JP5010556B2 - 有機el発光素子 - Google Patents

有機el発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5010556B2
JP5010556B2 JP2008215715A JP2008215715A JP5010556B2 JP 5010556 B2 JP5010556 B2 JP 5010556B2 JP 2008215715 A JP2008215715 A JP 2008215715A JP 2008215715 A JP2008215715 A JP 2008215715A JP 5010556 B2 JP5010556 B2 JP 5010556B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light scattering
layer
organic
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008215715A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009076452A (ja
Inventor
将啓 中村
正人 山名
健之 山木
義雄 光武
伸弘 井出
宜弘 伊藤
博也 辻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2008215715A priority Critical patent/JP5010556B2/ja
Publication of JP2009076452A publication Critical patent/JP2009076452A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5010556B2 publication Critical patent/JP5010556B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/331Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、液晶バックライト、照明器具、各種ディスプレイ、表示装置などに用いられる有機EL発光素子に関するものである。
面発光体の代表的なものとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL発光素子)がある。この有機EL発光素子は、図1(a)に示すように、透光性の基板1の上に透光性の電極3を設け、この透光性電極3の上に有機EL材料からなる有機発光層2を設けると共に、有機発光層2の上に光反射性の対向電極10を設けることによって形成されている。そして透光性電極3と対向電極10との間に電圧を印加することによって有機発光層2で発光した光は、透光性電極3及び透光性基板1を透過して取り出される。
このように有機発光層2で発光した光を透光性電極3と透光性基板1を通して外部に取り出すにあたって、光が透光性電極3と透光性基板1との界面で全反射すると、光の取り出し効率が低下する。このために、図1(a)のように透光性電極3と透光性基板1との間に光散乱層5を形成し、光散乱層5で光を散乱させることによって、透光性電極3と透光性基板1との界面で全反射が生じることを低減して、光の取り出し効率を高めるようにしている。
この光散乱層5は、透光性基板1の透光性電極3の側の表面に微細な凹凸を設けたり、粒子を含有するコーティング樹脂層を透光性基板1の透光性電極3の側の表面に設けたりして形成されるが、いずれにしても光散乱層5の表面が凹凸になり、薄い膜厚の透光性電極3を均一な厚みで形成することができない。このため、図1(a)のように、光散乱層5の表面に平坦化層11を形成して凹凸をならして平滑にし、平坦化層11の平滑な表面に薄い膜厚の透光性電極3を均一な厚みで形成するようにしている(例えば、特許文献1等参照)。
特開2006−286616号公報
上記のように透光性基板1と透光性電極3の間に光散乱層5と平坦化層11からなる光取出し層4を形成し、有機発光層2で発光した光を光取出し層4の光散乱層5で散乱させて光の指向性を変更し、光が透光性電極3と透光性基板1との界面で全反射することを抑制して、光の取り出し効率を高めるようにしているものである。
しかし、このように光取出し層4の光散乱層5で光を散乱させると、斜め方向への光の取り出しは向上するが、正面への光の取り出しは低下することになり、光の取り出し効率を十分に高めることができないという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、正面取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大して、高効率で光を取り出すことができる有機EL発光素子を提供することを目的とするものである。
本発明に係る有機EL発光素子は、透光性の基板1と有機発光層2の間に透光性の電極3を備えると共に基板1と透光性の電極3の間に光の指向性を変更する光取出し層4を備え、有機発光層2で発光した光を光取出し層4及び透光性の電極3から透光性の基板1を通して取り出すようにした有機EL発光素子において、光取出し層4は光散乱層5を備えて形成され、光散乱層5は、光散乱粒子6バインダー樹脂7中で凝集して形成された光散乱領域8と、光散乱領域8より光散乱粒子6の含有比率が低い光透過領域9とが、面方向で混在して形成されていることを特徴とするものである。
この発明によれば、有機発光層2で発光した光を光取出し層4の光散乱層5を通して基板1から取り出すにあたって、光散乱層5を透過する光のうち、光散乱領域8を透過する光を光散乱粒子6で散乱させて斜め方向への光の取り出しの効率を増大させることができると共に、光散乱粒子6の含有比率が低い光透過領域9を透過する光は正面方向へ取り出すことができるものであり、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大して、高効率で光を取り出すことができるものである。
また本発明は、光散乱層5の面内で、光散乱領域8が占める面積割合が10〜90%であることを特徴とするものである。
この発明によれば、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大する効果を高く得ることができるものである。
また本発明において、光散乱層5の面内は、光散乱領域8と光透過領域9のうち一方が海、他方が島を構成する海島構造に形成され、島を構成する側の領域の大きさが1〜100μmの範囲であることを特徴とするものである。
この発明によれば、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大する効果を、光散乱層5の全面で均一に得ることができるものである。
また本発明において、光散乱粒子6の粒径は、0.05〜100μmであることを特徴とするものである。
この発明によれば、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大する効果を、素子短絡のおそれなく得ることができるものである。
また本発明において、光散乱粒子6は、長軸方向と短軸方向を有する異方形状の粒子であることを特徴とするものである。
この発明によれば、異方形状の光散乱粒子6によって光の散乱効果を高く得ることができ、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大する効果を高く得ることができるものである。
また本発明において、光散乱粒子6は、光反射性を有するものであることを特徴とするものである。
この発明によれば、光散乱粒子6による光の散乱効果が高く、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大する効果を高く得ることができるものである。
また本発明において、光取出し層4は、光散乱層5と、光散乱層5と透光性の電極3との間に設けられ、光散乱層5の表面を平坦にする平坦化層11とを備えて形成されていることを特徴とするものである。
