CN101933173A - 用于制造电子器件的方法和电子器件 - Google Patents

用于制造电子器件的方法和电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101933173A
CN101933173A CN2009801036722A CN200980103672A CN101933173A CN 101933173 A CN101933173 A CN 101933173A CN 2009801036722 A CN2009801036722 A CN 2009801036722A CN 200980103672 A CN200980103672 A CN 200980103672A CN 101933173 A CN101933173 A CN 101933173A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
barrier layer
described method
barrier
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2009801036722A
Other languages
English (en)
Inventor
C·施米德
T·施伦克
H·朱尔
R·佩佐尔德
M·克莱因
K·霍伊泽尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102008019900A external-priority patent/DE102008019900A1/de
Priority claimed from DE102008031405A external-priority patent/DE102008031405A1/de
Priority claimed from DE102008048472A external-priority patent/DE102008048472A1/de
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN101933173A publication Critical patent/CN101933173A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

一种用于制造电子器件的方法，该电子器件具有用于封装该器件的阻挡层，该方法尤其具有如下步骤：提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1)，借助于无等离子体原子层沉积(PLALD)将至少一个第一阻挡层(3)涂覆在功能层(22)上，以及借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层(4)涂覆在功能层(22)上。

Description

用于制造电子器件的方法和电子器件
本专利申请要求德国专利申请10 2008 006 721.0、德国专利申请10 2008 019 900.1、德国专利申请10 2008 031 405.6以及德国专利申请10 2008 048 472.5的优先权，所述德国专利申请的公开内容通过引用结合于此。
技术领域
所说明的是一种用于制造电子器件的方法和一种电子器件。
背景技术
对于诸如无机发光二极管(LED)或者有机发光二极管(OLED)之类的电子器件的持续运行来说，通常需要保护该电子器件免受湿气的侵害。尤其是可能需要，进行包括该器件的使用寿命测试，以确保该器件在多年的日常使用中可以保持其功能。
发明内容
因此，至少一个实施方式的任务是，说明一种用于制造具有封装的电子器件的方法。此外，至少一个实施方式的任务是，说明一种具有封装的电子器件。
这些任务通过独立权利要求的方法和主题来解决。所述方法和主题的有利实施方式和扩展方案在从属权利要求中表明并且此外从以下描述和附图中得出。
根据一种实施方式的用于制造具有阻挡层的电子器件的方法尤其包括如下步骤，其中所述阻挡层用于封装该器件：
-提供具有至少一个功能层的衬底，
-借助于无等离子体原子层沉积(PLALD)将至少一个第一阻挡层涂覆在功能层上，以及
-借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层涂覆在功能层上。
在这里和在下文中，第一层或者第一元件布置在或者涂覆在第二层或者第二元件“上”或者“上方”或者布置在或者涂覆在两个另外的层或元件“之间”可以表示，第一层或者第一元件被直接布置为在第二层或者第二元件上或与两个另外的层或元件进行直接的机械和/或电接触。此外，也可以表示间接接触，其中另外的层和/或元件被布置在第一层或第一元件与第二层或第二元件之间或在两个另外的层或元件之间。
在此，化学气相沉积(“chemical vapor deposition”，CVD)可以表示如下方法，其中在所提供的具有至少一个功能层的衬底的至少一个表面上，至少两种气态初始化合物发生反应生成一种固态的反应产物。在此可以将该至少两种气态初始化合物同时输送给其中提供衬底的空间(Volume)。此外，可能需要将所提供的具有至少一个功能层的衬底的至少一个表面加热到高于室温的温度。
等离子体增强化学气相沉积(“plasma enhanced chemical vapordeposition”，PECVD)可以表示如下CVD方法，其中在所述空间中生成等离子体，由此可以在等离子体中激励被输送到该空间中的至少两种气态初始化合物。由此，与无等离子体的CVB方法相比，所述至少一个表面必须被加热到的温度可以降低。这可能尤其是有利的，因为在温度高于一个最大温度时可能不可逆地损害所述至少一个功能层。所述最大温度例如可以是大约120℃，从而涂覆第二阻挡层时的温度可以小于120℃并且优选地小于或等于80℃。
原子层沉积(“atomic layer deposition”，ALD)可以表示如下方法，其中与CVD方法相比首先将至少两种气态初始化合物中的第一种输送给其中提供衬底的空间，并且该第一气态初始化合物可以吸附在所述至少一个表面上。在优选用第一初始化合物完全覆盖或者几乎完全覆盖所述至少一个表面之后，第一初始化合物的仍以气态存在和/或没有吸附在所述表面上的部分又可以从所述空间中移除并且可以输送所述至少两种初始化合物中的第二种。该第二初始化合物可以与在所述至少一个表面上吸附的第一初始化合物反应以形成一个固态层。如在CVD方法中那样，如果将所述至少一个表面加热到高于室温的温度，则可以是有利的。由此可以热发起用于形成固态层的反应。例如也可以是衬底温度、即衬底的温度的表面温度在此可以取决于反应物、即第一和第二初始化合物。
无等离子体原子层沉积(“plasma-less atomic layer deposition”，PLALD)在此可以表示一种ALD方法，对于该方法如在下文中所述那样不生成等离子体，而是为了形成固体层、即例如第一阻挡层，上述初始化合物的反应只有在高于要镀层表面的温度的情况下才开始。
在PLALD方法中，至少一个表面和/或衬底的温度例如可以大于或等于60℃并且小于或等于120℃。
等离子体增强原子层沉积(“plasma enhanced atomic layer deposition”，PEALD)可以表示如下ALD方法，其中在生成等离子体的同时输送第二初始化合物，由此可以如在PECVD方法中那样激励第二初始化合物。由此，与无等离子体的ALD方法相比，所述至少一个表面被加热到的温度可以降低并且通过等离子体生成仍然可以发起初始化合物之间的反应。在此，第一阻挡层例如可以在小于120℃并且优选小于或等于80℃的温度下被涂覆。为了生成另一固体层，可以重复输送第一初始化合物并且之后输送第二初始化合物的步骤。
PEALD方法可以尤其有利的是，初始化合物之间反应的发起需要如下表面温度，在该表面温度时例如会损坏所述至少一个功能层和/或衬底。
与具有全部通过CVD方法制造的阻挡层的已知封装相比，在此所述方法范围内可被制造的封装可以具有针对湿气和/或氧气的较小透过性。对于具有全部通过CVD方法制造的阻挡层的封装，有可能出现沟、孔和/或晶粒边界，这些沟、孔和/或晶粒边界可能导致常规封装的不密封性。这种不密封性尤其是可通过如下方式得到改善：在电子器件的情况下，可以涂覆阻挡层的最大温度-如上面所提到的那样-不得超过大约120℃并且优选不得超过大约80℃。由此，具有CVD涂覆的阻挡层的常规封装需要非常复杂的、进而成本高的多层系统，所述多层系统可妨碍经济地制造具有封装的电子器件。
常规封装的该缺点可以通过在此所述的方法来避免。与借助于CVD或PECVD方法涂覆的阻挡层相比，通过用于涂覆第一阻挡层PLALD方法或者通过PEALD方法，可以以较大密度来制造第一阻挡层并且在此可以减少或者防止沟和/或孔的形成和/或继续。因此，与借助于CVD方法制造的层相比，对于第一阻挡层还可以实现针对湿气和/或氧气的较高的密封性。在此，与以常规CVD方法制造的封装的阻挡层相比，阻挡层的数目和/或其厚度可以降低。由此，可以在小面积以及大面积上同时具有高的固有密封性的情况下生成薄的封装，并且湿气和/或氧气通过晶粒边界、沟和/或孔的扩散可被减少或得到阻止。此外，在此所述的具有第一和第二阻挡层的封装还可以在该封装的边缘区域具有高密封性，从而可以减少或阻止湿气和/或氧气通过所述封装与所提供的具有至少一个功能层的衬底之间的界面进行扩散。
与其它公知的借助于玻璃罩的封装相比，在该公知封装的情况下附加地将吸气剂引入到腔中，在此所述的具有第一和第二阻挡层的封装实现成本更低的制造和厚度更小的封装。此外利用在此所述方法可以制造具有透明封装的电子器件，这在借助于玻璃罩和吸气剂的封装的情况下不可行。
借助于PLALD或借助于PEALD涂覆第一阻挡层以及借助于PECVD涂覆第二阻挡层的方法步骤可以直接相继地在同一空间中、例如在一个常规的涂层设备中执行。为此，该涂层设备例如可以具有真空室，该真空室具有用于PLALD方法或PEALD方法的初始化合物的进气口，其中在PLALD方法的情况下还设置有用于衬底的加热装置。此外，针对PEALD方法和/或针对PECVD方法也可以设置由用于衬底的加热装置。
