CN116705827B - 显示面板以及显示面板的制备方法 - Google Patents

显示面板以及显示面板的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116705827B
CN116705827B CN202310973807.2A CN202310973807A CN116705827B CN 116705827 B CN116705827 B CN 116705827B CN 202310973807 A CN202310973807 A CN 202310973807A CN 116705827 B CN116705827 B CN 116705827B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat dissipation
groove
substrate
pixel
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202310973807.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116705827A (zh
Inventor
温海键
崔泽林
岳大川
蔡世星
李小磊
伍德民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ji Hua Laboratory
Shenzhen Aoshi Micro Technology Co Ltd
Original Assignee
Ji Hua Laboratory
Shenzhen Aoshi Micro Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ji Hua Laboratory, Shenzhen Aoshi Micro Technology Co Ltd filed Critical Ji Hua Laboratory
Priority to CN202310973807.2A priority Critical patent/CN116705827B/zh
Publication of CN116705827A publication Critical patent/CN116705827A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116705827B publication Critical patent/CN116705827B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板以及显示面板的制备方法。其中,显示面板,包括:像素阵列基板,像素阵列基板包括多个像素单元和第一平坦层,第一平坦层覆盖多个像素单元,第一平坦层远离所述像素单元的一面依次覆盖第一散热金属层和衬底;对应衬底、第一散热金属层和第一平坦层形成有多个第一凹槽,第一凹槽临近像素单元,第一凹槽内填充有散热材料;其中,第一凹槽通过刻蚀部分衬底、部分第一散热金属层和部分第一平坦层形成。本公开的技术方案,可有效提高像素单元的散热效率,有利于提高像素单元的发光性能,以及延长像素单元的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。

Description

显示面板以及显示面板的制备方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板以及显示面板的制备方法。
背景技术
微米级发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro-LED)具有分辨率高、亮度高、寿命长和色域广等明显优势,在增强现实(Augmented Reality,AR)、虚拟现实(Virtual Reality,VR)和微型显示等领域中逐渐得到普及和应用。但随着对显示质量和显示尺寸的要求不断提高,Micro-LED芯片的集成度需不断提高,意味着Micro-LED芯片的尺寸需要不断缩小,在Micro-LED芯片缩小的过程中,对Micro-LED芯片的散热要求更高。
在Micro-LED芯片中,相关技术常用的散热方式是通过Micro-LED芯片的衬底或表面进行散热,这种散热方式散热效率较低。Micro-LED芯片的热源通常来自发光层,按照上述散热方式发光层的热源无法进行及时有效散热,导致Micro-LED芯片的发光层局部温度过高,从而影响Micro-LED芯片的发光性能,进而影响显示面板的发光效率以及显示面板的使用寿命。
发明内容
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题,本公开提供了一种显示面板以及显示面板的制备方法,可有效提高像素单元的散热效率,有利于提高像素单元的发光性能,以及延长像素单元的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
第一方面,本公开提供了一种显示面板,包括:
像素阵列基板,所述像素阵列基板包括多个像素单元和第一平坦层,所述第一平坦层覆盖所述多个像素单元,所述第一平坦层远离所述像素单元的一面依次覆盖第一散热金属层和衬底;
对应所述衬底、所述第一散热金属层和所述第一平坦层形成有多个第一凹槽,所述第一凹槽临近所述像素单元,所述第一凹槽内填充有散热材料;其中,所述第一凹槽通过刻蚀部分所述衬底、部分所述第一散热金属层和部分所述第一平坦层形成。
在一些实施例中,所述第一散热金属层作为反射层。
在一些实施例中,所述像素阵列基板还包括:
