CN108780851A - 发光元件的保护膜沉积方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种发光元件的保护膜沉积方法，所述保护膜沉积方法的特征在于包括：在衬底的发光元件的上部沉积包括硅氮化物(SiNx)的第一保护膜的步骤；以及在所述第一保护膜的上部沉积包括硅氧化物(SiOx)的第二保护膜的步骤；且所述第一保护膜的厚度与第二保护膜的厚度的比率为0.2～0.4∶1。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光元件的保护膜沉积方法，更详细而言，涉及一种在通过等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在发光元件的表面沉积保护膜的情况下，沉积以相对薄于以往的厚度发挥与以往相似的效果且可提供柔软性的保护膜的方法。
背景技术
最近，随着信息化时代的发展，正在活跃地进行对显示器元件的研究，尤其是发光元件(发光二极管(Light emitting diode，LED))显示器或有机发光元件(有机发光二极管(Organic Light emitting diode，OLED))显示器倍受青睐。
所述有机发光元件是利用自行发光的有机物质的元件，与以往的液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、等离子显示面板(Plasma Display Panel，PDP)等具有截然不同的特性。尤其，利用有机发光元件的显示装置作为下一代显示装置，已知其为可实现所谓弯曲的显示器的装置，因此最近也多用作如手机、智能手机及PC(Personal Computer(个人电脑))的各种便携式装置的显示器。
有机发光元件为如下元件：电子与空穴在半导体内产生电子-空穴对，通过所述电子-空穴对的再结合过程来发光。这种有机发光元件可在相对较低的驱动电压下显示光的三原色，进而在实现高分辨率及天然色方面具有优异性。另外，具有如下优点：能够以低费用生产大面积的显示装置，具有可弯曲的特性与快速响应速度。
然而，如上所述的有机发光元件包括有机薄膜与电极的构造，因此存在当外部的水分或氧等渗透到内部时快速地退化(degradation)的问题。为了解决这种问题，有机发光元件必需阻隔水分与氧的保护膜(passivation film)。
最近，开发了一种利用原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)或等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)形成多层无机材料保护膜的方法。
然而，原子层沉积法具备具有较低的WVTR(水蒸气透过率(Water VaporTransmission Rate)：单位面积及单位时间的水分渗透量)的优点，但存在难以大面积化，尤其生产性(throughput)明显较低的问题。
进而，利用等离子化学气相沉积法的保护膜因相对非常厚的厚度而具有挠性特性下降的问题。另外，在沉积多层时沉积不同的膜，因此需另外具备用以形成各膜的设备，故而制造费用上升，进而制造时间也增加。
发明内容
发明要解决的问题
为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种在利用PECVD沉积保护膜的情况下，具有明显薄于以往的厚度，并且可发挥与以往相似的效果的保护膜沉积方法。
另外，本发明的目的在于提供一种提供具有较低的WVTR且具有柔软的特性的保护膜而可应用到挠性的显示装置的保护膜沉积方法。
进而，本发明的目的在于提供一种在沉积多层保护膜时，可在一个装置沉积保护膜的保护膜沉积方法。
解决问题的手段
通过一种发光元件的保护膜沉积方法达成如上所述的本发明的目的，所述发光元件的保护膜沉积方法的特征在于包括：在衬底的发光元件的上部沉积包括硅氮化物(SiNx)的第一保护膜的步骤；以及在所述第一保护膜的上部沉积包括硅氧化物(SiOx)的第二保护膜的步骤；且所述第一保护膜的厚度与第二保护膜的厚度的比率为0.2～0.4∶1。
此处，包括所述第一保护膜与第二保护膜的整体厚度可为50至180nm。在此情况下，所述第一保护膜的厚度可为10至40nm，所述第二保护膜的厚度为40至140nm。
