CN104064682A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件,包括基板、有机发光单元、密封件、阻挡层和封装盖板,有机发光单元形成于基板的表面且覆盖基板的部分表面,密封件包括筒体及密封筒体一端的盖体,筒体套设于有机发光单元且盖体盖设于与机电致发光单元远离基板的表面,筒体远离盖体的一端与基板密封固接,阻挡层层叠于盖体远离有机发光单元的表面,封装盖板层叠于阻挡层的表面;密封件的材料包括光固化粘合剂及分散在光固化粘合剂中的吸水剂,阻挡层的材料选自氮化硅、二氧化硅及三氧化二铝中的至少一种。上述有机电致发光器件的使用寿命较长。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光技术领域,特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
随着绿色环保能源,移动通信和信息显示的发展趋势,目前有机电致发光(OLED)显示照明技术发展越来越迅速,随着应用领域的扩大。
稳定发光是OLED发光器件能否商业化应用首选需要解决的问题。由于OLED发光层中的多数有机物对于大气中的水、氧分子都十分敏感,容易使有机层中化合物发生水解或者氧化,从而使有机物分子降解,失去其在OLED中的对应功能,从而导致OLED器件失效。因此,需要通过封装来保证OLED器件内部的密封性,尽可能的减少与外部环境的水、氧分子的接触。对于刚性基板的OLED器件,通常采用玻璃盖板或者金属盖板封装,通过UV胶粘结形成密封结构,因为这些盖板材料本身具有良好的阻隔性能,但是UV胶本身在固化时容易存在一些缺陷,导致水、氧分子会渗透过UV胶而到达OLED器件内部,从而使器件失效,使用寿命较短。
发明内容
基于此,有必要针对现有的有机电致发光器件的使用寿命较短的问题,提供一种使用寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件包括基板、有机发光单元、密封件、阻挡层和封装盖板,所述有机发光单元形成于所述基板的表面且覆盖所述基板的部分表面,所述密封件包括筒体及密封所述筒体一端的盖体,所述筒体套设于所述有机发光单元且所述盖体盖设于所述与机电致发光单元远离所述基板的表面,所述筒体远离所述盖体的一端与所述基板密封固接,所述阻挡层层叠于所述盖体远离所述有机发光单元的表面,所述封装盖板层叠于所述阻挡层的表面;所述密封件的材料包括光固化粘合剂及分散在所述光固化粘合剂中的吸水剂,所述阻挡层的材料选自氮化硅、二氧化硅及三氧化二铝中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述吸水剂选自二氧化钛、氧化锆、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氯化钙及氯化镁中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述吸水剂与所述光固化粘合剂的质量比为5:100~30:100。
在其中一个实施例中,所述筒体沿平行于所述基板的方向延伸的厚度为5mm~10mm。
在其中一个实施例中,所述盖体沿垂直于所述基板的方向延伸的厚度为20μm~80μm。
在其中一个实施例中,所述阻挡层共有多个,多个阻挡层依次层叠。
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
在基板的表面制备有机发光单元,所述有机发光单元覆盖所述基板的部分表面;
在所述基板的表面及所述有机发光单元的表面涂敷含有吸水剂的光固化粘合剂形成密封件,所述密封件包括筒体及密封所述筒体一端的盖体,所述筒体套设于所述有机发光单元且所述盖体覆盖所述有机电致发光单元远离所述基板的表面,所述筒体远离所述盖体的一端与所述基板抵接;
将表面形成有阻挡层的封装盖板覆盖在所述盖体远离所述有机发光单元的表面,所述阻挡层位于所述盖体及所述封装盖板之间,所述阻挡层的材料选自氮化硅、二氧化硅及三氧化二铝中的至少一种;及
对所述密封件进行光固化处理,使所述筒体远离所述盖体的一端与所述基板密封固接,所述盖体与所述阻挡层固接。
在其中一个实施例中,还包括步骤:在封装盖板的表面溅射制备阻挡层,以制备表面形成有阻挡层的封装盖板。
在其中一个实施例中,所述阻挡层共有多个,多个阻挡层依次层叠。
在其中一个实施例中,所述表面形成有阻挡层的封装盖板通过辊压的方式覆盖在所述盖体远离所述有机发光单元的表面。
