LED单元之间具有贯穿开口。
步骤（3）：接着沉积导热绝缘材料以形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层填满所述贯穿开口且覆盖每个所述Micro-LED单元的第一半导体层。
步骤（4）：接着对所述第一绝缘层进行刻蚀处理，形成暴露每个所述Micro-LED单元的所述第一半导体层的第一开孔，且在相邻两个所述Micro-LED单元之间的所述第一绝缘层中形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度超过所述发光功能层所处的位置。
步骤（5）：接着在所述第一绝缘层上沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开孔且覆盖所述第一凹槽的侧壁和底面；
步骤（6）：接着对所述第一金属层进行图案化处理，以在每个所述Micro-LED单元上形成第一导电部和第一散热部，所述第一导电部与所述第一半导体层电连接，所述第一散热部覆盖每个所述Micro-LED单元的所述发光功能层的侧壁；
步骤（7）：接着在所述第一散热部上沉积金属材料以形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，以在所述第一散热部上形成第一散热凸起，接着对所述第一绝缘层进行切割处理，使得相邻的两个所述Micro-LED单元分离；
步骤（8）：接着提供一阵列基板，所述阵列基板上包括多个薄膜晶体管设置区和多个Micro-LED安装区，在每个所述薄膜晶体管设置区设置一薄膜晶体管，且在每个所述Micro-LED安装区设置一第二散热部，所述第二散热部的顶端设置一凹部；
步骤（9）：将多个所述Micro-LED单元分别转移至所述阵列基板中相应的所述Micro-LED安装区上，使得每个所述第二散热部与相应的所述第一散热部热接触，且使得所述第一散热凸起嵌入到所述凹部中。
在更加优选的技术方案中，在所述步骤（1）中，所述生长基底为硅基底、碳化硅基底、蓝宝石基底和氮化镓基底中的一种，在生长所述第一半导体层之前，在所述生长基底上先生长一缓冲层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为氮化镓、氮化铝镓、砷化镓、磷化镓中的一种。
在更加优选的技术方案中，在所述步骤（2）中，在所述第一转移基底上设置一粘合材料层，进而利用所述粘合材料层将所述透光性导电层粘合至所述第一转移基底，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺进行所述刻蚀处理。
在更加优选的技术方案中，在所述步骤（3）中，所述第一绝缘层的材料为氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅中的一种，所述第一绝缘层通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。
在更加优选的技术方案中，在所述步骤（5）中，所述第一金属层的材料为铜、铝、银、镍中的一种，所述第一金属层通过磁控溅射、热蒸镀、化学镀、电镀、电子束蒸发中的一种或多种工艺制备，所述第一金属层中位于所述第一凹槽的部分与所述第一凹槽共形。
在更加优选的技术方案中，在所述步骤（6）中，利用激光或刀具对所述第一绝缘层进行切割处理。
在更加优选的技术方案中，在所述步骤（7）中，通过对所述阵列基板的每个所述Micro-LED安装区进行开孔处理，进而填充金属材料以形成所述第二散热部。
在更加优选的技术方案中，本发明还提出一种Micro-LED显示基板，其采用上述制造方法形成的。
本发明的有益效果在于：
通过设置相邻两个Micro-LED单元之间具有贯穿开口，设置第一绝缘层填满所述贯穿开口且覆盖每个所述Micro-LED单元的第一半导体层，进而在所述第一绝缘层上沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开孔且覆盖所述第一凹槽的侧壁和底面，对所述第一金属层进行图案化处理，以在每个所述Micro-LED单元上形成第一导电部和第一散热部，且通过设置所述第一凹槽的深度超过所述发光功能层所处的位置，进而使得第一散热部覆盖所述发光功能层的侧面，上述结构的设置可以防止Micro-LED单元所发出的光不从Micro-LED单元的侧面射出，进而改善出光效果；同时由于第一散热部覆盖所述发光功能层的侧面以及所述第一半导体层的表面，可以快速散热。且在转移过程中，通过在每个所述Micro-LED安装区设置一第二散热部，进而使得每个所述第二散热部与相应的所述第一散热部热接触，进而方便热引出，进而可以提高Micro-LED显示基板稳定性和使用寿命。
同时由于在所述第一散热部上形成有第一散热凸起，并在所述第二散热部的顶端设置一凹部，进而在后续的转移过程中，使得所述第一散热凸起嵌入到所述凹部中，由于第一散热凸起和凹部的设置，便于每个Micro-LED单元的转移对位，有效提高了Micro-LED单元的转移效率和成品率，同时由于第一散热凸起嵌入到凹部中，进一步提高了Micro-LED显示基板的散热性能，即同时起到了提高转移精确度和提高散热性能的作用。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种Micro-LED显示基板的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤（1）：提供一生长基底，在所述生长基底上依次形成第一半导体层、发光功能层、第二半导体层和透光性导电层；