この発明によれば、光散乱粒子6を含有することによって粗面に形成される表面を平坦化層11でならして平坦にすることができるものであり、透光性の電極3を均一な膜厚で形成することができ、電極3に電気特性やショートが発生したりすることを防ぐことができるものである。
本発明によれば、有機発光層2で発光した光を光取出し層4の光散乱層5を通して基板1から取り出すにあたって、光散乱層5を透過する光のうち、光散乱領域8を透過する光を光散乱粒子6で散乱させて斜め方向への光の取り出しの効率を増大させることができると共に、光透過領域9を透過する光は正面方向へ取り出すことができるものであり、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大して、高効率で光を取り出すことができるものである。
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
本発明に係る有機EL発光素子の層構成の一例を既述の図1(a)に示す。透光性の基板1の片側表面に光散乱層5と平坦化層11がこの順に積層してあり、光散乱層5と平坦化層11とで光の指向性を変更して取り出す光取出し層4が形成してある。平坦化層11の光散乱層5と反対側の表面には透光性の電極3が形成してあり、この電極3の平坦化層11と反対側の表面に有機発光層2が積層してある。この有機発光層2の電極3側には必要に応じて正孔注入層や正孔輸送層が積層され、また有機発光層2の電極3と反対側には必要に応じて電子輸送層や電子注入層が積層される。そして有機発光層2の透光性の電極3と反対側に対向電極となる電極10を積層して設けることによって、有機EL発光素子を形成することができる。
上記の透光性の基板1としては、光を透過させるものであれば特に制限されることなく使用することができるものであり、例えばソーダガラスや無アルカリガラス等のリジッドな透明ガラス板、ポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート等のフレキシブルな透明プラスチック板など、任意のものを用いることができる。
この基板1の表面に設ける光散乱層5は、光散乱粒子6とバインダー樹脂7よりなるコーティング材料を塗布して製膜することによって形成することができる。
この光散乱粒子6としては透明粒子が用いられるものであり、例えばTiO、SiO、ZrO、Al、Ta、ZnO、Sb、ZrSiO、ゼオライト又はそれらの多孔性物質やそれらを主成分とした無機粒子、あるいはポリイミド樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、シリコーン樹脂、フッ化物樹脂などの有機粒子を挙げることができる。
またバインダー樹脂7としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の2種以上の共重合体が挙げられる。また、シリケート系のアルコキシドを反応させたシリコーン樹脂や、ポリシロキサンからなるシリカ多孔質体を用いることもできる。このポリシロキサンは、テトラエトキシシランなどのアルコキシシラン又はその部分加水分解物を縮重合して得られるものである。
バインダー樹脂7と光散乱粒子6との屈折率差は、通常0.01〜2の範囲が好ましい。この屈折率差が小さすぎると有効なMie散乱を得ることが困難になり、屈折率差が大きすぎると後方散乱が増大し、光取り出し率が十分に得られなくなるおそれがある。
また、屈折率の異なる2種類の光散乱粒子6を用いて光散乱層5を形成することもできる。すなわち、バインダー樹脂7の屈折率をNb、2種類の光散乱粒子6のうち一方の屈折率をNf、他方の屈折率をNfとすると、Nf>Nb>Nfの関係を満たすように、バインダー樹脂7及び2種類の光散乱粒子6を選択して使用するものである。屈折率がこのような関係を有するバインダー樹脂7及び2種類の光散乱粒子6からなる光散乱層5は、これらの屈折率の差によって光の散乱効果が増幅されるものであり、この光散乱層5を透光性の基板1の表面に形成することによって、光散乱層5と基板1との界面での臨界角に乱れが生じ、基板1への光の伝送がより多くなり、光の取り出し効率が高くなるものである。
バインダー樹脂7の屈折率Nbは一般に1.45〜1.60の範囲であり、光散乱粒子6の屈折率Nf,Nfは一般に1.2〜2.5の範囲であるが、2種類の光散乱粒子6のうち、一方の光散乱粒子6は屈折率Nfが1.4以下であることが望ましい。この屈折率Nfの下限は特に限定されないが、一般的に1.2程度である。このように一方の微粒子の屈折率Nfが1.4以下であることによって、光散乱層5の屈折率が大幅に低下し、光散乱性が高く、かつ屈折率の低い光散乱層5を形成することができるものである。またこの場合、2種類の光散乱粒子6の屈折率Nf,Nfの差が0.5以上であることが望ましい。2種類の光散乱粒子6に0.5以上の屈折率差があることによって、光散乱層5の光散乱強度が増し、結果的に光の取り出し効率がより向上するものである。2種類の光散乱粒子6の屈折率差の上限は特に限定されないが、一般的に1.3程度以下であることが望ましい。この2種類の光散乱粒子6の比率は特に限定されるものではないが、小さい屈折率Nfのものと大きい屈折率Nfのものを1:9〜9:1の質量比率で配合するのが好ましい。
そして光散乱粒子6をバインダー樹脂7に配合して得られるコーティング材料を基板1の表面に、スピンコート、ディップコート、ダイコート、キャスト、スプレーコート、グラビアコートなどの方法で塗布してコーティングすることによって、光散乱層5を形成することができるものである。
光散乱層5の膜厚は特に制限されるものではないが、0.1〜20μm程度の範囲が好ましい。また光散乱層5の屈折率は多くの場合、1.30〜1.70の範囲であるが、透光性の基板1の屈折率と同じかそれよりも小さくなるように設定するのが好ましい。このように光散乱層5の屈折率が基板1の屈折率と同等以下であると、光散乱層5から基板1に入射される光が全反射されることを低減することができ、光を外部に取り出す効率がより大きくなるものである。さらに光散乱層5は、ヘイズ値((拡散透過率/全透過率)×100)が2〜50の範囲に設定されることが好ましい。光散乱層5のヘイズ値をこの範囲に設定することによって、光取出し効率の向上を図ることが可能になるものである。ヘイズ値が高い膜の場合、光取出し効率が向上しても、白色化してしまい外観を損ねる場合がある。
ここで、上記のように光散乱粒子6とバインダー樹脂7を含有するコーティング材料を基板1の表面に塗布するにあたって、光散乱粒子6やバインダー樹脂7の品種を選択したり、配合比率を調整したりすることにより、塗布後に溶媒が蒸発して乾燥する過程で表面エネルギーにより光散乱粒子6が凝集してバインダー樹脂7内を移動し、光散乱層5の面内で、光散乱粒子6がバインダー樹脂7中で凝集して多く存在する光散乱領域8と、光散乱粒子6の含有比率が光散乱領域8より低い光透過領域9とを形成することができる。この光散乱粒子6の含有比率が多い光散乱領域8と、光散乱粒子6の含有比率が低い光透過領域9は、図1(b)に示すように、一方の領域が海、他方の領域が島となる海島構造で、海となる領域内に島となる領域が光散乱層5の面方向でほぼ均一な分布で散在して混在するものである。
光散乱領域8や光透過領域9の光散乱層5の面内での大きさや面積比率の制御は、コーティング材料中の光散乱粒子6とバインダー樹脂7との比率を調整したり、コーティング材料を溶媒で希釈するにあたっての光散乱粒子6の濃度を調整したり、さらにコーティング材料を複数回塗り重ねて光散乱層5を形成する際の塗り重ね回数を調整したりすることによって、行なうことができる。光散乱領域8と光透過領域9を明瞭な海島構造状に混在させて光散乱層5を形成するためには、光散乱粒子6の濃度が10質量%以下になるように溶媒で希釈してコーティング材料を調製するのが望ましい。また、光散乱領域8と光透過領域9の、バインダー樹脂7に対する光散乱粒子6の含有比率の差は、光透過領域9側が光散乱領域8側の1/2以下の含有比率になるようにするのが好ましく、光透過領域9には光散乱粒子6が含有されないことが特に好ましい。差が1/2より大きい場合には、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大する効果を十分に得ることができなくなるおそれがある。
上記のように形成される光散乱層5の表面には、光散乱層5の表面に露出する光散乱粒子6で凹凸が生じる。このため、光散乱層5の表面に直接、透光性の電極3を形成すると、電極3は膜厚が薄いので膜厚が不均一になり、また凹凸に追随した形状で形成されることになり、電気特性に問題が生じたりショートが発生したりするおそれがある。特に、本発明のように光散乱領域8と光透過領域9が混在して形成される光散乱層5の場合、また後述のように長軸方向と短軸方向を有する異方形状の光散乱粒子6を用いる場合、光散乱粒子6が存在する部分の光散乱層5の表面は粗くなり、電極3にショートが発生する可能性が高くなる。そこで、光散乱層5の基材1と反対側の表面に平坦化層11を形成し、光散乱層5の凹凸をこの平坦化層11で埋めてならし、平坦化層11の平滑な表面に電極3を形成するようにしてある。
この平坦化層11は、樹脂コーティング層で形成することができる。コーティング樹脂の材料としては、光透過性を有しているものであればよく、特に限定されることなく任意のものを用いることができるが、例えばポリエステル、ポリエーテル、ポリエ−テルケトン、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、エポキシ、ポリウレタン、ポリウレタンアクリレート、ポリカーボネートなどを挙げることができる。なかでもポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ、ポリウレタン等の熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。そしてこのコーティング樹脂を光散乱層5の表面にコーティングした後、加熱して硬化させることによって、平坦化層11を形成することができる。平坦化層11の膜厚は、特に限定されないが、1〜20μm程度の範囲が好ましい。また平坦化層11の表面の平坦性は、接触式膜厚計(ULVAC社製「DekTak6」)を用いて、測定距離5000μm、荷重0.5mg、測定時間20secの条件で測定した算術平均粗さRa(JIS B0601)が200nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましいが、勿論これに限定されるものでない。
この平坦化層11を形成する樹脂の屈折率は、透光性の電極3と平坦化層11との界面における全反射を低減してより多くの光を光散乱層5へ導くために、電極3の屈折率よりも高いか、電極3の屈折率より低い場合でもその差が小さいことが望ましい。さらに平坦化層11を形成する樹脂の屈折率は、光散乱層5の屈折率よりも低いか、光散乱層5の屈折率より高い場合でもその差が小さいことが望ましい。理想的には、平坦化層11の層内の屈折率が電極3の側から光散乱層5の側へと徐々に高くなるか、低くなるように傾斜し、電極3との界面では平坦化層11の屈折率が電極3の屈折率とほぼ同じになり、光散乱層5との界面では平坦化層11の屈折率が光散乱層5の屈折率とほぼ同じになるようにするのが好ましい。この場合には、平坦化層11と電極3や光散乱層5との間に屈折率が異なる光学的な界面がなくなり、界面における全反射ロスをなくすことができるものである。
上記のように光散乱層5の表面に平坦化層11を設けた後、平坦化層11の光散乱層5と反対側の表面に透光性の電極3を形成する。この透光性の電極3の材料としては、本発明の効果の妨げにならない限り任意のものを用いることができ、例えば、インジウム−錫酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、錫酸化物、Au等の金属の極薄膜、導電性高分子、導電性の有機材料、ドーパント(ドナーまたはアクセプタ)含有有機層、導電体と導電性有機材料(高分子含む)の混合物、又はこれらの積層体等を挙げることができる。これら材料をスパッタ法やイオンプレーティング法などの気相成長法を用いて製膜することによって、電極3を形成することができる。この電極3の膜厚は特に限定されるものではないが、50〜300nm程度が好ましい。
次に、上記のように透光性の電極3を平坦化層11の表面に設けた後、電極3の平坦化層11と反対側の表面に有機発光層2を形成する。有機発光層2を形成する有機EL材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、ピラン、キナクリドン、ルブレン、及びこれらの誘導体、あるいは、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、及びこれらの発光性化合物からなる基を分子の一部分に有する化合物あるいは高分子等が挙げられる。また上記化合物に代表される蛍光色素由来の化合物のみならず、いわゆる燐光発光材料、例えばIr錯体、Os錯体、Pt錯体、ユーロピウム錯体等々の発光材料、又はそれらを分子内に有する化合物若しくは高分子も好適に用いることができる。これらの材料は、必要に応じて、適宜選択して用いることができる。
そして有機発光層2の透光性の電極3と反対側に光反射性の対向電極10を設けることによって、図1(a)の層構成の有機EL発光素子を形成することができるものである。この電極10の材料としては、Alなどを用いることができるが、Alと他の電極材料を組み合わせて積層構造などとして構成するものであっても良い。このような電極材料の組み合わせとしては、アルカリ金属とAlとの積層体、アルカリ金属と銀との積層体、アルカリ金属のハロゲン化物とAlとの積層体、アルカリ金属の酸化物とAlとの積層体、アルカリ土類金属や希土類金属とAlとの積層体、これらの金属種と他の金属との合金などが挙げられ、具体的には、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウムなどとAlとの積層体、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、LiF/Al混合物/積層体、Al/Al混合物などを例として挙げることができる。
上記のように形成される有機EL発光素子にあって、透光性の電極3と対向電極10との間に電圧を印加することによって有機発光層2で発光した光は、透光性の電極3から、平坦化層11と光散乱層5よりなる光取出し層4を透過し、さらに透光性の基板1を透過して取り出される。有機発光層2で発光した光がこのように光取出し層4の光散乱層5を通過する際に、光は散乱されて光の指向性が変更され、光取出し層4と基板1との界面で光が全反射されることを抑制することができるものである。
ここで、上記のように光散乱層5は、バインダー樹脂7に含有される光散乱粒子6の量が多い光散乱領域8と、バインダー樹脂7に含有される光散乱粒子6の量が少ない光透過領域9とが、面方向で海島構造状に混在して形成されている。このため光散乱層5を透過する光のうち、光散乱領域8を透過する光は多く含有される光散乱粒子6で散乱され、斜め方向への光の取り出しの効率を増大させることができるものであり、また光散乱層5を透過する光のうち光透過領域9を透過する光は、光散乱粒子6の量が少ないためにほとんど散乱されることなく直進して、ほとんど正面方向へ取り出すことができるものである。従って、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大して、高効率で光を取り出すことができるものである。
このように、光散乱領域8と光透過領域9とが海島構造状に混在する光散乱層5において、光散乱層5の面内での光散乱領域8と光透過領域9の面積の割合は、光散乱領域8の面積が光散乱層5の面内の10〜90%となるように設定するのが好ましい。光散乱領域8が占める割合が10%未満であると、光散乱層5を通過する光の散乱が不十分になって、斜め方向への取り出しが不十分になり、逆に90%を超えると、光透過領域9の面積割合が小さくなり過ぎて、斜め方向に取り出せる光以上に正面への光の取り出しが大きく低下してトータルの取出し量が減少し、いずれも光の取り出し効率を十分に高めることができない。