第一阻挡层可以借助于PLALD方法或借助于PEALD方法例如以大于或等于10nm并且小于或等于30nm的厚度来涂覆。这可以表示，借助于PLALD方法或借助于PEALD方法可将第一阻挡层制造为具有大约或等于10个单层(Monolage)并且小于或等于50个单层。由于第一阻挡层的高密度和质量，这种厚度可以足够用于确保极为有效地使位于下方的至少一个功能层免受湿气和/或氧气的侵害。尽管PLALD方法或PEALD方法与PECVD方法相比可能具有较小的生长速率，但是由于第一阻挡层的厚度小，可以确保短的过程时间、进而确保在此所述方法的高经济性。
由于第一阻挡层的高密封性，在密封性方面对第二阻挡层的要求可以小于对常规的具有全部以CVD方法所涂覆的阻挡层的封装的要求。尤其是可以以高于第一阻挡层的生长速率来涂覆第二阻挡层，并且在涂覆之后第二阻挡层可以具有大于或等于1nm并且小于或等于1000nm的厚度。尤其可以以大于或等于10nm、优选大于或等于20nm并且特别优选大于或等于100nm的厚度来涂覆第一阻挡层。
所述方法可以具有另一方法步骤，其中在第一和第二阻挡层上涂覆保护层。在此，可以将保护层直接涂覆在第一或第二阻挡层上，因此在涂覆后，保护层与第一或第二阻挡层直接接触。该保护层尤其是可以实现对位于下方的第一和第二阻挡层的机械保护。为此，可以以大于或等于1μm并且小于或等于100μm的厚度来涂覆该保护层。尤其是可以以大于或等于5μm的厚度并且优选以大于或等于10μm的厚度来涂覆该保护层。
在此，保护层可以具有如塑料-诸如硅氧烷、环氧化物、丙烯酸酯-例如甲基丙烯酸甲酯、酰亚胺、碳酸酯、烯烃、苯乙烯、氨基甲酸乙酯(Urethane)或者其单体、低聚物或聚合物形式的衍生物以及此外混合物、共聚体或者与它们的化合物。保护层例如可以包括或者可以是环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚氨酯或者诸如聚硅氧烷的硅树脂及其混合物。在此，保护层例如可以是透明的。
此外，保护层可以具有喷漆或被构造为喷漆，所述喷漆包括前述材料中的至少一种并且例如可以借助于连续喷漆设备来涂覆。此外，所述喷漆可以是可UV硬化的喷漆和/或含粘合剂或含溶剂的喷漆。
可通过在此所述方法制造的电子器件可以被构造为发射射线的和/或接收射线的器件并且在此可以被构造为有机或无机的电子器件，诸如被构造为无机发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、无机光电二极管(PD)、有机光电二极管(OPD)、无机太阳能电池(SC)、有机太阳能电池(OSC)、无机晶体管-尤其是无机薄膜晶体管(TFT)、有机晶体管-尤其是有机薄膜晶体管(OTFT)、或者被构造为集成电路(IC)。此外，可通过在此所述方法制造的电子器件可以具有多个所述元件或所述元件的组合或者可以被以这种方式构造。
此外，所述电子器件可以在制造之后具有带有至少一个第一电极和第二电极的功能层序列，在所述至少一个第一电极和一个第二电极之间布置有至少一个功能层，包括一个或多个无机的和/或有机的功能层。该功能层序列尤其是可以布置在衬底上。
如果所述器件例如具有LED、OLED、PD、OPD、SC和/或OSC，则所述功能层序列可以具有有源区域，该有源区域适于在所述电子器件运行时生成或者探测电磁射线。
在特别优选的实施例中，在这里所述方法的情况下，所述电子器件被制造为有机电子器件、包括有机的发射射线的器件，该有机的发射射线的器件具有发射射线的层序列。在此，所述发射射线的层序列可以包括被构造为有机功能层的功能层。在此，所述电子器件尤其可以包括有机的发射射线的二极管(OLED)或者被实施为有机的发射射线的二极管(OLED)。为此，所述电子器件可以具有有源区域，该有源区域适于在电子器件运行时通过重新组合电子和空穴而发射电磁射线。
有机的发射射线的层序列或OLED例如可以在所述衬底上具有第一电极。在该第一电极的上方可以涂覆至少一个有机功能层或者多个由有机材料构成的功能层。在此，所述至少一个有机功能层或者多个功能层例如可以具有电子传输层、电致发光层和/或空穴传输层，或者可以被实施为这样的层。在有机功能层或者多个有机功能层上方可以涂覆第二电极。
所述衬底例如可以包括玻璃、石英、塑料薄膜、金属、金属薄膜、硅晶片或者其它合适的衬底材料。如果OLED被实施为所谓的“底部发射器(Bottom-Emitter)”，即在有源区域中生成的射线穿过衬底发射出去，则所述衬底可以对于第一射线的至少一部分具有透明度。
在底部发射器配置中，第一电极也可以有利地对于初级射线的至少一部分具有透明度。可以被实施为阳极并且因此用作注入空穴的材料的透明的第一电极例如可以具有透明的导电氧化物或者由透明的导电氧化物构成。透明的导电氧化物(“transparent conductive oxide”，简称为“TCO”)是透明的导电材料，通常是金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或者铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化合物、例如ZnO、SnO2或In2O3之外，三元的金属氧化合物或者不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO的组，所述三元的金属氧化合物例如是Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或者In4Sn3O12。此外，TCO不一定对应于化学计量组成并且也可以是p掺杂的或者n掺杂的。
所述有机功能层或者多个功能层可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的小的非聚合物分子(“small molecule”，小分子)或者它们的组合。尤其有利的是，所述有机的发射射线的层序列具有被实施为空穴传输层的功能层，以便实现到电致发光层或电致发光区域的有效空穴注入。作为空穴传输层的材料，例如叔胺、咔唑衍生物、导电聚苯胺或者聚乙烯二氧噻吩可以被证明为有利的。此外有利的是，将功能层实施为电致发光层。对此合适的材料是具有基于荧光或磷光的射线发射的材料，例如聚芴、聚噻吩或聚苯或者其衍生物、化合物、混合物或共聚物。根据功能层中的材料，所生成的第一射线可以具有从紫外到红光谱区域的各个波长或范围或者它们的组合。
第二电极可以被实施为阴极并且因此用作注入电子的材料。作为阴极材料，尤其铝、钡、铟、银、金、镁、钙或锂及其化合物、组合物和合金可以被证明为有利的。可替换地或者附加地，第二电极也可以具有上述TCO之一。附加地或者可替换地，第二电极还可以被实施为透明的和/或第一电极可以被实施为阴极而第二电极被实施为阳极。这尤其表示，OLED也可以被实施为“顶部发射器(Top-Emitter)”。
第一电极和/或第二电极可以分别被构造为大面积的。由此可以在OLED的情况下实现在有源区域中生成的电磁射线的大面积发射。在此“大面积”可以表示，电子器件具有大于或等于几个平方毫米、优选大于或等于一个平方厘米并且特别优选大于或等于一个平方分米的面积。可替换地或者附加地，第一和/或第二电极至少在部分区域中被结构化地构造。由此可以实现在有源区域中生成的电磁射线的结构化发射，如以像素或象形图(Piktogramm)的形式进行发射。
可替换地或者附加地，所述电子器件可被构造为使得衬底包括光电检测器和/或晶体管或者被构造为光电检测器和/或晶体管，其中所述衬底具有至少一个被构造为有机功能层的功能层。
此外，可以将所述电子器件制造为有机电子器件、包括有机太阳能电池或光电二极管。在此，所述电子器件可以具有被构造为有机功能层的功能层，该功能层具有与OLED相关联提到的功能层的特征。此外，包括太阳能电池或光电二极管的电子器件具有电极，这些电极具有上面与OLED相关联描述的电极的特征。
此外，所述电子器件可以被构造为无机电子器件，其例如包括LED、PD、SC和/或TFT。在此，所述至少一个功能层可以具有外延层序列、即外延生长的半导体层序列，或者可以被构造为这样的外延层序列。所述半导体层序列尤其是可以具有例如基于InGaAlN、InGaAlP和/或AlGAs的III-V族化合物半导体，和/或具有Be、Mg、Ca和Sr中的一种或多种元素以及O、S和Se中的一种或多种元素的II-VI族化合物半导体。例如ZnO、ZnMgO、CdS、ZnCdS和MgBeO属于II-VI族化合物半导体材料。此外，所述无机电子器件可以具有电极，这些电极具有上面与OLED相关联描述的电极的特征。
第一阻挡层可以先于第二阻挡层被涂覆在所述至少一个功能层上。由此可以由第一阻挡层提供高密度的、均匀覆盖所述功能层的表面，然后在该表面上涂覆第二阻挡层。由于第一阻挡层的优秀的表面特性，第二阻挡层形成扩散沟、晶粒边界和/或孔的倾向可以被减小。
尤其是第一阻挡层可以被直接涂覆在上述第二电极上或涂覆在发射射线的或接收射线的层序列上。通过借助于PLALD方法或借助于PEALD方法的涂覆，第一阻挡层可以厚度均匀地并且完全覆盖地涂覆在具有至少一个功能层或功能层序列的衬底上。由此，不需要所述功能层或功能层序列与封装之间的平化层。
可替换地可以在涂覆第一阻挡层之前涂覆第二阻挡层。这也可以是尤其有利的，因为在涂覆第二阻挡层时可能产生晶粒边界、沟和/或孔，这些晶粒边界、沟和/或孔可被高密度的第二阻挡层填塞。
第一阻挡层和第二阻挡层可以分别具有一种材料，该材料适于保护至少一个功能层免受环境有害影响的侵害，即大致上避免氧气和/或湿气的侵害。例如可以作为第一阻挡层和/或作为第二阻挡层涂覆结晶的或玻璃态形式的氧化物、氮化物或氮氧化物。此外，所述氧化物、氮化物或氮氧化物例如可以包括铝、硅、锡、锌、钛、锆、钽、铌或铪。在此，第一和/或第二阻挡层可以具有介电或导电特性并且例如具有诸如SiO2的硅氧化物(SiOx)、诸如Si2N3的硅氮化物(SixNy)、诸如Al2O3的铝氧化物、铝氮化物、锡氧化物、铟锡氧化物、锌氧化物或者铝锌氧化物。
为了制造第一阻挡层，在上述PEALD方法中例如可以输送金属有机化合物或半金属有机化合物作为第一初始化合物。作为第二初始化合物-然后在该第二初始化合物中生成等离子体-可以输送含氧和/或含氮的化合物。如果第一阻挡层包括纯粹的示例性的如Al2O3，则可以输送三甲基铝作为第一初始化合物并且输送N2O作为第二初始化合物。