第二平坦层,所述第二平坦层位于所述衬底与所述第一散热金属层之间。
在一些实施例中,所述像素阵列基板还包括:
第二散热金属层,所述第二散热金属层覆盖所述衬底以及所述第一凹槽。
在一些实施例中,所述第一凹槽与所述像素单元的横向距离小于第一距离阈值,所述第一凹槽与所述像素单元的纵向距离小于第二距离阈值。
在一些实施例中,所述衬底上形成有第二凹槽,所述第二凹槽与所述第一凹槽连通,所述第二凹槽内填充有散热材料。
第二方面,本公开还提供了一种显示面板的制备方法,包括:
制备像素阵列基板,所述像素阵列基板包括多个像素单元和第一平坦层,所述第一平坦层覆盖所述多个像素单元,所述第一平坦层远离所述像素单元的一面依次覆盖第一散热金属层和衬底;
对应所述衬底、所述第一散热金属层和所述第一平坦层形成有多个第一凹槽,所述第一凹槽临近所述像素单元,所述第一凹槽内填充有散热材料;其中,所述第一凹槽通过刻蚀部分所述衬底、部分所述第一散热金属层和部分所述第一平坦层形成。
在一些实施例中,所述制备像素阵列基板,包括:
制备像素阵列部,所述像素阵列部包括多个像素单元和第一平坦部,所述第一平坦部覆盖所述多个像素单元;
制备像素支撑部,所述像素支撑部包括第二衬底,以及所述第二衬底上依次覆盖的第一散热金属层和第二平坦部;
将所述第二平坦部与所述第一平坦部键合,形成预设像素阵列基板,所述第二平坦部与所述第一平坦部形成所述第一平坦层;
刻蚀所述衬底、所述第一散热金属层和所述第一平坦层形成第一凹槽,所述第一凹槽位于所述像素单元一侧;
向所述第一凹槽内填充散热材料,形成所述像素阵列基板。
在一些实施例中,在形成所述像素阵列基板之后,显示面板的制备方法还包括:
在所述衬底以及所述第一凹槽上覆盖第二散热金属层。
在一些实施例中,在形成所述像素阵列基板之后,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述衬底上形成第二凹槽,所述第二凹槽与所述第一凹槽连通;
在所述第二凹槽内填充散热材料。
本公开实施例提供的显示面板包括:像素阵列基板,像素阵列基板包括多个像素单元和第一平坦层,第一平坦层覆盖多个像素单元,第一平坦层的一端依次覆盖第一散热金属层和衬底;对应衬底、第一散热金属层和第一平坦层形成有多个第一凹槽,第一凹槽临近像素单元,第一凹槽内填充有散热材料;其中,第一凹槽通过刻蚀部分衬底、部分第一散热金属层和部分第一平坦层形成。由此,临近像素单元设置第一凹槽,向像素单元提供散热空间;向第一凹槽内填充散热材料,为像素单元提供散热途径。另外,设置第一散热金属层,增加了像素单元的散热路径,提高了像素单元的散热效率,有利于提高像素单元的发光性能,以及延长像素单元的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本公开实施例提供的一种显示面板的出光路径示意图;
图3为本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图4为本公开实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图5为本公开实施例提供的一种像素阵列基板的制备方法的流程示意图;
图6为本公开实施例提供的一种像素阵列基板的制备工艺图;
图7为本公开实施例提供的一种像素支撑部的结构示意图;
图8为本公开实施例提供的另一种像素阵列基板的制备工艺图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点,下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开,但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施;显然,说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。
随着对显示质量和显示尺寸的要求不断提高,Micro-LED芯片的集成度需不断提高,意味着Micro-LED芯片的尺寸需要不断缩小,在Micro-LED芯片缩小的过程中,对Micro-LED芯片的散热要求更高。
在Micro-LED芯片中,相关技术常用的散热方式是通过Micro-LED芯片的衬底或表面进行散热,这种散热方式散热效率较低。Micro-LED芯片的热源通常来自发光层,按照上述散热方式发光层的热源无法进行及时有效散热,导致Micro-LED芯片的发光层局部温度过高,从而影响Micro-LED芯片的发光性能,进而影响显示面板的发光效率以及显示面板的使用寿命。
针对相关技术中存在的技术问题,本公开实施例提供了一种显示面板。本公开实施例提供的显示面板,临近像素单元设置第一凹槽,向像素单元提供散热空间;向第一凹槽内填充散热材料,为像素单元提供散热途径。另外,设置第一散热金属层,增加了像素单元的散热路径,提高了像素单元的散热效率,有利于提高像素单元的发光性能,以及延长像素单元的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
下面结合附图,对本公开实施例提供的显示面板以及显示面板的制备方法进行示例性说明。
图1为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图1所示,显示面板10包括像素阵列基板11,像素阵列基板11包括多个像素单元12和第一平坦层13,第一平坦层13覆盖多个像素单元12,第一平坦层13远离像素单元12的一面依次覆盖第一散热金属层14和衬底15;对应衬底15、第一散热金属层14和第一平坦层13形成有多个第一凹槽16,第一凹槽16临近像素单元12,第一凹槽16内填充有散热材料;其中,第一凹槽16通过刻蚀部分衬底15、部分第一散热金属层14和部分第一平坦层13形成。