步骤（2）：接着提供第一转移基底，将所述生长基底上的透光性导电层贴合至所述第一转移基底，接着对所述第一半导体层、所述发光功能层、所述第二半导体层和所述透光性导电层进行刻蚀处理，以形成多个呈矩阵排列的Micro-LED单元，相邻两个所述Micro-LED单元之间具有贯穿开口；
步骤（3）：接着沉积导热绝缘材料以形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层填满所述贯穿开口且覆盖每个所述Micro-LED单元的第一半导体层；
步骤（4）：接着对所述第一绝缘层进行刻蚀处理，形成暴露每个所述Micro-LED单元的所述第一半导体层的第一开孔，且在相邻两个所述Micro-LED单元之间的所述第一绝缘层中形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度超过所述发光功能层所处的位置；
步骤（5）：接着在所述第一绝缘层上沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开孔且覆盖所述第一凹槽的侧壁和底面；
步骤（6）：接着对所述第一金属层进行图案化处理，以在每个所述Micro-LED单元上形成第一导电部和第一散热部，所述第一导电部与所述第一半导体层电连接，所述第一散热部覆盖每个所述Micro-LED单元的所述发光功能层的侧壁；
步骤（7）：接着在所述第一散热部上沉积金属材料以形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，以在所述第一散热部上形成第一散热凸起，接着对所述第一绝缘层进行切割处理，使得相邻的两个所述Micro-LED单元分离；
步骤（8）：接着提供一阵列基板，所述阵列基板上包括多个薄膜晶体管设置区和多个Micro-LED安装区，在每个所述薄膜晶体管设置区设置一薄膜晶体管，且在每个所述Micro-LED安装区设置一第二散热部，所述第二散热部的顶端设置一凹部；
步骤（9）：将多个所述Micro-LED单元分别转移至所述阵列基板中相应的所述Micro-LED安装区上，使得每个所述第二散热部与相应的所述第一散热部热接触，且使得所述第一散热凸起嵌入到所述凹部中。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED显示基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤（1）中，所述生长基底为硅基底、碳化硅基底、蓝宝石基底和氮化镓基底中的一种，在生长所述第一半导体层之前，在所述生长基底上先生长一缓冲层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为氮化镓、氮化铝镓、砷化镓、磷化镓中的一种。
3.根据权利要求1所述的Micro-LED显示基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤（2）中，在所述第一转移基底上设置一粘合材料层，进而利用所述粘合材料层将所述透光性导电层粘合至所述第一转移基底，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺进行所述刻蚀处理。
4.根据权利要求1所述的Micro-LED显示基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤（3）中，所述第一绝缘层的材料为氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅中的一种，所述第一绝缘层通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。
5.根据权利要求1所述的Micro-LED显示基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤（5）中，所述第一金属层的材料为铜、铝、银、镍中的一种，所述第一金属层通过磁控溅射、热蒸镀、化学镀、电镀、电子束蒸发中的一种或多种工艺制备，所述第一金属层中位于所述第一凹槽的部分与所述第一凹槽共形。
6.根据权利要求1所述的Micro-LED显示基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤（6）中，利用激光或刀具对所述第一绝缘层进行切割处理。
7.根据权利要求1所述的Micro-LED显示基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤（7）中，通过对所述阵列基板的每个所述Micro-LED安装区进行开孔处理，进而填充金属材料以形成所述第二散热部。
8.一种Micro-LED显示基板，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的制造方法形成的。
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2022
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