另一方面，在沉积所述第一保护膜的步骤中，可供给硅烷(SiH4)气体作为前驱物气体，供给NH3或N2作为反应气体，用以产生等离子的射频(Radio Frequency，RF)功率密度具有0.34至0.58W/cm2的值。另外，在沉积所述第二保护膜的步骤中，可从由四甲基二硅氧烷(Tetramethyl-disiloxane，TMDSO)、六乙基二硅烷(Hexaethyl-disilane，HEDS)、六氯二硅烷(Hexachloro-disilane，HCDS)、六甲基二硅氧烷(Hexamethyl-disiloxane，HMDSO)及双(二乙基氨基)硅烷(Bisdiethylamino-silane，BDEAS)所组成的有机前驱物族群中选择任一种而供给，供给O2或Ar作为反应气体，用以产生等离子的RF功率密度具有0.63至0.87W/cm2的值。
另外，所述发光元件的保护膜沉积方法还可包括在所述第二保护膜的上部沉积缓冲膜的步骤。在此情况下，所述缓冲膜可包括含有碳的硅氧化物。
此时，沉积所述缓冲膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤可使用相同的有机前驱物。进而，可连续地执行沉积所述缓冲膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤。
另一方面，在从沉积所述第二保护膜的步骤进入到沉积所述缓冲膜的步骤时，所述有机前驱物的供给量相对增加而所述反应气体的供给量相对减少。
另一方面，可反复进行沉积所述第一保护膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤而沉积多层保护膜。
发明效果
根据具有如上所述的构成的保护膜沉积方法，可使用等离子化学气相沉积法沉积包括硅氮化膜与硅氧化膜的保护膜而沉积与以往相似地具有较低的WVTR，并且具有明显薄于以往保护膜的厚度的保护膜。
进而，提供一种包括水分透过率较低的第一保护膜与具有挠性特性的第二保护膜的多层保护膜，由此可最大限度地防止水分与氧的渗透，并且应用到挠性的显示装置。
另外，在相同的装置沉积第一保护膜与第二保护膜，因此可明显地减小沉积装置的设置面积，进而也可较以往相对缩短制程时间。
附图说明
图1是概略性地表示有机发光元件的构成的侧剖面图。
图2是表示本发明的保护膜的沉积过程的顺序图。
图3是表示本发明的一实施例的保护膜的剖面图。
图4是表示与第一保护膜的厚度相对于第二保护膜的厚度的比率对应的WVTR值的图表。
图5是表示本发明的另一实施例的保护膜的剖面图。
图6是表示本发明的又一实施例的保护膜的剖面图。
图7是表示本发明的各种实施例的保护膜的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地对本发明的各种实施例进行说明。
首先，有机发光元件的构造包括由发光层及传输层制作的注入型薄膜元件。因此，在利用P-N接面的发光元件的方面与无机半导体具有共同点，但与在接合界面通过注入少数载子来控制再结合(Recombination)的P-N接面型LED不同，有机发光元件在从外部的电极注入有助于发光的所有载子的方面存在差异。即，载子注入型发光元件需要载子的注入及移动较为容易的有机材料。
图1是表示有机发光元件的构成的侧剖面图。
参照图1，有机发光元件(200)包括衬底(300)、阳极电极(210)、空穴注入层(220)、空穴传输层(230)、发光层(240)、电子传输层(250)、电子注入层(260)及阴极电极(270)的积层构造，在所述有机发光元件(200)的上部具备保护膜(100)。在本发明所属的技术领域内已熟知这种有机发光元件(200)的构成，因此省略具体说明。
如上所述，有机发光元件包括有机薄膜与电极的构造而存在当外部的水分或氧等渗透到内部时快速地退化(degradation)的问题，因此为了解决这种问题，必需阻隔水分与氧的保护膜(passivation film)。在此情况下，保护膜的品质会根据对污染因素的敏感度而略微不同。
最近，有利用原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)或等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)装置形成多层无机材料保护膜的方法。然而，原子层沉积法具备具有较低的WVTR(水蒸气透过率(Water VaporTransmission Rate)：单位面积及单位时间的水分渗透量)的优点，但存在难以大面积化且生产率明显较低的问题。另外，利用等离子化学气相沉积法的保护膜因相对较厚的厚度而具有挠性特性下降的问题。另外，在沉积多层时沉积不同的膜，因此需另外具备用以形成各膜的设备，故而制造费用上升，进而制造时间也增加。
