CN104798220A - 用于在电子器件的表面区域上制造层的方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于在光电子器件(100，101，102，103，104，105)的表面区域(2)上制造至少一个层(1)的方法，所述光电子器件具有带有有源区域的功能层序列(41)，所述有源区域适合于在光电子器件运行时产生或检测光，所述方法具有下述步骤：在覆层腔(10)中提供表面区域(2)；借助于闪光支持的原子层沉积法施加至少一个层(1)，其中表面区域(2)暴露于用于至少一个层(1)的至少一种气态的第一初始材料(21)或者暴露于至少一种气态的第一初始材料(21)和随后的气态的第二初始材料(22)，并且借助至少一个闪光辐照第一和/或第二初始材料(21，22)的在表面区域上吸附的分子，由此分解在表面区域上吸附的分子。

Description

用于在电子器件的表面区域上制造层的方法
技术领域
提出一种用于在电子器件的表面区域上制造至少一个层的方法。
本申请要求德国专利申请10 2012 221 080.6的优先权，其公开内容在此通过参考并入本文。
背景技术
光电子器件、例如有机发光二极管(“organic light-emitting diode”，OLED)、但是还有无机发光二极管芯片能够相对于湿气、氧和/或其他有害的环境气体是相对敏感的。
特别地，在OLED的情况下已知的是，借助于腔玻璃和安置在其中的吸气剂材料来保护敏感的有机层。此外，敏感的器件例如也能够借助于以阻挡层或纳米叠层、即由具有不同材料的交替的层构成的层序列的形式的薄膜封装件得到保护。这种薄膜封装件优选也能够在透明的和/或柔性的器件中使用。借助于原子层沉积法(“atomic layer deposition”，ALD)能够以可复现的方式制造极其薄的、例如至单层薄的阻挡层和纳米叠层的层。
术语原子层沉积尤其理解为下述方法，其中为了制造层，将对此所需的初始材料(前驱体)通常不同时地、而是交替依次地输送给覆层腔，在所述覆层腔中设置有要覆层的器件。初始材料能够通过交替的输送而交替地相叠地积聚在要覆层的器件的表面上或之前积聚的初始材料上并且在那里进行化合。由此可行的是，对于每次重复循环、即以依次的子步骤一次输送全部所需的初始材料，最多生长要施加的层的一个单层，使得通过循环的数量可以良好地控制层厚度。
初始材料通常以化学化合物、例如以金属有机化合物或杂化物来提供，所述化学化合物通过输送热能而分解。对此，要覆层的器件被加热并且能够根据ALD法附加地暴露于等离子。为了避免要覆层的器件、例如在有机器件的情况下的损坏，ALD法必须在相对小的温度下执行，所述温度通常低于150℃并且尤其位于室温至100℃的范围中。此外，因为在所提出的温度下不能够或仅难于将期望的初始材料的多种已知的化合物分解，所以在已知的ALD法中，材料选择相应地受限。
此外，已知的ALD法不允许掩模进而仅适合于以未结构化的方式沉积大面积的层。具有抗覆层层的方法的作用方式在工业中尚未提出，使得借助于ALD施加的层为了结构化典型地必须通过激光剥离局部地移除。但是，尤其在器件、如OLED的有源区的区域中，激光剥离几乎不可行。
发明内容
特定实施方式的至少一个目的是：提出一种用于在电子器件的表面区域上制造层的方法。
所述目的通过根据独立权利要求的主题来实现。主题的有利的实施方式和改进形式的特征在于从属权利要求并且还从下面的描述和附图中得出。
根据至少一个实施方式，用于在光电子器件的表面区域上制造至少一个层的方法具有下述步骤，在所述方法步骤中，将至少一个层借助于闪光支持的原子层沉积法施加。这种方法在下面也称作为闪光ALD(ALD：“原子层沉积”)或光闪ALD。对于闪光ALD法，表面区域优选能够在覆层腔中提供，在所述表面区域上应当施加至少一个层。覆层腔尤其能够构建用于：能够在其中执行闪光ALD。
在常规的ALD法中，如上面描述的那样，将初始材料依次地输送给覆层腔，在所述覆层腔中存在要覆层的器件。为了在常规的ALD法中实现高的层质量，例如在密度、结晶度和纯度方面实现高的层质量，根据所应用的初始材料需要高的温度，必须将要覆层的器件加热到所述温度上。如已经在更上面描述的那样，这根据要覆层的器件的耐热性显著地限制可能的初始材料的选择。在此处应用的闪光ALD法中，制造层所需要的能量完全地或大部分地借助于至少一个闪光来提供。对此，表面区域暴露于用于至少一个层的至少一种气态的第一初始材料并且用至少一个闪光辐照。气态的第一初始材料优选能够为具有下述分子的气体，所述分子通过要嵌入到层中的材料与其他的分子和/或分子基团、例如氢和/或有机分子基团的化合形成。通过在存在第一初始材料的情况下射到电子器件的要覆层的表面区域上的至少一个闪光，优选能够实现气态的第一初始材料的分解，使得通过分解释放的应当嵌入到至少一个层中的材料能够在电子器件的表面区域上积聚。
借助至少一个闪光射到表面区域上的光例如能够包含下述光谱份额，所述光谱份额适合于分解气态的第一初始材料。换而言之，气态的第一初始材料的分子能够具有吸收带，所述吸收带对应于包含在至少一个闪光中的光的一个或多个光谱分量。此外，也能够可行的是，借助至少一个闪光射到表面区域上的光在电子器件的表面区域中被吸收进而加热所述表面区域。对此，至少一个闪光的光优选具有下述光谱分量，所述光谱分量位于表面区域的吸收光谱中，所述表面区域应当借助至少一个层覆层，并且所述光谱分量因此能够通过电子器件的表面区域吸收。通过导热，由此也能够加热电子器件在要覆层的表面区域之下的部分。然而，通过适当地选择光谱分量、闪光的能量和持续时间能够实现：仅通过闪光加热在要覆层的表面区域之下的薄层。例如，可见光通过层厚度为仅几微米的硅来吸收。通过至少一个闪光能够实现，用闪光辐照的表面区域仅加热到例如几微米的深度中，而其余的电子器件不被加热或至少具有比表面区域明显更小的温度。
