CN101465322A - 有机发光装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种可应用于大屏幕显示装置的有机发光装置的制造方法。该方法包括以下步骤：在驱动基板上形成包括驱动晶体管以及有机电致发光元件的元件区域，在所述有机电致发光元件中阳极、有机层和阴极依次堆叠；在形成元件区域之后，将至少元件区域置于氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点小于等于－50度的环境中并且在阳极和阴极之间施加电压，与此同时修复短路区域。本发明的有机发光装置的制造方法可抑制电流过度上升，并且修复步骤可以在电流十分稳定的状态下进行。
Description
相关申请的交叉引用
本发明包含与2007年12月21日向日本专利局提交的日本专利申请JP2007-329927相关的主题，将该申请的全部内容通过引用并入此处。
技术领域
本发明涉及具有有机电致发光(EL)元件的有机发光装置的制造方法。
背景技术
近年来，下一代显示装置得到了积极的开发，并且需要省空间、高亮度、低功耗等。作为这样的显示装置，使用有机电致发光元件的有机发光装置正受到关注。有机发光装置具有这样的特点，即由于其是自发光型的，所以视角宽，无需背光源，从而可实现低功耗、高响应，并且该装置的厚度薄。因此，迫切地需要应用于电视机等大屏幕显示装置。
有机电致发光元件在阳极和阴极之间具有包括发光层的有机层。驱动有机电致发光元件的方法包括：简单矩阵驱动方法，该方法通过在选定线和信号线之间的交点上施加电压来控制以矩阵形式排列的任一像素的亮和灭；以及有源矩阵驱动方法，该方法通过对应于各像素的开关元件来控制以矩阵形式排列的任一像素的亮和灭。在有源矩阵驱动方法中，阳极与作为开关元件的TFT(薄膜晶体管)的一个信号端相连。
在制造这样的有机发光装置的过程中，在某些情况下，在薄的有机层中会由于微小的颗粒等形成针孔等。针孔等成为在夹有有机层的阳极和阴极之间发生电短路的区域。将要流到有机层的所有或部分电流流到了短路区域。因此就会出现这样的现象，即有机电致发光元件不发光或变暗。其中出现了这种现象的像素被认为是显示缺陷，因而已提出了多种方法以避免这种现象。
作为相关技术的方法的示例，在形成有机电致发光元件后，但在形成保护膜或密封层之前，实施老化(aging)处理，从而通过自愈合现象修复短路区域(例如参考日本专利申请公开公报No.2003-173873(专利文献1)和日本专利No.3,575,468(专利文献2))。
在将有机发光装置应用于大屏幕显示装置的情况下，在一个屏幕中存在显示缺陷的可能性很大。为了高产量地制造这些装置，必须针对短路问题提供对策。当显示装置被接通并驱动时，取决于驱动的负载或驱动时间，在制造完成之后也会出现显示缺陷。
但是，在专利文献1和2中所公开的相关技术的修复方法在应用于大屏幕显示装置时具有以下缺点。
具体地，为了增大屏幕的尺寸，从成本或生产率的角度来看，目前期望使用非晶硅TFT作为主流液晶显示装置。但是，在非晶硅TFT中，所熟知的是I-V特性具有温度依赖性。因此，在为了修复而施加电压期间，由于TFT特性的温度依赖性，有机电致发光元件的发热会导致电流上升。本发明的发明人已认识到：由于有机电致发光元件自身发热所致的温度上升的合成效果，电流的上升不会停止并且会损坏显示装置本身。
当显示装置的总电流量随屏幕尺寸的增加而增大时，这种现象会更明显地显现，并且当有机发光装置应用于大屏幕显示装置时是很严重的问题。
在专利文献2中，为了获得足够的老化效应，施加电场并进行热处理。发光时间为12～100小时，并且环境为真空环境。但是，当该技术应用于大屏幕显示装置时，在施加电场的状态下，会出现如上所述的电流增大和温度升高，因此，难于进行热处理。
发明内容
鉴于上述相关技术的缺陷，期望提供一种可应用于大屏幕显示装置的有机发光装置的制造方法。
根据本发明的实施方式，提供了一种制造有机发光装置的方法，该方法包括以下步骤：在驱动基板上形成包括驱动晶体管和有机电致发光元件的元件区域，在所述有机电致发光元件中阳极、有机层和阴极依次堆叠；在形成元件区域之后，通过将至少元件区域置于氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点小于等于-50度的环境中、并且在阳极和阴极之间施加电压，修复短路区域。更具体地，所述修复优选在其上形成有元件区域的驱动基板被容纳在处理室中并且气体被导入该处理室中的状态下进行。可替换地，可在通常的环境中对其上形成有元件区域的驱动基板进行修复，并且暂时密封驱动基板的元件区域。
