TW201523953A

TW201523953A - 有機電子裝置

Info

Publication number: TW201523953A
Application number: TW103134115A
Authority: TW
Inventors: Jun-Rye Choi; Jung-Hyoung Lee
Original assignee: Lg Chemical Ltd
Priority date: 2013-09-30
Filing date: 2014-09-30
Publication date: 2015-06-16
Also published as: TWI593153B; JP6345244B2; JP2016528702A; EP2983224A4; CN105247702A; CN105247702B; US9755188B2; KR20150037702A; KR101614048B1; EP2983224B1; WO2015047049A1; EP2983224A1; US20160072101A1

Abstract

本發明提供一種有機電子裝置(OED)及其用途。該OED例如一可撓裝置，可具有優異光提取效率及耐久性。該OED可應用於發光裝置或顯示器之光源。

Description

有機電子裝置

本發明係關於一種有機電子裝置(OED)及其用途。

OED為一種包含至少一能夠進行電流傳導之有機材料層之裝置。OED的種類包含有機發光裝置(OLED)、有機光伏打電池、有機光導體(OPC)或有機電晶體。

傳統上，如OLED之代表性OED，依序包含基板、透明電極層、有機層、以及反射電極層。在底部發光裝置之結構中，透明電極層可形成為透明電極層，且反射電極層可形成為反射電極層。此外，在頂部發光裝置之結構中，透明電極層可形成為反射電極層，且反射電極層可形成為透明電極層。由電極層注入電子及電洞，並在有機層中之發光單元中結合，進而產生光線。該光線可發射至基板或反射電極層。在OLED結構中，由於常用來作為透明電極層之氧化銦錫(ITO)、有機層和基板間之折射率差，由發光單元產生之光線因總內部反射而困在有機層和透明電極層之間的介面或基板中，僅有極少量光線發射出去。據此，多種方法被提出來界決這個問題，目前提出的方法應用在利用堅硬的基板之結構上，例如玻璃基板，並且多種針對可撓裝置結構上之研究正在進行中。

考量OED的重要議題在於耐久性。由於有機層或電極可能非常容易受到如水或氧氣之外部物質影響而氧化，確保對環境因子之耐久性係相當重要。就此而言，在下方專利文件1至4提出防止外部物質滲入之結構。同時，在利用具有低阻隔性質之傳統基板之可撓結構中顯示更嚴重的與耐久性相關的問題。

[先前技術文件]

[專利文件]

專利文件1：美國專利號No. 6,226,890

專利文件2：美國專利號No. 6,808,828

專利文件3：日本專利早期公開號No. 2000-145627

專利文件4：日本專利早期公開號No. 2001-252505

本發明之目的在於提供一種有機電子裝置(OED)及其用途。本發明提供之OED及其用途，當OED做為一可撓OLED時，可具有優異光提取效率及耐久性。

在一實施態樣中，如圖1所示，OED於向上方向可依序包括一阻障膜101；一散射性壓敏黏著層102；一基膜103；一透明電極層104；一有機層105以及一反射電極層。該些層可不需在相鄰層間使用額外層而直接堆疊、或透過額外層進行堆疊。

如圖1所示，OED可包括基膜103、以及利用散射性壓敏黏著層102黏附至該基膜103下方之阻障膜101。於此，壓敏黏著層102可包含壓敏黏著劑1021和複數個散射粒子1022，且該些散射粒子可具有一高於該壓敏黏著劑之折射率。除了特定定義以外，折射率係指對於約550nm波長光線之折射率。

除非另有定義，在此使用的「向上方向」一詞表示從透明電極層至反射電極層之方向；以及除非另有定義，「向下方向」一詞表示從反射電極層至透明電極層之方向。

接著，在本發明說明書中，為了方便描述，在上述結構中，位於透明電極層下方之包含所有元件之區域(排除透明電極層)係稱為基板區，包含透明電極層、反射電極層、以及所有存在於透明電極層和反射電極層之間的元件之區域係稱為裝置區，以及位於反射電極層上之包含所有元件(排除反射電極層)之區域係稱為上部。

可包含於OED中之基膜類型並無特別限制。例如，可使用本技術領域中已知用於可撓裝置之一種做為基膜。基膜的代表性範例為一玻璃薄膜或一聚合物膜。作為玻璃膜，可使用由鈉鈣玻璃、含鋇/鍶玻璃、鉛玻璃、矽鋁酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃或石英形成之膜；且作為聚合物膜，可使用包含聚醯亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、丙烯酸樹脂、聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(PET)，聚(醚硫醚)(PES)或聚碸(PS)之膜，但本發明不限於此。

可使用透光膜作為基膜。「透光膜」一詞可表示：例如：對可見光區之任一光線或全部可見光區之光線之穿透度為50、60、70或80%以上之膜。基膜可為具有用於驅動之薄膜電晶體(TFT)之TFT基膜。

該基膜可具有約5至70ppm/℃之熱膨脹係數(CTE)，該範圍有利於防止如有機材料層和無機材料層一同存在之結構中發生中間層脫離之缺陷。

該基膜可具有200℃以上之玻璃轉換溫度。該玻璃轉換溫度可為基膜之玻璃轉換溫度、或其上形成有緩衝層之基膜之玻璃轉換溫度，下方將敘述緩衝層。此範圍可適合用於OED製造過程中之沉積或圖案化之高溫製程。在另一實施例中，該玻璃轉換溫度可為約210、220、230、240或250℃。例如，該玻璃轉換溫度之上限可為約400、350或300℃，但本發明不限於此。

在基膜中，均方根(RMS)可調整在約0.1至5nm之範圍內。此RMS可為基膜表面之RMS、或下方描述之基膜之緩衝層表面之RMS。表面粗糙度之範圍可利於改善形成於緩衝層上之層之性能。例如：當形成具有阻障性質之第一無機材料層，該無機材料層係形成在具有上述範圍RMS之表面上，因此可形成一具有優異隔水性質之層。在另一實施例中，該RMS可為約4、3、2.5或2nm或以下。

該基膜可具有約1.5、1.6、1.7或1.75或以上之折射率。除非另有定義，在此使用之「折射率」一詞表示對於約550nm波長光線之折射率。當OED為OLED時，基膜的折射率範圍可利於增加裝置之發光效率。例如：基膜之折射率上限可為約2.0，但不限於此。

