KR20130060934A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 표시 장치와 그 제조방법이 개시된다. 개시된 유기 발광 표시 장치는, EL소자와 박막트랜지스터를 각각 포함하고 있는 다수의 픽셀들과, 그 픽셀들의 양측으로 분할 배치된 전원전압공급배선을 구비한다. 이러한 구조에 의하면 전원전압공급배선과 다른 배선간의 오버랩 면적이 줄어들게 되므로 그만큼 쇼트 발생의 위험도 줄어들게 되며, 결과적으로 제품의 불량률을 낮추는 효과를 얻을 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법{Organic light emitting display device and the manufacturing method thereof}
본 발명은 쇼트 발생 방지에 유리하도록 전원전압공급배선의 구조가 개선된 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor:TFT)와, 그 박막트랜지스터에 의해 구동되며 화상을 구현하는 유기 전계 발광 소자(이하 EL소자) 등을 구비하고 있다. 즉, 박막트랜지스터를 통해 EL소자에 전류가 공급되면, 그 EL소자 내에서 발광 동작이 일어나면서 화상이 구현되는 것이다.
한편, 상기 유기 발광 표시 장치에는 상기 박막트랜지스터와 연결된 각종 배선들이 복수 층에 마련되어 있는데, 그중에서 통상 ELVdd 배선으로 불리는 전원전압공급배선은 다른 배선들에 비해 매우 넓은 폭으로 형성된다.
그런데, 이렇게 넓은 폭의 배선이 형성되면 다른 층에 배치된 배선과 오버랩되는 영역이 그만큼 넓어지게 되어, 배선 간 쇼트가 발생할 위험이 커지게 된다. 특히, 이 전원전압공급배선의 폭을 가로지르며 인접 층에 배치되는 보상제어신호배선(일명 Global Control 배선)과의 쇼트 발생이 큰 문제점으로 대두되고 있다.
따라서, 이러한 전원전압공급배선과의 쇼트 발생의 위험을 효율적으로 줄일 수 있는 방안이 요구되고 있다.
본 발명의 실시예는 배선 간 쇼트 발생 방지에 유리하도록 전원전압공급배선의 구조가 개선된 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, EL소자와 박막트랜지스터를 각각 포함하고 있는 다수의 픽셀들과, 상기 픽셀들의 박막트랜지스터에 전압을 인가하기 위한 전원전압공급배선을 구비하며, 상기 전원전압공급배선은 상기 각 픽셀들의 양측으로 분할 배치된다.
상기 전원전압공급배선은 상기 각 픽셀을 중심으로 양측에 대치되게 배치된 제1ELVdd배선 및 제2ELVdd배선을 포함할 수 있다.
상기 제1ELVdd배선과 제2ELVdd 배선을 서로 전기적으로 연결하는 메쉬배선이 더 구비될 수 있다.
상기 전원전압공급배선과 오버랩되는 영역을 가지며 인접 층에 배치된 보상제어신호배선이 더 구비될 수 있다.
상기 보상제어신호배선은 상기 제1ELVdd배선과 제2ELVdd배선 중 어느 한 배선과 오버랩될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판 상에 EL소자와 박막트랜지스터를 각각 포함하고 있는 다수의 픽셀들을 형성하는 단계와, 상기 픽셀들의 박막트랜지스터에 전압을 인가하기 위해 상기 각 픽셀들의 양측으로 분할 배치되는 전원전압공급배선을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 전원전압공급배선은 상기 각 픽셀을 중심으로 양측에 대치되게 배치된 제1ELVdd배선 및 제2ELVdd배선을 포함할 수 있다.
상기 제1ELVdd배선과 제2ELVdd 배선을 서로 전기적으로 연결하는 메쉬배선을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 전원전압공급배선의 인접 층에 그 전원전압공급배선과 오버랩되는 영역을 가지는 보상제어신호배선을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 보상제어신호배선을 상기 제1ELVdd배선과 제2ELVdd배선 중 어느 한 배선과 오버랩되게 할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 의하면, 전원전압공급배선과 다른 배선간의 오버랩 면적을 줄일 수 있게 되므로 그만큼 쇼트 발생의 위험도 줄일 수 있게 되며, 결과적으로 제품의 불량률을 낮추는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 한 픽셀에 대한 배선 연결 구조를 보인 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 평면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
도 1은 유기 발광 표시 장치의 한 픽셀에 대한 배선 연결 구조를 보인 회로도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 평면도이다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 각 픽셀은 스위칭용 박막트랜지스터인 제 1 TFT(TR1)와, 구동용 박막트랜지스터인 제 2 TFT(TR2), 보상신호용 박막트랜지스터인 제 3 TFT(TR3), 그리고 저장 요소인 캐패시터(Cst, Cvth)와, 상기 제 1,2,3 TFT(TR1)(TR2)(TR3)에 의해 구동되는 유기 전계 발광 소자(이하 EL소자:EL) 등을 구비하고 있다. 여기서, 상기와 같은 박막트랜지스터(TR1,2,3) 및 캐패시터(Cst, Cvth)의 개수는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 이보다 더 많은 수의 박막트랜지스터(TR1,TR2,TR3) 및 캐패시터(Cst, Cvth)를 구비할 수 있음은 물론이다.