另外，为了制造第一阻挡层，在上述PLALD方法中可以例如输送金属有机化合物或半金属有机化合物作为第一初始化合物。作为第二初始化合物例如可以输送水。尤其是可以将作为第二初始化合物的水与作为第一初始化合物的三甲基铝相组合地输送。由此可以制造包括Al2O3的第一阻挡层。对此可替换地，还可以将水作为第一初始化合物并且将金属有机化合物或半金属有机化合物-例如三甲基铝-作为第二初始化合物来输送，因为在PLALD中不必生成等离子体。
此外，第二阻挡层可以具有由至少两个具有不同材料的层构成的层序列。这可以表示，涂覆具有至少两个不同层的层序列作为第二阻挡层。例如，该层序列可以具有一个具有氧化物的层和一个具有氮化物的层。该层序列还可以具有多个具有第一种材料的第一层和/或多个具有第二种材料的第二层，所述第一种材料诸如是氮化物，所述第二种材料诸如是氧化物，这些层交替地彼此相叠地被涂覆。如果以“N”来表示含氮的第一层而以“O”来表示含氧的第二层，则所述层序列例如以NON或NONON或者ONO或ONONO的顺序构造。
此外，可以在至少一个第一阻挡层上和/或至少一个第二阻挡层上涂覆另一第一阻挡层和/或另一第二阻挡层。因此，例如可以在具有至少一个有机功能层的衬底上涂覆多个第一阻挡层和/或多个第二阻挡层。第一阻挡层和第二阻挡层优选可以交替地彼此相叠地被涂覆。
在此，所述另一第一阻挡层和另一第二阻挡层可以分别具有至少一个或多个与所述至少一个第一阻挡层和至少一个第二阻挡层相关联描述的特征。尤其是可以借助于PLALD方法或借助于PEALD方法来涂覆每个另外的第一阻挡层，同时可以借助于PECVD方法来涂覆每个另外的第二阻挡层。根据要制造的例如不同第一阻挡层的组合，也可以例如借助于PLALD方法来涂覆第一阻挡层并且借助于PEALD方法来涂覆另一第一阻挡层。
根据另一实施方式，借助于在此所述的方法来制造电子器件。该电子器件尤其是可以具有衬底，该衬底具有至少一个功能层和在该至少一个功能层上方的至少一个第一阻挡层和至少一个第二阻挡层。在此，所述至少一个第一阻挡层和至少一个第二阻挡层可以分别具有一个或多个上述特征。在此，该电子器件的特点可以是封装的厚度小并且同时密封性高，该电子器件可以以高经济性来制造。
本发明的其他优点和有利实施方式以及扩展方案从下面结合图1A至5所述的实施方式中得出。
附图说明
图1A至1C示出根据一个实施例的方法的示意图，
图2示出有机电子器件的示意图，该有机电子器件可以借助于根据另一实施例的方法来制造，以及
图3至5示出电子器件的截面的示意图，这些电子器件可以借助于根据其他实施例的方法来制造。
具体实施方式
在实施例和图中可以设置分别具有相同附图标记的相同或者作用相同的部件。所示出的元件及其相互之间的尺寸关系原则上不应视为成比例的，更确切地说，诸如层、部件、器件以及区域之类的各个元件为了更好的可表示性和/或为了更好的理解而被以过度厚或大的尺寸示出。
在下面的图中纯粹示例性地示出用于制造电子器件的实施例以及电子器件的实施例，该电子器件被实施为包括OLED的有机电子器件。要明确指出的是，下述方法、器件及其特征也适用于其他在发明内容部分中描述的电子器件。
在图1A至1C中示出根据一个实施例制造有机电子器件的方法。
在根据图1A的第一方法步骤中提供具有至少一个有机功能层22的衬底1。在此，该有机功能层22是有机层序列2的一部分并且嵌入在第一电极21和第二电极23之间。在此，具有有机层序列2的衬底1被构造为有机发光二极管(OLED)并且可以具有如上面在发明内容部分中所述的其他功能层(未示出)。第一和第二电极21，23的电接触通过印制导线来进行，这些印制导线由于清楚的缘故没有示出。
具有有机层序列2的衬底1在所示实施例中被实施为底部发射器并且具有由玻璃制成的透明衬底1以及由ITO制成的透明的第一电极21，该第一电极21被构造为阳极。第二电极23是反射的并且被构造为阴极并且具有铝。
在根据图1B的下一方法步骤中，借助于PEALD方法在有机功能层22上并且尤其在层序列2上涂覆由Al2O3构成的第一阻挡层3。为此在涂层设备中将具有有机层序列2的衬底1加热到大约80℃，并且在第一子步骤中将衬底1暴露在作为第一初始化合物的三甲基铝中，使得三甲基铝可以吸附在由层序列2和衬底1构成的表面上。为了使第一初始化合物例如吸附在衬底1的接触区域上以便避免有机电子器件以后的电接触，例如可以使用覆盖该接触区域的掩模层，该掩模层在涂覆完第一阻挡层之后又可以被移除。在移除三甲基铝的未吸附部分之后，在PLALD方法的第二子步骤中将具有叠层2的衬底1暴露于作为第二初始化合物的水(H2O)中。水可以与吸附在衬底1和层序列2上的三甲基铝反应生成Al2O3层，该Al2O3层具有从小于1nm到几个纳米的范围内的厚度，但是该Al2O3层优选被构造为单层。PLALD方法的第一和第二子步骤一直重复，直到制造出10至30nm厚度的第一阻挡层3。
可替换地也可以将水作为第一初始化合物来输送，从而水可以吸附在由叠层2和衬底1构成的表面上。此后三甲基铝可以作为第二初始化合物输送并且与所吸附的水层发生反应以形成Al2O3层。
此外也可以输送如此多的第二初始化合物，使得第二初始化合物的材料又可以吸附在通过反应所形成的Al2O3层上并且可以与之后输送的第一初始化合物发生反应生成另一单层的或多层的Al2O3层。
替换于PLALD方法，可以在根据图1B的另一方法步骤中借助于PEALD方法将由Al2O3构成的第一阻挡层3涂覆在有机功能层22上并且尤其是涂覆在层序列2上。为此，将具有有机层序列2的衬底1在涂层设备中加热到小于100℃并且优选小于80℃的温度并且在第一子步骤中暴露于作为第一初始化合物的三甲基铝中，从而三甲基铝可以吸附在由层序列2和衬底1构成的表面上。为了使第一初始化合物例如吸附在衬底1的接触区域上以便避免有机电子器件以后的电接触，例如可以使用覆盖该接触区域的掩膜层，该掩膜层可以在涂覆第一阻挡层后再次被移除。在移除没有吸附的三甲基铝部分之后，在PEALD方法的第二子步骤中将具有叠层2的衬底1暴露于具有N2O作为第二初始化合物的等离子体中。N2O可以与吸附在衬底1和层序列2上的三甲基铝发生反应生成具有从小于1nm至几个纳米厚度的Al2O3层，但是该Al2O3层优选被构造为单层。PEALD方法的第一和第二子步骤一直重复，直到生成10至30nm厚度的第一阻挡层3。
通过PLALD方法或PEALD方法可以制造高密封性的第一阻挡层3，其特点在于优秀的晶体结构并且与借助于CVD方法生长的层相比不具有或者仅仅具有很少的孔和/或沟。此外，这样制造的第一阻挡层3实现位于封装边缘区域的在阻挡层3与例如衬底1之间的高密封性界面，由此避免沿着该界面的氧气和/或湿气的可能渗透路径。
在根据图1C的下一方法步骤中，借助于PECVD方法在第一阻挡层3上涂覆由SiO2构成的第二阻挡层4。在此，该第二阻挡层4在与第一阻挡层3同一温度下被以大约100nm至大约1000nm的厚度涂覆。由于高密封性的第一阻挡层3，该第二阻挡层4可以以相对较高的生长速率来涂覆，以便实现有机层序列2的固有地紧密的封装。
因此，总体上以经济的方法在短过程时间的情况下实现高密封性的封装。
PLALD方法或PEALD方法和PECVD方法在相同的涂层设备中执行，从而在制造具有第一阻挡层3和第二阻挡层4的封装时不会由于在从PLALD方法或从PEALD方法变换到PECVD方法时涂层设备的充电和放电而产生附加的停机时间。
替换于或者附加于在此所述的材料，第一和/或第二阻挡层3，4可以具有带有半金属和/或金属的氧化物、氮化物和/或氮氧化物，如在发明内容部分中所实施的那样。替换于所示出的方法，也可以将第二阻挡层4在第一阻挡层3之前涂覆在衬底和具有有机功能层22的有机叠层2上。
可替换地或者附加地，可以将第二电极23实施为透明的，从而可以将该有机电子器件制造为顶部发射器或者透明OLED。可替换地或者附加地，层序列2例如也可以是或者包括有机晶体管和/或有机光电二极管。
在图2中示出有机电子器件的实施例，该有机电子器件借助于与根据前述实施例的方法相比具有另一方法步骤的方法来制造。
在此，在上述的第一和第二阻挡层3，4的涂覆之后还涂覆保护层5。保护层5包括喷漆，该喷漆例如可以是含溶剂的漆，其在连续喷漆设备中被以从10至100nm的厚度来涂覆。通过保护层5，所述有机电子器件以及尤其是第一和第二阻挡层3，4可以有效地得到保护以免受刮蹭和其它机械损害。
可替换地或者附加地，例如可以涂覆诸如硅树脂或者环氧树脂之类的聚合物来作为保护层5。
在下面的图中示出根据其他实施例的有机电子器件的截面，这些其他实施例示出前述实施例的修改方案和变形方案。以下描述主要涉及与前述实施例的区别。
在图3中示出有机电子器件的截面，其中如在前述实施例中那样在层序列2上方涂覆由Al2O3构成的高密封性的第一阻挡层3。在其上方借助于PECVD方法涂覆有第二阻挡层4，该第二阻挡层4具有三个层41，42，43，其总厚度从100至1000nm。层41和43被实施为氮化硅层，而层42被实施为氧化硅层。可替换地，层41，43和层42的材料也可以交换。此外，第二阻挡层4例如也可以具有带有五个层的层序列，这五个层以氧化硅层和氮化硅层交替地构造。
替换于所示实施例，也可以将第一阻挡层3涂覆在具有层41，42，43的第二阻挡层4上。
在图4和5中示出有机电子器件的截面，该有机电子器件具有多个第一阻挡层3，3′，3″或3，3′，3″，3″′和多个第二阻挡层4，4′，4″，这些阻挡层分别交替地彼此重叠地借助于PLALD方法或PEALD方法以及PECVD方法被涂覆。因为不能排除层序列2的第二电极和/或第二阻挡层4，4′，4″至少部分地具有例如柱状生长、沟、孔和/或晶粒边界形式的缺陷，所以通过层序列2和第二阻挡层4，4′，4″之间的第一阻挡层3，3′，3″可以保证，能够有效地中断这种缺陷的继续。尤其是可以将在第二阻挡层4，4′，4″中出现的沟和/或孔通过位于其上方的第一阻挡层3′，3″或3′，3″，3″′来填塞。
此外，第二阻挡层4，4′和4″中的至少一个可以如与图3中的实施例相联系那样具有多个层。
本发明不会由于借助于实施例的描述而被限制于该描述。更确切地说，本发明包括每个新特征以及这些特征的每种组合，这尤其是包含权利要求书中的特征的每种组合，即使在该特征或者该组合自身没有明确地在权利要求书或实施例中说明时也是如此。