具体地,第一凹槽16临近像素单元12设置,第一凹槽16内填充有导热材料例如高导热金属材料。其中,像素单元12包括电子传输层121、发光层122、空穴传输层123、阴极124和阳极125。在像素单元12进行工作时,像素单元12中的热源主要来自于发光层122,发光层122的热源可通过临近设置散热空间第一凹槽16进行有效散热。示例性地,如图1所示,像素单元12中发光层122的热源如箭头所示的散热路径,通过第一凹槽16进行高效散热。
由此,在像素单元12进行工作时,像素单元12中主要来自于发光层122的热源,可通过临近像素单元12设置的第一凹槽16进行快速有效散热,从而避免了像素单元12的发光层122局部温度过高,从而影响像素单元12的发光性能,进而影响显示面板的发光效率以及显示面板的使用寿命,有利于提高显示面板的发光效率以及显示面板的使用寿命。
如图1所示,在第一平坦层13上设置第一散热金属层14。其中,第一散热金属层14与第一凹槽16连通,像素单元12在工作过程中产生的热量还可通过第一散热金属层14进行散热,如第一散热金属层14中箭头所示的散热路径。由此,在第一凹槽16的基础上,增加第一散热金属层14,相当于设置了两条散热路径,进而有利于提高像素单元12的散热效率,从而提高像素单元12的发光性能。
由此,临近像素单元12设置第一凹槽16,向第一凹槽16内填充散热材料,同时设置第一散热金属层14,增加了像素单元12的散热路径,提高了像素单元12的散热效率,有利于提高像素单元12的发光性能,以及延长像素单元12的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
本公开实施例提供的显示面板,包括:像素阵列基板,像素阵列基板包括多个像素单元和第一平坦层,第一平坦层覆盖多个像素单元,第一平坦层的一端依次覆盖第一散热金属层和衬底;对应衬底、第一散热金属层和第一平坦层形成有多个第一凹槽,第一凹槽临近像素单元,第一凹槽内填充有散热材料;其中,第一凹槽通过刻蚀部分衬底、部分第一散热金属层和部分第一平坦层形成。由此,临近像素单元的设置第一凹槽,向像素单元提供散热空间;向第一凹槽内填充散热材料,为像素单元提供散热途径。另外,设置第一散热金属层,增加了像素单元的散热路径,提高了像素单元的散热效率,有利于提高像素单元的发光性能,以及延长像素单元的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
在一些实施例中,参照图1,第一散热金属层14可作为反射层。由此,像素单元12的发光层122向衬底15侧的发射光可通过第一散热金属层14发生反射后通过电子传输层121出光,有利于提高像素单元12的出光效率。
其中,当第一凹槽16内填充的散热材料例如为散热金属时,第一凹槽内的散热金属同样也可以作为反射层,结合第一散热金属层14作为发射层,有利于提高像素单元12的出光效率。
示例性地,图2为本公开实施例提供的一种显示面板的出光路径示意图。在图1的基础上,参照图2,电子传输层121所在侧作为像素单元12的出光侧,如图中向上箭头所示。其中,发光层122向衬底15侧的发射光通过第一散热金属层14发生反射后通过电子传输层121向上出光,以及发光层122向第一凹槽16侧的发射光经过多次反射后,通过电子传输层121向上出光,由此有利于提高像素单元12的出光效率。
需要说明的是,图2中仅示例性地示出了显示面板的部分出光路径,对显示面板的具体出光路径不做具体限定。
在一些实施例中,图3为本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图3所示,像素阵列基板11还包括:第二平坦层17,第二平坦层17位于衬底15与第一散热金属层14之间。
具体地,通过在衬底15与第一散热金属层14之间设置第二平坦层17,先在衬底15上生长第二平坦层17,第二平坦层17有利于生长第一散热金属层14,从而有利于在第二平坦层17上覆盖第一散热金属层14。
在一些实施例中,如图1或图3所示,像素阵列基板11还包括:第二散热金属层18,第二散热金属层18覆盖衬底15以及第一凹槽16。
具体地,像素单元12在工作过程中,像素单元12产生的热源通过第一凹槽16和第一散热金属层14两条散热路径导出的热量通过第二散热金属层18向外界进行散热。通过设置第二散热金属层18增加散热面积,进一步提高像素单元12的散热效率。
在一些实施例中,继续参照图1,第一凹槽16与像素单元12的横向距离l1小于第一距离阈值,第一凹槽16与像素单元12的纵向距离l2小于第二距离阈值。由此,第一凹槽16临近像素单元12进行设置,缩短像素单元12与第一凹槽16之间的路径以提高像素单元12的散热效率,有利于提高像素单元12的发光性能,以及延长像素单元12的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
在一些实施例中,图4为本公开实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。如图4所示,衬底15上形成有第二凹槽19,第二凹槽19与第一凹槽16连通,第二凹槽19内填充有散热材料。
具体地,在衬底15上设置第二凹槽19,第二凹槽19与第一凹槽16连通,像素单元12在工作过程中,像素单元12产生的热源通过第一凹槽16和第二凹槽19向外界进行散热,相当于增大散热面积,进一步提高像素单元12的散热效率。
由此,通过在衬底15刻蚀形成第二凹槽19,此第二凹槽19为像素单元12提供了散热空间,且可填充高导热材料。将第二凹槽19与第一凹槽16连通,第一凹槽16临近像素单元12的发光层122,缩短了发光层122热量的散热途径。另外,通过在第一凹槽16和第二凹槽19内填充散热金属,不仅可以增强像素阵列基板11的机械强度,而且可以利用金属的高导热性,使发光层122处的热量更快散发,降低发光层122的工作温度。
