KR101587330B1 - 유기전자소자용 기판 - Google Patents
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Abstract
본 출원은, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치, 상기 기판 또는 장치의 제조 방법, 디스플레이용 광원 및 조명 기기에 관한 것이다. 본 출원의 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 수분이나 산소 등과 같은 외래 물질이 유입되는 것을 차단하여 내구성이 향상되고, 광추출 효율 등을 포함하는 성능이 우수한 유기전자장치를 형성할 수 있다.
Description
본 출원은, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치, 상기 기판 또는 장치의 제조 방법, 광원 및 조명 기기에 관한 것이다.
유기전자소자(OED; Organic Electronic Device)는, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시된 바와 같이 전류를 전도할 수 있는 유기 재료의 층을 하나 이상 포함하는 소자이다. 유기전자소자의 종류에는 유기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.
대표적인 유기전자소자인 유기발광소자는, 통상적으로 기판, 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층을 순차로 포함한다. 소위 하부 발광형 소자(bottom emitting device)로 호칭되는 구조에서는, 제 1 전극층이 투명 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 반사 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 소위 상부 발광형 소자(top emitting device)로 호칭되는 구조에서는 제 1 전극층이 반사 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 투명 전극층으로 형성되기도 한다. 전극층에 의해서 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 유기층에 존재하는 발광층에서 재결합(recombination)되어 광이 생성될 수 있다. 광은 하부 발광형 소자에서는 기판측으로 상부 발광형 소자에서는 제 2 전극층측으로 방출될 수 있다.
유기발광소자의 구조에서 투명 전극층으로 일반적으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide), 유기층 및 통상적으로 유리인 기판의 굴절률은 각각 대략적으로 2.0, 1.8 및 1.5 정도이다. 이러한 굴절률의 관계에 의해서, 예를 들어, 하부 발광형의 소자의 발광층에서 생성된 광은 유기층과 제 1 전극층의 계면 또는 기판 내에서 전반사(total internal reflection) 현상 등에 의해 트랩(trap)되고, 매우 소량의 광만이 방출된다.
또한, 최근에는 유연(flexible) 유기전자소자에 대한 관심이 높아지면서, 상기 유기발광소자의 구조에서 유리 기반의 기판을 고분자 기반의 기판으로 대체하고자 하는 기술에 대한 수요가 증가하고 있다. 그러나, 이러한 고분자 기반의 기판의 경우, 유리 기반의 기판에 비해 내열 및 내습 환경에 더 취약하기 때문에, 유기전자소자에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
본 출원은, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치, 상기 기판 또는 장치의 제조 방법, 광원 및 조명 기기를 제공한다.
본 출원은, 유기전자소자용 기판에 관하 것이다. 예시적인 유기전자소자용 기판은, 제 1 고분자 기재층, 광학 기능성층, 고굴절층 및 배리어층을 포함한다. 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 상기 제 1 고분자 기재층, 광학 기능성층 및 고굴절층이 순차로 적층된 구조를 포함할 수 있고, 상기 배리어층은 상기 제 1 고분자 기재층 또는 고굴절층의 일면 또는 양면에 형성되어 있을 수 있다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 예시적인 유기전자소자용 기판(1)은, 제 1 고분자 기재층(101)상에 광학 기능성층(102) 및 고굴절층(103)이 순차로 형성되어 있고, 제 1 배리어층(104)이 상기 제 1 고분자 기재층(101)과 광학 기능성층(102) 사이에 형성되어 있으며, 제 2 배리어층(105)는 고굴절층(103)의 광학 기능성층이 형성되지 않은 일면에 형성된 구조를 포함할 수 있다. 다른 하나의 예시적인 유기전자소자용 기판(1)은, 배리어층이 고굴절층(103)과 광학 기능성층(102)의 사이 또는 제 1 고분자 기재층(101)의 하부에 형성되어 있을 수도 있다.
제 1 고분자 기재층으로는, 특별한 제한 없이 적절한 고분자 기재층이 사용될 수 있다. 예를 들어, 기판이 하부 발광(bottom emission)형 소자에 적용되는 경우에는, 투광성 고분자 기재층, 예를 들면, 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상인 고분자 기재층을 사용할 수 있다. 필요에 따라, 상기 고분자 기재층은, 구동용 TFT가 존재하는 TFT 기판일 수도 있다. 기판이 상부 발광(top emission)형 소자에 적용되는 경우에는, 고분자 기재층은 반드시 투광성의 기재층일 필요는 없다. 필요한 경우 고분자 기재층의 표면 등에는 알루미늄 등을 사용한 반사층이 형성되어 있을 수도 있다.
제 1 고분자 기재층은, 예를 들면, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 고분자 기재층을 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 제 1 고분자층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 두께가 10㎛ 내지 100㎛ 인 고분자 기재층을 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 제 1 고분자 기재층으로는 하기 수식 1을 만족하는 고분자 기재층을 사용할 수 있다.
[수식 1]
15 ㎛ ≤ n x d ≤ 200 ㎛
수식 1에서, n은 제 1 고분자 기재층의 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이고, d는 제 1 고분자 기재층의 두께를 의미한다. 상기 수식 1을 만족하는 고분자 기재층은, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률과 고분자 기재층의 두께의 곱이 15 ㎛ 내지 200 ㎛, 30 ㎛ 내지 100 ㎛ 또는 45㎛ 내지 60 ㎛일 수 있다. 제 1 고분자 기재층이 상기 수치범위를 만족하는 경우, 후술하는 유기전자장치에 기판으로 적용될 경우에 스트레스에 따른 후술하는 제 1 전극층, 예를 들면 ITO 전극층의 깨짐 현상 등을 완화할 수 있으므로, 내구성 및 광추출 성능이 더욱 우수한 유기전자장치를 구현할 수 있다.