在本发明实施方式的有机发光装置的制造方法中，通过将至少元件区域置于氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点小于等于-50度的环境中来实施修复。具体地，其上形成有元件区域的驱动基板被容纳在处理室中，并且气体被导入处理室中。或者，其上形成有元件区域的驱动基板被放在通常的环境中，并且驱动基板的元件区域被暂时密封。因此，由施加电压所致的有机电致发光元件10R、10G和10B的发热所伴随的温度升高被降低，并且元件区域被冷却或散热。因此，可抑制电流过度上升，并且修复步骤可以在电流十分稳定的状态下进行。
根据本发明实施方式的有机电致发光元件的制造方法，至少元件区域被放在氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点小于等于-50度的环境中。因此，在抑制温度上升或电流增大的同时，在有机层中导致像素缺陷的针孔(短路区域)被修复。因此，本发明适用于使用I-V特性的温度依赖性高的非晶硅TFT的大屏幕显示装置，并且可实现很好的修复效果。
本发明的其它的和进一步的目的、特征和优点将从以下说明中更完整地显现出来。
附图说明
图1是表示作为本发明第一实施方式的有机发光装置的结构的图。
图2是表示图1中所示的像素驱动电路的示例的图。
图3是表示图1中所示的元件区域的结构的剖面图。
图4是表示图1中所示的有机发光装置的制造方法的流程图。
图5是用于解释图4中所示的修复步骤的图。
图6是表示本实施方式的实验结果的图。
图7是表示本发明实施方式的实验结果的图。
图8是表示本实施方式的实验结果的图。
图9是表示本实施方式的实验结果的图。
图10是表示作为本发明变化例1的有机发光装置的制造方法的流程图。
图11是用于解释图10中所示的保护膜形成步骤的剖面图。
图12是表示作为本发明第二实施方式的有机发光装置的制造方法的流程图。
图13是用于解释图12中所示的修复步骤的图。
图14是表示包括上述实施方式的有机发光装置的模块的示意性结构的平面图。
图15是表示上述实施方式的有机发光装置的应用实例1的外观的立体图。
图16A是表示从应用实例2的表面侧所视的外观的立体图，图16B是表示从其后侧所视的外观的立体图。
图17是表示应用实例3的外观的立体图。
图18是表示应用实例4的外观的立体图。
图19A和图19B分别应用实例5的打开状态的前视图和侧视图，图19C至图19G分别是闭合状态的前视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图。
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的各实施方式。
第一实施方式
图1示出了通过作为本发明第一实施方式的有机发光装置的制造方法所制造的有机发光装置的结构。有机发光装置用作有机EL电视等并且按照如下方法形成。例如，在由玻璃制成的驱动基板11上形成有元件区域110，在元件区域110中以矩阵形式设置有多个后文述及的有机电致发光元件10R、10G和10B。作为显示视频图像的驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130形成于元件区域110的外围中。
像素驱动电路140形成于元件区域110中。图2示出了像素驱动电路140的示例。像素驱动电路140是有源型驱动电路，其包括：在下述的阳极13的下层形成的驱动晶体管Tr1和写晶体管Tr2；在晶体管Tr1和Tr2之间的电容器(保持电容器)Cs；在第一电源线Vcc和第二电源线GND之间与驱动晶体管Tr1串联的有机电致发光元件10R、10G或10B。在大屏幕电视的情况下，驱动晶体管Tr1和写晶体管Tr2优选是反向交错结构(所谓的底栅型)的非晶硅TFT，但不限于此。
在像素驱动电路140中，多条信号线120A以列方向设置，多条扫描线130A以行方向设置。信号线120A和扫描线130A之间的各交点对应于有机电致发光元件10R、10G和10B中的某一个(子像素)。每条信号线120A与信号线驱动电路120相连，图像信号经由信号线120A从信号线驱动电路120提供给写晶体管Tr2的源极。每条扫描线130A与扫描线驱动电路130相连，并且扫描信号经由扫描线130A从扫描线驱动电路130依次提供给写晶体管Tr2的栅极。
图3示出了元件区域110的截面结构。在元件区域110中，用于产生红光的有机电致发光元件10R、用于产生绿光的有机电致发光元件10G和用于产生蓝光的有机电致发光元件10B整体上以矩阵的形式依次形成。各有机电致发光元件10R、10G和10B呈长方形平面，并且相邻的有机电致发光元件10R、10G和10B的组合形成一个像素。
各有机电致发光元件10R、10G和10B具有这样的结构，即从驱动基板11一侧依次堆叠像素驱动电路140的驱动晶体管Tr1、平坦化绝缘膜12、阳极13、电极间绝缘膜14、包括下述的发光层的有机层15以及阴极16。
如有必要，这样的有机电致发光元件10R、10G和10B可用保护膜17覆盖。保护膜17的厚度例如约为0.1μm至10μm，并且由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiNxOy)等无机材料制成，或者由诸如聚对二甲苯或聚酰亚胺等有机材料制成。
在保护膜17上方，对向基板21与介于二者之间的由热固树脂、紫外线固化树脂等制成的粘合层30粘合。有机电致发光元件10R、10G和10B被对向基板21和保护膜17密封。对向基板21由玻璃或防潮膜等制成。如有必要，可设置滤色器22和作为颜色转换层或黑矩阵的光屏蔽膜(未示出)。
驱动晶体管Tr1经形成于平坦化绝缘膜12中的连接孔12A与阳极13电连接。
设置平坦化绝缘膜12以使其上形成有像素驱动电路140的驱动基板11的表面平坦化，并且优选地由可实现高图形化精度的材料制成，以形成微细的连接孔12A。制成平坦化绝缘膜12的材料例如是诸如聚酰亚胺的有机材料以及诸如二氧化硅(SiO2)的无机材料。
阳极13与有机电致发光元件10R、10G和10B对应地形成。阳极13具有反射电极的功能以反射由发光层所产生的光，并且优选地具有尽可能高的反射率以提高发光效率。阳极13例如具有大于等于100nm且小于等于1000nm的厚度，并且由银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜(Cu)、钽(Ta)、钨(W)、铂(Pt)、金(Au)等的单一金属元素或合金制成。
设置电极间绝缘膜14以保证阳极13与阴极16之间的绝缘并且以精确的所期望的形状形成发光区域。例如，电极间绝缘膜14是由诸如聚酰亚胺等有机材料或者诸如二氧化硅(SiO2)等无机绝缘材料制成。电极间绝缘膜14具有对应于阳极13中的发光区域的开口。有机层15和阴极16不但在发光区域上而且在电极间绝缘膜14上可以连续地设置。光只是从电极间绝缘膜14中的开口射出。
有机层15例如具有这样的结构，即空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层(未示出)从阳极13侧依次堆叠。除了发光层之外，这些层可在必要时设置。有机层15的结构可以随着有机电致发光元件10R、10G和10B所发出的光的颜色而有所不同。空穴注入层是缓冲层以提高空穴注入效率并防止泄漏。空穴传输层被设置用于提高向发光层传输空穴的效率。当电场作用于发光层时，电子和空穴重新结合并产生光。电子传输层是用于提高向发光层传输电子的效率的。有机层15的材料可以是一般的低聚合物或高聚合物的有机材料，但不局限于这些材料。
阴极16例如由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)等的单一金属元素或合金制成。优选的是镁和银的合金(MgAg合金)或者铝和锂的合金(AlLi合金)。阴极16可以由ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)制成。优选地，阴极16的厚度例如为大于等于5nm且小于等于50nm。在此范围内，使得从阴极16一侧提取由发光层所产生的光的效率非常高。此外，在后文述及的修复步骤中，当在阳极13和阴极16之间施加电压时，通过吹除或者借助于自愈合现象氧化并绝缘其中发生短路区域的阴极16，可以可靠地进行修复。
例如，可以按如下所述的方式制造有机发光装置。
图4示出了有机发光装置的制造方法的流程图。该制造方法包括元件区域形成步骤、修复步骤、保护膜形成步骤和密封步骤。
元件区域形成步骤(步骤S101)
首先，在由上述材料制成的驱动基板11上，形成包括驱动晶体管Tr1的像素驱动电路140。接着，通过向整个表面涂覆感光树脂而形成平坦化绝缘膜12。通过曝光和显影将平坦化绝缘膜12图形化为预定的形状，并形成连接孔12A，然后进行烘烤。
接着，通过溅射法形成由上述材料制成的阳极13并通过蚀刻对其进行选择性地去除，从而使平坦化绝缘膜12分离为有机电致发光元件10R、10G和10B。之后，在驱动基板11的整个表面上涂覆感光树脂。例如，对应于发光区域通过光刻形成开口，并进行烘烤。由此形成了电极间绝缘膜14。在形成电极间绝缘膜14之后，例如通过蒸镀形成具有上述厚度且由上述材料制成的有机层15和阴极16，并形成如图3所示的有机电致发光元件10R、10G和10B。因此，在驱动基板11上形成了元件区域110，其包括具有驱动晶体管Tr1的像素驱动电路140以及有机电致发光元件10R、10G和10B。
修复步骤(步骤S102)
在形成元件区域110之后，将驱动基板11从蒸镀器传送到被持续控制的真空环境中，容纳在如图5所示的老化处理室41中，并置于由铝(Al)制成的散热器(散热元件)42上。随后，探针P与从元件区域110引出的布线W发生接触，并在有机电致发光元件10R、10G和10B的阳极13和阴极16之间施加电压。因此，电流流入有机层15的针孔(短路区域)中。这时通过所产生的焦耳热，将外围区域中的有机层15气化，吹除发生短路区域的阴极16，或者通过氧化和绝缘化的自愈合现象修复针孔(短路区域)。
通过从气体导入口43将气体导入老化处理室41中，老化处理室41的内部转变为氧气浓度大于等于0.1％且小于1％、并且露点为小于等于-50度的环境，然后进行修复步骤。通过将氧气浓度设定为大于等于0.1％且小于1％，伴随着由施加电压所致的有机电致发光元件10R、10G和10B的发热而引起的温度上升受到抑制，并且元件区域110可以被冷却或散热。因此，可抑制电流过度增大，并且修复步骤可以在电流足够稳定的状态下进行。在上述的专利文献1中，氧气浓度设定在大于等于1％且小于等于10％的范围内，但通过进一步地降低氧气浓度，可抑制因氧化所致的有机电致发光元件10R、10G和10B中的正常区域的恶化。通过将露点设定为小于等于-50度，可以抑制发光区域中的诸如缩小(萎缩)的损坏。
在修复步骤中，优选地以交变地施加正向电压和反向电压的交流施压方法在阳极13和阴极16之间施加电压，并且作用于有机电致发光元件10R、10G和10B的正向电压和反向电压之间的电位差设为大于等于30V，该电位差等于或小于驱动晶体管Tr1的初始耐压。通过将电位差设为大于等于30V，可以可靠地获得对由上述材料制成且具有上述厚度的阴极16进行修复的效果。电位差设为等于或小于驱动晶体管Tr1的初始耐压的原因在于，作用在驱动晶体管Tr1上的负载必须等于或小于驱动晶体管Tr1的初始耐压，从而不会毁坏驱动晶体管Tr1。作用于有机电致发光元件10R、10G和10B的正向电压和反向电压之间的电位差不是在Vcc电压的正向偏置和反向偏置时的电位差，而是作用于有机电致发光元件10R、10G和10B的有效电位差。30V例如是正向为10V而反向为20V。脉冲波形、正向电压、反向电压和作用时间都没有特定限制。
保护膜形成步骤(步骤S103)
在完成修复步骤之后，例如通过CVD方法形成具有上述厚度且由上述材料制成的保护膜17，并且有机电致发光元件10R、10G和10B被保护膜17覆盖。
密封步骤(步骤104)
之后，在保护膜17上形成由上述材料制成的粘合层30。设置滤色器等，准备由上述材料制成的对向基板21，并把该对向基板21置于驱动基板11的元件区域110形成的一侧。驱动基板11和对向基板21通过夹在它们之间的粘合层30粘合。因此，完成了图3中所示的有机发光装置。
通过所述制造方法实际进行了修复步骤，并检测了电压作用时间和有机电致发光元件10R、10G和10B的电流值之间的关系。阴极16由10nm厚的MgAg合金形成。通过将气体导入老化处理室41中，获得了氧气浓度为0.99％以及露点为-60度的环境。如图6所示，在本实施方式的制造方法中，电流值是极其稳定的。而在一个在真空中进行修复的对比例中，电流值在极短的时间内急剧增加并且不能进行测量。由于TFT特性的温度依赖性所致的电流上升以及因有机电致发光元件发热所致的温度上升的合成效果，所以认为电流值的上升不会停止。
通过所述制造方法实际进行了修复步骤，并且在改变作用于有机电致发光元件10R、10G和10B的正向电压和反向电压之间的电位差的同时，例如该电位差为20V、30V、40V和50V时，检测了短路特性。如图7所示，在正向电压和反向电压之间的电位差设为大于等于30V的情况下，可很好地防止泄漏，并且短路特性得到显著改善。另一方面，在20V的情况下，短路状态几乎不改变。
并且，通过所述制造方法实际进行了修复步骤。当改变氧气浓度例如分别为0.1％、1％和10％等的同时，电压作用时间设为五小时，并且当初始缺陷的数目设为100％时检测了缺陷数目的增长率。如图8所示，在氧气浓度为0.1％的情况下，缺陷数目的增长率被抑制为与相关技术中氧气浓度设为1％～10％的情形大致相同。因此，可获得相当好的老化效果。在没有进行修复步骤的情况下，后面出现的缺陷数目大约是初始缺陷数目的九倍。因此应当理解，在本实施方式的制造方法中，大约为初始缺陷数目的九倍的潜在缺陷也被修复了。
此外，通过所述制造方法实际进行了修复步骤，并且在改变氧气浓度小于0.1％以及为0.10％时，检测了显示区域中的缺陷数目(初始缺陷数目)。图9示出了结果。在各个条件下制造三个或更多有机发光装置，并且这些装置的缺陷数目的平均数被用作缺陷数目。从图9中可看出，氧气浓度设为0.10％时的缺陷数目明显地小于氧气浓度设为低于0.1％时的缺陷数目。原因可以认为是0.1％或更高的氧气浓度对于产生足够的吹除效应，或使发生短路的阴极16氧化和绝缘是必须的。尽管检测了图9中的初始缺陷数目，但本发明的发明人根据经验认为，当减少“初始缺陷数目”的效果不明显时，减少潜在缺陷数目的效果就更不明显。当氧气浓度设为0.10％或更高时，可以认为不但对于初始缺陷而且对于潜在缺陷可获得明显的修复效果。
根据图8和图9的结果可以知道，在修复步骤中通过将氧气浓度设定为大于等于0.10％且低于1％的值，可抑制缺陷数目并且也可以抑制后来出现的缺陷。
在有机发光装置中，扫描信号从扫描线驱动电路130经写晶体管Tr2的栅极被提供给各像素，来自于信号线驱动电路120的图像信号经写晶体管Tr2被保持在保持电容器Cs中。即，根据保持电容器Cs中所保持的信号来控制驱动晶体管Tr1开/关。通过这种控制，驱动电流Id流入有机电致发光元件10R、10G和10B中，并且空穴和电子重新结合，从而产生光。该光透过阴极16、保护膜17和对向基板21后射出。修复步骤是这样实施的，即将其上形成有元件区域110的驱动基板11容纳在老化处理室41中，通过将气体导入老化处理室41中，在氧气浓度大于等于0.1％且低于1％并且露点为小于等于-50度的环境中进行修复处理。因此，有机层15中的针孔(短路区域)等导致显示缺陷的地方被充分地修复。这样，消除了初始缺陷，并显著地抑制了由于接通或驱动的负载或者驱动时间所致的潜在缺陷的产生。
如上所述，在本实施方式中，通过将其上形成有元件区域110的驱动基板11容纳在老化处理室41中来实施修复处理。此外，将气体导入老化处理室41中以获得氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点为小于等于-50度的环境。因此，在抑制温度上升或电流上升时，可修复有机层中的导致显示缺陷的针孔(短路区域)。因此，本发明适用于使用I-V特性的温度依赖性高的非晶硅TFT的大屏幕显示装置的情形，可得到很好的修复效果。
变化例1
图10示出了本发明的第一变化例的有机发光装置制造方法的流程图。第一变化例与第一实施方式相类似，区别之处是在元件区域形成步骤之后，在修复步骤之前形成至少一部分保护膜17，而且可获得相同的作用和效果。因此，下面用相同的附图标记表示对应的元件来对变化例进行说明。
元件区域形成步骤(步骤S101)
首先，类似于第一实施方式，在驱动基板11上形成包括驱动晶体管Tr1的像素驱动电路140以及包括有机电致发光元件10R、10G和10B的元件区域110。
保护膜形成步骤(步骤S103)
随后，例如通过CVD方法形成由上述材料制成的保护膜17。将保护膜17厚度设定为和有机电致发光元件10R、10G和10B中的待修复区域50A(必须修复的区域)的厚度处于同一量级，例如具体为0.2μm或更小。必须修复的区域50A具有如图11所示的诸如异物51等的结构缺陷。在异物51周围，存在没有形成有机层15的部分。该部分是阳极13和阴极16相接触并发生短路的短路区域S。当保护膜17以非常薄的厚度形成于阴极16上时，有机电致发光元件10R、10G和10B中的正常区域50B被保护膜17覆盖。但是，保护膜17覆盖异物51的可能性很小。
修复步骤(步骤S102)
随后，类似于第一实施方式，将驱动基板11容纳在老化处理室41中并置于散热器(散热元件)42上。老化处理室41的内部设为氧气浓度为大于等于0.1％且低于1％以及露点为小于等于-50度的环境。向有机电致发光元件10R、10G和10B中的阳极13和阴极16之间施加近似于第一实施方式中的电压。由于具有上述厚度的保护膜17形成于有机电致发光元件10R、10G和10B上，所以有机电致发光元件10R、10G和10B中的正常区域50B被保护膜17保护并且没有暴露在氧气环境中，排除了诸如恶化的顾虑。另一方面，必须修复的区域50A没有被保护膜17覆盖，从而可以通过自愈合现象修复。
在完成修复步骤之后，从防潮角度出发，如有必要可以形成额外的保护膜17。
密封步骤(步骤S104)
之后，类似于第一实施方式，将粘合层30形成于保护膜17上，驱动基板11和对向基板21通过它们之间的粘合层30彼此粘合。这样，完成了图3中所示的有机发光装置。
第二实施方式
图12示出了本发明第二实施方式的有机发光装置的制造方法的流程图。除修复步骤之外，第二实施方式与第一实施方式类似，并且第二实施方式的作用和效果与第一实施方式的作用和效果相同。因此，用相同的附图标记表示对应的元件来对第二实施方式进行说明。
元件区域形成步骤(步骤S101)
首先，类似于第一实施方式，在驱动基板11上形成包括驱动晶体管Tr1的像素驱动电路140以及包括有机电致发光元件10R、10G和10B的元件区域110。
修复步骤(步骤S202)
随后，如图13所示，利用密封层51和遮蔽基板52暂时密封元件区域110。
首先，通过向驱动基板11的外围部分涂覆粘合性树脂或粘着性树脂，或者通过图形化有机绝缘膜，从而形成密封层51。只要密封层51的材料与驱动基板11和后文述及的遮蔽基板52具有良好的粘合性并且可以充分地阻断外部环境，则该材料是不受限定的。
随后，如图13所示，在氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点小于等于-50度的环境中用遮蔽基板52密封覆盖元件区域110，使元件区域110处于氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点小于等于-50度的环境中。只要遮蔽基板52的材料与密封层51具有良好的粘合性并且可以充分地阻断外部环境，则该材料可以是诸如玻璃或铝(Al)等任何材料。
并且，如图13所示，驱动基板11被由含有不锈钢或铝等的合金制成的遮蔽支撑基板53支撑，并且遮蔽基板52可通过遮蔽基板固定装置54固定。
如上所述，元件区域110被暂时密封在氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点小于等于-50度的环境中。之后，驱动基板11被暴露在通常环境中。在这种状态下，探针P与从元件区域110所引出的布线W接触，并且向有机电致发光元件10R、10G和10B中的阳极13和阴极16之间施加近似于第一实施方式中的电压。在这样的结构中，例如，即使采用简单的方法使用吹风机等在通常的环境中向驱动基板11吹气，也可抑制由于施加电压而使有机电致发光元件10R、10G和10B发热所伴随的温度上升，并且元件区域110可以被冷却或散热。因此，可抑制电流过度升高，并且修复处理可以在电流十分稳定的状态下进行。因此，可以在通常的环境中进行修复处理，极大地简化设备。
并且，优选地通过珀耳帖(Peltier)元件55冷却驱动基板11，从而实现更好的效果。
保护膜形成步骤(步骤S103)
在完成修复步骤之后，移去遮蔽基板52。类似于第一实施方式，形成保护膜17以覆盖有机电致发光元件10R、10G和10B。如有必要也可移去密封层51。
密封步骤(步骤S104)
之后，类似于第一实施方式，在保护膜17上形成粘合层30，驱动基板11和对向基板21通过它们之间的粘合层30彼此粘合。这样，完成了图3中所示的有机发光装置。
模块和应用实例
以下描述应用了上述实施方式中所述的有机发光装置的示例。上述各实施方式的有机发光装置可应用于所有领域的电子设备的显示装置中，这些电子设备将从外部输入的或内部生成的视频信号显示为图像或视频图像，例如是电视机、数码相机、笔记本电脑、诸如移动电话等便携式终端装置和摄像机等。
模块
在后文描述的应用实例1到5的各种电子设备中，上述各个实施方式中的有机发光装置例如被组装为如图14所示的模块。该模块例如这样获得，即在驱动基板11的一侧设置从密封基板50和粘合层40露出的区域210，并在露出区域210中通过延伸信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的布线来形成外部连接端(未示出)。该外部连接端可以设有用于输入/输出信号的柔性印制电路(FPC)板220。
应用实例1
图15示出了采用上述实施方式的有机发光装置的电视机的外观。该电视机例如具有包括前面板310和滤光玻璃320的视频显示屏300。该视频显示屏300由任一上述实施方式的有机发光装置构成。
应用实例2
图16A和图16B示出了采用任一上述实施方式的有机发光装置的数码相机的外观。该数码相机例如具有闪光用的发光部410、显示部420、菜单切换部430和快门按钮440。该显示部420由任一上述实施方式的有机发光装置构成。
应用实例3
图17示出了采用任一上述实施方式的有机发光装置的笔记本电脑的外观。该笔记本电脑例如具有本体部510、用于输入字符等的键盘520和用于显示图像的显示部530。该显示部530由任一上述实施方式的有机发光装置构成。
应用实例4
图18示出了采用任一上述实施方式的有机发光装置的摄像机的外观。该摄像机例如具有本体部610、设置在本体部610的前面的用于拍摄对象的镜头620、拍摄图像时的开始/停止开关630和显示部640。该显示部640由任一上述实施方式的有机发光装置构成。
应用实例5
图19A～图19G示出了采用任一上述实施方式的有机发光装置的移动电话的外观。该移动电话是这样获得的，即例如通过将上壳体710和下壳体720经连接单元(铰链部)730相连，并且具有显示器740、子显示器750、图片灯760和相机770。显示器740和子显示器750由任一上述实施方式的有机发光装置构成。
尽管已通过上述实施方式说明了本发明，但本发明不局限于这些实施方式而可以进行多种变化。例如在上述实施方式中，电压在修复步骤中施加在阳极13和阴极16之间。可选择地，在修复过程中可以照射紫外线(UV)。由于在修复过程中的氧化作用，所以通过照射紫外线而代替加热可以促进修复。
第一变化例也可以应用于第二实施方式。
并且，本发明不局限于各实施方式中所述的例如各层的材料、厚度、薄膜形成方法、薄膜形成条件等。也可以使用其它的材料、厚度、薄膜形成方法、薄膜形成条件。
此外，尽管在上述实施方式中具体地描述了有机电致发光元件10R、10G和10B的结构，但不必设置所有的层，或者还可以设置其它的层。例如，可以在阳极13和有机层15之间设置由三氧化铬(Cr2O3)、ITO(氧化铟锡，铟(In)和锡(Sn)的氧化物混合膜)等制成的空穴注入薄膜。例如，可以通过多层介电膜形成阳极13。
并且，尽管在这些实施方式中描述了有源矩阵驱动方法的情形，但本发明也可应用于简单矩阵驱动方法的情形。而且，用于有源矩阵驱动的像素驱动电路的结构不局限于这些实施方式中所描述的形式。如有必要，可增加电容元件和晶体管。在此情况下，根据像素驱动电路的变化，除信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130之外，可以增加必要的驱动电路。
显然，根据上述启示，可以对本发明进行多种变化和更改。因此，应当理解，在所附权利要求的范围内，可以以上述具体描述之外的方式实施本发明。
Claims (7)
1.一种有机发光装置的制造方法，该方法包括以下步骤：
在驱动基板上形成包括驱动晶体管和有机电致发光元件的元件区域，在所述有机电致发光元件中阳极、有机层和阴极依次堆叠；以及
在形成所述元件区域之后，将至少所述元件区域置于氧气浓度大于等于0.1％且低于1％以及露点小于等于-50度的环境中，并且在所述阳极和所述阴极之间施加电压，与此同时修复短路区域。
2.如权利要求1所述的有机发光装置的制造方法，其中，将其上形成有所述元件区域的所述驱动基板容纳在处理室中、并且将气体导入所述处理室中，在此状态下进行所述修复。
3.如权利要求1所述的有机发光装置的制造方法，其中，将其上形成有所述元件区域的所述驱动基板置于通常的环境中、并且将所述驱动基板的所述元件区域暂时密封，以此方式来进行所述修复。
4.如权利要求3所述的有机发光装置的制造方法，其中，通过珀耳帖元件冷却所述驱动基板，与此同时进行所述修复。
5.如权利要求1～4之一所述的有机发光装置的制造方法，其中，在形成所述元件区域之后但在所述修复之前形成厚度为不覆盖短路区域的保护膜。
6.如权利要求1～4之一所述的有机发光装置的制造方法，其中，在所述修复步骤中，在所述阳极和所述阴极之间所施加的电压是以交变地施加正向电压和反向电压的交流施压方式施加的，并且作用于所述有机电致发光元件的正向电压和反向电压之间的电位差设为大于等于30V并小于等于所述驱动晶体管的初始耐压。
7.如权利要求5所述的有机发光装置的制造方法，其中，在所述修复步骤中，在所述阳极和所述阴极之间所施加的电压是以交变地施加正向电压和反向电压的交流施压方式施加的，并且作用于所述有机电致发光元件的正向电压和反向电压之间的电位差设为大于等于30V并小于等于所述驱动晶体管的初始耐压。
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| CN103187025A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 用于oled器件的工作电路及相关器件、设备和方法 |
| CN104362258A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-02-18 | 北京维信诺科技有限公司 | 具有长寿命的有机发光器件 |