根据另一个实施方式，至少一个闪光具有小于10ms、优选小于5ms并且尤其优选小于2ms的持续时间。例如，至少一个闪光能够具有大致1ms的持续时间。为了实现表面区域的充分的加热，闪光优选能够具有大于或等于1J/cm2、或者还有大于或等于10J/cm2、或者还有大于或等于20J/cm2、或者还有大于或等于40J/cm2的能量密度。根据所应用的初始材料和/或要覆层的表面区域的吸收特性，包含在闪光中的光例如能够基本上具有可见光和尤其紫外和红外光的小于10％的份额。此外，也能够有利的是，包含在至少一个闪光中的光包含在紫外和/或红外波长范围中的更大份额的光谱分量或者甚至仅由这种光谱分量构成。
根据另一个实施方式，至少一个闪光借助于光源输送，所述光源选自：至少一个气体放电灯、至少一个卤素灯、至少一个激光器、尤其至少一个激光二极管、至少一个发光二极管(LED)或多个所述发光二极管。光源也能够具有上述光源的组合或由其构成。例如，光源能够具有一个或多个氙气体放电灯，所述多个氙气体放电灯典型地主要放射可见光和近红外中的光并且几乎不放射紫外中的光。为了实现至少一个闪光中的足够的能量密度，此外，能够有利的是，应用多个所提出的光源，其中光例如能够附加地通过适当的反射器聚束到要覆层的表面区域上。通过至少一个闪光中的足够高的能量密度尤其能够实现：要覆层的表面区域的温度极其快速地提高，例如以大致10°K/s的数量级。
如上面描述的那样，通过至少一个闪光能够实现：气态的第一初始材料尤其在电子器件的要辐照的且要覆层的表面区域附近分解进而释放应当嵌入到要施加的层中的材料。尤其优选的是，气态的第一初始材料在至少一个闪光射入之前能够在要覆层的表面区域上积聚，即在所述表面区域上吸附。通过至少一个闪光和例如尤其通过表面区域的之前描述的快速的且局部受限的强的加热，能够实现气态的第一初始材料的吸附的分子的热解。由此，能够激活化学反应，使得例如发生第一初始材料的反应，以在表面区域上形成要施加的层的单层或子单层。此外，至少一个闪光能够有助于，要施加的层的已经沉积的材料回火进而经受所谓的退火，由此能够改进层质量。因此，在此处描述的闪光ALD法中例如也能够可行的是，通过仅输送唯一的气态的初始材料和至少一个闪光的入射，在表面区域上制造层，其中借助于至少一个闪光输送一定量的能量，使得表面区域上的初始材料能够反应，以形成层。
尤其优选的是，表面区域能够借助一组闪光辐照。在各个闪光之间，一方面，吸附的初始材料能够反应，另一方面，其他的初始材料能够以子单层或优选以单层积聚在已经吸附并且优选反应的初始材料上。因此，借助一组闪光能够实现，对于每个闪光，优选沉积用于要在表面区域上施加的层的包含在初始材料中的材料的单层或至少一个子单层。由此，通过调整射到表面区域上的闪光的数量能够实现良好地控制要沉积的层的层厚度。
此外，也能够可行的是，应用至少一种气态的第二初始材料，将要覆层的表面区域在气态的第一初始材料之后暴露于所述第二初始材料。对此，能够将气态的第二初始材料在气态的第一初始材料之后输送给表面区域并且在不存在气态的第一初始材料的情况下输送。通过输送至少一种第二初始材料，例如能够可行的是，将复合层、例如氮化物或氧化物沉积在电子器件的至少一个表面区域上。对此，将气态的第一初始材料和气态的第二初始材料优选交替地输送给表面区域，使得所述表面区域交替地暴露于两种初始材料。根据应用的初始材料，闪光能够在存在一种或两种初始材料的情况下射到表面区域上。特别地，因此，在此描述的方法具有下述方法步骤：其中在借助于闪光支持的原子层沉积法施加至一个层时，表面区域暴露于用于至少一个层的至少一种气态的第一初始材料或者暴露于至少一种气态的第一初始材料和随后的气态的第二初始材料，并且用至少一个闪光辐照第一和/或第二初始材料的在表面区域上吸附的分子，由此分解在包面区域上吸附的分子。因此，至少一个闪光能够在仅存在第一初始材料的情况下或在仅存在第二初始材料的情况下射到表面区域上。此外，也能够可行的是，在存在每种初始材料的情况下分别将至少一个闪光射到要覆层的表面区域上。
还要指出的是，在此处描述的方法中，也能够使用多于两种的初始化合物。
初始材料、即例如气态的第一初始材料和/或气态的第二初始材料能够作为气体流引导给要覆层的表面区域。这能够表示：初始材料作为连续的气体流在覆层腔中输送并且从覆层腔中连续地移除气态的剩余物。替选于此，也可行的是，将初始材料在借助于至少一个闪光辐照之前输送给覆层腔进而输送给要覆层的表面区域并且此后停止气体流入，使得在至少一个闪光期间不进行初始材料的输送和输出。
在输送初始材料和借助于闪光辐照之间也能够执行冲洗步骤，其中将未消耗的初始材料和反应产物输出。在此处描述的方法中，如上面描述的那样，在导入初始材料期间或之后并且尤其在这种冲洗步骤之前、但是不在例如用于清洁覆层腔的这种冲洗步骤期间或直接之后，执行闪光辐照。
除通过交替地导入来时间变化地输送气态的第一和至少一种第二初始材料之外，例如也能够设有覆层腔的不同的区域，其中将至少第一和第二初始材料彼此分开地在覆层腔的不同的区域中输送。要覆层的器件尤其能够在不同的区域之间运动。不同的区域例如能够通过气幕、例如具有惰性气体、如N2的气幕来分开。器件在此能够连续地或非连续地、即逐步地运动经过不同的区域。根据是否应当在存在第一初始材料和/或第二初始材料的情况下射入至少一个闪光，能够在不同的区域中设有光源。
根据另一个实施方式，至少一个层以结构化的方式施加。这尤其能够表示：借助于闪光ALD用至少一个层覆层的表面区域仅形成电子器件的连续的表面的子区域。因此，在施加结构化的层之后，在没有另外的方法步骤的情况下，器件的表面的第一部分由该层遮盖，而例如能够与第一区域相邻的另外的第二区域不具有该层。要覆层的表面区域尤其例如也能够包含表面的不连续的区域。
为了实现结构化地施加至少一个层，能够将至少一个闪光尤其仅射到要覆层的表面区域上，而不要覆层的表面区域不用闪光辐照。对此，至少一个闪光例如能够穿过掩模辐照到电子器件上，其中掩模在要覆层的表面区域之上具有一个或多个留空部。这尤其能够表示：在表面区域和光源之间设置有掩模，其中所述掩模例如能够与电子器件接触或者也能够与电子器件间隔开。与此相应地，气态的初始材料从电子器件起观察能够位于掩模上方和/或下方。