本公开实施例还提供了一种显示面板的制备方法,包括:制备像素阵列基板。
具体地,如图1所示,制备的像素阵列基板11包括多个像素单元12和第一平坦层13,第一平坦层13覆盖多个像素单元12,第一平坦层13远离像素单元12的一面依次覆盖第一散热金属层14和衬底15;对应衬底15、第一散热金属层14和第一平坦层13形成有多个第一凹槽16,第一凹槽16临近像素单元12,第一凹槽16内填充有散热材料;其中,第一凹槽16通过刻蚀部分衬底15、部分第一散热金属层14和部分第一平坦层13形成。
由此,临近像素单元12设置第一凹槽16,向第一凹槽16内填充散热材料,同时设置第一散热金属层14,增加了像素单元12的散热路径,有效提高了像素单元12的散热效率,有利于提高像素单元12的发光性能,以及延长像素单元12的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
图5为本公开实施例提供的一种像素阵列基板的制备方法的流程示意图。如图5所示,像素阵列基板的制备方法包括以下步骤:
S501、提供像素阵列部,像素阵列部包括多个像素单元和第一平坦部,第一平坦部覆盖多个像素单元。
具体地,图6为本公开实施例提供的一种像素阵列基板的制备工艺图。如图6中的S601所示,提供如图所示的像素阵列部20。其中,像素阵列部20包括多个像素单元12和第一平坦部131,第一平坦部131覆盖像素单元12。
在一些实施例方式中,还可以制备如S601所示的像素阵列部20。像素阵列部20可根据本领域技术人员熟知的技术手段进行制备,在此不赘述。
S502、提供像素支撑部,像素支撑部包括衬底,以及衬底上依次覆盖的第一散热金属层和第二平坦部。
具体地,如图6中的S602所示,提供像素支撑部21。像素支撑部21包括衬底15、第一散热金属层14和第二平坦部132,第一散热金属层14覆盖在衬底15上,第二平坦部132覆盖在第一散热金属层14上。
在一些实施例中,图7为本公开实施例提供的一种像素支撑部的结构示意图。如图7所示,像素支撑部21包括衬底15、第二平坦层17、第一散热金属层14和第二平坦部132。第二平坦层17覆盖在衬底15上,第一散热金属层14覆盖在第二平坦层17上,第二平坦部132覆盖在第一散热金属层14上。其中,形成第二平坦层17和第二平坦部132的材料均可为氧化硅。
图7中所示的像素支撑部21与图6中S602所示的像素支撑部21的区别在于:图7中在衬底15和第一散热金属层14之间增加了第二平坦层17,即先在衬底15上生长第二平坦层17,第二平坦层17有利于生长第一散热金属层14,从而有利于在第二平坦层17上覆盖第一散热金属层14。而图6中直接在衬底15上覆盖第一散热金属层14,衬底15上不利于生长第一散热金属层14,因此直接在衬底15上覆盖第一散热金属层14的效果不佳。
S503、将第二平坦部与第一平坦部键合,形成预设像素阵列基板,第二平坦部与第一平坦部形成第一平坦层。
具体地,如图6中的S603所示,S602所示的像素支撑部21的第二平坦部132与S601所示的像素阵列部20的第一平坦部131键合,形成预设像素阵列基板22。其中,第一平坦部131和第二平坦部132键合之后形成第一平坦层13。
S504、刻蚀衬底、第一散热金属层和第一平坦层形成第一凹槽,第一凹槽位于像素单元一侧。
具体地,如图6中的S604所示,对应预设位置刻蚀衬底15、第一散热金属层14和第一平坦层13,在衬底15之间对应第一平坦层13形成有第一凹槽16。其中,第一凹槽16位于像素单元12一侧。需要说明的是,第一凹槽16临近像素单元12,但不能与像素单元12接触,以防对像素单元12造成影响。
S505、向第一凹槽内填充散热材料,形成像素阵列基板。
具体地,如图6中的S605所示,向第一凹槽16内填充散热材料,例如高导热金属,以形成像素阵列基板11。由此,通过在像素单元12的侧边设置第一凹槽16,向第一凹槽16内填充散热材料,同时设置第一散热金属层14,增加了像素单元12的散热路径,有效提高了像素单元12的散热效果,有利于提高像素单元12的发光性能,以及延长像素单元12的使用寿命,进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
在一些实施例中,在形成像素阵列基板之后,显示面板的制备方法还包括:
在衬底以及第一凹槽上覆盖第二散热金属层。
具体地,如图6中的S606所示,通过在衬底15以及第一凹槽16上覆盖第二散热金属层18,像素单元12产生的热源通过第一凹槽16和第一散热金属层14两条散热路径导出的热量通过第二散热金属层18向外界进行散热,增大了散热面积,进一步提高像素单元12的散热效率。
在一些实施例中,在形成像素阵列基板之后,显示面板的制备方法还包括:
在衬底上形成第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽连通;
在第二凹槽内填充散热材料。
具体地,图8为本公开实施例提供的另一种像素阵列基板的制备工艺图,图8中的S801-S805与图6中的S601-S605相同,在此不赘述。如图8中的S806所示,在衬底15上形成第二凹槽19。其中,第二凹槽19与第一凹槽16连通,在第二凹槽19内填充散热材料。由此,像素单元12产生的热源通过第一凹槽16和第二凹槽19向外界进行散热,增大了散热面积,提高像素单元12的散热效率。
在上述各实施例的基础上,本公开还提供了一种显示装置,包括上述各实施例所述的显示面板,因此具有相同或相似的有益效果,在此不赘述。