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| JP4067875B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2008-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型発光装置の修理方法及び作製方法 |
| JP2003173873A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP3575468B2 (ja) | 2002-03-08 | 2004-10-13 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| US7226332B2 (en) * | 2002-04-30 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| TW575967B (en) * | 2002-06-03 | 2004-02-11 | Ritdisplay Corp | Method of repairing organic light emitting element pixels |
| US20040099862A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-05-27 | Harumi Suzuki | Organic EL device and repair method thereof |
| US7220603B2 (en) * | 2003-09-19 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device and manufacturing apparatus |
| JP4826079B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-11-30 | 日本精機株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US20060163490A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Advanced Ion Beam Technology Inc. | Ion implantation cooling system |
| JP2006210213A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sony Corp | 自発光装置のエージング方法、製造方法及びエージング装置 |
| JP2007128663A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | 有機発光ディスプレイ及びその製造方法 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103187025A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 用于oled器件的工作电路及相关器件、设备和方法 |
| CN104362258A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-02-18 | 北京维信诺科技有限公司 | 具有长寿命的有机发光器件 |
| CN104362258B (zh) * | 2014-11-07 | 2017-03-22 | 北京维信诺科技有限公司 | 具有长寿命的有机发光器件 |
| CN108780851A (zh) * | 2016-03-08 | 2018-11-09 | Tes股份有限公司 | 发光元件的保护膜沉积方法 |
| US10777777B2 (en) | 2016-03-08 | 2020-09-15 | Tes Co., Ltd | Passivation film deposition method for light-emitting diode |
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| CN114464761B (zh) * | 2022-01-20 | 2023-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光装置的制造方法 |
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