上述有机电致发光器件及其制备方法,有机发光单元收容在密封件与基板形成密封的收容结构内,可以阻挡水氧向有机发光单元渗透;同时密封件的材料包括光固化粘合剂及分散在光固化粘合剂中的吸水剂,吸水剂还可以对渗透的水分子进行吸收;阻挡层具有较好的水氧阻挡效果,可以进一步提高有机电致发光器件的防水氧能力,能够有效地保护收容结构内的有机发光单元,使得有机电致发光器件的使用寿命较长。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100,包括基板10、有机发光单元20、密封件30、阻挡层40及封装盖板50。
基板10为玻璃基板。
有机发光单元20包括依次层叠的阳极(图未示)、空穴传输层(图未示)、发光层(图未示)、电子注入层(图未示)及阴极(图未示)。
阳极形成于基板10的表面,阳极覆盖基板10的部分表面。优选的,阳极10位于基板10的中间位置。阳极的材料为铟锡氧化物(ITO)。阳极的厚度为100纳米。
空穴传输层形成于阳极的表面。空穴传输层的材料N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)形成。空穴传输层的厚度为50纳米。
发光层形成于空穴传输层的表面。发光层的材料(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)。(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)具有电子传输性能,发光层兼具发光和电子传输性能。发光层的厚度为30纳米。
电子注入层形成于发光层的表面。电子注入层的材料为氟化锂(LiF)。电子注入层的厚度为1纳米。
阴极形成于电子注入层的表面。阴极的材料为银(Ag)。阴极的厚度为100纳米。
当然,有机发光单元20中空穴传输层及电子注入层可以省略,也可以根据需要设置其他功能层。有机发光单元20中各层的材料不限于为上述列举的材料,也可以为其他的业内常用材料。
优选的,有机发光单元20位于基板10的中间位置。
需要说明的是,有机发光单元20可以长方形片状结构、正方形片状结构、圆形片状结构或椭圆形片状结构,也可以为其他不规则的形状。
密封件30包括筒体32及密封筒体32的一端的盖体34。
筒体32套设于有机发光单元20且盖体34盖设于机发光单元20表面。筒体32的内壁与有机发光单元20的侧壁粘合。筒体32远离盖体34的一端与基板10密封固接,从而将有机发光单元20收容在由基板10及密封件30形成收容空间内。具体在本实施方式中,盖体34形成于有机发光单元20的阴极表面。优选的,筒体32的厚度为5mm~10mm。筒体32的厚度即筒体32在沿平行于基板10的方向延伸的厚度。由于筒体32的厚度不低于5mm,从而筒体32与基板10的粘合的面积较大,密封效果较好。盖体34的厚度为20μm~80μm。盖体34的厚度即盖体34在沿垂直于基板10的方向延伸的厚度。
密封件30的材料包括光固化粘合剂及分散在光固化粘合剂中的吸水剂,使得密封件30兼具密封和吸水的作用。
优选地,第一光固化粘合剂为环氧树脂粘合剂、丙烯酸酯粘合剂或硅氧烷类光固化粘合剂。
吸水剂选自二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO)、氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)、氯化钙(CaCl2)及氯化镁(MgCl2)中的至少一种。
优选地,吸水剂的粒径为50纳米~200纳米,以能够和第一光固化粘合剂充分混合均匀。
优选地,吸水剂与光固化粘合剂的质量比为5:100~30:100,以保证密封件30具有较高的吸水性能和较强的粘合强度。
阻挡层40形成于盖体34远离有机发光单元20的表面。阻挡层40的材料选自氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)及三氧化二铝(Al2O3)中的至少一种。阻挡层40的厚度为500nm~2000nm。需要说明的是,阻挡层40的数量不限于为一个,也可以为多个,多个阻挡层40依次层叠。
封装盖板50形成于阻挡层40表面。封装盖板50的材料为聚对苯二甲酸乙二酯、聚醚砜树脂或聚萘二甲酸乙二醇酯。封装盖板50的厚度为0.1mm~1mm。
上述有机电致发光器件100的有机发光单元20收容在密封件30与基板10形成密封的收容结构内,可以阻挡水氧向有机发光单元20渗透;同时密封件30的材料包括光固化粘合剂及分散在光固化粘合剂中的吸水剂,吸水剂还可以对渗透的水分子进行吸收;阻挡层40具有较好的水氧阻挡效果,可以进一步提高有机电致发光器件100的防水氧能力,能够有效地保护收容结构内的有机发光单元20,使得有机电致发光器件100的使用寿命较长。