Claims (15)

1.一种用于制造电子器件的方法，该电子器件具有用于封装该器件的阻挡层，该方法具有如下步骤：
-提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1)，
-借助于无等离子体原子层沉积(PLALD)将至少一个第一阻挡层(3)涂覆在功能层(22)上，以及
-借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层(4)涂覆在功能层(22)上。
2.根据权利要求1所述的方法，具有另一步骤：
-在第一和第二阻挡层(3，4)上涂覆保护层(5)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中
-保护层(5)具有喷漆。
4.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-在提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1)时，在衬底(1)上涂覆第一电极(21)并且在至少一个功能层(22)上涂覆第二电极(23)，
-功能层(22)包括有机功能层，以及
-将第一阻挡层(3)涂覆在第二电极(23)上。
5.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-第一阻挡层(3)和/或第二阻挡层(4)包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。
6.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-将由至少两个具有不同材料的层(41，42)构成的层序列作为第二阻挡层(4)来涂覆。
7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-所述至少两个具有不同材料的层(41，42)包括具有氧化物的层和具有氮化物的层。
8.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-涂覆至少一个另外的第一阻挡层(3′)和/或至少一个另外的第二阻挡层(4′)。
9.根据权利要求7或8之一所述的方法，其中
-交替地彼此相叠地涂覆第一和第二阻挡层(3，3′，4，4′)。
10.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-在第一阻挡层(3)之前涂覆第二阻挡层(4)。
11.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-在大于或等于60℃并且小于或等于120℃的衬底温度下涂覆至少一个第一阻挡层(3)和至少一个第二阻挡层(4)。
12.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-至少一个第一阻挡层(3)具有大于或等于10nm并且小于或等于30nm的厚度。
13.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-至少一个第二阻挡层(4)具有大于或等于100nm并且小于或等于1000nm的厚度。
14.根据前述权利要求之一所述的方法，其中
-所述电子器件包括发光有机二极管(OLED)和/或太阳能电池。
15.一种有机光电器件，能够借助于根据权利要求1至14之一所述的方法来制造。
CN2009801036722A 2008-01-30 2009-01-29 用于制造电子器件的方法和电子器件 Pending CN101933173A (zh)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008006721 2008-01-30
DE102008006721.0 2008-01-30
DE102008019900A DE102008019900A1 (de) 2008-01-30 2008-04-21 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008019900.1 2008-04-21
DE102008031405A DE102008031405A1 (de) 2008-07-02 2008-07-02 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008031405.6 2008-07-02
DE102008048472.5 2008-09-23
DE102008048472A DE102008048472A1 (de) 2008-09-23 2008-09-23 Vorrichtung mit Verkapselungsanordnung
PCT/DE2009/000117 WO2009094997A1 (de) 2008-01-30 2009-01-29 Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101933173A true CN101933173A (zh) 2010-12-29