제 1 고분자 기재층으로는, 예를 들면, 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설파이드, 폴리설폰 또는 아크릴 수지 등을 포함하는 기재층이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 적절한 예시에서, 공정온도 또는 광추출 성능의 측면에서, 제 1 고분자 기재층으로는 폴리이미드를 포함하는 기재층을 사용할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 폴리이미드를 포함하는 기재층은, 예를 들면, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 폴리이미드를 포함할 수 있다. 이러한 고굴절의 폴리이미드는, 예를 들면, 불소 이외의 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등이 도입된 단량체를 사용하여 제조할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 기재층에 포함되는 폴리이미드로는, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상 폴리아믹산을 이미드화한 것을 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 폴리아믹산으로는, 카복실기 등과 같이 입자와 결합할 수 있는 부위가 존재하여 입자의 분산 안정성을 향상시킬 수 있는 폴리아믹산을 사용할 수 있다. 폴리아믹산으로는, 예를 들면, 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
화학식 1에서 n은 양의 수 예를 들면, 1 이상의의 양의 수 일 수다.
상기 반복 단위는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. 치환기로는, 불소 외의 할로겐 원자, 페닐기, 벤질기, 나프틸기 또는 티오페닐기 등과 같은 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등을 포함하는 관능기가 예시될 수 있다.
폴리아믹산은, 상기 화학식 1의 반복 단위만으로 형성되는 단독 중합체이거나, 화학식 1의 반복 단위 외의 다른 단위를 함께 포함하는 블록 또는 랜덤 공중합체일 수 있다. 공중합체의 경우에 다른 반복 단위의 종류나 비율은 예를 들면, 목적하는 굴절률, 내열성이나 투광율 등을 저해하지 않는 범위에서 적절하게 선택될 수 있다.
화학식 1의 반복 단위의 구체적인 예로는, 하기 화학식 2의 반복 단위를 들 수 있다.
[화학식 2]
화학식 2에서 n은 양의 수 예를 들면,1 이상의 양의 수일 수다.
상기 폴리아믹산은 예를 들면, GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정한 표준 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 10,000 내지 100,000 또는 약 10,000 내지 50,000 정도일 수 있다. 화학식 1의 반복 단위를 가지는 폴리아믹산은 또한, 가시 광선 영역에서의 광 투과율이 80% 이상, 85% 이상 또는 90% 이상이며, 내열성이 우수하다.
제 1 고분자 기재층의 일면 또는 양면에는 배리어층이 위치할 수 있다. 본 명세서서 용어 「배리어층」은 대기 중의 산소, 수분, 질소 산화물, 황 산화물 또는 오존의 투과를 방지하는 기능을 갖는 층을 의미할 수 있다. 배리어층은 상기 기능을 갖는 한, 특별히 한정되지 않으며 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다.
배리어층의 재료는 수분 및 산소 등의 소자 열화를 촉진하는 물질들이 소자로 들어가는 것을 방지하는 기능을 갖는 재료일 수 있다. 배리어층의 구체적인 예는 배리어층의 구체적인 예는 In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti 및 Ni 등의 금속; TiO, TiO2,Ti3O3 ,Al2O3,MgO,SiO,SiO2,GeO,NiO,CaO,BaO,Fe2O3,Y2O3, ZrO2,Nb2O3및, CeO2및 등의 금속 산화물; SiN 등의 금속 질화물; SiON 등의 금속 산질화물; MgF2,LiF,AlF3및 CaF2등의 금속 불화물; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로에틸렌, 또는 클로로트리플루오로에틸렌과 디클로로디플루오로에틸렌의 공중합체; 적어도 1종의 코모노머를 포함한 코모노머 혼합물과 테트라플루오로에틸렌의 공중합에 의해 획득된 공중합체; 공중합 주쇄에 환상 구조를 갖는 함불소 공중합체; 흡수율 1% 이상인 흡수성 재료; 및 흡수 계수 0.1% 이하인 방습성 재료를 포함한다.
하나의 예시에서, 배리어층의 재료는 금속 산화물일 수 있고, 예를 들면, 고굴절률의 금속 산화물로 형성할 수 있다. 이에 따라 배리어층의 굴절률은, 예를 들면, 633 nm의 파장에 대하여, 1.45 이상, 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상 정도 일 수 있다. 또한, 배리어층의 굴절률의 상한은 목적하는 기능에 따라 적절히 조절할 수 있고, 예를 들면, 633 nm의 파장에 대한 굴절률이 2.6 이하, 2.3 이하, 2.0 이하 또는 1.8 이하일 수 있다.
하나의 예시에서, 배리어층의 단층 구조이거나 또는 복층 구조일 수 있다. 예를 들면, 배리어층은, Al2O3층 및 TiO2층이 순차적으로 적층된 복층 구조 일 수 있다.
배리어층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 배리어층의 두께는 5 nm 내지 1000 nm, 7 nm 내지 750 nm 또는 10 nm 내지 500 nm 일 수 있다. 배리어층의 두께가 상기 수치범위를 만족하는 경우, 대기 중의 산소 및 수분의 투과를 방지하기 위한 배리어 기능이 충분하고, 적절한 광투과율을 가져 투명 기판의 투명성을 유지할 수 있다.
배리어층의 광 투과율은, 특별히 제한되지 않으며, 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 배리어층의 광 투과율은, 약 80% 이상, 85%이상 또는 90%이상일 수 있다.
하나의 예시에서, 배리어층은 수증기 투과율(water vapor transmission rate, WVTR)이 10-4g/m2/day 이하일 수 있다. 상기 수증기 투과율은, 예를 들면, 온도가 40℃ 및 상대 습도가 90%인 조건에서 측정된 값일 수 있다. 상기 수증기 투과율은, 예를 들면, 수증기 투과율 측정기(PERMATRAN-W3/31, MOCON, Inc. 에 의해 제조)를 사용하여 측정될 수 있다. 배리어층이 상기 수치 범위를 만족하는 경우, 고열, 고습 환경에서도, 수분이나 산소 등의 외래 물질의 침투에 의하여 컬(curl) 현상 등이 발생하지 않기 때문에, 내구성이 우수하고 이로 인해 성능이 우수한 유기전자소자를 구현할 수 있다.
하나의 예시에서, 제 1 고분자 기재층의 상부 또는 제 1 고분자 기재층상에 배리어층이 형성된 경우에는 그 배리어층의 상부에는 광학 기능성층이 위치할 수 있다. 광학 기능성층은, 예를 들면, 헤이즈가 10% 내지 50%, 20% 내지 40% 또는 25% 내지 35%인 광학 기능성층을 사용할 수 있다. 이러한 헤이즈를 측정하는 방식은 특별히 제한되지 않으며 일반적인 헤이즈 측정 기기(Hazemeter), 예를 들면 HM-150을 이용하여 JIS K 7105 규격하에서 측정할 수 있다. 광학 기능성층의 헤이즈가 상기 범위를 나타내면, 유기층에서 전달되는 광을 적절하게 산란, 굴절 또는 회절시킬 수 있으므로, 유기층, 광학 기능성층 및 기재층 중의 어느 두 층 사이의 계면에서의 전반사 현상을 해소 또는 완화시킬 수 있다.