基膜之厚度可根據所需性能(例如可撓性、光提取效率或阻障性)而適當選擇，並無特別限制。例如，該基膜可具有約10至50μm或20至30μm之厚度。

該阻障膜可利用一散射性壓敏黏著層黏附至該基膜下方。在此可使用的阻障膜類型並無特別限制，且例如可使用習知可形成於基膜(如塑膠膜)上之防水膜(如矽的氧化物、氮化物、或氮氧化物)。在一實施例中，阻障膜之結構可包含一聚合物基層及一形成於該基層之一表面或兩表面之無機材料層。作為包含於該阻障膜中之聚合物基膜，可從上述基膜(圖1中基膜103)中選擇適當類型。據此，聚合物基膜可具有上述基膜之穿透度、熱膨脹係數、玻璃轉換溫度、表面粗糙度及折射率中之至少一種物性。同時，作為無機材料層，例如可使用與下方描述之基板區中包含之第一無機材料層相同之無機材料層。

該阻障膜可利用一散射性壓敏黏著層黏附至該基膜下方。在此使用的「散射性壓敏黏著層」表示一形成用以散射入射光之壓敏黏著層。例如：該壓敏黏著層可具有一40、45或50%以上之霧值。利用具有此範圍內霧值之壓敏黏著層可改善OED的光提取效率。霧值之上限可為90、85、80、75或70%或以下，但不限於此。在本發明中，壓敏黏著層之霧值可經由下述實施例揭露之方法所測量。

散射性壓敏黏著劑可透過將壓敏黏著劑與散射粒子混合而製備。在此使用的「散射粒子」一詞可為：所有具有不同於周圍材料(如壓敏黏著劑)之折射率以及適當尺寸之粒子，進而散射、折射或衍射入射光。

作為該壓敏黏著劑，可無限制地使用習知技術領域中任一光學穿透性黏著劑。作為該壓敏黏著劑，可使用非交聯或交聯黏著劑，且該交聯黏著劑可為熱固化、蒸氣固化、室溫固化或活化能射線(如，UV或電子束)固化性之壓敏黏著劑。

光學透明性壓敏黏著劑之代表性範例可為一丙烯酸壓敏黏著劑、一烯烴類壓敏黏著劑、或一橡膠類壓敏黏著劑。且此種黏著劑之所有類型皆可用於本發明。就容易取得性和應用性、以及容易調整與下述散射粒子間之折射率關係而言，可使用一丙烯酸壓敏黏著劑。作為一丙烯酸壓敏黏著劑，例如：包含一(甲基)丙烯酸酯單體做為主要單元的傳統類型，且視需要可同時具有多種交聯官能基。此外，就調整壓敏黏著劑之霧值以及與下述散射粒子間之折射率關係而言，該壓敏黏著劑可具有約1.2至1.5或1.2至1.45之折射率。

作為包含於壓敏黏著層中之散射粒子，可使用具有不同於壓敏黏著劑之折射率之粒子。就包含壓敏黏著層之位置具有適當光提取效率而言，該些散射粒子可具有高於壓敏黏著劑之折射率。在本發明之OLED結構中，相較於壓敏黏著層包含具有低於壓敏黏著劑之折射率之散射粒子之情況，當壓敏黏著層包含具有高於壓敏黏著劑之折射率之散射粒子時，可在相同霧值範圍內展現相對高的光提取效率。在一實施例中，散射粒子之折射率(A)和壓敏黏著劑之折射率(B)之間的差值(A-B)可約為0.05、0.1、0.3或0.5以上。此外，折射率差值之上限可為約1.5、1.3、或1以下，但不限於此。在此範圍中，壓敏黏著劑之霧值可定義於適當範圍，且在適當程度之霧值範圍可確保更優異之光提取效率。

散射粒子之尺寸可適當調整而無特別限制。然而，當散射粒子相較於入射光波長而具有極小之尺寸，可能難以確保散射效果，因此散射粒子之平均粒徑可為：例如50、100、500或1000nm或以上。例如：散射粒子之平均粒徑可為10000nm以下。

這類散射粒子可為鋁、鋁矽酸鹽、氧化鈦或氧化鋯，僅須滿足上述條件而不特別限於特定類型。作為能夠輕易確保高折射率之粒子，可使用金紅石型(rutile-type)氧化鈦，且此種粒子亦可用於本發明。

在壓敏黏著層中之散射粒子比例可產生上述霧值，只要調整該比例時不影響壓敏黏著劑之壓敏黏著性，該比例並無特別限制。

除了上述成分以外，壓敏黏著層可包含一額外成分，例如與壓敏黏著劑交聯之交聯劑(如熱交聯劑或光學交聯劑)。

作為可包含於壓敏黏著層中之另一成份，可使用一防水材料。在此使用的「防水材料」一詞可包含一能夠透過物理或化學反應吸收或移除從外在環境滲入之水分或蒸氣之成份。可與黏著層混合之防水材料之具體類型可舉例為：一金屬氧化物、一有機金屬氧化物、一金屬鹽類、及五氧化二磷(P₂O₅)中之一種或至少兩種之混合物，但不限於此。在此，金屬氧化物的具體範例可為鋰氧化物(Li₂O)、氧化鈉(Na₂O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)、或氧化鎂(MgO)，但不限於此。該金屬鹽類可為：硫酸鹽，如硫酸鋰(Li₂SO₄)、硫酸鈉(Na₂SO₄)、硫酸鈣(CaSO₄)、硫酸鎂(MgSO₄)、硫酸鈷(CoSO₄)、硫酸鎵(Ga₂(SO₄)₃)、硫酸鈦(Ti(SO₄)₂)、或硫酸鎳(NiSO₄)；金屬鹵化物如氯化鈣(CaCl₂)、氯化鎂(MgCl₂)、氯化鍶(SrCl₂)、氯化釔(YCl₃)、氯化銅(CuCl₂)、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF₅)、氟化鈮(NbF₅)、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr₂)、溴化銫(CeBr₃)、溴化硒(SeBr₄)、溴化釩 (VBR₃)、溴化鎂(MgBr₂)、碘化鋇(BaI₂)、或碘化鎂(MgI₂)；或金屬氯酸鹽如過氯酸鋇(Ba(ClO₄)₂)或過氯酸鎂(Mg(ClO₄)₂)，但不限於此。