Family

ID=40912295

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801036737A Active CN101933174B (zh) 2008-01-30 2009-01-29 用于制造电子器件的方法和电子器件
CN2009801036722A Pending CN101933173A (zh) 2008-01-30 2009-01-29 用于制造电子器件的方法和电子器件
CN2009801037636A Active CN101933175B (zh) 2008-01-30 2009-01-29 具有封装单元的装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801036737A Active CN101933174B (zh) 2008-01-30 2009-01-29 用于制造电子器件的方法和电子器件

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801037636A Active CN101933175B (zh) 2008-01-30 2009-01-29 具有封装单元的装置

Country Status (8)

Country Link
US (6) US8916397B2 (zh)
EP (3) EP2238634B1 (zh)
JP (4) JP5832093B2 (zh)
KR (6) KR101747004B1 (zh)
CN (3) CN101933174B (zh)
DE (3) DE112009000755A5 (zh)
TW (3) TWI420722B (zh)
WO (3) WO2009095006A1 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102437288A (zh) * 2011-11-16 2012-05-02 四川长虹电器股份有限公司 有机电致发光器件的封装结构
CN103460433A (zh) * 2011-04-08 2013-12-18 美国圣戈班性能塑料公司 用于敏感元件的封装的多层部件
CN103732393A (zh) * 2011-07-28 2014-04-16 凸版印刷株式会社 层叠体、阻气膜、层叠体的制造方法及层叠体制造装置
CN104064682A (zh) * 2013-03-21 2014-09-24 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104798220A (zh) * 2012-11-19 2015-07-22 欧司朗Oled股份有限公司 用于在电子器件的表面区域上制造层的方法
CN105027316A (zh) * 2013-03-14 2015-11-04 应用材料公司 薄膜封装-用于oled应用的薄超高阻挡层
CN106605157A (zh) * 2014-09-11 2017-04-26 通用电气公司 使用有机光电二极管的x射线系统和x射线检测器
CN107017227A (zh) * 2015-12-31 2017-08-04 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法
CN107086241A (zh) * 2017-04-28 2017-08-22 深圳市华星光电技术有限公司 Oled面板的制作方法及oled面板
CN108780851A (zh) * 2016-03-08 2018-11-09 Tes股份有限公司 发光元件的保护膜沉积方法
US11228015B2 (en) 2018-08-09 2022-01-18 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Display screens and display devices with thin film encapsulation structures

Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI420722B (zh) 2008-01-30 2013-12-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh 具有封裝單元之裝置
KR102029563B1 (ko) 2008-12-11 2019-10-07 오스람 오엘이디 게엠베하 유기발광다이오드 및 조명수단
DE102009024411A1 (de) * 2009-03-24 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement
DE102009022900A1 (de) 2009-04-30 2010-11-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009034822A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement sowie elektischer Kontakt
KR101089715B1 (ko) * 2009-11-05 2011-12-07 한국기계연구원 다층 박막형 봉지막 및 이의 제조방법
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
WO2012030421A1 (en) * 2010-05-25 2012-03-08 Qd Vision, Inc. Devices and methods
KR101793047B1 (ko) 2010-08-03 2017-11-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
DE102010033137A1 (de) * 2010-08-03 2012-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
JP5412634B2 (ja) * 2010-09-14 2014-02-12 後藤電子 株式会社 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明装置
JPWO2012039310A1 (ja) * 2010-09-22 2014-02-03 株式会社アルバック 有機ｅｌ素子の製造方法、成膜装置、有機ｅｌ素子
US8547015B2 (en) * 2010-10-20 2013-10-01 3M Innovative Properties Company Light extraction films for organic light emitting devices (OLEDs)
KR102138213B1 (ko) * 2010-11-24 2020-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 광 디바이스 및 유기 광 디바이스의 보호 부재
TWI473305B (zh) * 2011-03-10 2015-02-11 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode structure
DE102011005612A1 (de) * 2011-03-16 2012-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Optoelektronischen Bauelements
KR20120107331A (ko) * 2011-03-21 2012-10-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치
DE102011016935A1 (de) * 2011-04-13 2012-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
DE102011077687B4 (de) 2011-06-17 2021-05-12 Pictiva Displays International Limited Organische leuchtdiode, verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode und modul mit mindestens zwei organischen leuchtdioden
US9172057B2 (en) * 2011-06-30 2015-10-27 Osram Oled Gmbh Encapsulation structure for an opto-electronic component
DE102011079797A1 (de) * 2011-07-26 2013-01-31 Ledon Oled Lighting Gmbh & Co. Kg OLED/QLED-Leuchtmodul mit gleichmäßigem Erscheinungsbild
GB201117242D0 (en) * 2011-10-06 2011-11-16 Fujifilm Mfg Europe Bv Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible subtrate
JP5819799B2 (ja) * 2011-10-31 2015-11-24 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び撮像素子
TWI429526B (zh) 2011-12-15 2014-03-11 Ind Tech Res Inst 水氣阻障複合膜及封裝結構
DE102012203212A1 (de) 2012-03-01 2013-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichtungsanlage und verfahren zur durchführung eines aufwachsprozesses
JP2013187019A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Sharp Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US9312511B2 (en) 2012-03-16 2016-04-12 Universal Display Corporation Edge barrier film for electronic devices
JP5895684B2 (ja) * 2012-04-24 2016-03-30 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムの製造方法、および前記ガスバリア性フィルムを用いた電子デバイスの製造方法
JP5953531B2 (ja) * 2012-05-09 2016-07-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ｔｆｔ基板の製造方法
DE102012208142B4 (de) 2012-05-15 2021-05-12 Pictiva Displays International Limited Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements
JP6413208B2 (ja) * 2012-06-29 2018-10-31 三菱ケミカル株式会社 有機太陽電池の製造方法
DE102012211869A1 (de) 2012-07-06 2014-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement
CN104488095B (zh) * 2012-07-10 2018-05-01 欧司朗光电半导体有限公司 封装光电器件的方法及发光二极管芯片
US9449809B2 (en) * 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Interface adhesion improvement method
KR101903056B1 (ko) * 2012-07-24 2018-10-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
DE102012214216A1 (de) 2012-08-09 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Leuchtdiodenmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012214248A1 (de) * 2012-08-10 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelemente und verfahren zum herstellen eines bauelementes
TW201407086A (zh) * 2012-08-15 2014-02-16 Ultimate Image Corp 有機發光二極體平面照明裝置
DE102012215708A1 (de) * 2012-09-05 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorratsbehälter für eine beschichtungsanlage und beschichtungsanlage
US9991399B2 (en) 2012-10-04 2018-06-05 Cree, Inc. Passivation structure for semiconductor devices
US9812338B2 (en) 2013-03-14 2017-11-07 Cree, Inc. Encapsulation of advanced devices using novel PECVD and ALD schemes
US8994073B2 (en) * 2012-10-04 2015-03-31 Cree, Inc. Hydrogen mitigation schemes in the passivation of advanced devices
KR102129869B1 (ko) 2012-11-06 2020-07-06 오티아이 루미오닉스 인크. 표면상에 전도성 코팅층을 침착시키는 방법
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
EP2926991B1 (en) 2012-11-29 2019-02-27 LG Chem, Ltd. Gas barrier film with protective coating layer containing inorganic particles
EP2927346A4 (en) * 2012-11-29 2016-07-20 Lg Chemical Ltd COATING METHOD FOR REDUCING DAMAGE TO A SHOCK LAYER
JP6036279B2 (ja) * 2012-12-26 2016-11-30 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子製造方法
TWI578592B (zh) * 2013-03-12 2017-04-11 應用材料股份有限公司 有機發光二極體元件及包括其之封裝結構的沉積方法
EP2979859A4 (en) * 2013-03-27 2016-11-02 Toppan Printing Co Ltd LAMINATE AND BARRIER FILM AGAINST GAS
DE102013105003A1 (de) 2013-05-15 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches optoelektronisches Bauteil
DE102013105128A1 (de) 2013-05-17 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TW201445794A (zh) * 2013-05-27 2014-12-01 Wistron Corp 有機光電元件封裝結構以及封裝方法
DE102013107529A1 (de) 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betrieb eines organischen Licht emittierenden Bauelements
DE102013107530A1 (de) 2013-07-16 2015-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betrieb eines organischen Licht emittierenden Bauelements und Leuchtvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
KR102392059B1 (ko) * 2013-07-29 2022-04-28 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20150016780A (ko) * 2013-08-05 2015-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102096054B1 (ko) * 2013-08-14 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
DE102013108871A1 (de) 2013-08-16 2015-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement
KR102099881B1 (ko) * 2013-09-03 2020-05-15 삼성전자 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
DE102013109646B4 (de) 2013-09-04 2021-12-02 Pictiva Displays International Limited Organisches optoelektronisches Bauelement
DE102013111732A1 (de) * 2013-10-24 2015-04-30 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Baugruppe, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
CN103682177B (zh) * 2013-12-16 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled面板的制作方法
WO2015103580A2 (en) * 2014-01-06 2015-07-09 Mc10, Inc. Encapsulated conformal electronic systems and devices, and methods of making and using the same
US10147906B2 (en) * 2014-02-06 2018-12-04 Emagin Corporation High efficacy seal for organic light emitting diode displays
DE102014106549B4 (de) 2014-05-09 2023-10-19 Pictiva Displays International Limited Organisches Licht emittierendes Bauelement
JP2016001526A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
DE102014108282A1 (de) * 2014-06-12 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
EP2960315A1 (de) 2014-06-27 2015-12-30 cynora GmbH Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102014110969A1 (de) 2014-08-01 2016-02-04 Osram Oled Gmbh Organisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines organischen Bauteils
US20160064299A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Nishant Lakhera Structure and method to minimize warpage of packaged semiconductor devices
DE102014118354A1 (de) 2014-09-12 2016-03-17 Osram Oled Gmbh Organisches Bauelement
JP6954833B2 (ja) 2014-09-17 2021-10-27 サイノーラ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング エミッタとして使用するための有機分子
KR102314466B1 (ko) * 2014-10-06 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2016067159A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device
DE102014116141B4 (de) 2014-11-05 2022-07-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips, optoelektronischer Halbleiterchip sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR101676764B1 (ko) * 2014-11-12 2016-11-17 주식회사 엔씨디 유기발광 소자 및 이의 제조방법
DE102014223507A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Osram Oled Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
JP2016100315A (ja) * 2014-11-26 2016-05-30 パイオニア株式会社 発光装置
CN104518174A (zh) * 2014-12-08 2015-04-15 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件
KR102405123B1 (ko) 2015-01-29 2022-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2016132460A1 (ja) * 2015-02-17 2016-08-25 パイオニア株式会社 発光装置
JP2016152132A (ja) * 2015-02-17 2016-08-22 パイオニア株式会社 発光装置
CN104658990B (zh) * 2015-03-02 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种封装件及其制备方法
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
CN104900812A (zh) * 2015-04-23 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置
DE102015107471A1 (de) 2015-05-12 2016-11-17 Osram Oled Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement
DE102015110241A1 (de) 2015-06-25 2016-12-29 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Steuerung eines organischen Licht emittierenden Bauelements, Licht emittierende Vorrichtung mit einem organischen Licht emittierenden Bauelement und Scheinwerfer mit einer Licht emittierenden Vorrichtung
KR102486876B1 (ko) * 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10830931B2 (en) * 2015-07-09 2020-11-10 Nippon Sheet Glass Company, Limited Infrared cut filter, imaging device, and method for producing infrared cut filter
CN104993063A (zh) 2015-07-17 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种封装件及其制作方法、oled装置
BR112017028382B1 (pt) * 2015-07-30 2022-08-16 Sekisui Chemical Co., Ltd Célula solar e material semicondutor orgânico
CN107921738A (zh) * 2015-08-12 2018-04-17 富士胶片株式会社 层叠膜
CN105304676A (zh) * 2015-09-22 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 柔性有机电致发光器件的封装结构、柔性显示装置
KR102395997B1 (ko) 2015-09-30 2022-05-10 삼성전자주식회사 자기 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법
JPWO2017094087A1 (ja) * 2015-11-30 2018-09-13 パイオニア株式会社 発光装置
CN114975823A (zh) * 2015-12-16 2022-08-30 Oti领英有限公司 包含屏障涂层的光电子器件
JP6676370B2 (ja) * 2015-12-25 2020-04-08 新光電気工業株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
JP6661373B2 (ja) * 2016-01-05 2020-03-11 パイオニア株式会社 発光装置
DE102016101710A1 (de) * 2016-02-01 2017-08-03 Osram Oled Gmbh OLED und Verfahren zur Herstellung einer OLED
US20190036077A1 (en) * 2016-02-18 2019-01-31 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing organic el display device, and organic el display device
WO2017168581A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 パイオニア株式会社 発光装置
DE102016106846A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Osram Oled Gmbh Mehrschichtige Verkapselung, Verfahren zur Verkapselung und optoelektronisches Bauelement
KR101801545B1 (ko) 2016-05-18 2017-12-20 주식회사 테스 발광소자의 보호막 증착방법
EP3258516A1 (de) * 2016-06-15 2017-12-20 odelo GmbH Leuchteinheit mit organischer leuchtdiode (oled) sowie verfahren zu deren herstellung
CN105977394A (zh) * 2016-06-15 2016-09-28 信利（惠州）智能显示有限公司 一种柔性oled器件及其封装方法
EP3258515A1 (de) * 2016-06-15 2017-12-20 odelo GmbH Leuchteinheit mit organischer leuchtdiode (oled) für fahrzeuganwendungen sowie verfahren zu deren herstellung
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
JP6788935B2 (ja) 2016-08-16 2020-11-25 株式会社日本製鋼所 有機ｅｌ素子用の保護膜の形成方法および表示装置の製造方法
TWI646641B (zh) * 2016-08-24 2019-01-01 同欣電子工業股份有限公司 Waterproof package module and waterproof packaging process
CN106299153A (zh) * 2016-10-10 2017-01-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种薄膜封装方法及其结构
US11751426B2 (en) * 2016-10-18 2023-09-05 Universal Display Corporation Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same
US10269669B2 (en) * 2016-12-14 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package and method of forming the same
JP6924023B2 (ja) * 2016-12-16 2021-08-25 パイオニア株式会社 発光装置
JP6889022B2 (ja) * 2017-04-27 2021-06-18 株式会社日本製鋼所 表示装置の製造方法
US20180061608A1 (en) * 2017-09-28 2018-03-01 Oxford Instruments X-ray Technology Inc. Window member for an x-ray device
KR101926069B1 (ko) 2017-10-26 2018-12-07 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
CN107910424A (zh) * 2017-11-22 2018-04-13 田国辉 一种led封装方法
KR102418612B1 (ko) 2018-01-03 2022-07-08 엘지전자 주식회사 이동 단말기
US20190214627A1 (en) * 2018-01-10 2019-07-11 Winsky Technology Hong Kong Limited Apparatus and Method of Treating a Lithium-Ion-Battery Part
JP6983084B2 (ja) * 2018-02-07 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN108448006B (zh) * 2018-03-29 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 封装结构、电子装置以及封装方法
KR102084608B1 (ko) 2018-04-25 2020-03-04 한국과학기술연구원 유전막 및 이를 구비하는 반도체 메모리 소자와 이들의 형성 방법
TWI750421B (zh) * 2018-10-30 2021-12-21 立景光電股份有限公司 顯示面板
KR102148429B1 (ko) * 2018-11-29 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
JP6929265B2 (ja) * 2018-12-13 2021-09-01 キヤノン株式会社 有機発光装置とその製造方法、照明装置、移動体、撮像装置、電子機器
JP6844628B2 (ja) * 2019-01-09 2021-03-17 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
CN109518185B (zh) * 2019-01-11 2020-10-20 清华大学 一种具有可动结构的器件的表面防护方法
JP6881476B2 (ja) * 2019-01-15 2021-06-02 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器
JP2019117808A (ja) * 2019-04-24 2019-07-18 パイオニア株式会社 発光装置
CN110212108B (zh) * 2019-05-17 2020-05-19 华中科技大学 一种柔性显示器的封装方法及产品
JP2019195001A (ja) * 2019-08-20 2019-11-07 パイオニア株式会社 発光装置
CN110970574B (zh) * 2019-12-17 2022-12-20 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
TWI707058B (zh) * 2019-12-19 2020-10-11 汎銓科技股份有限公司 一種物性分析試片的製備方法
KR102227484B1 (ko) * 2020-08-19 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
JP2022058178A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 株式会社住化分析センター 試料の製造方法、及び試料の観察方法
JP2021015803A (ja) * 2020-10-29 2021-02-12 株式会社日本製鋼所 有機ｅｌ素子用の保護膜の形成方法および表示装置の製造方法
JP2021009861A (ja) * 2020-11-09 2021-01-28 パイオニア株式会社 発光装置
WO2023086905A1 (en) * 2021-11-15 2023-05-19 Versum Materials Us, Llc Multilayered silicon nitride film