因此，本发明介绍一种具有相对薄于以往的厚度、与以往相似地具有较低的WVTR值，并且可较以往提高生产性(throughput)的保护膜沉积方法。参照附图，对沉积方法进行说明。
图2是表示本发明的保护膜的沉积过程的顺序图，图3是表示本发明的一实施例的保护膜的剖面图。在图3中，方便起见，省略发光元件，且在衬底上部形成保护膜。
参照图2及图3，本发明的发光元件保护膜的沉积过程包括在衬底(300)的发光元件(200)的上部沉积第一保护膜(410)的步骤(S110)、及在所述第一保护膜(410)的上部沉积第二保护膜(430)的步骤(S130)。
在本发明中，所述第一保护膜(410)及第二保护膜(430)可包括无机层，通过等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)而沉积。在本实施例中，为了有效地去除会在保护膜的沉积制程中产生的针孔(pin hole)等而形成构成为2层以上的多层的无机层。
此处，所述第一保护膜(410)可包括对氧及水分的耐渗透性优异的硅氮化膜(SiNx)，所述第二保护膜(430)同样包括对氧及水分的耐渗透性优异的硅氧化物(SiOx)。
利用前驱物气体、例如如硅烷(SiH4)等的前驱物气体沉积所述第一保护膜(410)。
在所述第一保护膜(410)的特性中，氧及水分透过度为5×10-4g/m2.day(g/m2.天)以下，折射率具有1.82至1.85的值，在380nm至800nm范围的可见光区域内，透射率为90％以上。所述第一保护膜(410)的内部应力可具有-100Mpa至+100Mpa的值。另一方面，在本实施例中，所述第一保护膜(410)的厚度可为大致10至40nm，在此情况下，沉积所述第一保护膜(410)的速度为大致200nm/min。
另一方面，利用有机前驱物沉积包括硅氧化物的所述第二保护膜(430)，例如，可从由TMDSO(Tetramethyl-disiloxane)、HEDS(Hexaethyl-disilane)、HCDS(Hexachloro-disilane)、HMDSO(Hexamethyl-disiloxane)及BDEAS(Bisdiethylamino-silane)所组成的有机前驱物族群中选择任一种来沉积所述第二保护膜。
在所述第二保护膜(430)的特性中，折射率具有1.45至1.5的值，在380nm至800nm范围的可见光区域内，透射率为95％以上。所述第二保护膜(430)的内部应力可具有-100Mpa至+100Mpa的值。另一方面，在本实施例中，所述第二保护膜(430)的厚度可为大致40至140nm，在此情况下，沉积所述第二保护膜(430)的速度为大致150nm/min。
在所述第一保护膜(410)与第二保护膜(430)中，所述硅氮化物的第一保护膜(410)具有如下特性：作为保护膜的特性、例如WVTR等特性相对优于硅氧化物的所述第二保护膜(430)，但透射率相对低于硅氧化物的所述第二保护膜。因此，在沉积包括包含所述硅氮化物的第一保护膜(410)与包含硅氧化物的第二保护膜(430)的发光元件保护膜(400)时，所述第一保护膜(410)的厚度与第二保护膜(430)的厚度的比率可为大致0.2～0.4∶1。即，可较所述第二保护膜(430)的厚度相对更薄地形成所述第一保护膜(410)的厚度。在具有如上所述的构成的情况下，可将所述发光元件保护膜(400)的透射率与以往保持一致而保持作为保护膜的特性。
另一方面，本实施例的包括所述第一保护膜(410)与第二保护膜(430)的所述发光元件保护膜(400)的厚度可为大致50至180nm。通过以往化学气相沉积法沉积的保护膜的厚度为大致700nm至1000nm，与此相反，通过本案发明的化学气相沉积法沉积的保护膜可具有以往保护膜的厚度的大致1/4至1/20的厚度而发挥与以往相似的效果。
其原因在于，本案发明的发光元件保护膜具有包括硅氮化物与硅氧化物的多层构造，进而，所述硅氮化物的第一保护膜的厚度与所述硅氧化物的第二保护膜的厚度的比率为大致0.2～0.4∶1。即，具有相对较薄的厚度的所述硅氮化物的第一保护膜(410)的透射率相对较低，但提供作为保护膜的特性，具有相对较厚的厚度的所述硅氧化物的第二保护膜(430)提供透射率相对较高的特性。
在此情况下，如上所述，在本实施例中，所述第一保护膜(410)的厚度可为大致10至40nm，所述第二保护膜(430)的厚度可为大致40至140nm。