また光散乱領域8で海が、光透過領域9で島が構成されて、光透過領域9が光散乱領域8内に散在する海島構造で光散乱層5が形成される場合、光透過領域9の大きさは1〜100μmの範囲が好ましい。光透過領域9の大きさが100μmを超えると、光透過領域9を直進して正面方向へ取り出される光の量が多くなって斜め方向への取り出しが不十分になり、逆に光透過領域9の大きさが1μm未満であると、正面への光の取り出しが不十分になり、いずれも光の取り出し効率を十分に高めることができない。あるいは逆に、光散乱領域8で島が、光透過領域9で海が構成されて、光透過領域9内に光散乱領域8が散在する海島構造で光散乱層5が形成される場合、光散乱領域8の大きさは1〜100μmの範囲が好ましい。光散乱領域8の大きさが100μmを超えると、光散乱領域8で散乱される光の量が多くなって正面方向への光の取り出しが不十分になり、逆に光散乱領域8の大きさが1μm未満であると、直進する光の量が少なくなって正面への光の取り出しが不十分になり、いずれも光の取り出し効率を十分に高めることができない。そして光散乱領域8と光透過領域9のいずれで島を構成する場合でも、島を構成する領域の大きさが100μmを超える場合、光散乱層5の面内での光散乱領域8や光透過領域9の分布が不均一になり、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大する効果を、光散乱層5の全面で均一に得られなくなるおそれがある。尚、島を構成する光散乱領域8や光透過領域9の大きさとは、不定形に形成される領域の各部の直径の平均値である平均直径をいうものである。
さらに、光散乱層5の光散乱領域8や光透過領域9を形成する光散乱粒子6の粒径(平均粒子径)は、0.05〜100μmの範囲であることが好ましい。光散乱粒子6の粒径が0.05μm未満であると、光を散乱させる効果を十分に得ることができず、光の取り出し効率を十分に高めることができない。逆に光散乱粒子6の粒径が100μmを超えると、光散乱粒子6が有機EL発光素子を構成する層を突き抜けて素子短絡を引き起こす危険性が高まり、デバイスの信頼性が損なわれるおそれがある。尚、平均粒子径は、粒子分散溶液を濃厚系粒径アナラーザー(大塚電子社製)で測定し、3回測定した平均値を採用した。
また、光散乱粒子6は、球形などのように等方形状であってもよいが、長軸方向と短軸方向を有する異方形状であってもよい。光散乱粒子6がこのように異方形状であると、光散乱粒子6はその長軸方向が光散乱層5の膜厚方向に対して種々の角度・方向に向くように配列し、光散乱粒子6による光の散乱効果を高く得ることができるものである。例えば、長軸方向の粒径が5μm、短軸方向の粒径が3μmの凸レンズ形状を有する異方形状の光散乱粒子6を用いる場合と、直径5μmの真球状の光散乱粒子6を用いる場合を比較すると、基板1の表面に光散乱層5を塗布した際に、特別な処理などをしない限り、異方形状の光散乱粒子6は、その長軸方向が基板1の表面と平行など一方向に規則的に配列するようなことはなく、不規則な方向に長軸が向くように配列されるものであり、真球状の光散乱粒子6よりもあらゆる方向への光の散乱効果を高く得ることができる。このため、長軸方向と短軸方向を有する異方形状の光散乱粒子6を用いることによって、正面取出し光の低減を抑えつつ、斜め方向の光を散乱させて光取出しを向上させる効果を高く得ることができるものである。
ここで、光散乱粒子6の長軸方向と短軸方向は必ずしも直交している必要はなく、長軸方向と短軸方向が任意の角度である異方形状であってもよい。またこの異方形状の光散乱粒子6の長軸方向の粒径や短軸方向の粒径は、上記したような0.05〜100μmの範囲内であることが好ましいが、特に長軸方向の粒径は0.5〜50μm、短軸方向の粒径は0.1〜10μmの範囲が好ましい。また長軸方向と短軸方向の粒径の差は、短軸方向の粒径を1として長軸方向の粒径が1.2〜5の範囲であることが好ましいが、これに限定されるものでない。
さらに、光散乱粒子6は、その表面が光反射性を有するものであることが好ましい。このように光反射性を有する光散乱粒子6を用いることによって、光散乱粒子6による光の散乱効果を高く得ることができ、正面への取り出し光の低減を抑制しつつ、斜め方向への光の取り出しの効率を増大する効果を高く得ることができるものである。
このような光反射性を有する光散乱粒子6としては、特に限定されるものではないが、アルミニウムなどの金属で構成される粒子を用いることができる。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。尚、重量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)により、測定機として東ソー(株)製「HLC−8120」を用いて、標準ポリスチレンで検量線を作成し、その換算値として測定した。
(実施例1)
テトラエトキシシラン86.8質量部にイソプロピルアルコール803.5質量部を加え、さらにγ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン34.7質量部及び0.1N−硝酸75質量部を加え、ディスパーを用いてよく混合することによって溶液を得た。得られた溶液を40℃恒温槽中で2時間攪拌し、重量平均分子量が1050のシリコーンレジン5質量%溶液を得た。次にこのシリコーンレジン溶液に、光散乱粒子6としてメチルシリコーン粒子(GE東芝シリコーン社製「トスパール120」:平均粒子径2μm)を、メチルシリコーン粒子/シリコーンレジン(縮合化合物換算)の固形分質量基準で80/20となるように添加して、ホモジナイザーで分散させることによって、メチルシリコーン粒子分散シリコーンレジン溶液をコーティング材料として得た。尚、上記の「縮合化合物換算」とは、テトラアルコキシシランの場合は、存在するSiがSiOであるとしての質量、トリアルコキシシランの場合は、存在するSiがSiO1.5であるとしての質量である。
次に、透光性の基板1として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」)を用い、上記のコーティング材料を基板1の表面にスピンコーターによって1000rpmの条件で塗布・乾燥し、この塗布・乾燥を6回繰り返した後に、200℃で30分間焼成することによって、厚み約5μmの光散乱層5を形成した。このようにして得た、光散乱層5付きの基板1の光学物性をヘイズメーター(日本電色工業社製「NDH−2000」)で測定したところ、ヘイズ値は95.4、全光線透過率は73.4%であった。
また上記のように作製した光散乱層5の表面を光学顕微鏡(キーエンス社製「VHX−500」)で観察した。500倍で撮影した表示画像を図2に示す。図2にみられるように、光散乱粒子6が凝集した光散乱領域8が海となり、光散乱粒子6が存在しない光透過領域9が島となった、海島構造に光散乱層5が形成されており、島を構成する光透過領域9の大きさは100μm以下である。また光散乱領域8が占める面積割合は約70%である。
上記のように形成した光散乱層5の表面に、イミド系樹脂コーティング材(OPTMATE社製「HRI1783:nD=1.78、濃度18質量%)をスピンコーターによって2000rpmの条件で塗布して乾燥し、200℃で30分間加熱して硬化させることによって、厚み約4μmの平坦化層11を形成した。
次に、ITOターゲット(東トー社製)を用いて、上記のように形成した平坦化層11の表面にスパッタすることによって、平坦化層11の上に120nmの膜厚でITO膜を形成した。次にこのようにITO膜を形成した基板1を、Ar雰囲気下、200℃で1時間、加熱処理することによって、ITO膜をアニールしてシート抵抗18Ω/□の透明電極として電極3を形成した。
次にこの透明電極3を形成した基板1をアセトン、純水、イソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄した後、乾燥し、さらにUV−O処理を15分間行なった。この後に、この基板1を真空蒸着装置にセットし、ホール輸送層として、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPB)(eRay社製)を電極3の上に40nmの膜厚で形成し、さらにこの上に電子輸送層兼有機発光層2として、アルミニウム−トリス(8−ヒドロキシキノリン)(Alq)(eRay社製)を60nmの膜厚で形成し、さらにその上に電子注入層として、LiF(高純度化学製)を1nmの膜厚で形成した。そして最後に、電子注入層の上にAl(高純度化学社製)を80nmの膜厚で真空蒸着し、陰極として対向電極10を形成した。
この後、上記の各層を蒸着して形成した基板1を露点−80℃以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックスに大気に暴露することなく搬送した。一方、硝子製の封止キャップに吸水剤(ダイニック社製)を貼り付けると共に封止キャップの外周部に紫外線硬化樹脂製のシール剤を塗布したものを予め用意した。そしてグローブボックス内で各層を囲むように封止キャップを基板1にシール剤で張り合わせ、紫外線照射してシール剤を硬化させることによって、各層を封止キャップで封止し、図1(a)のような層構成の有機EL発光素子を得た。
(実施例2)
実施例1と同様にコーティング材料を基板1の表面にスピンコーターして光散乱層5を形成するにあたって、塗布・乾燥を10回繰り返すことによって、光散乱層5を形成した。光散乱層5の膜厚は、接触式表面形状測定器(日本ビーコ社製「DekTak3」)で測定した膜厚の平均値で約8μmであった。この光散乱層5の表面を光学顕微鏡(キーエンス社製「VHX−500」)で観察した。500倍で撮影した表示画像を図3に示す。図3に見られるように、光散乱粒子6が存在しない部分は僅かであり(光透過領域9の大きさは1μm未満)、光散乱粒子6が面内のほぼ全域を覆っているが、光散乱粒子6の含有比率が高い領域(光散乱領域8)と低い領域(光透過領域9)が形成されており、光散乱領域8が占める面積割合は約90%であった。
その他は、実施例1と同様にして図1(a)のような層構成の有機EL発光素子を得た。
(実施例3)
実施例1と同様にコーティング材料を基板1の表面にスピンコーターして光散乱層5を形成するにあたって、塗布・乾燥を1回のみ行なった。光散乱層5の膜厚は、接触式表面形状測定器(日本ビーコ社製「DekTak3」)で測定した膜厚の平均値で約1μmであった。この光散乱層5の表面を光学顕微鏡(キーエンス社製「VHX−500」)で観察した。500倍で撮影した表示画像を図4に示す。図4にみられるように、光散乱粒子6が凝集した光散乱領域8は僅かであり、光散乱粒子6が存在しない光透過領域9が殆どを占めるが、光散乱領域8が島となり、光透過領域9が海となった、海島構造に光散乱層5が形成されており、島を構成する光散乱領域8の大きさは100μm以下である。また光散乱領域8が占める面積割合は約10%である。
その他は、実施例1と同様にして図1(a)のような層構成の有機EL発光素子を得た。
(実施例4)
光散乱粒子6として、平均粒径60μmのメチルシリコーン粒子を用いるようにした。その他は、実施例1と同様にして図1(a)のような層構成の有機EL発光素子を得た。
(実施例5)
光散乱粒子6として、平均粒径0.5μmのメチルシリコーン粒子を用いるようにした。その他は、実施例1と同様にして図1(a)のような層構成の有機EL発光素子を得た。
(実施例6)
光散乱粒子6として、凸レンズ形状のアクリル樹脂粒子(積水化成品(株)製「L−XX−03N」:平均粒径5μm)を用いるようにした。その他は、実施例1と同様にして図1(a)のような層構成の有機EL発光素子を得た。
(実施例7)
光散乱粒子6として、平均粒径6μmのアルミニウム粒子を用いるようにした。その他は、実施例1と同様にして図1(a)のような層構成の有機EL発光素子を得た。
(比較例1)
透光性基板1の表面に直接、ITO膜をスパッタし、200℃で1時間加熱処理をしてアニールした電極3を形成した。そしてこの電極3の上に直接、実施例1と同様に有機発光層2、対向電極10を形成すると共に封止キャップで封止することによって、有機EL発光素子を得た。
(比較例2)
実施例1と同様にコーティング材料を基板1の表面にスピンコーターして光散乱層5を形成するにあたって、塗布・乾燥を14回繰り返すことによって、光散乱層5を形成した。その他は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。
このものにおいて、光散乱層5の膜厚を、接触式表面形状測定器(日本ビーコ社製「DekTak3」)で測定したところ平均値で約12μmであった。そして光散乱層5において光散乱粒子6が全面を覆っており、光散乱領域8が占める面積割合は約98%であった。
(比較例3)
実施例1と同様にコーティング材料を基板1の表面にスピンコーターして光散乱層5を形成するにあたって、塗布回数を1回にし、スピンコーターの回転数を4000rpmに設定して、光散乱層5を形成した。その他は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。
このものにおいて、光散乱層5の膜厚を、接触式表面形状測定器(日本ビーコ社製「DekTak3」)で測定したところ平均値で約0.5μmであった。そして光散乱層5において光散乱領域8が殆ど存在せず、光透過領域9が占める面積割合は約98%であった。
上記のようにして実施例1〜7及び比較例1〜3で得た有機EL発光素子の特性を、DC電源(ケースレイ社製)を用い、素子内部に流れる電流を10mA/cmに固定し、輝度計(トプコン社製)を用いて評価した。このとき、正面輝度を、電流効率(cd/A)とともに、10°ごとの角度方位で−80°〜+80°の範囲で測定し、全光束(電力効率lm/W)を算出した。電流効率と電力効率の測定結果を表1に示す。表1には、比較例1の電流効率及び電力効率をそれぞれ基準として、向上倍率を併せて示している。尚、電流−電圧特性は、実施例1〜7及び比較例1〜3において大きな差はみられなかった。また発光スペクトルにも大きな差はみられなかった。
表1にみられるように、実施例1〜7のものは、光散乱層5を形成していない比較例1は勿論、光散乱層5の殆どが光散乱領域で形成される比較例2や、光散乱層5の殆どが光透過領域で形成される比較例3のものに対しても、光の取り出し効率が向上していることが確認される。
本発明の実施の形態の一例を示すものであり、(a)は有機EL発光素子の層構成を示す概略図、(b)は光散乱層の表面の一部を拡大して示した図である。 実施例1の光散乱層の表面を光学顕微鏡で観察し、500倍の撮影画像をプリントした図である。 実施例2の光散乱層の表面を光学顕微鏡で観察し、500倍の撮影画像をプリントした図である。 実施例3の光散乱層の表面を光学顕微鏡で観察し、500倍の撮影画像をプリントした図である。
符号の説明
1 基板
2 有機発光層
3 電極
4 光取出し層
5 光散乱層
6 光散乱粒子
7 バインダー樹脂
8 光散乱領域
9 光透過領域
10 電極
11 平坦化層

Claims (7)

  1. 透光性の基板と有機発光層の間に透光性の電極を備えると共に基板と透光性の電極の間に光の指向性を変更する光取出し層を備え、有機発光層で発光した光を光取出し層及び透光性の電極から透光性の基板を通して取り出すようにした有機EL発光素子において、光取出し層は光散乱層を備えて形成され、光散乱層は、光散乱粒子バインダー樹脂中で凝集して形成された光散乱領域と、光散乱領域より光散乱粒子の含有比率が低い光透過領域とが、面方向で混在して形成されていることを特徴とする有機EL発光素子。
  2. 光散乱層の面内で、光散乱領域が占める面積割合が10〜90%であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL発光素子。