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4177473A (en) * 1977-05-18 1979-12-04 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductor member and method of making the same
US4609771A (en) * 1984-11-02 1986-09-02 Sovonics Solar Systems Tandem junction solar cell devices incorporating improved microcrystalline p-doped semiconductor alloy material
JPS6467824A (en) * 1987-09-07 1989-03-14 Semiconductor Energy Lab Forming device for oxide superconducting material
US5208467A (en) * 1988-07-28 1993-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a film-covered packaged component
US5792550A (en) * 1989-10-24 1998-08-11 Flex Products, Inc. Barrier film having high colorless transparency and method
US5296716A (en) * 1991-01-18 1994-03-22 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
JPH07282975A (ja) 1994-04-14 1995-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ素子及びその製造方法
FI104044B (fi) 1995-07-28 1999-11-15 Neocare Oy Hampaiden hoidossa käytettävä valmiste
JPH1041067A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
TW345727B (en) * 1996-08-22 1998-11-21 Hitachi Ltd Resin encapsulated semiconductor device and process for producing the same
JP2891692B1 (ja) 1997-08-25 1999-05-17 株式会社日立製作所 半導体装置
US6169309B1 (en) * 1997-09-30 2001-01-02 Texas Instruments Incorporated High breakdown-voltage transistor with transient protection
KR20000013654A (ko) 1998-08-12 2000-03-06 윤종용 원자층 증착 방법으로 형성한 알루미나/알루미늄나이트라이드복합 유전체막을 갖는 캐패시터와 그제조 방법
US6358632B1 (en) 1998-11-10 2002-03-19 Planar Systems, Inc. TFEL devices having insulating layers
JP2000311518A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Jsr Corp 有機絶縁材用組成物、有機絶縁材、封止材および回路基板
US6576053B1 (en) * 1999-10-06 2003-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming thin film using atomic layer deposition method
JP2001176653A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Seiko Instruments Inc 有機ｅｌ素子
JP2001192238A (ja) 2000-01-06 2001-07-17 Nippon Sheet Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板
TW572925B (en) * 2000-01-24 2004-01-21 Mitsui Chemicals Inc Urethane resin composition for sealing optoelectric conversion devices
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
JP2001338755A (ja) 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP4556282B2 (ja) * 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US20020003403A1 (en) * 2000-04-25 2002-01-10 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US20010052752A1 (en) * 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
JP2001324725A (ja) 2000-05-12 2001-11-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2002175877A (ja) 2000-09-27 2002-06-21 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6770521B2 (en) * 2001-11-30 2004-08-03 Texas Instruments Incorporated Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives
JP3963712B2 (ja) 2001-11-30 2007-08-22 住友化学株式会社 有機ｅｌ素子構造体
EP1459394B1 (en) * 2001-12-13 2014-10-29 Koninklijke Philips N.V. Sealing structure for display devices
KR100507463B1 (ko) 2002-01-25 2005-08-10 한국전자통신연구원 평판 디스플레이 소자 및 평판 디스플레이 소자의 보호막형성 방법
US6926572B2 (en) 2002-01-25 2005-08-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Flat panel display device and method of forming passivation film in the flat panel display device
JP2003292615A (ja) * 2002-04-08 2003-10-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス及びこれらを用いた絶縁膜並びに半導体装置
US7148624B2 (en) * 2002-05-07 2006-12-12 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Uniform deposition of organic layer
US6984594B2 (en) 2002-05-17 2006-01-10 Samsung Electronics, Co., Ltd. Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor devices
JP2003347042A (ja) * 2002-05-24 2003-12-05 Denso Corp 有機電子デバイス用の封止膜およびその製造方法
JP4062981B2 (ja) 2002-06-14 2008-03-19 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
JP3924258B2 (ja) * 2003-04-01 2007-06-06 三菱重工業株式会社 繊維強化プラスチックの製造方法
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US6888172B2 (en) * 2003-04-11 2005-05-03 Eastman Kodak Company Apparatus and method for encapsulating an OLED formed on a flexible substrate
US6967136B2 (en) * 2003-08-01 2005-11-22 International Business Machines Corporation Method and structure for improved trench processing
KR100569607B1 (ko) * 2003-08-26 2006-04-10 한국전자통신연구원 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
US7071506B2 (en) * 2003-09-05 2006-07-04 Infineon Technologies Ag Device for inhibiting hydrogen damage in ferroelectric capacitor devices
JP4289116B2 (ja) * 2003-10-16 2009-07-01 住友ベークライト株式会社 ガスバリア基材、表示デバイス用基板および表示デバイス
US20070265388A1 (en) * 2003-10-28 2007-11-15 Dow Global Technologies Inc. Polyurethane dispersion and articles prepared therefrom
JP2005195481A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Japan Servo Co Ltd 磁気式リニアポジションセンサ
US20050181535A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 Yun Sun J. Method of fabricating passivation layer for organic devices
US20050248270A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Eastman Kodak Company Encapsulating OLED devices
US7482616B2 (en) * 2004-05-27 2009-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices having phase change memory cells, electronic systems employing the same and methods of fabricating the same
JP2006030681A (ja) 2004-07-16 2006-02-02 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP4363365B2 (ja) 2004-07-20 2009-11-11 株式会社デンソー カラー有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR100589285B1 (ko) 2004-08-19 2006-06-14 주식회사 아이피에스 다중 적층막 구조의 금속 질화 막 증착 방법
DE102004041497B4 (de) 2004-08-27 2007-04-05 Polyic Gmbh & Co. Kg "Organisches Elektronik-Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen"
JP2006085920A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nippon Steel Corp 有機ｅｌ背面キャップ
JP2006156985A (ja) * 2004-10-28 2006-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機半導体装置及び有機半導体装置の作製方法
US20060109397A1 (en) * 2004-11-24 2006-05-25 Organic Lighting Technologies Llc Organic light emitting diode backlight inside LCD
JP2006164543A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Serubakku:Kk 有機ｅｌ素子の封止膜、有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
US8486845B2 (en) 2005-03-21 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
JP2006286242A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Toppan Printing Co Ltd フレキシブル有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006286220A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Nippon Zeon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20060246811A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Eastman Kodak Company Encapsulating emissive portions of an OLED device
US20060250084A1 (en) 2005-05-04 2006-11-09 Eastman Kodak Company OLED device with improved light output
TW200642517A (en) * 2005-05-24 2006-12-01 Univision Technology Inc Packaging structure for OLED device and method for the same
JP2006344423A (ja) 2005-06-07 2006-12-21 Showa Denko Kk 有機ｅｌ発光装置とその製造方法
US20060278965A1 (en) 2005-06-10 2006-12-14 Foust Donald F Hermetically sealed package and methods of making the same
WO2006134812A1 (ja) 2005-06-15 2006-12-21 Ulvac, Inc. 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP4698310B2 (ja) 2005-07-11 2011-06-08 富士フイルム株式会社 ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US7659558B1 (en) * 2005-09-23 2010-02-09 Cypress Semiconductor Corporation Silicon controlled rectifier electrostatic discharge clamp for a high voltage laterally diffused MOS transistor
JP2007090803A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Fujifilm Corp ガスバリアフィルム、並びに、これを用いた画像表示素子および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007142355A (ja) * 2005-10-18 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品内蔵モジュール
US8193705B2 (en) 2005-11-02 2012-06-05 Ifire Ip Corporation Laminated conformal seal for electroluminescent displays
US20070164673A1 (en) 2006-01-18 2007-07-19 Au Optronics Corporation Organic electro-luminescent display device and method for making same
US7740705B2 (en) 2006-03-08 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus configured to reduce particle contamination in a deposition system
US20070295388A1 (en) 2006-05-05 2007-12-27 Nanosolar, Inc. Solar assembly with a multi-ply barrier layer and individually encapsulated solar cells or solar cell strings
US20070295390A1 (en) 2006-05-05 2007-12-27 Nanosolar, Inc. Individually encapsulated solar cells and solar cell strings having a substantially inorganic protective layer
KR20070113672A (ko) * 2006-05-25 2007-11-29 삼성에스디아이 주식회사 유기ｅｌ소자 및 유기전자소자
WO2007145513A1 (en) 2006-06-16 2007-12-21 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma
US7663312B2 (en) 2006-07-24 2010-02-16 Munisamy Anandan Flexible OLED light source
KR101691274B1 (ko) * 2006-09-29 2016-12-29 오스람 오엘이디 게엠베하 유기 발광 소자 및 조명 장치
US7646144B2 (en) 2006-12-27 2010-01-12 Eastman Kodak Company OLED with protective bi-layer electrode
US7982309B2 (en) * 2007-02-13 2011-07-19 Infineon Technologies Ag Integrated circuit including gas phase deposited packaging material
US8241713B2 (en) 2007-02-21 2012-08-14 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
EP1983079A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-22 Nederlandse Organisatie voor Toegepast-Natuuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Barrier layer and method for making the same
TWI420722B (zh) 2008-01-30 2013-12-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh 具有封裝單元之裝置
TWI374753B (en) 2008-02-08 2012-10-21 Colgate Palmolive Co Oral care product and methods of use and manufacture thereof
JP5106300B2 (ja) 2008-07-31 2012-12-26 キヤノン株式会社 管理装置、通信装置、制御方法およびプログラム
US20100132762A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Georgia Tech Research Corporation Environmental barrier coating for organic semiconductor devices and methods thereof
US8581209B2 (en) * 2009-01-29 2013-11-12 Southwest Research Institute Fluorescent monitoring of microcapsule oxidation
EP2278631A1 (de) * 2009-07-20 2011-01-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzellenbaugruppe sowie Solarzellenanordnung
KR101089715B1 (ko) * 2009-11-05 2011-12-07 한국기계연구원 다층 박막형 봉지막 및 이의 제조방법