이중에서 상기 박막트랜지스터들의 기능을 살펴보면, 먼저 상기 제 1 TFT(TR1)는 스캔배선(S)에 인가되는 스캔(Scan) 신호에 의해 구동되어 데이터배선(D)에 인가되는 데이터(data) 신호를 전달하는 역할을 한다.
그리고, 상기 제 2 TFT(TR2)는 상기 제 1 TFT(TR1)를 통해 전달되는 데이터 신호에 따라서 전원전압공급배선(Vdd)을 통해 EL소자(EL)로 유입되는 전류량을 결정하는 역할을 한다.
또, 제 3 TFT(TR3)는 보상제어신호배선(GC)과 연결되어 문턱전압을 보상하는 역할을 한다.
이와 같은 박막트랜지스터(TR1,TR2,TR3)와 전원전압공급배선(Vdd) 및 보상제어신호배선(GC) 등이 실제 유기 발광 표시 장치의 기판 상에 배치된 구조를 개략적인 평면도로 도시하면 도 2와 같다.
도면에서 참조부호 TFT는 상기 제1,2,3TFT(TR1,TR2,TR3) 및 캐패시터(Cst, Cvth)를 포함한 박막트랜지스터가 배치된 영역을 나타내며, EL은 EL소자를 나타낸 것이다. 실제로는 EL소자(EL)와 박막트랜지스터(TFT)가 서로 연결되어 있지만 여기서는 개략적인 블록으로 표시하였다.
그리고, 참조부호 GC는 전술한 바와 같이 박막트랜지스터(TFT)의 제3TFT(TR3)에 연결되는 보상제어신호배선을 나타내며, 참조부호 Vdd1,2는 상기한 전원전압공급배선을 나타낸다.
여기서, 상기 전원전압공급배선(Vdd1, Vdd2)은 도면과 같이 EL소자(EL)와 박막트랜지스터(TFT)를 포함한 픽셀의 양측에 제1ELVdd배선(Vdd1)과 제2ELVdd배선(Vdd2)으로 분할 배치되어 있음을 알 수 있다. 즉, 픽셀 주변을 지나는 전원전압공급배선(Vdd1, Vdd2)이 단일선으로 형성된 것이 아니라, 실제 기판 상에서는 픽셀을 중심으로 양측에 분할 배치된 제1ELVdd배선(Vdd1)과 제2ELVdd배선(Vdd2)으로 형성되어 있는 것이다.
그리고, 제1ELVdd배선(Vdd1)과 제2ELVdd배선(Vdd2)은 이들과 수직으로 배치된 메쉬배선(m)을 통해 서로 전기적으로 연결되어 있다. 그러니까, 전원전압공급배선을 제1ELVdd배선(Vdd1)과 제2ELVdd배선(Vdd2)으로 나눠서 픽셀의 양측으로 분할 배치하되, 메쉬배선(m)으로 서로 연결함으로써 실질적으로는 단일 배선처럼 제어할 수 있도록 한 것이다.
이와 같이 전원전압공급배선을 제1ELVdd배선(Vdd1)과 제2ELVdd배선(Vdd2)으로 분할하여 픽셀의 양측에 배치하는 이유는, 상기 보상제어신호배선(GC)과 같이 전원전압공급배선을 가로지르며 박막트랜지스터(TFT)와 연결되는 배선과의 오버랩 면적을 줄이기 위해서이다.
즉, 전술한 바와 같이 전원전압공급배선(Vdd1. Vdd2)은 유기 발광 표시 장치에 구비되는 배선들 중 폭이 가장 넓은 배선이기 때문에, 오버랩되는 인접 층의 다른 배선과의 사이에서 쇼트가 발생할 확률이 상대적으로 높다. 그런데, 기존의 구조는 상기 제1ELVdd배선(Vdd1)과 제2ELVdd배선(Vdd2)을 합친 폭만큼의 단일 배선이 상기 픽셀의 박막트랜지스터(TFT)와 보상제어신호배선(GC) 사이에 형성된 구조였기 때문에, 이를 가로지르는 보상제어신호배선(GC)과의 오버랩 면적도 덩달아서 커질 수밖에 없었다. 따라서, 당연히 두 배선 간에 쇼트가 일어날 확률도 높아지게 되는 문제가 있었지만, 본 발명의 구조와 같이 전원전압공급배선(Vdd1, Vdd2)을 제1ELVdd배선(Vdd1)과 제2ELVdd배선(Vdd2)으로 분할하여 픽셀의 양측으로 배치하면, 보상제어신호배선(GC)과 오버랩되는 면적이 절반으로 줄어들게 된다.