如果要覆层的表面区域在覆层腔的不同的区域之间运动以便例如将表面区域依次暴露于不同的初始材料，那么掩模能够随表面区域一起运动。替选于此，也可行的是，掩模保留在覆层腔的固定的区域中。例如，掩模仅设置并且固定地安装在覆层腔的下述区域中，在所述区域中，至少一个闪光射到要覆层的表面区域上。
附加地或替选地，也能够可行的是：至少一个闪光聚焦地射到要覆层的表面区域上或要覆层的表面区域的子区域上。对此，能够尤其有利的是，用于产生至少一个闪光的光源例如具有激光器。尤其地，也能够可行的是，多个闪光依次射到要覆层的表面区域的不同的子区域上，使得通过在表面区域的子区域中用单层或子单层进行覆层，能够顺序地在表面区域上生成至少一个层。因此，至少一个层例如能够在将激光器用作为用于至少一个闪光的光源的情况下以激光烧录工艺施加。
除了至少一个射到表面区域上的闪光之外，借助于加热装置能够将热量输送给要覆层的表面区域，使得要覆层的表面区域能够被附加地加热，要覆层的电子器件位于所述加热装置上。例如，小于或等于150℃并且优选小于或等于90℃的温度能够是有利的，其中电子器件的常用的材料、例如有机材料还没有损坏。替选于此，也能够可行的是，将要覆层的电子器件在用至少一个闪光辐照期间冷却，使得通过至少一个闪光加热要覆层的表面区域的尽可能薄的区域，进而能够保护电子器件的位于要覆层的表面区域下方的材料免于过大的热量输入。
根据另一个实施方式，至少一个层借助于闪光ALD法施加到其表面区域上的电子器件是无机发光二级管(LED)、有机发光二极管(OLED)、无机光电二极管(PD)、有机光电二极管(OPD)、无机太阳能电池(SC)、有机太阳能电池(OSC)、无机晶体管、尤其无机薄膜晶体管(TFT)、有机晶体管、尤其有机薄膜晶体管(OTFT)、集成电路(IC)或者多个上述器件或由其构成的组合，或者能够具有上述器件中的至少一个或多个器件。
电子器件还能够具有衬底或是衬底。衬底在此例如能够适合作为用于电子元件、尤其是一个或多个光电层序列的载体元件。例如，衬底能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或由其构成。此外，衬底能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或具有带有玻璃和塑料的叠层或由其形成。塑料例如能够具有或者是高密度的和低密度的聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或由其形成。此外，衬底能够具有金属，例如以金属薄膜的形式的金属，如铝薄膜、铜薄膜、优质钢薄膜或其组合或层堆。
电子器件还能够具有带有至少一个第一和第二电极的功能层序列，在所述第一和第二电极之间设置有一个或多个无机的和/或有机的功能层。特别地，功能层序列能够设置在衬底上。
如果电子器件构成为光电子器件并且例如具有LED、OLED、PD、OPD、SC和/或OSC或由其构成，那么功能层序列能够具有有源区域，所述有源区域适合于在器件运行时产生或检测光。特别地，当应当穿过衬底进行光耦合输入或耦合输出时，光电子器件也能够具有透明衬底。
如果电子器件具有LED、PD、SC和/或TFT或者由其构成，那么功能层序列能够具有外延层序列、即外延生长的半导体层序列或者构成为这种层序列。特别地，半导体层序列例如能够具有基于InGaAlN、InGaAlP和/或AlGaAs的III-V族化合物半导体材料和/或II-VI化合物半导体材料。
如果电子器件构成为有机电子器件并且具有OLED、OPD、OSC和/或OTFT或由其构成，那么功能层序列能够具有带有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的非聚合物的小的分子(“小分子(smallmolecules)”)或其组合的一个或多个有机功能层。能够尤其有利的是，构成为有机电子器件的电子器件具有功能层，所述功能层构成为空穴传输层，以便例如在OLED的情况下实现将空穴有效地注入到电致发光层或电致发光区域中。作为用于空穴传输层的材料，例如叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩证实为是有利的。此外，在有机光电子器件的情况下能够有利的是，功能层序列的功能层构成为产生光的电致发光层或构成为检测光的层。下述材料适合作为对此的材料，所述材料由于磷光性或荧光性具有光发射或者能够将光转换成电荷，例如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基或其衍生物、化合物、混合物或共聚物。此外，功能层序列能够具有功能层，所述功能层构成为电子传输层。此外，层序列也能够具有电子和/或空穴阻挡层。
尤其优选的是，电子器件能够构成为OLED或具有OLED。在OLED的原理结构方面，在此例如在功能层序列的材料、层组分和结构方面参考出版物WO 2010/066245 A1，所述出版物尤其在有机光电子器件的结构、层组分和材料方面在此明确地通过参考并入本文。
在执行闪光ALD法中，电子器件在其提供器件的功能的功能层方面制成，其中至少一个借助于闪光ALD法施加的层在该情况下例如能够形成用于器件的功能层的封装装置的一部分或封装装置。
此外，附加地或替选地，也可行的是，借助于闪光ALD制造电子器件的功能部件，例如电引线、例如一个或多个电连接件，以用于电接触电子器件的已经制造的或者随后还要制造的电极。附加地或替选地，借助于闪光ALD例如能够制造电子器件的功能层序列的电极。在该情况下，闪光ALD法能够分别在电子器件的功能层尚未制成的方法阶段中执行。换而言之，“在电子器件的表面区域上制造至少一个层”表示：电子器件能够在执行闪光ALD时已经制成，或者闪光ALD能够在用于制造电子器件的方法步骤之间进而在尚未制成的电子器件中执行。特别地，在该情况下，能够借助于闪光ALD法制造电子器件的功能层。