需要说明的是,在本文中,诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上仅是本公开的具体实施方式,使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本公开将不会被限制于本文的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
像素阵列基板,所述像素阵列基板包括多个像素单元和第一平坦层,所述第一平坦层覆盖所述多个像素单元,所述第一平坦层远离所述像素单元的一面依次覆盖第一散热金属层和衬底;
对应所述衬底、所述第一散热金属层和所述第一平坦层形成有多个第一凹槽,所述第一凹槽临近所述像素单元,所述第一凹槽内填充有散热材料;其中,所述第一凹槽通过刻蚀部分所述衬底、部分所述第一散热金属层和部分所述第一平坦层形成;
所述衬底以及所述第一凹槽覆盖有第二散热金属层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一散热金属层作为反射层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素阵列基板还包括:
第二平坦层,所述第二平坦层位于所述衬底与所述第一散热金属层之间。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹槽与所述像素单元的横向距离小于第一距离阈值,所述第一凹槽与所述像素单元的纵向距离小于第二距离阈值。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底上形成有第二凹槽,所述第二凹槽与所述第一凹槽连通,所述第二凹槽内填充有散热材料。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
制备像素阵列基板,所述像素阵列基板包括多个像素单元和第一平坦层,所述第一平坦层覆盖所述多个像素单元,所述第一平坦层远离所述像素单元的一面依次覆盖第一散热金属层和衬底;
对应所述衬底、所述第一散热金属层和所述第一平坦层形成有多个第一凹槽,所述第一凹槽临近所述像素单元,所述第一凹槽内填充有散热材料;其中,所述第一凹槽通过刻蚀部分所述衬底、部分所述第一散热金属层和部分所述第一平坦层形成;
所述衬底以及所述第一凹槽覆盖有第二散热金属层。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备像素阵列基板,包括:
提供像素阵列部,所述像素阵列部包括多个像素单元和第一平坦部,所述第一平坦部覆盖所述多个像素单元;
提供像素支撑部,所述像素支撑部包括衬底,以及所述衬底上依次覆盖的第一散热金属层和第二平坦部;
将所述第二平坦部与所述第一平坦部键合,形成预设像素阵列基板,所述第二平坦部与所述第一平坦部形成所述第一平坦层;
刻蚀所述衬底、所述第一散热金属层和所述第一平坦层形成第一凹槽,所述第一凹槽位于所述像素单元一侧;
向所述第一凹槽内填充散热材料,在所述衬底以及所述第一凹槽上覆盖第二散热金属层,以形成所述像素阵列基板。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在形成像素阵列基板之后,还包括:
在所述衬底上形成第二凹槽,所述第二凹槽与所述第一凹槽连通;
在所述第二凹槽内填充散热材料。
CN202310973807.2A 2023-08-04 2023-08-04 显示面板以及显示面板的制备方法 Active CN116705827B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310973807.2A CN116705827B (zh) 2023-08-04 2023-08-04 显示面板以及显示面板的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310973807.2A CN116705827B (zh) 2023-08-04 2023-08-04 显示面板以及显示面板的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116705827A CN116705827A (zh) 2023-09-05
CN116705827B true CN116705827B (zh) 2023-12-05

Family

ID=87826146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310973807.2A Active CN116705827B (zh) 2023-08-04 2023-08-04 显示面板以及显示面板的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116705827B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106935724A (zh) * 2015-12-29 2017-07-07 昆山国显光电有限公司 Oled显示面板的封装结构及封装方法
JP2020154096A (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN112216662A (zh) * 2020-07-31 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法和显示装置
CN212571003U (zh) * 2020-08-27 2021-02-19 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示面板和电子设备
