CN115295690B - 微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法 - Google Patents
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- CN115295690B CN115295690B CN202211218702.8A CN202211218702A CN115295690B CN 115295690 B CN115295690 B CN 115295690B CN 202211218702 A CN202211218702 A CN 202211218702A CN 115295690 B CN115295690 B CN 115295690B
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 59
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，涉及微发光二极管显示制造领域。通过在生长衬底边缘处设置一列虚拟微发光二极管单元，进而在虚拟微发光二极管单元中设置第一金属柱，并在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱，在后续的转移过程中，使得使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中，通过上述转移方法形成的微发光二极管显示基板可以有效避免潮气入侵，第一金属柱和第二金属柱的存在可以阻挡潮气入侵能微发光二极管单元。
Description
技术领域
本发明涉及微发光二极管显示制造领域，具体涉及一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法。
背景技术
在现有的微发光二极管显示基板的巨量转移步骤中，通常是直接将多个微发光二极管单元直接转移至驱动基板，然后形成包裹微发光二极管单元的不透明封装层。现有的微发光二极管显示基板的边缘处，不透明封装层与驱动基板具有明显的界面，进而会导致潮气入侵，进而容易造成微发光二极管显示基板损坏。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，包括：
提供一生长衬底，在所述生长衬底上外延生长外延功能层；
对所述外延功能层进行刻蚀处理，以形成多个阵列排布的微发光二极管单元，将所述多个阵列排布的微发光二极管单元中位于所述生长衬底边缘处的一列微发光二极管单元定义为一列虚拟微发光二极管单元，其余的微发光二极管单元均为功能微发光二极管单元；
对每个所述虚拟微发光二极管单元进行刻蚀处理，以在每个所述虚拟微发光二极管单元中形成第一沟槽；
在每个所述第一沟槽中形成第一金属柱，在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱，在每个所述功能微发光二极管单元上均形成一导电凸块；
提供一驱动衬底，将所述生长衬底上的所述虚拟微发光二极管单元和所述功能微发光二极管单元转移至所述驱动衬底的边缘区域，使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中，且使得每个所述功能微发光二极管单元上的所述导电凸块与所述驱动衬底中相应的像素电极电连接；
去除所述生长衬底，在所述驱动衬底上形成不透明封装层，所述不透明封装层包裹所述虚拟微发光二极管单元的侧面和所述功能微发光二极管单元的侧面；
接着在所述不透明封装层上形成公共电极层。
作为优选的技术方案，所述外延功能层包括自下向上依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱有源功能层、P型半导体层和透明导电层。
作为优选的技术方案，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺形成所述第一沟槽，所述第一沟槽的深度超过所述虚拟微发光二极管单元的厚度。
作为优选的技术方案，所述第一金属柱和所述第二金属柱的材质是铜、铝、银、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属柱和所述第二金属柱通过电镀、化学镀、化学气相沉积、磁控溅射或热蒸镀形成，所述导电凸块是锡凸块、铜凸块、银凸块、铟凸块以及铝凸块中的一种。
作为优选的技术方案，所述第二金属柱的高度小于所述第一金属柱的高度，使得所述第二金属柱的顶面与所述第一金属柱的顶面齐平。
作为优选的技术方案，所述驱动衬底的边缘处设置有凹槽，使得所述每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分分别嵌入到相应的所述凹槽中。
作为优选的技术方案，在所述不透明封装层上形成所述公共电极层之前，先对所述不透明封装层进行平坦化处理，以暴露所述第一金属柱，进而在形成所述公共电极层的过程中，使得所述公共电极层与所述第一金属柱连接。
本发明的有益效果在于：