根据另一个实施方式，用于衬底上的电子器件的电极的至少一个电引线构成为电子器件的表面区域上的至少一个层。对此，尤其能够借助于闪光ALD来制造金属层，其中输送适当的初始材料，所述初始材料能够通过至少一个闪光的入射发生反应，以形成金属层。与通常用于在衬底上制造电引线或印制导线的光刻工艺相比，在此描述的闪光ALD法能够实现简化的制造方式。借助于闪光ALD施加的构成为引线的层优选能够具有大于或等于100nm或小于或等于1μm并且尤其优选为几百nm的厚度。特别地，引线能够具有一种或多种金属或层序列或其组合或由其构成。
根据另一个实施方式，将电子器件的功能层序列的至少一个电极作为至少一个层借助于闪光ALD构成在电子器件的表面区域上。对此，例如能够施加纯金属、金属组合、氧化物、氮化物或其组合或层序列作为电极。例如，能够将铝和/或银以不透明的电极的形式施加。此外，例如能够将银或银混合物、例如银与镁作为透明的电极施加。尤其优选的是，电极能够形成阴极。如果电机例如作为金属层或金属层序列施加，那么尤其地，能够仅输送适当的初始材料，所述初始材料通过至少一个闪光的入射反应成金属层。
此外，借助于闪光ALD施加的电极能够具有原子层大小的多层结构和/或合金。此外，对于借助于闪光ALD施加的电极，具有原子层大小的材料梯度和/或掺杂的多层结构是可能的。“原子层大小的”在此表示：电极能够具有带有所提出的特征的层，即例如在多层结构、合金、材料梯度和/或掺杂方面不同的层，所述层具有一个原子层或一些少量的原子层的厚度。
通常，在现有技术中，借助于热蒸镀或溅镀施加金属电极，因此对材料的选择以及这种电极、典型阴极的改性可能性受限。这在于：在热学方法中，电极材料通常必须在高真空中蒸镀或溅镀，因为例如在有机电子器件的情况下，上面形成电极的有机层相对于有害的气体和湿气极其灵敏地反应。然而，在常见的热沉积方法中，源的高的温度输入示出问题，并且在溅镀工艺中，由于所应用的等离子进而由于形成的材料的高的能量引起的损坏示出问题。
相反地，通过在此描述的闪光ALD法，例如与热蒸镀法相比能够得到较低的温度负荷，由此以纯金属、金属组合、氧化物和氮化物的形式的更大的材料选择和改性可能性是可能的。此外，上面提到的在电极层结构、材料梯度、合金和/或掺杂方面的新型的结构是可能的。由此，此外，能够可行的是，与这借助常见的热沉积法或溅镀法相比，可能制造更紧密的、注入优化的电极、例如阴极以及更加透明的电极。
特别地，在制造有机电子器件方面，此外，能够可行的是，借助于闪光ALD，直接在有机材料上的电极材料是可能的，因为闪光ALD法根据要施加的材料能够借助仅一种初始材料和尤其例如在没有常见的ALD法中需要的会至少损坏最上方的有机材料的其他的初始材料、如臭氧或水的情况下执行。与溅镀工艺、例如用于在有机层上沉积阴极的常见的溅镀工艺相比，闪光ALD法在沉积有机材料时不引起等离子损坏。
根据另一个实施方式，在借助于闪光ALD法施加以功能层序列、尤其有机功能层序列上的电极的形式的至少一个层之前，施加中间层，所述中间层保护功能层序列免受电极的初始材料的影响以及免受不期望的光和/或热输入的影响。
根据一个优选的实施方式，电子器件具有功能层序列并且至少一个层借助于闪光ALD作为封装装置施加在功能层序列上。例如，功能层序列能够具有至少一个发光或检测光的层。在此，功能层序列能够尤其优选地形成有机发光二极管并且如上述那样施加在衬底上。
根据另一个实施方式，构成为封装装置的至少一个层仅仅施加在功能层序列上。由此，能够有利地实现：仅用至少一个层对电子器件的有源的且相对于湿气敏感的区域覆层，而例如衬底的没有施加功能层序列的另外的区域和接触部保持不具有所述至少一个层。
根据另一个实施方式，借助于闪光ALD施加在电子器件的至少一个表面区域上的至少一个层具有至少两个不同的层、即尤其具有不同材料的至少两个层，所述层作为封装装置施加。特别地，至少一个层能够具有带有不同材料的交替的层的层序列。
因此，要作为封装装置施加的层能够作为阻挡层或具有用于制造薄膜封装件的多个阻挡层的层序列借助于闪光ALD施加。至少一个层或多个层能够以封装装置的形式例如分别具有在一个原子层和几百nm、优选在10nm和100nm之间并且尤其优选在50nm和60nm之间的厚度，其中包括提出的区域的边界值。
将薄膜封装件尤其理解为下述设备，所述设备适合于：形成相对于大气物质、尤其相对于湿气、氧和/或相对于其他的有害物质、例如腐蚀性气体、例如硫化氢的阻挡件。适合用于薄膜封装件的层的材料例如是氧化铝、氧化溴、硫化镉、氧化铪、氧化钽、氧化钛、氧化铂、氧化硅、氧化钒、氧化锡、氧化锌、氧化锆。借助于闪光ALD施加的封装装置例如能够具有由不同材料构成的至少两个层。特别地，封装装置也能够具有至少三个或更多个由不同材料构成的层。此外，封装装置能够具有带有各至少两个、三个或更多个由不同材料构成的层的相叠的多个层堆。
根据另一个实施方式，气态的第一初始材料是金属化合物，例如金属卤素化合物或金属有机化合物。例如，气态的第一初始材料能够具有下述材料中的一种材料或由其构成：三甲基铝(TMA)、三甲基铟(TMIn)、三甲基镓(TMGa)、三甲基锌(TMZn)、三甲基锡(TMSn)和其含乙基的衍生物以及二乙基碲(DETe)、二乙基锌(DEZn)和四溴甲烷(CBr4)、BBr3、Cd(CH3)2、Hf[N(Me2)]4、Pd(hfac)2、Pd(hfac)2、MeCpPtMe3、MeCpPtMe3、Si(NCO)4、SiCl4、四(二甲氨基)锡、C12H26N2Sn、TaCl5、Ta[N(CH3)2]5、TiCl4、Ti[OCH(CH3)]4、TiCl4、Zn(CH2CH3)2、(Zr(N(CH3)2)4)2。
为了形成氧化物、氮化物或硫化物，能够设有气态的第二初始材料，所述第二初始材料具有下述材料中的一种或多种或由其构成：H2O、H2O2、H2、O2、H2S、NH3以及有机化合物和分子。