CN113192854A (zh) * 2021-06-07 2021-07-30 季华实验室 一种低封装厚度的板级扇出型mosfet器件及其制作方法
CN113594198A (zh) * 2021-10-08 2021-11-02 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 微发光二极管显示器件及其制作方法
CN114725253A (zh) * 2022-05-23 2022-07-08 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 Micro-LED显示基板及其制造方法
CN115810699A (zh) * 2022-12-22 2023-03-17 深圳市南极光电子科技股份有限公司 Micro-LED显示面板及其制备方法
CN115911241A (zh) * 2022-11-08 2023-04-04 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN116130583A (zh) * 2023-03-17 2023-05-16 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106935724A (zh) * 2015-12-29 2017-07-07 昆山国显光电有限公司 Oled显示面板的封装结构及封装方法
JP2020154096A (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN112216662A (zh) * 2020-07-31 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法和显示装置
CN212571003U (zh) * 2020-08-27 2021-02-19 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示面板和电子设备
CN113192854A (zh) * 2021-06-07 2021-07-30 季华实验室 一种低封装厚度的板级扇出型mosfet器件及其制作方法
CN113594198A (zh) * 2021-10-08 2021-11-02 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 微发光二极管显示器件及其制作方法
CN114725253A (zh) * 2022-05-23 2022-07-08 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 Micro-LED显示基板及其制造方法
CN115911241A (zh) * 2022-11-08 2023-04-04 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN115810699A (zh) * 2022-12-22 2023-03-17 深圳市南极光电子科技股份有限公司 Micro-LED显示面板及其制备方法
CN116130583A (zh) * 2023-03-17 2023-05-16 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN116705827A (zh) 2023-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6595055B2 (ja) 発光デバイス及び波長変換材料を含む光共振器
US12009385B2 (en) Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same
CN109004078B (zh) 微型led显示面板及其制作方法和显示装置
KR102444686B1 (ko) 고밀도 픽셀형 멀티-led, 이를 포함하는 장치, 그리고 그 제조 방법
CN100517785C (zh) 发光二极管封装件
US8436371B2 (en) Microscale optoelectronic device packages
US9780260B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same
US20190221550A1 (en) Light-emitting device
JP2007235103A (ja) 半導体発光装置
US11424392B2 (en) Light emitting diode apparatus and manufacturing method thereof
CN116705827B (zh) 显示面板以及显示面板的制备方法
CN113889496B (zh) 显示面板和显示装置
US20240306419A1 (en) Oled device and manufacturing method therefor, and display panel
CN116544321B (zh) 发光芯片的制备方法、发光芯片以及显示面板
US9935248B2 (en) Light emitting device package
CN118263371B (zh) 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN115132906A (zh) 显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant