JP6716129B2 - 金属酸化物膜形成方法 - Google Patents
金属酸化物膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6716129B2 JP6716129B2 JP2015232700A JP2015232700A JP6716129B2 JP 6716129 B2 JP6716129 B2 JP 6716129B2 JP 2015232700 A JP2015232700 A JP 2015232700A JP 2015232700 A JP2015232700 A JP 2015232700A JP 6716129 B2 JP6716129 B2 JP 6716129B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic compound
- metal organic
- substrate
- metal
- monomer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
式(II)
n(nは2以上の整数)量体の金属有機化合物を気化させ、前記n(nは2以上の整数)量体の気化した金属有機化合物を単量体の金属有機化合物に解離させた後、前記金属有機化合物を基体に付着させ、前記基体に付着した金属有機化合物を金属酸化物に変化させる為の化合物を供給して該金属有機化合物を金属酸化物に変化させる
ことを特徴とする金属酸化物膜形成方法を提案する。
金属有機化合物を気化させる第1工程と、
気化した金属有機化合物を150〜330℃に加熱する第2工程と、
加熱された金属有機化合物を容器内の基体に付着させる第3工程と、
基体に付着していない金属有機化合物を容器内から排出する第4工程と、
容器内に水蒸気を供給し、前記水蒸気と基体に付着している金属有機化合物とを反応させ、金属有機化合物を金属酸化物に変化させる第5工程
とを具備することを特徴とする金属酸化物膜形成方法を提案する。
図1の装置が用いられた。1,2,3は容器である。4,5,6は加熱装置である。7は透明な石英管である。8は加熱ランプである。9はチャンバー(成膜室)である。10は基体(PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム)である。11は排気ポンプである。容器1には、有機金属化合物(例えば、TMA(液体))が入っている。TMAは(CH3)3Alで表される。しかし、容器1内に入っている液体のTMAは、前述の通り、2量体である。容器2には、H2O(液体)が入っている。容器3にはArが入っている。Arが容器1,2内に供給(30ml/min)された。この供給(バブリング)によって揮発したTMAと水とが、加熱装置4,5によって、160℃に加熱された。前記加熱によって、TMAは2量体(式(II)参照)から単量体(式(I)参照)になった。前記加熱されたTMAとH2O(水蒸気)とはドレインに流された。バルブが切り換えられ、加熱水蒸気がチャンバー9内に2秒間供給された。この後、排気が、10秒間、行われた。これによって、チャンバー9内は高真空になった。この後、バルブが切り換えられ、加熱によって単量体になったTMAがチャンバー9内に2秒間供給された。これによって、基板10の表面に(CH3)3Al(単量体)が付着(吸着)した。この後、排気が、10秒間、行われた。これによって、チャンバー9内は高真空になった。バルブが切り換えられ、加熱水蒸気がチャンバー9内に2秒間供給された。この後、排気が、10秒間、行われた。前記工程(加熱TMA供給→排気→加熱水蒸気供給→排気)が150回繰り返された。これによって、PETフィルム10の表面に透明なアルミナ膜が設けられた。
実施例1において、加熱装置4による加熱温度を40℃に変更した以外は、実施例1に準じて行われた。
実施例1において、加熱装置4による加熱温度を500℃に変更した以外は、実施例1に準じて行われた。
実施例1において、加熱装置4による加熱温度を350℃に変更した以外は、実施例1に準じて行われた。
実施例1と同じ装置が用いられた。本実施例では、加熱装置4による加熱は行われなかった。その代わり、加熱ランプ8によって、透明な石英管7が300℃に加熱された。石英管7内をTMAが通過する際、TMAは300℃に加熱された。これによって、PETフィルム10の表面に透明なアルミナ膜が設けられた。このアルミナ膜は実施例1のアルミナ膜と同等であった。
実施例1と同じ装置が用いられた。本実施例では、加熱装置4,5による加熱は行われなかった。その代わり、加熱装置6によって200℃に加熱されたArが供給された。この加熱ArがTMA及び未加熱水蒸気に合流された。すなわち、TMA及び水蒸気の加熱は、加熱Arとの混合(合流)により、行われた。その他は実施例1に準じて行われた。これによって、PETフィルム10の表面に透明なアルミナ膜が設けられた。このアルミナ膜は実施例1のアルミナ膜と同等であった。
Claims (17)
- 酸素透過性を低下させる為に樹脂製基体上に金属酸化物膜が形成される方法であって、
n(nは2以上の整数)量体の金属有機化合物を気化させ、前記n(nは2以上の整数)量体の気化した金属有機化合物を単量体の金属有機化合物に解離させた後、前記金属有機化合物を前記基体に付着させ、前記基体に付着した金属有機化合物を金属酸化物に変化させる為の化合物を供給して該金属有機化合物を金属酸化物に変化させる
方法。 - 樹脂製基体上に低酸素透過性金属酸化物膜が形成される方法であって、
n(nは2以上の整数)量体の金属有機化合物を気化させ、前記n(nは2以上の整数)量体の気化した金属有機化合物を単量体の金属有機化合物に解離させた後、前記金属有機化合物を前記基体に付着させ、前記基体に付着した金属有機化合物を金属酸化物に変化させる為の化合物を供給して該金属有機化合物を金属酸化物に変化させる
方法。 - n(nは2以上の整数)量体の気化した金属有機化合物に解離エネルギーを与えることによって、前記n(nは2以上の整数)量体の金属有機化合物が単量体の金属有機化合物に解離する
請求項1又は請求項2の方法。 - 前記解離エネルギーが熱、電磁波、光の群の中から選ばれる何れかである
請求項3の方法。 - 前記解離の際の温度が150〜330℃である
請求項1〜請求項4いずれかの方法。 - 酸素透過性を低下させる為に樹脂製基体上に金属酸化物膜が形成される方法であって、
n(nは2以上の整数)量体の金属有機化合物を気化させる第1工程と、
前記気化した金属有機化合物を単量体にする為に150〜330℃に加熱する第2工程と、
前記加熱された金属有機化合物を容器内の前記基体に付着させる第3工程と、
前記基体に付着していない金属有機化合物を容器内から排出する第4工程と、
前記容器内に水蒸気を供給し、前記水蒸気と前記基体に付着している金属有機化合物とを反応させ、金属有機化合物を金属酸化物に変化させる第5工程
とを具備する方法。 - 第5工程で生じた気体と残存水蒸気とを排出する第6工程を更に具備し、
第1工程〜第6工程が繰返して行われる
請求項6の方法。 - (前記金属酸化物膜が形成された前記基体の酸素透過性)/(前記金属酸化物膜が形成されていない前記基体の酸素透過性)<0.1である
請求項1〜請求項7いずれかの方法。 - 前記金属有機化合物がTMAである
請求項1〜請求項8いずれかの方法。 - 前記金属酸化物に変化させる為の化合物がH2Oである
請求項1,2,3,4,5,8,9いずれかの方法。 - 前記金属有機化合物を前記基体に付着させる際の前記基体の温度は330℃以下である
請求項1〜請求項10いずれかの方法。 - 前記金属有機化合物に不活性な物質の加熱流体を前記金属有機化合物に供給することによって前記解離が行われる
請求項1〜請求項11いずれかの方法。 - 前記金属有機化合物を加熱流路内に案内することによって前記解離が行われる
請求項1〜請求項11いずれかの方法。 - 前記金属有機化合物に光を照射することによって前記解離が行われる
請求項1〜請求項11いずれかの方法。 - 前記金属有機化合物を加熱体に衝突させることによって前記解離が行われる
請求項1〜請求項11いずれかの方法。 - 前記金属有機化合物を金属酸化物に変化させる為に供給された化合物の温度が100〜330℃である
請求項1〜請求項15いずれかの方法。 - 前記金属酸化物膜形成にはALD法が用いられる
請求項1〜請求項16いずれかの方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015232700A JP6716129B2 (ja) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 金属酸化物膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015232700A JP6716129B2 (ja) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 金属酸化物膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017101262A JP2017101262A (ja) | 2017-06-08 |
JP6716129B2 true JP6716129B2 (ja) | 2020-07-01 |
Family
ID=59017986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015232700A Active JP6716129B2 (ja) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 金属酸化物膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6716129B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3118493B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2000-12-18 | 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 | 液体原料用cvd装置 |
JP5658463B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-01-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
EP2488678B1 (en) * | 2009-10-14 | 2019-01-16 | Lotus Applied Technology, LLC | Inhibiting excess precursor transport between separate precursor zones in an atomic layer deposition system |
DE102012221080A1 (de) * | 2012-11-19 | 2014-03-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Oberflächenbereich eines elektronischen Bauelements |
JP2015003464A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム、その製造方法、およびこれを用いた電子デバイス |
-
2015
- 2015-11-30 JP JP2015232700A patent/JP6716129B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017101262A (ja) | 2017-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20160307708A1 (en) | Tantalum-containing film forming compositions and vapor deposition of tantalum-containing films | |
JP5462787B2 (ja) | 金属酸化物材料を堆積する方法 | |
US9121093B2 (en) | Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films and methods thereof | |
US20130022745A1 (en) | Silane blend for thin film vapor deposition | |
US20170107623A1 (en) | Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same | |
Kim et al. | Atomic layer deposition of TiO 2 from tetrakis-dimethylamido-titanium and ozone | |
TW201319295A (zh) | 來自金屬脒鹽前驅物與鋁前驅物的金屬鋁合金膜 | |
CN110088357B (zh) | 锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜 | |
US9748249B2 (en) | Tantalum-containing film forming compositions and vapor deposition of tantalum-containing films | |
TW201734255A (zh) | 生成金屬膜的方法 | |
US20200032397A1 (en) | Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same | |
KR20200041870A (ko) | 금속 알콕사이드 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법 | |
WO2015132445A1 (en) | Atomic layer deposition of germanium or germanium oxide | |
WO2013016069A2 (en) | Method of atomic layer deposition using metal precursors | |
WO2018122601A1 (en) | Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same | |
US8906457B2 (en) | Method of atomic layer deposition using metal precursors | |
JP6716129B2 (ja) | 金属酸化物膜形成方法 | |
KR101128542B1 (ko) | 금속화합물, 박막형성용 원료 및 박막의 제조방법 | |
WO2017115138A1 (en) | Cobalt-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition | |
JP2012184449A (ja) | 金属薄膜の製膜方法、金属薄膜、および金属薄膜の製膜装置 | |
JP4107923B2 (ja) | イットリウム含有複合酸化物薄膜の製造方法 | |
TWI557256B (zh) | 來自金屬pcai前驅物與鋁前驅物的金屬鋁合金膜 | |
JP2013104100A (ja) | 金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料 | |
JP6933509B2 (ja) | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
WO2022020701A1 (en) | Cyclosiloxanes and films made therewith |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180803 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200601 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6716129 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |