TWI707331B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機發光二極體顯示器，其包含：含有排列在矩陣中的紅色像素、綠色像素及藍色像素之基板；於基板上且在列方向上延伸之掃描線；在相鄰的像素行之間而與掃描線交叉之紅色數據線、綠色數據線及藍色數據線；與紅色數據線、綠色數據線及藍色數據線交替之驅動電壓線；以及與掃描線水平延伸且電性連接至驅動電壓線之水平驅動電壓線。

Description

有機發光二極體顯示器
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2015年3月2日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2015-0029338號之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。
本揭露係關於一種有機發光二極體顯示器。
有機發光二極體顯示器通常包含兩個電極及插入在其之間的有機發光層。自電極中其一的陰極注入的電子及自另一電極的陽極注入的電洞在有機發光層彼此結合，以形成激子，且在激子放出能量時發出光。
有機發光二極體顯示器通常包含複數個像素及像素電路單元，該複數個像素包含由陰極、陽極及有機發光層形成的有機發光二極體，且像素電路單元包含用於驅動形成於各像素中的有機發光二極體之複數個電晶體及電容器。
像素缺陷可能因各像素中的電晶體及電容器的特性偏差或線路的短路及/或斷開而產生。例如，在缺陷像素的像素電路單元與有機發光二極體之間的連接線路可能斷開，且形成在有機發光二極體顯示器及有機發光二極體的周圍部分的虛擬電路單元可利用修復線連結而驅動。因而，缺陷像素可作為正常像素。
同時，當短路產生在相鄰的訊號線之間時，雷射照射至其之間的間隙，以分隔相鄰的訊號線。
然而，在較高解析度的顯示裝置中的訊號線之間的距離變得較窄。因而，在訊號線斷開的情況下，可能損害與其相鄰的訊號線且其可能有粒子產生，因而增加修復失敗的可能性。
在本背景部分中揭露的上述資訊僅用於增加對背景的理解，且因此其可包含不構成為習知的先前技術的資訊。
本發明係關於一種有機發光二極體顯示器。
本發明之實施例的態樣係包含有機發光二極體顯示器，該有機發光二極體顯示器即使在訊號線彼此相鄰時，具有可相對容易地進行修復的特性。
根據本發明之實施例的態樣，一種有機發光二極體顯示器，其包含：含有排列於矩陣的紅色像素、綠色像素及藍色像素之基板；於基板上且在列方向上延伸之掃描線；在相鄰像素行之間而與掃描線交叉之紅色數據線、綠色數據線及藍色數據線；與紅色數據線、綠色數據線及藍色數據線交替的驅動電壓線；以及與掃描線平行延伸且電性連接至驅動電壓線之水平驅動電壓線。
驅動電壓線在紅色數據線、綠色數據線及藍色數據線之中可包含在至少一數據線的相對側之輸入驅動電壓線及輸出驅動電壓線。
水平驅動電壓線可包含電性連接至輸入驅動電壓線之第一水平驅動電壓線及電性連接至輸出驅動電壓線之第二水平驅動電壓線。
紅色像素、綠色像素及藍色像素的每一個可包含：連接至掃描線及紅色數據線、綠色數據線及藍色數據線之開關電晶體；以及包含連接至開關 元件的控制電極、連接至驅動電壓線之輸入電極及連接至有機發光二極體的輸出電極之驅動電晶體。
有機發光二極體可包含：連接至輸出電極之第一電極；形成於第一電極上之有機發光層；以及形成於有機發光層上之第二電極。
紅色數據線、綠色數據線及藍色數據線可分離地形成在基板的上部及下部，且可連接至形成在基板的上部及下部之數據驅動器，以利用藉由驅動電晶體的開關操作調整發光時間之數位驅動法。
紅色數據線、綠色數據線及藍色數據線可利用相同材料而與驅動電壓線形成於相同層。
水平驅動電壓線可利用相同材料而與掃描線形成於相同層。
根據本發明之例示性實施例的態樣，其藉由執行修復製程而可最小化或降低因雷射引起對相鄰數據線的損害，同時藉由交替排列的數據線及驅動電壓線而可降低在數據線之間產生的短路的情況。
在此情況下，驅動電壓線可能為短路。然而，驅動電壓線具有網型結構，以使驅動電壓通過其他部分而施加至各像素，因此像素可不因短路而分離。
10:有機發光二極體顯示面板
20:掃描驅動器
30:數據驅動器
31:上部數據驅動器
32:下部數據驅動器
40:時序控制器
70:輔助連接線
61、63、71、73、75、81、82、83、85、87、88:接觸孔
95:開口
100:基板
120:緩衝層
121、SL1~SLm:掃描線
128:第一電容電極
135SR、135DR、135SG、135DG、135SB、135DB:半導體
138R、138G、138B:第二電容電極
140:閘極絕緣層
155SR、155DR、155SG、155DG、155SB、155DB:閘極電極
160:第一中間絕緣層
171、171R、171G、171B、DL1~DLn:數據線
171d:下部數據線
171u:上部數據線
172R1、172G1、172B1:輸入驅動電壓線
172R2、172G2、172B2:輸出驅動電壓線
173R1、173G1、173B1:第一水平驅動電壓線
173R2、173G2、173B2:第二水平驅動電壓線
176SR、176SG、176SB、176DR、176DG、176DB:源極電極
177SR、177SG、177SB、177DR、177DG、177DB:汲極電極
180:第二中間絕緣層
190:像素定義層
260:封裝層
710R、710G、710B:第一電極
720R:有機發光層
730R:第二電極
1355S、1355D:通道區
1356S、1356D:源極區
1357S、1357D:汲極區
C1:第一點
C2:第二點
C3:第三點
Cst:儲存電容器
CstR、CstG、CstB:儲存電容器
ELVDD:驅動電壓
ELVSS:共用電壓
LD:有機發光二極體
M1:單位像素組
M2:單位數據線組
PC:粒子
PL1~PLn:驅動電壓線
PX:像素
PXB:藍色像素
PXG:綠色像素
PXR:紅色像素
PXd:下部像素
PXu:上部像素
SF1:第一子欄
SF2:第二子欄
SF3:第三子欄
SF4:第四子欄
SF5:第五子欄
Td:驅動電晶體
Ts:開關電晶體
Y1:第一像素行
Y2:第二像素行
Y3:第三像素行
第1圖係描繪根據本發明之例示性實施例的有機發光二極體顯示器之示意圖；第2圖係描述根據本發明之例示性實施例的有機發光二極體顯示器的數位驅動法之圖式； 第3圖係描繪根據本發明之例示性實施例的數據驅動器分離地排列於或位於有機發光二極體顯示器的有機發光二極體顯示面板的上側及下側之結構；第4圖係描繪根據本發明之例示性實施例的有機發光二極體顯示器中的紅色像素、綠色像素及藍色像素與訊號線之間的連接關係；第5圖係根據本發明之例示性實施例的包含在有機發光二極體顯示器之複數個像素的佈置圖；第6圖係為沿著第5圖的VI-VI線截取之截面圖；第7圖係描述利用第5圖所示之有機發光二極體顯示器之修復方法之圖式；第8圖係為第7圖的A部分之放大圖；以及第9圖係為根據本發明之例示性實施例的第7圖的A部分之放大圖。
於下文中，本發明之例示性實施例的態樣將參照附圖更充分的描述。所屬技術領域具有通常知識者將了解的是，所描述之實施例可以各種不同方式修改，而全不脫離本發明之精神或範疇。
為了更清楚描述本發明，可省略與態樣、特徵及構件不相關的描述，且在說明書全文中相似的元件符號係指相同或相似的構成元件。
進一步地，為了更容易理解且便於描述，附圖中所示的構成元件的尺寸及厚度可任意地賦予，因此除非另有說明，本發明並不限於所描繪的尺寸和厚度。
在圖式中，層、膜、面板、區域等的厚度為了清楚而放大。在圖式中，為了更容易理解且便於描述，部分的層及區域的厚度被放大。將理解的是，當例如層、膜、區域或基板的元件係指於另一元件「上(on)」時，其可直接地於另一元件上或亦可存在中間元件。
此外，除非明確描述為相反，用語「包括(comprise)」以及如變型的「包括(comprises)」或「包括(comprising)」將理解為意在包括規定的元件，而非排除任何其他元件。進一步地，於說明書中，用語「上(on)」係表示一部分位於目標部分的上方或下方，而不一定表示該部分係位在目標部分的重力方向上。
在附圖中，主動矩陣(AM)型的有機發光二極體(OLED)顯示器係描繪成具有其中對一個像素提供兩個電晶體(TFTs)及一個電容之2Tr-1Cap結構，但本揭露不限於此。因此，在OLED顯示器中，各像素可提供具有複數個電晶體及至少一個電容器，且藉由進一步形成額外的線路或省略現存線路而可形成具有各種結構。在此，像素係為用於顯示影像之最小單元，且OLED顯示器經由像素顯示影像。
在下文中，根據本發明之例示性實施例的有機發光二極體顯示器將參照附圖而更詳細地描述。
第1圖係描繪根據本發明之例示性實施例的有機發光二極體顯示器之示意圖。
如第1圖所示，根據本發明之例示性實施例的有機發光二極體顯示器係包含有機發光二極體顯示面板10、掃描驅動器20、數據驅動器30及時序控制器40。
有機發光二極體顯示面板10包含複數個掃描線SL1至SLm、複數個數據線DL1至DLn及複數個驅動電壓線PL1至PLn，其排列成彼此交叉以便於定義各像素PX。掃描線SL1至SLm在列方向上實質地延伸且彼此平行或實質地平行，及數據線DL1至DLn及驅動電壓線PL1至PLn在行方向上實質地延伸且彼此平行或實質地平行。
各像素PX包含分別連接至掃描線SL1至SLm及數據線DL1至DLn的複數個開關電晶體Ts、分別連接在開關電晶體Ts與驅動電壓線PL1至PLn之間的儲存電容器Cst及驅動電晶體Td、以及分別連接至驅動電晶體Td的有機發光二極體LD。
掃描驅動器20施加掃描訊號至掃描線SL1至SLm，且數據驅動器施加數據訊號至數據線DL1至DLn。
各開關電晶體Ts具有控制端、輸入端及輸出端，以使控制端連接至掃描線SL1至SLm中的一個，輸入端連接至數據線DL1至DLn中的一個及輸出端連接至驅動電晶體Td。回應於施加至掃描線SL1至SLm的掃瞄訊號，開關電晶體Ts傳輸施加至數據線DL1至DLn的數據訊號，以驅動電晶體T2。
各驅動電晶體Td亦具有控制端、輸入端及輸出端，以使控制端連接至開關電晶體T1，輸入端連接至驅動電壓線PL1至PLn中的一個，且輸出端連接至有機發光二極體LD。
各有機發光二極體LD具有連接至驅動電晶體Td的輸出端之陽極、及連接至共用電壓ELVSS之陰極。
當開關電晶體Ts根據掃描訊號導通時，數據訊號被施加至儲存電容器Cst及驅動電晶體Td的控制端，且其結果導通驅動電晶體Td，以施加驅動電 壓線PL1至PLn的驅動電壓ELVDD至有機發光二極體LD，因而允許有機發光二極體發出光。
時序控制器40接收自外部電路單元的影像訊號及各種控制訊號，且產生RGB訊號、數據控制訊號及掃瞄控制訊號以傳輸其至掃描驅動器20及數據驅動器30。
第2圖係描述根據本發明之例示性實施例的有機發光二極體顯示器的數位驅動法之圖式。
如第2圖所示，在數位驅動法中，影像的灰階可由複數個子欄(sub-field)所組成的各幀顯示。
在此，各子欄可包含用於輸入數據訊號至各像素之寫入期間及用於允許有機發光二極體LD實際地發光之發光期間，且可進一步包含用於停止有機發光二極體LD的發光之抹除期間。例如，當32灰階用於顯示影像時，如第2圖所示，一個幀可劃分成第一至第五子欄SF1至SF5，且第一至第五子欄SF1至SF5分別細分成寫入期間及發光期間。
此外，發光期間的長度可調整以設定對應子欄的二元權重(binary weight)。例如，第一子欄SF1的權重值設定成20且第二子欄SF2的權重值設定成21，以使各子欄的權重值可定義成以2n(n=0,1,2,3,4)的比率增加。
具有此結構的幀可執行具有總共32灰階(=25)的影像。例如，當執行32灰階的影像時，導通自第一子欄SF1至第五子欄SF5的所有子欄。例如，32灰階可藉由施加用於導通有機發光二極體LD的數據訊號至用於第一子欄SF1至第五子欄SF5各自的寫入期間的數據線且允許有機發光二極體LD在各自的寫入期間之後各自的發光期間發光而顯示。
此外，當執行10灰階的影像時，具有2(=21)的權重值的第二子欄SF2及具有8(=23)的二元權重值的第四子欄SF4可導通。例如，藉由施加用於導通有機發光二極體LD的數據訊號至用於第二子欄SF2及第四子欄SF4的各自的寫入期間的數據線及施加用於關閉有機發光二極體LD的數據訊號至用於第一子欄SF1、第三子欄SF3及第五子欄SF5各自的寫入期間的數據線，有機發光二極體LD可被允許在第二子欄SF2及第四子欄SF4各自的發光期間發光，同時不允許在第一子欄SF1、第三子欄SF3及第五子欄SF5各自的發光期間發光，因而顯示在10灰階的影像。
因此，由於施加至各像素的數據訊號具有用於導通或關閉OLED的兩個電壓值，因而此時間劃分驅動方法稱為數位驅動法。
在第2圖中，其中由五個子欄組成的一個幀之5-bit驅動係描述作為一例子，但包含在一個幀的子欄數目可進行各種改變。進一步地，在第2圖中，描繪其中子欄以二元權重的遞增順序依序排列一個幀中之例子，但子欄可以二元權重的遞減順序依序排列一個幀中或可不考慮二元權重排列。
第3圖係描繪根據本發明之例示性實施例的數據驅動器分離地位於有機發光二極體顯示器的有機發光二極體顯示面板的上側及下側之結構。
如第3圖所示，上部數據驅動器31及下部數據驅動器32分別附加於OLED顯示面板10的上側及下側。
形成在有機發光二極體顯示面板10的複數個像素PX包含排列或位於有機發光二極體顯示面板10的上半部之上部像素PXu及排列或位於有機發光二極體顯示面板10的下半部之下部像素PXd。為了發光，上部有機發光二極體形成於上部像素PXu且下部有機發光二極體形成於下部像素PXd。
數據線劃分成用於傳輸數據訊號至上部像素PXu的上部有機發光二極體之上部數據線171u及用於傳輸數據訊號至下部像素PXd的下部有機發光二極體之下部數據線171d。
因而，上部數據驅動器31經由上部數據線171u傳輸數據訊號至上部像素PXu的上部有機發光二極體，且下部數據驅動器32經由下部數據線171d傳輸數據訊號至下部像素PXd的下部有機發光二極體。因此，由於像素藉由至上部像素PXu的上部有機發光二極體及下部像素PXd的下部有機發光二極體分開地驅動，因而降低數據線的阻抗性以降低數據線一半的負載。
在下文中，在第1圖所示的有機發光二極體顯示器中的紅色像素、綠色像素及藍色像素與訊號線之間的連接關係將參照第4圖而更詳細地描述。
第4圖係描繪根據本發明之例示性實施例的有機發光二極體顯示器中的紅色像素、綠色像素及藍色像素與訊號線之間的連接關係。
根據本發明之部分例示性實施例的有機發光二極體顯示器中，像素包含上部像素PXu及下部像素PXd。上部像素及下部像素的訊號線以相同的方式連接，且因此第4圖的像素可為上部像素或下部像素。為了便於說明，第4圖的像素整體稱為像素而不劃分成上部像素及下部像素。
參照第4圖，紅素像素PXR、綠色像素PXG及藍色像素PXB排列於矩陣形狀中。在此情況下，具有相同顏色的像素包含在一列中，且以下述順序交替排列的紅色像素、綠色像素及藍色像素包含在一行中。
各像素可具有其中列方向長度大於行方向長度之形狀，且包含驅動電晶體Td、開關電晶體Ts及電容器Cst。
各掃描線121排列或位在紅色像素PXR的列與綠色像素PXG的列之間，以在列方向上延伸，且連接至像素的開關電晶體Ts的控制端。當一紅素像素PXR、一綠色像素PXG及一藍色像素PXB組成一單位像素組M1時，一條掃描線121可連接至由一單位像素組M1的所有像素。
紅色數據線171R、綠色數據線171G及藍色數據線171B排列或位在像素行之間，以在行方向上延伸且同時其形成為絕緣而與掃描線121交叉。當連接至一單位像素組M1的紅色數據線171R、綠色數據線171G及藍色數據線171B組成一單位數據線組M2時，單位數據線組M2排列在相鄰的像素行之間。
數據線171R、171G及171B可連接至各像素的開關電晶體Ts的輸入端。例如，紅色數據線171R可連接至位在一行的所有紅色像素PXR的開關電晶體Ts，綠色數據線171G可連接至位在一行的所有綠色像素PXG的開關電晶體Ts以及藍色數據線171B可連接至位在一行的所有藍色像素PXB的開關電晶體Ts。
排列成在行方向上延伸且同時其形成為絕緣而與掃描線121交叉的紅色驅動電壓線172R1及172R2、綠色驅動電壓線172G1及172G2及藍色驅動電壓線172B1及172B2中的至少一驅動電壓線可排列在像素行之間。
在連接至單位像素組M1的驅動電壓線中，紅色驅動電壓線172R1及172R2、綠色驅動電壓線172G1及172G2及藍色驅動電壓線172B1及172B2交替排列在每個相鄰的像素行之間。