通过以结构化的方式借助于闪光ALD施加至少一个层，也能够可行的是，构成具有至少两个横向并排设置的不同区域的封装装置。特别地，对此，例如能够将不同的材料在一个层平面中施加，所述材料具有不同的光学特性。此外，也能够可行的是，例如在第一表面区域中以结构化的方式施加封装装置的第一层，而在其上在较大的第二表面区域中借助于闪光ALD施加另一层，所述另一层遮盖第一层。通过应用能够横向并排设置的不同材料，能够将结构引入到借助于闪光ALD施加的至少一个层中，所述层例如能够存在于发光器件、尤其OLED的功能层序列之上。通过应用不同的材料，例如在作为至少一个借助于闪光ALD施加的层的透明的封装装置的情况下能够影响光耦合输出，例如使得例如在透明的OLED中在发光面中能够实现字符或图像、如表形文字。
根据另一个实施方式，在要覆层的表面区域、尤其功能层序列和要借助于闪光ALD施加的层、尤其封装装置之间施加缓冲层。换而言之，因此，在执行闪光ALD法之前施加缓冲层。要借助于闪光ALD施加的层于是随后能够尤其优选地直接施加在缓冲层上且与缓冲层直接接触。
缓冲层例如能够为要覆层的表面区域形成抵抗化学的和/或热学的作用的保护层。如果要借助于闪光ALD覆层的表面区域在两个电极之间例如具有功能层序列，尤其有机功能层序列，那么功能层序列的电极能够形成功能层序列的上侧。如果直接地、即在没有缓冲层的情况下借助于闪光ALD法将一个层施加到所述也可称作为上部电极的电极上，那么这在形成上侧的电极的热导率高的情况下在闪光入射时引起到形成上侧的电极下方中的不期望高的热量输入。相反地，缓冲层至少能够以一定程度实现热隔离，通过所述热隔离能够降低到设置在上方的电极之下的层中的热量输入，并且通过所述热隔离，能够保护位于上部的电极之下的层免受过大的热负荷的影响。
缓冲层能够具有氧化物、氮化物或氮氧化物或者由其构成。例如，氧化物、氮化物或氮氧化物能够包括铝、硅、锡、锌、钛、锆、钽、铌或铪。尤其优选的是，缓冲层能够具有氮化硅(SixNy)、例如Si2N3，和/或氧化硅(SiOx)、例如SiO2。此外，缓冲层也能够具有多个层，例如至少一个或多个氮化硅层和至少一个或多个氧化硅层的序列，所述氧化硅层和氮化硅层交替相叠地施加。
为了制造缓冲层，例如能够借助于等离子增强的化学气相沉积(“plasma-enhanced chemical vapor deposition”，PECVD)来进行。此外，其他的施加方法也是可能的，例如蒸镀。缓冲层能够具有大于或等于10nm、优选大于或等于几十nm、尤其大于或等于80nm的厚度。
此外，缓冲层能够具有小于或等于几百nm并且优选小于或等于400nm的厚度。如果电子器件为发光器件，例如为有机发光二极管，其中光通过借助于闪光ALD制造的层进而也通过缓冲层耦合输出，那么在有效的光耦合输出方面，在大于或等于80nm并且小于或等于100nm的区域中、尤其优选在大于或等于80nm且小于或等于90nm的范围中的厚度是尤其有利的。
通过在此描述的闪光支持的原子层沉积法，能够可行的是，由于借助于上述光作用并且不借助于常规的加热热量沉积材料，使用下述材料，对于所述材料，在常规的原子层沉积法中需要高的温度。在此处描述的方法中，所述材料能够在较低的温度下进而优选在没有对要覆层的电子器件负面影响的情况下施加。这种可重选择的材料一方面能够改进构成为封装装置的至少一个借助于闪光ALD施加的层的阻挡作用，另一方面例如也改进光学特性、例如尤其对于透明的电子构件改进透明度和亮度。
通过自限制的工艺提供对层厚度和均匀度的杰出的控制。通过一组闪光，已经施加的材料在沉积另外的材料期间在对电子器件小的热作用的情况下回火或者经受退火工艺。由此，施加高纯的薄的层是可能的。因为根据要施加的材料也仅能够需要气态的初始材料，所以简化常规的ALD法。特别地，在应用仅一种初始材料的情况下，能够避免例如与要覆层的表面区域的不期望的反应。特别地，也能够可行的是，借助于在此描述的闪光ALD法施加金属层、例如作为电引线。
在此描述的闪光支持的原子层沉积法尤其也能够实现：通过应用掩模实现结构化的施加，而不必执行用于移除大面积施加的层的耗费的工艺步骤。
附图说明
从下面结合附图描述的实施例中得到其他的优点、有利的实施方式和改进方案。
附图示出：
图1示出根据一个实施例的用于执行用于在电子器件的表面区域上制造至少一个层的方法的覆层腔的示意图，
图2示出根据另一个实施例的覆层腔的示意图，
图3示出根据另一个实施例的覆层腔的示意图，
图4示出电子器件的示意图，所述电子器件借助于根据另一个实施例的用于在电子器件的表面区域上制造至少一个层的方法来覆层，并且
图5至8示出电子器件，所述电子器件借助于根据另一个实施例的用于在器件的表面区域上制造至少一个层的方法来覆层。
具体实施方式
在实施例和附图中，相同的、相同类型的或者起相同作用的元件能够分别设有相同的附图标记。所示出的元件和其彼此间的大小关系不视为是按比例的，更确切地说，为了更好的可视性和/或更好的理解，个别元件、例如层、构件、器件和区域能够夸张大地示出。
结合图1描述用于在电子器件100的表面区域2上制造至少一个层1的方法的一个实施例。对此，在图1中示出覆层腔10，借助于所述覆层腔能够以闪光ALD法的形式执行方法。
在闪光ALD法的第一方法步骤中，将要覆层的表面区域2在覆层腔10中提供。对此，将要覆层的电子器件100在覆层腔10中设置在载体13上，所述电子器件例如如结合图4至7的实施例描述的那样构成并且对此还能够具有如在上文中在概述部分中描述的替选的或附加的特征。经由气体入口11，能够将气态的第一初始材料21输送给覆层腔10，所述第一初始材料以气相包含要施加的层1的以例如金属有机分子的化学化合物的形式的材料。通过气体出口12，能够将在该方法中形成的例如包含气态的反应产物的废气从覆层腔10中再次引出。特别地，结合图1描述的方法能够借助气态的第一初始材料21的连续的气体流来运行。