本案申请人执行了用以比较与所述第一保护膜(410)及第二保护膜(43)的厚度比率变化对应的WVTR及可见光透射率的变化的实验，[图4]表示其结果。在图4中，横轴是指将所述第二保护膜(430)的厚度假设为“1”时所述第一保护膜(410)的厚度相对于所述第二保护膜(430)的厚度的比率，纵轴表示保护膜的WVTR(g/m2-day)。
参照图4，可知如下情况：在所述第一保护膜(410)的厚度相对于所述第二保护膜(430)的厚度的比率为0.2至0.4时，所述WVTR值为大致5×10-3g/m2-day，相反地，当脱离所述范围时，所述WVTR值上升为大致2×10-2g/m2-day至5×10-2g/m2-day。即，可知如下情况：在所述第一保护膜(410)的厚度相对于所述第二保护膜(430)的厚度的比率脱离0.2至0.4时，所述WVTR值上升为大致4倍至10倍以上。其结果，可知如下情况：在所述第一保护膜(410)相对于所述第二保护膜(430)的厚度比率相当于本案发明的比率即0.2至0.4时，具有相对较低的WVTR值。
另一方面，如果在像上述内容一样沉积具有不同性质的多个层时为了积层各层而需要另外的沉积装置，则需要多个沉积装置而需要非常广的面积。进而，在各沉积装置中因不同的制程而非常难以控制沉积制程的条件，当在各沉积装置间移动时异物会渗透到保护膜。另外，为了沉积多个层来形成保护膜，需要明显较长的制程时间。因此，本发明的保护膜沉积方法在沉积多层保护膜时，在一个装置沉积多层保护膜。在此情况下，为了区分构成所述多层保护膜的各层，可改变沉积条件、例如前驱物气体的种类、前驱物的供给流量、反应气体供给流量和/或RF功率(Power)中的至少一者。
其结果，可通过在一个沉积装置沉积多层构造的保护膜而减少整体装置的设置面积及制程时间。进而，可在所述沉积制程中改变各种沉积条件而沉积多个具有不同性质的两种以上的膜来提供防止异物渗透的同时具有柔软性的多层保护膜。
具体而言，可在相同的腔室内在相同的温度段沉积所述第一保护膜(410)与第二保护膜(430)。即，为了沉积包括硅氮化物与硅氧化物的保护膜，可在相同的腔室内保持相同的温度段而变更源气体及用于产生等离子的反应气体的种类和/或流量来沉积第一保护膜(410)与第二保护膜(430)。因此，在一个腔室内沉积所述第一保护膜与第二保护膜，从而可提高生产性(throughput)。尤其，在相同的温度段实现沉积，因此可进一步提高沉积效率。
例如，所述第一保护膜(410)利用前驱物气体、例如如硅烷(SiH4)等的前驱物气体，沉积的衬底温度为大致80℃，反应气体使用NH3或N2。此时，用以产生等离子的RF功率密度(power density)为大致0.34至0.58W/cm2。
另一方面，像上述内容一样从由TMDSO(Tetramethyl-disiloxane)、HEDS(Hexaethyl-disilane)、HCDS(Hexachloro-disilane)、HMDSO(Hexamethyl-disiloxane)及BDEAS(Bisdiethylamino-silane)所组成的有机前驱物族群中选择任一种来沉积所述第二保护膜(430)。此时，沉积的衬底温度为与所述第一保护膜(410)的温度相似的大致80℃，反应气体使用O2或Ar。此时，用以产生等离子的RF功率密度(power density)为大致0.63至0.87W/cm2。
另一方面，图5是表示本发明的另一实施例的保护膜的剖面图。
参照图5，本实施例的发光元件保护膜(500)与上述实施例的差异在于在所述第二保护膜(430)的上部还包括缓冲膜(450)。在沉积制程中，在沉积所述第二保护膜(430)的步骤后还包括在所述第二保护膜(430)的上部沉积缓冲膜(450)的步骤。
所述缓冲膜(450)包括含有碳的硅氧化物(SiOC)，发挥包覆会在沉积时产生的颗粒等的作用来抑制氧及水分的渗透，且发挥缓和表面产生的缺陷及内部应力的作用。另外，可通过调节所述缓冲膜(450)的折射率及厚度来改善所述发光元件的保护膜(500)的光学特性。
在此情况下，所述缓冲膜(450)可与所述第一保护膜(410)及第二保护膜(430)相同地包括利用等离子化学气相沉积制程沉积的硅氧化物。