此外，防水材料的比例並無特別限制，可確保所需的防水性，且可在不減少散射性和壓敏黏著性下進行調整。

本發明之OED之基板區可包含一無機材料層，係形成於該基膜上作為一額外成份。如上所述，無機材料層之材料將於下方描述且可應用到上述阻障膜之無機材料層。此外，為了與可能形成在反射電極層上的無機材料層(將於下方描述)區別，包含於基板區中之無機材料層可稱為第一無機材料層。

在此使用的「無機材料層」一詞可為一包含重量50%以上或60%之無機材料之層。只要包含上述範圍之無機材料，該無機材料層可僅包含一無機材料，或包含另一成份，例如有機材料。例如：該第一無機材料可為一阻障層。在此使用的「阻障層」一詞可為一能夠防止、抑制、或降低外界物質(例如水或蒸氣)滲入，該些外界物質可能會對裝置(如有機層)性能有負面影響。例如：該阻障層可具有10^-4g/m²/day以下之水氣穿透率(WVTR)。在本說明書中，WVTR可為利用測量儀(例如PERMATRAN-W3/31,MOCON,Inc.)於40℃及90%相對濕度下所測得之值。

可使用任一種已知能夠減少、防止、或抑制如水或氧氣之外界物質滲入之材料來形成該阻障層。該材料可為已知材料，如銦、錫、鉛、金、銅、銀、鋁、鈦或鎳之金屬；如氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(TiO₂)、三氧化鈦(Ti₃O₃)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鎂(MgO)、氧化矽(SiO)、二氧化矽(SiO₂)、氧化鍺(GeO)、氧化鎳(NiO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鐵(Fe₂O₃)、氧化釔(Y2O₃)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鈮(Nb₂O₃)、或氧化鈰(CeO₂)之金屬氧化物；如氮化矽(SiN)之金屬氮化物；如氮氧化矽(SiON)之金屬氮氧化物；如氟化鎂(MgF₂)、氟化鋰(LiF)、氟化鋁(AlF₃)、或氟化鈣(CaF₂)之金屬氟化物；具有1%以上吸收率之吸收材料、或具有0.1%以下吸收係數之防水材料。

第一無機材料層可形成為單層結構或多層結構。多層結構可包含：相同類型或不同類型之無機材料層之堆疊結構、或無機材料層和有機層之堆疊結構。例如：當使用多層結構之無機材料層作為一阻障層，每一層不應由具有隔離性質之材料所形成，而最終形成的多層結構展現所需的阻障性質。在多層結構中的部分層可形成為不具阻障性質的層。為了防止在無機材料層的製程中發生如孔洞之缺陷，較佳為將無機材料層形成在多層結構中。此外，具有多層結構之阻障層亦可利於形成確保下方折射率之阻障層。

第一無機材料層與基膜之間可具有較小的折射率差。例如，第一無機材料層和基膜之間的折射率差的絕對值可約為1、0.7、0.5、或0.3或以下。據此，當基膜具有上述之高折射率，無機材料層亦可具有相同程度的高折射率。例如：無機材料層之折射率可為約1.5、1.6、1.7或1.75以上。當OED為OLED時，基膜之折射率範圍可利於增加裝置之發光效率。例如：無機材料層之折射率上限可為約2.0，但不限於此。

例如：第一無機材料層可為包含一第一次層及一第二次層之一堆疊結構，可包含至少兩個堆疊結構。

在一實施例中，該第一次層可具有一第一折射率，該第二次層可具有一第二折射率。當該些層堆疊時，利於確保一去耦合效果(decoupling effect)，並將無機材料層之折射率調整於上述範圍內。例如：該第一折射率與該第二折射率之間之差值之絕對值可為0.1至1.2。第一折射率與該第二折射率之各自範圍並無特別限制，僅須確保上述折射率範圍即可。例如：第一次層之折射率範圍可為1.4至1.9，且第二次層之折射率範圍可為2.0至2.6。第一次層及第二次層可各自為一金屬氧化層。例如，具有上述折射率之第一次層之合適材料可為氧化鋁(Al₂O₃)，且第二次層之合適材料可為氧化鈦(TiO₂)。然而，可使用各種材料，僅需各層具有上述折射率且最終堆疊結構具有一阻障性質。

在另一實施例中，第一次層可為一金屬層，及第二次層可為一有機矽層，在此使用的「金屬層」一詞可為一包含重量40、50%或60%以上之金屬之層，且金屬可包含單獨金屬、或金屬氧化物或合金的形式。根據此堆疊結構，可確保適當的去耦合效果，進而膜層可具有所需性能，例如優異阻障性質。例如：該金屬層可為金屬氧化物層，且具有例如約1.4至2.6之折射率。在一實施例中，該金屬層可由金屬氧化物形成，例如氧化鋁(Al₂O₃)或氧化鈦(TiO₂)，可作為上述阻障層之材料。

例如，該有機矽層可包含式1之化合物或式2之化合物，或一包含該化合物之聚合單元之聚合物。

[式1]R¹(R¹ ₂SiO)_nR¹

在式1中，R¹可各自獨立為氫、羥基、環氧基、烷氧基或單價烴基，且n可為1至10、1至8、1至6或1至4之整數。

在式2中，R^d及R^e可各自獨立為氫、羥基、環氧基、烷氧基或單價烴基，且o可為3至10、3至8、3至6或3至4之整數。

除非另有定義，在此使用的「單價烴基」可為從一由碳和氫組成之化合物或該化合物之衍伸物衍伸而來之單價殘基。例如：單價烴基可包含1至25個碳原子。單價烴基可為烷基、烯基、炔基或芳基。

若無另外定義，在此使用的「烷基」一詞可為具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4個碳原子之烷基。烷基可為線性、支鏈或環狀。此外，烷基可選擇性地經由至少一取代基所取代。

若無另外定義，在此使用的「烷氧基」一詞可為具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4個碳原子之烷氧基。烷氧基可為線性、支鏈或環狀。此外，烷氧基可選擇性地經由至少一取代基所取代。

若無另外定義，在此使用的「烯基」一詞可為具有2至20、2至16、2至12、2至8或2至4個碳原子之烯基。烯基可為線性、支鏈或環狀，且可選擇性地經由至少一取代基所取代。