광학 기능성층은, 예를 들면, 광산란층이 예시될 수 있다. 본 명세서에서 용어 「광산란층」은, 예를 들면, 상기 층으로 입사되는 광을 산란, 굴절 또는 회절시킬 수 있도록 형성되는 모든 종류의 층을 의미할 수 있다. 상기와 같은 기능이 나타나도록 구현되는 한 광산란층의 구현 형태는 특별히 제한되지 않는다.
광산란층은, 예를 들면, 매트릭스 물질 및 산란성 영역을 포함하는 층일 수 있다. 도 2는, 산란성 입자로 형성된 산란성 영역(1022) 및 매트릭스 물질(1021)을 포함하는 예시적인 광산란층이 제 1 고분자 기재층(101)에 형성되어 있는 형태를 예시적으로 나타낸다. 본 명세서에서 용어 「산란성 영역」은, 예를 들면, 매트릭스 물질 또는 후술하는 고굴절층 등과 같은 주위 물질과는 다른 굴절률을 가지고, 또한 적절한 크기를 가져서 입사되는 광을 산란, 굴절 또는 회절시킬 수 있는 영역를 의미할 수 있다. 산란성 영역은, 예를 들면, 하기와 같은 굴절률 및 크기를 가지는 입자이거나, 혹은 빈 공간일 수 있다. 예를 들면, 주위 물질과는 다르면서 주위 물질에 비하여 높거나 낮은 굴절률을 가지는 입자를 사용하여 산란성 영역을 형성할 수 있다. 산란성 입자의 굴절률은, 주위 물질, 예를 들면, 상기 매트릭스 물질 및/또는 고굴절층의 굴절률과의 차이가 0.3을 초과하거나 또는 0.3 이상일 수 있다. 예를 들면, 산란성 입자는, 1.0 내지 3.5 또는 1.0 내지 3.0 정도의 굴절률을 가질 수 있다. 상기 산란성 입자의 굴절률은, 약 550 nm 파장의 광에 대하여 측정한 굴절률을 의미한다. 산란성 입자의 굴절률은, 예를 들면, 1.0 내지 1.6 또는 1.0 내지 1.3일 수 있다. 다른 예시에서 산란성 입자의 굴절률은, 2.0 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도일 수 있다. 산란성 입자로는, 예를 들면, 평균 입경이 50 nm 이상, 100 nm 이상, 500 nm 이상 또는 1,000 nm 이상인 입자가 예시될 수 있다. 산란성 입자의 평균 입경은, 예를 들면, 10,000 nm 이하일 수 있다. 산란성 영역은, 또한 상기와 같은 크기를 가지는 빈 공간으로서 공기가 충전되어 있는 공간에 의해서 형성될 수도 있다.
산란성 입자 또는 영역은, 구형, 타원형, 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 상기 형태는 특별히 제한되는 것은 아니다. 산란성 입자로는, 예를 들면, 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지 또는 그 유도체, 실리콘 수지 또는 그 유도체, 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체 등과 같은 유기 재료, 또는 실리카, 알루미나, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄과 같은 무기 재료를 포함하는 입자 등이 예시될 수 있다. 산란성 입자는, 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함하거나, 상기 중 2종 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 산란성 입자로 중공 실리카(hollow silica) 등과 같은 중공 입자 또는 코어/셀 구조의 입자도 사용할 수 있다.
광산란층은 산란성 입자 등의 산란성 영역을 유지하는 매트릭스 물질을 추가로 포함할 수 있다. 매트릭스 물질로는, 예를 들면, 기재층 등과 같이 인접하는 다른 소재와 유사한 수준의 굴절률을 가지는 소재 또는 그보다 높은 굴절률을 가지는 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 매트릭스 물질은, 예를 들면, 폴리이미드, 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지(caldo resin), 우레탄, 에폭시드, 폴리에스테르 또는 아크릴레이트 계열의 열 또는 광경화성의 단량체성, 올리고머성 또는 고분자성 유기 재료나 산화 규소, 질화 규소(silicon nitride), 옥시질화 규소(silicon oxynitride) 또는 폴리실록산 등의 무기 재료 또는 유무기 복합 재료 등을 사용할 수 있다.
매트릭스 물질은, 폴리실록산, 폴리아믹산, 폴리아믹산 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다. 상기에서 폴리실록산은, 예를 들면, 축합성 실란 화합물 또는 실록산 올리고머 등을 중축합시켜서 형성할 수 있으며, 상기를 통해 규소와 산소의 결합(Si-O)에 기반한 매트릭스 물질을 형성할 수 있다. 매트릭스 물질의 형성 과정에서 축합 조건 등을 조절하여 폴리실록산이 실록산 결합(Si-O)만을 기반으로 하도록 하거나, 혹은 알킬기 등과 같은 유기기나 알콕시기 등과 같은 축합성 관능기 등이 일부 잔존하도록 하는 것도 가능하다. 또한, 매트릭스 물질로는, 폴리아믹산 또는 폴리이미드를 사용할 수 있고, 상기 폴리아믹산 또는 폴리이미드에 대해서는, 제 1 고분자 기재층에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
광산란층은, 예를 들면, 요철 구조를 가지는 층일 수 있다. 도 3은, 기재층(101)상에 형성된 요철 구조의 광산란층(1023)을 예시적으로 보여주는 도면이다. 광산란층의 요철 구조를 적절하게 조절할 경우에 입사되는 광을 산란시킬 수 있다. 요철 구조를 가지는 광산란층은, 예를 들면, 열 또는 광 경화성 재료를 경화시키는 과정에서 목적하는 형상의 요철 구조를 전사할 수 있는 금형과 접촉시킨 상태로 상기 재료를 경화시키거나, 광산란층을 형성할 재료의 층을 미리 형성한 후에 에칭 공정 등을 통해 요철 구조를 형성하여 제조할 수 있다. 다른 방식으로는 광산란층을 형성하는 바인더 내에 적절한 크기 및 형상을 가지는 입자를 배합하는 방식으로 형성할 수도 있다. 이러한 경우에 상기 입자는 반드시 산란 기능을 가지는 입자일 필요는 없으나, 산란 기능을 가지는 입자를 사용하여도 무방하다.
광산란층은, 예를 들면, 습식 코팅(wet coating) 방식으로 재료를 코팅하고, 열의 인가 또는 광의 조사 등의 방식이나, 졸겔 방식으로 재료를 경화시키는 방식이나, CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식 등과 같은 증착 방식 또는 나노임프린팅 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
광산란층은, 필요한 경우 고굴절 입자를 추가로 포함할 수 있다. 광산란층에서 용어 「고굴절 입자」는, 예를 들면, 굴절률이 1.5 이상, 2.0 이상 2.5 이상, 2.6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 의미할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절률의 상한은, 예를 들면, 목적하는 광산란층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 상기 산란성 입자보다는 작은 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 10 nm 내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자로는, 알루미나, 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 고굴절 입자로는, 예를 들면, 굴절률이 2.5 이상인 입자로서, 루틸형 산화 티탄을 사용할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절률을 가지고, 따라서 상대적으로 적은 비율로도 목적하는 굴절률로의 조절이 가능할 수 있다. 상기 고굴절 입자의 굴절률은 550 nm 파장의 광에 대하여 측정한 굴절률일 수 있다.
상기와 같은 광학 기능성의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 에를 들면, 약 500 nm 내지 1.000 nm, 약 500 nm 내지 900 nm 또는 약 500 nm 내지 800 nm 정도의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 기판에서 광학 기능성층의 상부에는 고굴절층이 위치할 수 있다. 고굴절층은, 예를 들면, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.6 내지 2.0, 2.0 내지 1.8 또는 1.85 내지 1.90인 층을 의미할 수 있다. 상기 고굴절층은 광학 기능성층상에 전극이 형성될 수 있는 표면을 제공할 수 있고, 상기 굴절률의 범위에서, 고굴절층은 광학 기능성층과의 상호 작용을 통하여 보다 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다.
상기 고굴절층은, 예를 들면, 평탄층이 예시될 수 있다.
평탄층은, 예를 들면, 바인더와 함께 고굴절 입자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 고굴절 입자를 바인더와 혼합한 조성물을 사용하여 평탄층을 형성할 수 있다. 이러한 평탄층은, 전극층을 등을 포함한 유기전자소자가 형성될 수 있는 표면을 제공하고, 광산란성을 가져서 소자의 광추출 효율을 개선할 수 있다. 평탄층은, 인접하는 전극층과 동등하거나 그 이상인 굴절률을 가질 수 있고, 예를 들면, 1.7 이상, 1.8 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도일 수 있다. 평탄층이 전술한 요철 구조의 광산란층의 상부에 형성되는 경우에는 상기 평탄층은 상기 광산란층과는 상이한 굴절률을 가지도록 형성될 수 있다.
바인더로는, 특별한 제한 없이 공지의 소재가 사용될 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 이 분야에서 공지된 다양한 유기 바인더, 무기 바인더 또는 유무기 바인더를 사용할 수 있다. 소자의 수명이나 제작 과정에서 수행하는 고온 공정, 포토 공정이나 식각 공정에 대한 저항성이 우수하다는 점을 고려하여 내열성과 내화학성이 우수한 유기 바인더, 무기 바인더 또는 유무기 바인더를 선택하여 사용할 수 있다. 바인더는, 예를 들면, 약 1.4 이상, 약 1.45 이상, 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상의 굴절률을 가질 수 있다. 바인더의 굴절률의 상한은, 함께 배합되는 입자의 굴절률 등을 고려하여 상기 평탄층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 상기 광산란층의 항목에서 기술한 매트릭스 물질, 에폭시 수지, 폴리실록산 또는 폴리이미드가 예시될 수 있다.
바인더로는, 예를 들면, 고굴절 바인더 또는 저굴절 바인더를 사용할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「고굴절 바인더」는, 굴절률이 약 1.7 내지 2.5 정도 또는 약 1.7 내지 2.0 정도인 바인더를 의미하고, 용어 「저굴절 바인더」는 굴절률이 약 1.4 이상이면서 약 1.7 미만인 바인더를 의미할 수 있다. 이러한 바인더들은 다양하게 공지되어 있으며, 상기 기술한 다양한 종류의 바인더 또는 그 외에도 공지된 바인더 중에서 적합한 바인더를 선택 및 사용할 수 있다.
평탄층은, 고굴절 입자를 추가로 포함할 수 있다. 평탄층에서 용어 「고굴절 입자」는, 예를 들면, 굴절률이 1.8 이상, 2.0 이상, 2.2 이상, 2.5 이상, 2.6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 의미할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절률의 상한은, 예를 들면, 함께 배합되는 바인더 등의 굴절률 등을 고려하여 상기 평탄층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 10 nm 내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자로는, 예를 들면, 알루미나, 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 고굴절 입자로는, 예를 들면, 굴절률이 2.5 이상인 입자로서, 루틸형 산화 티탄을 사용할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절률을 가지고, 따라서 상대적으로 적은 비율로도 목적하는 굴절률로의 조절이 가능할 수 있다. 상기 고굴절 입자의 굴절률은 550 nm 파장 또는 633 nm의 광에 대하여 측정한 굴절률일 수 있다. 하나의 예시에서, 평탄층은 633nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.8 이상이고 평균 입경이 50 nm 이하인 고굴절 입자를 포함할 수 있다.
평탄층 내에서의 고굴절 입자의 비율은, 특별히 제한되지 않으며, 전술한 평탄층의 굴절률이 확보될 수 있는 범위 내에서 조절될 수 있다. 평탄층의 물성, 예를 들면, 평탄층의 수분 또는 습기 투과성이나 아웃개싱(outgassing) 등을 감안하여, 고굴절 입자는, 바인더 100 중량부 대비 300 중량부 이하, 250 중량부 이하, 200 중량부 이하, 150 중량부 이하 또는 120 중량부 이하의 비율로 평탄층에 포함될 수 있다. 또한, 고굴절 입자의 비율은, 예를 들면, 40 중량부 이상, 60 중량부 이상, 80 중량부 이상, 또는 100 중량부 이상일 수 있다. 본 명세서에서「단위 중량부」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 성분간의 중량의 비율을 의미한다. 바인더와 고굴절 입자의 비율을 상기와 같이 유지하여, 예를 들면 유기전자소자를 형성하는 경우에 외부 양자 효율을 높이고, 외부로부터의 가스나 수분의 침투를 방지하며, 아웃개싱(outgasing)을 감소시켜서 성능과 신뢰성이 우수한 소자를 제공할 수 있다.
평탄층은, 예를 들면, 바인더 및 고굴절 입자를 포함하는 코팅액을 사용한 습식 코팅(wet coating) 방식이나, 졸겔 방식 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식 등과 같은 증착 방식 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 예시에서 평탄층은, 지르코늄, 티탄 또는 세륨 등의 금속의 알콕시드 또는 아실레이트(acylate) 등의 화합물을 카복실기 또는 히드록시기 등의 극성기를 가지는 바인더와 배합한 소재를 사용하여 형성할 수도 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 등의 화합물은 바인더에 있는 극성기와 축합 반응하고, 바인더의 골격 내에 상기 금속을 포함시켜 고굴절률을 구현할 수 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 화합물의 예로는, 테트라-n-부톡시 티탄, 테트라이소프로폭시 티탄, 테트라-n-프로폭시 티탄 또는 테트라에톡시 티탄 등의 티탄 알콕시드, 티탄 스테아레이트(stearate) 등의 티탄 아실레이트, 티탄 킬레이트류, 테트라-n-부톡시지르코늄, 테트라-n-프로폭시 지르코늄, 테트라이소프로폭시 지르코늄 또는 테트라에톡시 지르코늄 등의 지르코늄 알콕시드, 지르코늄 트리부톡시스테아레이트 등의 지르코늄 아실레이트, 지르코늄 킬레이트류 등이 예시될 수 있다. 평탄층은, 또한 티탄 알콕시드 또는 지르코늄 알콕시드 등의 금속 알콕시드 및 알코올 또는 물 등의 용매를 배합하여 코팅액을 제조하고, 이를 도포한 후에 적정한 온도에서 소성하는 졸겔 코팅 방식으로 형성할 수도 있다.
고굴절층으로는, 예를 들면, 제 2 고분자 기재층이 예시될 수 있다. 제 2 고분자 기재층은, 예를 들면, 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 고분자 기재층을 사용할 수 있다. 제 2 고분자 기재층에서 용어 굴절률은, 특별히 달리 규정 하지 않는 한 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률을 의미할 수 있다. 제 2 고분자 기재층은, 예를 들면, 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설파이드, 폴리설폰 또는 아크릴 수지 등을 포함하는 기재층이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 적절한 예시에서, 제 2 고분자 기재층으로는, 폴리이미드를 포함하는 층을 사용할 수 있고, 이에 대해서는, 제 1 고분자 기재층에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. 상기 제 2 고분자 기재층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 제 1 고분자 기재층의 두께보다 얇게 형성될 수 있고, 예를 들면, 10 ㎛이하로 형성될 수 있다.
하나의 예시에서, 고굴절층은, 상기 기술한 바와 같이 평탄화층 또는 제 2 고분자 기재층이 단독으로 형성된 구조일 수도 있고, 또는 평탄화층 및 제 2 고분자층이 적층된 구조일 수도 있다.
하나의 예시에서, 고굴절층의 일면 또는 양면에는 배리어층이 위치할 수 있다. 고굴절층의 일면 또는 양면에 위치하는 배리어층에 대해서는, 상기 제 1 고분자 기재층의 일면 또는 양면에 위치하는 배리어층의 항목에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
하나의 예시에서, 유기전자소자용 기판은 캐리어 기판을 추가로 포함할 수 있다. 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 제 1 고분자 기재층의 광학 기능성층과는 반대측 면이 상기 캐리어 기판과 접촉하고 있을 수 있다. 즉, 상기 유기전자소자용 기판은 캐리어 기판, 제 1 고분자 기재층, 광학 기능성층 및 고굴절층이 순차로 적층된 구조를 포함하고, 상기 제 1 고분자 기재층 또는 고굴절층의 일면 또는 양면에 배리어층이 형성된 구조를 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 캐리어 기판은, 예를 들면 유리 기판 또는 강성 기판을 사용할 수 있다. 유리 기판으로는, 특별한 제한 없이 적절한 소재가 사용될 수 있고, 예를 들면, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등의 기재층이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 예시에서, 캐리어 기판은, 후술하는 유기전자소자용 기판의 제조방법에서 기술한 바와 같이, 제 1 고분자 기재층과 또는 제 1 고분자 기재층의 하부에 배리어층이 형성되어 있는 경우에는 배리어층과 탈부착이 가능하도록 형성되어 포함될 수 있다.
본 출원은 또한 상기 기술한 유기전자소자용 기판을 포함하는 유기전자장치에 관한 것이다. 하나의 예시에서, 유기전자장치는 상기 기술한 유기전자소자용 기판; 및 상기 기판상에 형성되어 있는 전극층; 상기 제 1 전극상에 형성되어 있는 기능성 유기층 및 상기 기능성 유기층상에 형성되어 있는 전극층을 포함할 수 있다. 이하에서 구별을 위하여 유기전자소자용 기판상에 형성되어 있는 전극층을 제 1 전극층으로 호칭하고, 상기 기능성 유기층상에 형성되어 있는 전극층을 제 2 전극층이라고 호칭할 수 있다.
상기 유기층은 적어도 발광층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극층을 투명하게 구현하고, 제 2 전극층을 반사성 전극층으로 하면 유기층의 발광층에서 발생한 광이 광학 기능성층을 거쳐서 기재층측으로 방사되는 하부 발광형 소자를 구현할 수 있다.
하나의 예시에서 유기전자소자는 유기발광소자(OLED)일 수 있다. 유기발광소자인 경우, 상기 유기전자소자는, 예를 들면, 발광층을 적어도 포함하는 유기층이 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 개재된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 기판에 포함되는 전극층이 정공 주입 전극층이면, 제 2 전극층은 전자 주입 전극층이고, 반대로 기판에 포함되는 전극층이 전자 주입 전극층이면, 제 2 전극층은 정공 주입성 전극층일 수 있다.