具体而言，可与所述第二保护膜(430)相似地从由TMDSO(Tetramethyl-disiloxane)、HEDS(Hexaethyl-disilane)、HCDS(Hexachloro-disilane)、HMDSO(Hexamethyl-disiloxane)及BDEAS(Bisdiethylamino-silane)所组成的有机前驱物族群中选择任一种来沉积所述缓冲膜(450)。所述缓冲膜(450)的薄膜应力可具有-50Mpa至+50Mpa的值，沉积速度为250nm/min以上。
在本实施例中，当在所述第二保护膜(430)的上部沉积所述缓冲膜(450)时，可无需变更有机前驱物而直接使用所述第二保护膜(430)的有机前驱物来沉积所述缓冲膜(450)。即，可利用相同的有机前驱物变更气体量、等离子功率、制程压力等来沉积构成所述第二保护膜(430)与缓冲膜(450)的硅氧化膜。
例如，可调节有机前驱物和/或反应气体的供给量而连续地执行沉积所述缓冲膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤。图6是表示本发明的又一实施例的保护膜的剖面图，其概略性地表示连续地执行沉积所述缓冲膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤而形成的保护膜。
参照图6，所述有机前驱物可像上述内容一样从由TMDSO(Tetramethyl-disiloxane)、HEDS(Hexaethyl-disilane)、HCDS(Hexachloro-disilane)、HMDSO(Hexamethyl-disiloxane)及BDEAS(Bisdiethylamino-silane)所组成的有机前驱物族群中选择任一种。即，在本发明中，供给有机前驱物，进而供给氧等作为反应气体而沉积包括硅氧化物的第二保护膜(430)，进而，调节所述气体量等而沉积包括含有碳的硅氧化物的缓冲膜(450)。
为了供给所述有机前驱物而沉积包括硅氧化物(SiOx)的第二保护膜(430)，重要的是去除有机前驱物的甲基(CH3)。其原因在于，如果未充分地去除所述甲基，则形成SiOC系膜。
因此，在供给有机前驱物而沉积包括硅氧化物(SiOx)的第二保护膜的情况下，优选为减少所述有机前驱物的供给量，相对增加反应气体的供给量。
例如，在沉积所述第二保护膜时，沉积的衬底的温度为大致80℃，所述有机前驱物的供给量为40至50sccm，作为反应气体的O2的供给量为大致1500sccm，Ar的供给量为大致1500sccm。另外，用以产生等离子的RF功率(power)为大致1300W。
另一方面，与此相反，为了沉积包括含有碳的硅氧化物(SiOC)的缓冲膜，与沉积包括所述SiOx化合物的第二保护膜的情况相比，相对增加有机前驱物的供给量，减少反应气体的供给量。在沉积包括SiOC化合物的缓冲膜时，并非必须去除甲基，因此无需减少有机前驱物的供给量，由此可减少包括氧等的反应气体的供给量。
例如，在沉积所述缓冲膜时，沉积的衬底的温度为大致80℃，所述有机前驱物的供给量为大致120至130sccm，作为反应气体的O2的供给量为大致500sccm，Ar的供给量为大致2500sccm。另外，用以产生等离子的RF功率(power)为大致1300W。
其结果，可知如下情况：在从沉积所述第二保护膜的步骤进入到沉积所述缓冲膜的步骤的过程时，所述有机前驱物的供给量增加，相反地，所述反应气体的供给量减少。
此时，所述第二保护膜可发挥防止水分渗透的作用，所述缓冲膜能够以对多层保护膜提供柔软性的方式具备。与包括SiOx化合物的保护膜层相比，包括SiOC化合物的保护膜层的WVTR相对较高，但具有非常优异的柔软性。因此，如果在所述第二保护膜的上部沉积缓冲膜，则可沉积既防止水分渗透又柔软的保护膜。另一方面，图7是表示本发明的各种实施例的保护膜的剖面图。
参照图7，本实施例的保护膜是反复进行沉积所述第一保护膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤而沉积多层保护膜。
参照图7的(A)，所述保护膜在沉积第一保护膜(410A)与第二保护膜(430A)后，沉积第一保护膜(410B)与第二保护膜(430B)而形成共包括4层的保护膜。能够以适当的次数进行这种重复制程。虽未图示，但也可在所述图7的(A)所示的保护膜的最上部沉积所述缓冲膜。