请同时参阅图2,一实施方式的有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
步骤S110、在基板10的表面制备有机发光单元20,有机发光单元20覆盖基板10的部分表面。
基板10为玻璃基板。
优选的,基板10在使用之前先进行清洗。
有机发光单元20包括依次层叠的阳极(图未示)、空穴传输层(图未示)、发光层(图未示)、电子注入层(图未示)及阴极(图未示)。本实施方式中,有机发光单元20在真空镀膜系统中,阳极利用溅射工艺制备,其他功能层利用真空热蒸镀工艺制备。
阳极形成于基板10的表面,阳极覆盖基板10的部分表面。优选的,阳极10位于基板10的中间位置。阳极的材料为铟锡氧化物(ITO)。阳极的厚度为100纳米。
空穴传输层形成于阳极的表面。空穴传输层的材料N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)形成。空穴传输层的厚度为50纳米。
发光层形成于空穴传输层的表面。发光层的材料(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)。(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)具有电子传输性能,发光层兼具发光和电子传输性能。发光层的厚度为30纳米。
电子注入层形成于发光层的表面。电子注入层的材料为氟化锂(LiF)。电子注入层的厚度为1纳米。
阴极形成于电子注入层的表面。阴极的材料为银(Ag)。阴极的厚度为100纳米。
当然,有机发光单元20中空穴传输层及电子注入层可以省略,也可以根据需要设置其他功能层。有机发光单元20中各层的材料不限于为上述列举的材料,也可以为其他的业内常用材料。
优选的,有机发光单元20位于基板10的中间位置。
需要说明的是,有机发光单元20可以长方形片状结构、正方形片状结构、圆形片状结构或椭圆形片状结构,也可以为其他不规则的形状。
步骤S120、在基板10的表面及有机发光单元20的表面涂敷含有吸水剂的光固化粘合剂形成密封件30,密封件30包括筒体32及密封筒体32一端的盖体34,筒体32套设于有机发光单元20且盖体34覆盖有机电致发光单元20远离基板10的表面,筒体32远离盖体34的一端与基板10抵接。
具体在本实施方式中,盖体34形成于有机发光单元20的阴极表面。优选的,筒体32的厚度为5mm~10mm。筒体32的厚度即筒体32在沿平行于基板10的方向延伸的厚度。由于筒体32的厚度不低于5mm,从而筒体32与基板10的粘合的面积较大,密封效果较好。盖体34的厚度为20μm~80μm。盖体34的厚度即盖体34在沿垂直于基板10的方向延伸的厚度。
密封件30的材料包括光固化粘合剂及分散在光固化粘合剂中的吸水剂,使得密封件30兼具密封和吸水的作用。
优选地,第一光固化粘合剂为环氧树脂粘合剂、丙烯酸酯粘合剂或硅氧烷类光固化粘合剂。
吸水剂选自二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO)、氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)、氯化钙(CaCl2)及氯化镁(MgCl2)中的至少一种。
优选地,吸水剂的粒径为50纳米~200纳米,以能够和第一光固化粘合剂充分混合均匀。
优选地,吸水剂与光固化粘合剂的质量比为5:100~30:100,以保证密封件30具有较高的吸水性能和较强的粘合强度。
步骤S130、在封装盖板50表面溅射制备阻挡层40。
阻挡层40的材料选自氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)及三氧化二铝(Al2O3)中的至少一种。阻挡层40的厚度为500nm~2000nm。
封装盖板50的材料为聚对苯二甲酸乙二酯、聚醚砜树脂或聚萘二甲酸乙二醇酯。封装盖板50的厚度为0.1mm~1mm。
需要说明的是,阻挡层40的数量不限于为一个,也可以为多个,多个阻挡层40依次层叠。此时重复步骤130多次即可。
步骤S140、将表面形成有阻挡层40的封装盖板50覆盖在盖体34远离有机发光单元20的表面,阻挡层50位于盖体34及封装盖板50之间。
优选的,表面形成有阻挡层40的封装盖板50通过辊压的方式覆盖在盖体34远离有机发光单元20的表面。