例如，此排列可重複地進行，以使紅色驅動電壓線172R1及172R2與綠色驅動電壓線172G1及172G2排列在第一相鄰的像素行之間，藍色驅動電壓 線172B1及172B2排列在第二像素行之間，且紅色驅動電壓線172R1及172R2與綠色驅動電壓線172G1及172G2排列在第三像素行之間。
在上述例示性實施例中，其描述為紅色驅動電壓線172R1及172R2與綠色驅動電壓線172G1及172G2排列在相同相鄰的像素行之間，同時藍色驅動電壓線172B1及172B2排列在其他相鄰的像素行之間。然而，如需要時，不同顏色驅動電壓線可排列在相同相鄰的像素行之間。
驅動電壓線172R1、172R2、172G1、172G2、172B1及172B2可劃分成輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1與輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2。輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1與輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2的每一個的一端可經由輔助連接線70而電性連接。
輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1進一步包含在與掃描線121平行的方向上延伸之第一水平驅動電壓線173R1、173G1及173B1，且輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2進一步包含在與掃描線121平行的方向上延伸之第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2。
輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1與輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2可藉由利用相同材料形成在與數據線組M2相同的層，且第一水平驅動電壓線173R1、173G1及173B1與第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2可藉由相同材料形成在與掃描線121相同的層。
如結果所示，輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1與第一水平驅動電壓線173R1、173G1及173B1可分別經由接觸孔彼此電性連接，且輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2與第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2 可分別經由接觸孔彼此電性連接。接觸孔可形成在其中輸入驅動電壓線及輸出驅動電壓線排列成與第一水平驅動電壓線及第二水平驅動電壓線交叉的部分。
例如，請參考圖式第5圖，輸出驅動電壓線172R2、172B2分別經由接觸孔61、71連接至第二水平驅動電壓線173R2、173B2。並且輸入驅動電壓線172B1經由接觸孔63連接至第一水平驅動電壓線173B1。
各像素的驅動電晶體Td可電性連接至驅動電壓線，且驅動電晶體Td的輸入端可以直接的方式或利用連接部分連接至自輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2與第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2延伸的部分。
同時，數據線171R、171G及171B與驅動電壓線172R1、172R2、172G1、172G2、172B1及172B2一起排列在像素行之間，且因此輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1、輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2與數據線171R、171G及171B可交替地排列。
例如，紅色驅動電壓線172R1及172R2、綠色驅動電壓線172G1及172G2與連接至第二像素行Y2的數據線組可排列在第一像素行Y1與第二像素行Y2之間，且藍色驅動電壓線172B1及172B2與連接至第三像素行Y3的數據線組可排列在第二像素行Y2與第三像素行Y3之間。
在此情況下，綠色輸出驅動電壓線172G2、藍色數據線171B、綠色輸入驅動電壓線172G1、綠色數據線171G、紅色輸出驅動電壓線172R2、紅色數據線171R及紅色輸入驅動電壓線172R1以相鄰於第一像素行Y1的順序排列在第一像素行Y1與第二像素行Y2之間。
進一步地，藍色輸出驅動電壓線172B2、藍色數據線171B、藍色輸入驅動電壓線172B1、綠色數據線171G、紅色數據線171R以相鄰於第二像素行Y2的順序排列在第二像素行Y2與第三像素行Y3之間。
僅有藍色驅動電壓線172B1及172B2排列在第二像素行Y2與第三像素行Y3之間，因此藍色驅動電壓線172B1及172B2可不排列在數據線171R與171G之間，且藍色驅動電壓線172B1可排列在數據線171B與171G之間，且藍色驅動電壓線172B2可排列在第二像素行Y2與數據線171B之間。因而，連接至至少兩個顏色的像素之數據線可相鄰地排列。
在第4圖中，如例示，其描述為綠色數據線171G及紅色數據線171R可相鄰地排列，但本發明不限於此。此外，藍色數據線171B及綠色數據線171G可相鄰地排列，且藍色輸入驅動電壓線172B1可排列在綠色數據線171G與紅色數據線171R之間。