전자 및 정공 주입성 전극층의 사이에 존재하는 유기층은, 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 유기층은 2층 이상의 복수의 발광층을 포함할 수도 있다. 2층 이상의 발광층을 포함되는 경우에는, 발광층들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있다.
발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 발광층의 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5 -difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3')iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.
발광층은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.
유기층은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.
전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4'-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4'-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4 -(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다.
정공 저지층은, 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.
정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4'-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
정공 주입층이나 정공 수송층은, 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 σ-공역 고분자 등도 사용될 수 있다.
정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다.
예시적으로 유기발광소자는, 순차적으로 형성된 (1) 정공 주입 전극층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (2) 정공 주입 전극층/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (3) 정공 주입 전극층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (4) 정공 주입 전극층/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (5) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (6) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/전자장벽층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (7) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/유기 발광층/부착개선층/전자 주입 전극층의 형태; (8) 정공 주입 전극층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (9) 정공 주입 전극층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (10) 정공 주입 전극층/무기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (11) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (12) 정공 주입 전극층/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태 또는 (13) 정공 주입 전극층/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태를 가질 수 있으며, 경우에 따라서는 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 적어도 2개의 발광층이 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층 또는 전하 발생층(CGL: Charge Generating Layer)에 의해 분할되어 있는 구조의 유기층을 포함하는 형태를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면, 발광층, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.
유기전자장치는, 봉지 구조를 추가로 포함할 수 있다. 상기 봉지 구조는, 유기전자장치의 유기층으로 수분이나 산소 등과 같은 외래 물질이 유입되지 않도록 하는 보호 구조일 수 있다. 봉지 구조는, 예를 들면, 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔이거나, 상기 유기층의 전면을 덮고 있는 필름일 수 있다.
도 4는, 순차 형성된 제 1 고분자 기재층(101), 제 1 배리어층(104), 광학 기능성층(102), 고굴절층(103) 및 제 2 배리어층(105)을 포함하는 기판 상에 형성된 제 1 전극층(401), 유기층(402) 및 제 2 전극층(403)이 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔 구조의 봉지 구조(404)에 의해 보호되어 있는 형태를 예시적으로 보여준다. 도 4와 같이 봉지 구조(404)는, 예를 들면, 접착제에 의해서 기판에 부착되어 있을 수 있다. 봉지 구조는, 예를 들면, 기판에서 하부에 제 1 전극층이 존재하지 않는 고굴절층에 접착되어 있을 수 있다. 예를 들면, 도 4와 같이 봉지 구조(404)는, 기판의 끝단에 접착제(405)에 의해 부착되어 있을 수 있다. 이러한 방식으로 봉지 구조를 통한 보호 효과를 극대화할 수 있다.
봉지 구조는, 예를 들면, 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층의 전면을 피복하고 있는 필름일 수 있다. 도 5는, 제 1 전극층(401), 유기층(402) 및 제 2 전극층(403)의 전면을 덮고 있는 필름 형태의 봉지 구조(501)를 예시적으로 나타내고 있다. 예를 들면, 필름 형태의 봉지 구조(501)는, 도 5와 같이 제 1 전극층(401), 유기층(402) 및 제 2 전극층(403)의 전면을 피복하면서, 상기 제 1 고분자 기재층(101), 제 1 배리어층(104), 광학 기능성층(102), 고굴절층(103) 및 제 2 배리어층(105)을 포함하는 기판과 상부의 제 2 기판(502)을 서로 접착시키고 있는 구조를 가질 수 있다. 상기에서 제 2 기판으로는, 예를 들면, 유리 기판, 금속 기판, 고분자 필름 또는 배리어층 등이 예시될 수 있다. 필름 형태의 봉지 구조는, 예를 들면, 에폭시 수지 등과 같이 열 또는 자외선(UV)의 조사 등에 의해 경화되는 액상의 재료를 도포하고, 경화시켜서 형성하고나, 혹은 상기 에폭시 수지 등을 사용하여 미리 필름 형태로 제조된 접착 시트 등을 사용하여 기판과 상부 기판을 라미네이트하는 방식으로 형성할 수 있다.
봉지 구조는, 필요한 경우, 산화 칼슘, 산화 베릴륨 등의 금속 산화물, 염화 칼슘 등과 같은 금속 할로겐화물 또는 오산화 인 등과 같은 수분 흡착제 또는 게터재 등을 포함할 수 있다. 수분 흡착제 또는 게터재는, 예를 들면, 필름 형태의 봉지 구조의 내부에 포함되어 있거나, 혹은 캔 구조의 봉지 구조의 소정 위치에 존재할 수 있다. 봉지 구조는 또한 배리어 필름이나 전도성 필름 등을 추가로 포함할 수 있다.
본 출원은 또한 유기전자소자용 기판 또는 유기전자장치의 제조방법에 관한 것이다. 하나의 예시에서, 유기전자소자용 기판은, 캐리어 기판에 제 1 고분자 기재층을 형성하고, 상기 기재층상에 광학기능성층을 형성하며, 상기 광학 기능성층상에 고굴절층을 형성하고, 추가로 상기 기재층 또는 고굴절층의 일면 또는 양면에 배리어층을 형성하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.
예시적인 유기전자소자용 기판의 제조방법은, 캐리어 기판에 제 1 고분자 기재층을 형성하는 것을 포함한다. 상기에서 캐리어 기판은, 예를 들면, 유리 등과 같은 강성 기판을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 캐리어 기판은, 예를 들면, 전술한 유기전자소자용 기판의 캐리어 기판의 항목에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
제 1 고분자 기재층은, 예를 들면, 캐리어 기판상에 고분자 필름을 라미네이트하거나 고분자를 포함하는 코팅액을 코팅함으로써 형성될 수 있다. 이 경우에, 상기 캐리어 기판은 그 위에 형성되는 필름 또는 코팅층이 박리 가능하도록 되어 있을 수 있다. 제 1 고분자 기재층은, 예를 들면, 상기 기술한 코팅 방식, 예를 들면 습식 코팅 방식, CVD(Chemical Vapor Deposition), 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 등과 같은 증착 방식 등을 통하여 형성할 수 있다.