通过气体入口11输送的气态的第一初始材料21能够通过吸附而积聚在覆层腔10之内的表面上、尤其也积聚在电子器件100的要覆层的表面区域2上。在覆层腔10之外设置有光源14，所述光源能够通过窗口15、例如石英玻璃窗口将光射到覆层腔10的内部中并且朝向要覆层的电子器件100的方向射入。光源14在所示出的实施例中具有多个气体放电灯141，所述气体放电灯的光经由反射器142定向到要覆层的表面区域2上，并且能够将至少一个闪光射到表面区域2上。如在概述部分中描述的那样，由此能够实现要覆层的表面区域2的加热，由此初始材料21的在表面区域2上吸附的分子能够分解，使得设为用于层1的包含在初始材料21中的材料在要覆层的表面区域2上积聚并且在那里进行化合。至少一个闪光的能量密度以及至少一个闪光的持续时间能够分别具有在上文中在概述部分中提出的数值并且选择成，使得设为用于层1的包含在初始材料21中的材料的尽可能完整的层能够在要覆层的表面区域2上积聚。典型地，闪光能够具有几毫秒、尤其大致1至2ms的持续时间，并且具有几J/cm2的、尤其大于或等于10J/cm2的能量密度。
如在上文中在概述部分中描述的那样，对于每个闪光，能够施加至少一个子单层并且优选施加包含在初始材料21中的期望的材料的单层。优选地，一组多个闪光射到要覆层的表面区域2上，其中通过闪光的数量能够实现对制造的层1的厚度的容易的控制。
例如，第一初始材料21能够是三甲基铝，使得通过闪光作用，铝作为层1能够在电子器件100的表面区域2上积聚。替选于此，也能够应用其他在上文中在概述部分中描述的初始材料。
在所示出的实施例中，施加有至少一个层1的表面区域2具有纯示例性地彼此分开的、非连续的子区域。为了实现这样结构化地施加通过点状区域表明的至少一个层1，光源14的至少一个闪光穿过掩模16射到要覆层的表面区域2上，所述掩模在所示出的实施例中与表面区域2间隔开地设置。替选于此，掩模如在下面在图2中示出的那样也能够直接地设置在要覆层的表面区域2上。
替选于在气体流中进行的所描述的方法，也能够可行的是，将气态的第一初始材料21在闪光入射之前输送给覆层腔10，此后将气体入口11和气体出口12关闭并且在关闭的气体体积中将闪光射到要覆层的表面2上。
此外，也能够可行的是，交替地将气态的第一初始材料21和至少一种气态的第二初始材料引导到覆层腔10中，以便例如制造氧化物或氮化物层。第一初始材料对此例如能够具有如在上文中在概述部分中描述的金属有机化合物或金属杂化物，而例如将水或氨作为气态的第二初始材料导入。在不同的初始材料之间，为了冲洗覆层腔10能够输送冲洗气体、例如稀有气体、如Ar，或其他的惰性气体N2。根据初始材料和其反应性，能够将闪光仅在存在第一初始材料的情况下、仅在存在第二初始材料的情况下或也在存在每种初始材料的情况下射到表面区域2上。例如，第一初始材料能够通过闪光解离，而第二初始材料然后能够在没有闪光的情况下与第一初始材料的在表面区域2上积聚的材料反应。
如在概述部分中描述的那样，通过闪光入射优选尽可能仅加热表面区域2，但是不加热电子器件100的位于其下的层或材料。如果需要的话，例如借助于加热装置将附加的热量经由载体13输送给电子器件100进而也输送给要覆层的表面区域2。例如，电子器件100能够加热到小于或等于150℃并且优选小于或等于90℃的温度上，而表面区域2通过闪光入射能够置于高得多的温度上。因此，能够施加下述材料，所述材料的初始材料需要高于电子器件100的温度的温度，而没有由此损坏电子器件。替选于此，也能够可行的是，借助于冷却设备、例如在载体13中的冷却设备将电子器件100在用至少一个闪光辐照期间主动地冷却，以便避免通过闪光入射引起过高加热电子器件100。
代替在图1中示出的具有气体放电灯141的光源14，例如也能够应用下述光源，所述光源具有一个或多个激光器、尤其激光二极管、发光二极管和/或卤素灯。特别地，借助于激光器或也借助于聚焦的卤素或气体放电灯能够可行的是，将要借助于闪光ALD施加的层1以结构化的方式也在没有掩模16的情况下施加。
在图2中示出覆层腔10的另一个实施例的局部图，其中与图1的实施例相比，气态的第一初始材料21在要覆层的电子器件100上方导入，而相邻于此经由另一个气体入口11’以气幕的形式导入气体23、例如N2。由此，能够可行的是，将覆层腔10的不同的区域在气体分布方面分开，使得在覆层腔10的与所示出的区域相邻的区域中，例如能够导入气态的第二初始材料并且通过气幕将不同的初始材料彼此分开。具有要覆层的表面区域2的电子器件100能够在不同的区域之间往复运动，由此不需要将不同的初始材料时间上依次地输送到覆层腔10的相同的区域中。
掩模16在所示出的实施例中例如能够随要覆层的表面区域2进而随要覆层的电子器件100一起运动。替选于此，掩模16也能够固定地安装在覆层腔10的所示出的区域中并且电子器件100能够在没有掩模16的情况下在不同的区域之间往复运动。电子器件100的运动在该情况下能够是连续的或者也是不连续逐步的、即以起停运动的形式。特别地，掩模16例如能够仅在覆层腔10的下述一个或多个区域中存在或共同引导，在所述区域中，闪光射到要覆层的表面区域2上。
在图3中示出覆层腔10的另一个实施，所述覆层腔与两个之前的实施例相比能够实现所谓的卷对卷法。在此，要覆层的电子器件100安置在卷形的载体13上，所述载体能够如通过圆形箭头表示的那样旋转。经由气体入口11，在覆层腔10的上部和下部区域中能够导入气态的第一和第二初始材料21、22。在所述区域之间设有另外的气体入口11’，经由所述气体入口能够导入气体23，例如在之前的实施例中为N2，所述气体在不同的初始材料21、22之间形成气幕。覆层腔10之内的气体流通过虚线表明。
例如能够将金属有机化合物、例如三甲基铝或其他在上文中在概述部分中提出的材料作为第一初始材料21输送，所述材料能够在电子器件100上积聚。通过设置在上部区域中的光源14，能够经由窗口15将闪光射到电子器件100上，使得对每个闪光，优选能够在要覆层的表面2上构成金属的单层。通过载体13的转动运动，设有吸附性金属的表面区域2运动到覆层腔10的下部区域中，在所述下部区域中，例如将水作为第二初始材料22导入，积聚的铝能够与所述第二初始材料反应以形成氧化铝。要覆层的电子器件100的运动能够连续地或逐步地进行。如果需要的话，根据应用的第二初始材料22，在覆层腔10的下部区域中也能够存在用于射入闪光的光源，如点状地表示的那样。附加地，如果需要的话，能够经由另外的气体入口输送其他的初始材料。