進一步地，儲存電容器Cst及有機發光二極體連接至形成在各像素的陽極。
數據線171R、171G及171B與輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1可具有彎曲部分(見第5圖)。在此情況下，兩個相鄰的數據線可在相對方向上彎曲。例如，綠色數據線171G及紅色數據線171R可形成為在相對方向上彎曲。因此，當訊號線形成為可彎曲時，可增加在排列在紅色輸出驅動電壓線172R2的相對側之綠色數據線171G與紅色數據線171R之間的距離。因而，可避免或降低在兩個數據線之間的短路的情況。
在下文中，在第4圖所示的像素將參照第5圖至第7圖描述。
第5圖係根據本發明之例示性實施例的包含在有機發光二極體顯示器之複數個像素的佈置圖，且第6圖係為沿著第5圖的VI-VI線截取之截面圖。
為了便於說明，第5圖描繪複數個像素之中的一像素組且其他像素組的部分排列在一像素組的相對側。各像素具有相同的截面堆疊結構，因此將基於紅色像素描述該截面結構。
如第5圖及第6圖所示，在根據本揭露之例示性實施例的有機發光二極體顯示器中，緩衝層120形成於基板100上。
基板100可為由玻璃、石英、陶瓷等形成的透明絕緣基板，或可為由不銹鋼等形成的金屬基板。
進一步地，基板100可為由例如聚碳酸酯、聚亞醯胺或聚醚的塑料所形成的透明絕緣基板。基板100可具有例如可折疊(可彎曲)、可捲曲及可拉伸之可撓特性或可具有在至少一方向之彈性。
緩衝層120可形成為矽氮化物(SiNx)的單一層結構或其中堆疊矽氮化物(SiNx)及矽氧化物(SiOx)之雙層結構。緩衝層120用於平坦化表面，同時同步防止如滲入的雜質或或水分之不需要的成分。
半導體135SR、135DR、135SG、135DG、135SB及135DB形成在用於每個像素之緩衝層120上。
半導體135SR、135DR、135SG、135DG、135SB及135DB由多晶矽或氧化半導體形成。氧化半導體可包含基於鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)之一或多種氧化物，例如鋅氧化物(ZnO)、及其複合氧化物之銦-鎵-鋅氧化物(InGaZnO4)、銦-鋅氧化物(Zn-In-O)、鋅-錫氧化物(Zn-Sn-O)、銦-鎵氧化物(In-Ga-O)、銦-錫氧化物 (In-Sn-O)、銦-鋯氧化物(In-Zr-O)、銦-鋯-鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦-鋯-錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦-鋯-鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、銦-鋁氧化物(In-Al-O)、銦-鋅-鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銦-錫-鋁氧化物(In-Sn-Al-O)、銦-鋁-鎵氧化物(In-Al-Ga-O)、銦-鉭氧化物(In-Ta-O)、銦-鉭-鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦-鉭-錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦-鉭-鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、銦-鍺氧化物(In-Ge-O)、銦-鍺-鋅氧化物(In-Ge-Zn-O)、銦-鍺-錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦-鍺-鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦-銦-鋅氧化物(Ti-In-Zn-O)及鉿-銦-鋅氧化物(Hf-In-Zn-O)。在半導體135SR、135DR、135SG、135DG、135SB及135DB由氧化半導體製造的情況下，為了保護氧化半導體以避免例如高溫的外部環境之損傷而可加上分隔鈍化層。
半導體135SR、135DR、135SG、135DG、135SB及135DB劃分成通道區1355S及1355D與分別形成在通道區1355S及1355D的相對側之源極區1356S及1356D以及汲極區1357S及1357D。半導體的通道區1355S及1355D由未摻雜雜質之半導體，即本質半導體形成。源極區1356S及1356D以及汲極區1357S及1357D由摻雜雜質之半導體，即雜質半導體形成。源極區1356S及1356D與汲極區1357S及1357D摻雜的雜質可為p型雜質及n型雜質中的任一種。
閘極絕緣層140形成於半導體135SR、135DR、135SG、135DG、135SB及135DB上。閘極絕緣層140可由包含四乙基矽氧烷(tetraethyl orthosilicate(TEOS))、矽氮化物或矽氧化物中的至少其一之單一層或多層形成。
掃描線121、閘極電極155SR、155DR、155SG、155DG、155SB及155DB、第一電容電極128、第一水平驅動電壓線173R1、173G1及173B1以及第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2形成於閘極絕緣層140上。