步骤S150、对密封件30进行光固化处理,使筒体32远离盖体34的一端与基板10密封固接,盖体34与阻挡层40固接。
本实施方式中,由于密封件30由涂敷含有吸水剂的光固化粘合剂形成,该步骤中在UV等下通过照射即可固化粘合固定,形成密封的结构。
需要说明的是,步骤S110~步骤S150不限于采取上述次序执行,步骤S130也可在步骤S110或步骤S120之前执行。步骤S130可以省略,此时直接购买表面形成有阻挡层40的封装盖板50即可。
以下为具体实施例。
实施例1
将玻璃基板清洗干净并干燥后,采用真空蒸镀依次在玻璃基板上形成阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极,阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极依次层叠形成层叠于玻璃基板上的有机发光单元,有机发光单元设置于玻璃基板的中部,并覆盖玻璃基板的部分表面;其中,阳极由铟锡氧化物形成,阳极的厚度为100纳米;空穴传输层由N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺形成,空穴传输层的厚度为50纳米;发光层由(8-羟基喹啉)-铝形成,发光层的厚度为30纳米;电子注入层由氟化锂形成,电子注入层的厚度为1纳米;阴极由金属银形成,阴极的厚度为100纳米,蒸镀时的真空度为1×10-3Pa,蒸发速度为0.2nm/s;
取封装盖板,材料为PET,厚度为0.1mm,通过溅射工艺,在封装盖板上制备阻挡层,阻挡层材质为SiO2,厚度为500nm;
将粒径为50纳米的氧化锆与丙烯酸酯光固化粘合剂进行混合得到混合物,氧化锆与丙烯酸酯光固化剂的质量比为5:100,将该混合物涂覆在玻璃基板及有机发光单元表面形成密封件,密封件包括筒体及密封筒体一端的盖体,筒体套设于有机发光单元且盖体覆盖有机电致发光单元远离基板的表面,筒体远离盖体的一端与基板抵接;
将表面制备有阻挡层的封装盖板通过辊压的方式覆盖在盖体表面,在UV灯下照射,对密封件进行光固化,筒体的宽度为5mm,盖体的厚度为20μm。
实施例2
将玻璃基板清洗干净并干燥后,采用真空蒸镀依次在玻璃基板上形成阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极,阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极依次层叠形成层叠于玻璃基板上的有机发光单元,有机发光单元设置于玻璃基板的中部,并覆盖玻璃基板的部分表面;其中,阳极由铟锡氧化物形成,阳极的厚度为100纳米;空穴传输层由N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺形成,空穴传输层的厚度为50纳米;发光层由(8-羟基喹啉)-铝形成,发光层的厚度为30纳米;电子注入层由氟化锂形成,电子注入层的厚度为1纳米;阴极由金属银形成,阴极的厚度为100纳米,蒸镀时的真空度为1×10-5Pa,蒸发速度为0.1nm/s;
取封装盖板,材料为PES,厚度为0.2mm,通过溅射工艺,在封装盖板上制备阻挡层,阻挡层材质为Si3N4,厚度为1000nm;
将粒径为200纳米的氧化钡与环氧树脂光固化粘合剂进行混合得到混合物,氧化钡与环氧树脂光固化粘合剂的质量比为30:100,将该混合物涂覆在玻璃基板及有机发光单元表面形成密封件,密封件包括筒体及密封筒体一端的盖体,筒体套设于有机发光单元且盖体覆盖有机电致发光单元远离基板的表面,筒体远离盖体的一端与基板抵接;
将表面制备有阻挡层的封装盖板通过辊压的方式覆盖在盖体表面,在UV灯下照射,对密封件进行光固化,筒体的宽度为10mm,盖体的厚度为80μm。
实施例3
将玻璃基板清洗干净并干燥后,采用真空蒸镀依次在玻璃基板上形成阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极,阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极依次层叠形成层叠于玻璃基板上的有机发光单元,有机发光单元设置于玻璃基板的中部,并覆盖玻璃基板的部分表面;其中,阳极由铟锡氧化物形成,阳极的厚度为100纳米;空穴传输层由N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺形成,空穴传输层的厚度为50纳米;发光层由(8-羟基喹啉)-铝形成,发光层的厚度为30纳米;电子注入层由氟化锂形成,电子注入层的厚度为1纳米;阴极由金属银形成,阴极的厚度为100纳米,蒸镀时的真空度为1×10-4Pa,蒸发速度为0.2nm/s;