若無另外定義，在此使用的「炔基」一詞可為具有2至20、2至16、2至12、2至8或2至4個碳原子之炔基。炔基可為線性、支鏈或環狀，且可選擇性地經由至少一取代基所取代。

若無另外定義，在此使用的「芳基」一詞可為從結構中包括苯環、或至少兩個苯環相連、或至少兩個苯環互相縮合或結合並共享一個或至少兩個碳原子之化合物、或其衍伸物所衍伸出來的單價殘基。在此說明書中所述之芳基範圍內，可包含一官能基，一般稱為芳基、芳烷基(aralkyl)或芳烷基(arylalkyl)。例如，芳基可具有6至25、6至21、6至18或6至12 個碳原子。芳基可為苯基、二氯苯基、氯苯基、苯乙基、苯丙基、芐基、甲苯基、二甲苯基、或萘基。

若無另外定義，在此使用的「環氧基」一詞可為從具有三個用以形成環之元素之環醚、或包含環醚之化合物所衍伸出來之單價殘基。環氧基可為縮水甘油基、環氧烷基、縮水甘油氧烷基或脂環族環氧基。在此，脂環族環氧基可為從具有包括脂肪族烴環之結構、且形成脂肪族環之兩個碳原子亦形成環氧基之化合物所衍伸而來的單價殘基。脂肪族環氧基可為具有6至12個碳原子之脂肪族環氧基，例如3,4-環氧基環己基乙基。

選擇性取代環氧基、烷氧基或單價烴基之取代基可為：鹵素，如氯或氟；縮水甘油基；環氧烷基；縮水甘油氧烷基；環氧基，如脂肪族環氧基；丙烯醯基；甲基丙烯醯基；異氰酸酯基；硫基或單價烴基。

式1或式2的化合物可為三乙烯基三甲基環矽氧烷(trivinyltrimethylcyclosiloxane)、六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane)、或1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷(1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentalmethyltrisiloxane)，但不限於此。

第一無機材料層之厚度可根據所需用途而適當選擇，無特別限制。例如，無機材料層之厚度約為5至60nm或10至55nm。例如：在多層結構中，每一次層之厚度可在例如約 0.5至10nm或0.5至5nm之範圍內。

為了達到所需性能，例如優異阻障性或折射率，可調整形成無機材料層之條件。例如無機材料層可形成在平坦表面上，例如具有5、4.5、4.0、3.5、3.0、2.5、2.0、1.5、1.0或0.5nm以下之均方根(RMS)之表面。當無機材料層形成於平坦表面上，可提升形成的膜層品質。RMS可利用具有優異平坦度之材料來調整，或利用下述緩衝層來調整。其他確保所需性能的方法，例如確保阻障性質，調整形成無機材料層之溫度之方法。一般來說，可利用物理或化學沉積方法來形成無機材料層，且在此情況下，當沉積溫度調整至高溫，例如200℃以上，可確保優異的阻障性質。

無機材料層可經由物理氣相沉積法(PVD)而形成，例如濺射、脈衝雷射沉積(PLD)、電子束蒸鍍、熱蒸鍍、或雷射分子束外延(L-MBE)；或可透過化學氣相沉積法(CVD)，例如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、氫化物氣相外延(HVPE)、引發化學氣相沉積(iCVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)或原子層沉積(ALD)。根據使用材料挑選適合方法，能最大化無機材料層之性能。在本發明中，使用上述材料形成一膜層，可使用CVD法，尤其是ALD或iCVD。例如：可藉由ALD形成由金屬或金屬氧化物構成之膜層，且可藉由iCVD形成有機矽層。在此使用的「ALD層」一詞係由ALD所形成之膜層，且「iCVD層」一詞係由iCVD所形成之膜層。

包含上述成分之基板區可具有3至90、3至85、3至50或3至30%之霧值。此霧值範圍可利於增加光提取效率。為了控制基板區之霧值，可調整基板區中散射性壓敏黏著層之霧值，若有需要亦可調整基膜之霧值，或亦可應用散射層。

例如：為了調整基板區之霧值，上述基膜可具有霧值。然而，當基板區僅藉由散射性壓敏黏著層而具有霧值，基膜可不必具有霧值。當具有霧值時，基膜可具有約3至90%之霧值。另一霧值之下限可舉例為約5或10%。此外，另一霧值之上限可舉例為約85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35或30%。提供基板之霧值之方法並無特別限制，且可使用傳統使用之產生霧值之方法。例如：當基膜為聚合物膜時，添加具有與周圍聚合物基質不同折射率及適當平均粒徑之散射粒子之方法；或利用聚合單體製備一聚合物，使聚合物具有霧值(例如展現與聚合物主鏈具有不同範圍之折射率之單體)，再使用該聚合物形成一薄膜之方法。

基板區可包括一額外層，例如一緩衝層。形成緩衝層可確保中間層之依附性，或調整上述基膜之RMS。緩衝層可形成在基膜上，或當形成散射層時，形成在散射層上或形成於第一無機材料層和透明電極層之間，但本發明不限於此。如下所述，若有需要，緩衝層可形成於上部，且在此說明書中，為了便於區隔，形成於基板區中之緩衝層可稱為第一緩衝層，且形成於上部之緩衝層可稱為第二緩衝層。

緩衝層可由高折射率層所形成。在此使用的「高折射率層」一詞可為具有約1.6、1.65、1.7或1.75以上之折射率之膜層。高折射率層之折射率上限可舉例為約2.5或2.0，但不限於此。例如：此折射率可利於提升光提取效率。

可利用適當材料形成緩衝層，該材料可有效形成緩衝層及適當確認中間層依附性或平坦度，無特別限制。形成緩衝層可利用金屬(例如鋁)、無機材料(例如SiOx、SiOxNv、SiNx、AlOx、ZnSnOx、ITO、ZnO、IZO、ZnS、MgO或SnOx)；聚醯亞胺；具芴環之地樂酚(caldo)樹脂；聚氨酯；環氧化物；聚苯乙烯；聚醯胺酸；聚乙烯亞胺；聚乙烯醇；聚醯胺；聚硫；聚((甲基)丙烯酸酯)；或有機材料(例如有機矽氧烷)。在此，作為有機矽，可使用在無機材料層段落所述之化合物、或包含該化合物作為聚合單元之聚合物。在另一實施例中，可藉由混合金屬(例如鋯、鈦或鈰)之烷氧化物(alkoxide)或醯化物(acylate)之化合物、以及具有極性基團(例如羧基或羥基)之黏著劑所製備之材料形成緩衝層。烷氧化物或醯化物之化合物可與黏著劑中之極性基團透過縮合進行反應，且可藉由於黏著劑之鏈架中包含金屬而具有高折射率。作為烷氧化物或醯化物之化合物範例，可使用烷氧基鈦，如四正丁氧基鈦、四異丙氧基鈦、四正丙氧基鈦、或四乙氧基鈦；鈦醯化物，如硬脂酸鈦；鈦螯合物；烷氧基鋯，如四正丁氧基鋯、四正丙氧基鋯、四異丙氧基鋯、或四乙氧基鋯；鋯醯化物，如鋯三丁氧基硬脂酸酯；或鋯螯合物。

可從上述材料中挑選適當材料來形成緩衝層。當緩衝層需要高折射率時，可使用從上述材料中選擇具有高折射率之材料、或從中選擇適當材料與高折射率粒子混合、或在上述材料中加入高折射材料(如鈦前驅物)所製備而成之材料。在此使用的「高折射率粒子」一詞可舉例如：具有1.5、2.0、2.5、2.6或2.7以上之折射率之粒子。高折射率粒子之折射率上限可舉例如從可滿足所需折射率之範圍中挑選。高折射率粒子之平均粒徑可舉例為約1至100、10至90、10至80、10至70、10至60、10至50或10至45nm。高折射率粒子可為氧化鋁、矽鋁酸鹽、二氧化鈦、或氧化鋯。作為高折射率粒子，可舉例如具有2.5以上折射率之粒子，可使用金紅石型氧化鈦。和一般粒子相比，金紅石型氧化鈦可具有相對高的折射率，因而即使在相對小比例下仍可控制為具有所需折射率。

形成緩衝層之方法可舉例為：PVD和CVD中之適合者，但不限於此。在另一實施例中，可藉由混合金屬烷氧化物(如烷氧基鈦或烷氧基鋯)與溶劑(如醇或水)製備一塗佈溶液、塗佈該塗佈溶液、及在塗佈該塗佈溶液後於適當溫度下進行各種濕式或乾式塗法(包含塑化該塗佈之溶液之溶膠-凝膠塗法)，以形成緩衝層。

緩衝層之厚度並無特別限制，可考慮緩衝層之形成位置和所需功能來適當選擇。例如，相較於在基膜上形成緩衝層以確保平坦化表面時，當緩衝層形成在散射層上以確保平坦化表面時可具有相對大的厚度。

基板區可更包含一散射層，以確定基板區之適當霧值。在此使用的「散射層」一詞可為所有種類之形成用於散射、折射或衍射入射在膜層上之光線之層。實現上述功能之散射層之形狀並無特別限制。

作為存在於基板區中之額外層，一載板可暫時性或永久性地依附在基膜或阻障膜下方。一般來說，可使用如玻璃基板之堅硬基板作為載板。

存在於基板區上之裝置區可包含透明電極層和反射電極層，且可包含一有機層於透明和反射電極層之間。透明和反射電極層可為OED中使用的電洞注入或電子注入電極。透明和反射電極層中任一者可形成作為電洞注入電極層，且另一者可形成作為電子注入電極層。

可形成電洞注入電極層之材料可舉例如具有高工函數之材料，若有需要可使用透明或反射材料。例如：電洞注入電極層之材料可包含金屬、合金、具有約4.0eV以上之功函數之導電化合物、或其至少兩種以上之混合物。此種材料可為：金屬(如金)、碘化銅、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅錫(ZTO)、摻雜鋁的氧化鋅、氧化鎂銦、氧化鎳鎢；氧化物，如氧化鋅、氧化錫、或氧化銦；金屬氮化物，如氮化鎵；金屬硒化物，如硒化鋅；或金屬硫化物，如硫化鋅。透明電洞注入電極層亦可形成為金屬(如金、銀、銅)薄膜和高折射率透明材料(如硫化鋅、二氧化鈦、或氧化銦錫)之疊層。

電洞注入電極層可由選擇性方式如沉積、濺鍍、化學沉積或電化學方式來形成。此外，形成之電極層可根據用途而透過已知光影蝕刻法或利用遮罩的製程來進行圖案化。

形成電子注入電極層可舉例如利用具有低功函數之材料，且可使用用於形成電洞注入電極層之材料中之適當透明或反射材料，但本發明不限於此。電子注入電極層亦可由例如沉積或濺鍍而形成，且需要時可經適當圖案化。

例如，電極層可形成為具有約90至200、90至180、或90至150nm之厚度。

有機層係存在於透明及反射電極層之間。有機層可包含至少兩個發光單元。在此結構中，從發光單元產生的光線可透過反射電極層反射而發射至透明電極層。

有機層可包含至少一個發光單元。若有需要，有機層可包含兩個發光單元，例如具有第一發射中心波長之第一發光單元和具有第二發射中心波長之第二發光單元。在部份情況下，可包含至少三個發光單元。於此，第一發射中心波長之範圍可不同於第二發射中心波長。例如，第一發射中心波長可比第二發射中心波長更長。例如，第一發射中心波長(λ₁)與第二發射中心波長(λ₂)之比率(λ₁/λ₂)可在1.1至2之範圍內。在此範圍下，藉由混合發光單元可實現所需顏色。在另一例中，比率(λ₁/λ₂)可為1.2、1.3或1.4以上。在又一例中，比率(λ₁/λ₂)可可為1.9或1.85以下。考慮光提取效率，可調整發光單元和反射電極層之間的間隙。例如：第一發光單元和反射電極層之間的間隙(L₁)比第二發光單元和反射電極層之間的間隙(L₂)之比率(L₁/L₂)可在約1.5至20之範圍內。在另一例中，比率(L₁/L₂)可為約2或2.5以上。此外，在又一例中，比率(L₁/L₂)可為約15以下。例如：當包含各發光單元之有機層具有的如上述調整之間隙，且對應發射中心波長形成於具有上述霧值之基板區上，可提升OED之光提取效率。

各發光單元之發射中心波長、及發光單元和反射電極層之間的間隙之具體範圍並無特別限制，僅需它們調整至滿足上述比率即可。例如：第一發射中心波長可在約500至700nm之範圍內，且第二發射中心波長可在約380至500nm之範圍內。此外，第一發光單元和反射電極層之間的間隙可在約150至200nm之範圍內，且第二發光單元和反射電極層之間的間隙可在約20至80nm之範圍內。

為了適度發光，第一發光單元和第二發光單元之間可更存在中間電極層或電荷產生層(CGL)。據此，發光單元可藉由中央電極層或具電荷產生性質之CGL而分開。

組成發光單元之材料並無特別限制。可選擇本技術領域中已知的具有各種發射中心波長的螢光或磷光有機材料以及適當的已知材料用以產生發光。發光材料可為：Alq系材料，如三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(Alg3)、4-MAlq3、或Gaq3；環戊二烯衍伸物，如C-545T(C₂₆H₂₆N₂O₂S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺-FPA、PhTDAOXD(Ph₃Si)、或1,2,3,4,5-五苯基-1,3-環戊二烯(PPCP)；4,4’-雙(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-二苯基(DPVBi)、二苯乙烯苯或其衍伸物；4-(二氰基亞甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、DDP、AAAP、或NPAMLI；或磷光材料，如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon₂Ir(acac)、(C₆)₂Ir(acac)、bt₂Ir(acac)、dp₂Ir(acac)、bzq₂Ir(acac)、bo₂Ir(acac)、F₂Ir(bpy)、F₂Ir(acac)、op₂Ir(acac)、ppy₂Ir(acac),tpy₂Ir(acac)、fac-三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]銥(III)(FIrppy)、或雙(2-(2’-苯並[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3’)銥(乙醯丙酮)(Btp₂Ir(acac))，但不限於此。發光層可包含上述材料作為主體(host)，以及包含作為摻體之苝、二苯乙烯基聯苯、DPT、喹吖酮、紅熒烯、BTX、ABTX或DCJTB之主體-摻體系統。

發光單元亦可藉由使用展現發光性質的適當材料所形成，材料選自接受電子之有機化合物或供電子之有機化合物，將在下方描述。

有機層可形成為更包含本技術領域中已知多種其他功能層之各種結構，僅須包含發光單元即可。作為包含於有機層中之膜層，可使用有機層、電子注入層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電動傳輸層或電洞注入層。

例如：電子注入層或電子傳輸層可利用接受電子有機化合物來形成。在此，作為接受電子有機化合物，可無限制地使用已知光學化合物。作為此種有機化合物，可使用多環化合物，如對三聯苯或四聯苯或其衍伸物；多環烴化合物，如亞萘(naphthalene)、並四苯(tetracene)、芘(pyrene)、蔻(coronene)、屈(chrysene)、蒽(anthracene)、二苯基蒽(diphenylanthracene)、萘並萘(naphthacene)或菲(phenanthrene)或其衍伸物；或雜環化合物，如菲咯啉(phenanthroline)、紅菲繞啉(bathophenanthroline)、菲啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinoline)、喹喔啉(quinoxaline)或吩嗪(phenazine)或其衍伸物。此外，可使用下述化合物作為包含於低折射率層中包含的接受電子有機化合物：熒光素(fluoroceine)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(naphthaloperylene)、紫環酮(perynone)、酞紫環酮(phthaloperynone)、萘紫環酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、惡二唑(oxadiazole)、醛連氮(aldazine)、二苯並噁唑啉(bisbenzoxazoline)、聯苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、環戊二烯(cyclopentadiene)、羥基喹啉(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亞胺(imine)、二苯乙烯(diphenylethylene)、乙烯基蒽(vinylanthracene)、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚次甲基(polymethine)、部花青(merocyanine)、喹吖啶酮(quinacridone)、紅熒烯(rubrene)或其衍伸物；如日本專利早期公開號1988-295695、日本專利早期公開號1996-22557、日本專利早期公開號1996-81472、日本專利早期公開號1993-009470、或日本專利早期公開號1993-017764的專利公開本中揭露的金屬螯合物，例如：具有至少一金屬螯合羥基喹啉化合物之金屬複合物，像是8-羥基喹啉(8-quinolinolatos)，包含三(8-羥基喹啉)鋁、二(8-羥基喹啉)鎂、二[苯並(f)-8-羥基喹啉]鋅(bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(8-羥基喹啉)銦、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹啉鋰、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵、二(5-氯-8-羥基喹啉)鈣、及其衍伸物作為配位者(coordinator)；如日本專利早期公開號1993-202011、日本專利早期公開號1995-179394、日本專利早期公開號1995-278124、或日本專利早期公開號1995-228579揭露的噁二唑化合物；如日本專利早期公開號1995-157473揭露的三嗪化合物；如日本專利早期公開號1994-203963揭露的芪(stilbene)衍伸物；聯苯乙烯亞芳基(distyrylarylene)衍伸物；日本專利早期公開號1994-132080或日本專利早期公開號1994-88072揭露的苯乙烯衍伸物；如日本專利早期公開號1994-100857或日本專利早期公開號1994-207170的專利公開本中揭露的二烯烴衍伸物；熒光增亮劑，如苯並噁唑化合物、苯並噻唑化合物、或苯並咪唑化合物；二苯乙烯基苯 (distyrylbenzene)化合物，例如1,4-二(2-甲基苯乙烯)苯、1,4-二(3-甲基苯乙烯)苯、1,4-二(4-甲基苯乙烯)苯、二苯乙烯苯、1,4-二(2-乙基苯乙烯)芐、1,4-二(3-乙基苯乙烯)苯、1,4-二(2-甲基苯乙烯)-2-甲基苯、或1,4-二(2-甲基苯乙烯)-2-乙基苯；二苯乙烯吡嗪化合物，如2,5-二(4-甲基苯乙烯)吡嗪、2,5-二(4-乙基苯乙烯)吡嗪、2,5-二[2-(1-萘)乙烯基]吡嗪、2,5-二(4-甲氧基苯乙烯)吡嗪、2,5-二[2-(4-聯苯基)乙烯基]吡嗪、或2,5-二[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二亞甲基化合物，例如1,4-亞苯基二亞甲基、4,4’-亞苯基二亞甲基、2,5-二甲苯二亞甲基、2,6-亞萘二亞甲基、1,4-亞聯苯二亞甲基、1,4-對-四亞聯苯二亞甲基、9,10-蒽基二亞甲基或4,4’-(2,2-二-三-丁基苯基乙烯基)聯苯基或4,4’-(2,2-乙烯基)聯苯基、或其衍伸物；如日本專利早期公開號1994-49079或日本專利早期公開號1994-293778的專利公開本中揭露的矽烷胺(silanamine)衍伸物；如日本專利早期公開號1994-279322或日本專利早期公開號1994-279323揭露的多官能基苯乙烯化合物；如日本專利早期公開號1994-107648或日本專利早期公開號1994-092947的專利公開本中揭露的噁二唑衍伸物；如本專利早期公開號1994-206865的專利公開本中揭露的蒽化合物；如日本專利早期公開號1994-145146的專利公開本中揭露的羥基喹啉(oxinate)衍伸物；如日本專利早期公開號1992-96990的專利公開本中揭露的四苯基丁二烯化合物；如日本專利早期公開號1991-296595的專利公開本中揭露的有機三官能基化合物；如日本專利早期公開號1990-191694的專利公開本中揭露的香豆素(coumarin)衍生物；如日本專利早期公開號1990-196885的專利公開本中揭露的苝衍伸物；如日本專利早期公開號1990-255789的專利公開本中揭露的亞萘衍伸物；如日本專利早期公開號1990-289676或日本專利早期公開號1990-88689的專利公開本中揭露的酞紫環酮衍伸物；如日本專利早期公開號1990-250292的專利公開本中揭露的苯乙烯胺衍伸物。此外，電子注入層可利用如LiF或CsF的材料形成。