掃描線121、第一水平驅動電壓線173R1、173G1及173B1以及第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2排列成在一方向上延伸。第一電容電極128排列成在與掃描線121平行或實質地平行之方向上延伸。
閘極電極155SR、155DR、155SG、155DG、155SB及155DB排列成與通道區1355S及1355D重疊，且各閘極電極155DR、155DG及155DB之一端連接至第一電容電極128。掃描線121、閘極電極155SR、155DR、155SG、155DG、155SB及155DB、第一電容電極128、第一水平驅動電壓線173R1、173G1及173B1以及第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2可由例如Al、Ti、Mo、Cu、Ni及其合金的低電阻材料或高耐腐蝕材料之單一層或多層所形成。
第一中間絕緣層160可形成於掃描線121、閘極電極155SR、155DR、155SG、155DG、155SB及155DB、第一電容電極128、第一水平驅動電壓線173R1、173G1及173B1以及第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2上。與閘極絕緣層140相似，第一中間絕緣層160可由包含四乙基矽氧烷(TEOS)、矽氮化物或矽氧化物中的至少其一之單一層或多層形成。
第一中間絕緣層160及閘極絕緣層140具有用於分別露出開關電晶體的源極區1356S及汲極區1357S之源極接觸孔81及汲極接觸孔82、以及具有用於分別露出驅動電晶體的源極區1356D及汲極區1357D之源極接觸孔73及汲極接觸孔75。
進一步地，第一中間絕緣層160具有用於露出第一電容電極128之接觸孔83、用於露出第一水平驅動電壓線173B1之接觸孔63、用於露出掃描線121之接觸孔88、用於露出開關電晶體的閘極電極155SR、155SG及155SB之接觸孔87以及用於露出第二水平驅動電壓線173R2、173G2及173B2之接觸孔71。
具有源極電極176SR、176SG及176SB之數據線171R、171G及171B；輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1；具有源極電極176DR、176DG及176DB之輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2；汲極電極177SR、177SG、177SB、177DR、177DG及177DB；以及第二電容電極138R、138G及138B形成於第一中間絕緣層160上。
開關電晶體的源極電極176SR、176SG及176SB為了容易接觸而可形成為具有大於數據線171R、171G及171B之寬度，且經由接觸孔81連接至源極區1356S。進一步地，驅動電晶體的源極電極176DR、176DG及176DB經由接觸孔73連接至源極區1356D。
開關電晶體的汲極電極177SR、177SG及177SB經由接觸孔82及83連接至汲極區1357S及第一電容電極128。驅動電晶體的汲極電極177DR、177DG及177DB經由接觸孔75連接至汲極區1357D。
具有源極電極176SR、176SG及176SB的數據線171R、171G及171B；輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1；具有源極電極176DR、176DG及176DB的輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2；以及汲極電極177SR、177SG、177SB、177DR、177DG及177DB可由例如Al、Ti、Mo、Cu、Ni及其合金的低電阻材料或高耐腐蝕材料之單一層或多層所形成。例如，其可為Ti/Cu/Ti,、Ti/Ag/Ti或Mo/Al/Mo的三層。
閘極電極155SR、155DR、155SG、155DG、155SB及155DB、源極電極176SR、176SG、176SB、176DR、176DG及176DB以及汲極電極177SR、177SG、177SB、177DR、177DG及177DB作為如第1圖所示的控制端、輸入端及輸出端，且與半導體135SR、135DR、135SG、135DG、135SB及135DB一起構 成薄膜電晶體。薄膜電晶體的通道形成在源極電極176SR、176SG、176SB、176DR、176DG及176DB與汲極電極177SR、177SG、177SB、177DR、177DG及177DB之間的半導體135SR、135DR、135SG、135DG、135SB及135DB。
第二電容電極138R、138G及138B連接至輸出驅動電壓線，且第二電容電極138R、138G及138B分別排列成與第一電容電極128重疊，因而構成儲存電容器CstR、CstG及CstB。儲存電容器藉由充電儲存電容器CstR、CstG及CstB的電荷及施加在第一電容電極128與第二電容電極138R、138G及138B之間的電壓而定義。
因而，儲存電容器CstR、CstG及CstB分別儲存儲存電容，其對應於經由驅動電壓線轉移至第二電容器138R、138G及138B的驅動電壓ELVDD與驅動電晶體的閘極電極155DR、155DG及155DB的閘極電壓之間的差。