在本发明的微发光二极管显示基板的边缘处的微发光二极管的转移过程中，通过在生长衬底边缘处设置一列虚拟微发光二极管单元，进而在虚拟微发光二极管单元中设置第一金属柱，并在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱，在后续的转移过程中，使得使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中，通过上述转移方法形成的微发光二极管显示基板可以有效避免潮气入侵，第一金属柱和第二金属柱的存在可以阻挡潮气入侵能微发光二极管单元，且驱动基板边缘处具有一列虚拟微发光二极管单元，该列虚拟微发光二极管单元不用于显示工作，进而不会因为潮气侵入虚拟微发光二极管单元而导致微发光二极管显示基板损坏。
附图说明
图1显示为本发明实施例中在生长衬底上外延生长外延功能层的结构示意图。
图2显示为本发明实施例中对所述外延功能层进行刻蚀处理形成虚拟微发光二极管单元和功能微发光二极管单元的结构示意图。
图3显示为本发明实施例中在每个虚拟微发光二极管单元中形成第一沟槽的结构示意图。
图4显示为本发明实施例中形成第一金属柱、第二金属柱和导电凸块的结构示意图。
图5显示为本发明实施例中将生长衬底上的虚拟微发光二极管单元和功能微发光二极管单元转移至驱动衬底的边缘区域的结构示意图。
图6显示为本发明实施例中在驱动衬底上形成不透明封装层和公共电极层的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
如图1～图6所示，本实施例提供一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，包括：
如图1所示，提供一生长衬底100，在所述生长衬底100上外延生长外延功能层101。
在具体的实施例中，所述外延功能层101包括自下向上依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱有源功能层、P型半导体层和透明导电层，更具体的，所述N型半导体层和所述P型半导体层可以为氮化镓层，在其他实施例中，所述N型半导体层和所述P型半导体层还可以其他任意合适的半导体材料。所述透明导电层具体可以为ITO、AZO或FTO。此外，在所述生长衬底100上生长外延功能层101之前，预先在所述生长衬底100上生长缓冲层，进而提高后续生长的外延功能层101结晶质量。
在具体的实施例中，所述生长衬底100可以具体为蓝宝石衬底、氮化镓衬底或碳化硅衬底。
如图2所示，图2为俯视图，对所述外延功能层101进行刻蚀处理，以形成多个阵列排布的微发光二极管单元，将所述多个阵列排布的微发光二极管单元中位于所述生长衬底100边缘处的一列微发光二极管单元定义为一列虚拟微发光二极管单元102，其余的微发光二极管单元均为功能微发光二极管单元103；
在具体的实施例中，对所述外延功能层101进行刻蚀处理具体为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺，更具体的，通过在所述外延功能层101上涂覆光刻胶，进而通过曝光显影工艺，形成预定图案的光刻胶掩膜，然后利用所述光刻胶掩膜对所述外延功能层101进行化学溶液刻蚀，以形成多个阵列排布的微发光二极管单元，在其他的实施例中，利用光罩掩膜，对所述外延功能层101进行激光刻蚀处理，以形成多个阵列排布的微发光二极管单元。
如图3所示，图3为俯视图，对每个所述虚拟微发光二极管单元102进行刻蚀处理，以在每个所述虚拟微发光二极管单元102中形成第一沟槽1021；
在具体的实施例中，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺形成所述第一沟槽1021，更具体的，利用光刻胶掩膜对所述虚拟微发光二极管单元102进行湿法刻蚀形成所述第一沟槽1021，或者是直接利用激光照射每个所述虚拟微发光二极管单元102的中间区域以形成所述第一沟槽1021。所述第一凹槽1021的俯视结构为圆形、正方形或矩形，当所述第一凹槽1021的俯视结构为圆形时，所述虚拟微发光二极管单元102的俯视结构为正方形时，所述第一凹槽1021的直径与所述虚拟微发光二极管单元102的边长的比值为0.5-0.7，便于形成大尺寸金属柱的同时，防止虚拟微发光二极管单元102隐裂。
在具体的实施例中，所述第一沟槽1021的深度超过所述虚拟微发光二极管单元102的厚度，更具体的，所述第一沟槽1021的底面位于所述生长衬底100中。
如图4所示，图4为俯视图，在每个所述第一沟槽1021中形成第一金属柱201，在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元102之间形成第二金属柱202，在每个所述功能微发光二极管单元103上均形成一导电凸块203。
在具体的实施例中，所述第一金属柱201和所述第二金属柱202的材质是铜、铝、银、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属柱201和所述第二金属柱202通过电镀、化学镀、化学气相沉积、磁控溅射或热蒸镀形成，所述导电凸块203是锡凸块、铜凸块、银凸块、铟凸块以及铝凸块中的一种。
在具体的实施例中，所述第一金属柱201和所述第二金属柱202具体的可以为金属铜柱，进而通过电镀工艺形成，而所述导电凸块203也可以是铜凸块。