이렇게 되면 쇼트가 발생할 확률도 절반으로 줄어들게 되므로, 보다 안정적인 제품의 품질을 보장할 수 있게 된다.
이러한 구조의 유기 발광 표시 장치를 만들 때에는, 상기 보상제어신호배선(GC)을 먼저 형성한 후, 그 위에 절연층(미도시)을 사이에 두고 전원전압공급배선(Vdd1, Vdd2)을 형성하게 되는데, 이때 전술한 바와 같이 전원전압공급배선(Vdd1,Vdd2) 중 제2ELVdd배선(Vdd2)만 보상제어신호배선(GC)과 오버랩 되기 때문에 쇼트 발생 우려가 상당히 감소된 안정적인 유기 발광 표시 장치를 만들 수 있게 된다.
또한, 이와 같이 전원전압공급배선(Vdd1, Vdd2)을 분할 배치하게 되면 활성층에 대한 선택 결정화 작업이 수월해지는 효과도 얻을 수 있다. 즉, 유기 발광 표시 장치의 제조 시에는 상기 박막트랜지스터(TFT)에도 포함되는 활성층에 대한 결정화 작업이 수반되는데, 일반적으로 발광부인 상기 EL소자(EL) 영역을 제외한 나머지 영역에 대해 선택 결정화가 진행된다. 이때, 본 실시예와 같이 전원전압공급배선(Vdd1, Vdd2)이 분할 배치되어 있으면, 결정화가 진행되는 영역의 폭도 상대적으로 좁아지게 된다. 따라서, 작업 시간이 단축되고, 그에 따라 결정화 돌기가 너무 크게 형성되어 생기는 돌기성 불량도 줄일 수 있게 된다.
그리고, 전원전압공급배선(Vdd1, Vdd2)을 분할 배치하게 되면 리페어(repair) 작업도 한결 편리해질 수 있다. 즉, 만일의 경우 전원전압공급배선(Vdd1, Vdd2)의 어느 한 지점에서 쇼트가 발생한다 하더라도, 배선(Vdd1, Vdd2)이 둘로 분할 배치되어 있어서 그만큼 조치를 취할 수 있는 경로가 많아지게 되므로, 결과적으로 리페어 작업을 쉽게 처리할 수 있게 된다.
그러므로, 상기한 실시예와 같은 유기 발광 표시 장치는 전원전압공급배선과 다른 배선간의 오버랩 면적을 줄일 수 있게 구성되어 있으므로 그만큼 쇼트 발생의 위험이 줄어들게 되며, 결과적으로 제품의 불량률을 낮추는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
EL...EL소자 GC...보상제어신호배선
TFT...박막트랜지스터 Vdd1,Vdd2...제1,2ELVdd배선
m...메쉬배선

Claims (10)

  1. EL소자와 박막트랜지스터를 각각 포함하고 있는 다수의 픽셀들과,
    상기 픽셀들의 박막트랜지스터에 전압을 인가하기 위한 전원전압공급배선을 구비하며,
    상기 전원전압공급배선은 상기 각 픽셀들의 양측으로 분할 배치된 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원전압공급배선은 상기 각 픽셀을 중심으로 양측에 대치되게 배치된 제1ELVdd배선 및 제2ELVdd배선을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1ELVdd배선과 제2ELVdd 배선을 서로 전기적으로 연결하는 메쉬배선이 더 구비된 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 전원전압공급배선과 오버랩되는 영역을 가지며 인접 층에 배치된 보상제어신호배선이 더 구비된 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 보상제어신호배선은 상기 제1ELVdd배선과 제2ELVdd배선 중 어느 한 배선과 오버랩되는 유기 발광 표시 장치.
  6. 기판 상에 EL소자와 박막트랜지스터를 각각 포함하고 있는 다수의 픽셀들을 형성하는 단계와,
    상기 픽셀들의 박막트랜지스터에 전압을 인가하기 위해 상기 각 픽셀들의 양측으로 분할 배치되는 전원전압공급배선을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 전원전압공급배선은 상기 각 픽셀을 중심으로 양측에 대치되게 배치된 제1ELVdd배선 및 제2ELVdd배선을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1ELVdd배선과 제2ELVdd 배선을 서로 전기적으로 연결하는 메쉬배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 전원전압공급배선의 인접 층에 그 전원전압공급배선과 오버랩되는 영역을 가지는 보상제어신호배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보상제어신호배선을 상기 제1ELVdd배선과 제2ELVdd배선 중 어느 한 배선과 오버랩되게 하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
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