하나의 예시에서, 제 1 고분자 기재층이 폴리이미드를 포함하는 경우, 상기 폴리이미드 기재층은, 캐리어 기판에 폴리이미드 필름을 라미네이트하거나 또는 그 전구체인 폴리아믹산을 적절한 용매에 희석시킨 코팅액을 도포하여 코팅한 후 이미드화 반응시켜 형성할 수 있다. 다른 하나의 예시에서, 1차로 폴리이미드 필름을 라미네이트 하고, 그 위에 다시 2차로 폴리아믹산을 포함하는 코팅액을 도포한 후 이미드화 반응시켜 형성할 수도 있다.
상기 제조 방법은 제 1 고분자 기재층을 형성한 후에, 제 1 고분자 기재층상에 광학 기능성층을 형성하는 것을 추가로 포함한다. 하나의 예시에서, 상기 광학 기능성층은 10% 내지 50%, 20% 내지 40% 또는 25% 내지 35%이 이 되도록 형성될 수 있다. 광학 기능성층은, 예를 들면, 상기 기술한 코팅 방식, CVD(Chemical Vapor Deposition), 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 등과 같은 증착 방식 또는 나노임프린팅 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있다.
상기 제조 방법은 광학 기능성층을 형성한 후에, 광학 기능성층상에 고굴절층을 형성하는 것을 추가로 포함한다. 하나의 예시에서, 상기 고굴절층은 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.6 내지 2.0, 1.8 내지 1.95 또는 1.85 내지 1.90이 되도록 형성될 수 있다. 고굴절층은, 예를 들면, 상기 기술한 코팅 방식, CVD(Chemical Vapor Deposition), 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 등과 같은 증착 방식 또는 나노임프린팅 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있다.
상기 제조 방법은, 제 1 고분자 기재층 또는 고굴절층의 일면 또 양면에 배리어층을 형성하는 것을 추가로 포함한다. 하나의 예시에서, 상기 배리어층은 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.45 이상이 되도록 형성될 수 있다. 하나의 예시에서, 배리어층을 제 1 고분자 기재층 상에 형성하는 경우, 상기 배리어층의 형성은, 광학기능성층을 형성 전에 수행될 수 있다. 다른 하나의 예시에서, 배리어층을 고굴절층 상에 형성하는 경우, 상기 배리어층의 형성은, 고굴절층을 형성한 후에 수행되거나, 또는 상부에 배리어층이 형성된 고굴절층을, 광학기능성층 상에 형성함으로써 수행될 수 있다.
배리어층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 형성 방법의 구체적인 예는 ALD(Atomic Layer Deposition) 법, 진공 증착법, 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, MBE (분자선 에피택시) 법, 클러스터 이온 빔법, 이온도금법, 플라즈마 중합법 (고주파 여기 이온 도금법), 플라즈마 CVD 법, 레이저 CVD 법, 열 CVD 법, 가스 소스 CVD 법, 및 코팅법을 포함한다.
유기전자장치의 제조 방법은, 상기 기술한 방법에 따라 제조된 유기전자소자용 기판 상에, 제 1 전극, 발광층을 포함하는 기능성 유기층과 제 2 전극층을 순차로 형성하고, 필요에 따라 추가로 봉지 구조를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기전자소자의 제조 시에 사용되었던 캐리어 기판은 공정 완료 후에 필요에 따라, 제거될 수도 있다. 상기 제 1 및 제 2 전극층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 공지의 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 방식 등의 임의의 방식으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 유기층 및 봉지구조는 공지된 방식으로 형성할 수 있다.
본 출원은 또한 상기 기술한 유기전자장치, 예를 들면, 유기발광장치의 용도에 관한 것이다. 상기 유기발광장치는, 예를 들면, 디스플레이용 광원, 예를 들어 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은, 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에, 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.
본 출원의 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 수분이나 산소 등과 같은 외래 물질이 유입되는 것을 차단하여 내구성이 향상되고, 광추출 효율 등을 포함하는 성능이 우수한 유기전자장치를 형성할 수 있다.
도 1은 예시적인 유기전자소자용 기판을 나타내는 모식도이다.
도 2 및 도 3은 광학 기능성층의 예시를 나타내는 도면이다.
도 4 및 5는 예시적인 유기전자장치를 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 3은 광학 기능성층의 예시를 나타내는 도면이다.
도 4 및 5는 예시적인 유기전자장치를 나타내는 도면이다.
이하, 본 출원에 따른 실시예 및 본 출원에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 출원을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예
1
유기전자소자용 기판의 제조
캐리어 기판으로 유리를 사용하여 유기전자소자용 기판과 유기전자소자(유기발광소자)를 제조하였다. 우선, 하기 화학식 A의 화합물(3,3'-sulfonyldianiline) 및 하기 화학식 B의 화합물(3,3'4,4'-bipheynyltetracarboxylic dianhydride)을 사용하여 공지의 폴리아믹산(poly(amic acid))의 합성 방식으로 합성한 폴리아믹산을 포함하는 코팅액으로서 분자량(Mw)이 약 5만 정도인 코팅액을 상기 캐리어 기판상에 최종 고분자층의 두께가 약 30 ㎛가 되도록 코팅한 후에 이미드화 반응(imidization)을 수행하여, 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.7 내지 1.8 정도인 기재층을 형성하였다.
공지의 ALD(Atomic Layer Deposition) 방식으로 상기 고분자 기재층상에 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.65 내지 1.7 정도인 Al2O3층과 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 약 2.3 정도인 TiO2층을 5 nm 두께로 교대로 증착하여 총 30 nm 두께를 배리어층으로서, 형성하였다.
이어서, 축합성 실란으로서 테트라메톡시 실란을 포함하는 졸겔 코팅액 내에 평균 입경이 약 200 nm인 산란성 입자(산화 티탄 입자)를 배합하고, 충분히 분산시켜서 광산란층용 코팅액을 제조하였다. 상기 코팅액을 상기 고분자 기재층상에 코팅하고, 200 ℃에서 약 30분 동안 졸겔 반응을 진행시켜서 두께가 약 300 nm 정도인 광산란층을 형성하였다. 형성된 광산란층에 대하여 HM-150을 이용하여 JIS K 7105방식으로 헤이즈를 평가한 결과, 헤이즈가 약 30 %로 측정되었다. 그 후, 동일하게 테트라메톡시 실란을 포함하는 졸겔 코팅액에 평균 입경이 약 10 nm이고, 굴절률이 약 2.5 정도인 고굴절 산화 티탄 입자를 배합한 고굴절 코팅액을 광산란층의 상부에 코팅한 후에 동일하게 졸겔 반응을 진행하여 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.8 정도이며, 두께가 약 300 nm 정도인 평탄층을 형성하였다.