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103460433A (zh) * 2011-04-08 2013-12-18 美国圣戈班性能塑料公司 用于敏感元件的封装的多层部件
US10036832B2 (en) 2011-04-08 2018-07-31 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Multilayer component for the encapsulation of a sensitive element
CN103732393A (zh) * 2011-07-28 2014-04-16 凸版印刷株式会社 层叠体、阻气膜、层叠体的制造方法及层叠体制造装置
CN102437288A (zh) * 2011-11-16 2012-05-02 四川长虹电器股份有限公司 有机电致发光器件的封装结构
CN104798220B (zh) * 2012-11-19 2018-06-12 欧司朗Oled股份有限公司 用于在电子器件的表面区域上制造层的方法
CN104798220A (zh) * 2012-11-19 2015-07-22 欧司朗Oled股份有限公司 用于在电子器件的表面区域上制造层的方法
CN105027316A (zh) * 2013-03-14 2015-11-04 应用材料公司 薄膜封装-用于oled应用的薄超高阻挡层
CN104064682A (zh) * 2013-03-21 2014-09-24 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN106605157A (zh) * 2014-09-11 2017-04-26 通用电气公司 使用有机光电二极管的x射线系统和x射线检测器
CN107017227A (zh) * 2015-12-31 2017-08-04 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法
CN107017227B (zh) * 2015-12-31 2019-12-10 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法
US10978305B2 (en) 2015-12-31 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Manufacturing method for a film stack of a semiconductor device
CN108780851A (zh) * 2016-03-08 2018-11-09 Tes股份有限公司 发光元件的保护膜沉积方法
CN107086241A (zh) * 2017-04-28 2017-08-22 深圳市华星光电技术有限公司 Oled面板的制作方法及oled面板
US11228015B2 (en) 2018-08-09 2022-01-18 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Display screens and display devices with thin film encapsulation structures

Also Published As

Publication number Publication date
TW200947781A (en) 2009-11-16
KR101671529B1 (ko) 2016-11-01
JP2015108836A (ja) 2015-06-11
DE112009000755A5 (de) 2010-12-30
CN101933174A (zh) 2010-12-29
KR101747004B1 (ko) 2017-06-14
US20140141549A1 (en) 2014-05-22
US8633585B2 (en) 2014-01-21
DE112009000757A5 (de) 2010-12-30
CN101933175A (zh) 2010-12-29
EP2238633A1 (de) 2010-10-13
US20110114992A1 (en) 2011-05-19
TW200941789A (en) 2009-10-01
JP2011511403A (ja) 2011-04-07
JP2011515789A (ja) 2011-05-19
JP2011517302A (ja) 2011-06-02
KR101671655B1 (ko) 2016-11-01
US20110049730A1 (en) 2011-03-03
KR20100117632A (ko) 2010-11-03
EP2238633B1 (de) 2020-03-04
CN101933174B (zh) 2013-05-01
KR20150036797A (ko) 2015-04-07
WO2009094997A1 (de) 2009-08-06
EP2238632A1 (de) 2010-10-13
WO2009095005A1 (de) 2009-08-06
DE112009000756A5 (de) 2010-12-30
JP5832093B2 (ja) 2015-12-16
TWI420722B (zh) 2013-12-21
JP5455929B2 (ja) 2014-03-26
EP2238632B1 (de) 2021-03-24
TW200941788A (en) 2009-10-01
EP2238634B1 (de) 2020-03-04
US8658442B2 (en) 2014-02-25
US8916397B2 (en) 2014-12-23
US10026625B2 (en) 2018-07-17
US10297469B2 (en) 2019-05-21
KR20150038489A (ko) 2015-04-08
KR101704943B1 (ko) 2017-02-08
US20150072451A1 (en) 2015-03-12
US20140117569A1 (en) 2014-05-01
KR20100119557A (ko) 2010-11-09
CN101933175B (zh) 2012-11-28
KR20100117633A (ko) 2010-11-03
WO2009095006A1 (de) 2009-08-06
US20110121354A1 (en) 2011-05-26
TWI388078B (zh) 2013-03-01
TWI438953B (zh) 2014-05-21
US9647186B2 (en) 2017-05-09
EP2238634A1 (de) 2010-10-13
KR20150038699A (ko) 2015-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101933174B (zh) 用于制造电子器件的方法和电子器件
US6926572B2 (en) Flat panel display device and method of forming passivation film in the flat panel display device
CN104798220B (zh) 用于在电子器件的表面区域上制造层的方法
CN1791989A (zh) 通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜
US10403842B2 (en) Light-emitting component and method for producing a light-emitting component
US20170117503A1 (en) Buffer layer for organic light emitting devices and method of making the same
US20070228944A1 (en) Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same
CN103718324A (zh) 用于光电子器件的封装结构和用于封装光电子器件的方法
KR100507463B1 (ko) 평판 디스플레이 소자 및 평판 디스플레이 소자의 보호막형성 방법
KR100685810B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 제조 장치
KR100569607B1 (ko) 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: OSRAM OLED GMBH

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH + CO. OHG

Effective date: 20150507

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150507

Address after: Regensburg, Germany

Applicant after: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Address before: Regensburg, Germany

Applicant before: Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20101229