電洞阻擋層可為一能夠促進裝置壽命和效率之層，其係藉由阻擋注入電洞經由發光單元到電子注入電極之路線，且若有需要，可使用已知材料形成在發光層和電子注入電極層之間之適當部分。

電洞注入層或電洞傳輸層可包括如供電子有機化合物。作為供電子有機化合物，可使用：N,N’,N’-四苯基-4,4’-二胺苯基、N,N’-聯苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-4,4’-二胺聯苯、2,2-雙(4-二-對甲苯基胺基苯基)丙烷、N,N,N’,N’-四-對甲苯基-4,4’-二胺聯苯、雙(4-二-對甲苯基胺基苯基)苯基甲烷、N,N’-聯苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二胺聯苯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二胺聯苯醚、4,4’-雙(二苯基胺基)四聯苯、4-N,N-二苯基胺基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基胺基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1,1-雙(4-二-對三胺基苯基)環己烷、1,1-雙(4-二-對三胺基苯基)-4-苯基環己烷、雙(4-二甲基胺基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(對-甲苯)胺、4-(二-對甲苯基胺)-4’-[4-(二-對甲苯基胺)苯乙烯]芪、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二胺基聯苯基N-苯基咔唑、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-胺基]聯苯基、4,4”-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]對三聯苯、4,4’-雙[N-(2-萘基)-N-苯基胺基]聯苯、4,4’-雙[N-(3-苊基)-N-苯基胺基]聯苯、1,5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]亞萘、4,4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基胺基]聯苯基苯基胺基]聯苯、4,4”-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基胺基]-對三聯苯、4,4’-雙[N-(2-苯蒽基)-N-苯基胺基]聯苯、4,4’-雙[N-(8-熒基)-N-苯基胺基]聯苯、4,4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯基胺基]聯苯、4,4’-雙[N-(2-苝基)-N-苯基胺基]聯苯、4,4’-雙[N-(1-coronenyl)-N-苯基胺基]聯苯、2,6-雙(二-對甲苯基胺基)亞萘、2,6-雙[二-(1-萘基)胺基]亞萘、2,6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基]亞萘、4,4”-雙[N,N-二(2-萘基)胺基]三聯苯、4,4’-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]胺基}聯苯基、4,4’-雙[N-苯基-N-(2-芘基)胺基]聯苯、2,6-雙[N,N-二-(2-萘基)胺基]芴、或4,4”-雙(N,N-二-對甲苯胺基)三聯苯；或如雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺之芳基胺化合物，但本發明不限於此。

電洞注入層或電洞傳輸層可藉由在聚合物中分散有機化合物、或使用由有機化合物衍伸之聚合物而形成。此外，也可以使用如聚對苯乙炔(polyparaphenylenevinylene)及其衍伸物之π-共軛聚合物；如聚(N-乙烯基咔唑)之電洞傳輸非共軛聚合物；或聚矽烷之σ-共軛聚合物。

電洞注入層可利用導電聚合物形成，例如像是銅酞菁之金屬酞菁、或非金屬酞菁、碳膜、及聚苯胺；或可使用芳胺化合物作為氧化劑，藉由路易士酸反應而形成。

有機材料層之具體結構並無特別限制。各種形成電洞或電子注入電極層及有機層(例如發光單元、電子注入或傳輸層、電洞注入或傳輸層)之材料和方法皆為已知，且所有方法皆可應用於製造OED。

OED之上部可包括一第二無機材料層及一覆蓋膜，其係於向上方向依序形成。

第二無機材料層係用於防止、抑制或減少外部物質滲入，因而得到耐久性，且具體材料和形成方法可相似於描述第一無機材料層之段落中所述。然而，當第二無機材料層設計用以發射光線至基板區，第二無機材料層不必要形成為具有像是第一無機材料層之高折射率。

存在於第二無機材料層上的覆蓋膜可為保護OED之結構，即例如已知的阻障膜、金屬片、或導電膜、或其至少兩種之堆疊結構。位於上部之覆蓋膜可藉由黏著層(例如上述具有隔離性質之黏著層)而依附至第二無機材料層。

在上部中，若有需要可設置至少一緩衝層(即第二緩衝層)。例如：緩衝層可存在於反射電極層和第二無機材料層之間。在另一例中，上部可具有其中至少兩個第二緩衝層和至少兩個第二阻障膜交替且重複堆疊之結構。緩衝層可用於減少從上部結構產生之壓力，在第二無機層上形成有覆蓋膜時防止裝置被壓縮，及/或降低形成第二無機材料層之溫度限制，且提供適當平坦表面，使第二無機材料層可具有優異效果。第二緩衝層之具體材料和形成方法可相似於描述第一緩衝層之段落中所述。然而，當光線設計為發射至基板區，第二緩衝層不必要形成為具有像是第一無機材料層之高折射率。