  3. 光散乱層の面内は、光散乱領域と光透過領域のうち一方が海、他方が島を構成する海島構造に形成され、島を構成する側の領域の大きさが1〜100μmの範囲であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL発光素子。
  4. 光散乱粒子の粒径は、0.05〜100μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL発光素子。
  5. 光散乱粒子は、長軸方向と短軸方向を有する異方形状の粒子であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機EL発光素子。
  6. 光散乱粒子は、光反射性を有するものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機EL発光素子。
  7. 光取出し層は、光散乱層と、光散乱層と透光性の電極との間に設けられ、光散乱層の表面を平坦にする平坦化層とを備えて形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の有機EL発光素子。
JP2008215715A 2007-08-27 2008-08-25 有機el発光素子 Active JP5010556B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008215715A JP5010556B2 (ja) 2007-08-27 2008-08-25 有機el発光素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007220299 2007-08-27
JP2007220299 2007-08-27
JP2008215715A JP5010556B2 (ja) 2007-08-27 2008-08-25 有機el発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009076452A JP2009076452A (ja) 2009-04-09
JP5010556B2 true JP5010556B2 (ja) 2012-08-29

Family

ID=40387176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008215715A Active JP5010556B2 (ja) 2007-08-27 2008-08-25 有機el発光素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8530916B2 (ja)
EP (1) EP2203030A4 (ja)
JP (1) JP5010556B2 (ja)
KR (2) KR101239904B1 (ja)
CN (1) CN101790899A (ja)
WO (1) WO2009028456A1 (ja)

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5117422B2 (ja) * 2008-07-15 2013-01-16 富士フイルム株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2010212184A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Konica Minolta Opto Inc 有機el素子、及びそれを用いた有機elディスプレイ、有機el照明装置
CN102102857B (zh) * 2009-12-18 2014-08-13 比亚迪股份有限公司 一种导光部件的制备方法及由该方法制得的导光部件
CN102102856B (zh) * 2009-12-18 2014-04-30 比亚迪股份有限公司 一种导光部件及其制备方法
WO2011161998A1 (ja) * 2010-06-25 2011-12-29 パナソニック電工株式会社 有機el素子
JPWO2012014740A1 (ja) * 2010-07-27 2013-09-12 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20120024358A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
TWI641287B (zh) 2010-09-14 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 固態發光元件,發光裝置和照明裝置
US8547015B2 (en) * 2010-10-20 2013-10-01 3M Innovative Properties Company Light extraction films for organic light emitting devices (OLEDs)
US8469551B2 (en) * 2010-10-20 2013-06-25 3M Innovative Properties Company Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur
JP5827885B2 (ja) * 2010-12-24 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び照明装置
KR101114916B1 (ko) 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5979932B2 (ja) * 2011-03-31 2016-08-31 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6085095B2 (ja) * 2011-03-31 2017-02-22 住友化学株式会社 光学素子
JP6125758B2 (ja) 2011-03-31 2017-05-10 住友化学株式会社 光学素子
JP6018774B2 (ja) 2011-03-31 2016-11-02 住友化学株式会社 金属系粒子集合体
WO2012147685A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 旭硝子株式会社 有機el素子、透光性基板および有機led素子の製造方法
WO2013008982A1 (ko) * 2011-07-14 2013-01-17 엘티씨 (주) 높은 광추출 성능을 갖는 무기 산란막 {inorganic scattering films having high light extraction performance}
TWI469409B (zh) * 2011-09-28 2015-01-11 Au Optronics Corp 有機電致發光元件
US9257662B2 (en) 2011-10-03 2016-02-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Quantum dot light-emitting device
KR101353434B1 (ko) 2011-10-17 2014-01-21 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
KR20130108027A (ko) * 2012-03-23 2013-10-02 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판의 제조방법
KR20130108026A (ko) * 2012-03-23 2013-10-02 주식회사 엘지화학 유기발광소자
JPWO2013146268A1 (ja) 2012-03-27 2015-12-10 住友化学株式会社 無機層発光素子
KR20130111155A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