在具体的实施例中，所述第二金属柱202的高度小于所述第一金属柱201的高度，使得所述第二金属柱202的顶面与所述第一金属柱201的顶面齐平，且所述第一金属柱201的顶面和所述第二金属柱202的顶面高于所述导电凸块203的顶面，进而便于在后续的转移工序中，使得所述第一金属柱201和所述第二金属柱202嵌入到所述驱动衬底300中，进而可以有效避免潮气入侵。
如图5所示，提供一驱动衬底300，将所述生长衬底100上的所述虚拟微发光二极管单元102和所述功能微发光二极管单元103转移至所述驱动衬底300的边缘区域，使得每个所述第一金属柱201的一部分和每个所述第二金属柱202的一部分嵌入到所述驱动衬底300中，且使得每个所述功能微发光二极管单元103上的所述导电凸块203与所述驱动衬底300中相应的像素电极301电连接。
在具体的实施例中，所述驱动衬底300的边缘处设置有凹槽302，使得所述每个所述第一金属柱201的一部分和每个所述第二金属柱202的一部分分别嵌入到相应的所述凹槽302中，通过上述凹槽302的设置，进一步提高了所述第一金属柱201和所述第二金属柱202与所述驱动衬底300的接合紧密性。
如图6所示，去除所述生长衬底，在所述驱动衬底300上形成不透明封装层400，所述不透明封装层400包裹所述虚拟微发光二极管单元102的侧面和所述功能微发光二极管单元103的侧面。接着在所述不透明封装层400上形成公共电极层500。
在具体的实施例中，在所述不透明封装层400上形成所述公共电极层500之前，先对所述不透明封装层400进行平坦化处理，以暴露所述第一金属柱201，且通过对平坦化后的不透明封装层400进行开孔处理，以暴露每个所述功能微发光二极管单元103的N型半导体层，进而在形成所述公共电极层500的过程中，所述公共电极层500与每个所述功能微发光二极管单元103的N型半导体层电连接，且使得所述公共电极层500与所述第一金属柱201连接，上述设置方式，功能微发光二极管单元103的所产生的热量可以通过公共电极层500传递至第一金属柱201，进而提高散热性能。
在其他优选的技术方案中，本发明提出的一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，包括：
提供一生长衬底，在所述生长衬底上外延生长外延功能层；
对所述外延功能层进行刻蚀处理，以形成多个阵列排布的微发光二极管单元，将所述多个阵列排布的微发光二极管单元中位于所述生长衬底边缘处的一列微发光二极管单元定义为一列虚拟微发光二极管单元，其余的微发光二极管单元均为功能微发光二极管单元；
对每个所述虚拟微发光二极管单元进行刻蚀处理，以在每个所述虚拟微发光二极管单元中形成第一沟槽；
在每个所述第一沟槽中形成第一金属柱，在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱，在每个所述功能微发光二极管单元上均形成一导电凸块；
提供一驱动衬底，将所述生长衬底上的所述虚拟微发光二极管单元和所述功能微发光二极管单元转移至所述驱动衬底的边缘区域，使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中，且使得每个所述功能微发光二极管单元上的所述导电凸块与所述驱动衬底中相应的像素电极电连接；
去除所述生长衬底，在所述驱动衬底上形成不透明封装层，所述不透明封装层包裹所述虚拟微发光二极管单元的侧面和所述功能微发光二极管单元的侧面；
接着在所述不透明封装层上形成公共电极层。
进一步的，所述外延功能层包括自下向上依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱有源功能层、P型半导体层和透明导电层。
进一步的，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺形成所述第一沟槽，所述第一沟槽的深度超过所述虚拟微发光二极管单元的厚度。
进一步的，所述第一金属柱和所述第二金属柱的材质是铜、铝、银、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属柱和所述第二金属柱通过电镀、化学镀、化学气相沉积、磁控溅射或热蒸镀形成，所述导电凸块是锡凸块、铜凸块、银凸块、铟凸块以及铝凸块中的一种。
进一步的，所述第二金属柱的高度小于所述第一金属柱的高度，使得所述第二金属柱的顶面与所述第一金属柱的顶面齐平。
进一步的，所述驱动衬底的边缘处设置有凹槽，使得所述每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分分别嵌入到相应的所述凹槽中。
进一步的，在所述不透明封装层上形成所述公共电极层之前，先对所述不透明封装层进行平坦化处理，以暴露所述第一金属柱，进而在形成所述公共电极层的过程中，使得所述公共电极层与所述第一金属柱连接。
在本发明的微发光二极管显示基板的边缘处的微发光二极管的转移过程中，通过在生长衬底边缘处设置一列虚拟微发光二极管单元，进而在虚拟微发光二极管单元中设置第一金属柱，并在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱，在后续的转移过程中，使得使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中，通过上述转移方法形成的微发光二极管显示基板可以有效避免潮气入侵，第一金属柱和第二金属柱的存在可以阻挡潮气入侵能微发光二极管单元，且驱动基板边缘处具有一列虚拟微发光二极管单元，该列虚拟微发光二极管单元不用于显示工作，进而不会因为潮气侵入虚拟微发光二极管单元而导致微发光二极管显示基板损坏。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，其特征在于，包括：