如果期望以结构化的方式构成借助于闪光ALD施加的层，那么在覆层腔10中能够设有一个或多个掩模，所述掩模能够与电子器件100一起运动或者能够静态地设置在覆层腔的上部或下部区域中。
在下面描述的电子器件能够借助于上述方法中的一个方法借助于闪光ALD法用至少一个层1覆层。
在图4中示出电子器件101，所述电子器件具有层1，所述层形成构成为有机发光二极管(OLED)的电子器件101的封装装置45。替选于结合图4以及结合下面的附图描述的OLED，电子器件也能够构成为无机LED、构成为有机的或无机的光电二极管、构成为有机的或无机的晶体管、例如构成为有机的或无机的薄膜晶体管、或构成为其他在上文中在概述部分中描述的电子器件。
在图4中示出的电子器件101具有衬底40，所述衬底例如能够是玻璃板或玻璃薄膜。在衬底上设置具有电极42、44的功能层序列41，在所述电极之间存在具有至少一个有机发光层的有机功能层序列43。电子器件101例如能够为所谓的底部发射器OLED，所述底部发射器OLED穿过衬底40放射光。替选于此，也能够为所谓的顶部发射器OLED，所述顶部发射器OLED穿过封装装置45放射光，或者为透明的OLED，所述透明的OLED不仅穿过衬底40、而且沿背离衬底40的方向穿过封装装置45放射光。
OLED在层结构和功能层结构41的材料方面的结构对于本领域技术人员是已知的进而在此不进一步详述。
借助于之前描述的闪光ALD将至少一个层1作为封装装置45施加在功能层序列41上。功能层序列41对此形成表面区域2，在所述表面区域上借助于闪光ALD施加以封装装置45的形式的层1。特别地，至少一个层1仅施加在功能层序列41上，而衬底40的不具有功能层序列41的区域也不具有封装装置45。因此，在此处示出的电子器件101中，仅将以功能层序列41的形式的有源的且相对于湿气敏感的区域覆层，而例如接触部或引线不具有封装装置45。
封装装置45尤其构成为如在上文中在概述部分描述的薄膜封装件。对此，将多个层、例如至少两个不同的层的交替的序列作为至少一个层1借助于前述的闪光ALD法施加。封装装置45的层分别优选具有在50和60nm之间的厚度，其中包括边界值。在此，至少一个层1的不同的层能够通过相应地输送不同的初始材料依次在覆层腔中制造，如在图1中示出的那样。替选地，也能够可行的是，在如结合图2和3描述的覆层腔中，在覆层腔的不同的区域中输送不同的初始材料，并且电子器件101在所述区域之间根据期望的层结构往复运动。
在图5中示出另一个实施例，其中与图4的实施例相比，在功能层序列41和构成为封装装置45的至少一个借助于闪光ALD施加的层1之间设置有缓冲层46。封装装置45尤其直接施加在缓冲层46上，其中缓冲层46例如能够用作为热隔离层，所述热隔离层在用于制造封装装置45的闪光ALD法期间防止将过大的热量输入到功能层序列41中。因此，缓冲层46在此形成表面区域2，在所述表面区域上借助于闪光ALD施加以封装装置45的形式的至少一个层1。
在示出的实施例中借助于PECVD施加的缓冲层46能够具有氧化物、氮化物或氮氧化物或由其构成，尤其是具有铝、硅、锡、锌、钛、锆、钽、铌或铪的氧化物、氮化物或氮氧化物。尤其优选的是，缓冲层46能够具有氮化硅和/或氧化硅，例如以单层的形式或作为具有至少一个或多个氮化硅层和一个或多个氧化硅层的层序列，所述氮化硅层和氧化硅层被交替地相叠地施加。缓冲层46具有在几十nm和几百nm的范围中、在底部发射器OLED的情况下优选在大致400nm的范围中、并且在顶部发射器OLED或透明的OLED作为电子器件102的情况下在大于或等于80nm且小于或等于90nm的范围中的厚度。
在图6中示出电子器件103的另一个实施例的俯视图，所述电子器件具有构成为封装装置45的借助于闪光ALD施加的层1，所述层具有两个横向并排设置的不同的区域3、4。不同的区域3、4具有不同的材料，所述不同的材料具有不同的光学特性进而能够实现从电子器件103中的结构化的光耦合输出。通过电子器件103的发光面中的由此实现的结构，在接通和/或断开的状态下，能够影响例如能够构成为透明的OLED的电子器件103的外观，使得例如如在图6中示出的那样能够实现发光面的字符。
为了制造区域3、4，借助于闪光ALD在区域3、4中的一个区域中沉积一个或多个层。随后，在区域3、4中的另一个区域中借助于闪光ALD沉积一个或多个另一层，其中区域3和4中的层的整体形成至少一个借助于闪光ALD制造的层1。替选地，也可行的是，借助于闪光ALD在区域3、4中的一个区域中沉积一个或多个层并且随后将这两个区域3、4共同地借助于闪光ALD设有一个或多个层，使得区域3、4中的层的数量不同。
在图7中示出另一个电子器件104，所述电子器件具有用于电极44中的一个电极的至少一个引线47，所述引线通过至少一个借助于闪光ALD施加的层1在电子器件104的表面区域2上形成。
构成为用于上部的电极44的电连接层且与其接触的引线47借助于闪光ALD作为金属层制造，其中输送适当的初始材料、例如TMA，所述初始材料能够通过至少一个闪光的入射发生反应，以形成金属层、例如含Al的层。替选地或附加地，如在上文中在概述部分中描述的其他的材料也是可行的。
构成为引线47的借助于闪光ALD施加的层1优选具有大于或等于100nm或者小于或等于1μm并且尤其优选为几百nm的层厚度。通过闪光ALD法能够避免耗费的光刻工艺，所述光刻工艺通常用于在衬底上制造电引线。
此外，也能够可行的是，封装装置45如在之前的实施例中那样同样借助于闪光ALD沉积。
在图8中示出根据另一个实施例的电子器件105，其中借助于闪光ALD法施加功能层序列41的以电极44、例如阴极的形式的层1。对此，有机功能层序列43的最上方的层形成表面区域，在所述表面区域上施加以电极的44形式的至少一个层1。
电极44例如能够具有纯的金属、金属组合、氧化物和氮化物或由其构成的组合或层序列并且能够是透明的或不透明的。例如，能够以不透明的电极44的形式施加铝和/或银。此外，银或银混合物、例如银与镁能够作为透明的电极44施加。如果电极例如作为金属层或金属层序列施加，那么尤其能够仅输送气态的第一初始材料、例如用于铝电极的TMA，所述第一初始材料能够通过射入至少一个闪光来反应成金属层。