KR20130111156A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
KR20130111154A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
JP6324662B2 (ja) * 2012-04-23 2018-05-16 恵和株式会社 視野角制限シート及びフラットパネルディスプレイ
CN103427032A (zh) * 2012-05-14 2013-12-04 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR101654360B1 (ko) * 2012-06-22 2016-09-05 코닝정밀소재 주식회사 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법
KR20140017109A (ko) * 2012-07-30 2014-02-11 한국전자통신연구원 유기발광소자 및 그 제조방법
CN104521020B (zh) * 2012-07-31 2017-06-20 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板
EP2871688B1 (en) * 2012-07-31 2022-09-21 LG Chem, Ltd. Substrate for organic electronic device
CN104508854B (zh) * 2012-07-31 2017-12-01 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板
KR101945202B1 (ko) 2012-08-14 2019-02-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 표시 장치
WO2014055409A1 (en) * 2012-10-01 2014-04-10 Corning Incorporated OLEDs COMPRISING LIGHT EXTRACTION SUBSTRUCTURES AND DISPLAY DEVICES INCORPORATING THE SAME
WO2014084701A1 (ko) * 2012-11-30 2014-06-05 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
US9595684B2 (en) * 2012-11-30 2017-03-14 Lg Chem, Ltd. Substrate for organic electronic device having high refractive layer on light scattering, optical functional layer
WO2014126037A1 (ja) * 2013-02-12 2014-08-21 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
MY170159A (en) * 2013-03-12 2019-07-09 Vitro Flat Glass Llc Organic light emitting diode with light extracting layer
MY178501A (en) * 2013-03-28 2020-10-14 Kobe Steel Ltd Metal board, and substrate-type thin-film solar cell and top-emission-type organic el element using same
ES2695052T3 (es) * 2013-05-17 2018-12-28 Saint-Gobain Glass France Sustrato OLED difusor transparente y método para producir tal sustrato
EP2814078B1 (en) * 2013-06-14 2016-02-10 Saint-Gobain Glass France Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate
CN105325056B (zh) * 2013-06-18 2017-09-08 柯尼卡美能达株式会社 有机发光元件
JP6197404B2 (ja) * 2013-06-26 2017-09-20 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器
KR101487729B1 (ko) * 2013-07-03 2015-01-29 코닝정밀소재 주식회사 광전소자용 기판 및 이를 포함하는 광전소자
US9728739B2 (en) * 2013-09-30 2017-08-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and manufacturing method therefor
KR101928598B1 (ko) * 2013-09-30 2018-12-12 주식회사 엘지화학 폴리이미드 필름 및 그 제조방법
US9933587B2 (en) 2013-09-30 2018-04-03 Corning Incorporated OLEDs with improved light extraction using enhanced guided mode coupling
JP6200778B2 (ja) * 2013-10-30 2017-09-20 富士フイルム株式会社 有機電界発光装置
KR101642603B1 (ko) 2013-12-04 2016-07-25 주식회사 엘지화학 유기전자장치용 기판의 제조 방법
CN103700781A (zh) * 2013-12-25 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示基板和有机电致发光显示器
JP6572881B2 (ja) * 2014-03-10 2019-09-11 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子、照明装置、および電界発光素子の製造方法
CN103928634B (zh) * 2014-03-24 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
JPWO2015166764A1 (ja) * 2014-04-28 2017-04-20 コニカミノルタ株式会社 光取り出し積層体、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
WO2016032281A1 (ko) * 2014-08-28 2016-03-03 주식회사 엘지화학 플라스틱 기판
CN106574059B (zh) 2014-08-28 2019-05-31 株式会社Lg化学 塑料基板
JP6573160B2 (ja) 2014-09-17 2019-09-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子
TW201625996A (zh) * 2014-10-21 2016-07-16 聖高拜塑膠製品公司 用可撓性oled的支撐件
WO2016063869A1 (ja) * 2014-10-22 2016-04-28 コニカミノルタ株式会社 光取り出し基板、光取り出し基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US9985251B2 (en) * 2014-10-28 2018-05-29 The Trustees of Princeton University, Office of Technology and Trademark Licensing Process for fabricating a porous film in a scattering layer