另一方面，图7的(B)表示像所述图5或图6一样在上部形成多个具备缓冲膜(450)的保护膜(500A、500B)的情况。在此情况下，所述各保护膜(500A、500B)的构造、例如第一保护膜(410)及第二保护膜(430)的个数、厚度、顺序等可相同或至少一个不同。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但本技术领域内的普通技术人员可在不脱离随附的权利要求中所记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明实施各种修正及变更。因此，如果变形的实施基本上包括本发明的权利要求的构成要素，则应视为均包括在本发明的技术范畴内。
工业上的可利用性
根据具有如上所述的构成的保护膜沉积方法，可使用等离子化学气相沉积法沉积包括硅氮化膜与硅氧化膜的保护膜而沉积与以往相似地具有较低的WVTR，并且具有明显薄于以往保护膜的厚度的保护膜。
进而，提供一种包括水分透过率较低的第一保护膜与具有挠性特性的第二保护膜的多层保护膜，由此可最大限度地防止水分与氧的渗透，并且应用到挠性的显示装置。
另外，在相同的装置沉积第一保护膜与第二保护膜，因此可明显地减小沉积装置的设置面积，进而也可较以往相对缩短制程时间。
Claims (11)
1.一种发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于包括：
在衬底的发光元件的上部沉积包括硅氮化物(SiNx)的第一保护膜的步骤；以及
在所述第一保护膜的上部沉积包括硅氧化物(SiOx)的第二保护膜的步骤；且
所述第一保护膜的厚度与所述第二保护膜的厚度的比率为0.2～0.4∶1。
2.根据权利要求1所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
包括所述第一保护膜与所述第二保护膜的整体厚度为50至180nm。
3.根据权利要求2所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
所述第一保护膜的厚度为10至40nm，所述第二保护膜的厚度为40至140nm。
4.根据权利要求1所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
在沉积所述第一保护膜的步骤中，供给硅烷(SiH4)气体作为前驱物气体，供给NH3或N2作为反应气体，用以产生等离子的RF功率密度具有0.34至0.58W/cm2的值。
5.根据权利要求1所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
在沉积所述第二保护膜的步骤中，从由TMDSO(Tetramethyl-disiloxane)，HEDS(Hexaethyl-disilane)，HCDS(Hexachloro-disilane)，HMDSO(Hexamethyl-disiloxane)，BDEAS(Bisdiethylamino-silane)所组成的有机前驱物族群中选择任一种而供给，供给O2或Ar作为反应气体，用以产生等离子的RF功率密度具有0.63至0.87W/cm2的值。
6.根据权利要求1所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于还包括在所述第二保护膜的上部沉积缓冲膜的步骤。
7.根据权利要求6所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
所述缓冲膜包括含有碳的硅氧化物。
8.根据权利要求7所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
沉积所述缓冲膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤使用相同的有机前驱物。
9.根据权利要求8所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
连续地执行沉积所述缓冲膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤。
10.根据权利要求9所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
在从沉积所述第二保护膜的步骤进入到沉积所述缓冲膜的步骤时，所述有机前驱物的供给量相对增加而反应气体的供给量相对减少。
11.根据权利要求1所述的发光元件的保护膜沉积方法，其特征在于，
反复进行沉积所述第一保护膜的步骤与沉积所述第二保护膜的步骤而沉积多层保护膜。
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