第二電容電極138R可形成為沿著第一電容電極128延伸，以與第一電容電極128重疊，且可具有經由接觸孔71連接至第二水平驅動電壓線173R2的一端。進一步地，第二電容電極138G及138B可自綠色輸出驅動電壓線172G2或藍色輸出驅動電壓線172B2向第一電容電極128突出，以與第一電容電極128重疊。
第二中間絕緣層180形成於具有源極電極176SR、176SG及176SB的數據線171R、171G及171B；輸入驅動電壓線172R1、172G1及172B1；具有源極電極176DR、176DG及176DB的輸出驅動電壓線172R2、172G2及172B2；汲極電極177SR、177SG、177SB、177DR、177DG及177DB；以及第二電容電極138R、138G及138B上。第二中間絕緣層180具有用於分別露出驅動電晶體的汲極電極177DR、177DG及177DB之接觸孔85。
與第一中間絕緣層160相似，第二中間絕緣層180可由包含四乙基矽氧烷(TEOS)、矽氮化物或矽氧化物中的至少其一之單一層或多層形成，且可由低介電常數有機材料製造。
第一電極710R、710G及710B形成於第二中間絕緣層180上。第一電極710R、710G及710B可經由接觸孔85電性連接至汲極電極177DR、177DG及177DB，且可作為第1圖的有機發光二極體LD的陽極。
像素定義層190形成於第一電極710R、710G及710B上。
像素定義層190具有用於露出第一電極710R、710G及710B的開口95。像素定義層190可由例如聚丙烯酸酯樹脂或聚醯亞胺樹脂之樹脂、二氧化矽類(silica-based)無機材料等製造。
有機發光層720R形成在像素定義層190的開口95中。
有機發光層720R形成為包含含有一或多個發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)的複數層。
在有機發光層720R包含其所有的情況下，電洞注入層可置於像素電極710，即為陽極上，且電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層可依序堆疊於電洞注入層。
第二電極730R形成於像素定義層190及有機發光層720R、720G及720B上。
第二電極730R、730G及730B作為有機發光二極體的陰極。因而，第一電極710R、710G及710B、有機發光層720R、720G及720B以及第二電極730R、730G及730B分別構成有機發光二極體LD。
有機發光二極體顯示器可根據有機發光二極體LD發光的方向而為前顯示型、後顯示型以及雙側顯示型中的一種。
在前顯示型的情況下，第一電極710R、710G及710B由反射層形成，且第二電極730R、730G及730B由半透射層或透射層形成。在後顯示型的情況下，第一電極710R、710G及710B由透射層形成，且第二電極730R、730G及730B由反射層形成。在雙側顯示型的情況下，第一電極710R、710G及710B與第二電極730R、730G及730B由透射層或半透射層形成。
反射層及半透射層可由Mg、Ag、Au、Ca、Li、Cr及Al或其合金中的至少其一製造。反射層及半透射層藉由其厚度定義，且半透射層可具有小於200nm的厚度。儘管反射層或半透射層的穿透率隨著其厚度的降低而增加，但是當該層過薄時其電阻增加。
透射層可由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)或銦氧化物(In2O3)製造。
封裝層260形成於第二電極730R、730G及730B上。
封裝層260可藉由交替地形成至少一有機層及至少一無機層而形成。無機層或有機層可提供複數個。
有機層由聚合物形成，且根據部分例示性實施例，其可為由聚乙二醇對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate)、聚亞醯胺、聚碳酸酯、環氧樹脂(epoxy)、聚乙烯及聚丙烯酸酯中的任一形成的單一層或堆疊層。根據部分例示性實施例，有機層可由聚丙烯酸酯形成，且例如其可包含含有二丙烯酸酯類(diacrylate-based)單體及三丙烯酸酯類(triacrylate-based)單體聚合之單體組成物 的材料。單丙烯酸酯類單體可進一步包含在單體組成物。進一步地，例如TPO的已知的光起始劑可包含在單體組成物，但不限於此。
無機層可為包含金屬氧化物或金屬氮化物之單一層或堆疊層。例如，無機層可包含SiNx、Al2O3、SiO2或TiO2中的至少其一。
為了避免或降低濕氣或外部汙染物滲入至有機發光二極體，露出於外側的封裝層之最上層可由無機層形成。
封裝層可包含其中至少一有機層插入在至少兩個無機層的至少一夾層結構。此外，封裝層可包含其中至少一無機層插入在至少兩個有機層之至少一夾層結構。
在下文中，將更詳細地描述藉由上述的有機發光二極體顯示器用於執行修復製程之方法。
第7圖係描述利用第5圖所示之有機發光二極體顯示器之修復方法之圖式，第8圖係為第7圖的A部分之放大圖，且第9圖係為根據本揭露之另一例示性實施例的第7圖的A部分之放大圖。
如第7圖所示，數據線組M2及驅動電壓線排列在兩個相鄰的像素行之間。
數據線171R、171G及171B、綠色驅動電壓線172G1及172G2以及紅色驅動電壓線172R1及172R2可被排列。進一步地，數據線及驅動電壓線交替地排列。
第7圖描繪短路產生在藍色數據線與綠色數據線之間之例子。此短路是因例如蝕刻缺陷或製程中產生的粒子而產生，且在第7圖所示為短路產生 在藍色數據線171B與綠色數據線171G之間的情況。在此情況下，排列在其之間的綠色輸入驅動電壓線172G1可能一起為短路。
因此，當數據線為短路時，連接至短路數據線的所有像素可能變成有缺陷，且藉由雷射的利用以移除位在數據線之間缺陷部分或粒子而進行斷開，因而進行修復。
在此情況下，斷開可藉由將雷射照射在藍色數據線171B與綠色輸入驅動電壓線172G1之間以及在綠色數據線171G與綠色輸入驅動電壓線172G1之間進行。
切割位在與驅動電壓線172G1斷開的短路部分的上部及下部之第一點C1及第二點B2。進一步地，切割第三點C3，以分隔因粒子PC連接的訊號線。
當藍色數據線171B及綠色數據線171G短路時，第三點C3可形成在兩個數據線之間的至少一點。例如，排列在兩個數據線之間的輸入驅動電壓線在第一點C1及第二點C2被切割而分離，因此兩個短路數據線可藉由切割在兩個數據線之間的一點而彼此完全地電性分離。
如第9圖所示，第三點C3可形成在分離的輸入驅動電壓線的相對側。
同時，驅動電壓線藉由第一點C1及第二點C2而在短路之部分分離以斷開訊號。然而，如第7圖所示，輸入驅動電壓線172G1因第一水平驅動電壓線173G1而形成為具有網狀。因而，即使當輸入驅動電壓線部分地斷開，驅動電壓係如虛線所指出的流過，因此驅動電壓可施加至所有像素。
通常，當數據線相鄰地排列時，藉由雷射精確地照設置兩個相鄰的數據線的短路部分而可進行分隔。然而，當在數據線之間距離較窄時，數據線可能因雷射照射而受損。
然而，根據本發明之實施例，驅動電壓線排列在兩個數據線之間，因此雷射照射至其中的空間為寬於習知技術的兩倍或兩倍以上。因而數據線不會因雷射照射而受損。
進一步地，即使當兩個訊號線因產生在驅動電壓線與數據線之間的粒子PC而短路時，可照射雷射的空間可包含形成在排列於驅動電壓線的相對側之兩個數據線之間的所有空間。因而，修復成功率可因照射雷射而增加，以避免或降低驅動電壓線及短路的數據線受損的情況。
即使當雷射未精確地照射在因粒子而短路的數據線與驅動電壓線之間，驅動電壓線可斷開在第一點C1及第二點C2。因而，不會發生問題。此外，雖然驅動電壓線分離，但是驅動電壓線具有網型結構，因此驅動電壓可施加至所有像素。
雖然本發明已結合例示性實施例而描述，可理解的是本發明不限於揭示之實施例，反之意圖涵蓋包含於附隨申請專利範圍之精神與範疇中之各種修改及等效配置及其等效物。
121:掃描線
171R、171G、171B:數據線
172R1、172G1、172B1:輸入驅動電壓線
172R2、172G2、172B2:輸出驅動電壓線
173R1、173G1、173B1:第一水平驅動電壓線
173R2、173G2、173B2:第二水平驅動電壓線
70:輔助連接線
Cst:儲存電容器
PXB:藍色像素
PXG:綠色像素
PXR:紅色像素
M1:單位像素組
M2:單位數據線組
Td:驅動電晶體
Ts:開關電晶體
Y1:第一像素行
Y2:第二像素行
Y3:第三像素行

Claims (8)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一基板，包含以具有像素列與像素行的矩陣排列之一紅色像素、一綠色像素及一藍色像素；一掃描線，係於該基板上且在一列方向上延伸；一紅色數據線、一綠色數據線及一藍色數據線，該紅色數據線、該綠色數據線及該藍色數據線中的每一個係在該像素行中之直接相鄰的像素行之間且與該掃描線交叉；一驅動電壓線，係於該像素行中之相鄰的像素行之間的該紅色數據線、該綠色數據線及該藍色數據線之中的兩條數據線之間；以及一水平驅動電壓線，係在與該掃描線平行延伸且電性連接至該驅動電壓線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該驅動電壓線在該紅色數據線、該綠色數據線及該藍色數據線之中的至少一數據線的相對側包含一輸入驅動電壓線及一輸出驅動電壓線。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該水平驅動電壓線包含電性連接至該輸入驅動電壓線之一第一水平驅動電壓線及電性連接至該輸出驅動電壓線之一第二水平驅動電壓線。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該紅色像素、該綠色像素及該藍色像素中的每一個包含： 一開關電晶體，係分別連接至該掃描線及該紅色數據線、該綠色數據線及該藍色數據線，以及一驅動電晶體，包含連接至該開關電晶體之一控制電極、連接至該驅動電壓線之一輸入電極以及連接至一有機發光二極體之一輸出電極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示器，其中該有機發光二極體包含：一第一電極，連接至該輸出電極；一有機發光層，形成於該第一電極上；以及一第二電極，形成於該有機發光層上。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示器，其中該紅色數據線、該綠色數據線及該藍色數據線係獨立地形成在該基板的上部及下部，且連接至形成於該基板的上側及下側之一數據驅動器，以藉由該驅動電晶體的開關操作而使用數位驅動法調整發光時間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該紅色數據線、該綠色數據線及該藍色數據線係利用一相同材料形成在與該驅動電壓線相同的層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該水平驅動電壓線係利用一相同材料形成在與該掃描線相同的層。
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