為了顯示適當性能且在整個裝置結構中具有所需功能，第二緩衝層可為藉由iCVD形成之iCVD層。

第二緩衝層可包含：例如聚((甲基)丙烯酸酯)或有機矽。

聚((甲基)丙烯酸酯)可包含例如：化學式3之化合物之聚合單元。化合物之「聚合單元」一詞可表示：包含於聚合物中之經聚合之化合物。聚((甲基)丙烯酸酯)可為化學式3之化合物之均聚物、或共聚物(包含除了化學式3之化合物以外之共聚物)。

在化學式3中，R₁可為氫或具有1至4個碳原子之烷基，且A可為含環氧基基團或脂環族單價烴基。

在此，含環氧基基團可為縮水甘油基、縮水甘油氧基、縮水甘油烷基、縮水甘油氧烷基或脂環族環氧基。此外，於此，脂環族單價烴基為從一化合物或其衍伸物衍伸而來的單價殘基，該化合物中碳原子連接成環形，但非芳香性化合物。脂環族單價烴基可為具有3至20、5至15或5至12個碳原子之脂環單價烴基，且例如：異冰片基(isobornyl group)、環己基、降冰片基(norbonanyl group)、冰片烯基(norbonenyl group)、二環戊二烯基氧基(dicyclopentadienyl group)、乙炔基環己烷基(ethynylcyclohexane group)、乙炔基環己烯基(ethynylcyclohexene group)或乙炔基十氫萘基(ethynyldecahydronaphthalene group)，但不限於此。

並且，可使用描述基板區中緩衝層之段落中所述材料作為有機矽。

在整個裝置結構中，利用上述材料藉由iCVD形成之第二緩衝層可具有優異功能。第二緩衝層可考慮所需功能而形成為適當厚度，例如約200至1000nm或200至500nm。

另一方面，本發明提供OED之用途，例如OLED。OLED可有效應用於液晶顯示器(LCD)之背光模組、發光器、感應器、印表機或拷貝機之光源、自動導航之光源、訊號燈、指示燈、顯示裝置、平面發光裝置之光源、顯示器、裝飾燈或其他種類發光設備。再另一方面，本發明提供包含OLED之發光裝置。當OLED應用於發光裝置或不同用途時，構成裝置之其他元件或構成裝置之方法並無特別限制，但可選擇性地應用所有相關領域中已知之材料或方法，只要使用該OLED即可。

根據本發明之OED(例如可撓裝置)可具有優異光提取效率和耐久性。該OED可應用至發光裝置或顯示器之光源。

101‧‧‧阻障膜

102‧‧‧散射性壓敏黏著層

1021‧‧‧壓敏黏著劑

1022‧‧‧散射粒子

103‧‧‧基膜

104‧‧‧透明電極層

105‧‧‧有機層

106‧‧‧反射電極層

圖1為示範性OED之結構示意圖。

接著，將根據本發明之實施例或為根據本發明之比較例詳細描述本發明之實施態樣。然而，本發明之範圍不限於下方揭露的態樣。

1.評估壓敏黏著層之霧值之方法

應用於實施例或比較例之壓敏黏著層之霧值係利用霧值儀HM-150根據ASTM D1003來評估。

2.評估量子效率之方法

實施例或比較例中製造的OED之量子效率係根據利用積分球或積分半球之傳統方法來評估。

實施例1

利用下述方法製造OED。使用折射率約1.7之聚亞醯胺(PI)膜作為基膜，將PI膜形成於載板上，例如玻璃基板，再根據習知方法，將包含氧化銦錫(ITO)之陽極層(透明電極層)、包含N,N’-二-[(1-萘基)-N,N’-聯苯基]-1,1’-聯苯基)-4,4’-二胺(alpha-NPD)之電洞注入層及發光單元(4,4’,4”-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)：Firpic,TCTA：Fir6)依序形成於PI膜上。然後，真空沉積電子傳輸化合物(4,4’,4”-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA))及低折射率材料(LiF(折射率約1.39))於發光單元上，以使全部層之折射率為約1.66，因而形成具有約70nm厚度之低折射率有機層。接著，藉由真空沉積將鋁(Al)電極形成於低折射率有機層上作為電子注入反射電極。之後，藉由移除載板，再利用散射性壓敏黏著層將阻障膜附著在PI膜下方，製造出裝置。作為散射性壓敏黏著劑，使用藉由混合如具有約1.9折射率及約200nm平均粒徑之氧化鈦顆粒之散射性顆粒與已知透明丙烯酸壓敏黏著劑製備之壓敏黏著劑，使壓敏黏著劑具有約52%之霧值。當貼附有阻障膜時，壓敏黏著層之厚度調整至約30μm。

實施例2

除了藉由混合氧化鈦顆粒(與實施例1使用相同)與應用於實施例1之已知透明丙烯酸壓敏黏著劑(折射率約1.47)形成約64%霧值之壓敏黏著層，利用與實施例1中所述相同方法製造OED。

比較例1

除了不將散射顆粒(金紅石型氧化鈦顆粒)與應用於實施例1之已知透明丙烯酸壓敏黏著劑(折射率約1.47)混合，利用與實施例1中所述相同方法製造OED。

比較例2

除了藉由混合折射率約1.4和平均粒徑約200nm之二氧化矽顆粒與應用於實施例1之已知透明丙烯酸壓敏黏著劑(折射率約1.47)形成約60%霧值之壓敏黏著層，利用與實施例1中所述相同方法製造OED。

比較例3

除了藉由混合折射率約1.4和平均粒徑約200nm之二氧化矽顆粒與應用於實施例1之已知透明丙烯酸壓敏黏著劑(折射率約1.47)形成約70%霧值之壓敏黏著層，利用與實施例1中所述相同方法製造OED。

評估量子效率

評估實施例或比較例中製造的OED之量子效率，其結果整理於表1。

由表1可證實，相較於不具有散射性之壓敏黏著劑，根據本發明使用散射性壓敏黏著劑之OED具有優異效果。尤其，和比較例2及比較例3相比，可證實：當壓敏黏著層中之顆粒具有高於壓敏黏著劑之折射率時，且其具有相較於當壓敏黏著層中之顆粒具有低於壓敏黏著劑之折射率時相同等級或較低等級霧值，可獲得優異量子效率。