그 후, 상기 고분자 기재층의 형성 시에 한 것과 동일한 방식으로 상기 평탄층상에 1 ㎛ 정도의 두께 로 폴리이미드에 의한 제 2 고분자 기재층을 형성하고, 역시 상기와 동일한 배리어층(Al2O3층과 TiO2층의 적층 구조)을 동일한 방식으로 형성하여 유기전자 소자용 기판을 제조하였다.
[화학식 A]
[화학식 B]
유기전자장치의 제조
공지의 스퍼터링 방식으로 상기 제 2 고분자 기재층상에 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 정공 주입성 전극층을 상기 제 2 고분자 기재층상에 형성하였다. 계속하여 공지의 소재 및 방식을 사용하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입성 전극층을 형성하였다. 그 후 글라스캔으로 상기 구조를 봉지하여 유기발광장치를 제작하였다.
비교예
1.
광산란층용 코팅액의 제조 시에 산란 입자를 사용하지 않고, HM-150을 이용하여 JIS K 7105 방식으로 측정한 헤이즈가 1 % 미만인 층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기전자소자용 기판 및 유기발광장치를 제조하였다.
상기 실시예 1 및 비교예 1의 유기발광장치의 절대 양자 효율 및 구동 전압은 하기 표 1과 같다. 하기 표 1에서 절대 양자 효율의 평가는 공지의 방식으로 수행하였다.
| 구동 전압(V) | 절대 양자 효율(%) | |
| 실시예 1 | 6.2 | 48.1 |
| 비교예 1 | 6.3 | 29 |
1: 유기전자소자용 기판
101: 제 1 고분자 기재층
102: 광학 기능성층
103: 고굴절층
104: 제 1 배리어층
105: 제 2 배리어층
1021: 매트릭스 물질
1022: 산란성 영역
1023: 요철 구조의 광산란층
401: 제 1 전극층
402: 유기층
403: 제 2 전극층
404: 캔 형태의 봉지구조
501: 필름 형태의 봉지구조
502: 제 2 기판.
101: 제 1 고분자 기재층
102: 광학 기능성층
103: 고굴절층
104: 제 1 배리어층
105: 제 2 배리어층
1021: 매트릭스 물질
1022: 산란성 영역
1023: 요철 구조의 광산란층
401: 제 1 전극층
402: 유기층
403: 제 2 전극층
404: 캔 형태의 봉지구조
501: 필름 형태의 봉지구조
502: 제 2 기판.
Claims (20)
- 가시광 영역의 파장의 광에 대한 투과율이 50% 이상이고, 633nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.6 이상인 제 1 고분자 기재층; 상기 제 1 고분자 기재층상에 형성되어 있는 광학 기능성층; 상기 광학 기능성층상에 순차로 형성되어 있는 633nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.7 이상인 평탄층 및 633nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.6 이상인 제 2 고분자 기재층을 포함하는 고굴절층; 및 상기 제 1 고분자 기재층 또는 고굴절층의 일면 또는 양면에 형성되어 있고, 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.45 이상인 배리어층을 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 고분자 기재층은 하기 수식 1을 만족하는 유기전자소자용 기판:
[수식 1]
15 ㎛ ≤ n x d ≤ 200 ㎛
수식 1에서, n은 제 1 고분자 기재층의 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이고, d는 제 1 고분자 기재층의 두께이다. - 제 1 항에 있어서, 제 1 고분자 기재층은 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설파이드, 폴리설폰 아크릴 수지, 폴리스티렌 또는 에폭시 수지를 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 배리어층은 TiO, TiO2, Ti3O3 , Al2O3, MgO, SiO, SiO2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, ZrO2, Nb2O3 및 CeO로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기전자소자용 기판
- 제 1 항에 있어서, 광학 기능성층은 헤이즈가 10% 내지 50%인 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 광학 기능성층은 광산란층인 유기전자소자용 기판.
- 제 6 항에 있어서, 광산란층은 매트릭스 물질 및 상기 매트릭스 물질과는 굴절률이 다른 산란성 입자를 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 제 6 항에 있어서, 광산란층은 요철 구조를 가지는 층인 유기전자소자용 기판.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 평탄층은 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리실록산 또는 에폭시 수지를 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 제 11 항에 있어서, 평탄층은 633nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.8 이상이고 평균 입경이 50 nm 이하인 입자를 추가로 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 캐리어 기판을 추가로 포함하고 제 1 고분자 기재층의 광학 기능성층과는 반대측 면이 상기 캐리어 기판과 접촉하고 있는 유기전자소자용 기판.
- 캐리어 기판에 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상이고, 633nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.6 이상인 제 1 고분자 기재층을 형성하고, 상기 기재층상에 광학 기능성층을 형성하며, 상기 광학 기능성층상에 633nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.7 이상인 평탄층 및 633nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.6이상인 제2 고분자 기재층을 순차로 포함하는 고굴절층을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 제 1 고분자 기재층 또는 고굴절층의 일면 또는 양면에 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.45 이상인 배리어층을 형성하는 것을 추가로 포함하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서, 제 1 고분자 기재층은 캐리어 기판상에 고분자 필름을 라미네이트하거나 고분자를 포함하는 코팅액을 코팅하여 형성하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
- 제 1 항의 유기전자소자용 기판; 상기 기판상에 형성되어 있는 제 1 전극; 상기 제 1 전극상에 형성되어 있는 기능성 유기층 및 상기 기능성 유기층상에 형성되어 있는 제 2 전극을 포함하는 유기전자장치.
- 제 15 항의 방법에 따라 제조된 유기전자소자용 기판상에 제 1 전극, 기능성 유기층 및 제 2 전극을 순차 형성하는 것을 포함하는 유기전자장치의 제조 방법.
- 제 17 항의 유기전자장치를 포함하는 디스플레이용 광원.
- 제 17 항의 유기전자장치를 포함하는 조명 기기.
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