提供一生长衬底，在所述生长衬底上外延生长外延功能层；
对所述外延功能层进行刻蚀处理，以形成多个阵列排布的微发光二极管单元，将所述多个阵列排布的微发光二极管单元中位于所述生长衬底边缘处的一列微发光二极管单元定义为一列虚拟微发光二极管单元，其余的微发光二极管单元均为功能微发光二极管单元；
对每个所述虚拟微发光二极管单元进行刻蚀处理，以在每个所述虚拟微发光二极管单元中形成第一沟槽；
在每个所述第一沟槽中形成第一金属柱，在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱，在每个所述功能微发光二极管单元上均形成一导电凸块；
提供一驱动衬底，将所述生长衬底上的所述虚拟微发光二极管单元和所述功能微发光二极管单元转移至所述驱动衬底的边缘区域，使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中，且使得每个所述功能微发光二极管单元上的所述导电凸块与所述驱动衬底中相应的像素电极电连接；
去除所述生长衬底，在所述驱动衬底上形成不透明封装层，所述不透明封装层包裹所述虚拟微发光二极管单元的侧面和所述功能微发光二极管单元的侧面；
接着在所述不透明封装层上形成公共电极层。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，其特征在于：所述外延功能层包括自下向上依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱有源功能层、P型半导体层和透明导电层。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，其特征在于：通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺形成所述第一沟槽，所述第一沟槽的深度超过所述虚拟微发光二极管单元的厚度。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，其特征在于：所述第一金属柱和所述第二金属柱的材质是铜、铝、银、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属柱和所述第二金属柱通过电镀、化学镀、化学气相沉积、磁控溅射或热蒸镀形成，所述导电凸块是锡凸块、铜凸块、银凸块、铟凸块以及铝凸块中的一种。
5.根据权利要求4所述的微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，其特征在于：所述第二金属柱的高度小于所述第一金属柱的高度，使得所述第二金属柱的顶面与所述第一金属柱的顶面齐平。
6.根据权利要求1所述的微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，其特征在于：所述驱动衬底的边缘处设置有凹槽，使得所述每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分分别嵌入到相应的所述凹槽中。
7.根据权利要求1所述的微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，其特征在于：在所述不透明封装层上形成所述公共电极层之前，先对所述不透明封装层进行平坦化处理，以暴露所述第一金属柱，进而在形成所述公共电极层的过程中，使得所述公共电极层与所述第一金属柱连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211218702.8A CN115295690B (zh) | 2022-10-07 | 2022-10-07 | 微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115295690A CN115295690A (zh) | 2022-11-04 |
| CN115295690B true CN115295690B (zh) | 2022-12-16 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211218702.8A Active CN115295690B (zh) | 2022-10-07 | 2022-10-07 | 微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115295690B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115295690A (zh) | 2022-11-04 |
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