JP2019512874A - 発光素子の保護膜蒸着方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 発光素子の保護膜蒸着方法において、
基板の発光素子の上部にシリコン窒化物(SiNx)からなる第1の保護膜を蒸着する段階と、
前記第1の保護膜の上部にシリコン酸化物(SiОx)からなる第2の保護膜を蒸着する段階と、を含み、
前記第1の保護膜の厚さと第2の保護膜の厚さの比率は、0.2〜0.4:1であることを特徴とする発光素子の保護膜蒸着方法。 - 前記第1の保護膜と第2の保護膜を含む全厚さは、50〜180nmであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記第1の保護膜の厚さは、10〜40nmであり、前記第2の保護膜の厚さは、40〜140nmであることを特徴とする請求項2に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記第1の保護膜を蒸着する段階において、シラン(SiH4)ガスを前駆体ガスとして供給し、NH3またはN2を反応ガスとして供給し、プラズマ生成のためのRF電力密度は、0.34乃至0.58W/cm2の値を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記第2の保護膜を蒸着する段階において、TMDSO(Tetramethyl−disiloxane)、HEDS(Hexaethyl−disilane)、HCDS(Hexachloro−disilane)、HMDSO(Hexamethyl−disiloxane)、BDEAS(Bisdiethylamino−silane)からなる有機前駆体の群からいずれか一つを選択して供給し、О2またはArを反応ガスとして供給し、プラズマ生成のためのRF電力密度は、0.63〜0.87W/cm2の値を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記第2の保護膜の上部にバッファ膜を蒸着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記バッファ膜は、カーボンを含有したシリコン酸化物からなることを特徴とする請求項6に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記バッファ膜を蒸着する段階と、前記第2の保護膜を蒸着する段階は、同一の有機前駆体を用いることを特徴とする請求項7に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記バッファ膜を蒸着する段階と、前記第2の保護膜を蒸着する段階は、連続的に行われることを特徴とする請求項8に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記第2の保護膜を蒸着する段階から前記バッファ膜を蒸着する段階に移る場合、前記有機前駆体の供給量が相対的に増加しながら、前記反応ガスの供給量は相対的に減ることを特徴とする請求項9に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
- 前記第1の保護膜を蒸着する段階と前記第2の保護膜を蒸着する段階を繰り返して、多層保護膜を蒸着することを特徴とする請求項1に記載の発光素子の保護膜蒸着方法。
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