电极44也还能够具有原子层大小的多层结构和/或合金。此外，电极能够具有原子层大小的具有金属梯度和/或掺杂物的多层结构。
电极44能够大面积地且连续地、即尤其未结构化地施加。此外，也能够可行的是，将电极44借助于闪光ALD法以结构化的方式施加，使得电子器件105例如能够引起空间和/或时间变化的发光印象。在将电极44借助于闪光ALD法施加在有机功能层序列43上之前，也能够施加如在上文中在概述部分中描述的中间层，以便保护有机功能层序列43免受用于电极44的初始材料的影响以及免受不期望的光和/或热量输入的影响。
此外，也能够可行的是，封装装置45如在上述实施例中那样同样借助于闪光ALD施加。此外，也能够存在作为用于电极44的电连接元件的至少一个引线，所述引线能够如在上述实施例中那样借助于闪光ALD施加。
结合附图示出的实施例和其各个特征能够在其他的、未明确示出的实施例中彼此组合。此外，在附图中示出的实施例能够具有根据概述部分中的实施例的替选的或附加的特征。
本发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求中或实施例中说明时也如此。

Claims (20)

1.一种用于在光电子器件(100，101，102，103，104，105)的表面区域(2)上制造至少一个层(1)的方法，所述光电子器件具有带有有源区域的功能层序列(41)，所述有源区域适合于在所述光电子器件运行时产生或检测光，所述方法具有下述步骤：
-在覆层腔(10)中提供所述表面区域(2)；
-借助于闪光支持的原子层沉积法施加所述至少一个层(1)，其中将所述表面区域(2)暴露于用于所述至少一个层(1)的至少一种气态的第一初始材料(21)或者暴露于用于所述至少一个层(1)的至少一种气态的第一初始材料(21)和随后的气态的第二初始材料(22)，并且借助至少一个闪光来辐照所述第一和/或第二初始材料(21，22)的在所述表面区域上吸附的分子，由此将在所述表面区域上吸附的分子分解。
2.根据权利要求1所述的方法，其中至少一个所述闪光借助于光源(14)输送，所述光源具有选自下述光源中的至少一个光源：气体放电灯、卤素灯、激光器、发光二极管。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中借助一组闪光辐照所述表面区域(2)。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述至少一个层(1)以结构化的方式施加。
5.根据上一项权利要求所述的方法，其中将至少一个所述闪光穿过掩模(16)射到所述表面区域(2)上。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其中将至少一个所述闪光以聚焦的方式射到所述表面区域(2)的子区域上。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，其中将多个闪光依次地射到所述表面区域(2)的不同的子区域上。
8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述表面区域(2)交替地暴露于气态的所述第一初始材料(21)和至少一种气态的第二初始材料(22)。
9.根据上一项权利要求所述的方法，其中仅在存在所述第一初始材料(21)的情况下或仅在存在所述第二初始材料(22)的情况下，将闪光射到所述表面区域(2)上。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中至少将所述第一和第二初始材料(21，22)输送到所述覆层腔(10)的不同的区域中，并且所述器件(100，101，102，103，104，105)能够在这些不同的区域之间运动。
11.根据上一项权利要求所述的方法，其中将这些不同的区域通过具有惰性气体(23)的气幕分开。
12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在用至少一个所述闪光辐照时，将所述电子器件(100)冷却。
13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述功能层序列(41)形成有机发光二极管并且施加在衬底(40)上。
14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述至少一个层(1)作为用于所述功能层序列(41)的电极(42，44)的至少一个电引线(47)在衬底(40)上构成。
15.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述至少一个层(1)构成为所述功能层序列(41)的电极(44)。
16.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述至少一个层(1)作为封装装置(45)施加在所述功能层序列(41)上。
17.根据权利要求16所述的方法，其中在所述功能层序列(41)和所述封装装置(45)之间施加缓冲层(46)。
18.根据权利要求16或17所述的方法，其中将所述封装装置(45)仅仅施加在所述功能层序列(41)上。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中借助于闪光支持的原子层沉积法，将至少两个不同的层作为封装装置(45)施加。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的方法，其中借助于闪光支持的原子层沉积法，构成具有至少两个横向并排设置的不同的区域(3，4)的所述封装装置(45)。
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