取封装盖板,材料为PES,厚度为0.18mm,通过溅射工艺,在封装盖板上制备阻挡层,阻挡层共有四层,依次为Si3N4(500nm)/Al2O3(500nm)/Si3N4(500nm)/Al2O3(500nm),形成的结构为PES/Si3N4/Al2O3/Si3N4/Al2O3;
将粒径为100纳米的吸水剂与硅氧烷光固化粘合剂进行混合得到混合物,吸水剂为氧化钙与氯化钙的混合物,其中氧化钙与氯化钙的质量比为1:1,吸水剂与硅氧烷光固化粘合剂的质量比为20:100,将该混合物涂覆在玻璃基板及有机发光单元表面形成密封件,密封件包括筒体及密封筒体一端的盖体,筒体套设于有机发光单元且盖体覆盖有机电致发光单元远离基板的表面,筒体远离盖体的一端与基板抵接;
将表面制备有阻挡层的封装盖板通过辊压的方式覆盖在盖体表面,在UV灯下照射,对密封件进行光固化,筒体的宽度为8mm,盖体的厚度为60μm。
实施例4
将玻璃基板清洗干净并干燥后,采用真空蒸镀依次在玻璃基板上形成阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极,阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极依次层叠形成层叠于玻璃基板上的有机发光单元,有机发光单元设置于玻璃基板的中部,并覆盖玻璃基板的部分表面;其中,阳极由铟锡氧化物形成,阳极的厚度为100纳米;空穴传输层由N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺形成,空穴传输层的厚度为50纳米;发光层由(8-羟基喹啉)-铝形成,发光层的厚度为30纳米;电子注入层由氟化锂形成,电子注入层的厚度为1纳米;阴极由金属银形成,阴极的厚度为100纳米,蒸镀时的真空度为1×10-4Pa,蒸发速度为0.2nm/s;
取封装盖板,材料为PEN,厚度为0.2mm,通过溅射工艺,在封装盖板上制备阻挡层,阻挡层共有四层,依次为Si3N4(300nm)/SiO2(500nm)/Si3N4(300nm)/SiO2(500nm),形成的结构为PEN/Si3N4/SiO2/Si3N4/SiO2;
将粒径为80纳米的氯化镁与硅氧烷光固化粘合剂进行混合得到混合物,氯化镁与硅氧烷光固化粘合剂的质量比为15:100,将该混合物涂覆在玻璃基板及有机发光单元表面形成密封件,密封件包括筒体及密封筒体一端的盖体,筒体套设于有机发光单元且盖体覆盖有机电致发光单元远离基板的表面,筒体远离盖体的一端与基板抵接;
将表面制备有阻挡层的封装盖板通过辊压的方式覆盖在盖体表面,在UV灯下照射,对密封件进行光固化,筒体的宽度为5mm,盖体的厚度为50μm。
对比例1
将玻璃基板清洗干净并干燥后,采用真空蒸镀依次在玻璃基板上形成阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极,阳极、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极依次层叠形成层叠于玻璃基板上的有机发光单元,有机发光单元设置于玻璃基板的中部,并覆盖玻璃基板的部分表面;其中,阳极由铟锡氧化物形成,阳极的厚度为100纳米;空穴传输层由N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺形成,空穴传输层的厚度为50纳米;发光层由(8-羟基喹啉)-铝形成,发光层的厚度为30纳米;电子注入层由氟化锂形成,电子注入层的厚度为1纳米;阴极由金属银形成,阴极的厚度为100纳米,蒸镀时的真空度为1×10-3Pa,蒸发速度为0.1nm/s;
取封装盖板,材料为PET,厚度为0.1mm,通过溅射工艺,在封装盖板上制备阻挡层,阻挡层材质为SiO2,厚度为500nm;
将丙烯酸酯光固化粘合剂涂覆在玻璃基板及有机发光单元表面形成密封件,密封件包括筒体及密封筒体一端的盖体,筒体套设于有机发光单元且盖体覆盖有机电致发光单元远离基板的表面,筒体远离盖体的一端与基板抵接;
将表面制备有阻挡层的封装盖板通过辊压的方式覆盖在盖体表面,在UV灯下照射,对密封件进行光固化,筒体的宽度为5mm,盖体的厚度为20μm。
表1为实施例1~4及对比例1的有机电致发光器件在起始亮度为1000cd/m2下,亮度衰减到初始亮度的70%时的使用寿命。
表1实施例1~4及对比例1的有机电致发光器件的使用寿命
由上表1可看出,与对比例1的有机电致发光器件相比,实施例1~4的有机电致发光器件的使用寿命分别提高了95%、81%、86%及100%,说明同时用密封件和阻挡层进行封装的密封效果较好,可以有效提高有机电致发光器件的寿命。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括基板、有机发光单元、密封件、阻挡层和封装盖板,所述有机发光单元形成于所述基板的表面且覆盖所述基板的部分表面,所述密封件包括筒体及密封所述筒体一端的盖体,所述筒体套设于所述有机发光单元且所述盖体盖设于所述与机电致发光单元远离所述基板的表面,所述筒体远离所述盖体的一端与所述基板密封固接,所述阻挡层层叠于所述盖体远离所述有机发光单元的表面,所述封装盖板层叠于所述阻挡层的表面;所述密封件的材料包括光固化粘合剂及分散在所述光固化粘合剂中的吸水剂,所述阻挡层的材料选自氮化硅、二氧化硅及三氧化二铝中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述吸水剂选自二氧化钛、氧化锆、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氯化钙及氯化镁中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述吸水剂与所述光固化粘合剂的质量比为5:100~30:100。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述筒体沿平行于所述基板的方向延伸的厚度为5mm~10mm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述盖体沿垂直于所述基板的方向延伸的厚度为20μm~80μm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阻挡层共有多个,多个阻挡层依次层叠。
7.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在基板的表面制备有机发光单元,所述有机发光单元覆盖所述基板的部分表面;
在所述基板的表面及所述有机发光单元的表面涂敷含有吸水剂的光固化粘合剂形成密封件,所述密封件包括筒体及密封所述筒体一端的盖体,所述筒体套设于所述有机发光单元且所述盖体覆盖所述有机电致发光单元远离所述基板的表面,所述筒体远离所述盖体的一端与所述基板抵接;
将表面形成有阻挡层的封装盖板覆盖在所述盖体远离所述有机发光单元的表面,所述阻挡层位于所述盖体及所述封装盖板之间,所述阻挡层的材料选自氮化硅、二氧化硅及三氧化二铝中的至少一种;及
对所述密封件进行光固化处理,使所述筒体远离所述盖体的一端与所述基板密封固接,所述盖体与所述阻挡层固接。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,还包括步骤:在封装盖板的表面溅射制备阻挡层,以制备表面形成有阻挡层的封装盖板。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述阻挡层共有多个,多个阻挡层依次层叠。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述表面形成有阻挡层的封装盖板通过辊压的方式覆盖在所述盖体远离所述有机发光单元的表面。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310092192.9A CN104064682A (zh) | 2013-03-21 | 2013-03-21 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104064682A true CN104064682A (zh) | 2014-09-24 |
Family
ID=51552305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310092192.9A Pending CN104064682A (zh) | 2013-03-21 | 2013-03-21 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104064682A (zh) |
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