WO2016083457A1 (en) 2014-11-25 2016-06-02 Sapa As Multi port extrusion tubing design
KR102495112B1 (ko) 2015-03-26 2023-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102453922B1 (ko) * 2015-03-31 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
JP6745597B2 (ja) * 2015-12-25 2020-08-26 共同印刷株式会社 有機elデバイス用吸湿性光散乱シート
WO2017217201A1 (ja) 2016-06-14 2017-12-21 コニカミノルタ株式会社 透明導電部材、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子
CN113764599B (zh) * 2020-06-04 2023-01-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、其制作方法及显示面板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581850B1 (ko) * 2002-02-27 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법
JP2005142002A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Toyota Industries Corp 照明装置及び表示装置
EP1548856A3 (en) * 2003-12-26 2012-08-08 Nitto Denko Corporation Electroluminescence device, planar light source and display using the same
JP2006093019A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機el表示装置及びその製造方法
TWI294252B (en) * 2004-09-28 2008-03-01 Toshiba Matsushita Display Tec Display
KR20070049211A (ko) * 2004-09-30 2007-05-10 가부시끼가이샤 도시바 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치
JP5066814B2 (ja) * 2005-03-11 2012-11-07 三菱化学株式会社 エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
EP1860919B1 (en) * 2005-03-11 2012-02-15 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence element and lighting apparatus
JP4432863B2 (ja) * 2005-09-05 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP2007165284A (ja) * 2005-11-18 2007-06-28 Seiko Instruments Inc エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置
JP2007188708A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Dainippon Printing Co Ltd 表示素子用基板
JP4791827B2 (ja) * 2006-01-13 2011-10-12 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機el表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100063729A (ko) 2010-06-11
US8530916B2 (en) 2013-09-10
EP2203030A4 (en) 2010-09-29
WO2009028456A1 (ja) 2009-03-05
CN101790899A (zh) 2010-07-28
KR101239904B1 (ko) 2013-03-06
EP2203030A1 (en) 2010-06-30
US20110024779A1 (en) 2011-02-03
KR20120098889A (ko) 2012-09-05
JP2009076452A (ja) 2009-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5010556B2 (ja) 有機el発光素子
US8283845B2 (en) Plane emission device
JP5065776B2 (ja) 面発光体
JP2009004275A (ja) 面発光体及び面発光体の製造方法
JP6345244B2 (ja) 有機電子装置
JP5824678B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101114916B1 (ko) 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5066814B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
JP6573160B2 (ja) 発光素子
JP2011048937A (ja) 有機el発光素子
JP5054464B2 (ja) 有機el発光素子
KR101645774B1 (ko) 유기전자소자용 기판
JP2007066886A (ja) エレクトロルミネッセンス素子用積層体及びエレクトロルミネッセンス素子
KR20130115184A (ko) 유기전자소자용 기판
JP2010055894A (ja) 発光素子用封止フィルム
KR20130111482A (ko) 유기전자소자용 기판
KR101678261B1 (ko) 유기전자소자용 기판
US20190267574A1 (en) Light scattering film with enhanced extraction performance
JP2010198974A (ja) 有機el発光素子
JP4103531B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2011049234A (ja) 有機el発光素子
WO2012176692A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR20170050900A (ko) 유기전자장치
JP2012248696A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20160081387A (ko) 유기전자장치

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100805

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120508

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120601

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5010556

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250