CN100502606C - 像素结构、有机电致发光显示单元及其修补方法 - Google Patents

Abstract

一种像素结构，其适于与至少一扫描配线、至少一数据配线以及至少一电源线电性连接，此像素结构包括至少一电流控制单元、至少一像素电极与至少一备用有源器件。其中，电流控制单元与扫描配线、数据配线以及电源线电性连接。像素电极与电流控制单元电性连接，而备用有源器件与像素电极以及电流控制单元电性连接，且备用有源器件与电源线电性绝缘。此外，本发明还提出一种有机电致发光显示单元及其修补方法。

Description

像素结构、有机电致发光显示单元及其修补方法

技术领域

本发明涉及一种像素结构及其修补方法，尤其涉及一种有机电致发光显示单元及其修补方法。

背景技术

针对多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体器件或显示装置的快速发展。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的平板显示器(Flat Panel Display)已逐渐成为市场的主流。目前市面上的平板显示器包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机电致发光显示器(Organic Electro-Luminescence Display)以及等离子体显示面板(Plasma Display Panel，PDP)等等。其中，由于有机电致发光显示器因其无视角限制、低制造成本、高响应速度(约为液晶的百倍以上)、省电、直流驱动、工作温度范围大、重量轻与体积小等优点，而具有极大的发展潜力。

图1为现有的一种有机电致发光显示器的电路示意图。请参考图1，现有的有机电致发光显示器100包括一基板110、多条扫描配线120、多条数据配线130、多条电源线140以及多个显示单元150。其中，扫描配线120与数据配线130配置于基板110上，而适于驱动其所对应的显示单元150，且显示单元150透过电源线140而电性连接至一电源P。

如图1所示，显示单元150包括一开关薄膜晶体管(switching TFT)152、一驱动薄膜晶体管(driving TFT)154、一有机电致发光器件(OrganicElectro-Luminescence device)156与一电容器158。由图1可以清楚得知，扫描配线120电性连接至开关薄膜晶体管152的栅极152a，而数据配线130电性连接至开关薄膜晶体管152的源极152b，且开关薄膜晶体管152的漏极152c电性连接至驱动薄膜晶体管154的栅极154a。另外，驱动薄膜晶体管154的源极154b电性连接至电源线140，而驱动薄膜晶体管154的漏极154c电性连接至有机电致发光器件156。此外，电容器158电性连接于驱动薄膜晶体管154的栅极154a与电源线140之间。

具体而言，开关薄膜晶体管152被扫描配线120所输出的电压开启后，数据配线130可以传递电压信号至驱动薄膜晶体管154的栅极154a，以开启驱动薄膜晶体管154。如此，电源便可以经由电源线140以及驱动薄膜晶体管154而提供至有机电致发光器件156，以使有机电致发光器件156达到显示的目的。此外，数据配线130所传递的电压信号能控制驱动薄膜晶体管154的沟道(未绘示)的开启程度，进而控制通过驱动薄膜晶体管154的电流大小。如此一来，有机电致发光二极管156的发光强度便可以得到适当控制，以使有机电致发光显示器100显示出正确的画面。

由图1可知，驱动薄膜晶体管154在显示单元150中扮演相当关键的角色，当驱动薄膜晶体管154因工艺上的疏失而制作失败时，将会导致整个有机电致发光显示器100的显示品质大幅下降。

发明内容

本发明的目的是提供一种易于进行修补的像素结构，其保留修补的可能性，以避免像素结构失效。

本发明的另一目的是提供一种易于进行修补的有机电致发光显示单元，其保留修补的可能性，以避免像素结构失效。

本发明的又一目的是提供一种像素结构的修补方法，以避免像素结构因工艺上的疏失而无法正常显示的问题。

本发明的再一目的是提供一种有机电致发光显示单元的修补方法，以避免像素结构因工艺上的疏失而无法正常显示的问题。

为达到上述或是其它目的，本发明提出一种像素结构，其适于与至少一扫描配线、至少一数据配线以及至少一电源线电性连接，此像素结构包括至少一电流控制单元、至少一像素电极与至少一备用有源器件。其中，电流控制单元与扫描配线、数据配线以及电源线电性连接。此外，像素电极与电流控制单元电性连接，而备用有源器件与像素电极以及电流控制单元电性连接，且备用有源器件与电源线电性绝缘。

本发明提出一种有机电致发光显示单元，其适于与至少一扫描配线、至少一数据配线以及至少一电源线电性连接，有机电致发光显示单元包括上述的像素结构、至少一有机电致发光层与至少一电极层。其中，有机电致发光层配置于像素电极上，而电极层配置于有机电致发光层上。

在本发明的一实施例中，上述的电流控制单元包括至少一第一有源器件、至少一第二有源器件与一电容器。其中，第一有源器件具有一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极。第一栅极与扫描配线电性连接，而第一源极与数据配线电性连接。此外，第二有源器件具有一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极。此第二栅极与第一漏极电性连接，而第二源极与电源线电性连接，且第二漏极与像素电极电性连接。另外，电容器电性连接于第二栅极以及电源线之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一有源器件可以为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

在本发明的一实施例中，上述的第二有源器件可以为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

在本发明的一实施例中，上述的备用有源器件具有一第三栅极、一第三源极以及一第三漏极。其中，第三栅极与第一漏极电性连接，而第三源极与电源线电性绝缘，且第三漏极与像素电极电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的备用有源器件可以为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

在本发明的一实施例中，像素结构可以还包括至少一修补导体层，电性连接于电源线，而第二源极藉由修补导体层与电源线电性连接，且第三源极的部分区域位于修补导体层上方。

在本发明的一实施例中，像素结构可以还包括至少一阻挡层，位于修补导体层、第二源极的部分区域以及第三源极的部分区域上方。

在本发明的一实施例中，上述的阻挡层的覆盖范围大于修补导体层的覆盖范围。

本发明提供一种像素结构的修补方法，其适于修补上述的像素结构，像素结构的修补方法包括下列步骤：首先，切断电流控制单元与电源线之间的电性连接。之后，令电源线与备用有源器件电性连接，以使电源线所提供的电流能够被电流控制单元以及备用有源器件所控制。

在本发明的一实施例中，上述的切断电流控制单元与电源线之间电性连接的方法可以包括激光切割。

在本发明的一实施例中，上述的令电源线与备用有源器件电性连接的方法可以包括激光熔接。

本发明提供一种有机电致发光显示单元的修补方法，其适于修补上述的有机电致发光显示单元，有机电致发光显示单元的修补方法包括下列步骤：首先，切断电流控制单元与电源线之间的电性连接。之后，令电源线与备用有源器件电性连接，以使电流控制单元以及备用有源器件能够控制通过有机电致发光层的电流。

在本发明的一实施例中，上述的切断电流控制单元与电源线之间电性连接的方法可以包括激光切割。

在本发明的一实施例中，上述的令电源线与备用有源器件电性连接的方法可以包括激光熔接。

由于本发明的有机电致发光显示单元与像素结构具有与电源线电性绝缘的备用有源器件，因此，当第二有源器件失效时，备用有源器件可藉由修补机制(如激光切割、激光熔接)取代失效的第二有源器件，以使有机电致发光显示单元与像素结构维持正常的显示。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为现有的一种有机电致发光显示器的电路示意图；

图2是本发明的第一实施例的像素结构的电路示意图；

图3是本发明的第一实施例的像素结构的剖面示意图；

图4是图2中所示的修补区域R的局部剖面示意图；

图5A～5B是表示图2中所示的修补区域R的修补步骤示意图；

图6A～6B是表示图2中所示的修补区域R的修补步骤剖面示意图；

图7是本发明的第一实施例的像素结构进行修补后的电路示意图；

图8是本发明的第二实施例的有机电致发光显示单元的剖面示意图；

图9A是本发明的第二实施例的有机电致发光显示单元的电路示意图；

图9B～9D是本发明的第二实施例的其它类型的有机电致发光显示单元的电路示意图；

图10是图9A中所示的修补区域R的局部剖面示意图；

图11A～11B是表示图9A中所示的修补区域R的修补步骤示意图；

图12A～12B是表示图9A中所示的修补区域R的修补步骤剖面示意图；

图13是本发明的第二实施例的有机电致发光显示单元进行修补后的电路示意图。

主要元件符号说明

10、11、12、13、14：接触窗开口

100：有机电致发光显示器

110：基板

120、220：扫描配线

130、230：数据配线

140、240：电源线

150：显示单元

152：开关薄膜晶体管

152a、154a：栅极

152b、154b：源极

152c、154c：漏极

154：驱动薄膜晶体管

156：有机电致发光二极管

158、256：电容器

200：像素结构

210：基板

212：缓冲层

216：介电层

218：保护层

250：电流控制单元

252：第一有源器件

254：第二有源器件

260：备用有源器件

270：像素电极

272：有机电致发光层

274：电极层

280：修补导体层

290：阻挡层

300：有机电致发光显示单元

C1：第一沟道层

C2：第二沟道层

C3：第三沟道层

D1：第一漏极

D2：第二漏极

D3：第三漏极

G1：第一栅极

G2：第二栅极

G3：第三栅极

S1：第一源极

S2：第二源极

S3：第三源极

P、P1：电源

具体实施方式

第一实施例

图2是本发明第一实施例的像素结构的电路示意图。请参考图2，本实施例的像素结构200适于与至少一扫描配线220、至少一数据配线230以及至少一电源线240电性连接，而此电源线240适于电性连接至至少一电源P1。本发明的像素结构200包括至少一电流控制单元250、至少一备用有源器件260以及至少一像素电极270。其中，电流控制单元250与扫描配线220、数据配线230以及电源线240电性连接。此外，像素电极270与电流控制单元250电性连接，而备用有源器件260与像素电极270以及电流控制单元250电性连接。这里要特别留意的是，备用有源器件260与电源线240电性绝缘。

具体而言，扫描配线220与数据配线230可以将信号传递至电流控制单元250，而使得电流控制单元250得以控制由电源P1提供至像素电极270的电流。这里要特别说明的是，电流控制单元250可以是一般业界俗称的两晶体管一电容(2T1C)的设计、三晶体管一电容(3T1C)的设计、三晶体管二电容(3T2C)或其它能适当控制电流的器件组合，在此并不加以局限。

在一实施例中，电流控制单元250可以包括至少一第一有源器件252、至少一第二有源器件254与至少一电容器256。具体而言，第一有源器件252的栅极G1与扫描配线220电性连接，而第一有源器件252的源极S1与数据配线230电性连接。此外，通过扫描配线220而传递的电压信号可以将第一有源器件252开启，而通过数据配线230而传递的电压信号便可以经由第一有源器件252而传导至第二有源器件254。

此外，第二有源器件254的栅极G2与第一有源器件252的漏极D1电性连接，且第二有源器件254的源极S2与电源线240电性连接。另外，电容器256电性连接于第二有源器件254的栅极G2与电源线240之间。由图2可以清楚得知，电流控制单元250与像素电极270电性连接，此电流控制单元250可以控制输入像素电极270的电流大小。详细地说，通过数据配线230而传递的电压信号可以控制第二有源器件254的沟道开启的程度，使得通过第二有源器件254而传递至像素电极270的电流大小能得到控制。此外，备用有源器件260与像素电极270以及电流控制单元250电性连接。这里要特别留意的是，备用有源器件260是与电源线240电性绝缘。换言之，电流无法通过电源线240而传导至备用有源器件260。

图3是本发明的第一实施例的像素结构的剖面示意图。请参考图3，这里的第一有源器件252、第二有源器件254以及前述的备用有源器件260可以采用顶栅极(Top gate)的晶体管，此备用有源器件260可以选择与第二有源器件254为相同的器件。换言之，备用有源器件260可以与第二有源器件254通过相同的工艺一并制作于基板210上，而不需通过额外的工艺来制作备用有源器件260。一般来说，在第一有源器件252、第二有源器件254、备用有源器件260与基板210之间可以形成至少一缓冲层212，而于第一有源器件252、第二有源器件254与备用有源器件260上可以覆盖至少一保护层218。

详细地说，上述的第一有源器件252例如为至少一薄膜晶体管，此第一有源器件252主要包括一第一栅极G1、一第一源极S1、一第一漏极D1以及一第一沟道层C1。一般而言，在第一栅极G1与第一沟道层C1之间会有至少一栅绝缘层214，而于第一栅极G1与栅绝缘层214上会覆盖至少一介电层216。另外，第一源极S1与第一漏极D1会分别通过位于介电层216的接触窗开口10与11而电性连接至第一沟道层C1。上述的第一栅极G1会与扫描配线220电性连接(如图2所示)，而第一源极S1会与数据配线230电性连接(如图2所示)。

本发明的第二有源器件254例如为至少一薄膜晶体管，此第二有源器件254主要包括一第二栅极G2、一第二源极S2、一第二漏极D2以及一第二沟道层C2。上述的第二栅极G2与第一漏极D1电性连接(如图2所示)，而第二源极S2与电源线240电性连接(如图2所示)，且第二源极S2与第二漏极D2可以分别通过接触窗开口12与13而电性连接至第二沟道层C2。另外，第二漏极D2可以通过位于保护层218内的至少一接触窗开口14而电性连接至像素电极270。

本发明的备用有源器件260例如为至少一薄膜晶体管，此备用有源器件260主要包括一第三栅极G3、一第三源极S3、一第三漏极D3以及一第三沟道层C3。其中，第三栅极G3与第一漏极D1电性连接。值得留意的是，第三源极S3与电源线240电性绝缘(如图2所示)，且第三漏极D3会与像素电极270电性连接(如图2所示)。

值得留意的是，第一有源器件252、第二有源器件254与备用有源器件260可以皆为以nMOS工艺所制造的N型薄膜晶体管，当然，在此并不特别限定，第一有源器件252、第二有源器件254与备用有源器件260也可以皆为以pMOS工艺所制造的P型薄膜晶体管。此外，第一有源器件252也可以为以nMOS工艺所制造的N型薄膜晶体管，则第二有源器件254与备用有源器件260皆为以pMOS工艺所制造的P型薄膜晶体管，当然第一有源器件252也可以为以pMOS工艺所制造的P型薄膜晶体管，则第二有源器件254与备用有源器件260皆为以nMOS工艺所制造的N型薄膜晶体管。

这里要特别说明的是，像素电极270的材料例如是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等的透明材料，则此像素结构200可以适用于底部发光型的有机电致发光显示单元(Bottom Emission OLED)(将在第二实施例中详述)，当此像素电极270为反射性材料时，此像素结构200可以适用于顶部发光型的有机电致发光显示单元(Top Emission OLED)。上述至此，已经初步地将本发明的像素结构200介绍完。

图4是图2中所示的修补区域R的局部剖面示意图。请参考图4，本实施例的像素结构200可以还包括至少一修补导体层280，且此修补导体层280通过第二源极S2而与电源线240电性连接(如图2所示)，且第三源极S3的部分区域可以位于修补导体层280的上方。由图4可以清楚得知，本发明的备用有源器件260是与修补导体层280电性绝缘。

当第二有源器件254有制作不良或是有损坏的情况发生时，即可进行下列修补步骤：

图5A是表示图2中所示的修补区域R的修补步骤示意图。请同时参考图2与图5A，切断电流控制单元250与电源线240之间的电性连接。详细地说，通过切断第二源极S2与电源线240，以使电流控制单元250与电源线240电性绝缘，而切断的方式例如是激光切割。请参考图6A，上述分离第二源极S2与电源线240的方法例如是以激光穿过基板210的背面(基板210未形成器件的面)来切割第二源极S2与电源线240。

图5B是表示图2中所示的修补区域R的修补步骤示意图。请同时参考图2与图5B，令电源线240与备用有源器件260电性连接，以使电源线240所提供的电流能够被电流控制单元250以及备用有源器件260所控制。请参考图6B，备用有源器件260的第三源极S3是通过电性连接至修补导体层280而与电源线240电性连接，而连接第三源极S3与修补导体层280的方法例如是激光熔接。

图7是本发明的第一实施例的像素结构进行修补后的电路示意图，请参考图7，上述的修补方法可以使备用有源器件260与电源线240电性连接以替代第二有源器件254，进而使得整个像素结构200能维持原来的功效。

请再参考图4，本发明的像素结构200可以还包括至少一阻挡层290，位于修补导体层280、第二源极S2的部分区域以及第三源极S3的部分区域上方。此阻挡层290的覆盖范围大于修补导体层280的覆盖范围。具体而言，阻挡层290主要的功用是在像素结构200进行激光修补时，用以阻挡由基板210背面射入的激光，进而避免激光对不需进行修补的其它膜层造成伤害。这里要特别说明的是，在制作有机电致发光显示单元的工艺中，像素结构200若是有制作不良的情况，可立即对像素结构200进行修补。这样可以避免不良的像素结构200继续进行后续的工艺，以达到节省制造成本的目的。

第二实施例

图8是本发明的第二实施例的有机电致发光显示单元的剖面示意图，而图9A是本发明的第二实施例的有机电致发光显示单元的电路示意图。请同时参考图8与图9A，本发明的有机电致发光显示单元300包括像素结构200、至少一有机电致发光层272与至少一电极层274。其中，像素结构200已清楚揭露于第一实施例中，而有机电致发光层272配置于像素电极270上，且电极层274配置于有机电致发光层272上。

值得留意的是，像素电极270、有机电致发光层272与电极层274可以构成一有机电致发光器件。具体而言，当像素电极270的材料例如是反射性材料，而此电极层274为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等的透光材料，则此有机电致发光显示单元300为顶部发光型的有机电致发光显示单元300(Top Emission OLED)。

当像素电极270的材料例如是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等的透光材料，而此电极层274为反射性材料，则此有机电致发光显示单元300为底部发光型(Bottom Emission OLED)的有机电致发光显示单元300。

值得留意的是，第一有源器件252、第二有源器件254与备用有源器件260可以皆为以nMOS工艺所制造的N型薄膜晶体管。当然，在此并不特别限定，也可以如图9B所示，第一有源器件252、第二有源器件254与备用有源器件260也可以皆为以pMOS工艺所制造的P型薄膜晶体管，而上述的有机电致发光器件则电性连接于第二源极S2与电源P1之间。请参考图9C，第一有源器件252也可以为以nMOS工艺所制造的N型薄膜晶体管，则第二有源器件254与备用有源器件260皆为以pMOS工艺所制造的P型薄膜晶体管。请参考图9D，第一有源器件252也可以为以pMOS工艺所制造的P型薄膜晶体管，则第二有源器件254与备用有源器件260皆为以nMOS工艺所制造的N型薄膜晶体管。

由图8可清楚得知，第二有源器件254的第二漏极D2通过接触窗开口14而与像素电极270、有机电致发光层272与电极层274(有机电致发光二极管)电性连接。这里要说明的是，备用有源器件260的第三源极S3电性绝缘于电源线240，虽然在图8与图9A中无法表示，但实质上备用有源器件260的第三漏极D3电性连接至像素电极270。

图10是图9A中所示的修补区域R的局部剖面示意图。请参考图10，本实施例的有机电致发光显示单元300可以还包括至少一修补导体层280，且此修补导体层280与电源线240电性连接。此外，第二源极S2藉由修补导体层280而与电源线240电性连接，且此修补导体层280通过第二源极S2而与电源线240电性连接(如图9A所示)，且第三源极S3的部分区域可以位于修补导体层280的上方。由图10可以清楚得知，本发明的备用有源器件260是与修补导体层280电性绝缘。

当第二有源器件254(如图9A所示)有制作不良或者是发生损坏的情况时，即可进行下列修补步骤：

图11A是表示图9A中所示的修补区域R的修补步骤示意图。请同时参考图9A与图11A，切断电流控制单元250与电源线240之间的电性连接。详细地说，通过切断第二源极S2与电源线240，以使电流控制单元250与电源线240电性绝缘，而切断的方式例如是激光切割。请参考图12A，上述分离第二源极S2与电源线240的方法例如是以激光穿过基板210的背面(基板210未形成器件的面)来切割第二源极S2与电源线240。

图11B是表示图9A中所示的修补区域R的修补步骤示意图。请同时参考图9A与图11B，令电源线240与备用有源器件260电性连接，以使电源线240所提供的电流能够被电流控制单元250以及备用有源器件260所控制。请参考图12B，备用有源器件260的第三源极S3是通过电性连接至修补导体层280而与电源线240电性连接，而连接第三源极S3与修补导体层280的方法例如是激光熔接。

图13是本发明的第二实施例的有机电致发光显示单元进行修补后的电路示意图。由图13可以清楚得知，上述的修补方法可以使备用有源器件260与电源线240电性连接以替代第二有源器件254，进而使得有机电致发光显示单元300能维持正常的显示功效。

综上所述，本发明的有机电致发光显示单元与像素结构具有与电源线电性绝缘的备用有源器件与修补导体层。当第二有源器件失效时，藉由本发明的有机电致发光显示单元的修补方法与像素结构的修补方法，能使第二有源器件与电源线电性绝缘，并使电源线能通过修补导体层而电性连接至备用有源器件。因此，本发明的备用有源器件能替代不良的第二有源器件而使像素结构回复正常的功效，并使有机电致发光显示单元能正常显示。本发明的备用有源器件可以与第二有源器件一并制成，因此，无须再进行额外的工艺来制作备用有源器件。本发明的像素结构在制作完成后，若是发现像素结构有制作不良的情况，可立刻对像素结构进行修补，以避免不良的像素结构继续进行后续的工艺，进而达到降低制造成本的目的。

虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

Claims (18)

1.一种像素结构，与至少一扫描配线、至少一数据配线以及至少一电源线电性连接，该像素结构包括：

至少一电流控制单元，包括：

至少一第一有源器件，具有一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，其中该第一栅极与该扫描配线电性连接，而该第一源极与该数据配线电性连接；

至少一第二有源器件，具有一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，其中该第二栅极与该第一漏极电性连接，而该第二源极与该电源线电性连接，且该第二漏极与一像素电极电性连接；以及

至少一电容器，电性连接于该第二栅极以及该电源线之间；以及

至少一备用有源器件，具有一与该第一有源器件之该第一漏极电性连接之第三栅极、一与该电源线电性绝缘之第三源极以及一与该像素电极电性连接之第三漏极；

至少一修补导体层，电性连接于该电源线，其中该第二源极通过该修补导体层与该电源线电性连接，且该第三源极的部分区域位于该修补导体层上方。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一有源器件为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

3.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二有源器件为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

4.如权利要求1所述的像素结构，其中该备用有源器件为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

5.如权利要求1所述的像素结构，还包括至少一阻挡层，位于该修补导体层、该第二源极的部分区域以及该第三源极的部分区域上方。

6.如权利要求5所述的像素结构，其中该阻挡层的覆盖范围大于该修补导体层的覆盖范围。

7.一种有机电致发光显示单元，与至少一扫描配线、至少一数据配线以及至少一电源线电性连接，该有机电致发光显示单元包括：

至少一电流控制单元，包括：

至少一第一有源器件，具有一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，其中该第一栅极与该扫描配线电性连接，而该第一源极与该数据配线电性连接；

至少一第二有源器件，具有一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，其中该第二栅极与该第一漏极电性连接，而该第二源极与该电源线电性连接，且该第二漏极与一像素电极电性连接；以及

至少一电容器，电性连接于第二栅极以及该电源线之间；以及

至少一备用有源器件，具有一与该第一有源器件的该第一漏极电性连接之第三栅极、一与该电源线电性绝缘之第三源极以及一与该像素电极电性连接之第三漏极；

至少一修补导体层，电性连接于该电源线，其中该第二源极通过该修补导体层与该电源线电性连接，且该第三源极的部分区域位于该修补导体层上方；

至少一有机电致发光层，配置于该像素电极上；以及

至少一电极层，配置于该有机电致发光层上。

8.如权利要求7所述的有机电致发光显示单元，其中该第一有源器件为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

9.如权利要求7所述的有机电致发光显示单元，其中该第二有源器件为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

10.如权利要求7所述的有机电致发光显示单元，其中该备用有源器件为一N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

11.如权利要求7所述的有机电致发光显示单元，还包括至少一阻挡层，位于该修补导体层、该第二源极的部分区域以及该第三源极的部分区域上方。

12.如权利要求11所述的有机电致发光显示单元，其中该阻挡层的覆盖范围大于该修补导体层的覆盖范围。

13.一种像素结构的修补方法，其适于修补如权利要求1所述的像素结构，该像素结构的修补方法包括：

切断该电流控制单元的第二源极与该电源线之间的电性连接；以及

令该电源线与该备用有源器件的第三源极电性连接，以使该电源线所提供的电流能够被该电流控制单元以及该备用有源器件所控制。

14.如权利要求13所述的像素结构的修补方法，其中切断该电流控制单元与该电源线之间电性连接的方法包括激光切割。

15.如权利要求13所述的像素结构的修补方法，其中令该电源线与该备用有源器件电性连接的方法包括激光熔接。

16.一种有机电致发光显示单元的修补方法，其适于修补如权利要求7所述的有机电致发光显示单元，该有机电致发光显示单元的修补方法包括：

切断该电流控制单元的第二源极与该电源线之间的电性连接；以及

令该电源线与该备用有源器件的第三源极电性连接，以使该电流控制单元以及该备用有源器件能够控制通过该有机电致发光层的电流。

17.如权利要求16所述的有机电致发光显示单元的修补方法，其中切断该电流控制单元与该电源线之间电性连接的方法包括激光切割。

18.如权利要求16所述的有机电致发光显示单元的修补方法，其中令该电源线与该备用有源器件电性连接的方法包括激光熔接。

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